JPS58181888A - 銀被覆材料とその製造方法 - Google Patents
銀被覆材料とその製造方法Info
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- JPS58181888A JPS58181888A JP5512082A JP5512082A JPS58181888A JP S58181888 A JPS58181888 A JP S58181888A JP 5512082 A JP5512082 A JP 5512082A JP 5512082 A JP5512082 A JP 5512082A JP S58181888 A JPS58181888 A JP S58181888A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐食性、半田付は性が潰れ、これ等の特性が
、ｌ４ｉ−環境Ｉ′−晒されても劣化しない田婁性の潰
れた銀波ｄｉ材料と、その製造方法に関するものである
。
、ｌ４ｉ−環境Ｉ′−晒されても劣化しない田婁性の潰
れた銀波ｄｉ材料と、その製造方法に関するものである
。
一般に基材上Ｌ−Ａｇ又はＡｇ合金を形成したＡｇ被覆
材料は芯材の特性に加えてＡｇ特有の優れた耐食性と半
田付は性を有するため、従来から麺々の用達に用いられ
ている。例えばＣｕ、 Ｆｅ、 Ｎｉ又はその合金線条
材を基材とし、該＆材上に雁さ０Ｅｒ−１０μのＡｇ層
を形成したＡｆｆｉ被榎材料は、基材の機械的強度に加
えてＡｇの優れた耐食性と半田付は性を有Ｔる経済的な
馬性能材料として知られておｔ）、゛４子部品のリード
材や電子＊２１！ｉ円の専′峨体とし℃広く用いらハて
いる。
材料は芯材の特性に加えてＡｇ特有の優れた耐食性と半
田付は性を有するため、従来から麺々の用達に用いられ
ている。例えばＣｕ、 Ｆｅ、 Ｎｉ又はその合金線条
材を基材とし、該＆材上に雁さ０Ｅｒ−１０μのＡｇ層
を形成したＡｆｆｉ被榎材料は、基材の機械的強度に加
えてＡｇの優れた耐食性と半田付は性を有Ｔる経済的な
馬性能材料として知られておｔ）、゛４子部品のリード
材や電子＊２１！ｉ円の専′峨体とし℃広く用いらハて
いる。
このようなＡｇ被覆材料を焼鈍処理などの加熱錫ｍをす
るか、又は高温状態で使用するなど、大気中で、Ａｉ記
環境シニ晒丁と、大気中の酸素がＡｇ層層内部ユニ活発
浸透して基材表Ｉｊｊ′？酸化し、基材とＡｇ層間の密
看性を低下して半田付は強度の低”Ｆを招き、１！気接
続の信頼性を損なう欠点がある。特に基材としてＣｕ又
はＣｕ合金を用いた場合には４材がＡｇ膚内に拡散して
Ａｇ被４ＬＶｉ料の外観を伽なうばかりか、半田付は性
や１［気接触抵抗を著しく損なう欠点があった。従って
、為諷環境に晒され赫１１被覆材料では銀層な厚くしな
ければならＣ１これがＡｇ被覆材料のコストアップの原
因となって１＋％ｂ。
るか、又は高温状態で使用するなど、大気中で、Ａｉ記
環境シニ晒丁と、大気中の酸素がＡｇ層層内部ユニ活発
浸透して基材表Ｉｊｊ′？酸化し、基材とＡｇ層間の密
看性を低下して半田付は強度の低”Ｆを招き、１！気接
続の信頼性を損なう欠点がある。特に基材としてＣｕ又
はＣｕ合金を用いた場合には４材がＡｇ膚内に拡散して
Ａｇ被４ＬＶｉ料の外観を伽なうばかりか、半田付は性
や１［気接触抵抗を著しく損なう欠点があった。従って
、為諷環境に晒され赫１１被覆材料では銀層な厚くしな
ければならＣ１これがＡｇ被覆材料のコストアップの原
因となって１＋％ｂ。
基材５二Ｃｕ父はＣｕ合金を用いたＡｇ被覆材料ではＡ
ｇ層内にＣｕ＠が拡散するのｔ防止するため、基材とＡ
ｇｌｌ１間にＮｉ父はＮｉ合金からなる中１ン５層を設
