JPS59158575A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPS59158575A JPS59158575A JP58030727A JP3072783A JPS59158575A JP S59158575 A JPS59158575 A JP S59158575A JP 58030727 A JP58030727 A JP 58030727A JP 3072783 A JP3072783 A JP 3072783A JP S59158575 A JPS59158575 A JP S59158575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- loops
- group
- temperature distribution
- bridge
- offset
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はモータなど周辺磁界が所定長１ごとに同じ変化
を繰返す対象物の静市位置や移動状態を測定する磁気セ
ンサ用の磁気抵抗素子に関する。
を繰返す対象物の静市位置や移動状態を測定する磁気セ
ンサ用の磁気抵抗素子に関する。
第１図は従来の強磁体の磁気抵抗効果を利用した磁気抵
抗素子の一例の断面図、第２図は同じく平面図である。
抗素子の一例の断面図、第２図は同じく平面図である。
非磁性基板１上に蒸着又はスパッタリングなどで被着さ
せた強磁性体（例えばＦｅ−Ｎ１合−金）薄膜をエツチ
ングして、近接する一対の強磁性膜（例えば線幅２０Ｊ
ｔｒＩＬ）のパタン３よりなるヘアピンループＭ、−Ｍ
８を設け、これらループの抵抗が磁界の存在により減少
することを利用する。なお、第１図中の２は測定対象物
（例えば歯車）であり、所足長λごとに周辺磁界が同じ
変化を繰返ツーように磁化されている。ヘアピンループ
量１〜Ｍ８ハλ／２ずつ隔てて設けられたＭ１〜Ｍ４よ
ｐｌるＡ群と、Ａ群最後のＭ４から３λ／４離れて最初
のＭ５が設けられ、その後の群内ループ間隔はλ／２の
Ｍ５〜Ｍ８よ構成るＢ群に分かれている。
せた強磁性体（例えばＦｅ−Ｎ１合−金）薄膜をエツチ
ングして、近接する一対の強磁性膜（例えば線幅２０Ｊ
ｔｒＩＬ）のパタン３よりなるヘアピンループＭ、−Ｍ
８を設け、これらループの抵抗が磁界の存在により減少
することを利用する。なお、第１図中の２は測定対象物
（例えば歯車）であり、所足長λごとに周辺磁界が同じ
変化を繰返ツーように磁化されている。ヘアピンループ
量１〜Ｍ８ハλ／２ずつ隔てて設けられたＭ１〜Ｍ４よ
ｐｌるＡ群と、Ａ群最後のＭ４から３λ／４離れて最初
のＭ５が設けられ、その後の群内ループ間隔はλ／２の
Ｍ５〜Ｍ８よ構成るＢ群に分かれている。
これらループを第３図に示すようにブリッジ接続すれば
、測定対象物２の回転（例えば第１図中の矢印す方向に
移動）に伴い、端子ＡＩ＋Ａ２間、及びＢ１＋Ｂ２間に
、それぞれ交番電圧が生じ、Ａ群端子間電圧とＢ群端子
間電圧には９０度の位相差が生じる。Ａ群とＢ群のいず
れの位相が進むかは。
、測定対象物２の回転（例えば第１図中の矢印す方向に
移動）に伴い、端子ＡＩ＋Ａ２間、及びＢ１＋Ｂ２間に
、それぞれ交番電圧が生じ、Ａ群端子間電圧とＢ群端子
間電圧には９０度の位相差が生じる。Ａ群とＢ群のいず
れの位相が進むかは。
対象物２の回転方向により定廿るからこの交番電圧で回
転方向もわかる。なお、第１図中の４は。
転方向もわかる。なお、第１図中の４は。
ヘアピンループ部の平面方向ａに磁気バイアスするバイ
アス用水久磁石、廿だ、第２図中の５は外部接続用パッ
ドである。しかし、上記従来の磁気抵抗素子は、電圧を
印加した場合、素子の発熱及び外気温によりチップ内に
温度分布が生じ、チップ内の温度差はチップ中心部に対
して特にチップの周辺部（第１図、第２図によるＭＩ＋
Ｍｓ ）部が顕著となる。その場合、第３図で示す電
気的構成図の各ヘアピンルーズの谷中点電位ｒ Ａｌ
＋ Ａ２ ＋ Ｂｌ ＋Ｂ２のＡ、 Ａ２間の′電位差
（オフセット電圧）。
アス用水久磁石、廿だ、第２図中の５は外部接続用パッ
ドである。しかし、上記従来の磁気抵抗素子は、電圧を
印加した場合、素子の発熱及び外気温によりチップ内に
温度分布が生じ、チップ内の温度差はチップ中心部に対
して特にチップの周辺部（第１図、第２図によるＭＩ＋
Ｍｓ ）部が顕著となる。その場合、第３図で示す電
気的構成図の各ヘアピンルーズの谷中点電位ｒ Ａｌ
＋ Ａ２ ＋ Ｂｌ ＋Ｂ２のＡ、 Ａ２間の′電位差
（オフセット電圧）。
Ｂ、 Ｂ２間の電位差（オフセット′を電圧）が犬き
くフセソト電圧が大きくなるのを（き減した磁気抵抗強
磁性体膜の線状バタンよりなるヘアピンルーズのピッチ
をλＺ１，３λ／４，５λ／４，７λ／４．］坏４とし
、各電位を外部接続することにより、ブリッジのオフセ
ットＭ、が基板内温反分布に無関係に々第４図は不発明
の一実施例の断面図、第５図は同じく平面図である。図
において、第１，２図と同一部分には同一符号を用いて
いる。ループＭ’ １〜Ｍ′８のこリチａをλ／４Ｉ３
λ／４，５λ／４．７λ／４゜１１λ／４．の寺ピッチ
で形成し、第５図のように外部接続を行うことによって
、ループＮ１′１〜Ｍ／４よりなるＡ′群と、ループＭ
′５〜Ｎ１′８よりなるＢ群は。
くフセソト電圧が大きくなるのを（き減した磁気抵抗強
磁性体膜の線状バタンよりなるヘアピンルーズのピッチ
をλＺ１，３λ／４，５λ／４，７λ／４．］坏４とし
、各電位を外部接続することにより、ブリッジのオフセ
ットＭ、が基板内温反分布に無関係に々第４図は不発明
の一実施例の断面図、第５図は同じく平面図である。図
において、第１，２図と同一部分には同一符号を用いて
いる。ループＭ’ １〜Ｍ′８のこリチａをλ／４Ｉ３
λ／４，５λ／４．７λ／４゜１１λ／４．の寺ピッチ
で形成し、第５図のように外部接続を行うことによって
、ループＮ１′１〜Ｍ／４よりなるＡ′群と、ループＭ
′５〜Ｎ１′８よりなるＢ群は。
谷ループの位置がほぼ交互に配置されるため、素子の発
熱及び外気温によりチツプビ旧に温反分布が生じても、
オフセラｌ−電圧の変動の少い磁気抵抗の調整が容易に
ガリ、又、調１ρも不要になり、信租性のん１い磁気抵
抗素子を作成でき乞などの効果が得られる。
熱及び外気温によりチツプビ旧に温反分布が生じても、
オフセラｌ−電圧の変動の少い磁気抵抗の調整が容易に
ガリ、又、調１ρも不要になり、信租性のん１い磁気抵
抗素子を作成でき乞などの効果が得られる。
第１図は従来の磁気抵抗素子の断面図、第２図はその平
面図、第３図は磁気抵抗素子の、接続図。 第４図は不発明の一笑側例の断面図、第５図はその平１
ｍ１図でめる。 １・・・・非磁性基板、２・・・・測定対象物。 ３・・・・強磁性膜のバタン、４・・・・バイアス用水
久磁石、５・・・・外部接続用バンド。
面図、第３図は磁気抵抗素子の、接続図。 第４図は不発明の一笑側例の断面図、第５図はその平１
ｍ１図でめる。 １・・・・非磁性基板、２・・・・測定対象物。 ３・・・・強磁性膜のバタン、４・・・・バイアス用水
久磁石、５・・・・外部接続用バンド。
Claims (1)
- 磁気抵抗効果を有する複数の抵抗が基板内に形成され、
これらの抵抗をブリッジ構成して使用する磁気抵抗素子
において、ブリッジのオフセット量が基板内温度分布に
無関係になるように抵抗を配置したことを特徴とする磁
気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030727A JPS59158575A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030727A JPS59158575A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158575A true JPS59158575A (ja) | 1984-09-08 |
Family
ID=12311689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030727A Pending JPS59158575A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158575A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197882A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気方位センサ |
| JPH0267983A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-07 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
| EP0607595A2 (de) * | 1993-01-13 | 1994-07-27 | LUST ELECTRONIC-SYSTEME GmbH | Sensorchip |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030727A patent/JPS59158575A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197882A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気方位センサ |
| JPH0267983A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-07 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
| EP0607595A2 (de) * | 1993-01-13 | 1994-07-27 | LUST ELECTRONIC-SYSTEME GmbH | Sensorchip |
| EP0607595A3 (de) * | 1993-01-13 | 1995-10-11 | Lust Electronic Systeme Gmbh | Sensorchip. |
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