JPS6150160B2 - - Google Patents
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Description
本発明は銀被覆導体とその製造方法に関するも
ので、特に各種耐久性及び耐熱性が優れ、かつ経
済的な銀被覆導体を提供するものである。 一般に導電性基体、例えばCu，Ni，Fe又はそ
の合金からなる線、棒、条、板等の表面上にAg
又はAg合金を被覆したものは、基体の特性とAg
又はAg合金の優れた導電性、耐食性及び接続性
（半田付け性、電気接触性）を有するため、電
気、電子機器の導電部材として多用されている。
しかしながら高価なAgを使用するところからAg
又はAg合金の被覆厚さを可及的に薄くすること
が望まれている。 一方Agは基体金属又はその成分、例えばCu・
Zn等の金属と拡散反応し易く、長期間の使用又
は高温環境によつてAg又はAg合金層（以下Ag層
と略記）が消耗する。これを防止するため従来基
体とAg層間にNiを中間層として介在させてい
る。NiはAgと拡散反応しないため基体とAg層の
拡散を有効に防止するが、半田付け性を著しく阻
害する欠点があつた。例えば含酸素雰囲気中200
℃以上の高温では、Ag層を透過する酸素により
Ni表面が酸化し、甚だしい場合にはAg層が剥離
し、また剥離しないで外観が健全な場合でも半田
付け工程において接続不良を起す。即ちAgは半
田浴に極めて溶解し易く、通常の半田付けが厚さ
５μ程度が溶出し、酸化したNi表面が露出する
と半田浴との濡れ不良を起す。 銀被覆導体は絶縁被覆や接続した電子部品の封
止、エージング、熱処理、ボンデイング等におい
て、上記酸化が不可避的に起り、Ni中間層を設
けてもAg層を薄くする節約効果が制限されてい
る。 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、Ni中間
層に代えて、Ni，Coの少なくとも１種とPdとの
合金を中間層とすることにより、基体とAg層の
拡散反応を有効に阻止し、高温でAg層を透過す
る酸素によつて酸化し難いことを知見し、耐久性
及び耐熱性が優れ、Ag層を薄くしても高い性能
を維持できる銀被覆導体とその製造方法を開発し
たものである。 即ち本発明導体は、導電性基体上にAg又はAg
合金を被覆した導体において、基体とAg又はAg
合金層との間にNi，Coの少なくとも１種とPdと
の合金からなる中間層を設けたことを特徴とする
ものである。 また本発明製造方法は導電性基体上にNi，Co
の少なくとも１種とPdとの合金を電気メツキ
し、該合金層上にAg又はAg合金を電気メツキす
ることを特徴とするものである。 本発明は上記の如く基体とAg層間にNi，Coの
少なくとも１種とPdとの合金からなる中間層を
設けたもので基体としてはCu，黄銅、リン青
銅、Cu―Ti合金等のCu合金、Al，Fe，Ni，
Zn，Sn又はその合金からなる線、棒、条、板等
で通常電子部品の端子、リードフレーム、バネ接
点、コネクター更にはケーブル状導体として使用
されるものであり、Ni，Coの少なくとも１種と
Pdとの合金からなる中間層は基体とAg層の拡散
を防止すると同時に中間層自身も基体及びAg層
と拡散反応し難いものである。更に該中間層は高
温で起る透過酸素や低温に長期間放置した場合の
ピンホール等を通る酸素によつて酸化され難いた
め、半田付け性を劣化することがない。更に後述
するNi，Coの少なくとも１種とPdとの合金の特
性から、接点などとして使用した場合も、摩耗劣
化や触媒劣化を起し難く、また加工性にも優れる
ので割れなどの欠陥ともなり難い。 Pd単体を中間層としても上記効果をある程度
達成することができるが、Ni，Coと合金化する
ことにより、その配合比に応じてPdとNi，Coの
特性を共有し、両者の特性を発揮することができ
る。Ni，CoはPdより耐食性、耐酸化性に劣る
が、他方、Agと固相反応しない特徴を有するの
で、該合金はPdより安価なばかりか、Agとの反
応性においてもより不活性である。更に硬さと加
工性とを兼有して機械的特性に優れ、かつ水素吸
収が少ないので酸化や触媒的接触障害を起し難
い。従つて、合金の効果は使用条件によつても異
なるがPd90〜30％の合金において実用的であ
り、中間層としての厚さは0.01〜５μ程度が一般
的である。また中間層上のAg層としてはAg又は
Ag―Cu，Ag―In，Ag―Sn，Ag―Sb等のAg合
金を用い、使用目的に応じて被覆厚さを選定す
る。通常は0.1〜10μ，多くは0.5〜３μである。 本発明導体は基体上に機械的クラツド法、真空
蒸着法によりPd合金中間層、Ag層を順次被覆す
ることによつも製造することができるが下記のよ
うにして製造することが最も経済的である。 即ち基体上にPd合金を電気メツキし、その上
にAg又はAg合金を電気メツキする。Pd合金は有
機アミン錯塩浴を用いて電気メツキにより所望の
組成の合金を容易にメツキすることができる。し
かも電気メツキによれば機械的クラツドの場合の
ように余分な拡散や外傷を生ずるようなことはな
い。Pd合金の電気メツキには、常法に従つて基
体表面を脱脂、活性化してから有機アミン錯塩浴
を用いて基体上にPd合金メツキを行ない、次い
でその上にシアン浴、チオシアン浴、ピロリン酸
浴等を用いてAg又はAg合金メツキすればよい。 以下本発明を実施例について詳細に説明する。 実施例 (1) ダイオード用リード線としてAgメツキCu線
（直径0.75mm）を製造した。ダイオード用リード
線はSiチツプの半田付け（水素中350℃，30分）
と封止樹脂キユアー（大気中220℃，24時間）が
行なわれ、その後もリード線として半田付け性が
要求されるものである。 先ずCu線を常法により電解脱脂したから酸洗
し、下記浴を用いて厚さ0.2μのPd―47％Ni合金
メツキ、Agストライクメツキ、厚さ1.5μのAgメ
ツキを順次行なつた。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―50浴 Pd 10ｇ／ Ni 10ｇ／ PH 7.5 電流密度 1.5A／ｄm2 浴 温 30℃ Agストライクメツキ AgCN ３ｇ／ KCN 30ｇ／ 電流密度 5A／ｄm2 浴 温 20℃ Agメツキ AgCN 50ｇ／ KCN 50ｇ／ K2CO3 10ｇ／ 電流密度 1.8A／ｄm2 浴 温 20℃ 実施例 (2) 実施例(1)において、Pd―Ni合金メツキに下記
浴を用いて厚さ0.2μのPd―66％Ni合金メツキを
行ない、以後同様にして厚さ1.5μのAgメツキを
行なつた。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―50浴 Pd 10ｇ／ Ni 16ｇ／ PH 7.7 電流密度 1.2A／ｄm2 浴 温 30℃ 実施例 (3) 実施例(1)において、Pd―Ni合金メツキに下記
浴を用いて厚さ0.2μのPd―25％Ni合金メツキを
行ない、以後同様にして厚さ1.5μのAgメツキを
行なつた。 日進化成（株）製PNP―80浴 Pd 18ｇ／ Ni 11ｇ／ PH 8.9％ 電流密度 1.0A／ｄm2 浴 温 25℃ 比較例 (1) 実施例(1)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用い、厚さ0.2μのNiメツキを行な
い、以後同様にして厚さ1.5μのAgメツキを行な
つた。 Niメツキ Ni〔SO2（NH2）2〕2 400ｇ／ NiCl2 15ｇ／ PH 3.0 電流密度 7.5A／ｄm2 浴 温 50℃ このようにして製造した各リード線について、
水素中350℃の温度に30分間加熱した後、大気中
220℃の温度に24時間加熱し、これをMIL試験法
に従つて、温度235℃の共晶半田浴中に５秒間浸
漬し、半田による濡れ面積を求めた。その結果を
第１表に示す。 第 １ 表 リード線 濡れ面積（％） 実施例(1) 96 〃 (2) 96 〃 (3) 92 比較例(1) ＜20 第１表から明らかなように従来のNi中間層を
設けた導体〔比較例(1)〕では上記加熱処理により
半田付け性の劣化が著しいのに対し、Pd―Ni合
金からなる中間層を設けた本発明導体〔実施例
(1)，(2)，(3)〕は何れも半田付け性の劣化が極めて
わずかであることが判る。 尚比較例(1)において、Agメツキの厚さを厚く
し、上記加熱処理後の半田濡れ面積が90％以上と
する厚さを求めたところ、3.5μ以上のAgメツキ
厚さが必要であつた。また実施例(1)においてPd
―Ni合金メツキを省略し、Cu線上に直接Agメツ
キを行なつたものは、水素中350℃の温度で30分
間の加熱処理により、外観がCu色を呈した。ま
たAgメツキ厚さを厚くして上記加熱処理後の半
田濡れ面積が90％以上となる厚さを求めたとこ
ろ、5.5μ以上のAgメツキ厚さが必要であつた。 実施例 (4) ダイオードリードフレームとしてAgメツキ黄
銅条（厚さ0.5mm）を製造した。ダイオードリー
ドフレームはSiチツプを半田付け（水素中400
℃，10分）後、樹脂モールド（大気中220℃，24
時間）が行なわれ、完成品としての半田付け性を
保証するためエージング（80℃，1000時間）後の
半田付け性が求められている。 黄銅条（Zn35％）を常法により電解脱脂後、
酸洗してから下記浴を用いて厚さ0.5μのPd―67
％Ni合金メツキし、その上に実施例(1)と同様に
して厚さ2.0μのAgメツキを行なつた。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―50 Pd ８ｇ／ Ni 14ｇ／ PH 7.9 浴 温 20℃ 電流密度 1.0A／ｄm2 実施例 (5) 実施例(4)に於いて、Pd―Ni合金メツキに代え
て、下記浴を用いて厚さ0.3μのPd―20％Co合金
をメツキした。 Pd―Co合金メツキ PdCl2 22ｇ―Pd／ CoCl2 30 〃 NH4Cl 30 NaNO2 ５ PH 8.5（NH4OHで調整） 電流密度 1A／ｄm2 比較例 (2) 実施例(4)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用い、厚さ0.17μのPdメツキ（厚さ
0.17μのPdメツキは厚さ0.5μのPd―Ni合金メツ
キと経済的に等価の厚さ）を行ない、以後同様に
して厚さ0.2μのAgメツキを行なつた。 Pdメツキ Pd（Ｐ塩） 10ｇ／ NH4SO2（NH2）2 100ｇ／ PH 7.8 浴 温 30℃ 電流密度 0.6A／ｄm2 比較例 (3) 実施例(4)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用い、厚さ１μのNiメツキを行な
い、以後同様にして厚さ2.0μのAgメツキを行な
つた。 Niメツキ NiSO4 330ｇ／ NiCl2 45ｇ／ H3BO3 30ｇ／ PH 2.5 浴 温 45℃ 電流密度 2.5A／ｄm2 比較例 (4) 実施例(4)において、Pd―Ni合金メツキを省略
し、黄銅条に直接Agメツキを行なつた。 このようにして製造したダイオードリードフレ
ームについて、水素中400℃の温度で10分間加熱
し、次に大気中220℃の温度で24時間加熱した後
80℃の温度で1000時間のエージングを行なつて、
MIL試験法に従つて温度235℃の共晶半田浴中に
５秒間浸漬し、半田による濡れ面積を求めた。そ
の結果を第２表に示す。 第 ２ 表 リードフレーム 濡れ面積（％） 実施例 (4) 97 〃 (5) 94 比較例 (2) 75 〃 (3) 25 〃 (4) ＜20 第２表から明らかなように本発明リードフレー
ム〔実施例(4)，(5)〕は何れも半田付け性の劣化が
ほとんど認められないのに対し、Pdを中間層と
して用いた比較例(2)は75％，その厚さを0.5μと
しても82％であり、PdとAgの拡散反応とPdメツ
キの脆性によるものと考えられる。即ちPdは水
素吸収性の高い金属として知られており、メツキ
時に吸収した水素を加熱時に放出してマイクロク
ラツクを形成するものと考えられる。またNiを
中間層として用いた比較例(3)は25％であり、Ag
層を透過する酸素及びAg層のピンホールを通し
てNi面が酸化したためと考えられる。更に黄銅
条上に直接Agをメツキした比較例(4)では20％以
下であり、オージエ分光法により表面を検査した
ところ、表面に多量のZn酸化物が集積している
のが認められた。 実施例 (6) Fe―42％Ni合金系にAgメツキを施してICリー
ドフレーム部材を製造した。AgメツキはICチツ