けたものが実用化されている。Ｎ１又は７ン合金層はＣ
ｕ等の拡散バリヤーとして作用し、Ｃｕ◆がＡｇｊｌｉ
の表（ｉｉｌ二進出Ｔるのを抑えるため、Ａｇｊｌｉの
厚さを薄くしてもλｇ４Ｉ１１ｆＩＬ材料の表面品實の
低ドは起らず経済的であるとされている。しかしながら
、ＮＩ又はＮｉ合金中間層は、 Ｃｕ等の鉱飲を防止す
るも、Ａｇ層内部への酸素の進入を防止することができ
ず、Ａｇ層を通して浸入した＃１素ｌ二よりへム又−か
ｉ合金中間層の表面が酸化し、Ｎム系中＋に盾とＡｇ１
ｍとの密着性を低Ｆする欠点があった。
ｇ層内にＣｕ＠が拡散するのｔ防止するため、基材とＡ
ｇｌｌ１間にＮｉ父はＮｉ合金からなる中１ン５層を設
けたものが実用化されている。Ｎ１又は７ン合金層はＣ
ｕ等の拡散バリヤーとして作用し、Ｃｕ◆がＡｇｊｌｉ
の表（ｉｉｌ二進出Ｔるのを抑えるため、Ａｇｊｌｉの
厚さを薄くしてもλｇ４Ｉ１１ｆＩＬ材料の表面品實の
低ドは起らず経済的であるとされている。しかしながら
、ＮＩ又はＮｉ合金中間層は、 Ｃｕ等の鉱飲を防止す
るも、Ａｇ層内部への酸素の進入を防止することができ
ず、Ａｇ層を通して浸入した＃１素ｌ二よりへム又−か
ｉ合金中間層の表面が酸化し、Ｎム系中＋に盾とＡｇ１
ｍとの密着性を低Ｆする欠点があった。
性、半田付は性、ぞ１性、４１ａ＃触性尋を掘なうこと
のない銀波８１材料と、その製造方法を開発したもので
ある。
のない銀波８１材料と、その製造方法を開発したもので
ある。
卸ち１本発明蝦被覆材料は基材上こＡｇ又はＡｇ合金層
を形成したＡｉｌ！覆財科において、基材とＡｇ父はＡ
ｇ合金層［ＣＺａ父は２ｎ含有量が５０％以上のＺｎ合
金からなる中間層を設けたことを特徴とするものである
。
を形成したＡｉｌ！覆財科において、基材とＡｇ父はＡ
ｇ合金層［ＣＺａ父は２ｎ含有量が５０％以上のＺｎ合
金からなる中間層を設けたことを特徴とするものである
。
また、本発明銀被覆材料の製造方法は基は上に紹又はＭ
合金ｌ１ｌＩｖ形成したＡｇ斂涜財料の製造において、
１＆財上にム又はＺｎ含有１−が５０％以上のＺｎ合金
を０．０１−１０μの厚さにメッキした後、Ｍ又は紹合
会をメッキすることＶ＊徴とするものである。
合金ｌ１ｌＩｖ形成したＡｇ斂涜財料の製造において、
１＆財上にム又はＺｎ含有１−が５０％以上のＺｎ合金
を０．０１−１０μの厚さにメッキした後、Ｍ又は紹合
会をメッキすることＶ＊徴とするものである。
本発明Ａｇ１ｌ榎材料はＣｍＦζＮｉ父はその合金、或
いはＣｍ又はＣｍ合金を被覆した銅覆ｍ財や銅属ムｌ
Ｈｋ＆Ｈとし、これ等４１上に二Ｚｎ又はＺｎ含有量が
５０％以上の２鳳合金からなる中間層を設け。
いはＣｍ又はＣｍ合金を被覆した銅覆ｍ財や銅属ムｌ
Ｈｋ＆Ｈとし、これ等４１上に二Ｚｎ又はＺｎ含有量が
５０％以上の２鳳合金からなる中間層を設け。
該中間層上にムｇ又はλｇ合畿層を形成したもので中間
層には純ムの外、Ｚｎ含有量が５０％以上のＺｎ−Ｎｉ
、 Ｚｍ−Ｃｕ、Ｚｓｓ−８ｍ、 Ｚｎ−Ｃｄ等）合金
力Ｆｔｉ イラれ１．匈又はＡｇ合金層としては純ＡＪ
ｉの外、Ａｇ−Ｃｕ。
層には純ムの外、Ｚｎ含有量が５０％以上のＺｎ−Ｎｉ
、 Ｚｍ−Ｃｕ、Ｚｓｓ−８ｍ、 Ｚｎ−Ｃｄ等）合金
力Ｆｔｉ イラれ１．匈又はＡｇ合金層としては純ＡＪ
ｉの外、Ａｇ−Ｃｕ。
紹−ｓｂ％ＡＨ−８ｅ、 ＡＨ−飄λｇ−Ｉｎ等の合金
が用いられている。しかして中ｔ１１ＩＩＪＩＩｆ）Ｊ
ｌｌさは少なくとも１０１声以上。
が用いられている。しかして中ｔ１１ＩＩＪＩＩｆ）Ｊ
ｌｌさは少なくとも１０１声以上。
３、Ｏｊｌ以下とすることが望ましく、またＡｇ又はＡ
ｇ合金層の厚さは少なくとも０．１声以上とすることが
望ましい。
ｇ合金層の厚さは少なくとも０．１声以上とすることが
