JPH0342124U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342124U JPH0342124U JP10314889U JP10314889U JPH0342124U JP H0342124 U JPH0342124 U JP H0342124U JP 10314889 U JP10314889 U JP 10314889U JP 10314889 U JP10314889 U JP 10314889U JP H0342124 U JPH0342124 U JP H0342124U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- light shielding
- source
- thin film
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す薄膜トランジ
スタの断面図、第２図は従来の薄膜トランジスタ
の断面図である。 １１……基板、１２……ゲート電極、１３……
ゲート絶縁膜、１４……半導体層、１５……ｎ型
半導体層、１６……ソース電極、１７……ドレイ
ン電極、１８……画素電極、１９……遮光膜、２
０……絶縁膜、２１……高界面準位絶縁膜、ａ…
…コンタクト孔。
スタの断面図、第２図は従来の薄膜トランジスタ
の断面図である。 １１……基板、１２……ゲート電極、１３……
ゲート絶縁膜、１４……半導体層、１５……ｎ型
半導体層、１６……ソース電極、１７……ドレイ
ン電極、１８……画素電極、１９……遮光膜、２
０……絶縁膜、２１……高界面準位絶縁膜、ａ…
…コンタクト孔。
Claims (1)
- ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とソース
、ドレイン電極を積層し、かつ前記半導体層をは
さんで前記ゲート電極と対向する側に絶縁膜を介
して金属からなる遮光膜を設けた薄膜トランジス
タにおいて、前記遮光膜を、前記ソース、ドレイ
ン電極のいずれかに電気的に接続したことを特徴
とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314889U JPH0342124U (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314889U JPH0342124U (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342124U true JPH0342124U (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=31652003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314889U Pending JPH0342124U (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342124U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10186408A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-07-14 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| JP2002352865A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Yuasa Corp | 鉛蓄電池の寿命判定方法および寿命判定装置 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP10314889U patent/JPH0342124U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10186408A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-07-14 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| JP2002352865A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Yuasa Corp | 鉛蓄電池の寿命判定方法および寿命判定装置 |
| JP4537617B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2010-09-01 | 株式会社Ｇｓユアサ | 鉛蓄電池の寿命判定方法および寿命判定装置 |