JPH0492422A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0492422A JPH0492422A JP20898190A JP20898190A JPH0492422A JP H0492422 A JPH0492422 A JP H0492422A JP 20898190 A JP20898190 A JP 20898190A JP 20898190 A JP20898190 A JP 20898190A JP H0492422 A JPH0492422 A JP H0492422A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。ＬＳＩの洗浄
、特に、ｐｏｌｙｃｉｄｅ電極を持ツＭＯ３ＦＥＴから
成る半導体装置の信頼性向上において有効である。
、特に、ｐｏｌｙｃｉｄｅ電極を持ツＭＯ３ＦＥＴから
成る半導体装置の信頼性向上において有効である。
従来、ｐｏｌｙｃｉｄｅ電極を持つＭＯＳＦＥＴから成
る半導体装置の製造において、該多結晶シリコン薄膜後
、該多結晶シリコンには、例えばＰＯＣ１＊ソースから
リンを拡散することによりｎ’ｐｏｌｙ−ｓｉを形成後
、ｎ゛拡散時に該ｎ４ｐｏｌｙ−ｓｉ表面に生じたＳｉ
Ｏ２（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ−ｇｌａｓｓ
； ＰＳＧ）を大気中にてＨＦ水溶液で除去４ＬＣＶ
Ｄまたはスパッタにより高融点金属シリサイド、例えば
、ＷＳｉｅｆＷＩ！ｆｆｉを形成している。しかしなが
ら、従来技術では、該ＨＦ水溶液による該ＰＳＧの除去
を、ＨＦ水溶液中に浸して処理後、ウェーハを水洗槽に
移し、純水に浸し水洗後、スピン・ドライヤーにウェー
ハを移し乾燥していた。ＨＦ処理、水洗、乾燥工程が、
別々の槽または処理装置で行なわれることにより、通常
各々の処理間、大気中に数分放置されていた。このため
水洗と乾燥の処理の間に大気中に約６０秒以上放置され
た場合には、水洗後にウェーハ表面（すなわちｎ″ｐｏ
ｌｙ−ｓｉ衣表面上に付着した水滴により、水滴周辺に
は局所的に２０人程度の５ｉＯｚが形成されたりパーテ
ィクルが付着してしまうという不具合が発生した。この
局所的なＳｉＯｐＭ膜は、ｎ′ｐｏ１ｙ−ｓｉと高融点
金属シリサイドの密着性及び電気的コンタクトを損ねる
ため、ＭＯＳＦＥＴから成るＬＳＩの歩留り低下及び信
頼性の低下を招くものである。
る半導体装置の製造において、該多結晶シリコン薄膜後
、該多結晶シリコンには、例えばＰＯＣ１＊ソースから
リンを拡散することによりｎ’ｐｏｌｙ−ｓｉを形成後
、ｎ゛拡散時に該ｎ４ｐｏｌｙ−ｓｉ表面に生じたＳｉ
Ｏ２（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ−ｇｌａｓｓ
； ＰＳＧ）を大気中にてＨＦ水溶液で除去４ＬＣＶ
Ｄまたはスパッタにより高融点金属シリサイド、例えば
、ＷＳｉｅｆＷＩ！ｆｆｉを形成している。しかしなが
ら、従来技術では、該ＨＦ水溶液による該ＰＳＧの除去
を、ＨＦ水溶液中に浸して処理後、ウェーハを水洗槽に
移し、純水に浸し水洗後、スピン・ドライヤーにウェー
ハを移し乾燥していた。ＨＦ処理、水洗、乾燥工程が、
別々の槽または処理装置で行なわれることにより、通常
各々の処理間、大気中に数分放置されていた。このため
水洗と乾燥の処理の間に大気中に約６０秒以上放置され
た場合には、水洗後にウェーハ表面（すなわちｎ″ｐｏ
ｌｙ−ｓｉ衣表面上に付着した水滴により、水滴周辺に
は局所的に２０人程度の５ｉＯｚが形成されたりパーテ
ィクルが付着してしまうという不具合が発生した。この
局所的なＳｉＯｐＭ膜は、ｎ′ｐｏ１ｙ−ｓｉと高融点
金属シリサイドの密着性及び電気的コンタクトを損ねる
ため、ＭＯＳＦＥＴから成るＬＳＩの歩留り低下及び信
頼性の低下を招くものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、かかる従来の課題を解決し、ｐｏｌｙｃ ｉ
ｄ ｅ構造における、ｎ’ｐｏｌｙ−ｓｉと高融点金属
シリサイド間に５ｉ０２やパーティクルが存在せず、良
好な密着性と電気的コンタクトを可能にせしめる半導体
装置の製造方法を提供する０本発明はｐｏｌｙｃｉｄｅ
構造における洗浄のみならず、多結晶、アモルファス、
または、単結晶シリコンがウェーハ表面に一部または全
て露出する場合において有効である。
ｄ ｅ構造における、ｎ’ｐｏｌｙ−ｓｉと高融点金属
シリサイド間に５ｉ０２やパーティクルが存在せず、良
好な密着性と電気的コンタクトを可能にせしめる半導体
装置の製造方法を提供する０本発明はｐｏｌｙｃｉｄｅ
構造における洗浄のみならず、多結晶、アモルファス、
または、単結晶シリコンがウェーハ表面に一部または全
て露出する場合において有効である。
本発明では、ＨＦ洗浄や純水洗浄及び乾燥工程を不活性
雰囲気中で処理する。このため、洗浄時にウェーハ表面
に付着する水溶液中には、大気からの０２の溶融が無い
。従って、本発明ではウェーハ表面に付着した水滴は、
シリコン表面を酸化せず、大気中で発生する水滴付着に
よる局所的ＳｉＯ２薄膜の形成やパーティクル発生はな
い。
雰囲気中で処理する。このため、洗浄時にウェーハ表面
に付着する水溶液中には、大気からの０２の溶融が無い
。従って、本発明ではウェーハ表面に付着した水滴は、
シリコン表面を酸化せず、大気中で発生する水滴付着に
よる局所的ＳｉＯ２薄膜の形成やパーティクル発生はな
い。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。第１図〜第４
図は、本発明による半導体装置製造方法の工程断面図で
ある。第１図において、Ｓｉ基板１上には、素子分前５
ｉＣ１２、ゲート薄膜５ｉＯ２３が形成され、ゲート電
極ｐｏｌｙｃｉｄｅの下層ｎ″ｐｏｌｙ−ｓｉ４が形成
されている。該ｎ゛ｐｏｌｙ−ｓｉ４上にはｐｏｌｙ−
ｓｉ中にｎ３拡散時に形成されたＰＳＧ （リンガラス
）５が存在する。このＰＳＧはＨＦ水溶液で除去する。
図は、本発明による半導体装置製造方法の工程断面図で
ある。第１図において、Ｓｉ基板１上には、素子分前５
ｉＣ１２、ゲート薄膜５ｉＯ２３が形成され、ゲート電
極ｐｏｌｙｃｉｄｅの下層ｎ″ｐｏｌｙ−ｓｉ４が形成
されている。該ｎ゛ｐｏｌｙ−ｓｉ４上にはｐｏｌｙ−
ｓｉ中にｎ３拡散時に形成されたＰＳＧ （リンガラス
）５が存在する。このＰＳＧはＨＦ水溶液で除去する。
実施例では、第４図に示すように、ボックス１４内で不
活性Ａｒ雰囲気１５中において、回転体（スピンナー）
１１上にウェーハ１２を載せ、回転させながらウェーハ
上に、ＨＦ水溶液１６（ＨＦ：Ｈｅ０＝１： ４）を
６０秒間ノズル１３から吹き出しＰＳＧを除去後、ノズ
ル１３から純水１７を再び吹き出しＡｒ雰囲気中で水洗
し、純水１７の供給を停止後、スピンナー１１を回転し
、Ａｒ雰囲気中でウェーハ乾燥している。この時、ＨＦ
水溶液と純水の吹き出しノズル１３は各々専用ノズル２
本で行なっても良い、また、不活性ガスの供１ｔ６１Ｂ
及び排気１９の調節により、減圧したり加圧したりする
ことができる。いずれの場合にも、Ａｒは空気より重い
ためウェーハ１２表面上はＡｒ雰囲気で覆われ、ウェー
ハ表面に付着した水滴はｏ２を溶解せず、したがって、
５ＩＯ２膜形成やパーティクルの４ｑ着が回避できる。
活性Ａｒ雰囲気１５中において、回転体（スピンナー）
１１上にウェーハ１２を載せ、回転させながらウェーハ
上に、ＨＦ水溶液１６（ＨＦ：Ｈｅ０＝１： ４）を
６０秒間ノズル１３から吹き出しＰＳＧを除去後、ノズ
ル１３から純水１７を再び吹き出しＡｒ雰囲気中で水洗
し、純水１７の供給を停止後、スピンナー１１を回転し
、Ａｒ雰囲気中でウェーハ乾燥している。この時、ＨＦ
水溶液と純水の吹き出しノズル１３は各々専用ノズル２
本で行なっても良い、また、不活性ガスの供１ｔ６１Ｂ
及び排気１９の調節により、減圧したり加圧したりする
ことができる。いずれの場合にも、Ａｒは空気より重い
ためウェーハ１２表面上はＡｒ雰囲気で覆われ、ウェー
ハ表面に付着した水滴はｏ２を溶解せず、したがって、
５ＩＯ２膜形成やパーティクルの４ｑ着が回避できる。
第２図は、該ＰＳＧ膜５を除去した工程断面図である。
本発明によれば、ｎ“ｐｏｌｙ−ｓｉ４上には、局所的
な５１０２膜やパーティクルは存在しない。第３図では
、ｎ”ｐｏｌｙ−ｓｉ４Ｊ二に高融点金属シリサイド（
実施例ではＭｏ５ｉ２）６をスパッタまたはＣＶＤＩ積
後、ｐｏｌｙｃｉｄｅ電極４，６をパターニング後、ソ
ース・ドレイン７を形成して得られる。
な５１０２膜やパーティクルは存在しない。第３図では
、ｎ”ｐｏｌｙ−ｓｉ４Ｊ二に高融点金属シリサイド（
実施例ではＭｏ５ｉ２）６をスパッタまたはＣＶＤＩ積
後、ｐｏｌｙｃｉｄｅ電極４，６をパターニング後、ソ
ース・ドレイン７を形成して得られる。
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、ＨＦを含む水溶液によるエツチング洗浄や純水
洗浄において、局所的Ｓｉ０２ＭＩＩの発生やパーティ
クルの付着を回避することができる。このため、ｐｏｌ
ｙｃｉｄｅ構造を持つ配線形成の洗浄で代表される、シ
リコンがウェーハ表面全面または一部に露出している場
合の洗浄に有効であり、半導体装置の信頼性向上の効果
を持つものである。
よれば、ＨＦを含む水溶液によるエツチング洗浄や純水
洗浄において、局所的Ｓｉ０２ＭＩＩの発生やパーティ
クルの付着を回避することができる。このため、ｐｏｌ
ｙｃｉｄｅ構造を持つ配線形成の洗浄で代表される、シ
リコンがウェーハ表面全面または一部に露出している場
合の洗浄に有効であり、半導体装置の信頼性向上の効果
を持つものである。
１６・・・ＨＦ水溶液
１７・・・純水
１８・・・Ａｒ供給穴
１９・・・排気穴
第１図〜第４図は本発明による半導体装置製造方法の工
程断面図。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・５ｉＯ２ ３・・・５ｉＯｙ ４・・・ｎ”ｐｏｌｙ−ｓｉ ５・・・ＰＳＧ ６・・・Ｍ ｏ Ｓ ｉ ２ ７・・・ソース・ドレイン １１・・・回転体くスピンナー） １２・・・ウェーハ １３・・・ノズル １４・・・ボックス １５・・・Ａｒ
程断面図。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・５ｉＯ２ ３・・・５ｉＯｙ ４・・・ｎ”ｐｏｌｙ−ｓｉ ５・・・ＰＳＧ ６・・・Ｍ ｏ Ｓ ｉ ２ ７・・・ソース・ドレイン １１・・・回転体くスピンナー） １２・・・ウェーハ １３・・・ノズル １４・・・ボックス １５・・・Ａｒ
Claims (3)
- （１）ＬＳＩの製造において、シリコン基板またはガラ
ス基板（以後ウェーハと記す）を、不活性雰囲気中でＨ
Ｆ水溶液または純水を用いて洗浄することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - （２）不活性雰囲気中に回転体（以後スピンナーと記す
）を設置し、ウェーハを該スピンナーに載せ、該スピン
ナーを回転させながら、該ウェーハにＨＦを含んだ水溶
液または純水を吹きかけることにより該ウェーハを洗浄
後、同一スピンナー上で、ウェーハを回転し乾燥するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （３）高融点金属シリサイド及び多結晶シリコンの２層
構造を持つゲート電極（いわゆるｐｏｌｙｃｉｄｅ配線
）を持つＭＯＳＦＥＴから成る半導体装置の製造におい
て、該高融点金属シリサイド形成前に、該多結晶シリコ
ンの表面ＳｉＯ＿２膜を、不活性雰囲気中で、ＨＦを含
んだ水溶液で除去し、かつ、不活性雰囲気中で純水洗浄
を行ない、純水洗浄後、不活性雰囲気中で乾燥すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20898190A JPH0492422A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20898190A JPH0492422A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492422A true JPH0492422A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16565361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20898190A Pending JPH0492422A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492422A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001896A1 (fr) * | 1996-07-03 | 1998-01-15 | Ultraclean Technology Research Institute | Appareil de lavage et procede de lavage |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP20898190A patent/JPH0492422A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001896A1 (fr) * | 1996-07-03 | 1998-01-15 | Ultraclean Technology Research Institute | Appareil de lavage et procede de lavage |
| US6325081B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-12-04 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Washing apparatus and washing method |
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