望ましい。
このように本発明Ａｘ １１！覆財料は中間層ζ二Ｚｎ
父はＺｎ含有量が５０％以上の加合金を用いたもので、
Ａｌｌ環境シー晒されると大気中のＩＩＭ素がＡＨ叉は
Ａｇ合金層の内部に拡散浸透してくるが、Ｉｓ累は中間
層であるＺｎ又は加合金によって阻止され、基材の酸化
が非常に遅くなる。また中間層から’ｌｒｗ）一部が基
材とＡｇ又はＡｇ合金層の双方に拡散し、基材内に拡散
したＺｎは基材構成元素が１父はＡｇ合金層内へ拡散す
るのを阻止するため、λｇＭ６Ｎ材料の外観、ｌｉ！を
良性及び半田付は性４を損なうことがなく、Ｍ又はＡｇ
合金層内に拡散したｚａは、販−円に均一に分散し、場
内への酸素の拡散を著しく低Ｆさせるため、中間層の表
面はもとより基材表面や、その内部も酸化されることが
なく、Ａｇ又はＡｇ層の密着性を損なうようなことがな
い。
父はＺｎ含有量が５０％以上の加合金を用いたもので、
Ａｌｌ環境シー晒されると大気中のＩＩＭ素がＡＨ叉は
Ａｇ合金層の内部に拡散浸透してくるが、Ｉｓ累は中間
層であるＺｎ又は加合金によって阻止され、基材の酸化
が非常に遅くなる。また中間層から’ｌｒｗ）一部が基
材とＡｇ又はＡｇ合金層の双方に拡散し、基材内に拡散
したＺｎは基材構成元素が１父はＡｇ合金層内へ拡散す
るのを阻止するため、λｇＭ６Ｎ材料の外観、ｌｉ！を
良性及び半田付は性４を損なうことがなく、Ｍ又はＡｇ
合金層内に拡散したｚａは、販−円に均一に分散し、場
内への酸素の拡散を著しく低Ｆさせるため、中間層の表
面はもとより基材表面や、その内部も酸化されることが
なく、Ａｇ又はＡｇ層の密着性を損なうようなことがな
い。
−しかして中間層の厚さｔ−ｏ、ｏｉ〜３ｏ声としたの
は０．０１μ未満では上記効果が充分でなく、またａ、
ｏμ憎えでもより入きな効果が期待できず、使用条件−
によっては過剰のＺｆｉがＡｇ ｙｔａ ｈに拡散して
Ａｇの外観な損なうようじなるため望ましくない。また
中間層を純Ｚｎ又はｈ含有量が５０％以上のＺｎ合金で
形成したのは、Ｚａ含育量が５０％未満の７．ｎ合金で
は上記効果が有効に発揮できず、たとえ発揮できたとし
ても厚い中ｔｍｍが必要とな１１．実用上不経済である
。
は０．０１μ未満では上記効果が充分でなく、またａ、
ｏμ憎えでもより入きな効果が期待できず、使用条件−
によっては過剰のＺｆｉがＡｇ ｙｔａ ｈに拡散して
Ａｇの外観な損なうようじなるため望ましくない。また
中間層を純Ｚｎ又はｈ含有量が５０％以上のＺｎ合金で
形成したのは、Ｚａ含育量が５０％未満の７．ｎ合金で
は上記効果が有効に発揮できず、たとえ発揮できたとし
ても厚い中ｔｍｍが必要とな１１．実用上不経済である
。
このような本発明Ａｇ被覆材料は次のようにして造られ
る。抑ち、基材上にクラッド法、メッキ法等≦＝よ１１
７．ｎ又はＺｎ合金からなる中間層と、その上に、匂又
は１合１ＩｔＪｌを形成して造ることもできるが、特に
基材を通常の手段により脱脂、活性化した債、基材上に
Ｚｍ父は７．ｏ合＊ｔ／鑞気メッキ又は化学メッキし、
その上６二連続してＡｇ又はＡｇ合金ｔ−電気メッキ又
は化学メッキすることが最適である。
る。抑ち、基材上にクラッド法、メッキ法等≦＝よ１１
７．ｎ又はＺｎ合金からなる中間層と、その上に、匂又
は１合１ＩｔＪｌを形成して造ることもできるが、特に
基材を通常の手段により脱脂、活性化した債、基材上に
Ｚｍ父は７．ｏ合＊ｔ／鑞気メッキ又は化学メッキし、
その上６二連続してＡｇ又はＡｇ合金ｔ−電気メッキ又
は化学メッキすることが最適である。
以丁、本発明を実施例について説明する。
実施例（１ン
直径０．６謳の純Ｃｍ線を通続的に供給し、これを巻き
取るライン上に下記処理槽を設け、順次通過させて連続
