JP3413977B2 - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スミアの低減を図った
固体撮像素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば１インチ光学系のＨＤ（高品位）
ＴＶ用等のＣＣＤ固体撮像素子においては、垂直転送レ
ジスタに印加される転送クロックの伝搬遅延の防止を図
るために、シャント配線構造のＣＣＤ固体撮像素子が提
案されている。

【０００３】図９及び図１０は、シャント配線構造を有
するＦＩＴ（フレームインターライントランスファ）型
ＣＣＤ固体撮像素子、特にその撮像部の一例を示す。こ
のＣＣＤ固体撮像素子１は、第１導電形例えばｎ形のシ
リコン基板２上の第１の第２導電形即ちｐ形のウエル領
域３内に、ｎ形の不純物拡散領域４と、垂直転送レジス
タ５を構成するｎ形転送チャネル領域６並びにｐ形のチ
ャネルストップ領域７が形成され、上記ｎ形の不純物拡
散領域４上にｐ形の正電荷蓄積領域８が、ｎ形の転送チ
ャネル領域６の直下に第２のｐ形ウエル領域９が夫々形
成されている。

【０００４】ここで、ｎ形の不純物拡散領域４とｐ形ウ
エル領域３とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素となるもので複数の受光部１０がマト
リックス状に配列されている。

【０００５】垂直転送レジスタ５を構成する転送チャネ
ル領域６、チャネルストップ領域７及び読み出しゲート
部１１上にゲート絶縁膜１５を介して第１層及び第２層
の多結晶シリコンからなる複数の転送電極１６〔１６
Ａ，１６Ｂ〕が形成され、転送チャネル領域６、ゲート
絶縁膜１５及び転送電極１６により垂直転送レジスタ５
が構成される。転送電極１６は夫々水平方向に延長して
形成され、垂直方向に隣り合う受光部１０間の領域で
は、第１層多結晶シリコンの転送電極１６Ａと第２層多
結晶シリコンの転送電極１６Ｂとが重なって形成され
る。

【０００６】さらに、層間絶縁層１７を介して各垂直転
送レジスタ５上に垂直方向に延在するように、第１Ａ１
層によるシャント配線層１８が形成され、各シャント配
線層１８が対応する転送電極１６に対しコンタクト部１
９を介して接続される。このシャント配線層１８には例
えば４相の転送クロックφＶ₁ 〜φＶ₄ が印加される。
この構成では、このＡｌシャント配線層１８がスミア低
減を図るためのＡｌ遮光層を兼用している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述した第１Ａｌ層を
各垂直転送レジスタ５上の遮光層とシャント配線層１８
を兼用したＣＣＤ固体撮像素子１では、各垂直方向に隣
り合う受光部１０間に入射する光については遮光できな
いため、この垂直方向に隣り合う受光部１０間に入射す
る光が垂直転送レジスタ５に漏れ込むことにより、スミ
ア抑圧比を十分に下げることが出来なかった。

【０００８】一方、本出願人は先に特願平５−１１４８
５９号において、更にスミアの低減を図ったＣＣＤ固体
撮像素子を提案した。

【０００９】このＣＣＤ固体撮像素子は、マトリックス
状に配列された複数の受光部と、各受光部列毎に配され
た転送電極を有する垂直転送レジスタと、垂直転送レジ
スタ上に転送電極に接続されたシャント配線層を有し、
シャント配線層を覆う層間絶縁層を介して受光部を囲う
ように遮光層を形成し、遮光層の受光部側にはり出すは
り出し部下には層間絶縁層を形成しないように構成され
る。

【００１０】即ち、図７に示すように、内部の各領域は
図示せざるも前述の図と同様の構成を採る半導体基板２
１上にゲート絶縁膜２２を介して多結晶シリコンによる
転送電極２３〔２３Ａ，２３Ｂ〕を形成し、次いで、例
えばＳｉＯ₂ による平坦化膜２４を形成した後、転送電
極２３の所要位置にコンタクトホール２４を形成し、全
面にシャント用のＡｌ層を蒸着等で形成したのち、選択
エッチングによるパターニングでシャントＡｌ配線層２
５を形成する。

【００１１】次に、全面に例えばＳｉＯ₂ 等による絶縁
膜を被着形成し、選択エッチングによるパターニングに
より、シャントＡｌ配線層２５を覆う層間絶縁膜２６を
形成する。

【００１２】次に、例えばＴｉＯＮ等の反射防止膜２７
及び遮光用のＡｌ膜を全面に形成した後、選択エッチン
グによりパターニングして、受光部１０を囲い且つ一部
受光部１０側にはり出すはり出し部２８ａを有するＡｌ
遮光層２８を形成する。しかる後、全面に絶縁膜による
上層保護膜２９を形成してＣＣＤ固体撮像素子３０を構
成する。

【００１３】かかる構成のＣＣＤ固体撮像素子３０によ
れば、シャントＡｌ配線層２５とＡｌ遮光層２８との層
間絶縁膜２６を受光部１０上ではエッチング除去されて
いるので、Ａｌ遮光層２８のはり出し部２８ａをより受
光部１０の表面に近付けて形成でき、更なるスミアの低
減化が可能になる。

【００１４】しかし乍ら、図７のＣＣＤ固体撮像素子３
０では、層間絶縁層２６を形成する際の絶縁膜に対する
選択エッチングにおいて、転送電極２３の側壁部分に層
間絶縁膜がサイドウォール２６ａとして残り、実際の出
来上がりは、図８に示す構造となる。即ち、サイドウォ
ール２６ａ上を覆うように反射防止膜２７及びＡｌ遮光
層２８が形成される。

【００１５】この形状では、低スミア化のために、Ａｌ
遮光層２８の下に反射防止膜２７を敷いた場合、サイド
ウォール２６ａの部分は反射防止膜２７の無効部分Ｌ₂
となり、はり出し部２８ａにおける反射防止膜２７の有
効部分Ｌ₁ が短くなってスミア低減効果が弱まってしま
うという問題があった。

【００１６】また、サイドウォール２６ａを取り去るた
めに、オーバーエッチングで対応しようとすると、受光
部１０の表面の膜減りが問題となり、白キズによる歩留
りの低下が懸念される。

【００１７】本発明は、上述の点に鑑み、他に影響を与
えることなくスミアの更なる低減を可能にした固体撮像
素子及びその製造方法を提供するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像素
子は、マトリックス状に配列された複数の受光部１０
と、転送電極４３を有する垂直転送レジスタ５と、垂直
転送レジスタ５上に絶縁層４４を介して転送電極４３に
接続されたシャント用配線層４５と、シャント用配線層
４５を覆う層間絶縁層４７を介して一部受光部１０側に
はり出すように形成された遮光層４８と、転送電極４３
の受光部１０側の側部に対応する絶縁層４４の段差部上
に形成された層間絶縁層４７と同一材料のサイドウォー
ル４７ａとを有し、絶縁層４４上に、サイドウォール４
７ａの下から遮光層４８のはり出し部４８ａの下にわた
って反射防止膜４９が形成された構成とする。

【００１９】本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、
複数の受光部１０と転送電極４３を有した垂直転送レジ
スタ５を形成する工程と、第１の絶縁層４４を介して垂
直転送レジスタ５上に転送電極４３と接続するシャント
用配線層４５を形成する工程と、少なくとも第１の絶縁
層４４上の受光部１０から転送電極４３上に跨がる領域
に第１の反射防止膜４９を形成する工程と、シャント用
配線層４５上を覆って第２の絶縁層４７を形成する工程
と、シャント用配線層４５を覆い且つ転送電極４３の側
部にサイドウォール４７ａが残る以外の領域の第２の絶
縁層４７を選択的に除去する工程と、第２の反射防止膜
４９を介して、もしくは介さないで遮光層４８となる材
料層４８′を形成する工程を有する。

