JPH06130088A - 電流センサ - Google Patents
電流センサInfo
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- JPH06130088A JPH06130088A JP4277211A JP27721192A JPH06130088A JP H06130088 A JPH06130088 A JP H06130088A JP 4277211 A JP4277211 A JP 4277211A JP 27721192 A JP27721192 A JP 27721192A JP H06130088 A JPH06130088 A JP H06130088A
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- magnetic field
- pattern
- magnetoresistive
- magnetic
- current sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電流センサに関し、コアのギャップ
と磁気抵抗素子との位置合わせに多少のずれがあっても
特性に影響のない電流センサを実現することを目的とす
る。 【構成】 電流により磁界を発生する磁界発生手段と、
磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手
段と、強磁性膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁界検出
手段とを具備して成る電流センサにおいて、上記磁気抵
抗素子１２には強磁性薄膜よりなる磁気抵抗パターン１
８と、その両脇に磁性体を配置することにより設けた集
磁部２１，２１′とからなるものを用い、磁界集束手段
には円環状の一部にギャップ１３を有する磁性体のコア
１１を用い、該磁界集束手段にコイル状に磁界発生手段
を配置し、且つ該磁界発生手段のギャップ１３の両端を
前記磁気抵抗素子１２の集磁部２１，２１′に接触、ま
たは近接して配設するように構成する。
と磁気抵抗素子との位置合わせに多少のずれがあっても
特性に影響のない電流センサを実現することを目的とす
る。 【構成】 電流により磁界を発生する磁界発生手段と、
磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手
段と、強磁性膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁界検出
手段とを具備して成る電流センサにおいて、上記磁気抵
抗素子１２には強磁性薄膜よりなる磁気抵抗パターン１
８と、その両脇に磁性体を配置することにより設けた集
磁部２１，２１′とからなるものを用い、磁界集束手段
には円環状の一部にギャップ１３を有する磁性体のコア
１１を用い、該磁界集束手段にコイル状に磁界発生手段
を配置し、且つ該磁界発生手段のギャップ１３の両端を
前記磁気抵抗素子１２の集磁部２１，２１′に接触、ま
たは近接して配設するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性薄膜の磁気抵抗効
果を利用して磁界の変化を検出する磁気センサを用いた
電流センサに関する。
果を利用して磁界の変化を検出する磁気センサを用いた
電流センサに関する。
【０００２】磁気抵抗素子は、ホール素子、半導体型磁
気抵抗素子に比べ、微小磁界に対する感度が高く、分解
能に優れるため、位置センサ、角度センサ、ロータリー
エンコーダ等に利用されている。また導体に電流が流れ
るときに発生する磁界を検出できることから電流センサ
にも利用される。
気抵抗素子に比べ、微小磁界に対する感度が高く、分解
能に優れるため、位置センサ、角度センサ、ロータリー
エンコーダ等に利用されている。また導体に電流が流れ
るときに発生する磁界を検出できることから電流センサ
にも利用される。
【０００３】
【従来の技術】近年センサデバイスも小型化、高性能化
が望まれ、簡易な構成で精度良く安定に動作する電流セ
ンサが望まれており、それを実現すべく図７に示すよう
な電流センサが提案されている。
が望まれ、簡易な構成で精度良く安定に動作する電流セ
ンサが望まれており、それを実現すべく図７に示すよう
な電流センサが提案されている。
【０００４】これは図７（ａ）に示すように、電流によ
り磁界を発生する手段として一部をカットしてギャップ
２を設けた円環状の磁性体コア１にコイル状に導線３を
配置し、そのギャップ２に磁界を発生させ、その発生し
た磁界を磁気抵抗素子４で検出するという構成により、
電流を検出するようになっている。なお、前記の磁気抵
抗素子４は同図（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板５上にバ
ーバーポール型磁気抵抗パターン６をフルブリッジ型に
接続配置したもので、そのパターン配列幅Ｗはコア１の
ギャップ２の幅Ｇとほぼ同等としている。
り磁界を発生する手段として一部をカットしてギャップ
２を設けた円環状の磁性体コア１にコイル状に導線３を
配置し、そのギャップ２に磁界を発生させ、その発生し
た磁界を磁気抵抗素子４で検出するという構成により、
電流を検出するようになっている。なお、前記の磁気抵
抗素子４は同図（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板５上にバ
ーバーポール型磁気抵抗パターン６をフルブリッジ型に
接続配置したもので、そのパターン配列幅Ｗはコア１の
ギャップ２の幅Ｇとほぼ同等としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電流センサ
では、コア１のギャップ２で非常に細長い磁気抵抗素子
パターンを挟んでおり、小さい電流を測定可能にするた
めには電流により発生する磁界を大きくする必要があ
る。そのためにはギャップ２の幅Ｇを狭くするのが有効
であるので、従来例ではギャップを磁気抵抗素子パター
ン幅と同等の７０μｍとしている。ギャップと磁気抵抗
素子との位置合わせは、特性に影響するので精度良く行
う必要がある。しかし、これは非常に小さい寸法なので
ギャップと磁気抵抗素子との正確な位置合わせは困難で
ある。
では、コア１のギャップ２で非常に細長い磁気抵抗素子
パターンを挟んでおり、小さい電流を測定可能にするた
めには電流により発生する磁界を大きくする必要があ
る。そのためにはギャップ２の幅Ｇを狭くするのが有効
であるので、従来例ではギャップを磁気抵抗素子パター
ン幅と同等の７０μｍとしている。ギャップと磁気抵抗
素子との位置合わせは、特性に影響するので精度良く行
う必要がある。しかし、これは非常に小さい寸法なので
ギャップと磁気抵抗素子との正確な位置合わせは困難で
ある。
【０００６】本発明は、コアのギャップと磁気抵抗素子
との位置合わせに多少のずれがあっても特性に影響のな
い電流センサを実現しようとする。
との位置合わせに多少のずれがあっても特性に影響のな
い電流センサを実現しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電流センサに於
いては、電流により磁界を発生する磁界発生手段と、磁
界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手段
と、強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁界検出
手段とを具備して成る電流センサにおいて、上記磁気抵
抗素子１２には強磁性薄膜よりなる磁気抵抗パターン１
８と、その両脇に磁性体を配置することにより設けた集
磁部２１，２１′とからなるものを用い、磁界集束手段
には円環状の一部にギャップ１３を有する磁性体のコア
１１を用い、該磁界集束手段にコイル状に磁界発生手段
を配置し、且つ該磁界集束手段のギャップ１３の両端を
前記磁気抵抗素子１２の集磁部２１，２１′に接触また
は近接するように配設したことを特徴とする。
いては、電流により磁界を発生する磁界発生手段と、磁
界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手段
と、強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁界検出
手段とを具備して成る電流センサにおいて、上記磁気抵
抗素子１２には強磁性薄膜よりなる磁気抵抗パターン１
８と、その両脇に磁性体を配置することにより設けた集
磁部２１，２１′とからなるものを用い、磁界集束手段
には円環状の一部にギャップ１３を有する磁性体のコア
１１を用い、該磁界集束手段にコイル状に磁界発生手段
を配置し、且つ該磁界集束手段のギャップ１３の両端を
前記磁気抵抗素子１２の集磁部２１，２１′に接触また
は近接するように配設したことを特徴とする。
【０００８】また、それに加えて、上記磁気抵抗素子１
２の磁気抵抗パターン１８は細長い矩形状の強磁性薄膜
パターン１６の上に約４５°傾斜した電極パターン１７
を一定の間隔で縞状に形成したバーバーポール型であ
り、フルブリッジ接続したものであることを特徴とす
る。また、それに加えて、上記集磁部２１，２１′は磁
気抵抗素子１２の磁気抵抗パターン１８を構成する強磁
性薄膜と同一材料からなり、その膜厚も磁気抵抗パター
ン１８とほぼ同一またはそれ以上の膜厚であることを特
徴とする。
２の磁気抵抗パターン１８は細長い矩形状の強磁性薄膜
パターン１６の上に約４５°傾斜した電極パターン１７
を一定の間隔で縞状に形成したバーバーポール型であ
り、フルブリッジ接続したものであることを特徴とす
る。また、それに加えて、上記集磁部２１，２１′は磁
気抵抗素子１２の磁気抵抗パターン１８を構成する強磁
性薄膜と同一材料からなり、その膜厚も磁気抵抗パター
ン１８とほぼ同一またはそれ以上の膜厚であることを特
徴とする。
【０００９】また、それに加えて、上記磁気抵抗素子１
２の磁気抵抗パターン１８にトリミング可能な抵抗値調
整用パターン２３，２３′を設け、該抵抗値調整用パタ
ーン２３，２３′をレーザトリミングすることにより、
電流０のときのブリッジ出力が零となるように調整可能
としたことを特徴とする。この構成を採ることにより、
コアのギャップと磁気抵抗素子との位置合わせに多少の
ずれがあっても特性に影響のない電流センサが得られ
る。
２の磁気抵抗パターン１８にトリミング可能な抵抗値調
整用パターン２３，２３′を設け、該抵抗値調整用パタ
ーン２３，２３′をレーザトリミングすることにより、
電流０のときのブリッジ出力が零となるように調整可能
としたことを特徴とする。この構成を採ることにより、
コアのギャップと磁気抵抗素子との位置合わせに多少の
ずれがあっても特性に影響のない電流センサが得られ
る。
【００１０】
【作用】本発明では図１に示すように、コア１１のギャ
ップ部１３に発生する磁界を集磁部２１，２１′が磁気
抵抗パターン１８に導くことにより、より効率的かつ均
一な磁界を磁気抵抗パターン１８に印加することがで
き、コイルに流れる電流が変化することで生じる磁界変
化を精度良く検出できるので高性能な電流センサが実現
できる。また、磁気抵抗素子側に集磁パターンがあるの
で、磁性体コア１１のギャップ位置と磁気抵抗素子１２
の位置合わせ精度は従来例のように厳しくなく、多少の
位置ずれがあっても特性の変動に影響はない。
ップ部１３に発生する磁界を集磁部２１，２１′が磁気
抵抗パターン１８に導くことにより、より効率的かつ均
一な磁界を磁気抵抗パターン１８に印加することがで
き、コイルに流れる電流が変化することで生じる磁界変
化を精度良く検出できるので高性能な電流センサが実現
できる。また、磁気抵抗素子側に集磁パターンがあるの
で、磁性体コア１１のギャップ位置と磁気抵抗素子１２
の位置合わせ精度は従来例のように厳しくなく、多少の
位置ずれがあっても特性の変動に影響はない。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す図であ
り、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線
における拡大断面図である。本実施例は同図（ａ）に示
すように、磁界発生手段としての導体コイル１０と、該
磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手
段としてのコア１１と、磁界検出手段としての磁気抵抗
素子１２とを具備している。そしてコア１１は磁性材で
環状に形成され、導体コイル１０が巻回されている。ま
た、該コア１１の一部にはギャップ１３が設けられてお
り、該ギャップ１３に当接して後述する磁気抵抗素子１
２が配置されている。
り、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線
における拡大断面図である。本実施例は同図（ａ）に示
すように、磁界発生手段としての導体コイル１０と、該
磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集束手
段としてのコア１１と、磁界検出手段としての磁気抵抗
素子１２とを具備している。そしてコア１１は磁性材で
環状に形成され、導体コイル１０が巻回されている。ま
た、該コア１１の一部にはギャップ１３が設けられてお
り、該ギャップ１３に当接して後述する磁気抵抗素子１
２が配置されている。
【００１２】図２はバーバーポール型の磁気抵抗素子の
基本構造を説明するための図であり、同図（ａ）は素子
断面図である。この磁気抵抗素子はＳｉ基板１４の上に
ＳｉＯ2 の絶縁層１５を介してＮｉ−Ｆｅ合金（パーマ
ロイ）からなる強磁性薄膜パターン１６と、その上に形
成されたＡｕからなる斜め縞状の電極パターン１７とよ
りなる磁気抵抗パターン１８が設けられている。なお１
９は保護膜、２０は磁気抵抗パターン１８の出力安定化
を図るため素子の磁化容易軸方向にバイアス磁界を印加
するための磁石である。そして磁気抵抗パターン１８が
同図（ｂ）に示すように電極パターン１７の傾斜方向に