的に処理し、Ｃｍ纏上Ｃ二厚さＯＤ５声のＺｎをメッキ
した後、犀さ１．ｓ声のｂｖメッキして本発明Ａｇ被ａ
ｌｃｕｉｌｔ−製造した。
取るライン上に下記処理槽を設け、順次通過させて連続
的に処理し、Ｃｍ纏上Ｃ二厚さＯＤ５声のＺｎをメッキ
した後、犀さ１．ｓ声のｂｖメッキして本発明Ａｇ被ａ
ｌｃｕｉｌｔ−製造した。
（１）カソード脱脂槽 ＮａＯＨ２０９／１電魔密
Ｉｆ ＩＱＶｄｍ寓 処理時間 ｉｏ秒 （２）水洗槽 林 処理時１１５５秒 （３）Ｍ洗槽 ＨＩ３０４ １００＃／７処通時ｌ
ｌｌ５秒 （４）水 洗槽 清水 処理時間 ５秒 （５１Ｚｆｌ ｊ ’ｊ＋槽 ＺｕＣＮ
６０１／ＩＮａＣＨ４０１／Ｉ Ｎａｐ！（ＢｏＶｌ ｉＥ流密Ｉｆ ＩＡ／ａｍ宜 処理時間 ２０秒 （６）水洗槽 清水 処理時間 ５秒 （７）ムｇストライクツツキ槽 ＡｇＣＮ ３
１／ＩＫ ＣＮ ４０１１／１ 電流密度 １０Ａ／ｄｍ！ ％Ｊ！！１時間 ３秒 （８）Ａｇメッキ槽 ＡｇＣＮ ５０１／Ｉ
ＫＣＮ １００Ｎ／ｊ 電流密１１” ３Ａ／ｄｍ” 処理時間 ５５秒 （謝水洗槽 清水 処理時間 １０秒゛ αＱ乾燥 実施例（り 実施例（１）において（５１のＺａメッキ時間を廷長し
、Ｃｕ線上孟二厚さα５戸のムをメッキした後、厚さ１
５声のＡｌｔメブキして本発明Ａｇ披潰Ｃｕ線を！１造
しも実施例＜３１ 実施例（りと同様こして、Ｃｕ線上に厚さ１．０声の７
、ｙａをメッキした後、厚さ１．５声のＡｇをメッキし
て本発明ムｇ被覆Ｃｕ線を製造した。
Ｉｆ ＩＱＶｄｍ寓 処理時間 ｉｏ秒 （２）水洗槽 林 処理時１１５５秒 （３）Ｍ洗槽 ＨＩ３０４ １００＃／７処通時ｌ
ｌｌ５秒 （４）水 洗槽 清水 処理時間 ５秒 （５１Ｚｆｌ ｊ ’ｊ＋槽 ＺｕＣＮ
６０１／ＩＮａＣＨ４０１／Ｉ Ｎａｐ！（ＢｏＶｌ ｉＥ流密Ｉｆ ＩＡ／ａｍ宜 処理時間 ２０秒 （６）水洗槽 清水 処理時間 ５秒 （７）ムｇストライクツツキ槽 ＡｇＣＮ ３
１／ＩＫ ＣＮ ４０１１／１ 電流密度 １０Ａ／ｄｍ！ ％Ｊ！！１時間 ３秒 （８）Ａｇメッキ槽 ＡｇＣＮ ５０１／Ｉ
ＫＣＮ １００Ｎ／ｊ 電流密１１” ３Ａ／ｄｍ” 処理時間 ５５秒 （謝水洗槽 清水 処理時間 １０秒゛ αＱ乾燥 実施例（り 実施例（１）において（５１のＺａメッキ時間を廷長し
、Ｃｕ線上孟二厚さα５戸のムをメッキした後、厚さ１
５声のＡｌｔメブキして本発明Ａｇ披潰Ｃｕ線を！１造
しも実施例＜３１ 実施例（りと同様こして、Ｃｕ線上に厚さ１．０声の７
、ｙａをメッキした後、厚さ１．５声のＡｇをメッキし
て本発明ムｇ被覆Ｃｕ線を製造した。
実施４１１＋（転）
実施例（１１において（５）のＺＫＩメッキ槽に代えて
、ド記Ｚｎ−Ｎｉ合金メッキ槽を設け、Ｃｕ線上に厚さ
０．１声のＺｎ−Ｎ４合１ｉｔ（Ｚｎｎ含有的約７０％
をメッキした後。
、ド記Ｚｎ−Ｎｉ合金メッキ槽を設け、Ｃｕ線上に厚さ
０．１声のＺｎ−Ｎ４合１ｉｔ（Ｚｎｎ含有的約７０％
をメッキした後。
厚さ１．５声のＡｇをメッキして本発明ＡｇＭ覆Ｃｕ線
を製造した。
を製造した。
Ｚａ−Ｎｉ合金メッキ槽 Ｎゑ８０４−６Ｈ，０１８
ＯＮ／ｊＺｎ８０．・７Ｈ，０８０９／１ 為Ｂ０． ３０１／ｌ Ｎ１（４Ｃ１１０１／１ 浴１ｍ ５０”Ｃ 電流密＃ｆｌＡ／ｄｆｎ１ 処理時ｉ１ ３０秒 実施例（５） 実施Ｎ（１１において（８）のＡｇメッキ槽に代えて、
Ｆ記のＡｇ −８ｂ合金メッキ槽を設け、 Ｃｕ線上に
厚さ０．０５声のムをメッキした後、厚さ１．５μのＡ
ｇ−８ｂ合金（８ｂ含有量約２％）をメッキして本発明
Ａｇ舎金被覆Ｃｕ線４／１１遺した。
ＯＮ／ｊＺｎ８０．・７Ｈ，０８０９／１ 為Ｂ０． ３０１／ｌ Ｎ１（４Ｃ１１０１／１ 浴１ｍ ５０”Ｃ 電流密＃ｆｌＡ／ｄｆｎ１ 処理時ｉ１ ３０秒 実施例（５） 実施Ｎ（１１において（８）のＡｇメッキ槽に代えて、
