JPH06294854A - センサチップ - Google Patents

センサチップ

Info

Publication number
JPH06294854A
JPH06294854A JP6001434A JP143494A JPH06294854A JP H06294854 A JPH06294854 A JP H06294854A JP 6001434 A JP6001434 A JP 6001434A JP 143494 A JP143494 A JP 143494A JP H06294854 A JPH06294854 A JP H06294854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor chip
resistors
chip according
resistor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6001434A
Other languages
English (en)
Inventor
Fritz Dettmann
フリッツ デットマン
Uwe Loreit
ウベ ロライト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LUST ELECTRON SYST GmbH
RUSUTO ELECTRON SYST GmbH
Original Assignee
LUST ELECTRON SYST GmbH
RUSUTO ELECTRON SYST GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LUST ELECTRON SYST GmbH, RUSUTO ELECTRON SYST GmbH filed Critical LUST ELECTRON SYST GmbH
Publication of JPH06294854A publication Critical patent/JPH06294854A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/022—Measuring gradient
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 出力信号が測定すべき電流に比例し、かつ温
度にも外部磁界にも妨害され難く安定した感度を維持す
るようにする。 【構成】 センサチップ５は、磁界強度の勾配を測定す
るためホイートストンブリッジ型のブリッジ回路が設け
られたセンサチップであり、中心軸線（１５）に対して
間隔を置いた第１及び第２の範囲（Ｉ，II）に配置され
た第１〜第４磁気感応抵抗（１〜４）を有している。ま
た、前記第１抵抗と第２抵抗とが直列接続されて第１ブ
リッジ分路（Ａ）を形成するとともに、前記第３抵抗と
第４抵抗とが直列接続されて第２ブリッジ分路（Ｂ）を
形成している。さらに、前記第１の範囲に前記第１及び
第４抵抗が配置されるとともに、前記第２の範囲に前記
第２及び第３抵抗が配置されている。そして、前記第１
の範囲の前記第１及び第４抵抗と、前記第２の範囲の前
記第２及び第３抵抗とが、前記中心軸線を基準に対称的
に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、センサチップ、特に、
電流及び電圧を測定するセンサチップに関する。
【０００２】
【従来の技術】センサチップとして、磁界強度の勾配を
測定するためホイートストンブリッジの形のブリッジ回
路が設けられたものが既に知られている（ドイツ連邦共
和国特許第４２１２７３７号）。このブリッジ回路は、
中心軸線に対して間隔を置いた２つの範囲に並列に配置
された４つの磁気感応抵抗を備えており、これら抵抗の
うち直列接続されたそれぞれ２つの抵抗が、ホイートス
トンブリッジのそれぞれ１つのブリッジ分路を形成して
いる。
【０００３】磁界勾配を判定する装置は、とくに磁界が
引き起こす電流の電流強度を電位に関係なく測定するた
めに使われる。このようにして判定すべき磁界は、常に
広範囲な妨害磁界を伴うので、磁界勾配によって測定す
べき磁界と妨害磁界との間の区別を行なうことが必要に
なる。このような装置は、ドイツ民主共和国特許第１５
５２２０号及び同第２７５７４５号によりすでに公知で
ある。その場合、大きな測定範囲にわたる電流を検出す
るための感度が十分高いという理由で、磁気感応センサ
素子が使用される。一般にこのようなセンサ素子がリニ
アリティを示す範囲は限られている。また、これらセン
サ素子の感度は、温度及びセンサ素子に加えられる外部
磁界に強く左右される。しかも、個々のセンサ素子間で
感度が大きく相違する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、出力
信号が測定すべき電流に比例し、かつ温度にも外部磁界
にも妨害され難く安定した感度を維持するようにするこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るセンサチッ
プは、磁界強度の勾配を測定するためホイートストンブ
リッジ型のブリッジ回路が設けられたセンサチップであ
る。このセンサチップは、中心軸線（１５）に対して間
隔を置いた第１及び第２の範囲（Ｉ，II）に配置された
第１〜第４磁気感応抵抗（１〜４）を有している。ま
た、前記第１抵抗と第２抵抗とが直列接続されて第１ブ
リッジ分路（Ａ）を形成するとともに、前記第３抵抗と
第４抵抗とが直列接続されて第２ブリッジ分路（Ｂ）を
形成している。さらに、前記第１の範囲に前記第１及び
第４抵抗が配置されるとともに、前記第２の範囲に前記
第２及び第３抵抗が配置されている。そして、前記第１
の範囲の前記第１及び第４抵抗と、前記第２の範囲の前
記第２及び第３抵抗とが、前記中心軸線を基準に対称的
に配置されている。
【０００６】前記第１〜第４抵抗が、対称的に対になっ
て同じに形成されていることが好ましい。また、前記第
１〜第４抵抗が磁気感応層帯からなることが好ましい。
さらに、前記第１〜第４抵抗が、それぞれ少なくとも２
