JPH0342123U - - Google Patents

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JPH0342123U
JPH0342123U JP10174389U JP10174389U JPH0342123U JP H0342123 U JPH0342123 U JP H0342123U JP 10174389 U JP10174389 U JP 10174389U JP 10174389 U JP10174389 U JP 10174389U JP H0342123 U JPH0342123 U JP H0342123U
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JP
Japan
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semiconductor layer
insulating film
interface level
gate
gate electrode
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JP10174389U
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  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す薄膜トランジ
スタの断面図、第２図は従来の薄膜トランジスタ
の断面図である。 １１……基板、１２……ゲート電極、１３……
ゲート絶縁膜、１４……半導体層、１５……ｎ型
半導体層、１６……ソース電極、１７……ドレイ
ン電極、１８……画素電極、１９……遮光膜、２
０……絶縁膜、２１……高界面準位絶縁膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とソース
    、ドレイン電極を積層し、かつ前記半導体層をは
    さんで前記ゲート電極と対向する側に絶縁膜を介
    して金属からなる遮光膜を設けた薄膜トランジス
    タにおいて、前記半導体層と前記遮光膜側の絶縁
    膜との間に、前記半導体層との間の界面準位が前
    記半導体層と前記ゲート絶縁膜との間の界面準位
    より高い絶縁膜を設けたことを特徴とする薄膜ト
    ランジスタ。
JP10174389U 1989-09-01 1989-09-01 Pending JPH0342123U (ja)

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JPH0342123U true JPH0342123U (ja) 1991-04-22

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012077527A1 (ja) * 2010-12-10 2012-06-14 シャープ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置

Cited By (3)

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WO2012077527A1 (ja) * 2010-12-10 2012-06-14 シャープ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置
JP5336005B2 (ja) * 2010-12-10 2013-11-06 シャープ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置
US9030619B2 (en) 2010-12-10 2015-05-12 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and liquid crystal display device

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