Ｆ記のＡｇ −８ｂ合金メッキ槽を設け、 Ｃｕ線上に
厚さ０．０５声のムをメッキした後、厚さ１．５μのＡ
ｇ−８ｂ合金（８ｂ含有量約２％）をメッキして本発明
Ａｇ舎金被覆Ｃｕ線４／１１遺した。
Ａｇ−８ｂ合金メッキ４ｆ ＡｚＣＮ １２１／
ＩＫ ＣＮ ４０１／１ 酒石酸アンチモニルカリ ２５１／ｌ１酒石酸カツウ
ムナトリウム ２’ｄ／１１ＥｔＩＬ密度
４Ａ／ｄｍ”処理時間 ４０秒 比較例（ｌ 実施ＩＩＩ ｆｉｌこおいて間のＺａメッキ槽り二おけ
るＺｎメッキ１１則を短縮し、Ｃ種線上に厚さα００５
μのｚｎなメッキしたＩｌ、厚さ１．５声のＡｇ？メ゛
ツキしてＡｇ被覆Ｃｌ１ｌｌＶＩｌｌｔした。
ＩＫ ＣＮ ４０１／１ 酒石酸アンチモニルカリ ２５１／ｌ１酒石酸カツウ
ムナトリウム ２’ｄ／１１ＥｔＩＬ密度
４Ａ／ｄｍ”処理時間 ４０秒 比較例（ｌ 実施ＩＩＩ ｆｉｌこおいて間のＺａメッキ槽り二おけ
るＺｎメッキ１１則を短縮し、Ｃ種線上に厚さα００５
μのｚｎなメッキしたＩｌ、厚さ１．５声のＡｇ？メ゛
ツキしてＡｇ被覆Ｃｌ１ｌｌＶＩｌｌｔした。
比較例（り
実施例ｔｌ）におい１問のＺｎメッキ槽≦二おけるＺｎ
メッキ時間を延長し、ＣＩＩＩ線上（二厚さ４．０声の
Ｚｎをメッキした後、厚さＬＪ声のムｇ４−メッキして
Ａｇ被ｒｕ線をｌ１ｊｌした。
メッキ時間を延長し、ＣＩＩＩ線上（二厚さ４．０声の
Ｚｎをメッキした後、厚さＬＪ声のムｇ４−メッキして
Ａｇ被ｒｕ線をｌ１ｊｌした。
比較例（３１
実施例（１１において（四の２膳メッキ槽Ｃ二代えて下
記ｔｎＺｎ−Ｃｕ合金／ｆｆキ槽ｔｌ−設け、Ｃｕ１Ｉ
ＩＡ上に犀さ０．１μのＺｌｌシー舎金合金ＩＩＩｌ含
有量約３０％）即ち黄銅をメッキした後、厚さＬｓ声の
Ａｇをメッキしてλｇ被覆Ｃｕ線ｔ−製造した。
記ｔｎＺｎ−Ｃｕ合金／ｆｆキ槽ｔｌ−設け、Ｃｕ１Ｉ
ＩＡ上に犀さ０．１μのＺｌｌシー舎金合金ＩＩＩｌ含
有量約３０％）即ち黄銅をメッキした後、厚さＬｓ声の
Ａｇをメッキしてλｇ被覆Ｃｕ線ｔ−製造した。
Ｚｎ−Ｃｕ合金メフキ槽 Ｃｕ ＣＮ ３０１／
ＩＺｎ（ＣＮ）、 ｌＯｇ／ｌ ＮａＣＮ ５０１／Ｉ Ｎａ、Ｃ０，３０１１／１ 浴温 ３０１／１ 処理時間 ３０秒 比較例（４） 実施例＋１１において（５）のＺｎメッキ槽に代えてＦ
記の処理楕を設け、ＣＭ線上に厚さく１５μのへｉｖメ
ッキした後、厚さ１．５μのＡｇをメッキしてＡｇ彼櫨
Ｃｕ線を！ｇ１！遺した。
ＩＺｎ（ＣＮ）、 ｌＯｇ／ｌ ＮａＣＮ ５０１／Ｉ Ｎａ、Ｃ０，３０１１／１ 浴温 ３０１／１ 処理時間 ３０秒 比較例（４） 実施例＋１１において（５）のＺｎメッキ槽に代えてＦ
記の処理楕を設け、ＣＭ線上に厚さく１５μのへｉｖメ
ッキした後、厚さ１．５μのＡｇをメッキしてＡｇ彼櫨
Ｃｕ線を！ｇ１！遺した。
Ｎｉ ） ッ＊ 槽Ｎｉ ８０． ２＋０１／ｌＮ１
Ｃｊ、 ５０１ｉ／／１ に４ ｓ ＢＯｓ ３０ ＆／ｊ１［ｆｌ’ｍ
Ｋ ５ Ａ／ｄ ｍ ！Ｉｉ＆！通時１′＆１３
０秒 比較例（５） 実施例（１１において（５）のＺｎメッキ槽を省略し
Ｃ。
Ｃｊ、 ５０１ｉ／／１ に４ ｓ ＢＯｓ ３０ ＆／ｊ１［ｆｌ’ｍ
Ｋ ５ Ａ／ｄ ｍ ！Ｉｉ＆！通時１′＆１３
０秒 比較例（５） 実施例（１１において（５）のＺｎメッキ槽を省略し
Ｃ。
線上に直接厚さ１．５声のＡｇ ＶメッキしてＡｇ被榎
Ｃｕ線を製造した。
Ｃｕ線を製造した。
比較例（Ｑ
比較例（５）において（８）のメッキ時間を約２倍にし
、Ｃｍ線上ｔ−直播厚さ１０μのＡｇをメッキしてＡｇ
被覆ＣＩＩ線を製造した。
、Ｃｍ線上ｔ−直播厚さ１０μのＡｇをメッキしてＡｇ
被覆ＣＩＩ線を製造した。
これ等の各ムｇｌ［ｆｆ１ｃｌＩ４＠ｌについて、ダイ
オード組立工程を模してル気流中、３１０℃のｍ度で１
５分間加熱し、次いで大気中、２５０℃の！！イで１０
時間加熱し、各加熱逃場後に２７０“Ｃの温度（二保持
した共晶へンダ浴中に５秒間ディプして半田付ＷＩｔ−
目視により比較した。また上記両加熱処理後の線につい
て、クール長さ１６υ腸で８０回捻回し、Ａｇ被膜の剥
離状ｓｖ比較してλｇ層の＃ｇ肴性を調べた。これ等の
結果′４ｆｌ１表に示す。
オード組立工程を模してル気流中、３１０℃のｍ度で１
５分間加熱し、次いで大気中、２５０℃の！！イで１０
時間加熱し、各加熱逃場後に２７０“Ｃの温度（二保持
した共晶へンダ浴中に５秒間ディプして半田付ＷＩｔ−
目視により比較した。また上記両加熱処理後の線につい
て、クール長さ１６υ腸で８０回捻回し、Ａｇ被膜の剥
離状ｓｖ比較してλｇ層の＃ｇ肴性を調べた。これ等の
結果′４ｆｌ１表に示す。
１％１表中山気流中１１０℃の温度で１５分間加熱は８
４ ｆツブの半田付けに相当し、大気中２５０℃の温度
で１０時間加熱はモールド処理に相当し、それぞれダイ
オード組立時と組立後の半田付は性や密着性を示Ｔもの
で、４１表から明らかなようＣ二、本発明Ａｇｌ覆Ｃｕ
線は何れもＳｉチップの半田付けにおいて９０％嵐上の
半田付は性を示し、ダイオード組立後の半田付は性とＡ
ｇ被膜の密＃制；優れていることが判る。
４ ｆツブの半田付けに相当し、大気中２５０℃の温度
で１０時間加熱はモールド処理に相当し、それぞれダイ
オード組立時と組立後の半田付は性や密着性を示Ｔもの
で、４１表から明らかなようＣ二、本発明Ａｇｌ覆Ｃｕ
線は何れもＳｉチップの半田付けにおいて９０％嵐上の
半田付は性を示し、ダイオード組立後の半田付は性とＡ
ｇ被膜の密＃制；優れていることが判る。
これに対しＺｎ中間層の厚さを０．００５μとした比較
例（１）及び４．０μとした比較例（２）、更にＺｎ中
間層として７．ｎ含有量が３０％のＺｎ−Ｃｕ合金をメ
ッキした比較例（３）のＡｇ被覆Ｃｕ＠では何れも半田
付は性が劣化しており、特に比較例（１）及び（３）の
Ａｇ４Ｂｔ榎ｌ線ではムｇｉｉ６［の密着性が着しく低
ドしていることが判る。比較例（２１で嬬ｚｎ過嵐のた
め黄色への変色が見られた。
例（１）及び４．０μとした比較例（２）、更にＺｎ中
間層として７．ｎ含有量が３０％のＺｎ−Ｃｕ合金をメ
ッキした比較例（３）のＡｇ被覆Ｃｕ＠では何れも半田
付は性が劣化しており、特に比較例（１）及び（３）の
Ａｇ４Ｂｔ榎ｌ線ではムｇｉｉ６［の密着性が着しく低
ドしていることが判る。比較例（２１で嬬ｚｎ過嵐のた
め黄色への変色が見られた。
また中間層にＮｉを用いた比較例（４）のλｇＭ！覆Ｃ
ｕ線では大気中の加１１＆（二より、ＮＩ中闇層が酸化
し、Ａｇ被膜の密着が著しく劣化するばかりか、半田付
は性も著しく低Ｆしており、史≦二中間層を用いること
なくＩＩ接Ｃｕ線上にＡｇ ４／被覆した比較例（５Ｌ
（６）においてもＣｕの酸化によりＡｇ？ｊＩ膜の密着
性反び半田付は性が著しく低下してお舎１．厚さ３声程
度のＡｇＨ覆ではなお不充分であることが判る。
ｕ線では大気中の加１１＆（二より、ＮＩ中闇層が酸化
し、Ａｇ被膜の密着が著しく劣化するばかりか、半田付
は性も著しく低Ｆしており、史≦二中間層を用いること
なくＩＩ接Ｃｕ線上にＡｇ ４／被覆した比較例（５Ｌ
（６）においてもＣｕの酸化によりＡｇ？ｊＩ膜の密着
性反び半田付は性が著しく低下してお舎１．厚さ３声程
度のＡｇＨ覆ではなお不充分であることが判る。
尚、以上の例は比較的ｌ＆温の加熱であるが、より低温
の加熱では比較例（２）によるＡｇ被覆Ｃｕ線でもＺｓ
がムｇ鳩の表面に過剰に拡散Ｔることがなく実用的であ