つの層帯からなることが好ましい。そして、その層帯
が、少なくとも対になって同じバーバーポール構造（１
０）を有することがさらに好ましい。
【０００７】前記層帯に重なるように、かつ前記層帯に
対して絶縁された薄膜帯導体（１１）をさらに備え、そ
の薄膜帯導体を通って測定可能な制御電流（Ｉｓｔ）が
流れることができることが好ましい。そして、ホイート
ストンブリッジによって測定された磁界強度の変化が補
償されるように前記制御電流（Ｉｓｔ）が選定可能であ
ることが好ましい。
【０００８】前記薄膜帯導体が複数設けられていること
が好ましい。また、前記第１〜第４抵抗のそれぞれの層
帯の上又は下に、薄膜帯導体が設けられていることが好
ましい。そして、前記薄膜帯導体が中心軸線を基準に対
称的に配置されていることが好ましい。それぞれのブリ
ッジ分路に対して直列に接続されている可変磁気感応抵
抗（９）をさらに備えているのが好ましい。また、前記
可変磁気感応抵抗が前記中心軸線を基準に対称的に配置
されているのが好ましい。さらに、前記可変磁気感応抵
抗が機械的削除により調整され得る抵抗であるのが好ま
しい。
【０００９】ホイートストンブリッジの動作電圧（Ｕ
ｂ）と出力電圧（Ｕａ）と制御電流（Ｉｓｔ）とのた
め、センサチップ（５）の表面に形成された面片（７）
をさらに備えているのが好ましい。また、前記面片が前
記中心軸線を基準に対称的に配置されているのが好まし
い。しかも、前記面片が、前記第１及び第２の範囲の間
の中心範囲（III）に配置されているのが好ましい。
【００１０】前記層帯が一平面内に配置されているのが
好ましい。また、前記層帯の間及び／又は前記層帯と前
記面片との間に必要な電気導体（６，８）が、同じ平面
内に配置されているのが好ましい。測定すべき電流が流
れ、前記中心軸線を基準に対称的に配置された電気導体
（１４）をさらに備えているのが好ましい。そして、前
記電気導体が直列に接続されているのが好ましい。
【００１１】
【実施例】ホイートストンブリッジ型のブリッジ回路が
示されている図１において、第１ブリッジ分路Ａには２
つの磁気感応抵抗１，２が、また第２ブリッジ分路Ｂに
は別の２つの磁気感応抵抗３，４がそれぞれ直列に接続
されて配置されている。このブリッジ回路には動作電圧
Ｕｂが供給され、出力信号として出力電圧Ｕａが得られ
る。抵抗１〜４の少なくとも１層下には、抵抗１〜４に
対して絶縁された薄膜帯導体が設けられている。その配
置は当該技術分野の専門家にはよく知られているので、
図においては省略されている。薄膜帯導体には、制御電
流Ｉｓｔが流される。
【００１２】図２において、本発明の一実施例としての
センサチップ５は、２つの範囲Ｉ，IIを含んでいる。こ
れらの範囲Ｉ，IIは、中心軸線１５から同じ距離ａを隔
てており、それぞれ２つの磁気感応抵抗１，４及び磁気
感応抵抗２，３を有している。抵抗１〜４は、互いに平
行に配置された２つの層帯からなり、これらの層帯は周
知のバーバーポール構造１０を有している。図２では抵
抗４に関してだけ示されたバーバーポール構造１０は、
すべての抵抗１〜４において同様に設けられている。そ
れにより、加えられた磁界勾配だけが、ブリッジ回路を
制御するようになっている。抵抗１，２と抵抗３，４と
はそれぞれ別のブリッジ分路Ａ，Ｂに属するが、空間的
には、範囲Ｉに抵抗１，４がまとめられており、範囲II
に抵抗２，３がまとめられている。このことは、抵抗１
〜４の層帯から延びる電気導体６及び電気導体８によっ
ても明らかである。
【００１３】導体８は、面片７を抵抗１〜４の層帯に接
続するためのものである。動作電圧Ｕｂ及び出力電圧Ｕ
ａのための面片７は、同一平面内に配置され、センサチ
ップ５外への接点となっている。残りの２つの面片７
は、制御電流Ｉｓｔを供給するための外部接点として使
われる。抵抗１〜４の少なくとも１層下には、抵抗１〜
４に対して絶縁された薄膜帯導体１１が設けられてお
り、導体１１に制御電流Ｉｓｔ用の面片７が接続されて
いる。面片７は、センサチップ５の中心範囲IIIにおい
て、中心軸線１５を基準に対称的に配置されている。
【００１４】中心軸線１５上にさらに可変磁気感応抵抗
９が配置されている。この抵抗９は、ホイートストンブ
リッジの分路に直列に接続されている。抵抗９は、機械
的に又はレーザーによってトリミングできる。その場合
のトリミングは、総合的に配置の対称性を維持するよう
に行なわれる。抵抗９が中心軸線１５上に配置されてお
り、ブリッジ調整用のトリミングも軸線対称に行なわれ
る。これにより、磁界勾配が存在しないときに出力電圧
Ｕａがゼロになるように調節される。
【００１５】出力電圧Ｕａは、図示しない増幅器に供給
される。制御電流Ｉｓｔは、抵抗１〜４の層帯の位置に
おける外部磁界勾配の作用が相殺されるように設定され
る。制御電流Ｉｓｔが装置の出力信号となる。この電流
Ｉｓｔは、磁界勾配に直接比例しており、温度及び広範
囲の妨害磁界には左右されない。この実質的に対称のセ
ンサチップ５によれば、熱が中心軸線１５に対して対称
に発生するようになっている。それ故に、抵抗１〜４の
層帯において磁気歪みにより引き起こされる抵抗変化は
どこでも同じになり、出力電圧Ｕａの変化を引き起こさ
ない。したがって、温度に依存したゼロ点ドリフトはか
なりの程度まで抑えられる。
【００１６】図３及び図４は、導体１４を通る電流Ｉｏ
の電流強度を測定するために本発明によるセンサチップ
５を使用した場合を示している。センサチップ５は、導
体１４に対して絶縁体１３により電気的に絶縁されてい
る。２つの導体１４が設けられており、そこに図３に示
すように電流Ｉｏが流れる。それにより、導体１４内の
電流Ｉｏに比例する磁界勾配が生じる。近くを通って流
れる別の電流によって引き起こされ得る妨害磁界は、両
方の対称的な範囲Ｉ及び範囲IIに同じ程度の作用を及ぼ
すので、出力信号（すなわち制御電流Ｉｓｔ）に作用を
及ぼさない。これには、範囲Ｉ，IIの間の距離（２ａ）
が１ｍｍより小さいということが貢献している。
【００１７】図４は、電流強度を電位に関係なく測定す
る場合の構成要素全体を示している。両側の導体１４
