JPH036821A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH036821A JPH036821A JP14253089A JP14253089A JPH036821A JP H036821 A JPH036821 A JP H036821A JP 14253089 A JP14253089 A JP 14253089A JP 14253089 A JP14253089 A JP 14253089A JP H036821 A JPH036821 A JP H036821A
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Landscapes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多結晶シリ、コン膜と高融点金属膜との二層膜
を有する半導体装置の製造方法に関する。
を有する半導体装置の製造方法に関する。
従来の技術
半導体集積回路素子の微細化、高密度化に伴ない、配線
材料として高融点金属が注目されている。高融点金属は
、従来のＡｅ配線と異なり、９００℃程度での熱処理が
可能であり、また、配線上の絶縁膜を熱処理して平坦化
できる等の利点があり、素子の微細化に有利である。
材料として高融点金属が注目されている。高融点金属は
、従来のＡｅ配線と異なり、９００℃程度での熱処理が
可能であり、また、配線上の絶縁膜を熱処理して平坦化
できる等の利点があり、素子の微細化に有利である。
第２図（ａ）〜（ｆ）に従来の技術による高融点金属配
線形成の工程順断面図を示す。
線形成の工程順断面図を示す。
第２図（ａ）に示すようにシリコン基板１上に層間絶縁
膜２を形成しコンタクトホール等を形成後、多結晶シリ
コン膜３をＬＰＧＶＤ （減圧化学気相成長）法により
形成する。この多結晶シリコン膜３を低抵抗化するため
、気相拡散法によりＰＨ３ガスおよび０２ガス中で９０
０℃程度で熱処理し、リンを添加する。この際、同図（
１））に示すように多結晶シリコン膜３上にはリンを含
んだ酸化膜であるリンガラス４が形成される。このリン
ガラス４を希フッ酸によるウェットエツチングで除去し
水洗後、スピンドライまたはＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）蒸気乾燥により乾燥する。ここで多結晶シリコ
ン膜３は撥水性であるため、リンガラス４の除去後の表
面は撥水性表面となる。スピンドライによる乾燥では撥
水性表面で特定のバターン上にシミ状の異物８が形成さ
れる。またＩＰＡ蒸気乾燥でも乾燥中の蒸気の供給不足
等によりシミ状異物８が形成される。次に、同図（ｄ）
のように、多結晶シリコン膜３上にＣＶＤ法あるいはス
パッタ法により高融点金属ＩＩ！６を形成し、同図（ｅ
） 、 （ｆ）に示すようにホトリソグラフィー法およ
びドライエツチング法により多結晶シリコン膜３と高融
点金属１１１６の２層膜をパターニングし、配線形成を
行なう。
膜２を形成しコンタクトホール等を形成後、多結晶シリ
コン膜３をＬＰＧＶＤ （減圧化学気相成長）法により
形成する。この多結晶シリコン膜３を低抵抗化するため
、気相拡散法によりＰＨ３ガスおよび０２ガス中で９０
０℃程度で熱処理し、リンを添加する。この際、同図（
１））に示すように多結晶シリコン膜３上にはリンを含
んだ酸化膜であるリンガラス４が形成される。このリン
ガラス４を希フッ酸によるウェットエツチングで除去し
水洗後、スピンドライまたはＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）蒸気乾燥により乾燥する。ここで多結晶シリコ
ン膜３は撥水性であるため、リンガラス４の除去後の表
面は撥水性表面となる。スピンドライによる乾燥では撥
水性表面で特定のバターン上にシミ状の異物８が形成さ
れる。またＩＰＡ蒸気乾燥でも乾燥中の蒸気の供給不足
等によりシミ状異物８が形成される。次に、同図（ｄ）
のように、多結晶シリコン膜３上にＣＶＤ法あるいはス
パッタ法により高融点金属ＩＩ！６を形成し、同図（ｅ
） 、 （ｆ）に示すようにホトリソグラフィー法およ
びドライエツチング法により多結晶シリコン膜３と高融
点金属１１１６の２層膜をパターニングし、配線形成を
行なう。
発明が解決しようとする課題
この方法による２層配線膜の形成方法では前記のように
多結晶シリコン膜３上にシミ状の異物８が形成され、後
工程のパターニングの際、このシミ状異物８が対ドライ
エツチングのマスクとなり、高融点金属膜６がエツチン
グされても異物下の多結晶シリコン膜３はエツチングさ
れずに残存する。
多結晶シリコン膜３上にシミ状の異物８が形成され、後
工程のパターニングの際、このシミ状異物８が対ドライ
エツチングのマスクとなり、高融点金属膜６がエツチン
グされても異物下の多結晶シリコン膜３はエツチングさ