り得ることは前記の通りである。また以上の説明は何れ
も＠Ｍｌ二ついて説明したがこれに限るものではなく、
板材１条蒋、ｔｊ：！材寺についても全く同様の結果が
得られるものである。
の加熱では比較例（２）によるＡｇ被覆Ｃｕ線でもＺｓ
がムｇ鳩の表面に過剰に拡散Ｔることがなく実用的であ
り得ることは前記の通りである。また以上の説明は何れ
も＠Ｍｌ二ついて説明したがこれに限るものではなく、
板材１条蒋、ｔｊ：！材寺についても全く同様の結果が
得られるものである。
このように大気中でｉ１％潟に晒されるＡｇ＊ｆｆ１ｌ
Ｎには少なくとも厚さ５声以上のＡｇｅ覆が必要とされ
ていたが、本発明によれば、ｚｎ又はＺｏ合被からなる
中間層を設けることｌ二より、薄いλｇ被被覆はるかに
優れた特性が得られるもので、雀Ａｇの点からも優れて
おり、工業上顕著な効果を奏するものである。
Ｎには少なくとも厚さ５声以上のＡｇｅ覆が必要とされ
ていたが、本発明によれば、ｚｎ又はＺｏ合被からなる
中間層を設けることｌ二より、薄いλｇ被被覆はるかに
優れた特性が得られるもので、雀Ａｇの点からも優れて
おり、工業上顕著な効果を奏するものである。
４９１−
Claims (2)
- （１）基材上ニＡｇ父）１ｉｇ合金ｍｖ形成ｔ、、りＡ
ｇｍ覆材料において、基材とＡｇ父はＡｇ合金層間にＺ
ｎ父）ＩＺｎ含有社が５０％比上のＺｎ合象からなる中
間層を設けたことを特徴とする銀被覆材料。 - （２）中間層の厚さ’＆０．０１〜３．０μとＴる特許
請求の範囲第１項記載の銀被覆材料。 （３１基材上ｉ二Ａｇ又はＡｇ合金層を形成したＡｇ被
覆材料の製造において基材上にＺｎ又はＺｎ含有盪が５
０％以上のＺｎ合逮を０．０１〜３．０μの厚さにメッ
キした後Ａｇ父はＡｇ合金メッキをメッキＴることな特
徴とてる銀被覆材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5512082A JPS58181888A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 銀被覆材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5512082A JPS58181888A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 銀被覆材料とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181888A true JPS58181888A (ja) | 1983-10-24 |
| JPH0241591B2 JPH0241591B2 (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=12989891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5512082A Granted JPS58181888A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 銀被覆材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181888A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601853A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-08 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPS60201651A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