【００２０】

【作用】本発明に係る固体撮像素子においては、シャン
ト用配線層４５を介して一部受光部１０側にはり出す遮
光層４８が形成され、転送電極４３の受光部１０側の側
部に対応する絶縁層４４の段差部上に層間絶縁層４７と
同一材料のサイドウォール４７ａが形成され、絶縁層４
４上に、サイドウォール４７ａの下から遮光層４８のは
り出し部４８ａの下にわたって反射防止膜４９が形成さ
れることにより、受光部１０側上にはり出す反射防止膜
４９の有効部分Ｌ₃ が長くなり、スミア低減化が可能に
なる。

【００２１】受光部１０側に形成された層間絶縁層４７
によるサイドウォール４７ａを取るためのオーバーエッ
チングを不要とすることができ、その分、受光部１０上
の絶縁層の膜厚ｔ₁ （ｔ₂ ）を薄くすることが出来、よ
り一層のスミアの低減化が可能となる。

【００２２】本発明に係る固体撮像素子の製造方法にお
いては、シャント用配線層４５を形成した後、少なくと
も受光部１０上から転送電極４３上に跨がる領域に第１
の反射防止膜４９を形成し、次いで、シャント用配線層
４５上を覆って第２の絶縁層４７を形成し、シャント用
配線層４５を覆い且つ転送電極４３の側部にサイドウォ
ール４７ａが残る以外の領域の第２の絶縁層４７を選択
的に除去することにより、反射防止膜４９はサイドウォ
ール４７ａ下にも存在することになり、同時にサイドウ
ォール４７ａを除去するためのオーバーエッチングが不
要となる。

【００２３】次いで、第２の反射防止膜４９を介して、
もしくは介さないで遮光層４８となる材料層４８′を形
成する工程を有することにより、その後、材料層４８′
を一部受光部１０側にはり出すようにパターニングして
遮光層４８を形成することにより、受光部１０側に形成
された層間絶縁層４７によるサイドウォール４７ａ下か
ら遮光層４８のはり出し部４８ａの下にわたって反射防
止膜４９を形成することができ、スミアの低減を図るこ
とができる。

【００２４】ここで、第１の反射防止膜４９と第２の絶
縁層４７とのエッチングにおける選択比が取れず、第２
の絶縁層４７の選択エッチングでその下の第１の反射防
止膜４９も同時にエッチングされるときは、第２の反射
防止膜４９を介して遮光層となる材料層４８′を形成す
るようになす。

【００２５】また、第１の反射防止膜４９と第２の絶縁
層４７とのエッチングにおける選択比が十分取れる場合
は、第２の絶縁層４７のエッチング時に受光部１０上の
第１の反射防止膜４９がエッチングされないので、第２
の反射防止膜４９を介さないで遮光層となる材料層４
８′を形成する。この場合、上記のように第１の反射防
止膜４９がエッチングされないので、その分、受光部１
０上の第１の絶縁層４４の膜厚を薄くすることが出来、
より一層の低スミア化が可能となる。

【００２６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００２７】図１及び図２は、本発明をＦＩＴ型のＣＣ
Ｄ固体撮像素子に適用した場合の一例を示す平面図及び
そのＢ−Ｂ線上の断面図である。

【００２８】このＣＣＤ固体撮像素子４１は、第１導電
型例えばｎ形のシリコン基板２上の第１の第２導電形即
ちｐ形のウエル領域３内にｎ形の不純物拡散領域４と、
垂直転送レジスタ５を構成するｎ形転送チャネル領域６
並びにｐ形のチャネルストップ領域７が形成され、上記
ｎ形の不純物拡散領域４上にｐ形の正電荷蓄積領域８
が、またｎ形のチャネル領域６の真下に第２のｐ形ウエ
ル領域９が夫々形成される。

【００２９】ここで、ｎ形の不純物拡散領域４とｐ形ウ
エル領域３とのｐｎ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素となるもので、複数の受光部１０がマ
トリックス状に配列される。

