JPH05136198A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05136198A JPH05136198A JP29457991A JP29457991A JPH05136198A JP H05136198 A JPH05136198 A JP H05136198A JP 29457991 A JP29457991 A JP 29457991A JP 29457991 A JP29457991 A JP 29457991A JP H05136198 A JPH05136198 A JP H05136198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- shape
- semiconductor device
- bonding
- ball
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置におけるボンディングパッドの形
状をミゾ状または格子状にすることで、ワイヤボンディ
ングやボールボンディング等の工程において、強度的に
も電気的にも信頼性の高いボンディングパッドを提供す
る。 【構成】 半導体装置の電極となるボンディングパッド
の形状をミゾ状または格子状にするためにＡｌなどのボ
ンディングパッド３及び下地の酸化膜などで形成された
絶縁層のうち少なくとも一層以上の構造がミゾ状または
格子状になっている。
状をミゾ状または格子状にすることで、ワイヤボンディ
ングやボールボンディング等の工程において、強度的に
も電気的にも信頼性の高いボンディングパッドを提供す
る。 【構成】 半導体装置の電極となるボンディングパッド
の形状をミゾ状または格子状にするためにＡｌなどのボ
ンディングパッド３及び下地の酸化膜などで形成された
絶縁層のうち少なくとも一層以上の構造がミゾ状または
格子状になっている。
Description
【０００１】
【従来の技術】従来、図３（ａ），（ｂ）はボンディン
グパッドの平面図、及びそのＣ−Ｃ'線に沿った断面図
である。これらの図において、１は基板、２は基板上の
絶縁層、３は絶縁層上に形成したボンディングパッド、
４は保護膜を示し、ボンディングパッド３の下地である
酸化膜等で形成された絶縁層２はボンディングパッド３
に対して、フラットな形状である半導体装置が知られて
いた。
グパッドの平面図、及びそのＣ−Ｃ'線に沿った断面図
である。これらの図において、１は基板、２は基板上の
絶縁層、３は絶縁層上に形成したボンディングパッド、
４は保護膜を示し、ボンディングパッド３の下地である
酸化膜等で形成された絶縁層２はボンディングパッド３
に対して、フラットな形状である半導体装置が知られて
いた。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のボンデ
ィングパッドにおいては、外部との電気的接触をとるた
めのワイヤボンディングやボールボンディング等の工程
において、図３（ｂ）のボンディングパッド３とワイヤ
及びボールとの界面にて、密着性が悪く剥がれを生じ、
正常な電気的接触がとれないというばかりか、微小な接
触においては通電によりボンディングパッド界面の腐食
などを引き起こし、半導体装置そのものの信頼性をも低
下させるというような欠点があった。
ィングパッドにおいては、外部との電気的接触をとるた
めのワイヤボンディングやボールボンディング等の工程
において、図３（ｂ）のボンディングパッド３とワイヤ
及びボールとの界面にて、密着性が悪く剥がれを生じ、
正常な電気的接触がとれないというばかりか、微小な接
触においては通電によりボンディングパッド界面の腐食
などを引き起こし、半導体装置そのものの信頼性をも低
下させるというような欠点があった。
【０００３】そこで、本発明は従来のこのような欠点を
解決するため、ボンディングパッドとワイヤボンディン
グ及びボールボンディング等の工程において、ボンディ
ングパッドとワイヤ及びボールとの界面において剥がれ
を生じないようなボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的としている。
解決するため、ボンディングパッドとワイヤボンディン
グ及びボールボンディング等の工程において、ボンディ
ングパッドとワイヤ及びボールとの界面において剥がれ
を生じないようなボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明はボンディングパッドの形状をミゾ状ま
たは、格子状にするために、少なくともＡｌなどの導電
体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のうち少な
くとも一層以上の構造がミゾ状または格子状にすること
によって、前記ボンディングパッドとワイヤボンディン
グやボールボンディング等のワイヤ及びボール界面にお
いての密着不良における剥がれが生じないようにした。
めに、この発明はボンディングパッドの形状をミゾ状ま
たは、格子状にするために、少なくともＡｌなどの導電
体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のうち少な
くとも一層以上の構造がミゾ状または格子状にすること
によって、前記ボンディングパッドとワイヤボンディン
グやボールボンディング等のワイヤ及びボール界面にお
いての密着不良における剥がれが生じないようにした。
【０００５】
【作用】上記のように、ボンディングパッドの形状をミ
ゾ状にまたは格子状にするために、少なくともＡｌなど
の導電体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のう
ち少なくとも一層以上の構造をミゾ状にまたは格子状に
することによって、前記ボンディングパッドにワイヤボ
ンディングやボールボンディング等の工程を行う際、ボ
ンディングパッドとワイヤ及びボールとの接触面積が拡
大することによって密着性が向上しボンディングパッド
とワイヤ及びボールの界面において剥がれが生じなくな
り、ボンディングパッドにおける電気的接触において信
頼性の高い半導体装置が提供できるのである。
ゾ状にまたは格子状にするために、少なくともＡｌなど
の導電体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のう
ち少なくとも一層以上の構造をミゾ状にまたは格子状に
することによって、前記ボンディングパッドにワイヤボ
ンディングやボールボンディング等の工程を行う際、ボ
ンディングパッドとワイヤ及びボールとの接触面積が拡
大することによって密着性が向上しボンディングパッド
とワイヤ及びボールの界面において剥がれが生じなくな
り、ボンディングパッドにおける電気的接触において信
頼性の高い半導体装置が提供できるのである。
【０００６】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第一
実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図１（ａ）のＡ−Ａ' 線に沿った断面図である図１
（ｂ）に示すようにＳｉなどの基板１上に酸化膜などの
絶縁層２を形成し、ボンディングパッド３の直下になる
部位をミゾ５にするためにフォトリソ及びエッチング工
程を行う。
説明する。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第一
実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図１（ａ）のＡ−Ａ' 線に沿った断面図である図１
（ｂ）に示すようにＳｉなどの基板１上に酸化膜などの
絶縁層２を形成し、ボンディングパッド３の直下になる
部位をミゾ５にするためにフォトリソ及びエッチング工
程を行う。
【０００７】次に、半導体装置の電極となるＡｌなどの
導電体をスパッタ等で堆積させ、（図示せず）その後、
ミゾ５の形状をした絶縁層２の直上にフォトリソ及びエ
ッチング工程によりボンディングパッド３を形成する。
最後に半導体装置そのものを保護する保護膜４を前記ボ
ンディングパッド３に開口部を有するように形成する。
導電体をスパッタ等で堆積させ、（図示せず）その後、
ミゾ５の形状をした絶縁層２の直上にフォトリソ及びエ
ッチング工程によりボンディングパッド３を形成する。
最後に半導体装置そのものを保護する保護膜４を前記ボ
ンディングパッド３に開口部を有するように形成する。
【０００８】図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第
二実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図２（ａ）のＢ−Ｂ' 線に沿った断面図である図２
（ｂ）に示すようにＳｉなどの基板１上に酸化膜などの
絶縁層２を形成し、ボンディングパッド３の直下になる
部位を格子状（図２（ａ）参照）にするためにフォトリ
ソ及びエッチング工程を行う。
二実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図２（ａ）のＢ−Ｂ' 線に沿った断面図である図２
（ｂ）に示すようにＳｉなどの基板１上に酸化膜などの
絶縁層２を形成し、ボンディングパッド３の直下になる
部位を格子状（図２（ａ）参照）にするためにフォトリ
ソ及びエッチング工程を行う。
【０００９】次に、半導体装置の電極となるＡｌなどの
導電体をスパッタ等で堆積させ（図示せず）その後、格
子状をした絶縁層２の直上にフォトリソ及びエッチング
工程により、ボンディングパッド３を形成する。最後に
半導体装置そのものを保護する保護膜４を前記ボンディ
ングパッド３に開口部を有するように形成する。以上に
より、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すようなボンディ
ングパッドを有する半導体装置を提供することができ
る。
導電体をスパッタ等で堆積させ（図示せず）その後、格
子状をした絶縁層２の直上にフォトリソ及びエッチング
工程により、ボンディングパッド３を形成する。最後に
半導体装置そのものを保護する保護膜４を前記ボンディ
ングパッド３に開口部を有するように形成する。以上に
より、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すようなボンディ
ングパッドを有する半導体装置を提供することができ
る。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したようにボンディ
ングパッドの形状をミゾ状または格子状にすることによ
って、前記ボンディングパッドにワイヤボンディングや
ボールボンディング等の工程を行う際、ボンディングパ
ッドとワイヤ及びボールとの接触面が拡大し、密着性が
向上することでボンディングパッドとワイヤ及びボール
との界面において剥がれが生じないばかりかボンディン
グパッドの電気的信頼性を向上させるなどの効果があ
る。
ングパッドの形状をミゾ状または格子状にすることによ
って、前記ボンディングパッドにワイヤボンディングや
ボールボンディング等の工程を行う際、ボンディングパ
ッドとワイヤ及びボールとの接触面が拡大し、密着性が
向上することでボンディングパッドとワイヤ及びボール
との界面において剥がれが生じないばかりかボンディン
グパッドの電気的信頼性を向上させるなどの効果があ
る。
【図１】（ａ）は本発明によるボンディングパッドの平
面図である。（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ' 線に沿った
断面図である。
面図である。（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ' 線に沿った
断面図である。
【図２】（ａ）は本発明によるボンディングパッドの平
面図である。（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ' 線に沿った
断面図である。
面図である。（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ' 線に沿った
断面図である。
【図３】（ａ）は従来のボンディングパッドの平面図で
ある。（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ' 線に沿った断面図
である。
ある。（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ' 線に沿った断面図
である。
１ 基板 ２ 絶縁層 ３ ボンディングパッド ４ 保護膜 ５ ミゾ
Claims (1)
- 【請求項１】 Ａｌなどの導電体にて形成された外部と
の電気的接触に使用するためのボンディングパッドを有