| JP2009079250A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Dowa Metaltech Kk | 最表層として銀合金層が形成された銅または銅合金部材およびその製造方法 |
| JP2013093228A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Fujikura Ltd | コネクタ及びその製造方法並びに銀のめっき方法 |
| JP2014164970A (ja) * | 2013-02-24 | 2014-09-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 端子、端子材とその製造方法およびそれを用いる端子の製造方法 |
| WO2021181901A1 (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP5512082A patent/JPS58181888A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601853A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-08 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPH0519820B2 (ja) * | 1983-06-17 | 1993-03-17 | Hitachi Densen Kk | |
| JPS60201651A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPH0512858B2 (ja) * | 1984-03-26 | 1993-02-19 | Hitachi Densen Kk | |
| US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
| JP2009079250A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Dowa Metaltech Kk | 最表層として銀合金層が形成された銅または銅合金部材およびその製造方法 |
| JP2013093228A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Fujikura Ltd | コネクタ及びその製造方法並びに銀のめっき方法 |
| JP2014164970A (ja) * | 2013-02-24 | 2014-09-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 端子、端子材とその製造方法およびそれを用いる端子の製造方法 |
| WO2021181901A1 (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
| EP4083271A4 (en) * | 2020-03-09 | 2024-01-17 | Dowa Metaltech Co Ltd | SILVER PLATED MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241591B2 (ja) | 1990-09-18 |
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