よって同図（ｃ）の特性図に示すように検出磁界Ｈｅｘ
に対する出力が変わる。
基本構造を説明するための図であり、同図（ａ）は素子
断面図である。この磁気抵抗素子はＳｉ基板１４の上に
ＳｉＯ2 の絶縁層１５を介してＮｉ−Ｆｅ合金（パーマ
ロイ）からなる強磁性薄膜パターン１６と、その上に形
成されたＡｕからなる斜め縞状の電極パターン１７とよ
りなる磁気抵抗パターン１８が設けられている。なお１
９は保護膜、２０は磁気抵抗パターン１８の出力安定化
を図るため素子の磁化容易軸方向にバイアス磁界を印加
するための磁石である。そして磁気抵抗パターン１８が
同図（ｂ）に示すように電極パターン１７の傾斜方向に
よって同図（ｃ）の特性図に示すように検出磁界Ｈｅｘ
に対する出力が変わる。
【００１３】図３は本発明の実施例に用いる磁気抵抗素
子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路
図である。本実施例の磁気抵抗素子は、Ｓｉ基板１４上
に４本の直線状のバーバーポール型磁気抵抗パターン１
８が同図（ｂ）に示す等価回路のフルブリッジの各抵抗
辺に対応して互いに平行に配置されている。そして端子
ＡＣ間に定電流を流しておき、磁界を検出したときは端
子Ｂ，Ｄから出力が得られるようになっている。また
（ａ）図の如く配列された磁気抵抗パターン１８の両外
側には、強磁性薄膜からなる集磁部２１，２１′が設け
られている。
子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路
図である。本実施例の磁気抵抗素子は、Ｓｉ基板１４上
に４本の直線状のバーバーポール型磁気抵抗パターン１
８が同図（ｂ）に示す等価回路のフルブリッジの各抵抗
辺に対応して互いに平行に配置されている。そして端子
ＡＣ間に定電流を流しておき、磁界を検出したときは端
子Ｂ，Ｄから出力が得られるようになっている。また
（ａ）図の如く配列された磁気抵抗パターン１８の両外
側には、強磁性薄膜からなる集磁部２１，２１′が設け
られている。
【００１４】図４は更に本発明の実施例に用いる磁気抵
抗素子のパターンを詳細に示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）図の部分拡大図である。図におい
て、磁気抵抗素子１２は、酸化膜形成済のＳｉ基板を用
い、その上に形成した、幅８μｍ、長さ１．５mm、膜厚
４００Åの矩形状パーマロイの強磁性薄膜パターン１６
の上に、約４５°傾斜した電極パターン１７を繰り返し
形成したバーバーポール型磁気抵抗パターン１８をフル
ブリッジ接続している。そして、各パターン間の隙間は
いずれも４μｍとしているので磁気抵抗パターンの全幅
は５２μｍとなる。また配列した磁気抵抗パターン１８
の両外側に配置された集磁部２１，２１′は磁気抵抗パ
ターン１８を構成する強磁性薄膜と同じ膜厚４００Åの
パーマロイ膜で形成されている。このように構成された
磁気抵抗素子１２は図１の如く集磁部２１，２１′がコ
ア１１に当接又は近接し、且つ磁気抵抗パターン１８が
ギャップ１３に入るように配置される。なおギャップ１
３の幅Ｇは１００μｍとした。
抗素子のパターンを詳細に示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）図の部分拡大図である。図におい
て、磁気抵抗素子１２は、酸化膜形成済のＳｉ基板を用
い、その上に形成した、幅８μｍ、長さ１．５mm、膜厚
４００Åの矩形状パーマロイの強磁性薄膜パターン１６
の上に、約４５°傾斜した電極パターン１７を繰り返し
形成したバーバーポール型磁気抵抗パターン１８をフル
ブリッジ接続している。そして、各パターン間の隙間は
いずれも４μｍとしているので磁気抵抗パターンの全幅
は５２μｍとなる。また配列した磁気抵抗パターン１８
の両外側に配置された集磁部２１，２１′は磁気抵抗パ
ターン１８を構成する強磁性薄膜と同じ膜厚４００Åの
パーマロイ膜で形成されている。このように構成された
磁気抵抗素子１２は図１の如く集磁部２１，２１′がコ
ア１１に当接又は近接し、且つ磁気抵抗パターン１８が
ギャップ１３に入るように配置される。なおギャップ１
３の幅Ｇは１００μｍとした。
【００１５】このように構成された本実施例は、図１
（ｂ）に示すようにコア１１のギャップ１３に生じた磁
界２２が、磁気抵抗素子１２の一方の集磁部２１から磁
気抵抗パターン１８を通り、さらに他方の集磁部２１′
を通る。このためギャップ１３の幅Ｇ（１００μｍ）が
磁気抵抗パターンの全幅Ｗ（５２μｍ）より大であって
も、従来に比して特性の低下はない。従ってギャップ１
３と磁気抵抗パターン１８との位置合わせも容易とな