は、センサチップ５の位置で磁界勾配が生じるように形
成されている。センサチップ５及び導体１４の間の絶縁
層１３と、導体１４への電流Ｉｏの供給用ピン２０及び
センサチップ５の給電用及び出力取り出し用のピン２１
の配置は、ここでは高い絶縁性が考慮されている。
【００１８】本発明にかかるセンサチップ５では、抵抗
が中心線に対して対称的に配置されていることから、出
力信号が測定すべき電流に比例し、かつ温度にも外部磁
界にも妨害され難く安定した感度を維持することができ
る。このセンサチップ５の出力信号は、広範囲にわたり
リニアリティを示し、かつ温度にも外部磁界にも依存し
ない。センサチップ５の回路パターンはミクロ構造で極
めて精密に仕上げることができるので、サンプルのばら
つきはきわめてわずかである。また、両範囲Ｉ，IIの間
の距離は小さく維持でき、外部の離れた磁界源からの妨
害磁界による影響は小さい。
【００１９】本発明によるセンサチップ５を備えた装置
は、動作中のセンサチップ５の対称的な昇温を前提とし
て、高度な幾何学的対称性を有する（ただし、磁気感応
層帯におけるバーバーポール構造の角度だけは、対称か
ら除外されている）。動作電流により引き起こされる対
称的な温度上昇により、ホイートストンブリッジのあら
ゆる層帯において同じ抵抗変化が引き起こされる。そし
て、センサチップ５における温度に依存したゼロ点ドリ
フトが、かなりの程度まで除去される。
【００２０】
【発明の効果】本発明に係るセンサチップによれば、出
力信号が測定すべき電流に比例し、かつ温度にも外部磁
界にも妨害され難く安定した感度を維持するようにする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ホイートストンブリッジの概念を示す図。
【図２】本発明によるセンサチップを示す平面図。
【図３】本発明によるセンサチップの応用例を示す斜視
部分図。
【図４】本発明によるセンサチップの応用例を示す全体
平面図。
【符号の説明】
１ 抵抗 ２ 抵抗 ３ 抵抗 ４ 抵抗 ５ センサチップ ６ 導体 ７ 面片 ８ 導体 ９ 抵抗 １０ バーバーポール構造 １１ 薄膜帯導体 １４ 導体 １５ 中心軸線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロライト ウベ ドイツ連邦共和国 ベツラー−ナウボーン デー−35580 フリーデンスシュトラー セ 14

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁界強度の勾配を測定するためホイートス
    トンブリッジ型のブリッジ回路が設けられたセンサチッ
    プであって、 中心軸線（１５）に対して間隔を置いた第１及び第２の
    範囲（Ｉ，II）に配置された第１〜第４磁気感応抵抗
    （１〜４）を有し、 前記第１抵抗と第２抵抗とが直列接続されて第１ブリッ
    ジ分路（Ａ）を形成するとともに、前記第３抵抗と第４
    抵抗とが直列接続されて第２ブリッジ分路（Ｂ）を形成
    し、 前記第１の範囲に前記第１及び第４抵抗が配置されると
    ともに、前記第２の範囲に前記第２及び第３抵抗が配置
    され、 前記第１の範囲の前記第１及び第４抵抗と、前記第２の
    範囲の前記第２及び第３抵抗とが、前記中心軸線を基準
    に対称的に配置されている、センサチップ。
  2. 【請求項２】前記第１〜第４抵抗が、対称的に対になっ
    て同じに形成されている、請求項１に記載のセンサチッ
    プ。
  3. 【請求項３】前記第１〜第４抵抗が磁気感応層帯からな
    る、請求項１又は２に記載のセンサチップ。
  4. 【請求項４】前記第１〜第４抵抗が、それぞれ少なくと
    も２つの層帯からなる、請求項３に記載のセンサチッ
    プ。
  5. 【請求項５】前記層帯が、少なくとも対になって同じバ
    ーバーポール構造（１０）を有する、請求項３又は４に
    記載のセンサチップ。
  6. 【請求項６】前記層帯に重なるように、かつ前記層帯に
    対して絶縁された薄膜帯導体（１１）をさらに備え、そ
    の薄膜帯導体を通って制御電流（Ｉｓｔ）が流れること
    ができる、請求項３〜５の１つに記載のセンサチップ。
  7. 【請求項７】ホイートストンブリッジによって測定され
    た磁界強度の変化が補償されるように前記制御電流（Ｉ
    ｓｔ）が選定可能である、請求項６に記載のセンサチッ
    プ。
  8. 【請求項８】前記薄膜帯導体が複数設けられている、請
    求項６又は７に記載のセンサチップ。
  9. 【請求項９】前記第１〜第４抵抗のそれぞれの層帯の上
    又は下に、薄膜帯導体が設けられている、請求項８に記
    載のセンサチップ。
  10. 【請求項１０】前記薄膜帯導体が前記中心軸線を基準に
    対称的に配置されている、請求項８に記載のセンサチッ
    プ。
  11. 【請求項１１】それぞれのブリッジ分路に対して直列に
    接続されている可変磁気感応抵抗（９）をさらに備え
    た、請求項１〜１０の１つに記載のセンサチップ。
  12. 【請求項１２】ホイートストンブリッジの動作電圧（Ｕ
    ｂ）と出力電圧（Ｕａ）と制御電流（Ｉｓｔ）とのた
    め、センサチップ（５）の表面に形成された面片（７）
    をさらに備えた、請求項１〜１１の１つに記載のセンサ
    チップ。
  13. 【請求項１３】前記面片が前記中心軸線を基準に対称的
    に配置されている、請求項１２に記載のセンサチップ。
  14. 【請求項１４】前記面片が、前記第１及び第２の範囲の
    間の中心範囲（III）に配置されている、請求項１３に
    記載のセンサチップ。
  15. 【請求項１５】前記層帯が一平面内に配置されている、
    請求項１〜１４の１つに記載のセンサチップ。
  16. 【請求項１６】前記層帯の間及び／又は前記層帯と前記
    面片との間に必要な電気導体（６，８）が、同じ平面内
    に配置されている、請求項１５に記載のセンサチップ。
  17. 【請求項１７】前記可変磁気感応抵抗が前記中心軸線を
    基準に対称的に配置されている、請求項１６に記載のセ
    ンサチップ。
  18. 【請求項１８】前記可変磁気感応抵抗が機械的削除によ
    り調整され得る抵抗である、請求項１７に記載のセンサ
    チップ。
  19. 【請求項１９】測定すべき電流が流れ、前記中心軸線を
    基準に対称的に配置された電気導体（１４）をさらに備
    えた、請求項１〜１８の１つに記載のセンサチップ。
  20. 【請求項２０】前記電気導体が直列に接続されている、
    請求項１９に記載のセンサチップ。
JP6001434A 1993-01-13 1994-01-12 センサチップ Pending JPH06294854A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4300605A DE4300605C2 (de) 1993-01-13 1993-01-13 Sensorchip
DE43006051 1993-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06294854A true JPH06294854A (ja) 1994-10-21

Family

ID=6478044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6001434A Pending JPH06294854A (ja) 1993-01-13 1994-01-12 センサチップ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5621377A (ja)
EP (1) EP0607595B1 (ja)
JP (1) JPH06294854A (ja)
DE (2) DE4300605C2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005070037A (ja) * 2003-08-05 2005-03-17 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 電流測定装置、及び、電流測定方法
JP2006514283A (ja) * 2003-02-11 2006-04-27 アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド 集積センサ
JP2008203238A (ja) * 2007-02-21 2008-09-04 Koshin Denki Kk 電流検知デバイス
JP2008241678A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Koshin Denki Kk 電流センサおよび電流検出装置
US7463016B2 (en) 2005-10-14 2008-12-09 Tdk Corporation Current sensor
JP2008298761A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Koshin Denki Kk 電流センサ
JP2009002911A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Tdk Corp 電流センサおよびその製造方法
US7501928B2 (en) 2004-11-30 2009-03-10 Tdk Corporation Current sensor
JP2010122239A (ja) * 2003-08-05 2010-06-03 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 電流測定装置、及び、電流測定方法
CN103576101A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 北京嘉岳同乐极电子有限公司 一种多通道集成式磁传感器
WO2014132785A1 (ja) 2013-02-27 2014-09-04 株式会社村田製作所 電流センサおよびそれを内蔵した電子機器
CN110431428A (zh) * 2017-03-16 2019-11-08 莱姆知识产权股份有限公司 具有磁场梯度传感器的电流换能器
WO2021039264A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 株式会社村田製作所 電流センサ

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4312760A1 (de) * 1993-04-20 1994-10-27 Lust Electronic Systeme Gmbh Klemme mit integrierter Srommessung
DE4335826A1 (de) * 1993-10-20 1995-04-27 Siemens Ag Meßvorrichtung mit magnetoresistiven Sensoreinrichtungen in einer Brückenschaltung
DE4427495C2 (de) * 1994-08-03 2000-04-13 Siemens Ag Sensoreinrichtung mit einem GMR-Sensorelement
DE4434417A1 (de) * 1994-09-26 1996-03-28 Lust Antriebstechnik Gmbh Meßanordnung zur Messung eines elektrischen Stromes
DE4436876A1 (de) * 1994-10-15 1996-04-18 Lust Antriebstechnik Gmbh Sensorchip
US5561368A (en) * 1994-11-04 1996-10-01 International Business Machines Corporation Bridge circuit magnetic field sensor having spin valve magnetoresistive elements formed on common substrate
EP0874244B1 (de) 1997-04-19 2002-01-30 LUST ANTRIEBSTECHNIK GmbH Verfahren zum Messen von elektrischen Strömen in n Leitern sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5861747A (en) * 1997-05-27 1999-01-19 Ford Global Technologies, Inc. Magnetoresistive rotary position sensor providing a linear output independent of modest fluctuations
DE19722834B4 (de) * 1997-05-30 2014-03-27 Sensitec Gmbh Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten sowie dessen Verwendung
DE19743335C1 (de) * 1997-09-30 1998-11-12 Siemens Ag Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung ihrer einen großen magnetoresistiven Effekt zeigenden Brückenelemente
DE19755673A1 (de) * 1997-12-15 1999-07-01 Siemens Ag Magnetoresistive Sensoreinrichtung sowie Vorrichtung zum Messen eines Magnetfeldes
DE19819470B4 (de) * 1998-01-08 2011-06-09 Lust Antriebstechnik Gmbh Verfahren zum potentialfreien Messen von Strömen durch die Aufzeichnung des von ihnen verursachten Magnetfeldes sowie Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens
DE19838536A1 (de) 1998-08-25 2000-03-02 Lust Antriebstechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bildung eines oder mehrerer Magnetfeldgradienten durch einen geraden Leiter
US6271662B1 (en) * 1999-03-10 2001-08-07 Delphi Technologies, Inc. Method of matching sensors to crankshafts and camshafts
DE10039216C2 (de) * 2000-08-11 2003-01-16 Bosch Gmbh Robert Messvorrichtung zur berührungslosen Erfassung eines Drehwinkels oder eines Weges
DE10113131B4 (de) * 2001-03-17 2006-11-16 Sensitec Gmbh Anordnung zur Messung der magnetischen Feldstärke oder von örtlichen Differenzen magnetischer Feldstärken, sowie Schaltungsanordnung für die Auswerteeinheit und Verwendungen der Anordnung und der Schaltungsanordnung
US6756782B2 (en) * 2001-06-01 2004-06-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetic field measuring sensor having a shunt resistor and method of regulating the sensor
US6949927B2 (en) 2001-08-27 2005-09-27 International Rectifier Corporation Magnetoresistive magnetic field sensors and motor control devices using same
DE10145655A1 (de) * 2001-09-15 2003-04-10 Philips Corp Intellectual Pty Schaltungsanordnung für einen gradiometrischen Stromsensor sowie ein die Schaltungsanordnung aufweisender Sensorchip
DE10158052A1 (de) 2001-11-27 2003-06-05 Philips Intellectual Property Anordnung zum Bestimmen der Position eines Bewegungsgeberelements
DE10210184A1 (de) 2002-03-07 2003-09-18 Philips Intellectual Property Anordnung zum Bestimmen der Position eines Bewegungsgeberelements
US20060012459A1 (en) * 2002-06-06 2006-01-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor and method for measuring a current of charged particles
DE10333089B4 (de) * 2003-07-21 2016-12-29 Infineon Technologies Ag Stromauswertevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
JP4303161B2 (ja) * 2004-05-25 2009-07-29 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ及び磁気センサの製造方法
JP4360998B2 (ja) * 2004-10-01 2009-11-11 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
US7777607B2 (en) * 2004-10-12 2010-08-17 Allegro Microsystems, Inc. Resistor having a predetermined temperature coefficient
JP4105142B2 (ja) * 2004-10-28 2008-06-25 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
JP4105147B2 (ja) * 2004-12-06 2008-06-25 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
JP4131869B2 (ja) * 2005-01-31 2008-08-13 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
JP4466487B2 (ja) 2005-06-27 2010-05-26 Ｔｄｋ株式会社 磁気センサおよび電流センサ
JP2007064851A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tdk Corp コイル、コイルモジュールおよびその製造方法、ならびに電流センサおよびその製造方法
EP1772737A3 (de) * 2005-10-08 2008-02-20 Melexis Technologies SA Baugruppe zur Strommessung
US7768083B2 (en) * 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
US7388372B2 (en) * 2006-05-31 2008-06-17 Caterpillar Inc. Electrical system with magnetoresistive sensors
EP1882953A1 (de) * 2006-07-26 2008-01-30 Siemens Aktiengesellschaft Stromerfassungsvorrichtung
DE102006034579A1 (de) * 2006-07-26 2008-01-31 Siemens Ag Stromerfassungsvorrichtung und Verfahren zur Stromerfassung
US7795862B2 (en) 2007-10-22 2010-09-14 Allegro Microsystems, Inc. Matching of GMR sensors in a bridge
DE102007062633B4 (de) 2007-12-22 2010-04-15 Sensitec Gmbh Anordnung zum potentialfreien Messen von Strömen
DE102008013427A1 (de) * 2008-03-10 2009-11-05 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zum Messen einer Stromstärke, Schaltanordnung sowie Verfahren zum Messen einer Stromstärke
US7816905B2 (en) * 2008-06-02 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor
EP2450719A4 (en) * 2009-06-30 2017-12-06 Asahi Kasei Microdevices Corporation Magnetic sensor
US8427144B2 (en) 2009-07-28 2013-04-23 Tdk Corporation Magnetic sensor that includes magenetoresistive films and conductors that combine the magnetoresistive films
US8451003B2 (en) * 2009-07-29 2013-05-28 Tdk Corporation Magnetic sensor having magneto-resistive elements on a substrate
JP2011064653A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Tdk Corp 磁気センサおよびその製造方法
JP5012939B2 (ja) * 2010-03-18 2012-08-29 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
US20110234218A1 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Matthieu Lagouge Integrated multi-axis hybrid magnetic field sensor
