JPH1187290A - 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH1187290A JPH1187290A JP24535997A JP24535997A JPH1187290A JP H1187290 A JPH1187290 A JP H1187290A JP 24535997 A JP24535997 A JP 24535997A JP 24535997 A JP24535997 A JP 24535997A JP H1187290 A JPH1187290 A JP H1187290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- semiconductor substrate
- solution containing
- acid
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】凹凸の激しい複雑な表面形状を有する半導体ウ
エハの洗浄及び乾燥を効果的に行うことのでき、それに
よって半導体装置を高品質、高歩留まりで製造できる洗
浄方法を提供する。 【解決手段】半導体ウエハ５の表面にトレンチ孔のよう
な高アスペクト比構造の微細加工溝９が形成された試料
をするに際し、加工溝内部に洗浄液を容易に浸入させる
ため、アルコールと薬液の混合洗浄液を用いることによ
りトレンチ孔内部の濡れ性を改善して洗浄を効果的に行
う。
エハの洗浄及び乾燥を効果的に行うことのでき、それに
よって半導体装置を高品質、高歩留まりで製造できる洗
浄方法を提供する。 【解決手段】半導体ウエハ５の表面にトレンチ孔のよう
な高アスペクト比構造の微細加工溝９が形成された試料
をするに際し、加工溝内部に洗浄液を容易に浸入させる
ため、アルコールと薬液の混合洗浄液を用いることによ
りトレンチ孔内部の濡れ性を改善して洗浄を効果的に行
う。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料、磁性材
料、光学材料、セラミックスなど多くの製造プロセスに
適用される洗浄方法（以下、洗浄方法、表面処理方法等
を総称して洗浄方法と称す）に係り、特に、半導体装置
の製造工程に好適な半導体基板の洗浄方法及びそれを用
いた半導体装置の製造方法に関する。
料、光学材料、セラミックスなど多くの製造プロセスに
適用される洗浄方法（以下、洗浄方法、表面処理方法等
を総称して洗浄方法と称す）に係り、特に、半導体装置
の製造工程に好適な半導体基板の洗浄方法及びそれを用
いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの従来の一般的な洗浄及び
乾燥は、前記ウエハをフッ酸と超純水の混合液やアンモ
ニアと過酸化水素水と超純水の混合液等の洗浄液に所定
時間浸漬させて洗浄した後に超純水により前記ウエハを
水洗し、続いてスピン乾燥やIPA（イソプロピルアルコ
ール）ベーパ乾燥等によりウエハを乾燥する方法で行わ
れている。
乾燥は、前記ウエハをフッ酸と超純水の混合液やアンモ
ニアと過酸化水素水と超純水の混合液等の洗浄液に所定
時間浸漬させて洗浄した後に超純水により前記ウエハを
水洗し、続いてスピン乾燥やIPA（イソプロピルアルコ
ール）ベーパ乾燥等によりウエハを乾燥する方法で行わ
れている。
【０００３】その他の洗浄方法として、洗浄槽内の洗浄
液に半導体ウエハを浸漬し、その洗浄液を超音波発生装
置により振動させる方法が従来より知られており、例え
ば、特開昭63−14434号公報に記載されている。この従
来技術は、洗浄液中に浸漬された半導体ウエハを囲むよ
うに複数の超音波発生装置を配置して、超音波エネルギ
ービームをウエハ主要面に対して照射し、ウエハ表面に
加工された微細で深い溝内の各表面に超音波エネルギを
及ぶようにしたものである。
液に半導体ウエハを浸漬し、その洗浄液を超音波発生装
置により振動させる方法が従来より知られており、例え
ば、特開昭63−14434号公報に記載されている。この従
来技術は、洗浄液中に浸漬された半導体ウエハを囲むよ
うに複数の超音波発生装置を配置して、超音波エネルギ
ービームをウエハ主要面に対して照射し、ウエハ表面に
加工された微細で深い溝内の各表面に超音波エネルギを
及ぶようにしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、集積回路の高密
度化を図るために、半導体ウエハの主要面に対してほぼ
垂直状に微細な深い溝（幅1μm以下、深さ5μm以上）を
ドライエッチングなどにより加工し、この溝を利用して
素子分離を形成したり、キャパシタを大容量化すること
が試みられている。
度化を図るために、半導体ウエハの主要面に対してほぼ
垂直状に微細な深い溝（幅1μm以下、深さ5μm以上）を
ドライエッチングなどにより加工し、この溝を利用して
素子分離を形成したり、キャパシタを大容量化すること
が試みられている。
【０００５】凹凸の激しい複雑な表面形状を有する高密
度半導体集積回路が形成されている半導体ウエハを薬液
及び純水に単に浸漬させる洗浄方法では、その表面の深
い溝状部分において薬液や純水が入れ替わり難く、洗浄
効果が著しく低下する。
度半導体集積回路が形成されている半導体ウエハを薬液
及び純水に単に浸漬させる洗浄方法では、その表面の深
い溝状部分において薬液や純水が入れ替わり難く、洗浄
効果が著しく低下する。
【０００６】一方、半導体ウエハを洗浄するのに、洗浄