れずに残存する。
このため、配線間の短絡が生じるなど、′１炙導体装置
の不良原因となる。
の不良原因となる。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するために本発明による半導体装置の製
造方法は次のような手段をとる。
造方法は次のような手段をとる。
まず希フッ酸によりリンガラスを除去した後、乾燥前の
最終洗浄でＩＰＡ溶液中に浸し、その後連続してＩＰＡ
蒸気乾燥を行なう。その後、多結晶シリコン上に高融点
金属膜を形成するものである。
最終洗浄でＩＰＡ溶液中に浸し、その後連続してＩＰＡ
蒸気乾燥を行なう。その後、多結晶シリコン上に高融点
金属膜を形成するものである。
作用
この方法による多結晶シリコン薄膜と高融点金属膜との
２層膜形成方法によれば次のような作用がある。
２層膜形成方法によれば次のような作用がある。
希フッ酸によるリンガラス除去後の最終洗浄でＩＰＡ溶
液中に浸すことにより、多結晶シリコンの表面の水滴が
ＩＰＡ液中に溶は込み、表面の水分が除去される。また
、多結晶シリコン表面はＩＰＡ液で置換されるため、次
のＩＰＡ蒸気乾燥では完全な乾燥が可能である。
液中に浸すことにより、多結晶シリコンの表面の水滴が
ＩＰＡ液中に溶は込み、表面の水分が除去される。また
、多結晶シリコン表面はＩＰＡ液で置換されるため、次
のＩＰＡ蒸気乾燥では完全な乾燥が可能である。
この方法によりシミ状異物の発生がない良好な多結晶シ
リコンと高融点金属との２層膜形成が可能である。
リコンと高融点金属との２層膜形成が可能である。
実施例
以下、本発明による半導体装置の製造方法を第１図（ａ
）〜（ｆ）に示す工程順断面図により詳述する。
）〜（ｆ）に示す工程順断面図により詳述する。
まず第１図（ａ）に示すようにシリコン基板１上に層間
絶縁膜２を形成し、コンタクトホール等を形成した後、
ＬＰＣＶＤ （減圧気相成長）法により多結晶シリコン
ｌ１Ｉ３を１５０ｎｍ形成する。次に気相拡散法により
ＰＨ３ガスおよび０２ガス雰囲気で９００℃３０分の熱
処理を行ない、多結晶シリコン膜３にリン（Ｐ）を添加
し低抵抗化する。
絶縁膜２を形成し、コンタクトホール等を形成した後、
ＬＰＣＶＤ （減圧気相成長）法により多結晶シリコン
ｌ１Ｉ３を１５０ｎｍ形成する。次に気相拡散法により
ＰＨ３ガスおよび０２ガス雰囲気で９００℃３０分の熱
処理を行ない、多結晶シリコン膜３にリン（Ｐ）を添加
し低抵抗化する。
この処理の後、同図（ｂ）に示すように多結晶シリコン
膜３上には約２５ｎｍのリンを含んだ酸化膜くリンガラ
ス）４が形成されている。
膜３上には約２５ｎｍのリンを含んだ酸化膜くリンガラ
ス）４が形成されている。
次にこのリンガラス４をフッ酸と水の混合液により完全
除去し３０分の水洗後、同図（Ｃ）に示すようにＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）溶液５中へ浸す。この処理
により多結晶シリコン膜３上の水分はＩＰＡ溶液５中へ
溶は込み、表面はＩＰＡ溶液で置換される。次に連続し
てＩＰＡ蒸気乾燥により完全に乾燥する。
除去し３０分の水洗後、同図（Ｃ）に示すようにＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）溶液５中へ浸す。この処理
により多結晶シリコン膜３上の水分はＩＰＡ溶液５中へ
溶は込み、表面はＩＰＡ溶液で置換される。次に連続し
てＩＰＡ蒸気乾燥により完全に乾燥する。
次に同図（ｄ）に示すようにＣＶＤ法またはスパッタ法
により高融点金属、例えば、タングステンシリサイド（
ＷＳｉ）膜６を３００ｎｍ形成し２層膜を形成する。
により高融点金属、例えば、タングステンシリサイド（
ＷＳｉ）膜６を３００ｎｍ形成し２層膜を形成する。
続いて同図（ｅ）、げ）に示すようにホトリソグラフィ
ー法およびドライエツチング法により多結晶シリコン膜
３と高融点金属ＩＩＩ ６の２層膜をパターニングし、
配線形成を行なう。
ー法およびドライエツチング法により多結晶シリコン膜
３と高融点金属ＩＩＩ ６の２層膜をパターニングし、
配線形成を行なう。
発明の効果
以上のように、本発明による半導体装置の製造方法によ
れば、シミ状の異物の発生がな（、配線間の短絡が生じ
る心配はない。
れば、シミ状の異物の発生がな（、配線間の短絡が生じ
る心配はない。
すなわち良好な多結晶シリコン膜と高融点金属膜との２
層膜形成が可能で、高歩留りで信頼性の高い半導体装置
の製造が可能である。
層膜形成が可能で、高歩留りで信頼性の高い半導体装置
の製造が可能である。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を示す工程順断面図、第２図は従来例による半導体装
置の製造方法を示す工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・層間絶縁
膜、３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・
リンガラス、５・・・・・・ＩＰＡ溶液、６・・・・・
・高融点金属膜、７・・・・・・ホトレジスト、８・・
・・・・シミ状異物。
法を示す工程順断面図、第２図は従来例による半導体装
置の製造方法を示す工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・層間絶縁
膜、３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・
リンガラス、５・・・・・・ＩＰＡ溶液、６・・・・・
・高融点金属膜、７・・・・・・ホトレジスト、８・・
・・・・シミ状異物。
Claims (1)
- 多結晶シリコン薄膜に熱拡散法でリンを添加して前記
多結晶シリコン薄膜上にリンガラスを形成した後、前記
リンガラスを希フッ酸により除去し水洗する工程と、そ
の後連続してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）溶液中
に浸し、連続してＩＰＡ蒸気乾燥する工程と、前記多結
晶シリコン薄膜上に高融点金属薄膜を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14253089A JPH036821A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14253089A JPH036821A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036821A true JPH036821A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15317505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14253089A Pending JPH036821A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1044465A1 (en) * | 1997-12-10 | 2000-10-18 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components |
| US6555887B1 (en) | 1998-08-11 | 2003-04-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with multi-layer interconnection |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120051A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01140728A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | 物体の洗浄乾燥方法 |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14253089A patent/JPH036821A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120051A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01140728A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | 物体の洗浄乾燥方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1044465A1 (en) * | 1997-12-10 | 2000-10-18 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components |
| EP1044465A4 (en) * | 1997-12-10 | 2001-07-18 | Cfmt Inc | WET PROCESSING PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OF ELECTRONIC COMPONENTS |
| US6555887B1 (en) | 1998-08-11 | 2003-04-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with multi-layer interconnection |
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