JPH0241591B2 - - Google Patents

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JPH0241591B2
JPH0241591B2 JP5512082A JP5512082A JPH0241591B2 JP H0241591 B2 JPH0241591 B2 JP H0241591B2 JP 5512082 A JP5512082 A JP 5512082A JP 5512082 A JP5512082 A JP 5512082A JP H0241591 B2 JPH0241591 B2 JP H0241591B2
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plating
wire
thickness
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JP5512082A
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  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、耐食性、半田付け性が優れ、これ等
の特性が高温環境に晒されても劣化しない密着性
の優れたAg被覆Cu系材料(以下Ag被覆材料と略
記)と、その製造方法に関するものである。 一般にCu系基材上にAg又はAg合金層を形成し
たAg被覆材料は基材の特性に加えてAg特有の優
れた耐食性と半田付け性を有するため、従来から
種々の用途に用いられている。例えばCu又はCu
合金線条材を基材とし、該基材上に厚さ0.5〜10μ
のAg層を形成したAg被覆材料は、基材の機械的
強度に加えてAgの優れた耐食性と半田付け性を
有する経済的な高性能材料として知られており、
電子部品のリード材や電子機器内の導電体として
広く用いられている。 このようなAg被覆材料を焼鈍処理などの加熱
処理をするか、又は高温状態で使用するなど、大
気中で高温環境に晒すと、大気中の酸素がAg層
内部に活発に浸透して基材表面を酸化し、基材と
Ag層間の密着性を低下して半田付け強度の低下
を招き、電気接続の信頼性を損なうばかりか、基
材がAg層内に拡散してAg被覆材料の外観を損な
うと共に、半田付け性や電気接触抵抗を著しく損
なう欠点があつた。従つて、高温環境に晒される
Ag被覆材料では銀層を厚くしなければならず、
これがAg被覆材料のコストアツプの原因となつ
ている。 このようなAg被覆材料ではAg層内にCu等が拡
散するのを防止するため、基材とAg層間にNi又
はNi合金からなる中間層を設けたものが実用化
されている。Ni又はNi合金層はCu等の拡散バリ
ヤーとして作用し、Cu等がAg層の表面に進出す
るのを抑えるため、Ag層の厚さを薄くしてもAg
被覆材料の表面品質の低下は起らず経済的である
とされている。しかしながら、Ni又はNi合金中
間層は、Cu等の拡散を防止するも、Ag層内部へ
の酸素の進入を防止することができず、Ag層を
通して浸入した酸素によりNi又はNi合金中間層
の表面が酸化し、Ni系中間層とAg層との密着性
を低下する欠点があつた。 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、焼鈍処
理、その他の加熱処理又は高温状態での使用のよ
うに、大気中で高温環境に晒されても耐食性、半
田付け性、密着性、電気接触性等を損なうことの
ないAg被覆材料と、その製造方法を開発したも
のである。 即ち、本発明Ag被覆材料はCu系基材上にAg又
はAg合金層を形成したAg被覆材料において、Cu
系基材とAg又はAg合金層間にZn又はZn含有量
が50%以上のZn合金からなる中間層を設けたこ
とを特徴とするものである。 また、本発明Ag被覆材料の製造方法はCu系基
材上にAg又はAg合金層を形成したAg被覆材料
の製造において、Cu系基材にZn又はZn含有量が
50%以上のZn合金を0.01〜3.0μの厚さにメツキし
た後、Ag又はAg合金をメツキすることを特徴と
するものである。 本発明Ag被覆材料はCu又はCu合金或いはCu
又はCu合金を被覆した銅覆鋼材や銅覆Al材を基
材とし、それ等基材上にZn又はZn含有量が50%
以上のZn合金からなる中間層を設け、該中間層
上にAg又はAg合金層を形成したもので中間層に
は純Znの外、Zn含有量が50%以上のZn−Ni、Zn
−Cu、Zn−Sn、Zn−Cd等の合金が用いられ、
Ag又はAg合金層としては純Agの外、Ag−Cu、
Ag−Sb、Ag−Se、Ag−Sn、Ag−In等の合金が
用いられる。しかして中間層の厚さは少なくとも
0.01μ以上、3.0μ以下とすることが望ましく、ま
たAg又はAg合金層の厚さは少なくとも0.1μ以上
とすることが望ましい。 このように本発明Ag被覆材料は中間層にZn又
はZn含有量が50%以上のZn合金を用いたもので、
高温環境に晒されると大気中の酸素がAg又はAg
合金層の内部に拡散浸透してくるが、酸素は中間
層であるZn又はZn合金によつて阻止され、Cu系
基材の酸化が非常に遅くなる。また中間層から
Znの一部が基材とAg又はAg合金層の双方に拡散
し、基材内に拡散したZnは基材構成元素がAg又
はAg合金層へ拡散するのを阻止するため、Ag被
覆材料の外観、耐食性及び半田付け性を損なうこ
とがなく、Ag又はAg合金層内に拡散したZnは、
該層内に均一に分散し、層内への酸素の拡散を著
しく低下させるため、中間層の表面はもとより基
材表面や、その内部も酸化されることがなく、
Ag又はAg合金層の密着性を損なうようなことが
ない。 しかして中間層の厚さを0.01〜3.0μとしたのは
0.01μ未満では上記効果が充分でなく、また3.0μ
を越えてもより大きな効果が期待できず、使用条
件によつては過剰のZnがAg層面に拡散してAgの
外観を損なうようになるため望ましくない。また
中間層を純Zn又はZn含有量が50%以上のZn合金
で形成したのは、Zn含有量が50%未満のZn合金
は上記効果が有効に発揮できず、たとえ発揮でき
たとしても厚い中間層が必要となり、実用上不経
済である。 このような本発明Ag被覆材料は次のようにし
て造られる。即ち、Cu系基材上にクラツド法、
メツキ法等によりZn又はZn合金からなる中間層
と、その上にAg又はAg合金層を形成して造るこ
ともできるが、特に基材を通常の手段により脱
脂、活性化した後、基材上にZn又はZn合金を電
気メツキ又は化学メツキし、その上に連続して
Ag又はAg合金を電気メツキ又は化学メツキする
ことが最適である。 以下、本発明を実施例について説明する。 実施例 1 直径0.6mmの純Cu線を連続的に供給し、これを
巻き取るライン上に下記処理槽を設け、順次通過
させて連続的に処理し、Cu線上に厚さ0.05μのZn
をメツキした後、厚さ1.5μのAgをメツキして本
発明Ag被覆Cu線を製造した。
【表】
【表】 実施例 2 実施例1において(5)のZnメツキ時間を延長し、
Cu線上に厚さ0.5μのZnをメツキした後、厚さ
1.5μのAgをメツキして本発明Ag被覆Cu線を製造
した。 実施例 3 実施例2と同様にして、Cu線上に厚さ1.0μの
Znをメツキした後、厚さ1.5μのAgをメツキして
本発明Ag被覆Cu線を製造した。 実施例 4 実施例1において(5)のZnメツキ槽に代えて、
下記Zn−Ni合金メツキ槽を設け、Cu線上に厚さ
0.1μのZn−Ni合金(Zn含有量約70%)をメツキ
した後、厚さ1.5μのAgをメツキして本発明Ag被
覆Cu線を製造した。 Zn−Ni合金メツキ槽 NiSO4・6H2O 180g/ ZnSO4・7H2O 80g/ H3BO3 30g/ NH4Cl 10g/ 浴温 50% 電流密度 1A/dm2 処理時間 55秒 実施例 5 実施例1において(8)のAgメツキ槽に代えて、
下記Ag−Sb合金メツキ槽を設け、Cu線上に厚さ
0.05μのZnをメツキした後、厚さ1.5μのAg−Sb合
金(Sb含有量約2%)をメツキして本発明Ag被
覆Cu線を製造した。 Ag−Sb合金メツキ槽 AgCN 12g/ KCN 40g/ 酒石酸アンチモニルカリ 25g/ 酒石酸カリウムナトリウム 25g/ 電流密度 4A/dm2 処理時間 40秒 比較例 1 実施例1において(5)のZnメツキ槽におけるZn
メツキ時間を短縮し、Cu線上に厚さ0.005μのZn
をメツキした後、厚さ1.5μのAgをメツキして本
発明Ag被覆Cu線を製造した。 比較例 2 実施例1において(5)のZnメツキ槽におけるZn
メツキ時間を延長し、Cu線上に厚さ4.0μのZnを
メツキした後、厚さ1.5μのAgをメツキして本発
明Ag被覆Cu線を製造した。 比較例 3 実施例1において(5)のZnメツキ槽に代えて、
下記Zn−Cu合金メツキ槽を設け、Cu線に厚さ
0.1μのZn−Cu合金(Zn含有量約30%)即ち黄銅
をメツキした後、厚さ1.5μのAgをメツキして本
発明Ag被覆Cu線を製造した。 Zn−Ni合金メツキ槽 CuCN 30g/ Zn(CN)2 10g/ NaCN 50g/ Na2CO3 30g/ 浴温 30℃ 処理時間 30秒 比較例 4 実施例1において(5)のZnメツキ槽に代えて、
下記の処理槽を設け、Cu線上に厚さ0.5μのNiを
メツキした後、厚さ1.5μのAgをメツキして本発
明Ag被覆Cu線を製造した。 Niメツキ槽 NiSO2 240g/ NiCl2 50g/ H3BO3 30g/ 電流時間 5A/dm2 処理時間 30秒 比較例 5 実施例1において(5)のZnメツキ槽を省略し、
Cu線上に直接厚さ1.5μのAgをメツキしてAg被覆
Cu線を製造した。 比較例 6 比較例5において(8)のメツキ時間を2倍にし、
Cu線上に直接厚さ3.0μのAgをメツキしてAg被覆
Cu線を製造した。 これ等のAg被覆Cu線について、ダイオード組
立工程を模してH2気流中、310℃の温度で15分間
加熱し、次いで大気中、250℃の温度で10時間加
熱し、各加熱処理後に270℃の温度に保持した共
晶ハンダ浴中に5秒間デイプして半田付着量を目
視により比較した。また上記両加熱処理後の線に
ついて、ケージ長さ160mmで80回捻回し、Ag被覆
の剥離状態を比較してAg層の密着性を調べた。
これ等の結果を第1表に示す。
【表】 第1表中H2気流中310℃の温度で15分間加熱は
Siチツプの半田付けに相当し、大気中250℃の温
度で10時間加熱はモールド処理に相当し、それぞ
れダイオード組立時と組立後の半田付けや密着性
