JPH04367289A - ホール素子およびホール素子の製造方法 - Google Patents
ホール素子およびホール素子の製造方法Info
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- JPH04367289A JPH04367289A JP3168976A JP16897691A JPH04367289A JP H04367289 A JPH04367289 A JP H04367289A JP 3168976 A JP3168976 A JP 3168976A JP 16897691 A JP16897691 A JP 16897691A JP H04367289 A JPH04367289 A JP H04367289A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ブラシレスモータのロ
ータ磁極位置等の磁気を検出するために用いられるホー
ル素子に関する。
ータ磁極位置等の磁気を検出するために用いられるホー
ル素子に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のホール素子は、ブラシレスモー
タのロータ磁石の磁極位置を検出するために、ホール素
子を近接させて配置し、磁極の変化をホール素子から検
出信号として出力させるようにしている。図5及び図6
は従来のホール素子Hを示し、フェライト等の磁性体、
或いはセラミック等の非磁性体からなる基板1の表面に
は、絶縁層2を介して中央部にインジュームアンチモン
(InSb)等の感磁層3が蒸着等により形成され、こ
の感磁層3と基板1の表面側四隅に設けた入力または出
力用のボンディング電極4との間を素子電極5によって
接続している。そして、少なくとも上記感磁面3には、
保護膜6が被覆されている。上記ボンディング電極4は
、例えば図示しないリードフレーム等に接続するために
、金等からなるボンディングワイヤー7の一端を各々接
続している。
タのロータ磁石の磁極位置を検出するために、ホール素
子を近接させて配置し、磁極の変化をホール素子から検
出信号として出力させるようにしている。図5及び図6
は従来のホール素子Hを示し、フェライト等の磁性体、
或いはセラミック等の非磁性体からなる基板1の表面に
は、絶縁層2を介して中央部にインジュームアンチモン
(InSb)等の感磁層3が蒸着等により形成され、こ
の感磁層3と基板1の表面側四隅に設けた入力または出
力用のボンディング電極4との間を素子電極5によって
接続している。そして、少なくとも上記感磁面3には、
保護膜6が被覆されている。上記ボンディング電極4は
、例えば図示しないリードフレーム等に接続するために
、金等からなるボンディングワイヤー7の一端を各々接
続している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のホール素子
をブラシレスモータに用いる場合、近年ブラシレスモー
タは軸方向を短小とした扁平化が進み、ホール素子自体
を扁平化する必要が生じている。しかし、基板の表面に
形成したボンディング電極4にボンディングワイヤー7
の一端を接続し、基板1から離間させるように迂回して
リードフレーム等外部部品に接続するため、高さ寸法が
大きくなり扁平化が困難となる問題点がある。また、感
磁面3と同じ表面にボンディングワイヤー7があるため
、ロータ磁石とのギャップが大きくなり、必然的にホー
ル素子からのホール出力電圧が小さくなる問題点もある
。
をブラシレスモータに用いる場合、近年ブラシレスモー
タは軸方向を短小とした扁平化が進み、ホール素子自体
を扁平化する必要が生じている。しかし、基板の表面に
形成したボンディング電極4にボンディングワイヤー7
の一端を接続し、基板1から離間させるように迂回して
リードフレーム等外部部品に接続するため、高さ寸法が
大きくなり扁平化が困難となる問題点がある。また、感
磁面3と同じ表面にボンディングワイヤー7があるため
、ロータ磁石とのギャップが大きくなり、必然的にホー
ル素子からのホール出力電圧が小さくなる問題点もある
。
【0004】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、基板の表面にホール効果を有する
磁気検知部の出力を基板に貫通して設けた貫通電極によ
って裏面の電極部に導くようにすることにより、ホール
素子を扁平化すると共に、磁気的な被検知体とのギャッ
プを小さくすることのできるホール素子を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、基板の表面にホール効果を有する
磁気検知部の出力を基板に貫通して設けた貫通電極によ
って裏面の電極部に導くようにすることにより、ホール
素子を扁平化すると共に、磁気的な被検知体とのギャッ
プを小さくすることのできるホール素子を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板を表裏方
向に貫通する透孔を形成し、この透孔内に導電性の貫通
電極を設け、上記基板の表面にはホール効果を有する薄
膜状の感磁膜と、この感磁膜と前記貫通電極とを接続し
た電極パターンと、この電極パターンと前記感磁膜を被
覆する保護膜とを形成し、前記基板の裏面には前記貫通
電極を露出して電極部としたことを特徴とする。
向に貫通する透孔を形成し、この透孔内に導電性の貫通
電極を設け、上記基板の表面にはホール効果を有する薄
膜状の感磁膜と、この感磁膜と前記貫通電極とを接続し
た電極パターンと、この電極パターンと前記感磁膜を被
覆する保護膜とを形成し、前記基板の裏面には前記貫通
電極を露出して電極部としたことを特徴とする。
【0006】
【作用】基板の表面に形成したホール効果を有する薄膜
状の感磁膜のホール出力電圧は基板に形成した透孔内の
貫通電極を介して、基板の裏面の電極部に導かれる。基
板の表面には、薄膜状の感磁膜と電極パターン及び保護
膜とが形成されるだけであり、ボンディングワイヤーに
より接続する必要がないため、扁平化が可能になると共
に、被検知体とのギャップを小さくすることができ、大
きなホール出力電圧が得られる。また、基板の裏面に導
かれた電極によりプリント配線基板等に直接実装でき、
実装スペースが小さくなる。
状の感磁膜のホール出力電圧は基板に形成した透孔内の
貫通電極を介して、基板の裏面の電極部に導かれる。基
板の表面には、薄膜状の感磁膜と電極パターン及び保護
膜とが形成されるだけであり、ボンディングワイヤーに
より接続する必要がないため、扁平化が可能になると共
に、被検知体とのギャップを小さくすることができ、大
きなホール出力電圧が得られる。また、基板の裏面に導
かれた電極によりプリント配線基板等に直接実装でき、
実装スペースが小さくなる。
【0007】
【実施例】以下、図1乃至図4を参照しながら本発明に
かかるホール素子の実施例について説明する。図1にお
いて、基板10は、好ましくは結晶化ガラスからなり、
四隅の近傍に表裏方向に貫通する透孔11が設けられて
いる。この透孔11内には、微粉銅を充填させた導電性
の貫通電極12が設けられ、貫通電極12の上下の端面
は基板10の表裏面と同一面となるように露出させてい
る。基板10の表面には、ホール効果を有する例えばイ
ンジュームアンチモン、インジュームヒ素、或いはガリ
ウムヒ素等からなる薄膜状の感磁膜13が形成され、さ
らに、感磁膜13と貫通電極12とを接続する電極パタ
ーン14を形成し、これら感磁膜13と電極パターン1
4を被覆する保護膜15が形成されている。一方、基板
10の裏面に露出した貫通電極12の端面には電極部1
6を形成し、さらに電極部16の表面には、図示しない
外部の配線基板のパターン等に接続するための半田バン
プ17が形成されている。
かかるホール素子の実施例について説明する。図1にお
いて、基板10は、好ましくは結晶化ガラスからなり、
四隅の近傍に表裏方向に貫通する透孔11が設けられて
いる。この透孔11内には、微粉銅を充填させた導電性
の貫通電極12が設けられ、貫通電極12の上下の端面
は基板10の表裏面と同一面となるように露出させてい
る。基板10の表面には、ホール効果を有する例えばイ
ンジュームアンチモン、インジュームヒ素、或いはガリ
ウムヒ素等からなる薄膜状の感磁膜13が形成され、さ
らに、感磁膜13と貫通電極12とを接続する電極パタ
ーン14を形成し、これら感磁膜13と電極パターン1
4を被覆する保護膜15が形成されている。一方、基板
10の裏面に露出した貫通電極12の端面には電極部1
6を形成し、さらに電極部16の表面には、図示しない
外部の配線基板のパターン等に接続するための半田バン
プ17が形成されている。
【0008】次に、かかるホール素子の製造方法の一例
を説明する。まず、基板10の四隅の近傍に表裏方向に
貫通させて設けた透孔11に、銅を粉砕して微小の粒子
とした微粉銅を充填し、その後、基板10と同時に所定
の温度にて焼成して図2に示すような貫通電極12を形
成する。このとき、基板10として結晶化ガラスを用い
ると、微粉銅と焼成温度がほぼ同じであり、しかも結晶
化ガラス収縮を起こすために、焼成された微粉銅が透孔
11内で圧縮されて基板10との密着性を高めることが
できる。焼成後の基板10は、貫通電極12が突出して
いる場合があるため、表面が平坦になるように基板10
の表裏面を研磨する。
を説明する。まず、基板10の四隅の近傍に表裏方向に
貫通させて設けた透孔11に、銅を粉砕して微小の粒子
とした微粉銅を充填し、その後、基板10と同時に所定
の温度にて焼成して図2に示すような貫通電極12を形
成する。このとき、基板10として結晶化ガラスを用い
ると、微粉銅と焼成温度がほぼ同じであり、しかも結晶
化ガラス収縮を起こすために、焼成された微粉銅が透孔
11内で圧縮されて基板10との密着性を高めることが
できる。焼成後の基板10は、貫通電極12が突出して
いる場合があるため、表面が平坦になるように基板10
の表裏面を研磨する。
【0009】次に、次工程にて形成する感磁膜13や電
極パターン14とのオーミックコンタクト性を良好にす
るため、銅または金等の金属材をスパッタリングによっ
て形成し、その後、4個の電極パターン14を形成する
。さらに、電極パターン14の中央部にインジュームア
ンチモン等の感磁膜13を0.5〜2μmの厚さに蒸着
によって形成しパターニングする。この結果、図3に示
すように感磁膜13と貫通電極12とは電極パターン1
4を介して接続される。その後、感磁膜13と電極パタ
ーン14を保護するために、酸化シリコン(SiO2)
を蒸着またはスパッタリングによって保護膜15を形成
する。さらに、ホール素子の信頼性を高めるために、エ
ポキシ樹脂等の樹脂を10〜30μmの厚さで被覆した
保護被覆部18を設け、耐湿性を向上すると同時に機械
的強度を上げるようにしている。
極パターン14とのオーミックコンタクト性を良好にす
るため、銅または金等の金属材をスパッタリングによっ
て形成し、その後、4個の電極パターン14を形成する
。さらに、電極パターン14の中央部にインジュームア
ンチモン等の感磁膜13を0.5〜2μmの厚さに蒸着
によって形成しパターニングする。この結果、図3に示
すように感磁膜13と貫通電極12とは電極パターン1
4を介して接続される。その後、感磁膜13と電極パタ
ーン14を保護するために、酸化シリコン(SiO2)
を蒸着またはスパッタリングによって保護膜15を形成
する。さらに、ホール素子の信頼性を高めるために、エ
ポキシ樹脂等の樹脂を10〜30μmの厚さで被覆した
保護被覆部18を設け、耐湿性を向上すると同時に機械
的強度を上げるようにしている。
【0010】一方、基板10の裏面に露出した貫通電極
12の電極部16として、導電性を有する導体ペースト
をスクリーン印刷によって電極パッド16aを形成し、
さらに、電極パッド16aの表面にメッキまたは半田を
印刷し、半田リフローによって半田バンプ17を形成し
て本発明にかかるホール素子が完成する。
12の電極部16として、導電性を有する導体ペースト
をスクリーン印刷によって電極パッド16aを形成し、
さらに、電極パッド16aの表面にメッキまたは半田を
印刷し、半田リフローによって半田バンプ17を形成し
て本発明にかかるホール素子が完成する。
【0011】図4は本発明の変形実施例であり、基板1
0として、感光性ガラスや穴あきセラミックを用い、こ
の基板に導体ペースト19をスルーホール20内に印刷
した後に所定の温度にて焼成したスルーホール基板を用
いたものである。なお、基板10の構成を除いては上述
した図1の構成と同様である。
0として、感光性ガラスや穴あきセラミックを用い、こ
の基板に導体ペースト19をスルーホール20内に印刷
した後に所定の温度にて焼成したスルーホール基板を用
いたものである。なお、基板10の構成を除いては上述
した図1の構成と同様である。
【0012】本発明は、上記の各実施例に限定されるも
のではなく、貫通電極12は微粉銅の他に、銀・パラジ
ームペースト或いはカッパーペースト等の導電性を有す
るペースト材を透孔11内に充填して焼成するようにし
てもよい。さらに、保護膜は樹脂を用いずとも、酸化シ
リコン等の無機質の膜のみを形成してもよい。また、感
磁膜13に位置する保護膜上にソフトフェライトからな
る磁気増幅チップを載置して検知磁束を感磁膜13に導
かせ、ホール素子自体の感度を高めるようにする等、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能
である。
のではなく、貫通電極12は微粉銅の他に、銀・パラジ
ームペースト或いはカッパーペースト等の導電性を有す
るペースト材を透孔11内に充填して焼成するようにし
てもよい。さらに、保護膜は樹脂を用いずとも、酸化シ
リコン等の無機質の膜のみを形成してもよい。また、感
磁膜13に位置する保護膜上にソフトフェライトからな
る磁気増幅チップを載置して検知磁束を感磁膜13に導
かせ、ホール素子自体の感度を高めるようにする等、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能
である。
【0013】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のホール素子は、基板を表裏方向に貫通する透孔内に導
電性の貫通電極を設け、基板の表面には、ホール効果を
有する薄膜状の感磁膜と、電極パターンとを形成し、基
板の裏面には貫通電極を露出させて電極部としているの
で、ボンディングワイヤーにより接続する必要がなく、
小型で扁平なホール素子を得ることができ、かつ、リー
ドフレームやリード線が不要なため安価にできる利点が
ある。また、磁気的な被検知体とのギャップを小さくす
ることができ、大きなホール出力電圧を得ることができ
る。さらに、基板の裏面には電極部が導かれているので
、プリント配線基板等に直接実装できるため実装スペー
スが小さくなる利点もある。
のホール素子は、基板を表裏方向に貫通する透孔内に導
電性の貫通電極を設け、基板の表面には、ホール効果を
有する薄膜状の感磁膜と、電極パターンとを形成し、基
板の裏面には貫通電極を露出させて電極部としているの
で、ボンディングワイヤーにより接続する必要がなく、
小型で扁平なホール素子を得ることができ、かつ、リー
ドフレームやリード線が不要なため安価にできる利点が
ある。また、磁気的な被検知体とのギャップを小さくす
ることができ、大きなホール出力電圧を得ることができ
る。さらに、基板の裏面には電極部が導かれているので
、プリント配線基板等に直接実装できるため実装スペー
スが小さくなる利点もある。
【図1】本発明にかかるホール素子の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図2】同上ホール素子における基板を示す斜視図であ
る。
る。
【図3】同上ホール素子の感磁膜と電極パターンを形成
した状態を示す斜視図である。
した状態を示す斜視図である。
【図4】本発明にかかる他の実施例を示す斜視図である
。
。
【図5】従来のホール素子を示す平面図である。
【図6】同上ホール素子を示す断面図である。
10 基板
11 透孔
12 貫通電極
13 感磁膜
14 導電パターン
15 保護膜
16 電極部
Claims (1)
- 【請求項1】 基板を表裏方向に貫通する透孔を形成
し、この透孔内に導電性の貫通電極を設け、上記基板の
表面にはホール効果を有する薄膜状の感磁膜と、この感
磁膜と前記貫通電極とを接続した電極パターンと、この
電極パターンと前記感磁膜を被覆する保護膜とを形成し
、前記基板の裏面には前記貫通電極を露出して電極部と
したことを特徴とするホール素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168976A JP2715016B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168976A JP2715016B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04367289A true JPH04367289A (ja) | 1992-12-18 |
JP2715016B2 JP2715016B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=15878053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3168976A Expired - Lifetime JP2715016B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2715016B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157393A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁電変換素子 |
JP2022520882A (ja) * | 2019-03-20 | 2022-04-01 | レム・インターナショナル・エスエイ | 磁場センサ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51127112A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-05 | Fujitsu Ltd | Method of producing multiilayered glass substrate |
JPS58153384A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁電変換素子及び磁電変換素子の製造方法 |
JPS63204663A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0227757U (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-22 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3168976A patent/JP2715016B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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