【００３０】そして、この各領域が形成された半導体基
体４２の垂直転送レジスタ５を構成する転送チャネル領
域６、読み出しゲート部１１及びチャネルストップ領域
７上にゲート絶縁膜１５を介して第１層目及び第２層目
の多結晶シリコンからなる転送電極４３〔４３Ａ，４３
Ｂ〕が形成され、転送チャネル領域６、ゲート絶縁膜１
５及び転送電極４３により垂直転送レジスタ５が構成さ
れる。

【００３１】この垂直転送レジスタ５は各受光部列の一
側に形成される。各転送電極４３は水平方向に帯状に形
成され、垂直転送レジスタ５上では垂直方向に順次配列
されるも、垂直方向に隣り合う受光部１０間では第１層
目及び第２層目の多結晶シリコンによる転送電極４３Ａ
及び４３Ｂが重なるように形成される。

【００３２】そして、例えばＳｉＯ₂ による絶縁層（平
坦化膜）４４を介して各垂直転送レジスタ５上に沿って
第１のＡｌ層によるシャント用配線層４５が形成さ、図
１に示すように、各シャント用配線層４５がコンタクト
部４６を介して対応する転送電極４３に接続される。各
転送電極４３には、このシャント用配線層を介して例え
ば４相の転送クロックφＶ₁ ，φＶ₂ ，φＶ₃ 及びφＶ
₄ が印加される。

【００３３】尚、図示せざるも、コンタクト部４６にお
いてＡｌと多結晶シリコンが接触することにより発生す
るポテンシャルシフトを防止するためにシャント用配線
層４５下に之に沿うように層間絶縁層を介してバッファ
用多結晶シリコン層を形成し、このバッファ用多結晶シ
リコン層とシャント用配線層４５を第１の位置で接続
し、バッファ用多結晶シリコン層と転送電極４５とを上
記第１の位置とは異なる第２の位置で接続するようにな
すこともできる。

【００３４】このシャント用配線層を覆って且つ転送電
極４３の側部にサイドウォール４７ａが残る以外の領
域、即ち受光部１０上を含む領域を除くように、例えば
プラズマＳｉＮ系による層間絶縁層４７が形成され、こ
の層間絶縁層４７上及び一部受光部１０側の絶縁層上に
はり出すように第２のＡｌ層からなる遮光層４８が形成
される。そして、本例では特に、少なくともこの遮光層
４８のはり出し部４８ａの下面からサイドウォール４７
ａの下面にわたって例えばＴｉＯＮ、ＴｉＮ等の反射防
止膜４９が形成される。この例では、反射防止膜４９が
遮光層４８の下面全面にも形成される。

【００３５】尚、遮光層４８としては、Ａｌの他、Ｗ，
Ｍｏ，ＷＳｉ，ＭｏＳｉ等により形成することも可能で
ある。

【００３６】さらに、全面に例えばプラズマＳｉＮ系又
はプラズマＳｉＯ系等による絶縁保護膜５０が被着形成
される。

【００３７】このＣＣＤ固体撮像素子４１によれば、第
１のＡｌ層によるシャント用配線層４５上を覆う層間絶
縁層４７を介して受光部１０を除く垂直転送レジスタ５
上及び垂直方向に隣り合う受光部１０間の領域上に第２
のＡｌ層による遮光層４８が形成されることにより、垂
直転送レジスタ及び垂直方向の受光部１０間の遮光を行
うことができる。

【００３８】また、上記層間絶縁層４７の受光部１０側
へのはり出し部４８ａが下層の薄い絶縁層４４上に形成
されるので、遮光がより確実になる。しかも、反射防止
膜４９がはり出し部４８ａにおいて、少なくとも層間絶
縁層４７のサイドウォール４７ａの下面から遮光層のは
り出し部４８ａの下面にわたって形成されることによ
り、はり出し部４８ａにおける反射防止膜４９の有効部
分Ｌ₃ が長くなり、はり出し部４８ａ下の絶縁層内に入
射した光の多重反射が低減し、スミア成分をより低減で
きる。

【００３９】次に、図３〜図６を用いて本発明による上
記ＣＣＤ固体撮像素子４１の製造方法の実施例を説明す
る。

【００４０】各工程順の図は、図１のＢ−Ｂ線上の断面
に対応する。また各工程順の図において、半導体基体４
２は、内部の各領域は図示せざるも前述の図２と同様の
構成を採る。

【００４１】図３〜図４は本発明による製造方法の一例
である。先ず、図３Ａに示すように、半導体基体４２上
にゲート絶縁膜１５を介して多結晶シリコンによる転送
電極４３〔４３Ａ，４３Ｂ〕を形成し、次いで全面に例
えばＳｉＯ₂ による絶縁層（平坦化膜）４４を形成し、
この絶縁層４４に対しシャント用配線層の所要の接続部
に対応する位置にコンタクトホール４４ａを形成した
後、全面にシャント用配線層となる第１の金属膜、例え
ばＡｌ，Ｗ、本例ではＡｌ膜を被着形成し、パターニン
グして、例えばドライエッチングにより選択的にエッチ
ングして転送電極４３上にコンタクトホール４４ａを介
して接続されたシャント用配線層４５を形成する。

【００４２】しかる後、層間絶縁層を堆積する前に全面
に例えばＴｉＯＮ，ＴｉＮ等の反射防止膜４９を被着形
成し、次いで、選択エッチングによりシャント用配線層
４５と短絡しないで且つ受光部１０上から転送電極４３
の段差部上に跨がる部分までを残して、他部の反射防止
膜４９を除去する。

【００４３】次に、図３Ｂに示すように、シャント用配
線層４５、反射防止膜４９等を含む全面上に、層間絶縁
層４７を被着形成する。

【００４４】次に、図３Ｃに示すように、層間絶縁層４
７を例えばドライエッチングにより選択的にエッチング
し、シャント用配線層４５を覆う部分を残し、他の受光
部１０上の層間絶縁層４７を除去する。層間絶縁層４７
をジャストエッチングした状態では、転送電極４３の側
壁部分（いわゆる段差部分）に層間絶縁層４７のエッチ
ング残り、即ち、所謂サイドウォール４７ａが生ずる。

【００４５】ここでは、このサイドウォール４７ａをオ
ーバーエッチングにより除去する必要はない。このと
き、層間絶縁層４７と反射防止膜４９とのエッチングの
選択比が取れなくて、受光部１０上において、層間絶縁
層４７とその下の反射防止膜４９が同時にエッチング除
去されても構わない。

【００４６】次に、図４Ｄに示すように、再び全面に反
射防止膜４９を例えばスパッタ等により被着形成し、さ
らにその上に、遮光層となる第２のＡｌ膜４８′をスパ
ッタ等により被着形成する。

【００４７】次に、図４Ｅに示すように、選択エッチン
グによって、受光部１０上のＡｌ膜４８′及び反射防止
膜４９を除去し、下面に反射防止膜４９を有し且つ一部
受光部側にはり出したはり出し部４８ａを有するＡｌ遮
光層４８を形成する。

【００４８】しかる後、図４Ｆに示すように全面に例え
ばプラズマＳｉＮ系又はプラズマＳｉＯ系等による絶縁
保護膜５０を形成して、目的のＣＣＤ固体撮像素子４１
を得る。

【００４９】上述のＣＣＤ固体撮像素子４１の製造方法
によれば、層間絶縁層４７を堆積する前に反射防止膜４
９を転送電極４３の段差部分から受光部１０にかけて形
成することにより、その後、層間絶縁層４７を形成し、
パターニングしたときにサイドウォール４７ａ下に反射
防止膜４９が残る。次いでさらに反射防止膜４９及びＡ
ｌ膜４８′を形成してパターニングし、Ａｌ遮光層４８
を形成するようにしたことにより、サイドウォール４８
ａ下から遮光層のはり出し部４８ａ下にわたって反射防
止膜４９を形成することが出来る。

【００５０】従って、遮光層の受光部１０側へのはり出
し部４８ａ下の反射防止膜４９は無効部分はなく、全て
有効部分Ｌ₃ となり、サイドウォール４８ａを除去する
ことなく、ＣＣＤ固体撮像素子の低スミア化が実現でき
る。

【００５１】そして、本例ではサイドウォール４７ａを
取るためのオーバーエッチングを無くすことが出来るの
で、その分、受光部１０上の絶縁層（平坦化膜）４４の
膜厚ｔ₁ を薄くすることが出来、より一層の低スミア化
が可能となる。同時にオーバーエッチングを不要とする
ので、受光部１０上の絶縁層４４が膜減りするようなこ
とはなく、実質的に絶縁層４４に影響を与えない。

【００５２】図５〜図６は本発明による製造方法の他の
例である。本例において、図５Ａから図５Ｂまでの工程
は、前述の図３Ａから図３Ｂまでの工程と同じである。

【００５３】次に、図５Ｃに示すように、層間絶縁層４
７を例えばドライエッチングにより選択的にエッチング
し、シャント用配線層４５を覆う部分を残し、他の受光
部１０上の層間絶縁層４５を除去する。層間絶縁層４７
をジャストエッチングした状態では、転送電極４３の側
壁部分に層間絶縁層４７のサイドウォール４７ａが形成
される。このサイドウォール４７ａをオーバーエッチン
グにより除去する必要はない。そして、この例では、層
間絶縁層４７と反射防止膜４９とのエッチングの選択比
が十分取れる場合であるので、受光部１０上において反
射防止膜４９がエッチングされずに残る。

【００５４】次に、図６Ｄに示すように、全面に遮光層
となる第２のＡｌ膜４８′を例えばスパッタ等により被
着形成する。

【００５５】次に、図６Ｅに示すように、選択エッチン
グによって受光部１０上のＡｌ膜４８′及びその下の反
射防止膜４９を除去し、下面に反射防止膜４９を有し且
つ一部受光部側にはり出したはり出し部４８ａを有する
Ａｌ遮光層４８を形成する。

【００５６】しかる後、図６Ｆに示すように、全面に例
えばプラズマＳｉＮ系又はプラズマＳｉＯ系等による絶
縁保護膜５０を形成して目的のＣＣＤ固体撮像素子を得
る。

【００５７】上述のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法によ
れば、前述の図３〜図４の例と同様に、サイドウォール
４８ａ下から遮光層のはり出し部４８ａ下にわたって反
射防止膜４９が形成され、遮光層の受光部１０側へのは
り出し部４８ａ下の反射防止膜４９の有効部分Ｌ₃ が長
くなり低スミア化が図れる。

【００５８】また、サイドウォール４７ａをオーバーエ
ッチングで取る必要がないので、受光部１０上の絶縁層
４４が膜減りするようなことはなく、実質的に絶縁層４
４に影響を与えない。

【００５９】しかも、反射防止膜４９と層間絶縁層４７
とのエッチングの選択比が十分取れる場合には、図５Ｃ
に示すように、層間絶縁層４７のエッチング時に反射防
止膜４９がストッパーとなって、受光部１０上の絶縁層
（平坦化膜）４４がエッチングされないため、その分、
受光部１０上の絶縁層の厚さｔ₂ を薄くすることがで
き、より一層の低スミア化が可能となる。

【００６０】上例では、ＦＩＴ型のＣＣＤ固体撮像素子
について説明したが、その他ＩＴ（インターライントラ
ンスファ）型のＣＣＤ固体撮像素子にも適用できる。

【００６１】

【発明の効果】本発明に係る固体撮像素子によれば、遮
光層の受光部側へのはり出し部下の反射防止膜の有効部
分が長くなり、サイドウォールを除去することなく、ス
ミア成分をより低減することができる。サイドウォール
を除去するためのオーバーエッチングが不要となり、そ
の分、受光部上の絶縁層が薄くできるので、一層のスミ
ア成分の低減を図ることができる。