を示すもので、第1表から明らかなように、本発
明Ag被覆Cu線は何れもSiチツプの半田付けにお
いて90%以上の半田付け性を示し、ダイオード組
立後の半田付け性とAg被膜の密着性が優れてい
ることが判る。 これに対しZn中間層の厚さを0.005μとした比較
例1及び4.0μとした比較例2、更にZn中間層とし
てZn含有量が30%のZn−Cu合金をメツキした比
較例3のAg被覆Cu線では何れも半田付け性が劣
化しており、特に比較例1及び3のAg被覆Cu線
ではAg被覆の密着性が著しく低下していること
が判る。比較例2ではZn過剰のための黄色への
変色が見られた。 また中間層にNiを用いた比較例4のAg被覆Cu
線では大気中の加熱により、Ni中間層が酸化し、
Ag被膜の密着性が著しく劣化するばかりか、半
田付け性も著しく低下しており、さらに中間層を
用いることなく直接Cu線上にAgを被覆した比較
例5、6においてもCuの酸化によりAg被膜の密
着性及び半田付け性が著しく低下しており、厚さ
3μ程度のAg被覆ではなお不十分であることが判
る。 尚、以上の例は比較的高温の加熱であるが、よ
り低温の加熱では比較例2によるAg被覆Cu線で
もZnがAg層の表面に過剰に拡散することがなく
実用的であり得ることは前記の通りである。また
以上の説明は何れも線材について説明したがこれ
に限るものではなく、板材、条材、型材等につい
ても全く同様の結果が得られるものである。 このように大気中で高温に晒されるAg被覆材
料には少なくとも厚さ5μ以上のAg被覆が必要と
されていたが、本発明によれば、Zn又はZn合金
からなる中間層を設けることにより、薄いAg被
覆ではるかに優れた特性が得られるもので、省
Agの点からも優れており、工業上顕著な効果を
奏するものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Cu系基材上にAg又はAg合金層を形成した
    Ag被覆材料において、Cu系基材とAg又はAg合
    金層間にZn又はZn含有量が50%以上のZn合金か
    らなる中間層を設けたことを特徴とするAg被覆
    Cu系材料。 2 中間層の厚さを0.01〜3.0μとする特許請求の
    範囲第1項記載のAg被覆Cu系材料。 3 Cu系基材上にAg又はAg合金層を形成した
    Ag被覆材料の製造において、Cu系基材上にZn又
    はZn含有量が50%以上のZn合金を0.01〜3.0μの厚
    さにメツキした後、Ag又はAg合金をメツキする
    ことを特徴とするAg被覆Cu系材料の製造方法。
JP5512082A 1982-04-02 1982-04-02 銀被覆材料とその製造方法 Granted JPS58181888A (ja)

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JPS58181888A JPS58181888A (ja) 1983-10-24
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000062341A1 (fr) * 1999-04-08 2000-10-19 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Grille de connexion pour dispositif semi-conducteur

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601853A (ja) * 1983-06-17 1985-01-08 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JPS60201651A (ja) * 1984-03-26 1985-10-12 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JP2009079250A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Dowa Metaltech Kk 最表層として銀合金層が形成された銅または銅合金部材およびその製造方法
JP5879093B2 (ja) * 2011-10-26 2016-03-08 株式会社フジクラ コネクタの製造方法及び銀のめっき方法
JP5767662B2 (ja) * 2013-02-24 2015-08-19 古河電気工業株式会社 端子材とその製造方法およびそれを用いる端子の製造方法
JP7395389B2 (ja) * 2020-03-09 2023-12-11 Dowaメタルテック株式会社 銀めっき材およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000062341A1 (fr) * 1999-04-08 2000-10-19 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Grille de connexion pour dispositif semi-conducteur

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