JPS6180074A - 電流検出用端子付き磁気センサ - Google Patents
電流検出用端子付き磁気センサInfo
- Publication number
- JPS6180074A JPS6180074A JP59203563A JP20356384A JPS6180074A JP S6180074 A JPS6180074 A JP S6180074A JP 59203563 A JP59203563 A JP 59203563A JP 20356384 A JP20356384 A JP 20356384A JP S6180074 A JPS6180074 A JP S6180074A
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- Japan
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- metal conductor
- chip
- current detection
- magnetism
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は磁電変換素子に係シ、特に金属導体に流れる電
流によシ発生する磁束をセンスする電流検出用磁気セン
サに関する。
流によシ発生する磁束をセンスする電流検出用磁気セン
サに関する。
一般に磁電変換用磁気センサとして、磁気抵抗素子、磁
気ダイオード、磁気トランジスタなどと共にホール効果
を利用したホールセンサ（単体あるいは増幅機能を内蔵
したホールＩＣを含む）が知られている。このような磁
気センサを用いて金属導体に流れる電流により発生する
磁束をセンスすることが可能であシ、従来は第５図ある
いは第６図（、） 、 （ｂ）に示すように金属導体１
．２の表面の一部に感磁センサとしてたとえばホールセ
ンサ３を取）付けて電流検出を行なっている。このホー
ルセンサ３は、４個のリードフレーム４（２１１１は半
導体薄片に電流を流すためのものであり、残りの２個は
電圧出力を取り出すためのものである）のうちの任意の
リードフレーム上に感磁チップ（半導体チップ）５が固
着され、このチップ５が上記４個のＩＪ−ドフレーム４
にワイヤゲンディング接続され、このチップ５および各
リードフレーム４の一端部が樹脂６などによシ封止され
、各リードフレーム４の他端部がそれぞれ外部端子とな
っている。
気ダイオード、磁気トランジスタなどと共にホール効果
を利用したホールセンサ（単体あるいは増幅機能を内蔵
したホールＩＣを含む）が知られている。このような磁
気センサを用いて金属導体に流れる電流により発生する
磁束をセンスすることが可能であシ、従来は第５図ある
いは第６図（、） 、 （ｂ）に示すように金属導体１
．２の表面の一部に感磁センサとしてたとえばホールセ
ンサ３を取）付けて電流検出を行なっている。このホー
ルセンサ３は、４個のリードフレーム４（２１１１は半
導体薄片に電流を流すためのものであり、残りの２個は
電圧出力を取り出すためのものである）のうちの任意の
リードフレーム上に感磁チップ（半導体チップ）５が固
着され、このチップ５が上記４個のＩＪ−ドフレーム４
にワイヤゲンディング接続され、このチップ５および各
リードフレーム４の一端部が樹脂６などによシ封止され
、各リードフレーム４の他端部がそれぞれ外部端子とな
っている。
ところで、上記電流検出方法においては、感磁チップ５
に加わる磁束密度は金属導体２の中心点×からの距４ｄ
に反比例する。然るに、上記磁気センサ３における感磁
チップ５から磁気センサ表面までの距離ｄ′によシ上記
磁束密度が大きく影響を受けて磁束密度が小さくなるの
で、磁気センサ３の検出感度が低くて良好な電流検出が
困難であるという問題があった。
に加わる磁束密度は金属導体２の中心点×からの距４ｄ
に反比例する。然るに、上記磁気センサ３における感磁
チップ５から磁気センサ表面までの距離ｄ′によシ上記
磁束密度が大きく影響を受けて磁束密度が小さくなるの
で、磁気センサ３の検出感度が低くて良好な電流検出が
困難であるという問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、電流噴出
用の金属導体の磁束発生部位から感磁チップ位置までの
距離が短かく、感磁チップに印加される磁束密度が大き
く、磁気検出感度が良好な電流検出用端子付き磁気セン
サを提供するものである。
用の金属導体の磁束発生部位から感磁チップ位置までの
距離が短かく、感磁チップに印加される磁束密度が大き
く、磁気検出感度が良好な電流検出用端子付き磁気セン
サを提供するものである。
端部からなる電流検出用端子を有し、上記封止部の内部
において上記金属導体に感磁チップが直接にあるいは絶
縁膜を介して固定されてなることを特徴とするものであ
る。
において上記金属導体に感磁チップが直接にあるいは絶
縁膜を介して固定されてなることを特徴とするものであ
る。
したがって、金属導体から感磁チップ位置までの距離が
短かく、感磁チップに印加される磁束密度が犬きく、磁
気検出感度が良くなる。
短かく、感磁チップに印加される磁束密度が犬きく、磁
気検出感度が良くなる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第１図（ａ） 、 （ｂ）において、１０は電流検
出（通電）用の金属導体であって、たとえば短冊状の板
体である。１１は感磁チップであって、たとえば第２図
に示すようにＧａＡｓ （ｆリウムヒ素）を用いたホー
ルセンサチ、ｆであり、その半導体基板（ＧａＡｓ絶縁
基板）２１の表面の一部に動作層（ＮＧａＡ＋ｓ層）２
２および４個の電極領域（２＠２３．２４のみ図示して
いる）が設けられておシ、上記基板２１が前記金属導体
１０の中央部にたとえば接着剤１８によシ接着固定され
ている。なお、２５は絶縁膜、２ネ。
る。第１図（ａ） 、 （ｂ）において、１０は電流検
出（通電）用の金属導体であって、たとえば短冊状の板
体である。１１は感磁チップであって、たとえば第２図
に示すようにＧａＡｓ （ｆリウムヒ素）を用いたホー
ルセンサチ、ｆであり、その半導体基板（ＧａＡｓ絶縁
基板）２１の表面の一部に動作層（ＮＧａＡ＋ｓ層）２
２および４個の電極領域（２＠２３．２４のみ図示して
いる）が設けられておシ、上記基板２１が前記金属導体
１０の中央部にたとえば接着剤１８によシ接着固定され
ている。なお、２５は絶縁膜、２ネ。
り
２４は電極コンタクト部である。一方、１２〜１５はホ
ールセンサ用リードフレームでアシ、それぞれの一端部
が前記ホールセンサチップ１ノ上の直交する２軸上で各
１対づつ計４個設けられた電極端子にそれぞれゲンディ
ングワイヤ１６を介して接続されている。そして、上記
チップ１１．４＠のリードフレーム１２〜１５の各一端
部および金属導体１０の中央部は、たとえば樹脂１７に
より封止されて電流検出用端子付きホールセンサを形成
している。この場合、樹脂１７の外部に突出した金属導
体１００両端部１０＊、１０ｂが電流検出用（通電用）
端子となり、４ｆ［ｉ！Ｉのリードフレーム１２〜１５
の各他端部のうち２＠（たとえば１２．１４）が電流印
加用端子、残Ｆ）２ｔ＠Ｃ１ｓ、１ｓ）が電圧出力取出
用端子となる。
ールセンサ用リードフレームでアシ、それぞれの一端部
が前記ホールセンサチップ１ノ上の直交する２軸上で各
１対づつ計４個設けられた電極端子にそれぞれゲンディ
ングワイヤ１６を介して接続されている。そして、上記
チップ１１．４＠のリードフレーム１２〜１５の各一端
部および金属導体１０の中央部は、たとえば樹脂１７に
より封止されて電流検出用端子付きホールセンサを形成
している。この場合、樹脂１７の外部に突出した金属導
体１００両端部１０＊、１０ｂが電流検出用（通電用）
端子となり、４ｆ［ｉ！Ｉのリードフレーム１２〜１５
の各他端部のうち２＠（たとえば１２．１４）が電流印
加用端子、残Ｆ）２ｔ＠Ｃ１ｓ、１ｓ）が電圧出力取出
用端子となる。
上記構成の電流検出用端子付きホールセンサにおいては
、金属導体１０に電流が流されることによ多発生する磁
束をホールセンサテップ１１によりセンスする場合、磁
束発生部位からセンサチップ１ノの動作層２２までの距
離は従来例のように樹脂部が存在するのに比べて極めて
小さいので、センサチップ１１に印加する磁束密度が大
きく、センサチップ１１の磁気検出感度が良い。
、金属導体１０に電流が流されることによ多発生する磁
束をホールセンサテップ１１によりセンスする場合、磁
束発生部位からセンサチップ１ノの動作層２２までの距
離は従来例のように樹脂部が存在するのに比べて極めて
小さいので、センサチップ１１に印加する磁束密度が大
きく、センサチップ１１の磁気検出感度が良い。
なお、センサチップの種類によっては、金属導体１０に
接着剤１８で直接接着したのでは金属導体１０との電気
的絶縁がとれなくなる場合がちり、この場合には第３図
に示すように金属導体１０のセンサチップ固定部上に薄
い絶縁膜１９を設けておき、この絶縁膜１９上に接着剤
１８によシセンサチッｆｉｌを固定すればよい。
接着剤１８で直接接着したのでは金属導体１０との電気
的絶縁がとれなくなる場合がちり、この場合には第３図
に示すように金属導体１０のセンサチップ固定部上に薄
い絶縁膜１９を設けておき、この絶縁膜１９上に接着剤
１８によシセンサチッｆｉｌを固定すればよい。
なお、電流噴出用金属導体ＩＱの形状は上記例に限らず
、第４図（、）に示すようにチッデ固定部４Ｊｃが両端
の端子部’１＆＊４１ｂより幅が狭くなった金属導体４
１でもよく、第４図（ｂ）に示すように金属導体４２の
長さ方向中央部を、たとえば半円のループ状に形成して
このルー７部４２ｃにより磁束密度を大きくし、この磁
束密度の大きい部位にセンサチップを設けるようにして
もよく、さらには第４図（Ｃ）に示すように金属導体４
３の中央部を１タ一ン分のループ状に形成して、このル
ープ部４３．によシ磁束密度をさらに大きくするように
してもよい。また、金属導体１０．４１．４２．４３は
板状に限らず断面形状は円形などでもよく、またその両
端部は一直線上で対向しなくても互いに並び合うような
形状であってもよい。また、センサチップはホールセン
サチップに限らず、磁気抵抗素子などでもよい。
、第４図（、）に示すようにチッデ固定部４Ｊｃが両端
の端子部’１＆＊４１ｂより幅が狭くなった金属導体４
１でもよく、第４図（ｂ）に示すように金属導体４２の
長さ方向中央部を、たとえば半円のループ状に形成して
このルー７部４２ｃにより磁束密度を大きくし、この磁
束密度の大きい部位にセンサチップを設けるようにして
もよく、さらには第４図（Ｃ）に示すように金属導体４
３の中央部を１タ一ン分のループ状に形成して、このル
ープ部４３．によシ磁束密度をさらに大きくするように
してもよい。また、金属導体１０．４１．４２．４３は
板状に限らず断面形状は円形などでもよく、またその両
端部は一直線上で対向しなくても互いに並び合うような
形状であってもよい。また、センサチップはホールセン
サチップに限らず、磁気抵抗素子などでもよい。
上述したように本発明の電流検出用端子付き磁気センサ
によれば、電流検出用金属導体に感磁チップを固定し、
この固定部を封止してなるので、上記金属導体から感磁
チッデ位置までの距離が短かく、感磁チッデに印加され
る磁束密度が大きく、磁気検出感度が良くなるという効
果がある。
によれば、電流検出用金属導体に感磁チップを固定し、
この固定部を封止してなるので、上記金属導体から感磁
チッデ位置までの距離が短かく、感磁チッデに印加され
る磁束密度が大きく、磁気検出感度が良くなるという効
果がある。
ｗｃ１図（＆） 、 （ｂ）は本発明に係る電流検出用
端子付き磁気センサの一実施例を示すもので、それぞれ
封止部内部を透視して示す斜視図および側面図、第２図
は第１図中のホールセンサチップを取シ出してその一例
を示す断面図、第３図はチッデ固定部の変形例を示す横
断面図、第４図（ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ第１図中の
金属導体の変形例を示す斜視図、第５図および第６図（
−）はそれぞれ従来の磁気センサを電流検出用金属導体
に取り付けた状聾を示す斜視図、第６図（ｂ）は同図（
、）の側面図である。 １０．４１．４２．４３・・・金属導体、１１・・・ホ
ールセンサチップ、１２〜１５・・・リードフレーム、
１７・・・樹脂（封止部）１０＆、１０ｂＴ４１ａ、４
１ｂ・・・電流検出用端子部、１８・・・接着剤、１９
・・・絶縁膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図 （ａ） （ｂ） Ｌ Ｊ 第２図 第３図 第４図 第５ 第Ｃ
端子付き磁気センサの一実施例を示すもので、それぞれ
封止部内部を透視して示す斜視図および側面図、第２図
は第１図中のホールセンサチップを取シ出してその一例
を示す断面図、第３図はチッデ固定部の変形例を示す横
断面図、第４図（ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ第１図中の
金属導体の変形例を示す斜視図、第５図および第６図（
−）はそれぞれ従来の磁気センサを電流検出用金属導体
に取り付けた状聾を示す斜視図、第６図（ｂ）は同図（
、）の側面図である。 １０．４１．４２．４３・・・金属導体、１１・・・ホ
ールセンサチップ、１２〜１５・・・リードフレーム、
１７・・・樹脂（封止部）１０＆、１０ｂＴ４１ａ、４
１ｂ・・・電流検出用端子部、１８・・・接着剤、１９
・・・絶縁膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図 （ａ） （ｂ） Ｌ Ｊ 第２図 第３図 第４図 第５ 第Ｃ
Claims (3)
- （１）電流検出用金属導体と、この導体の両端部以外の
部分に固定された磁電変換素子チップと、このチップに
各一端部が接続された複数個のリードフレームと、この
各リードフレームの一端部および前記チップならびに前
記金属導体のチップ固定部を一体的に封止する封止部と
を具備し、前記金属導体の両端部を電流検出用外部端子
として有することを特徴とする電流検出用端子付き磁気
センサ。 - （２）前記チップは、直接にもしくは絶縁膜を介して接
着剤により前記金属導体に固定されてなることを特徴と
する前記特許請求の範囲第１項記載の電流検出用端子付
き磁気センサ。 - （３）前記チップはＧａＡｓホールセンサチップであり
、前記封止部は樹脂からなることを特徴とする前記特許
請求の範囲第１項記載の電流検出用端子付き磁気センサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203563A JPS6180074A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 電流検出用端子付き磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203563A JPS6180074A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 電流検出用端子付き磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180074A true JPS6180074A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16476203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203563A Pending JPS6180074A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 電流検出用端子付き磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180074A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937521A (en) * | 1987-07-07 | 1990-06-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Current detecting device using ferromagnetic magnetoresistance element |
| WO1999014605A1 (en) * | 1997-09-15 | 1999-03-25 | Institute Of Quantum Electronics | A current monitor system and a method for manufacturing it |
| EP1267173A2 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Sanken Electric Co., Ltd. | Hall-effect current detector |
| WO2003038452A1 (fr) | 2001-11-01 | 2003-05-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Capteur de courant et procede de fabrication associe |
| WO2003107018A1 (ja) * | 2002-06-18 | 2003-12-24 | 旭化成株式会社 | 電流測定方法および電流測定装置 |
| JP2012255685A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Tokai Rika Co Ltd | 電流センサ |
| WO2013005458A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JP2017116545A (ja) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | メレクシス テクノロジーズ エスエー | 電流センサを作成する方法および電流センサ |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203563A patent/JPS6180074A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937521A (en) * | 1987-07-07 | 1990-06-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Current detecting device using ferromagnetic magnetoresistance element |
| WO1999014605A1 (en) * | 1997-09-15 | 1999-03-25 | Institute Of Quantum Electronics | A current monitor system and a method for manufacturing it |
| US6356068B1 (en) | 1997-09-15 | 2002-03-12 | Ams International Ag | Current monitor system and a method for manufacturing it |
| EP1267173A3 (en) * | 2001-06-15 | 2005-03-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | Hall-effect current detector |
| EP1267173A2 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Sanken Electric Co., Ltd. | Hall-effect current detector |
| JP4579538B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2010-11-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ及び電流センサの製造方法 |
| JPWO2003038452A1 (ja) * | 2001-11-01 | 2005-02-24 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサおよび電流センサ製造方法 |
| US7129691B2 (en) | 2001-11-01 | 2006-10-31 | Sentron Ag | Current sensor and current sensor manufacturing method |
| CN1295514C (zh) * | 2001-11-01 | 2007-01-17 | 旭化成电子材料元件株式会社 | 电流传感器与电流传感器的制造方法 |
| KR100746546B1 (ko) * | 2001-11-01 | 2007-08-06 | 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 | 전류 센서 및 전류 센서 제조 방법 |
| WO2003038452A1 (fr) | 2001-11-01 | 2003-05-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Capteur de courant et procede de fabrication associe |
| WO2003107018A1 (ja) * | 2002-06-18 | 2003-12-24 | 旭化成株式会社 | 電流測定方法および電流測定装置 |
| US7106046B2 (en) | 2002-06-18 | 2006-09-12 | Asahi Kasei Emd Corporation | Current measuring method and current measuring device |
| JP2012255685A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Tokai Rika Co Ltd | 電流センサ |
| WO2013005458A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JPWO2013005458A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-02-23 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JP2017116545A (ja) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | メレクシス テクノロジーズ エスエー | 電流センサを作成する方法および電流センサ |
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