る。
（ｂ）に示すようにコア１１のギャップ１３に生じた磁
界２２が、磁気抵抗素子１２の一方の集磁部２１から磁
気抵抗パターン１８を通り、さらに他方の集磁部２１′
を通る。このためギャップ１３の幅Ｇ（１００μｍ）が
磁気抵抗パターンの全幅Ｗ（５２μｍ）より大であって
も、従来に比して特性の低下はない。従ってギャップ１
３と磁気抵抗パターン１８との位置合わせも容易とな
る。
【００１６】図５は本発明の第２の実施例の要部を示す
断面図である。同図において、図１と同一部分は同一符
号を付して示した。本実施例は、基本的には第１の実施
例と同様であり、異なるところは、集磁部２１，２１′
の膜厚を厚くしたことである。すなわち、本実施例の集
磁部２１，２１′は膜厚１〜数μｍのパーマロイ膜とし
た。
断面図である。同図において、図１と同一部分は同一符
号を付して示した。本実施例は、基本的には第１の実施
例と同様であり、異なるところは、集磁部２１，２１′
の膜厚を厚くしたことである。すなわち、本実施例の集
磁部２１，２１′は膜厚１〜数μｍのパーマロイ膜とし
た。
【００１７】このように構成された本実施例はコア１１
のギャップ１３に発生する磁界２２を、より磁気抵抗パ
ターン１８に集中することができ、第１の実施例よりも
さらに効率よく磁気抵抗パターン１８に磁界を印加する
ことができる。
のギャップ１３に発生する磁界２２を、より磁気抵抗パ
ターン１８に集中することができ、第１の実施例よりも
さらに効率よく磁気抵抗パターン１８に磁界を印加する
ことができる。
【００１８】図６は本発明の第３の実施例を示す図であ
る。本実施例は基本的には第１の実施例と同様であり、
異なるところは磁気抵抗素子１２のパターンである。即
ち、本実施例の磁気抵抗素子１２は同図に示すように、
磁気抵抗パターン１８をフルブリッジに構成したとき、
その相隣れる２つの抵抗辺のリード部にそれぞれ抵抗値
調整用パターン２３，２３′を設けたことである。なお
２１，２１′は集磁部、２４はボンディングパッドであ
る。
る。本実施例は基本的には第１の実施例と同様であり、
異なるところは磁気抵抗素子１２のパターンである。即
ち、本実施例の磁気抵抗素子１２は同図に示すように、
磁気抵抗パターン１８をフルブリッジに構成したとき、
その相隣れる２つの抵抗辺のリード部にそれぞれ抵抗値
調整用パターン２３，２３′を設けたことである。なお
２１，２１′は集磁部、２４はボンディングパッドであ
る。
【００１９】このように構成された本実施例は、抵抗値
調整用パターン２３又は２３′に点線で示すようにレー
ザを用いて切り込み２５を入れることにより、ブリッジ
の抵抗値を調整することができ、測定電流が零のとき、
ブリッジ出力も零になるようにすることができる。その
他の効果は第１の実施例と同様である。
調整用パターン２３又は２３′に点線で示すようにレー
ザを用いて切り込み２５を入れることにより、ブリッジ
の抵抗値を調整することができ、測定電流が零のとき、
ブリッジ出力も零になるようにすることができる。その
他の効果は第１の実施例と同様である。
【００２０】
【発明の効果】本発明に依れば、コアのギャップ部に発
生する磁界を集磁部が磁気抵抗パターンに導くことによ
り、より効率的かつ均一な磁界を磁気抵抗パターンに印
加することができ、コイルに流れる電流が変化すること
で生じる磁界変化を精度良く検出できるので高性能な電
流センサが実現できる。
生する磁界を集磁部が磁気抵抗パターンに導くことによ
り、より効率的かつ均一な磁界を磁気抵抗パターンに印
加することができ、コイルに流れる電流が変化すること
で生じる磁界変化を精度良く検出できるので高性能な電
流センサが実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図で、（ａ）は全
体斜視図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における拡大断
面図である。
体斜視図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における拡大断
面図である。
【図２】バーバーポール型磁気抵抗素子の基本構造を説
明するための図で、（ａ）は素子断面図、（ｂ）は磁気
抵抗パターンを示す平面図、（ｃ）は特性図である。
明するための図で、（ａ）は素子断面図、（ｂ）は磁気
抵抗パターンを示す平面図、（ｃ）は特性図である。
【図３】本発明の第１の実施例に用いる磁気抵抗素子を
示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路図であ
る。
示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施例に用いる磁気抵抗素子の
