JPH02136340U - - Google Patents

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JPH02136340U
JPH02136340U JP4540189U JP4540189U JPH02136340U JP H02136340 U JPH02136340 U JP H02136340U JP 4540189 U JP4540189 U JP 4540189U JP 4540189 U JP4540189 U JP 4540189U JP H02136340 U JPH02136340 U JP H02136340U
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【図面の簡単な説明】
第１図ａ及びｂは本考案の実施例を示す平面図
及び断面図、第２図ａ及びｂは従来例を示す平面
図及び断面図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板上に複数の素子が形成される半
    導体装置において、 前記複数の素子を分離するために前記半導体基
    板の半導体層に形成され、半導体層と同導電型の
    チヤンネルストツプ領域と、 前記チヤンネルストツプ領域で囲まれた素子形
    成領域と、 該素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して閉環
    状に形成されたゲート電極と、 該ゲート電極によつて囲まれた前記素子領域内
    に形成され、前記半導体層と逆導電型のドレイン
    領域と、 前記ゲート電極と前記チヤンネルストツプ領域
    間の前記素子形成領域内に形成され、前記半導体
    層と逆導電型のソース領域と、 を備えた半導体装置。 (2) 前記素子形成領域に形成された素子は出力
    ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求
    項第１記項載の半導体装置。 (3) 前記チヤンネルストツプ領域は前記半導体
    基板上に形成された厚い酸化膜下に位置すること
    を特徴とする請求項第１項記載の半導体装置。
JP4540189U 1989-04-18 1989-04-18 Pending JPH02136340U (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5491066A (en) * 1977-12-28 1979-07-19 Nec Corp Field effect transistor of insulation gate type
JPS61281554A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 Fujitsu Ltd Ｍｉｓ型半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5491066A (en) * 1977-12-28 1979-07-19 Nec Corp Field effect transistor of insulation gate type
JPS61281554A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 Fujitsu Ltd Ｍｉｓ型半導体装置

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