槽内の洗浄液に半導体ウエハを浸漬し、その洗浄液を超
音波発生装置により振動させる方法が従来より知られて
おり、特に上述した溝加工の施された半導体ウエハの洗
浄に有効なものとして、例えば、特開昭63−14434号公
報が挙げられる。この従来技術は、洗浄液中に浸漬され
た半導体ウエハを囲むように複数の超音波発生装置を配
置して、超音波エネルギービームをウエハ主要面に対し
て照射し、溝内の各表面に超音波エネルギを及ぶように
したものである。
槽内の洗浄液に半導体ウエハを浸漬し、その洗浄液を超
音波発生装置により振動させる方法が従来より知られて
おり、特に上述した溝加工の施された半導体ウエハの洗
浄に有効なものとして、例えば、特開昭63−14434号公
報が挙げられる。この従来技術は、洗浄液中に浸漬され
た半導体ウエハを囲むように複数の超音波発生装置を配
置して、超音波エネルギービームをウエハ主要面に対し
て照射し、溝内の各表面に超音波エネルギを及ぶように
したものである。
【０００７】しかしながら、このような洗浄処理技術で
は、上述した半導体ウエハの溝を十分に洗浄するため、
多数の超音波発生装置が必要になるばかりか、超音波照
射により半導体素子にクラック等のダメージを生じさせ
る恐れがある。
は、上述した半導体ウエハの溝を十分に洗浄するため、
多数の超音波発生装置が必要になるばかりか、超音波照
射により半導体素子にクラック等のダメージを生じさせ
る恐れがある。
【０００８】また、従来ドライエッチングで形成した加
工溝の内部表面に犠牲酸化膜を形成した半導体ウエハを
ウエットエッチングして除去することにより、犠牲酸化
膜とともに加工溝内部表面に付着していた汚染物を除去
することが行われている。ところが、この加工溝は上記
したように溝の開口部が微細で深さも深いため、エッチ
ング液やエッチング後の洗浄液が溝内部に十分浸入せ
ず、満足できる溝内表面処理行うことができなかった。
工溝の内部表面に犠牲酸化膜を形成した半導体ウエハを
ウエットエッチングして除去することにより、犠牲酸化
膜とともに加工溝内部表面に付着していた汚染物を除去
することが行われている。ところが、この加工溝は上記
したように溝の開口部が微細で深さも深いため、エッチ
ング液やエッチング後の洗浄液が溝内部に十分浸入せ
ず、満足できる溝内表面処理行うことができなかった。
【０００９】乾燥時においても、クラウン形状等の深い
溝状部やフィン形状等の羽状に代表されるスタック構造
等の複雑な形状になっている部分に存在する水分は前述
のスピン乾燥やIPA乾燥等の乾燥手段では十分に除去さ
れ難い。そして、洗浄及び乾燥が不十分であると、その
後の薄膜形成等のプロセスにおいて膜質の劣化等の種々
の不都合が生じて集積回路の信頼性に重大な悪影響を及
ぼす。
溝状部やフィン形状等の羽状に代表されるスタック構造
等の複雑な形状になっている部分に存在する水分は前述
のスピン乾燥やIPA乾燥等の乾燥手段では十分に除去さ
れ難い。そして、洗浄及び乾燥が不十分であると、その
後の薄膜形成等のプロセスにおいて膜質の劣化等の種々
の不都合が生じて集積回路の信頼性に重大な悪影響を及
ぼす。
【００１０】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであり、凹凸の激しい複雑な表面形状を
有する半導体ウエハの洗浄及び乾燥を効果的に行うこと
のできる洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、凹凸の激しい複雑な表面形状を
有する半導体ウエハの洗浄及び乾燥を効果的に行うこと
のできる洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、次のように
して達成される。すなわち、本発明の洗浄方法は、半導
体基板を洗浄する洗浄液として、洗浄母液にアルコール
を添加、混合した複合洗浄液を用いることを特徴とす
る。アルコールとして、好ましくは例えば、メタノー
ル、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール等
が挙げられ、これらを単独もしくは２種以上を混合して
用いることができる。そして、アルコールの好ましい濃
度は10％以上の水溶液である。
して達成される。すなわち、本発明の洗浄方法は、半導
体基板を洗浄する洗浄液として、洗浄母液にアルコール
を添加、混合した複合洗浄液を用いることを特徴とす
る。アルコールとして、好ましくは例えば、メタノー
ル、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール等
が挙げられ、これらを単独もしくは２種以上を混合して
用いることができる。そして、アルコールの好ましい濃
度は10％以上の水溶液である。
【００１２】上記洗浄母液（液体）としては、水または
薬液が用いられ、市販の周知の洗浄液または表面処理液
等でもよい。
薬液が用いられ、市販の周知の洗浄液または表面処理液
等でもよい。
【００１３】代表的な洗浄母液としては例えば、フッ
化水素酸（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、及び酢酸を含
む有機酸（酢酸単独でも良い）の少なくとも１種の酸含
む酸性溶液、前記の酸性溶液と過酸化水素水及びフ
ッ化アンモニウムの少なくとも１種とを含む酸性溶液、
アンモニア水及びアミン等の少なくとも１種のアルカ
リを含むアルカリ性溶液、前記のアルカリ性溶液と
過酸化水素水及びフッ化アンモニウムの少なくとも１種
を含むアルカリ性溶液、前記もしくはの酸性溶液
