JPH01120051A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01120051A JPH01120051A JP27762187A JP27762187A JPH01120051A JP H01120051 A JPH01120051 A JP H01120051A JP 27762187 A JP27762187 A JP 27762187A JP 27762187 A JP27762187 A JP 27762187A JP H01120051 A JPH01120051 A JP H01120051A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高速、高密度集積回路に使われる半導体装置に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
従来のポリサイド構造を持つＭＯＳキャパシターに於て
ポリサイドの構造はポリシリコンの上に直接シワサイド
を形成しておりポリシリコンの厚さが２０００オングス
トロ一ム以上の厚さであった。
ポリサイドの構造はポリシリコンの上に直接シワサイド
を形成しておりポリシリコンの厚さが２０００オングス
トロ一ム以上の厚さであった。
発明が解決しようとする問題点
従来の技術に於てポリシリコンの厚みが２０００オング
ストロ一ム以上あるためポリサイド全体の厚みを一定に
保つには低抵抗であるシリサイドの厚みが制限される。
ストロ一ム以上あるためポリサイド全体の厚みを一定に
保つには低抵抗であるシリサイドの厚みが制限される。
また、ポリシリコンを薄くした場合にはキャパシターと
しての耐圧特性が劣化する。
しての耐圧特性が劣化する。
問題点を解決するための手段
上記問題点１に解決するために本発明は、電気伝導性高
融点金属酸化膜上に高融点金属シリサイドもしくは高融
点金属膜全形成、した構造を有するもので、たとえばポ
リシリコンとシリサイドの間に電気伝導性のある高融点
金属酸化膜を挾むことによりポリシリコンの厚みを薄く
してもキャパシターとしての耐圧特性の劣化がないよう
にしたものである。
融点金属酸化膜上に高融点金属シリサイドもしくは高融
点金属膜全形成、した構造を有するもので、たとえばポ
リシリコンとシリサイドの間に電気伝導性のある高融点
金属酸化膜を挾むことによりポリシリコンの厚みを薄く
してもキャパシターとしての耐圧特性の劣化がないよう
にしたものである。
作用
高融点金属の酸化膜のうちＷＯ□１Ｍ００□などは電気
伝導性をもつ。その比抵抗は２，９Ｘ１０’。
伝導性をもつ。その比抵抗は２，９Ｘ１０’。
２ Ｘ １０−’ ｏｈｍ−ｃｍとＮ＋ポリシリコンと
同程度に低い。また、ＴｌＯ２は半導体性の電気伝導性
を持つ。化学的等量組成ＴｉＯ□ではそのバンドギャッ
プが約３ｘｖもあるため室温では絶縁体に近いがすこし
酸素が足りないような組成、即ち、Ｔｉ０１．９２程度
になると導体に近い電気伝導性を持つことが知られてい
る（ Ｉ Ｘ １０’−１−１ｏＨＭ−ｃｍ）。
同程度に低い。また、ＴｌＯ２は半導体性の電気伝導性
を持つ。化学的等量組成ＴｉＯ□ではそのバンドギャッ
プが約３ｘｖもあるため室温では絶縁体に近いがすこし
酸素が足りないような組成、即ち、Ｔｉ０１．９２程度
になると導体に近い電気伝導性を持つことが知られてい
る（ Ｉ Ｘ １０’−１−１ｏＨＭ−ｃｍ）。
また、キャパシターの耐圧特性を良好なものにするため
にはポリシリコンはシリサイドと反応してはいけない。
にはポリシリコンはシリサイドと反応してはいけない。
反応を止めるためにはポリシリコンとシリサイドの間に
化学的に安定物質を挾むことが有効である。金属の酸化
物はそれぞれがほとんど化学的に安定な物質である。た
とえば常温にｂけるＷＯ□、 ＭｏＯ２，Ｔｉｅ、、の
標準生成エンタルピーはそれぞｆＬ −６８，１、６５
、１１０ｋＯ＆ｌ／ｇ１１ａｔｍ）テｆｂ５、ｗｓｉ２
． ＭｏＳｉ２． ＴｉＳｉ２ （Ｄ ソへぞれの標準
生成エンタルピー−７，５、−９，３、−１０，７ｋＱ
ｔＬｌ ／ ｇ−１ｉｎに比べていずれも小さくまたＴ
ｉＯ７に至ってはＳｉＯ□の標準生成エンタルピー＝１
０３ｋｃａ ｅ／ ｇ−ａ ｉｎよりも小さいため非常
圧安定である。こうした電気伝導性のある高融点金属酸
化換金用いることによりきわめて安定なポリサイドキャ
パシターを形成することができる。
化学的に安定物質を挾むことが有効である。金属の酸化
物はそれぞれがほとんど化学的に安定な物質である。た
とえば常温にｂけるＷＯ□、 ＭｏＯ２，Ｔｉｅ、、の
標準生成エンタルピーはそれぞｆＬ −６８，１、６５
、１１０ｋＯ＆ｌ／ｇ１１ａｔｍ）テｆｂ５、ｗｓｉ２
． ＭｏＳｉ２． ＴｉＳｉ２ （Ｄ ソへぞれの標準
生成エンタルピー−７，５、−９，３、−１０，７ｋＱ
ｔＬｌ ／ ｇ−１ｉｎに比べていずれも小さくまたＴ
ｉＯ７に至ってはＳｉＯ□の標準生成エンタルピー＝１
０３ｋｃａ ｅ／ ｇ−ａ ｉｎよりも小さいため非常
圧安定である。こうした電気伝導性のある高融点金属酸
化換金用いることによりきわめて安定なポリサイドキャ
パシターを形成することができる。
本発明により低抵抗なゲート電極が特性の劣化なく形成
できるため超高速な集積回路を形成することができる。
できるため超高速な集積回路を形成することができる。
実施例
第１〜３図に本発明の一実施例を示す。
半導体シリコン基板１上に誘電体膜、例えば熱酸化法に
よって１ｏｏオングストロームのシリコン酸化膜２を形
成する。次に減圧気相成長法によってポリシリコン３を
１０００オングストローム形成する。次に拡散法により
ｐｏｃ１３中で９００度の熱処理を加えることによりポ
リシリコン３にＰ（リン）を拡散する。この時表面に形
成されるリンガラスは部系溶液で除去する。この上にス
パッタ法により電気伝導性高融点金属酸化膜、例えばｗ
ｏ２２形成する。このときの厚さは２００オングストロ
ームである。この上に同じくスパッタ法によってタング
ステン（Ｗ） ５ （ｉ−２０ｏＯオングストロームの
厚さで形成する（第１図）。次にレジストパターンθを
形成する（第２図）。そして次にレジストパターン６′
！ｉｌ−マスクとして５Ｆ６ｉ含むガス中でＲＩＫ（リ
アクティブ イオン エツチング）を行うことにより選
択的にタングステン５、ＷＯ２４、ポリシリコン３をエ
ツチングする（第３図）。以上の工程によって低抵抗な
電極を持つＭＯＳキャパシターが形成される。
よって１ｏｏオングストロームのシリコン酸化膜２を形
成する。次に減圧気相成長法によってポリシリコン３を
１０００オングストローム形成する。次に拡散法により
ｐｏｃ１３中で９００度の熱処理を加えることによりポ
リシリコン３にＰ（リン）を拡散する。この時表面に形
成されるリンガラスは部系溶液で除去する。この上にス
パッタ法により電気伝導性高融点金属酸化膜、例えばｗ
ｏ２２形成する。このときの厚さは２００オングストロ
ームである。この上に同じくスパッタ法によってタング
ステン（Ｗ） ５ （ｉ−２０ｏＯオングストロームの
厚さで形成する（第１図）。次にレジストパターンθを
形成する（第２図）。そして次にレジストパターン６′
！ｉｌ−マスクとして５Ｆ６ｉ含むガス中でＲＩＫ（リ
アクティブ イオン エツチング）を行うことにより選
択的にタングステン５、ＷＯ２４、ポリシリコン３をエ
ツチングする（第３図）。以上の工程によって低抵抗な
電極を持つＭＯＳキャパシターが形成される。
発明の効果
本発明により低抵抗なゲート電極を有するＭＯ５構造の
半導体装置を形成することが出来る念め、従来の集積回
路の演算速度をさらに上げることができる。
半導体装置を形成することが出来る念め、従来の集積回
路の演算速度をさらに上げることができる。
図
第１Ｖ〜第３図は本発明の一実施例の配線パターン形成
工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜。 ３・・・・・・ポリシリコン、４・・・・・・ＷＯ２，
５・・・・・・タングステン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜。 ３・・・・・・ポリシリコン、４・・・・・・ＷＯ２，
５・・・・・・タングステン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）電気伝導性高融点金属酸化膜上に高融点金属シリ
サイドもしくは高融点金属膜を形成した配線を有するこ
とを特徴とする半導体装置。 - （２）多結晶シリコン膜と高融点金属膜の間に電気伝導
性高融点酸化膜を形成した三層構造の電極を有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277621A JP2677996B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277621A JP2677996B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120051A true JPH01120051A (ja) | 1989-05-12 |
| JP2677996B2 JP2677996B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=17585971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277621A Expired - Fee Related JP2677996B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677996B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036821A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5183531A (en) * | 1989-08-11 | 1993-02-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dry etching method |
| KR20010059854A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255050A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS61265856A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | キャパシタおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62277621A patent/JP2677996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255050A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS61265856A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | キャパシタおよびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036821A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5183531A (en) * | 1989-08-11 | 1993-02-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dry etching method |
| KR20010059854A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2677996B2 (ja) | 1997-11-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |