JPH0529375A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0529375A JPH0529375A JP3206425A JP20642591A JPH0529375A JP H0529375 A JPH0529375 A JP H0529375A JP 3206425 A JP3206425 A JP 3206425A JP 20642591 A JP20642591 A JP 20642591A JP H0529375 A JPH0529375 A JP H0529375A
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- bonding pad
- semiconductor device
- wiring metal
- metal layer
- layer
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- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストやワックスなどの残渣が堆積しにく
いボンディングパッドを形成し、確実なボンディングを
可能にして、半導体装置の信頼性を向上させる。 【構成】 半導体基板１上に配設された配線金属層３の
一部を凸状に成形し、該凸状部３ａの表面を絶縁体層４
から露出させるとともに、凸状部３ａの表面を配線金属
層３の他の部分を覆う絶縁体層４の表面より高い位置に
配設してなるボンディングパッド５を形成する。
いボンディングパッドを形成し、確実なボンディングを
可能にして、半導体装置の信頼性を向上させる。 【構成】 半導体基板１上に配設された配線金属層３の
一部を凸状に成形し、該凸状部３ａの表面を絶縁体層４
から露出させるとともに、凸状部３ａの表面を配線金属
層３の他の部分を覆う絶縁体層４の表面より高い位置に
配設してなるボンディングパッド５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、詳しく
は、ボンディングパッドの構造に特徴を有する半導体装
置に関する。
は、ボンディングパッドの構造に特徴を有する半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置のボンディングパッド
としては、例えば、図５に断面図を示すような構造のボ
ンディングパッドが知られている。この従来の半導体装
置Ｃにおいては、半導体基板２１の上に、ＳｉＯ2，Ｓ
ｉＮXなどからなる下地絶縁体層２２が形成されてい
る。この下地絶縁体層２２の上には、配線金属層２３が
配設され、さらに、配線金属層２３の上には、Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮXなどからなる絶縁体層２４が積層されてい
る。そして、上記絶縁体層２４の一部は、エッチング等
の方法で取り除かれており、そこから配線金属層２３の
一部２３ａが露出し、この部分が素子の電極やワイヤな
どをボンディングするためのボンディングパッド２５と
なっている。
としては、例えば、図５に断面図を示すような構造のボ
ンディングパッドが知られている。この従来の半導体装
置Ｃにおいては、半導体基板２１の上に、ＳｉＯ2，Ｓ
ｉＮXなどからなる下地絶縁体層２２が形成されてい
る。この下地絶縁体層２２の上には、配線金属層２３が
配設され、さらに、配線金属層２３の上には、Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮXなどからなる絶縁体層２４が積層されてい
る。そして、上記絶縁体層２４の一部は、エッチング等
の方法で取り除かれており、そこから配線金属層２３の
一部２３ａが露出し、この部分が素子の電極やワイヤな
どをボンディングするためのボンディングパッド２５と
なっている。
【０００３】なお、従来例としては、上記の構造のもの
以外にも、下地絶縁体層２２を省略したものや、あるい
は、配線金属層２３のすぐ下に、オーミック電極やショ
ットキー電極（図示せず）などの素子の一部を配設した
ものなどがある。
以外にも、下地絶縁体層２２を省略したものや、あるい
は、配線金属層２３のすぐ下に、オーミック電極やショ
ットキー電極（図示せず）などの素子の一部を配設した
ものなどがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の半
導体装置Ｃにおいては、ボンディングパッド（配線金属
層の露出部分）２５が、周囲の絶縁体層２４の表面より