と前記もしくはのアルカリ性溶液とを含む混合液、
もしくは水を含む中性溶液（水単独でも良い）等が挙
げられる。
化水素酸（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、及び酢酸を含
む有機酸（酢酸単独でも良い）の少なくとも１種の酸含
む酸性溶液、前記の酸性溶液と過酸化水素水及びフ
ッ化アンモニウムの少なくとも１種とを含む酸性溶液、
アンモニア水及びアミン等の少なくとも１種のアルカ
リを含むアルカリ性溶液、前記のアルカリ性溶液と
過酸化水素水及びフッ化アンモニウムの少なくとも１種
を含むアルカリ性溶液、前記もしくはの酸性溶液
と前記もしくはのアルカリ性溶液とを含む混合液、
もしくは水を含む中性溶液（水単独でも良い）等が挙
げられる。
【００１４】また、上記洗浄母液は、有機溶剤であって
もよい。洗浄液には、陽イオン界面活性剤、陰イオン界
面活性剤、両性界面活性剤など市販の界面活性剤、有機
溶剤、もしくはこれら界面活性剤と有機溶剤との混合物
等の添加剤を併用することができる。
もよい。洗浄液には、陽イオン界面活性剤、陰イオン界
面活性剤、両性界面活性剤など市販の界面活性剤、有機
溶剤、もしくはこれら界面活性剤と有機溶剤との混合物
等の添加剤を併用することができる。
【００１５】半導体装置の製造方法においては、各種洗
浄工程が含まれるが、特に微細な加工溝等、基板表面に
凹凸が存在する工程に上記の洗浄方法を適用すれば効果
的に洗浄が行われ、品質の良い半導体装置を製造するこ
とができる。
浄工程が含まれるが、特に微細な加工溝等、基板表面に
凹凸が存在する工程に上記の洗浄方法を適用すれば効果
的に洗浄が行われ、品質の良い半導体装置を製造するこ
とができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３にしたがって本
発明の実施の形態を説明する。図1は基本概念図を示し
たもので、これにしたがい本発明の概要を説明する。図
1（a）に示すように、「課題を解決するための手段」の
項で説明した本発明の洗浄液1を供給装置2を介して洗浄
槽3に供給する。その後、図1（b）に示すようにウエハ
キャリア4に収納された半導体ウエハ5を洗浄槽に浸漬し
て洗浄する。次に、ウエハ搬送装置6にて半導体ウエハ5
を乾燥室7に搬送し、図1（c）に示すように乾燥室7にて
乾燥を行う。
発明の実施の形態を説明する。図1は基本概念図を示し
たもので、これにしたがい本発明の概要を説明する。図
1（a）に示すように、「課題を解決するための手段」の
項で説明した本発明の洗浄液1を供給装置2を介して洗浄
槽3に供給する。その後、図1（b）に示すようにウエハ
キャリア4に収納された半導体ウエハ5を洗浄槽に浸漬し
て洗浄する。次に、ウエハ搬送装置6にて半導体ウエハ5
を乾燥室7に搬送し、図1（c）に示すように乾燥室7にて
乾燥を行う。
【００１７】図2は本発明の他の洗浄方法を示したもの
で、図2（a）に示すように、本発明の洗浄液1を洗浄室8
に供給する。次に図2（b）に示すように洗浄を行い、そ
の後、洗浄液1を排液し、水溶性が10％以上のアルコー
ルでリンスを行った後、図2（c）に示すように乾燥を行
う方法もある。なお、図1及び図2は本発明の一例にすぎ
ず、図示していないが、1枚1枚ウエハの洗浄を行う枚葉
式洗浄装置にも適応できることは言うまでもない。
で、図2（a）に示すように、本発明の洗浄液1を洗浄室8
に供給する。次に図2（b）に示すように洗浄を行い、そ
の後、洗浄液1を排液し、水溶性が10％以上のアルコー
ルでリンスを行った後、図2（c）に示すように乾燥を行
う方法もある。なお、図1及び図2は本発明の一例にすぎ
ず、図示していないが、1枚1枚ウエハの洗浄を行う枚葉
式洗浄装置にも適応できることは言うまでもない。
【００１８】本発明により、図3（a）に示す半導体ウエ
ハの表面に微細加工溝9のような高アスペクト比構造が
形成されていても、図3（b）に示すように浸漬後、図3
（c）に示すように洗浄液の半導体ウエハに対する接触
角が10度以下と濡れ性が向上し、基板表面の微細加工溝
内に洗浄液に浸入しやすくなる。
ハの表面に微細加工溝9のような高アスペクト比構造が
形成されていても、図3（b）に示すように浸漬後、図3
（c）に示すように洗浄液の半導体ウエハに対する接触
角が10度以下と濡れ性が向上し、基板表面の微細加工溝
内に洗浄液に浸入しやすくなる。
【００１９】したがって、図3（d）に示すように、微細
加工溝内の底部まで洗浄液が十分浸入するように構成さ
れている。なお、接触角については、例えば、「改訂3
版化学便覧 基礎編II p89 丸善発行」に記載されて
いる。そして、図3（e）に示すように、洗浄液からの半
導体ウエハの引き上げ、あるいは洗浄槽からの洗浄液の
排出等、半導体ウエハから洗浄液を除いた後、図3（f）
に示すように、乾燥を行う。ここで、図3（e）に示すよ
うにアルコールでリンスすることにより乾燥が短時間で
きる。なお、上記乾燥時にウエハ裏面から加熱を行うこ
とにより、さらに効率よく乾燥を行うことができる。
加工溝内の底部まで洗浄液が十分浸入するように構成さ
れている。なお、接触角については、例えば、「改訂3
版化学便覧 基礎編II p89 丸善発行」に記載されて
いる。そして、図3（e）に示すように、洗浄液からの半
導体ウエハの引き上げ、あるいは洗浄槽からの洗浄液の
排出等、半導体ウエハから洗浄液を除いた後、図3（f）
に示すように、乾燥を行う。ここで、図3（e）に示すよ