DE102010020784A1 (de) * 2010-05-18 2011-11-24 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erkennen von magnetisch gekennzeichneten Objekten sowie entsprechende Vorrichtung
DE102012012759A1 (de) 2012-06-27 2014-01-02 Sensitec Gmbh Anordnung zur Strommessung
GB2533570A (en) 2014-12-19 2016-06-29 Hall Element Devices Ltd Apparatus for measure of quantity and associated method of manufacturing
DE102015100991B4 (de) * 2015-01-23 2019-08-14 Infineon Technologies Ag Sensoranordnung, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoranordnung
CN107407697A (zh) 2015-03-03 2017-11-28 麦格纳动力系有限两合公司 利用各向异性磁阻效应测量直流电路电流强度的电气组件
DE102015008503A1 (de) 2015-07-03 2017-01-05 TE Connectivity Sensors Germany GmbH Elektrisches Bauteil und Herstellungsverfahren zum Herstellen eines solchen elektrischen Bauteils
US11294003B2 (en) 2016-03-23 2022-04-05 Analog Devices International Unlimited Company Magnetic field detector
DE102016111984B4 (de) * 2016-06-30 2021-12-23 Infineon Technologies Ag Magnetsensorbauelemente und Verfahren zum Bestimmen einer Rotationsrichtung einer magnetischen Komponente um eine Rotationsachse
US10739165B2 (en) 2017-07-05 2020-08-11 Analog Devices Global Magnetic field sensor
US10935612B2 (en) 2018-08-20 2021-03-02 Allegro Microsystems, Llc Current sensor having multiple sensitivity ranges
US11215681B2 (en) 2019-07-10 2022-01-04 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with stray field immunity and large air gap performance
JP2022543120A (ja) 2019-08-08 2022-10-07 ゼンジテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 交流を周波数補償して測定する磁場ベースの電流センサ
US11598828B2 (en) * 2019-08-26 2023-03-07 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic sensor array with different RA TMR film
US11187764B2 (en) 2020-03-20 2021-11-30 Allegro Microsystems, Llc Layout of magnetoresistance element
US11567108B2 (en) 2021-03-31 2023-01-31 Allegro Microsystems, Llc Multi-gain channels for multi-range sensor
DE102021121810B4 (de) 2021-08-23 2023-09-28 Sensitec Gmbh Strommessvorrichtung
US11994541B2 (en) 2022-04-15 2024-05-28 Allegro Microsystems, Llc Current sensor assemblies for low currents
CN116068467A (zh) * 2022-12-20 2023-05-05 蚌埠希磁科技有限公司 一种磁传感器芯片测试装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3820089A (en) * 1971-11-16 1974-06-25 Bell Canada Northern Electric Magnetic bubble domain detection
CH651151A5 (de) * 1979-11-27 1985-08-30 Landis & Gyr Ag Messwandler zum messen eines insbesondere von einem messstrom erzeugten magnetfeldes.
DD155220A1 (de) * 1980-12-10 1982-05-19 Wolfgang Richter Magnetoresistives feldeffekt-bauelement
CH651672A5 (de) * 1980-12-24 1985-09-30 Landis & Gyr Ag Magnetoresistiver stromdetektor.
DE3131431A1 (de) * 1981-08-07 1983-02-24 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltungsanordnung mit einer widerstandsbruecke
JPS59158575A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Hitachi Ltd 磁気抵抗素子
DE3426784A1 (de) * 1984-07-20 1986-01-30 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistiver sensor zur abgabe von elektrischen signalen
KR910004261B1 (ko) * 1987-04-09 1991-06-25 후지쓰 가부시끼가이샤 자전 변환 소자를 이용한 검지기
US5227721A (en) * 1987-12-25 1993-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha Superconductive magnetic sensor having self induced magnetic biasing
DD275745A1 (de) * 1988-09-26 1990-01-31 Univ Schiller Jena Magnetisches feldeffekt-bauelement mit vier in einer brueckenschaltung angeordneten magnetfeldabhaengigen widerstaenden
DE4121374C2 (de) * 1991-06-28 2000-09-07 Lust Electronic Systeme Gmbh Kompensierter Magnetfeldsensor
US5247278A (en) * 1991-11-26 1993-09-21 Honeywell Inc. Magnetic field sensing device
DE4212737C1 (en) * 1992-04-16 1993-07-08 Leica Mikroskopie Und Systeme Gmbh Compact bridge-connected sensor - has thin-film resistors on substrate

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006514283A (ja) * 2003-02-11 2006-04-27 アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド 集積センサ
JP4726092B2 (ja) * 2003-08-05 2011-07-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 電流測定装置、及び、電流測定方法
JP4515855B2 (ja) * 2003-08-05 2010-08-04 旭化成エレクトロニクス株式会社 電流測定装置、及び、電流測定方法
JP2005070037A (ja) * 2003-08-05 2005-03-17 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 電流測定装置、及び、電流測定方法
JP2010122239A (ja) * 2003-08-05 2010-06-03 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 電流測定装置、及び、電流測定方法
US7501928B2 (en) 2004-11-30 2009-03-10 Tdk Corporation Current sensor
US7463016B2 (en) 2005-10-14 2008-12-09 Tdk Corporation Current sensor
JP2008203238A (ja) * 2007-02-21 2008-09-04 Koshin Denki Kk 電流検知デバイス
JP2008241678A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Koshin Denki Kk 電流センサおよび電流検出装置
JP2008298761A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Koshin Denki Kk 電流センサ
JP2009002911A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Tdk Corp 電流センサおよびその製造方法
CN103576101A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 北京嘉岳同乐极电子有限公司 一种多通道集成式磁传感器
WO2014132785A1 (ja) 2013-02-27 2014-09-04 株式会社村田製作所 電流センサおよびそれを内蔵した電子機器
US9714959B2 (en) 2013-02-27 2017-07-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Current sensor and electronic device incorporating the same
CN110431428A (zh) * 2017-03-16 2019-11-08 莱姆知识产权股份有限公司 具有磁场梯度传感器的电流换能器
JP2020510214A (ja) * 2017-03-16 2020-04-02 レム・インテレクチュアル・プロパティ・エスエイＬｅｍ Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ Ｓａ 磁場勾配センサを備えた電流変換器
JP2022084728A (ja) * 2017-03-16 2022-06-07 レム・インターナショナル・エスエイ 磁場勾配センサを備えた電流変換器
WO2021039264A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 株式会社村田製作所 電流センサ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0607595B1 (de) 2002-02-20
EP0607595A2 (de) 1994-07-27
DE4300605A1 (de) 1994-07-14
DE59310265D1 (de) 2002-03-28
US5621377A (en) 1997-04-15
DE4300605C2 (de) 1994-12-15
EP0607595A3 (de) 1995-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06294854A (ja) センサチップ
US5719494A (en) Sensor assembly
JP3465059B2 (ja) 磁化反転導体と一又は複数の磁気抵抗レジスタとからなる磁界センサ
EP0544479B1 (en) Magnetic field sensing device
JP3529784B2 (ja) 磁気抵抗素子を利用したセンサ
US7355382B2 (en) Current sensor and mounting method thereof
US4480248A (en) Temperature and aging compensated magnetoresistive differential potentiometer
US7030601B2 (en) Circuit configuration for a gradometric current sensor with a bridge circuit for measuring gradients of magnetic field strength and a sensor equipped with this circuit configuration
JPH07306098A (ja) 酸素プローブによる温度測定装置
US2260589A (en) Magnetic flux meter
JPH06130088A (ja) 電流センサ
JPH07190804A (ja) 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置
JP3058899B2 (ja) 磁気検出素子
JPH07191063A (ja) 抵抗値調節部分を有するホイートストーンブリッジなどの電気回路
JP2823539B2 (ja) 位置検出装置
JP3144051B2 (ja) 電流検出器
JPH01105177A (ja) 電流センサー駆動回路
JP2000055930A (ja) 加速度センサ
GB1262664A (en) Method and apparatus for measuring a length with the aid of a magnetic field
JPH07193297A (ja) ホール素子
JPH03223685A (ja) 外部磁界検出センサ
US6861717B2 (en) Device for defecting a magnetic field, magnetic field measure and current meter
JP2022189812A (ja) Ｖ字型に配置された磁界センサを備える電流センサ
CA1143175A (en) Integrated gas sensitive unit comprising a gas sensitive semiconductor element and a resistor for gas concentration measurement
KR900000980B1 (ko) 자기저항소자를 이용한 각도 측정 장치 및 패턴 형성 방법