【００６２】本発明に係る固体撮像素子の製造方法によ
れば、層間絶縁層のサイドウォールを除去することな
く、そのサイドウォール下から遮光層のはり出し部下に
わたって反射防止膜を形成することができ、従って、遮
光層の受光部側へのはり出し部での反射防止膜の有効部
分が大きく取れスミア成分の低減を図ることができる。
またサイドウォールをオーバーエッチングで除去する必
要がないので、その分、受光部上の絶縁層の膜厚が薄く
でき、更なるスミア成分の低減が可能となる。同時にオ
ーバーエッチングによる受光部上の絶縁層に対する膜減
の問題も解消される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の実施例を示
す要部の平面図である。

【図２】図１のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図３】Ａ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の一例を示す製造工程図である。 Ｂ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の一例
を示す製造工程図である。 Ｃ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の一例
を示す製造工程図である。

【図４】Ｄ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の一例を示す製造工程図である。 Ｅ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の一例
を示す製造工程図である。 Ｆ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の一例
を示す製造工程図である。

【図５】Ａ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の他の例を示す製造工程図である。 Ｂ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の他の
例を示す製造工程図である。 Ｃ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の他の
例を示す製造工程図である。

【図６】Ｄ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方
法の他の例を示す製造工程図である。 Ｅ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の他の
例を示す製造工程図である。 Ｆ 本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の他の
例を示す製造工程図である。

【図７】シャント構造を有する固体撮像素子の断面図で
ある。

【図８】図７の固体撮像素子の問題点を示す断面図であ
る。

【図９】従来の固体撮像素子の要部の平面図である。

【図１０】図９のＡ−Ａ線上の断面図である。

【符号の説明】

５ 垂直転送レジスタ １０ 受光部 １１ 読み出しゲート部 １５ ゲート絶縁膜 ４１ ＣＣＤ固体撮像素子 ４３〔４３Ａ，４３Ｂ〕 転送電極 ４４ 絶縁層 ４５ シャント用配線層 ４５′ Ａｌ膜 ４７ 層間絶縁層 ４７ａ サイドウォール ４８ Ａｌ遮光層 ４８ａ はり出し部 ４９ 反射防止膜 ５０ 絶縁保護層

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリックス状に配列された複数の受
   光部と、 転送電極を有する垂直転送レジスタと、 前記垂直転送レジスタ上に絶縁層を介して前記転送電極
   に接続されたシャント用配線層と、 前記シャント用配線層を覆う層間絶縁層を介して一部前
   記受光部側にはり出すように形成された遮光層と、 前記転送電極の前記受光部側の側部に対応する前記絶縁
   層の段差部上に形成された前記層間絶縁層と同一材料の
   サイドウォールとを有し、 前記絶縁層上に、前記サイドウォールの下から前記遮光
   層のはり出し部の下にわたって反射防止膜が形成されて
   成ることを特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】 複数の受光部と転送電極を有した垂直転
   送レジスタを形成する工程と、 第１の絶縁層を介して前記垂直転送レジスタ上に転送電
   極と接続するシャント用配線層を形成する工程と、 少なくとも前記第１の絶縁層上の前記受光部から前記転
   送電極上に跨がる領域に、第１の反射防止膜を形成する
   工程と、 前記シャント用配線層上を覆って第２の絶縁層を形成す
   る工程と、 前記シャント用配線層を覆い且つ前記転送電極の側部に
   サイドウォールが残る以外の領域の前記第２の絶縁層を
   選択的に除去する工程と、 第２の反射防止膜を介して、もしくは介さないで遮光層
   を形成する工程を有することを特徴とする固体撮像素子
   の製造方法。