低い位置にあり、凹状になっているため、レジストを用
いたリフトオフ工程や、ワックスを用いたウエハの研磨
工程などにおいて、ボンディングパッド２５の端部の角
などにレジストやワックスなどの残渣２６の堆積が生じ
やすく、ボンディングパッド２５とワイヤ（図示せず）
などとの間に残渣２６がはさまれると、ワイヤとボンデ
ィングパッド２５との間の抵抗値の増大や、ボンディン
グ強度の低下を引き起こし、製品としての半導体装置の
特性のばらつきや、特性不良を引き起こすという問題点
がある。
導体装置Ｃにおいては、ボンディングパッド（配線金属
層の露出部分）２５が、周囲の絶縁体層２４の表面より
低い位置にあり、凹状になっているため、レジストを用
いたリフトオフ工程や、ワックスを用いたウエハの研磨
工程などにおいて、ボンディングパッド２５の端部の角
などにレジストやワックスなどの残渣２６の堆積が生じ
やすく、ボンディングパッド２５とワイヤ（図示せず）
などとの間に残渣２６がはさまれると、ワイヤとボンデ
ィングパッド２５との間の抵抗値の増大や、ボンディン
グ強度の低下を引き起こし、製品としての半導体装置の
特性のばらつきや、特性不良を引き起こすという問題点
がある。
【０００５】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、製造工程において、レジストやワックスなどの残
渣がたまりにくいボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的とする。
あり、製造工程において、レジストやワックスなどの残
渣がたまりにくいボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の半導体装置は、半導体基板上に配設さ
れ、絶縁体層で覆われた配線金属層の一部を、該絶縁体
層から露出させたボンディングパッドを有する半導体装
置であって、前記配線金属層の一部を凸状に成形し、該
凸状部の表面を前記絶縁体層から露出させるとともに、
該凸状部の表面を該配線金属層の他の部分を覆う絶縁体
層の表面より高い位置に配設してなるボンディングパッ
ドを有することを特徴とする。
に、この発明の半導体装置は、半導体基板上に配設さ
れ、絶縁体層で覆われた配線金属層の一部を、該絶縁体
層から露出させたボンディングパッドを有する半導体装
置であって、前記配線金属層の一部を凸状に成形し、該
凸状部の表面を前記絶縁体層から露出させるとともに、
該凸状部の表面を該配線金属層の他の部分を覆う絶縁体
層の表面より高い位置に配設してなるボンディングパッ
ドを有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】配線金属層の凸状に形成された部分の表面が、
該配線金属層を覆う絶縁体層から突出しており、周囲の
絶縁体層の表面よりも高い位置にボンディングパッドが
配設されているため、レジストを用いたリフトオフ工程
や、ワックスを用いたウエハの研磨工程などを含む半導
体装置の製造工程において、ボンディングパッドにレジ
ストやワックスなどの残渣２６が堆積しにくくなり、ボ
ンディングパッドにワイヤなどを接続した場合に、ワイ
ヤなどとボンディングパッドとの間の抵抗値の増大やボ
ンディング強度の低下を引き起こしたりすることがな
く、特性不良の発生を防止して、信頼性の高い半導体装
置を得ることができる。
該配線金属層を覆う絶縁体層から突出しており、周囲の
絶縁体層の表面よりも高い位置にボンディングパッドが
配設されているため、レジストを用いたリフトオフ工程
や、ワックスを用いたウエハの研磨工程などを含む半導
体装置の製造工程において、ボンディングパッドにレジ
ストやワックスなどの残渣２６が堆積しにくくなり、ボ
ンディングパッドにワイヤなどを接続した場合に、ワイ
ヤなどとボンディングパッドとの間の抵抗値の増大やボ
ンディング強度の低下を引き起こしたりすることがな
く、特性不良の発生を防止して、信頼性の高い半導体装
置を得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断
面図であり、図２はその平面図である。図に示すよう
に、この実施例の半導体装置Ａにおいては、半導体基板
１の上に、ＳｉＯ2やＳｉＮXなどからなる下地絶縁体層
２が形成されており、下地絶縁体層２の上には、ボンデ
ィングパッド５の下地となる金属材料からなる台部７が
形成されている。また、上記下地絶縁体層２上には、台
部７を覆うように配線金属層３が配設されており、この
配線金属層３の、上記台部７を覆う部分３ａは、凸状に
なっている。そして、配線金属層３上には、ＳｉＯ2，
ＳｉＮXなどからなる絶縁体層４が積層されており、配
線金属３は絶縁体層４により覆われているが、凸状部３
ａ（の表面）は、絶縁体層４の表面より高い位置にあ
り、絶縁体層４から露出して、ボンディングパッド５を
形成している。
する。図１はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断
面図であり、図２はその平面図である。図に示すよう
に、この実施例の半導体装置Ａにおいては、半導体基板
１の上に、ＳｉＯ2やＳｉＮXなどからなる下地絶縁体層
２が形成されており、下地絶縁体層２の上には、ボンデ
ィングパッド５の下地となる金属材料からなる台部７が
形成されている。また、上記下地絶縁体層２上には、台
部７を覆うように配線金属層３が配設されており、この
配線金属層３の、上記台部７を覆う部分３ａは、凸状に
なっている。そして、配線金属層３上には、ＳｉＯ2，
ＳｉＮXなどからなる絶縁体層４が積層されており、配
線金属３は絶縁体層４により覆われているが、凸状部３
ａ（の表面）は、絶縁体層４の表面より高い位置にあ
り、絶縁体層４から露出して、ボンディングパッド５を
形成している。
【０００９】次に、上記ボンディングパッド５の形成方
法について説明する。半導体装置の製造プロセスの一部
において、上記のような構造のボンディングパッドを形
成する場合、まず半導体基板１の上に、ＣＶＤなどの方
法により、ＳｉＯ2、ＳｉＮXなどからなる下地絶縁体層
２を形成し、その上にリフトオフ法により、ボンディン
グパッド５の下地となる金属材料からなる台部７を形成
し、さらに、リフトオフ法により、その上から所定のパ
ターンの配線金属層３を形成する。次いで、ＣＶＤ法な
どにより、配線金属層３の上から、ＳｉＯ2、ＳｉＮXな
どからなる絶縁体層４を積層して、配線金属層３を覆う
（図３）。それから、上記絶縁体層４の、配線金属層３
の凸状部３ａを覆う部分４ａをエッチング等の方法で取
り除き、配線金属層３の凸状部（の表面）３ａを絶縁体
層４から露出させることによりボンディングパッド５を
形成する（図１）。
法について説明する。半導体装置の製造プロセスの一部
において、上記のような構造のボンディングパッドを形
成する場合、まず半導体基板１の上に、ＣＶＤなどの方
法により、ＳｉＯ2、ＳｉＮXなどからなる下地絶縁体層
２を形成し、その上にリフトオフ法により、ボンディン
グパッド５の下地となる金属材料からなる台部７を形成
し、さらに、リフトオフ法により、その上から所定のパ
ターンの配線金属層３を形成する。次いで、ＣＶＤ法な
どにより、配線金属層３の上から、ＳｉＯ2、ＳｉＮXな
どからなる絶縁体層４を積層して、配線金属層３を覆う
（図３）。それから、上記絶縁体層４の、配線金属層３
の凸状部３ａを覆う部分４ａをエッチング等の方法で取
り除き、配線金属層３の凸状部（の表面）３ａを絶縁体
層４から露出させることによりボンディングパッド５を
形成する（図１）。
【００１０】上述のようにして形成されたボンディング
パッド５（凸状部３ａ）は、配線金属層３を覆う絶縁体
層４から突出しており、周囲の絶縁体層４の表面よりも
高い位置にあるため、レジストを用いたリフトオフ工程
や、ワックスを用いたウエハの研磨工程などを含む半導
体装置の製造工程において、レジストやワックスなどの
残渣６が堆積したりせず（残渣６がボンディングパッド
５と絶縁体層４の段部に堆積することがあるが、この位
置にはワイヤなどがボンディングされることはなくボン
ディングに影響することはない）、ボンディングパッド
５にワイヤなどを接続した場合に、ワイヤとボンディン
グパッド５との間の抵抗値の増大やボンディング強度の
低下を引き起こしたりすることがなく、信頼性の高い半
導体装置を得ることができる。
パッド５（凸状部３ａ）は、配線金属層３を覆う絶縁体
層４から突出しており、周囲の絶縁体層４の表面よりも
高い位置にあるため、レジストを用いたリフトオフ工程
や、ワックスを用いたウエハの研磨工程などを含む半導
体装置の製造工程において、レジストやワックスなどの
残渣６が堆積したりせず（残渣６がボンディングパッド
５と絶縁体層４の段部に堆積することがあるが、この位
置にはワイヤなどがボンディングされることはなくボン
ディングに影響することはない）、ボンディングパッド
５にワイヤなどを接続した場合に、ワイヤとボンディン
グパッド５との間の抵抗値の増大やボンディング強度の
低下を引き起こしたりすることがなく、信頼性の高い半
導体装置を得ることができる。
【００１１】また、図４は、この発明の他の実施例を示