うにアルコールでリンスすることにより乾燥が短時間で
きる。なお、上記乾燥時にウエハ裏面から加熱を行うこ
とにより、さらに効率よく乾燥を行うことができる。
【００２０】本発明により、微細加工溝内部に付着した
異物をより確実に除去ができ、さらに、本発明の例えば
フッ酸とアルコールの混合液を用いることにより「発明
が解決しようとする課題」で述べたようにキャパシタ形
成時の酸化膜除去が容易となるため、半導体ウエハにお
ける品質や歩留まり向上を図ることが可能な半導体ウエ
ハ洗浄方法及び半導体装置製造方法を提供することがで
きる。
異物をより確実に除去ができ、さらに、本発明の例えば
フッ酸とアルコールの混合液を用いることにより「発明
が解決しようとする課題」で述べたようにキャパシタ形
成時の酸化膜除去が容易となるため、半導体ウエハにお
ける品質や歩留まり向上を図ることが可能な半導体ウエ
ハ洗浄方法及び半導体装置製造方法を提供することがで
きる。
【００２１】
〈実施例１〉半導体ウエハに設けた微細加工溝内部に吸
着したFeに対する本発明の洗浄効果を以下の手順により
確認した。図4（a）に洗浄評価用サンプルの概略図及び
図4（b）にその断面の概略図を示す。洗浄評価用サンプ
ル10は、Si基板11上にポリSi12を成膜し、ポリSiに孔の
開口径0.5μm、深さ2μmの微細加工溝9が形成されてい
るものである。
着したFeに対する本発明の洗浄効果を以下の手順により
確認した。図4（a）に洗浄評価用サンプルの概略図及び
図4（b）にその断面の概略図を示す。洗浄評価用サンプ
ル10は、Si基板11上にポリSi12を成膜し、ポリSiに孔の
開口径0.5μm、深さ2μmの微細加工溝9が形成されてい
るものである。
【００２２】上記洗浄評価用ウエハにFeイオンを吸着さ
せるために以下のことを行った。アンモニアと過酸化水
素水と超純水の混合溶液（ただし、溶液がpH＝11となる
ように混合比を調製）にFeイオンを滴下し、50度に加熱
した。次に、洗浄評価用ウエハをその混合溶液に24時間
浸漬し、その後20分間水洗を行った。その後IPAベーパ
乾燥装置で20分間乾燥して、Feイオンが吸着した洗浄評
価用サンプルを作成した。そして、洗浄評価用サンプル
に吸着したFeイオンを測定するために、洗浄評価用サン
プルを100度のお湯の中に30分間浸漬し、そのお湯を採
取し原子吸光分析装置にて評価用サンプル内のFe吸着残
留量を測定した。
せるために以下のことを行った。アンモニアと過酸化水
素水と超純水の混合溶液（ただし、溶液がpH＝11となる
ように混合比を調製）にFeイオンを滴下し、50度に加熱
した。次に、洗浄評価用ウエハをその混合溶液に24時間
浸漬し、その後20分間水洗を行った。その後IPAベーパ
乾燥装置で20分間乾燥して、Feイオンが吸着した洗浄評
価用サンプルを作成した。そして、洗浄評価用サンプル
に吸着したFeイオンを測定するために、洗浄評価用サン
プルを100度のお湯の中に30分間浸漬し、そのお湯を採
取し原子吸光分析装置にて評価用サンプル内のFe吸着残
留量を測定した。
【００２３】このウエハを本発明の洗浄液と従来の洗浄
液で洗浄を行った。本発明の洗浄液は、フッ酸と過酸化
水素水と2−プロパノールの混合洗浄溶液（ただし、溶
液がpH＝3となるように混合比を調製）を用意した。ま
た、従来の洗浄液は、フッ酸と過酸化水素水と超純水の
混合洗浄溶液（ただし、溶液がpH＝3となるように混合
比を調製）を用意した。
液で洗浄を行った。本発明の洗浄液は、フッ酸と過酸化
水素水と2−プロパノールの混合洗浄溶液（ただし、溶
液がpH＝3となるように混合比を調製）を用意した。ま
た、従来の洗浄液は、フッ酸と過酸化水素水と超純水の
混合洗浄溶液（ただし、溶液がpH＝3となるように混合
比を調製）を用意した。
【００２４】本発明及び従来の洗浄液により図1に示す
洗浄手段で洗浄した各25枚の洗浄評価用サンプル内のFe
吸着残留量の測定結果を表1に示す。本発明では、どの
サンプルにも測定装置のFeイオンの検出下限値以下（0.
4ppb以下）となった。しかし、従来の洗浄方法では、Fe
イオンが検出され、本発明の洗浄効果の優位さが示され
た。
洗浄手段で洗浄した各25枚の洗浄評価用サンプル内のFe
吸着残留量の測定結果を表1に示す。本発明では、どの
サンプルにも測定装置のFeイオンの検出下限値以下（0.
4ppb以下）となった。しかし、従来の洗浄方法では、Fe
イオンが検出され、本発明の洗浄効果の優位さが示され
た。
【００２５】
【表１】
【００２６】〈実施例２〉半導体製造工程の内、Alを使
用した一般的な配線の形成工程（例えば特開平5−3255
号公報に記載）に本発明を実施した例を示す。
用した一般的な配線の形成工程（例えば特開平5−3255
号公報に記載）に本発明を実施した例を示す。
【００２７】図5に、半導体基板の断面の概略図を示
す。図5（a）における符号11はSi基板、13はSi基板11の
表面に形成された酸化膜、14はAl電極、15〜17は層間絶
縁層であって、本実施例では、CVD（化学的気相蒸着）
法により形成されたSiO2膜15（膜厚2000Å）、SOG膜16
（膜厚600〜1200Å）、CVD法により形成されたSiO2膜17
（膜厚2000Å）の3層構造からなるものとした。
す。図5（a）における符号11はSi基板、13はSi基板11の
表面に形成された酸化膜、14はAl電極、15〜17は層間絶
縁層であって、本実施例では、CVD（化学的気相蒸着）
法により形成されたSiO2膜15（膜厚2000Å）、SOG膜16
（膜厚600〜1200Å）、CVD法により形成されたSiO2膜17
（膜厚2000Å）の3層構造からなるものとした。
【００２８】図5（a）に示すように、フルオロカーボン
系のCF3、C2F6等を使用してドライエッチングによって
層間絶縁膜層に孔の開口径が1.2μmのスルーホール18を
形成して、半導体基板上のAl電極14を露出させる。
系のCF3、C2F6等を使用してドライエッチングによって
層間絶縁膜層に孔の開口径が1.2μmのスルーホール18を
形成して、半導体基板上のAl電極14を露出させる。
【００２９】次に、半導体基板を本発明により、例えば
70度の2−プロパノールと有機アルカリ液の混合洗浄液
からなる処理液で15分間洗浄し、ドライエッチングの際
に生成した図5（b）に示す副生成物19を除去した。次
に、スルーホール18内部に水分が浸入しているので、本
発明にて2−プロパノールで20分間リンスを行った。本
発明のリンスにより短時間で乾燥を行うことができた。
この状態においてスルーホール18より露出させたAl電極
14には、例えば、特開平5−3255号公報に記載されてい
る従来の有機アルカリ液の処理液による洗浄方法では生
じた薄いAl2O3などの絶縁物の生成が見られなかった。
70度の2−プロパノールと有機アルカリ液の混合洗浄液
からなる処理液で15分間洗浄し、ドライエッチングの際
に生成した図5（b）に示す副生成物19を除去した。次
に、スルーホール18内部に水分が浸入しているので、本
発明にて2−プロパノールで20分間リンスを行った。本
発明のリンスにより短時間で乾燥を行うことができた。
この状態においてスルーホール18より露出させたAl電極
14には、例えば、特開平5−3255号公報に記載されてい
る従来の有機アルカリ液の処理液による洗浄方法では生
じた薄いAl2O3などの絶縁物の生成が見られなかった。
【００３０】さらに、図5（c）に示すように、Al電極14
の上にAl配線層20を形成し、その上に不図示の絶縁膜を
形成し、さらにその上に上記Al配線層につながる配線層
を形成する場合には上述した同様の要領に従えばよい。
の上にAl配線層20を形成し、その上に不図示の絶縁膜を
形成し、さらにその上に上記Al配線層につながる配線層
を形成する場合には上述した同様の要領に従えばよい。
【００３１】以上の工程で配線を形成した後に、各配線
層の接続状況について調査した。その結果、配線層の接
触抵抗は従来の接続に比較してきわめて小さくなり、不
良率が従来方法と比較して5％減少した。したがって、
本発明により半導体を高品質、高歩留まりで製造するこ
とができた。
層の接続状況について調査した。その結果、配線層の接
触抵抗は従来の接続に比較してきわめて小さくなり、不
良率が従来方法と比較して5％減少した。したがって、
本発明により半導体を高品質、高歩留まりで製造するこ
とができた。
【００３２】〈実施例３〉半導体装置の製造工程の内、
Cuを使用した一般的な配線の形成工程（例えば特開平6
−326101号公報に記載）に本発明を実施した。図６は、
その時の半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
Cuを使用した一般的な配線の形成工程（例えば特開平6
−326101号公報に記載）に本発明を実施した。図６は、
その時の半導体装置の製造工程例を示す断面図である。
【００３３】図6（a）に示すように、拡散層等を有する
（図示省略）半導体基板21上に、絶縁膜（例えばBPSG膜
22（ボロン・リン・シリケートガラス）をCVD法により
形成する。続いて、その上にスパッタ法により、Ti膜23
を、その上にTiN膜24を形成し、さらにその上にCu膜25
を堆積する。
（図示省略）半導体基板21上に、絶縁膜（例えばBPSG膜
22（ボロン・リン・シリケートガラス）をCVD法により
形成する。続いて、その上にスパッタ法により、Ti膜23
を、その上にTiN膜24を形成し、さらにその上にCu膜25
を堆積する。
【００３４】次いで、図6（b）のように、前記構造の上
にレジスト26を塗布し、周知のホトリソグラフィ・エッ
チング技術にてパターニングする。続いて、図6（c）に
示すように、そのレジスト26をマスクにして前記Cu膜、
TiN膜、Ti膜をパターニングする。つまり配線となる部
分以外をエッチング除去する。
にレジスト26を塗布し、周知のホトリソグラフィ・エッ
チング技術にてパターニングする。続いて、図6（c）に
示すように、そのレジスト26をマスクにして前記Cu膜、
TiN膜、Ti膜をパターニングする。つまり配線となる部
分以外をエッチング除去する。
【００３５】次いで、図6（d）のように、前記レジスト
26を除去した後、本発明のフッ酸と過酸化水素水と2−
プロパノールの混合洗浄液（ただし、溶液がpH＝3とな
るように混合比を調製）を実施例1で述べた本発明の洗
浄方法に従って行った。
26を除去した後、本発明のフッ酸と過酸化水素水と2−
プロパノールの混合洗浄液（ただし、溶液がpH＝3とな
るように混合比を調製）を実施例1で述べた本発明の洗
浄方法に従って行った。
【００３６】次に、図6（e）に示すCVD法により前記工
程で残ったTi膜、TiN膜、Cu膜の3層構造の配線部分をW
膜27で被覆する。次いで、図6（f）のように、全体をパ
ッシベーション膜28（例えばTiN膜）をCVD法で形成し、
配線部分を主体とした構造を完成させた。
程で残ったTi膜、TiN膜、Cu膜の3層構造の配線部分をW
膜27で被覆する。次いで、図6（f）のように、全体をパ
ッシベーション膜28（例えばTiN膜）をCVD法で形成し、
配線部分を主体とした構造を完成させた。
【００３７】従来のフッ酸と過酸化水素水と超純水の混
合洗浄液（ただし、溶液がpH＝3となるように混合比を
調製）と比較して、本発明の洗浄液を用いた半導体洗浄
方法及び半導体製造方法により、不良率が5％減少し半
導体を高品質、高歩留まりで製造することができた。
合洗浄液（ただし、溶液がpH＝3となるように混合比を
調製）と比較して、本発明の洗浄液を用いた半導体洗浄
方法及び半導体製造方法により、不良率が5％減少し半
導体を高品質、高歩留まりで製造することができた。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、アルコール
と薬液の混合液で洗浄を行うことにより、凹凸の激しい
複雑な表面形状を有する半導体ウエハに容易に洗浄液が
浸入し洗浄及び乾燥を効果的に行うことができる。ま
た、本発明が、半導体ウエハのみならず、薄膜デバイ
ス、ディスク等の基板の洗浄に適用できることは云うま
でもない。
の目的を達成することができた。すなわち、アルコール
と薬液の混合液で洗浄を行うことにより、凹凸の激しい
複雑な表面形状を有する半導体ウエハに容易に洗浄液が
浸入し洗浄及び乾燥を効果的に行うことができる。ま
た、本発明が、半導体ウエハのみならず、薄膜デバイ
ス、ディスク等の基板の洗浄に適用できることは云うま
でもない。
【図１】本発明の基本概念を説明する洗浄方法のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】本発明の基本概念の一例を示す他の洗浄方法の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】微細加工溝内部への洗浄液の浸入及び乾燥を模
式的に示す概略図である。
式的に示す概略図である。
【図４】洗浄評価用サンプルの概略図である。
【図５】半導体装置の製造工程の内、Alを使用した配線
工程に本発明を実施したときの半導体装置の断面工程図
である。
工程に本発明を実施したときの半導体装置の断面工程図
である。
【図６】半導体装置の製造工程の内、Cuを使用した配線
工程に本発明を実施したときの半導体装置の断面工程図
である。
工程に本発明を実施したときの半導体装置の断面工程図
である。
１…洗浄液、 ２…洗浄液供給装
置、３…洗浄槽、 ４…ウエハキャ
リア、５…半導体ウエハ、 ６…ウエハ搬
送装置、７…乾燥室、 ８…洗浄
室、９…微細加工溝部、 １０…洗浄評価
用サンプル、１１…Si基板、 １２…
ポリSi、１３…酸化膜、 １４…Al電
極、１５…SiO2膜、 １６…SOG膜、
１７…SiO2膜、 １８…スルーホー
ル、１９…副生成物、 ２０…Al配線
層、２１…半導体基板、 ２２…BPSG膜、
２３…Ti膜、 ２４…TiN膜、２５
…Cu膜、 ２６…レジスト、２７…
W膜、 ２９…パッシベーション
膜。
置、３…洗浄槽、 ４…ウエハキャ
リア、５…半導体ウエハ、 ６…ウエハ搬
送装置、７…乾燥室、 ８…洗浄
室、９…微細加工溝部、 １０…洗浄評価
用サンプル、１１…Si基板、 １２…
ポリSi、１３…酸化膜、 １４…Al電
極、１５…SiO2膜、 １６…SOG膜、
１７…SiO2膜、 １８…スルーホー
ル、１９…副生成物、 ２０…Al配線
層、２１…半導体基板、 ２２…BPSG膜、
２３…Ti膜、 ２４…TiN膜、２５
…Cu膜、 ２６…レジスト、２７…
W膜、 ２９…パッシベーション
膜。
Claims (10)
- 【請求項１】半導体基板を洗浄液で洗浄するに際し、洗
浄母液にアルコールを添加、混合した複合洗浄液で洗浄
するように構成して成る半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】アルコールの水溶性を10％以上として成る
請求項１記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項３】アルコールを、メタノール、エタノール、
1−プロパノール及び2−プロパノールの少なくとも１種
で構成して成る請求項１もしくは２記載の半導体基板の
洗浄方法。 - 【請求項４】洗浄母液を、水または薬液で構成して成る
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の半導体基板の洗
浄方法。 - 【請求項５】洗浄母液を、フッ化水素酸（フッ酸）、
塩酸、硫酸、硝酸、及び酢酸を含む有機酸の少なくとも
１種の酸を含む酸性溶液、前記の酸性溶液と過酸化
水素水及びフッ化アンモニウムの少なくとも１種とを含
む酸性溶液、アンモニア水及びアミンの少なくとも１
種のアルカリを含むアルカリ性溶液、前記のアルカ
リ性溶液と過酸化水素水及びフッ化アンモニウムの少な
くとも１種を含むアルカリ性溶液、前記もしくは
の酸性溶液と前記もしくはのアルカリ性溶液とを含
む混合液、もしくは水を含む中性溶液で構成して成る
請求項１乃至４いずれか一つに記載の半導体基板の洗浄
方法。 - 【請求項６】洗浄母液を、有機溶剤で構成して成る請求
項１乃至３のいずれか一つに記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項７】洗浄母液に、界面活性剤を添加して成る請
求項１乃至６のいずれか一つに記載の半導体基板の洗浄
方法。 - 【請求項８】界面活性剤を、陽イオン界面活性剤、陰イ
オン界面活性剤及び両性界面活性剤の少なくとも１種出
構成して成る請求項７記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項９】少なくとも半導体基板の洗浄工程を有する
半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程を請求項
１乃至８のいずれか一つに記載の半導体基板の洗浄方法
で構成して成る半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】洗浄母液を、フッ化水素酸（フッ
酸）、塩酸、硫酸、硝酸、及び酢酸を含む有機酸の少な
くとも１種の酸を含む酸性溶液、前記の酸性溶液と
過酸化水素水及びフッ化アンモニウムの少なくとも１種
とを含む酸性溶液、アンモニア水及びアミンの少なく
とも１種のアルカリを含むアルカリ性溶液、前記の
アルカリ性溶液と過酸化水素水及びフッ化アンモニウム
の少なくとも１種を含むアルカリ性溶液、前記もし
くはの酸性溶液と前記もしくはのアルカリ性溶液
とを含む混合液、もしくは水を含む中性溶液で構成し
て成る請求項９記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24535997A JPH1187290A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24535997A JPH1187290A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187290A true JPH1187290A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17132503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24535997A Pending JPH1187290A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187290A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020016533A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 가네꼬 히사시 | 반도체 웨이퍼의 건조 방법, 건조용 혼합물, 및 건조기 |
| JP2003066864A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Sharp Corp | 埋め込み構造を有する基板およびそれを用いた表示装置ならびにその製造方法 |
| US7399790B2 (en) * | 2001-02-28 | 2008-07-15 | Konowalchuk Thomas W | Virucidal compositions |
| KR20120117678A (ko) * | 2011-04-15 | 2012-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체 |
| WO2014184825A1 (ja) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | 国立大学法人東北大学 | マイクロ空室の内壁面処理方法 |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP24535997A patent/JPH1187290A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020016533A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 가네꼬 히사시 | 반도체 웨이퍼의 건조 방법, 건조용 혼합물, 및 건조기 |
| US8901172B2 (en) | 2001-02-28 | 2014-12-02 | Topical Rememdy, LLC | Method for treating an inflammation or lesion caused by a virus |
| US7399790B2 (en) * | 2001-02-28 | 2008-07-15 | Konowalchuk Thomas W | Virucidal compositions |
| US7902258B2 (en) | 2001-02-28 | 2011-03-08 | Life Force Technologies, Llc | Methods for preventing lesions caused by viruses of the Herpesviridae or Poxviridae family |
| US7981933B2 (en) | 2001-02-28 | 2011-07-19 | Life Force Technologies, Llc | Method for treating an inflammation or lesion caused by a virus |
| US8853272B2 (en) | 2001-02-28 | 2014-10-07 | Topical Remedy, Llc | Method for treating an inflammation or lesion caused by a virus |
| US9737498B2 (en) | 2001-02-28 | 2017-08-22 | Topical Remedy, Llc | Method for treating an inflammation or lesion caused by a virus |
| JP2003066864A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Sharp Corp | 埋め込み構造を有する基板およびそれを用いた表示装置ならびにその製造方法 |
| KR20120117678A (ko) * | 2011-04-15 | 2012-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체 |
| JP2012231116A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
| US9111967B2 (en) | 2011-04-15 | 2015-08-18 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium |
| WO2014184825A1 (ja) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | 国立大学法人東北大学 | マイクロ空室の内壁面処理方法 |
| US10020222B2 (en) | 2013-05-15 | 2018-07-10 | Canon, Inc. | Method for processing an inner wall surface of a micro vacancy |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6241584B1 (en) | Method of washing a semiconductor device | |
| TW200539330A (en) | Ozone vapor clean method | |
| JP5037241B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| US20080053486A1 (en) | Semiconductor substrate cleaning apparatus | |
| JPH1187290A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| US6143637A (en) | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein | |
| TW200302271A (en) | Method for post-etch and strip residue removal on coral films | |
| TWI242234B (en) | Method of improving device performance | |
| JP2002016119A (ja) | 半導体装置製造方法及び半導体洗浄評価方法 | |
| WO1999014801A1 (fr) | Procede de lavage de substrat semi-conducteur et procede de production de dispositifs semi-conducteurs utilisant ledit procede de lavage | |
| JPH1197401A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH05152268A (ja) | レジスト残渣物の除去方法 | |
| US7879533B2 (en) | Etching residue removal method and semiconductor device fabrication method using this method | |
| JPH0582496A (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
| US20050247675A1 (en) | Treatment of dies prior to nickel silicide formation | |
| JPH0737866A (ja) | 多層配線構造のコンタクトホール形成方法 | |
| EP0767487A1 (en) | Improvements in or relating to semiconductor device fabrication | |
| JPH1180787A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP4609616B2 (ja) | 半導体装置用洗浄剤 | |
| KR100563786B1 (ko) | 반도체 소자의 컨택 형성방법 | |
| KR100640387B1 (ko) | 구리 잔유물을 제거하기 위한 세정 방법 | |
| JP2678049B2 (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
| JP2001519599A (ja) | 機械化学的研磨後の酸化物又は窒化物層の洗浄方法 | |
| JP2001345363A (ja) | 表面処理方法、表面処理評価方法、評価用構造体及び半導体装置 | |
| JPH036821A (ja) | 半導体装置の製造方法 |