プの半田付け性を向上させるためである。合金条
を常法により電解脱脂した後塩酸処理してから、
下記メツキ浴を用いて厚さ0.3μのPd―20％Ni合
金メツキし、その上に実施例(1)と同様にしてAg
ストライクメツキと厚さ1.0μのAgメツキを行な
つてフレーム部材を製造した。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―80 Pd 20ｇ／ Ni 10ｇ／ PH 9.1 浴 温 30℃ 電流密度 1A／ｄm2 比較例 (5) 実施例(6)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用いて、Niストライクメツキした
後、同様にしてAgメツキを行なつた。 Niストライクメツキ NiCl2 100ｇ／ HCl 100ｇ／ 浴 温 25℃ 電流密度 10A／ｄm2 両フレーム材について大気中475℃の温度で５
分間加熱処理した後、表面を20倍で拡大観察した
が、両フレーム材とも膨れが認められなかつた
が、前記MIL法で半田塗れ面積を求めたところ、
実施例(6)のフレーム材では92％であるのに対し、
比較例(5)のフレーム材では約50％であつた。 実施例 (7) キーボードスラツチ用接点の製造に於いて、リ
ン青銅板（厚さ0.08mm，Sn＝8.0％）に、実施例
(6)と同様にしてPd―20％Ni合金を0.25μメツキ
してから厚さ0.5μのAgをメツキした。 比較例 (6) 実施例(7)に於いて、Pd―20％Ni合金メツキに
代えて厚さ0.25μのNiをメツキした。 スルフアミン酸Ni 500ｇ／ H3BO3 20ｇ／ NiCl2 20ｇ／ PH 2.5ｇ／ 浴 温 55℃ 電流密度 10A／ｄｍ 比較例 (7) 実施例(7)に於いて、Pd合金メツキを省略し、
リン青銅板上に直接Agをメツキした。 以上３品につき、バウデン式摩耗試験機にて摩
耗係数と接触抵抗を比較した。試片を固定し、直
径５mmのハイス鋼棒を30grの荷重でおしあて、30
cm／minのスピードで100回往復移動させ、第１
〜３回と98〜100回の摩耗係数及び試験前と100回
程の静止状態で10ｍＡを通電した時の接触抵抗を
求めて第３表の結果を得た。
ので、特に各種耐久性及び耐熱性が優れ、かつ経
済的な銀被覆導体を提供するものである。 一般に導電性基体、例えばCu，Ni，Fe又はそ
の合金からなる線、棒、条、板等の表面上にAg
又はAg合金を被覆したものは、基体の特性とAg
又はAg合金の優れた導電性、耐食性及び接続性
（半田付け性、電気接触性）を有するため、電
気、電子機器の導電部材として多用されている。
しかしながら高価なAgを使用するところからAg
又はAg合金の被覆厚さを可及的に薄くすること
が望まれている。 一方Agは基体金属又はその成分、例えばCu・
Zn等の金属と拡散反応し易く、長期間の使用又
は高温環境によつてAg又はAg合金層（以下Ag層
と略記）が消耗する。これを防止するため従来基
体とAg層間にNiを中間層として介在させてい
る。NiはAgと拡散反応しないため基体とAg層の
拡散を有効に防止するが、半田付け性を著しく阻
害する欠点があつた。例えば含酸素雰囲気中200
℃以上の高温では、Ag層を透過する酸素により
Ni表面が酸化し、甚だしい場合にはAg層が剥離
し、また剥離しないで外観が健全な場合でも半田
付け工程において接続不良を起す。即ちAgは半
田浴に極めて溶解し易く、通常の半田付けが厚さ
５μ程度が溶出し、酸化したNi表面が露出する
と半田浴との濡れ不良を起す。 銀被覆導体は絶縁被覆や接続した電子部品の封
止、エージング、熱処理、ボンデイング等におい
て、上記酸化が不可避的に起り、Ni中間層を設
けてもAg層を薄くする節約効果が制限されてい
る。 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、Ni中間
層に代えて、Ni，Coの少なくとも１種とPdとの
合金を中間層とすることにより、基体とAg層の
拡散反応を有効に阻止し、高温でAg層を透過す
る酸素によつて酸化し難いことを知見し、耐久性
及び耐熱性が優れ、Ag層を薄くしても高い性能
を維持できる銀被覆導体とその製造方法を開発し
たものである。 即ち本発明導体は、導電性基体上にAg又はAg
合金を被覆した導体において、基体とAg又はAg
合金層との間にNi，Coの少なくとも１種とPdと
の合金からなる中間層を設けたことを特徴とする
ものである。 また本発明製造方法は導電性基体上にNi，Co
の少なくとも１種とPdとの合金を電気メツキ
し、該合金層上にAg又はAg合金を電気メツキす
ることを特徴とするものである。 本発明は上記の如く基体とAg層間にNi，Coの
少なくとも１種とPdとの合金からなる中間層を
設けたもので基体としてはCu，黄銅、リン青
銅、Cu―Ti合金等のCu合金、Al，Fe，Ni，
Zn，Sn又はその合金からなる線、棒、条、板等
で通常電子部品の端子、リードフレーム、バネ接
点、コネクター更にはケーブル状導体として使用
されるものであり、Ni，Coの少なくとも１種と
Pdとの合金からなる中間層は基体とAg層の拡散
を防止すると同時に中間層自身も基体及びAg層
と拡散反応し難いものである。更に該中間層は高
温で起る透過酸素や低温に長期間放置した場合の
ピンホール等を通る酸素によつて酸化され難いた
め、半田付け性を劣化することがない。更に後述
するNi，Coの少なくとも１種とPdとの合金の特
性から、接点などとして使用した場合も、摩耗劣
化や触媒劣化を起し難く、また加工性にも優れる
ので割れなどの欠陥ともなり難い。 Pd単体を中間層としても上記効果をある程度
達成することができるが、Ni，Coと合金化する
ことにより、その配合比に応じてPdとNi，Coの
特性を共有し、両者の特性を発揮することができ
る。Ni，CoはPdより耐食性、耐酸化性に劣る
が、他方、Agと固相反応しない特徴を有するの
で、該合金はPdより安価なばかりか、Agとの反
応性においてもより不活性である。更に硬さと加
工性とを兼有して機械的特性に優れ、かつ水素吸
収が少ないので酸化や触媒的接触障害を起し難
い。従つて、合金の効果は使用条件によつても異
なるがPd90〜30％の合金において実用的であ
り、中間層としての厚さは0.01〜５μ程度が一般
的である。また中間層上のAg層としてはAg又は
Ag―Cu，Ag―In，Ag―Sn，Ag―Sb等のAg合
金を用い、使用目的に応じて被覆厚さを選定す
る。通常は0.1〜10μ，多くは0.5〜３μである。 本発明導体は基体上に機械的クラツド法、真空
蒸着法によりPd合金中間層、Ag層を順次被覆す
ることによつも製造することができるが下記のよ
うにして製造することが最も経済的である。 即ち基体上にPd合金を電気メツキし、その上
にAg又はAg合金を電気メツキする。Pd合金は有
機アミン錯塩浴を用いて電気メツキにより所望の
組成の合金を容易にメツキすることができる。し
かも電気メツキによれば機械的クラツドの場合の
ように余分な拡散や外傷を生ずるようなことはな
い。Pd合金の電気メツキには、常法に従つて基
体表面を脱脂、活性化してから有機アミン錯塩浴
を用いて基体上にPd合金メツキを行ない、次い
でその上にシアン浴、チオシアン浴、ピロリン酸
浴等を用いてAg又はAg合金メツキすればよい。 以下本発明を実施例について詳細に説明する。 実施例 (1) ダイオード用リード線としてAgメツキCu線
（直径0.75mm）を製造した。ダイオード用リード
線はSiチツプの半田付け（水素中350℃，30分）
と封止樹脂キユアー（大気中220℃，24時間）が
行なわれ、その後もリード線として半田付け性が
要求されるものである。 先ずCu線を常法により電解脱脂したから酸洗
し、下記浴を用いて厚さ0.2μのPd―47％Ni合金
メツキ、Agストライクメツキ、厚さ1.5μのAgメ
ツキを順次行なつた。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―50浴 Pd 10ｇ／ Ni 10ｇ／ PH 7.5 電流密度 1.5A／ｄm2 浴 温 30℃ Agストライクメツキ AgCN ３ｇ／ KCN 30ｇ／ 電流密度 5A／ｄm2 浴 温 20℃ Agメツキ AgCN 50ｇ／ KCN 50ｇ／ K2CO3 10ｇ／ 電流密度 1.8A／ｄm2 浴 温 20℃ 実施例 (2) 実施例(1)において、Pd―Ni合金メツキに下記
浴を用いて厚さ0.2μのPd―66％Ni合金メツキを
行ない、以後同様にして厚さ1.5μのAgメツキを
行なつた。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―50浴 Pd 10ｇ／ Ni 16ｇ／ PH 7.7 電流密度 1.2A／ｄm2 浴 温 30℃ 実施例 (3) 実施例(1)において、Pd―Ni合金メツキに下記
浴を用いて厚さ0.2μのPd―25％Ni合金メツキを
行ない、以後同様にして厚さ1.5μのAgメツキを
行なつた。 日進化成（株）製PNP―80浴 Pd 18ｇ／ Ni 11ｇ／ PH 8.9％ 電流密度 1.0A／ｄm2 浴 温 25℃ 比較例 (1) 実施例(1)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用い、厚さ0.2μのNiメツキを行な
い、以後同様にして厚さ1.5μのAgメツキを行な
つた。 Niメツキ Ni〔SO2（NH2）2〕2 400ｇ／ NiCl2 15ｇ／ PH 3.0 電流密度 7.5A／ｄm2 浴 温 50℃ このようにして製造した各リード線について、
水素中350℃の温度に30分間加熱した後、大気中
220℃の温度に24時間加熱し、これをMIL試験法
に従つて、温度235℃の共晶半田浴中に５秒間浸
漬し、半田による濡れ面積を求めた。その結果を
第１表に示す。 第 １ 表 リード線 濡れ面積（％） 実施例(1) 96 〃 (2) 96 〃 (3) 92 比較例(1) ＜20 第１表から明らかなように従来のNi中間層を
設けた導体〔比較例(1)〕では上記加熱処理により
半田付け性の劣化が著しいのに対し、Pd―Ni合
金からなる中間層を設けた本発明導体〔実施例
(1)，(2)，(3)〕は何れも半田付け性の劣化が極めて
わずかであることが判る。 尚比較例(1)において、Agメツキの厚さを厚く
し、上記加熱処理後の半田濡れ面積が90％以上と
する厚さを求めたところ、3.5μ以上のAgメツキ
厚さが必要であつた。また実施例(1)においてPd
―Ni合金メツキを省略し、Cu線上に直接Agメツ
キを行なつたものは、水素中350℃の温度で30分
間の加熱処理により、外観がCu色を呈した。ま
たAgメツキ厚さを厚くして上記加熱処理後の半
田濡れ面積が90％以上となる厚さを求めたとこ
ろ、5.5μ以上のAgメツキ厚さが必要であつた。 実施例 (4) ダイオードリードフレームとしてAgメツキ黄
銅条（厚さ0.5mm）を製造した。ダイオードリー
ドフレームはSiチツプを半田付け（水素中400
℃，10分）後、樹脂モールド（大気中220℃，24
時間）が行なわれ、完成品としての半田付け性を
保証するためエージング（80℃，1000時間）後の
半田付け性が求められている。 黄銅条（Zn35％）を常法により電解脱脂後、
酸洗してから下記浴を用いて厚さ0.5μのPd―67
％Ni合金メツキし、その上に実施例(1)と同様に
して厚さ2.0μのAgメツキを行なつた。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―50 Pd ８ｇ／ Ni 14ｇ／ PH 7.9 浴 温 20℃ 電流密度 1.0A／ｄm2 実施例 (5) 実施例(4)に於いて、Pd―Ni合金メツキに代え
て、下記浴を用いて厚さ0.3μのPd―20％Co合金
をメツキした。 Pd―Co合金メツキ PdCl2 22ｇ―Pd／ CoCl2 30 〃 NH4Cl 30 NaNO2 ５ PH 8.5（NH4OHで調整） 電流密度 1A／ｄm2 比較例 (2) 実施例(4)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用い、厚さ0.17μのPdメツキ（厚さ
0.17μのPdメツキは厚さ0.5μのPd―Ni合金メツ
キと経済的に等価の厚さ）を行ない、以後同様に
して厚さ0.2μのAgメツキを行なつた。 Pdメツキ Pd（Ｐ塩） 10ｇ／ NH4SO2（NH2）2 100ｇ／ PH 7.8 浴 温 30℃ 電流密度 0.6A／ｄm2 比較例 (3) 実施例(4)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用い、厚さ１μのNiメツキを行な
い、以後同様にして厚さ2.0μのAgメツキを行な
つた。 Niメツキ NiSO4 330ｇ／ NiCl2 45ｇ／ H3BO3 30ｇ／ PH 2.5 浴 温 45℃ 電流密度 2.5A／ｄm2 比較例 (4) 実施例(4)において、Pd―Ni合金メツキを省略
し、黄銅条に直接Agメツキを行なつた。 このようにして製造したダイオードリードフレ
ームについて、水素中400℃の温度で10分間加熱
し、次に大気中220℃の温度で24時間加熱した後
80℃の温度で1000時間のエージングを行なつて、
MIL試験法に従つて温度235℃の共晶半田浴中に
５秒間浸漬し、半田による濡れ面積を求めた。そ
の結果を第２表に示す。 第 ２ 表 リードフレーム 濡れ面積（％） 実施例 (4) 97 〃 (5) 94 比較例 (2) 75 〃 (3) 25 〃 (4) ＜20 第２表から明らかなように本発明リードフレー
ム〔実施例(4)，(5)〕は何れも半田付け性の劣化が
ほとんど認められないのに対し、Pdを中間層と
して用いた比較例(2)は75％，その厚さを0.5μと
しても82％であり、PdとAgの拡散反応とPdメツ
キの脆性によるものと考えられる。即ちPdは水
素吸収性の高い金属として知られており、メツキ
時に吸収した水素を加熱時に放出してマイクロク
ラツクを形成するものと考えられる。またNiを
中間層として用いた比較例(3)は25％であり、Ag
層を透過する酸素及びAg層のピンホールを通し
てNi面が酸化したためと考えられる。更に黄銅
条上に直接Agをメツキした比較例(4)では20％以
下であり、オージエ分光法により表面を検査した
ところ、表面に多量のZn酸化物が集積している
のが認められた。 実施例 (6) Fe―42％Ni合金系にAgメツキを施してICリー
ドフレーム部材を製造した。AgメツキはICチツ
プの半田付け性を向上させるためである。合金条
を常法により電解脱脂した後塩酸処理してから、
下記メツキ浴を用いて厚さ0.3μのPd―20％Ni合
金メツキし、その上に実施例(1)と同様にしてAg
ストライクメツキと厚さ1.0μのAgメツキを行な
つてフレーム部材を製造した。 Pd―Ni合金メツキ 日進化成（株）製PNP―80 Pd 20ｇ／ Ni 10ｇ／ PH 9.1 浴 温 30℃ 電流密度 1A／ｄm2 比較例 (5) 実施例(6)において、Pd―Ni合金メツキに代え
て下記浴を用いて、Niストライクメツキした
後、同様にしてAgメツキを行なつた。 Niストライクメツキ NiCl2 100ｇ／ HCl 100ｇ／ 浴 温 25℃ 電流密度 10A／ｄm2 両フレーム材について大気中475℃の温度で５
分間加熱処理した後、表面を20倍で拡大観察した
が、両フレーム材とも膨れが認められなかつた
が、前記MIL法で半田塗れ面積を求めたところ、
実施例(6)のフレーム材では92％であるのに対し、
比較例(5)のフレーム材では約50％であつた。 実施例 (7) キーボードスラツチ用接点の製造に於いて、リ
ン青銅板（厚さ0.08mm，Sn＝8.0％）に、実施例
(6)と同様にしてPd―20％Ni合金を0.25μメツキ
してから厚さ0.5μのAgをメツキした。 比較例 (6) 実施例(7)に於いて、Pd―20％Ni合金メツキに
代えて厚さ0.25μのNiをメツキした。 スルフアミン酸Ni 500ｇ／ H3BO3 20ｇ／ NiCl2 20ｇ／ PH 2.5ｇ／ 浴 温 55℃ 電流密度 10A／ｄｍ 比較例 (7) 実施例(7)に於いて、Pd合金メツキを省略し、
リン青銅板上に直接Agをメツキした。 以上３品につき、バウデン式摩耗試験機にて摩
耗係数と接触抵抗を比較した。試片を固定し、直
径５mmのハイス鋼棒を30grの荷重でおしあて、30
cm／minのスピードで100回往復移動させ、第１
〜３回と98〜100回の摩耗係数及び試験前と100回
程の静止状態で10ｍＡを通電した時の接触抵抗を
求めて第３表の結果を得た。
【表】
第３表の結果から明白の如く、本発明によるも
のは摩耗係数が小さいが多数回のくり返し摩擦で
も劣化の少ないこと及びその結果として電気接触
抵抗も低く、弱電接触部材として極めて優れてい
ることが判る。 このように本発明によればAg被覆導体の長期
間の使用、各種加熱処理による半田付け性の劣化
が極めて少ない機械的、耐久性、耐熱性の優れた
経済的なAg被覆導体を提供し得るもので、工業
上顕著な効果を奏するものである。
のは摩耗係数が小さいが多数回のくり返し摩擦で
も劣化の少ないこと及びその結果として電気接触
抵抗も低く、弱電接触部材として極めて優れてい
ることが判る。 このように本発明によればAg被覆導体の長期
間の使用、各種加熱処理による半田付け性の劣化
が極めて少ない機械的、耐久性、耐熱性の優れた
経済的なAg被覆導体を提供し得るもので、工業
上顕著な効果を奏するものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基体上にAg又はAg合金を被覆した導
体において、基体とAg又はAg合金層との間に
Ni，Coの少なくとも１種とPdとの合金からなる
中間層を設けたことを特徴とする銀被覆導体。 ２ 導電基体上にNi，Coの少なくとも１種とPd
との合金を電気メツキし、該合金層上にAg又は
Ag合金を電気メツキすることを特徴とする銀被
膜導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2608883A JPS59153893A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 銀被覆導体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2608883A JPS59153893A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 銀被覆導体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153893A JPS59153893A (ja) | 1984-09-01 |
| JPS6150160B2 true JPS6150160B2 (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=12183851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2608883A Granted JPS59153893A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 銀被覆導体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523641Y2 (ja) * | 1986-07-02 | 1993-06-16 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2564322B2 (ja) * | 1987-10-07 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | 細胞融合装置 |
| CN115836384B (zh) * | 2021-06-25 | 2024-06-11 | 日铁新材料股份有限公司 | 半导体装置用接合线 |
| JP7157279B1 (ja) * | 2021-06-25 | 2022-10-19 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2608883A patent/JPS59153893A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523641Y2 (ja) * | 1986-07-02 | 1993-06-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59153893A (ja) | 1984-09-01 |
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