パターンを示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
図の部分拡大図である。
パターンを示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
図の部分拡大図である。
【図５】本発明の第２の実施例の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の第３の実施例の要部を示す平面図であ
る。
る。
【図７】従来の電流センサの１例を示す図で、（ａ）は
全体斜視図、（ｂ）は磁気抵抗素子を示す斜視図であ
る。
全体斜視図、（ｂ）は磁気抵抗素子を示す斜視図であ
る。
１０…コイル １１…コア １２…磁気抵抗素子 １３…ギャップ １４…Ｓｉ基板 １５…絶縁層 １６…強磁性薄膜パターン １７…電極パターン １８…磁気抵抗パターン １９…保護膜 ２０…磁石 ２１，２１′…集磁部 ２２…磁界 ２３，２３′…抵抗値調整用パターン ２４…ボンディング用パッド ２５…切り込み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹治 成生 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 電流により磁界を発生する磁界発生手段
と、磁界発生手段により発生した磁界を集束する磁界集
束手段と、強磁性薄膜よりなる磁気抵抗素子を用いた磁
界検出手段とを具備して成る電流センサにおいて、 上記磁気抵抗素子（１２）には強磁性薄膜よりなる磁気
抵抗パターン（１８）と、その両脇に磁性体を配置する
ことにより設けた集磁部（２１，２１′）とからなるも
のを用い、磁界集束手段には円環状の一部にギャップ
（１３）を有する磁性体のコア（１１）を用い、該磁界
集束手段にコイル状に磁界発生手段を配置し、且つ該磁
界集束手段のギャップ（１３）の両端を前記磁気抵抗素
子（１２）の集磁部（２１，２１′）に接触、または近
接するように配設したことを特徴とする電流センサ。 - 【請求項２】 上記磁気抵抗素子（１２）の磁気抵抗パ
ターン（１８）は細長い矩形状の強磁性薄膜パターン
（１６）の上に約４５°傾斜した電極パターン（１７）
を一定の間隔で縞状に形成したバーバーポール型であ
り、フルブリッジ接続したものであることを特徴とする
請求項１の電流センサ。 - 【請求項３】 上記集磁部（２１，２１′）は磁気抵抗
素子（１２）の磁気抵抗パターン（１８）を構成する強
磁性薄膜と同一材料からなり、その膜厚も磁気抵抗パタ
ーン（１８）とほぼ同一またはそれ以上の膜厚であるこ
とを特徴とする請求項１の電流センサ。 - 【請求項４】 上記磁気抵抗素子（１２）の磁気抵抗パ
ターン（１８）にトリミング可能な抵抗値調整用パター
ン（２３，２３′）を設け、該抵抗値調整用パターン
（２３，２３′）をレーザトリミングすることにより、
電流０のときのブリッジ出力が零となるように調整可能
としたことを特徴とする請求項１の電流センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4277211A JPH06130088A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4277211A JPH06130088A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 電流センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130088A true JPH06130088A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17580363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4277211A Withdrawn JPH06130088A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 電流センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06130088A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-10-15 JP JP4277211A patent/JPH06130088A/ja not_active Withdrawn
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