す断面図である。この実施例の半導体装置Ｂにおいて
は、半導体基板１１に、凸部１７を形成し、その上か
ら、上記実施例と同様の方法で、下地絶縁体層１２、配
線金属層１３を形成し、さらにその上から絶縁体層１４
を積層した後、上記絶縁体層１４の、配線金属層１３の
凸状部１３ａを覆う部分（図示せず）をエッチング等の
方法で取り除き、配線金属層１３の凸状部（の表面）１
３ａを絶縁体層１４から露出させることによりボンディ
ングパッド１５を形成している。
す断面図である。この実施例の半導体装置Ｂにおいて
は、半導体基板１１に、凸部１７を形成し、その上か
ら、上記実施例と同様の方法で、下地絶縁体層１２、配
線金属層１３を形成し、さらにその上から絶縁体層１４
を積層した後、上記絶縁体層１４の、配線金属層１３の
凸状部１３ａを覆う部分（図示せず）をエッチング等の
方法で取り除き、配線金属層１３の凸状部（の表面）１
３ａを絶縁体層１４から露出させることによりボンディ
ングパッド１５を形成している。
【００１２】この実施例の半導体装置Ｂにおいては、半
導体基板１１に凸部１７を形成しているので、上記実施
例のように、ボンディングパッドの下地となる台部７
（図１，図３）を形成する必要がなく、従来例と比較し
て特に工程数を増やすことなしに、上記構造を有するボ
ンディングパッド１５を形成することが可能になる。
導体基板１１に凸部１７を形成しているので、上記実施
例のように、ボンディングパッドの下地となる台部７
（図１，図３）を形成する必要がなく、従来例と比較し
て特に工程数を増やすことなしに、上記構造を有するボ
ンディングパッド１５を形成することが可能になる。
【００１３】なお、この実施例の半導体装置Ｂにおいて
も、上記実施例の場合と同様に、ボンディングパッド１
５が、配線金属層１３を覆う絶縁体層１４から突出し、
周囲の絶縁体層１４の表面よりも高い位置にあるため、
上記実施例と同様に、半導体装置の製造工程において、
レジストやワックスなどの残渣が堆積しにくいという効
果を奏する。
も、上記実施例の場合と同様に、ボンディングパッド１
５が、配線金属層１３を覆う絶縁体層１４から突出し、
周囲の絶縁体層１４の表面よりも高い位置にあるため、
上記実施例と同様に、半導体装置の製造工程において、
レジストやワックスなどの残渣が堆積しにくいという効
果を奏する。
【００１４】上記の各実施例では、半導体基板の上に下
地絶縁体層２（図１），１２（図４）が形成された構造
の半導体装置Ａ，Ｂについて説明したが、この発明が適
用できる半導体装置の構造は、上記の構造に限られるも
のではなく、下地絶縁体層２，１２を省略したものや、
あるいは、配線金属層３，１３のすぐ下に、オーミック
電極やショットキー電極（図示せず）などの素子の一部
を配設した構造のものなどにも適用することが可能であ
る。
地絶縁体層２（図１），１２（図４）が形成された構造
の半導体装置Ａ，Ｂについて説明したが、この発明が適
用できる半導体装置の構造は、上記の構造に限られるも
のではなく、下地絶縁体層２，１２を省略したものや、
あるいは、配線金属層３，１３のすぐ下に、オーミック
電極やショットキー電極（図示せず）などの素子の一部
を配設した構造のものなどにも適用することが可能であ
る。
【００１５】
【発明の効果】上述のように、この発明の半導体装置
は、配線金属層の一部に凸状部を形成し、該凸状部の表
面を、配線金属層の他の部分を覆う絶縁体層の表面から
突出させることにより、周囲の絶縁体層表面より高い位
置にボンディングパッドを形成しているので、レジスト
を用いたリフトオフ工程や、ワックスを用いたウエハの
研磨工程などを含む半導体装置の製造工程において、レ
ジストやワックスなどの残渣が堆積することがなく、ボ
ンディングパッドにワイヤなどを接続した場合の、接続
部における抵抗の増大やボンディング強度の低下を防止
して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
は、配線金属層の一部に凸状部を形成し、該凸状部の表
面を、配線金属層の他の部分を覆う絶縁体層の表面から
突出させることにより、周囲の絶縁体層表面より高い位
置にボンディングパッドを形成しているので、レジスト
を用いたリフトオフ工程や、ワックスを用いたウエハの
研磨工程などを含む半導体装置の製造工程において、レ
ジストやワックスなどの残渣が堆積することがなく、ボ
ンディングパッドにワイヤなどを接続した場合の、接続
部における抵抗の増大やボンディング強度の低下を防止
して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図１】この発明の一実施例にかかる半導体装置のボン
ディングパッドの構造を示す、図２のＩ−Ｉ線断面図で
ある。
ディングパッドの構造を示す、図２のＩ−Ｉ線断面図で
ある。
【図２】この発明の一実施例にかかる半導体装置のボン
ディングパッドを示す平面図である。
ディングパッドを示す平面図である。
【図３】この発明の一実施例にかかる半導体装置のボン
ディングパッドの形成工程を示す断面図である。
ディングパッドの形成工程を示す断面図である。
【図４】この発明の他の実施例にかかる半導体装置のボ
ンディングパッドの構造を示す断面図である。
ンディングパッドの構造を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置のボンディングパッドの構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
Ａ，Ｂ 半導体装置 １，１１ 半導体基板 ３，１３ 配線金属層 ３ａ，１３ａ 凸状部 ４，１４ 絶縁体層 ５，１５ ボンディングパッド（配線金属層の
凸状部）
凸状部）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板上に配設され、絶縁体層で覆
われた配線金属層の一部を、該絶縁体層から露出させた
ボンディングパッドを有する半導体装置であって、前記
配線金属層の一部を凸状に成形し、該凸状部の表面を前
記絶縁体層から露出させるとともに、該凸状部の表面を
該配線金属層の他の部分を覆う絶縁体層の表面より高い
位置に配設してなるボンディングパッドを有することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206425A JPH0529375A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206425A JPH0529375A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529375A true JPH0529375A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16523167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3206425A Pending JPH0529375A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529375A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7956473B2 (en) | 2007-07-23 | 2011-06-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2017108070A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604248A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0410447A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Minolta Camera Co Ltd | Ｉｃチップ搭載基板 |
| JPH0444233A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3206425A patent/JPH0529375A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604248A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0410447A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Minolta Camera Co Ltd | Ｉｃチップ搭載基板 |
| JPH0444233A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7956473B2 (en) | 2007-07-23 | 2011-06-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2017108070A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970916 |