する半導体装置において、Ａｌなどの導電体及び下地の
酸化膜などで形成された絶縁層のうち少なくとも一層以
上の構造がミゾ状又は格子状に凹部が形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29457991A JPH05136198A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29457991A JPH05136198A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136198A true JPH05136198A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17809609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29457991A Pending JPH05136198A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136198A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7692314B2 (en) | 2006-09-07 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level chip scale package and method for manufacturing the same |
| US20130264693A1 (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-10 | Freescale Semiconductor, Inc | Lead frame with grooved lead finger |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29457991A patent/JPH05136198A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7692314B2 (en) | 2006-09-07 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level chip scale package and method for manufacturing the same |
| US20130264693A1 (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-10 | Freescale Semiconductor, Inc | Lead frame with grooved lead finger |
| US8643159B2 (en) * | 2012-04-09 | 2014-02-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lead frame with grooved lead finger |
| US9006874B2 (en) | 2012-04-09 | 2015-04-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lead frame with grooved lead finger |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS55163860A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US5309025A (en) | Semiconductor bond pad structure and method | |
| JPH05136198A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06224200A (ja) | 集積半導体デバイスおよび集積半導体デバイス上にバンプ構造を形成する方法 | |
| JPH11121457A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6281075A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
| JPH0529376A (ja) | 半導体装置のボンデイングパツド | |
| JPH0327551A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JP3259363B2 (ja) | 半導体装置のボンディングパッド構造の形成方法 | |
| KR20040054097A (ko) | 반도체 소자의 본딩 패드와 이의 형성 방법 | |
| JPH0330986B2 (ja) | ||
| JPS6334268Y2 (ja) | ||
| JPS641077B2 (ja) | ||
| JPH0529375A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2718973B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01268150A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0334675B2 (ja) | ||
| JPH02306635A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60186030A (ja) | ボンデイング方法 | |
| JPH05243323A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03159125A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS623981B2 (ja) | ||
| JPH01318240A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6130418B2 (ja) | ||
| JPH09283554A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |