JPH0336409B2 - - Google Patents
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- JPH0336409B2 JPH0336409B2 JP59239743A JP23974384A JPH0336409B2 JP H0336409 B2 JPH0336409 B2 JP H0336409B2 JP 59239743 A JP59239743 A JP 59239743A JP 23974384 A JP23974384 A JP 23974384A JP H0336409 B2 JPH0336409 B2 JP H0336409B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報記録層に与えた物理的，化学的変
化による情報を光学的に読み出す、いわゆる光記
録媒体に関するものである。
化による情報を光学的に読み出す、いわゆる光記
録媒体に関するものである。
従来の技術
光記録媒体の中で有機材料の情報記録層として
は、染料，染料・ポリマ複合体，光重合物，ジア
ゾ感光材，ホトクロミツク等が用いられている。
染料や染料・ポリマ複合体は、それらの情報記録
層にレーザ光を照射して選択的に溶融，蒸発気
化，変形等をさせて、媒体に凹凸を形成して記録
するものであり、いわゆるヒートモード記録とよ
ばれ、既に実用化されているカルコゲナイド半導
体物質と同じ用い方である。
は、染料，染料・ポリマ複合体，光重合物，ジア
ゾ感光材，ホトクロミツク等が用いられている。
染料や染料・ポリマ複合体は、それらの情報記録
層にレーザ光を照射して選択的に溶融，蒸発気
化，変形等をさせて、媒体に凹凸を形成して記録
するものであり、いわゆるヒートモード記録とよ
ばれ、既に実用化されているカルコゲナイド半導
体物質と同じ用い方である。
一方、有機ホトクロミツク材料は、その可逆性
に着目され、書き換え可能な、ホトンモード記録
として研究されている。例えば、L.M.Ralston，
SPIE420186（1983））等に報告されている。ホト
クロミツク材料は溶剤に可溶なものが多く、スピ
ンコートにより薄膜を形成し、デイスク製造が可
能になるものとして期待されているが、実用化は
されていない。
に着目され、書き換え可能な、ホトンモード記録
として研究されている。例えば、L.M.Ralston，
SPIE420186（1983））等に報告されている。ホト
クロミツク材料は溶剤に可溶なものが多く、スピ
ンコートにより薄膜を形成し、デイスク製造が可
能になるものとして期待されているが、実用化は
されていない。
発明が解決しようとする問題点
有機ホトクロミツク材料は、光を照射するとホ
トクロミツク化合物が反応して、照射前の光吸収
スペクトルと異つたスペクトルを有するようにな
る。ところが、シス−トランス異性化に基づくホ
トクロミツク化合物は、溶液内ではホトクロミズ
ムを示すが、固体薄膜では全くホトクロミズムを
示さない。
トクロミツク化合物が反応して、照射前の光吸収
スペクトルと異つたスペクトルを有するようにな
る。ところが、シス−トランス異性化に基づくホ
トクロミツク化合物は、溶液内ではホトクロミズ
ムを示すが、固体薄膜では全くホトクロミズムを
示さない。
本発明は、シス−トランス異性化に基づくホト
クロミツク材料からなり、双方の状態で安定な薄
膜を用いた光記録媒体を提供することを目的とす
る。
クロミツク材料からなり、双方の状態で安定な薄
膜を用いた光記録媒体を提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段
シス−トランス異性化によるホトクロミツク化
合物を、親水部と疎水部のバランスを保つた両親
媒性にして、分子次元で二次元平面に配向させた
単分子膜として基板上に累積した記録薄膜を構成
する。
合物を、親水部と疎水部のバランスを保つた両親
媒性にして、分子次元で二次元平面に配向させた
単分子膜として基板上に累積した記録薄膜を構成
する。
作 用
本発明の記録媒体に、レーザ光を照射すると、
情報記録層が反応して照射前の吸収スペクトルと
異つたスペクトルを有するようになり、情報が記
録される。この時本発明の記録媒体は照射前の状
態に自然に戻らないで記録が維持できる。
情報記録層が反応して照射前の吸収スペクトルと
異つたスペクトルを有するようになり、情報が記
録される。この時本発明の記録媒体は照射前の状
態に自然に戻らないで記録が維持できる。
これは両親媒性ホトクロミツク材料の分子構造
による立体障害と、分子次元で二次元平面に配向
させたことによる立体障害とをうまくバランスさ
せ薄膜内でホトクロミズムを維持したまま、かつ
熱的な逆反応は止められて記録維持の寿命が長く
なつたものと考察される。
による立体障害と、分子次元で二次元平面に配向
させたことによる立体障害とをうまくバランスさ
せ薄膜内でホトクロミズムを維持したまま、かつ
熱的な逆反応は止められて記録維持の寿命が長く
なつたものと考察される。
実施例
本発明に用いる両親媒性ホトクロミツク材料
は、−Ｎ＝Ｎ−骨格を有するアゾベンゼンや、−Ｃ
＝Ｃ−骨格を有するインジゴ，チオインジゴ等の
不飽和二重結合のシス−トランス異性化に基づく
化合物に、アルキル鎖が少くとも１個以上を、不
飽和二重結合の骨格以外の所に付加するよう合成
されたものである。
は、−Ｎ＝Ｎ−骨格を有するアゾベンゼンや、−Ｃ
＝Ｃ−骨格を有するインジゴ，チオインジゴ等の
不飽和二重結合のシス−トランス異性化に基づく
化合物に、アルキル鎖が少くとも１個以上を、不
飽和二重結合の骨格以外の所に付加するよう合成
されたものである。
上記の材料を、分子次元で２次元平面に配向し
た単分子膜として累積して記録層を形成するため
に、いわゆるラングミユアーブロジエツト法ある
いは水平付着法とよばれる単分子累積法によつて
基板上に膜形成を行う。まずPHや金属イオン等を
最適に調整した蒸留水，いわゆるサブフエイズで
形成された気水界面上に、両親媒性ホトクロミツ
ク材料を最適な溶媒に溶かして展開し、溶媒が蒸
発気化した後の展開物質によつて生じる表面圧
を、バリアによつて制御する。最適な表面圧を生
じた時、いわゆる累積圧に達した時、サブフエイ
ズに垂直な方向へあるいは水平に、ガラス，金属
あるいは半導体物質等の平滑な支持基体を静かに
移動させ、それらの基板上に単分子膜を移動せし
め、これを繰り返して累積膜を形成する。
た単分子膜として累積して記録層を形成するため
に、いわゆるラングミユアーブロジエツト法ある
いは水平付着法とよばれる単分子累積法によつて
基板上に膜形成を行う。まずPHや金属イオン等を
最適に調整した蒸留水，いわゆるサブフエイズで
形成された気水界面上に、両親媒性ホトクロミツ
ク材料を最適な溶媒に溶かして展開し、溶媒が蒸
発気化した後の展開物質によつて生じる表面圧
を、バリアによつて制御する。最適な表面圧を生
じた時、いわゆる累積圧に達した時、サブフエイ
ズに垂直な方向へあるいは水平に、ガラス，金属
あるいは半導体物質等の平滑な支持基体を静かに
移動させ、それらの基板上に単分子膜を移動せし
め、これを繰り返して累積膜を形成する。
実施例 １
４−モノステアロイルアミノアゾベンゼンを１
×10-3Mの濃度でベンゼンに溶解した。この溶液
にほぼ360nｍの光を照射した後、250μの試料
を、18℃、PH＝７のサブフエイズに展開し、10
mm／分のバリア速度でその単分子層を圧縮した。
約20dyn／cmの累積圧を生じた時、デイスク基板
を気水界面上の単分子膜に垂直に上下させて累積
膜を形成した。15回の往復をした結果、基板上に
30層の単分子膜が累積し、第１図に示すような約
750Åの厚さの記録層を得た。１は基板であり、
２はその上に形成された記録層である。記録層２
の上には、保護膜３が形成されている。円内は、
記録層２の部分を拡大した図であり、２ａ〜２ｃ
は単分子層を模式的に示したものである。
×10-3Mの濃度でベンゼンに溶解した。この溶液
にほぼ360nｍの光を照射した後、250μの試料
を、18℃、PH＝７のサブフエイズに展開し、10
mm／分のバリア速度でその単分子層を圧縮した。
約20dyn／cmの累積圧を生じた時、デイスク基板
を気水界面上の単分子膜に垂直に上下させて累積
膜を形成した。15回の往復をした結果、基板上に
30層の単分子膜が累積し、第１図に示すような約
750Åの厚さの記録層を得た。１は基板であり、
２はその上に形成された記録層である。記録層２
の上には、保護膜３が形成されている。円内は、
記録層２の部分を拡大した図であり、２ａ〜２ｃ
は単分子層を模式的に示したものである。
こうして得た記録媒体にはほぼ440nｍの光を
スポツトサイズ1μｍに集束して照射をおこない
記録した。照射前にほぼ440nｍの光を吸収して
いたが、照射後は透過し、明らかに照射前後で記
録層２の光学濃度の変化が認められ、光記録媒体
としての機能を備えていることがわかる。しか
も、ホトクロミズムの維持寿命は長く、溶液のよ
うに自然にもとに戻つてしまうことはない。
スポツトサイズ1μｍに集束して照射をおこない
記録した。照射前にほぼ440nｍの光を吸収して
いたが、照射後は透過し、明らかに照射前後で記
録層２の光学濃度の変化が認められ、光記録媒体
としての機能を備えていることがわかる。しか
も、ホトクロミズムの維持寿命は長く、溶液のよ
うに自然にもとに戻つてしまうことはない。
実施例 ２
６，6′−ジヘキシオキシチオインジゴを１×
10-3Mの濃度でクロロホルムに溶解した。この溶
液にほぼ540nｍの光を照射した後、実施例１と
同様にして、累積圧15dyn／cmでCrメツキ板上に
累積した。Grメツキ板はアラキン酸Cdであらか
じめ疎水処理をして用いた。累積膜は12層形成
し、約300Åの厚さの記録層を得た。
10-3Mの濃度でクロロホルムに溶解した。この溶
液にほぼ540nｍの光を照射した後、実施例１と
同様にして、累積圧15dyn／cmでCrメツキ板上に
累積した。Grメツキ板はアラキン酸Cdであらか
じめ疎水処理をして用いた。累積膜は12層形成
し、約300Åの厚さの記録層を得た。
この記録媒体にほぼ480nｍの光をスポツトサ
イズ1μｍに集束して照射をおこない記録した。
照射の前後での吸光特性を第２図に示す。この図
から明らかなように、照射前はほぼ540nｍの光
を吸収しないので反射光は強いが、照射後は光を
吸収するため反射光は弱くなり、明らかに照射前
後で情報記録層の光学濃度の変化が認められ、光
記録媒体としての機能を備えていることがわか
る。しかも、ホトクロミズムの維持寿命は長く、
溶液のように自然にもとに戻つてしまうことはな
い。
イズ1μｍに集束して照射をおこない記録した。
照射の前後での吸光特性を第２図に示す。この図
から明らかなように、照射前はほぼ540nｍの光
を吸収しないので反射光は強いが、照射後は光を
吸収するため反射光は弱くなり、明らかに照射前
後で情報記録層の光学濃度の変化が認められ、光
記録媒体としての機能を備えていることがわか
る。しかも、ホトクロミズムの維持寿命は長く、
溶液のように自然にもとに戻つてしまうことはな
い。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、きわ
めて簡単な構成で、従来用いることができなかつ
たシス−トランス異性化に基づくホトクロミツク
化合物の薄膜を記録層として用いることが可能と
なり、かつ記録寿命の長い記録媒体を提供でき
る。
めて簡単な構成で、従来用いることができなかつ
たシス−トランス異性化に基づくホトクロミツク
化合物の薄膜を記録層として用いることが可能と
なり、かつ記録寿命の長い記録媒体を提供でき
る。
第１図は本発明の一実施例の光記録媒体の構成
を示す断面図、第２図は本発明の一実施例におけ
る記録層の照射前後の吸収スペクトルを示すグラ
フである。 １……基板、２……記録層。
を示す断面図、第２図は本発明の一実施例におけ
る記録層の照射前後の吸収スペクトルを示すグラ
フである。 １……基板、２……記録層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シス−トランス異性化によるホトクロミズム
を示すとともに両親媒性のホトクロミツク化合物
を、分子次元で二次元平面に配向させた単分子膜
として、基板上に累積した記録層を備えた光記録
媒体。 ２ ホトクロミツク化合物として−Ｎ＝Ｎ−骨格
を有する両親媒性アゾベンゼンを用いた特許請求
の範囲第１項記載の光記録媒体。 ３ ホトクロミツク化合物として−Ｃ＝Ｃ−骨格
を有する、両親媒性インジゴ、又はチオインジゴ
を用いた特許請求の範囲第１項記載の光記録媒
体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239743A JPS61117537A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 光記録媒体 |
| US06/796,445 US4686169A (en) | 1984-11-13 | 1985-11-08 | Optical recording medium and production of the same |
| DE8585114293T DE3578739D1 (de) | 1984-11-13 | 1985-11-09 | Optischer aufzeichnungstraeger. |
| EP85114293A EP0182236B1 (en) | 1984-11-13 | 1985-11-09 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239743A JPS61117537A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117537A JPS61117537A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0336409B2 true JPH0336409B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=17049270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59239743A Granted JPS61117537A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117537A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285451A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録再生装置 |
| JPS61128244A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| SG11202105236VA (en) | 2018-11-19 | 2021-06-29 | Nissan Chemical Corp | Adhesive composition for peeling off by irradiation with light, layered product, and production method and peeling method for layered product |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59239743A patent/JPS61117537A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117537A (ja) | 1986-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |