JPH0396052U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0396052U JPH0396052U JP422890U JP422890U JPH0396052U JP H0396052 U JPH0396052 U JP H0396052U JP 422890 U JP422890 U JP 422890U JP 422890 U JP422890 U JP 422890U JP H0396052 U JPH0396052 U JP H0396052U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- concentration layer
- low concentration
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第１図は本考案の半導体装置の一実施例にかか
るパワー用電界効果型トランジスタの概略縦断面
図、第２図は同実施例の電界効果型トランジスタ
における内部抵抗を模式的に示す概略断面図、第
３図は従来の電界効果型トランジスタを示す概略
断面図である。 １……高濃度基板、３……低濃度層、４ａ……
チヤンネル領域、５……ソース層、７……ゲート
電極、８……ソース電極、９……高濃度層。
るパワー用電界効果型トランジスタの概略縦断面
図、第２図は同実施例の電界効果型トランジスタ
における内部抵抗を模式的に示す概略断面図、第
３図は従来の電界効果型トランジスタを示す概略
断面図である。 １……高濃度基板、３……低濃度層、４ａ……
チヤンネル領域、５……ソース層、７……ゲート
電極、８……ソース電極、９……高濃度層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電形の高濃度基板上に一導電形の低濃度層
を形成し、該低濃度層に他導電形の一対のチヤン
ネル領域を設けると共に一導電形のソース層をそ
れぞれ形成し、ゲート電極とソース電極とをそれ
ぞれに設けてなる半導体装置であつて、 上記他導電形の一対のチヤンネル領域間の一導
電形の低濃度層に、一導電形の高濃度層を形成し
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP422890U JPH0396052U (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP422890U JPH0396052U (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0396052U true JPH0396052U (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=31507986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP422890U Pending JPH0396052U (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0396052U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046082A (ja) * | 2001-05-25 | 2003-02-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP422890U patent/JPH0396052U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046082A (ja) * | 2001-05-25 | 2003-02-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4559691B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2010-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |