JP7425480B2 - 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 846
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 title claims description 331
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 title claims description 331
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 title claims description 143
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 183
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 754
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 85
- 125000004428 fluoroalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 58
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 57
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 56
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 53
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 52
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 52
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 50
- -1 methoxy, trifluoromethoxy, methyl Chemical group 0.000 claims description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 42
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 33
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 29
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 28
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims description 28
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 11
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 10
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 187
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 183
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 170
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 130
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 120
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 description 116
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 114
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 112
- 230000008569 process Effects 0.000 description 67
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 64
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 64
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 53
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 51
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 50
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 41
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 30
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 28
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 27
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 25
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 24
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 23
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 20
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 19
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 19
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 18
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 18
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 12
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 11
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 11
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 8
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 8
- 238000004293 19F NMR spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 7
- FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002821 anti-nucleating effect Effects 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N (1s,2s,3r,4r)-3-[[5-chloro-2-[(1-ethyl-6-methoxy-2-oxo-4,5-dihydro-3h-1-benzazepin-7-yl)amino]pyrimidin-4-yl]amino]bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxamide Chemical compound CCN1C(=O)CCCC2=C(OC)C(NC=3N=C(C(=CN=3)Cl)N[C@H]3[C@H]([C@@]4([H])C[C@@]3(C=C4)[H])C(N)=O)=CC=C21 GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N 0.000 description 5
- WHGGVVHVBFMGSG-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-phenylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C2C=CC=CC2=C1C1=CC=CC=C1 WHGGVVHVBFMGSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229940125758 compound 15 Drugs 0.000 description 5
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 5
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNUFLCYMSVYYNW-ZPJMAFJPSA-N [(2r,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6r)-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-6-[[(3s,5s,8r,9s,10s,13r,14s,17r)-10,13-dimethyl-17-[(2r)-6-methylheptan-2-yl]-2,3,4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-3-yl]oxy]-4,5-disulfo Chemical compound O([C@@H]1[C@@H](COS(O)(=O)=O)O[C@@H]([C@@H]([C@H]1OS(O)(=O)=O)OS(O)(=O)=O)O[C@@H]1[C@@H](COS(O)(=O)=O)O[C@@H]([C@@H]([C@H]1OS(O)(=O)=O)OS(O)(=O)=O)O[C@@H]1[C@@H](COS(O)(=O)=O)O[C@H]([C@@H]([C@H]1OS(O)(=O)=O)OS(O)(=O)=O)O[C@@H]1C[C@@H]2CC[C@H]3[C@@H]4CC[C@@H]([C@]4(CC[C@@H]3[C@@]2(C)CC1)C)[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H]1O[C@H](COS(O)(=O)=O)[C@@H](OS(O)(=O)=O)[C@H](OS(O)(=O)=O)[C@H]1OS(O)(=O)=O LNUFLCYMSVYYNW-ZPJMAFJPSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-DICFDUPASA-N dichloromethane-d2 Chemical compound [2H]C([2H])(Cl)Cl YMWUJEATGCHHMB-DICFDUPASA-N 0.000 description 4
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 3
- HTFXWAOSQODIBI-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-1,3-dihydropyrrolo[3,4-c]pyridine Chemical compound C1C2=CC=NC=C2CN1CC1=CC=CC=C1 HTFXWAOSQODIBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- AOSZTAHDEDLTLQ-AZKQZHLXSA-N (1S,2S,4R,8S,9S,11S,12R,13S,19S)-6-[(3-chlorophenyl)methyl]-12,19-difluoro-11-hydroxy-8-(2-hydroxyacetyl)-9,13-dimethyl-6-azapentacyclo[10.8.0.02,9.04,8.013,18]icosa-14,17-dien-16-one Chemical compound C([C@@H]1C[C@H]2[C@H]3[C@]([C@]4(C=CC(=O)C=C4[C@@H](F)C3)C)(F)[C@@H](O)C[C@@]2([C@@]1(C1)C(=O)CO)C)N1CC1=CC=CC(Cl)=C1 AOSZTAHDEDLTLQ-AZKQZHLXSA-N 0.000 description 2
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 description 2
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 2
- WWTBZEKOSBFBEM-SPWPXUSOSA-N (2s)-2-[[2-benzyl-3-[hydroxy-[(1r)-2-phenyl-1-(phenylmethoxycarbonylamino)ethyl]phosphoryl]propanoyl]amino]-3-(1h-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound N([C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)O)C(=O)C(CP(O)(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)OCC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 WWTBZEKOSBFBEM-SPWPXUSOSA-N 0.000 description 2
- BJQCPCFFYBKRLM-UHFFFAOYSA-N (3-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=CC(B(O)O)=C1 BJQCPCFFYBKRLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N (3S,8S,10R,13S,14S,17S)-17-isoquinolin-7-yl-N,N,10,13-tetramethyl-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydro-1H-cyclopenta[a]phenanthren-3-amine Chemical compound CN(C)[C@H]1CC[C@]2(C)C3CC[C@@]4(C)[C@@H](CC[C@@H]4c4ccc5ccncc5c4)[C@@H]3CC=C2C1 IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N 0.000 description 2
- MNJYZNVROSZZQC-UHFFFAOYSA-N (4-tert-butylphenyl)boronic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(B(O)O)C=C1 MNJYZNVROSZZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 1-[2-[(2s,3r,4s,5r)-3,4-dihydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]oxy-4,6-dihydroxyphenyl]-3-(4-hydroxyphenyl)propan-1-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 0.000 description 2
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 2
- VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(9,10-dinaphthalen-2-ylanthracen-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C3=CC=2)C=C1 VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940126657 Compound 17 Drugs 0.000 description 2
- 229910017818 Cu—Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N N-{[3-(2-benzamido-4-methyl-1,3-thiazol-5-yl)-pyrazol-5-yl]carbonyl}-G-dR-G-dD-dD-dD-NH2 Chemical compound S1C(C=2NN=C(C=2)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CCCN=C(N)N)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(N)=O)=C(C)N=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1 OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000821 Yb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WOAORAPRPVIATR-UHFFFAOYSA-N [3-(trifluoromethyl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 WOAORAPRPVIATR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 2
- 229940126543 compound 14 Drugs 0.000 description 2
- 229940126142 compound 16 Drugs 0.000 description 2
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 2
- 229940126086 compound 21 Drugs 0.000 description 2
- 229940126208 compound 22 Drugs 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002171 field ion microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAOUIVVJBYDFKD-XKCDOFEDSA-N (1R,9R,10S,11R,12R,15S,18S,21R)-10,11,21-trihydroxy-8,8-dimethyl-14-methylidene-4-(prop-2-enylamino)-20-oxa-5-thia-3-azahexacyclo[9.7.2.112,15.01,9.02,6.012,18]henicosa-2(6),3-dien-13-one Chemical compound C([C@@H]1[C@@H](O)[C@@]23C(C1=C)=O)C[C@H]2[C@]12C(N=C(NCC=C)S4)=C4CC(C)(C)[C@H]1[C@H](O)[C@]3(O)OC2 UAOUIVVJBYDFKD-XKCDOFEDSA-N 0.000 description 1
- ABJSOROVZZKJGI-OCYUSGCXSA-N (1r,2r,4r)-2-(4-bromophenyl)-n-[(4-chlorophenyl)-(2-fluoropyridin-4-yl)methyl]-4-morpholin-4-ylcyclohexane-1-carboxamide Chemical compound C1=NC(F)=CC(C(NC(=O)[C@H]2[C@@H](C[C@@H](CC2)N2CCOCC2)C=2C=CC(Br)=CC=2)C=2C=CC(Cl)=CC=2)=C1 ABJSOROVZZKJGI-OCYUSGCXSA-N 0.000 description 1
- QCSLIRFWJPOENV-UHFFFAOYSA-N (2-fluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1F QCSLIRFWJPOENV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSJVYHOPHZMZPN-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1B(O)O NSJVYHOPHZMZPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STBLNCCBQMHSRC-BATDWUPUSA-N (2s)-n-[(3s,4s)-5-acetyl-7-cyano-4-methyl-1-[(2-methylnaphthalen-1-yl)methyl]-2-oxo-3,4-dihydro-1,5-benzodiazepin-3-yl]-2-(methylamino)propanamide Chemical compound O=C1[C@@H](NC(=O)[C@H](C)NC)[C@H](C)N(C(C)=O)C2=CC(C#N)=CC=C2N1CC1=C(C)C=CC2=CC=CC=C12 STBLNCCBQMHSRC-BATDWUPUSA-N 0.000 description 1
- UHDDEIOYXFXNNJ-UHFFFAOYSA-N (3,4,5-trifluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(F)=C(F)C(F)=C1 UHDDEIOYXFXNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=C(B(O)O)C=C1 VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIWQNIMLAISTBV-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=C(B(O)O)C=C1 BIWQNIMLAISTBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N (R)-N-[(4S)-8-[6-amino-5-[(3,3-difluoro-2-oxo-1H-pyrrolo[2,3-b]pyridin-4-yl)sulfanyl]pyrazin-2-yl]-2-oxa-8-azaspiro[4.5]decan-4-yl]-2-methylpropane-2-sulfinamide Chemical compound CC(C)(C)[S@@](=O)N[C@@H]1COCC11CCN(CC1)c1cnc(Sc2ccnc3NC(=O)C(F)(F)c23)c(N)n1 UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N 0.000 description 1
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical group C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFMJLOPNVZKQHV-UHFFFAOYSA-N 1,2-difluoro-9h-fluorene Chemical group C1=CC=C2CC3=C(F)C(F)=CC=C3C2=C1 NFMJLOPNVZKQHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-9h-fluorene Chemical group C1=CC=C2CC3=C(C)C(C)=CC=C3C2=C1 CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTPLEVOKSWEYAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-9h-fluorene Chemical group C=1C=CC=CC=1C1=C2CC3=CC=CC=C3C2=CC=C1C1=CC=CC=C1 QTPLEVOKSWEYAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 1-[(1R)-1-(2,4-dichlorophenyl)ethyl]-6-[(4S,5R)-4-[(2S)-2-(hydroxymethyl)pyrrolidin-1-yl]-5-methylcyclohexen-1-yl]pyrazolo[3,4-b]pyrazine-3-carbonitrile Chemical compound ClC1=C(C=CC(=C1)Cl)[C@@H](C)N1N=C(C=2C1=NC(=CN=2)C1=CC[C@@H]([C@@H](C1)C)N1[C@@H](CCC1)CO)C#N KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 0.000 description 1
- WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 1-[(3s,4s)-4-[8-(2-chloro-4-pyrimidin-2-yloxyphenyl)-7-fluoro-2-methylimidazo[4,5-c]quinolin-1-yl]-3-fluoropiperidin-1-yl]-2-hydroxyethanone Chemical compound CC1=NC2=CN=C3C=C(F)C(C=4C(=CC(OC=5N=CC=CN=5)=CC=4)Cl)=CC3=C2N1[C@H]1CCN(C(=O)CO)C[C@@H]1F WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 0.000 description 1
- NMUIDZASJKXTEH-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(4-fluorophenyl)-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound FC1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(C3=CC=C(C=C3C(=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC=C(C=C1)F)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 NMUIDZASJKXTEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSUIQYOGTINQIN-UZFYAQMZSA-N 2-amino-9-[(1S,6R,8R,9S,10R,15R,17R,18R)-8-(6-aminopurin-9-yl)-9,18-difluoro-3,12-dihydroxy-3,12-bis(sulfanylidene)-2,4,7,11,13,16-hexaoxa-3lambda5,12lambda5-diphosphatricyclo[13.2.1.06,10]octadecan-17-yl]-1H-purin-6-one Chemical compound NC1=NC2=C(N=CN2[C@@H]2O[C@@H]3COP(S)(=O)O[C@@H]4[C@@H](COP(S)(=O)O[C@@H]2[C@@H]3F)O[C@H]([C@H]4F)N2C=NC3=C2N=CN=C3N)C(=O)N1 YSUIQYOGTINQIN-UZFYAQMZSA-N 0.000 description 1
- TVTJUIAKQFIXCE-HUKYDQBMSA-N 2-amino-9-[(2R,3S,4S,5R)-4-fluoro-3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-7-prop-2-ynyl-1H-purine-6,8-dione Chemical compound NC=1NC(C=2N(C(N(C=2N=1)[C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H]1O)F)CO)=O)CC#C)=O TVTJUIAKQFIXCE-HUKYDQBMSA-N 0.000 description 1
- QBWKPGNFQQJGFY-QLFBSQMISA-N 3-[(1r)-1-[(2r,6s)-2,6-dimethylmorpholin-4-yl]ethyl]-n-[6-methyl-3-(1h-pyrazol-4-yl)imidazo[1,2-a]pyrazin-8-yl]-1,2-thiazol-5-amine Chemical compound N1([C@H](C)C2=NSC(NC=3C4=NC=C(N4C=C(C)N=3)C3=CNN=C3)=C2)C[C@H](C)O[C@H](C)C1 QBWKPGNFQQJGFY-QLFBSQMISA-N 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBUNNMJLXWQQBY-UHFFFAOYSA-N 4-fluorophenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(F)C=C1 LBUNNMJLXWQQBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXERDXBFMUYHBP-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-yl-2-[4-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC(=CC=12)C1=CC=C(C=C1)C(F)(F)F)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 KXERDXBFMUYHBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWMNAGOHOZFKIR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-fluorophenyl)-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound FC1=C(C=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 BWMNAGOHOZFKIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMRZEYNGOFCNBC-UHFFFAOYSA-N 9-(2-methylphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 IMRZEYNGOFCNBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHCJTUQWKAEONO-UHFFFAOYSA-N 9-(3-chloro-4-fluorophenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound ClC=1C=C(C=CC=1F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC=C1 MHCJTUQWKAEONO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWQJOMPVGKKNTI-UHFFFAOYSA-N 9-(3-methylphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 BWQJOMPVGKKNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZVSUIXHENWPGJ-UHFFFAOYSA-N 9-(3-naphthalen-1-ylphenyl)-10-phenanthren-9-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=C(C=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 QZVSUIXHENWPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCEITIOKKYWGTF-UHFFFAOYSA-N 9-(4-fluorophenyl)-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=C1C(C1=C3C=CC=CC3=CC=C1)=C1C=CC=CC1=C2C1=CC=C(F)C=C1 CCEITIOKKYWGTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIYRVWDYZOQWMZ-UHFFFAOYSA-N 9-(4-fluorophenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 CIYRVWDYZOQWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSZYPHXDKVQWHS-UHFFFAOYSA-N 9-(4-methoxyphenyl)-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 YSZYPHXDKVQWHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNMJWYZFMASTCF-UHFFFAOYSA-N 9-(4-methoxyphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 JNMJWYZFMASTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYCWDBOZJVBDPY-UHFFFAOYSA-N 9-(4-methylphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 AYCWDBOZJVBDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWCBNYKZGXQZLO-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound FC(C=1C=C(C=C(C=1)C(F)(F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(F)F PWCBNYKZGXQZLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYACRXBYRNYMLN-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 SYACRXBYRNYMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXEHDVKKAQCVDR-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC=1C=C(C=C(C=1F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 UXEHDVKKAQCVDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGORXTQHHCGPTK-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(3-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=C(C=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MGORXTQHHCGPTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYKYUKOAUUGKQZ-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]anthracene Chemical compound FC(OC1=CC=C(C=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)(F)F SYKYUKOAUUGKQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HICWKUFWPIBTCN-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 HICWKUFWPIBTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXANPNMSJRTKJV-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC=1C=C(C=C(C=1F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 IXANPNMSJRTKJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEITWRPETFRNQV-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-[3-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(F)F HEITWRPETFRNQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLZRGJLLBGVPHZ-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-[4-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound FC(C1=CC=C(C=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(F)F DLZRGJLLBGVPHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDPKQDHFUOFHFE-UHFFFAOYSA-N 9-phenanthren-9-yl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC=1C=C(C=C(C=1F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C=1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC=2C=1 YDPKQDHFUOFHFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQKFTZMUAPNEO-UHFFFAOYSA-N 9-phenanthren-9-yl-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 QQQKFTZMUAPNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDRZYXLSMIFRNB-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 FDRZYXLSMIFRNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCQOBPGYQUTKMO-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[3-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC=C1)(F)F GCQOBPGYQUTKMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVTUZUBOYGQDQV-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[4-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=C(C=C1)C(F)(F)F JVTUZUBOYGQDQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URUAKGLGELBSQK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12 Chemical compound C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12 URUAKGLGELBSQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATUBRTVPVAXYOQ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=C(C(C)(C)C)C=C2)C2=CC=CC=C12 Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=C(C(C)(C)C)C=C2)C2=CC=CC=C12 ATUBRTVPVAXYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCBAMQOKOLXLOX-BSZYMOERSA-N CC1=C(SC=N1)C2=CC=C(C=C2)[C@H](C)NC(=O)[C@@H]3C[C@H](CN3C(=O)[C@H](C(C)(C)C)NC(=O)CCCCCCCCCCNCCCONC(=O)C4=C(C(=C(C=C4)F)F)NC5=C(C=C(C=C5)I)F)O Chemical compound CC1=C(SC=N1)C2=CC=C(C=C2)[C@H](C)NC(=O)[C@@H]3C[C@H](CN3C(=O)[C@H](C(C)(C)C)NC(=O)CCCCCCCCCCNCCCONC(=O)C4=C(C(=C(C=C4)F)F)NC5=C(C=C(C=C5)I)F)O KCBAMQOKOLXLOX-BSZYMOERSA-N 0.000 description 1
- BQXUPNKLZNSUMC-YUQWMIPFSA-N CCN(CCCCCOCC(=O)N[C@H](C(=O)N1C[C@H](O)C[C@H]1C(=O)N[C@@H](C)c1ccc(cc1)-c1scnc1C)C(C)(C)C)CCOc1ccc(cc1)C(=O)c1c(sc2cc(O)ccc12)-c1ccc(O)cc1 Chemical compound CCN(CCCCCOCC(=O)N[C@H](C(=O)N1C[C@H](O)C[C@H]1C(=O)N[C@@H](C)c1ccc(cc1)-c1scnc1C)C(C)(C)C)CCOc1ccc(cc1)C(=O)c1c(sc2cc(O)ccc12)-c1ccc(O)cc1 BQXUPNKLZNSUMC-YUQWMIPFSA-N 0.000 description 1
- 229940126639 Compound 33 Drugs 0.000 description 1
- AMQLUURKMNRXQZ-UHFFFAOYSA-N FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)(F)F Chemical compound FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)(F)F AMQLUURKMNRXQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001128431 Homo sapiens Myeloid-derived growth factor Proteins 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100031789 Myeloid-derived growth factor Human genes 0.000 description 1
- NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclopentanecarboxamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CC[C@@H](C=1C=NC=CC=1)NC(=O)C1CCCC1)C NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNUZDKCDAWUEGK-CYZMBNFOSA-N Sitafloxacin Chemical compound C([C@H]1N)N(C=2C(=C3C(C(C(C(O)=O)=CN3[C@H]3[C@H](C3)F)=O)=CC=2F)Cl)CC11CC1 PNUZDKCDAWUEGK-CYZMBNFOSA-N 0.000 description 1
- LJOOWESTVASNOG-UFJKPHDISA-N [(1s,3r,4ar,7s,8s,8as)-3-hydroxy-8-[2-[(4r)-4-hydroxy-6-oxooxan-2-yl]ethyl]-7-methyl-1,2,3,4,4a,7,8,8a-octahydronaphthalen-1-yl] (2s)-2-methylbutanoate Chemical compound C([C@H]1[C@@H](C)C=C[C@H]2C[C@@H](O)C[C@@H]([C@H]12)OC(=O)[C@@H](C)CC)CC1C[C@@H](O)CC(=O)O1 LJOOWESTVASNOG-UFJKPHDISA-N 0.000 description 1
- PIPFWPPQTVRPMZ-UHFFFAOYSA-N [2-(4-methylphenyl)phenyl]boronic acid Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1B(O)O PIPFWPPQTVRPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPTABBGLHGBJQR-UHFFFAOYSA-N [3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(C(F)(F)F)=CC(C(F)(F)F)=C1 BPTABBGLHGBJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUOFUOCSQCYFPW-UHFFFAOYSA-N [4-(trifluoromethoxy)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 HUOFUOCSQCYFPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALMFIOZYDASRRC-UHFFFAOYSA-N [4-(trifluoromethyl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 ALMFIOZYDASRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMNRFWMNPDABKZ-WVALLCKVSA-N [[(2R,3S,4R,5S)-5-(2,6-dioxo-3H-pyridin-3-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [[[(2R,3S,4S,5R,6R)-4-fluoro-3,5-dihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy-hydroxyphosphoryl]oxy-hydroxyphosphoryl] hydrogen phosphate Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@H]2O[C@H]([C@H](O)[C@@H]2O)C2C=CC(=O)NC2=O)[C@H](O)[C@@H](F)[C@@H]1O SMNRFWMNPDABKZ-WVALLCKVSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N ac1lavbc Chemical compound [W].[W] WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N asunaprevir Chemical compound O=C([C@@H]1C[C@H](CN1C(=O)[C@@H](NC(=O)OC(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=NC=C(C2=CC=C(Cl)C=C21)OC)N[C@]1(C(=O)NS(=O)(=O)C2CC2)C[C@H]1C=C XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940125833 compound 23 Drugs 0.000 description 1
- 229940125961 compound 24 Drugs 0.000 description 1
- 229940125846 compound 25 Drugs 0.000 description 1
- 229940125851 compound 27 Drugs 0.000 description 1
- 229940127204 compound 29 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 229940125877 compound 31 Drugs 0.000 description 1
- 229940125878 compound 36 Drugs 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HZZOEADXZLYIHG-UHFFFAOYSA-N magnesiomagnesium Chemical compound [Mg][Mg] HZZOEADXZLYIHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 1
- TUNODRIFNXIVIK-UHFFFAOYSA-N silver ytterbium Chemical compound [Ag].[Yb] TUNODRIFNXIVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B1/00—Dyes with anthracene nucleus not condensed with any other ring
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
- C07C15/27—Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
- C07C15/28—Anthracenes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C22/00—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom
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- C07C22/08—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom having unsaturation in the rings containing six-membered aromatic rings containing fluorine
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
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- C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C43/205—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
本出願は、2018年2月2日に出願された米国特許仮出願第62/625,710号、2018年2月2日に出願された同第62/625,722号、2018年11月21日に出願された同第62/770,360号に対する優先権の利益を主張するものであり、それらの開示は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
図1は、一実施形態による、核生成抑制コーティング140を基板100の表面102上に堆積させるプロセスを示す概略図である。図1の実施形態では、源材料を含むソース120が真空下で加熱されて、源材料を蒸発または昇華させる。源材料は、核生成抑制コーティング140を形成するために使用される材料を含むか、または実質的にその材料から構成される。次に、蒸発した源材料は、矢印122によって示される方向に基板100に向かって進行する。アパーチャまたはスリット112を有するシャドウマスク110は、アパーチャ112を通って進行するフラックスの一部分が基板100の表面102の領域に選択的に入射するように、蒸発した源材料の経路に配設され、それにより、その上に核生成抑制コーティング140を形成する。
図9および図10は、一実施形態によるOLEDデバイス1500を示す。具体的には、図9はOLEDデバイス1500の上面図を示し、図10はOLEDデバイス1500の構造の断面図を示す。図9では、カソード1550は、その中に形成された複数のアパーチャまたは正孔1560を有するか、または画定する単一のモノリシック構造または連続構造として示され、これらは、カソード材料が堆積されなかったデバイス1500の領域に対応する。これは、ベース基板1510、アノード1520、有機層1530、核生成促進コーティング1540、核生成促進コーティング1540の特定の領域上に選択的に堆積された核生成抑制コーティング1570、および核生成抑制コーティング1570が存在しない核生成促進コーティング1540の他の領域の上に堆積されたカソード1550を含むOLEDデバイス1500を示す図10にさらに示される。より具体的には、デバイス1500の製造中に核生成促進コーティング1540の表面の特定の領域を被覆するように核生成抑制コーティング1570を選択的に堆積させることにより、カソード材料は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、核生成促進コーティング1540の表面の露出領域に選択的に堆積される。OLEDデバイス1500の透明度または透過率は、穴1560の平均サイズおよびカソード1550に形成された穴1560の密度など、与えられたパターンの様々なパラメータを変更することによって調整または変更できる。したがって、OLEDデバイス1500は、実質的に透明なOLEDデバイスであり得、これは、OLEDデバイスに入射する外部光の少なくとも一部分がそこを透過することを可能にする。例えば、OLEDデバイス1500は、実質的に透明なOLED照明パネルであってもよい。このようなOLED照明パネルは、例えば、一方向(例えば、ベース基板1510に向かうか、または離れる)または両方向(例えば、ベース基板1510に向かい、かつ離れる)に光を放出するように構成され得る。
図13Aは、複数の発光領域1810a~1810fおよび非発光領域1820を含むOLEDデバイス1800の一部分を示す。例えば、OLEDデバイス1800はAMOLEDデバイスであってもよく、発光領域1810a~1810fのそれぞれは、そのようなデバイスのピクセルまたはサブピクセルに対応してもよい。簡略化のために、図13B~図13Dは、OLEDデバイス1800の一部分を示す。具体的には、図13B~図13Dは、2つの隣接する発光領域である、第1の発光領域1810aおよび第2の発光領域1810bを囲む領域を示す。明示的には示されていないが、デバイス1800の発光領域と非発光領域の両方を実質的に被覆する共通カソードが設けられてもよい。
γsv=γfs+γvfcosθ
一態様では、1つ以上の発光領域の上に導電性コーティングを選択的に堆積させる方法が提供される。一部の実施形態では、方法は、基板上に第1の導電性コーティングを堆積させることを含む。基板は、第1の発光領域および第2の発光領域を含み得る。基板上に堆積された第1の導電性コーティングは、基板の第1の発光領域をコーティングする第1の部分と、基板の第2の発光領域をコーティングする第2の部分とを含み得る。方法は、第1の導電性コーティングの第1の部分に第1の核生成抑制コーティングを堆積し、次に第1の導電性コーティングの第2の部分に第2の導電性コーティングを堆積させることをさらに含み得る。
一態様では、光電子デバイスが提供される。光電子デバイスは、第1の電極および第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配設された半導電性層、第2の電極の少なくとも一部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、補助電極と、補助電極と重なるように配置され、陰影領域を設けるパターニング構造と、陰影領域に配設された導電性コーティングと、を含み、導電性コーティングは、補助電極および第2の電極と電気的に接続されている。
一部の実施形態による一態様では、デバイスが提供される。デバイスは、光電子デバイスであり得る。一部の実施形態では、デバイスは、基板、核生成抑制コーティング、および光学コーティングを含む。核生成抑制コーティングは、基板の第1の領域を被覆する。光学コーティングは、基板の第2の領域を被覆し、核生成抑制コーティングの少なくとも一部分は、光学コーティングから露出しているか、または実質的に存在しないか、または実質的に被覆されていない。
基板の表面上での蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階の間、十分な数の蒸気モノマー(例えば、原子または分子)は、典型的には、蒸気相から凝縮して、表面上に初期核を形成する。蒸気モノマーが表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さなクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで続く。
式中、a0は格子定数であり、ESは、表面拡散の活性化エネルギーである。Edesが低い値、および/またはESが高い値、あるいはその両方の場合、吸着原子は脱離前に短い距離を拡散するため、成長している核に付着したり、別の吸着原子または吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなる。
式中、Eiはi個の吸着原子を含む臨界クラスタを個別の吸着原子に解離するために必要なエネルギー、n0は吸着部位の総密度、N1は次の式で与えられるモノマー密度である。
式中、
は蒸気衝突速度である。通常、iは、堆積される材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを決定する。
式中、Pは圧力、Mは分子量である。したがって、H2Oなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面の汚染密度が高くなり、Edesが増加して核の密度が高くなる。
式中、Nadsは、表面に残る(例えば、膜に組み込まれる)吸着されたモノマーの数であり、Ntotalは、表面に衝突するモノマーの総数である。付着確率が1に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率が0に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが脱離し、その後、表面に膜が形成されないことを示す。Walker et al.,J.Phys.Chem.C 2007,111,765(2006).に記載されている二重水晶振動子マイクロバランス(QCM)技術など、付着確率を測定する様々な技術を使用して、様々な表面上の金属の付着確率を評価できる。
式中、Snucは島で被覆された領域の付着確率であり、Anucは島で被覆された基板表面の領域の割合である。
核生成抑制コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、約0.1(または10%)以下もしくは未満、または約0.05以下もしくは未満、および、より具体的には、約0.03以下もしくは未満、約0.02以下もしくは未満、約0.01以下もしくは未満、約0.08以下もしくは未満、約0.005以下もしくは未満、約0.003以下もしくは未満、約0.001以下もしくは未満、約0.0008以下もしくは未満、約0.0005以下もしくは未満、または約0.0001以下もしくは未満の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。核生成促進コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、少なくとも約0.6(または60%)、少なくとも約0.7、少なくとも約0.75、少なくとも約0.8、少なくとも約0.9、少なくとも約0.93、少なくとも約0.95、少なくとも約0.98、または少なくとも約0.99の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。
式中、B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、およびB8のうちの少なくとも1つは、ナフチル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-B)によって表されるナフチル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-B)で表されるナフチル部分は、B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、およびB8のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「B」置換基は、対応するB’(Bプライム)置換基であり、任意のB’置換基は、本明細書に示されるB置換基の値を有し得る。
式中、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、およびC10のうちの少なくとも1つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-C)によって表されるフェナントリル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-C)で表されるフェナントリル部分は、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、およびC10のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「C」置換基は、対応するC’(Cプライム)置換基であり、任意のC’置換基は、本明細書に示されるC置換基の値を有し得る。
式中、D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9およびD10のうちの少なくとも1つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-D)によって表されるアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-D)で表されるアントラセニル部分は、D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、およびD10のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8、E9、E10、E11、およびE12のうちの少なくとも1つは、ベンズアントラセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-E)によって表されるベンズアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-E)で表されるベンズアントラセニル部分は、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8、E9、E10、E11、およびE12のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、F1、F2、F3、F4、F5、F6、F7、F8、F9およびF10のうちの少なくとも1つは、ピレニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-F)によって表されるピレニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-F)で表されるピレニル部分は、F1、F2、F3、F4、F5、F6、F7、F8、F9、およびF10のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8、G9、G10、G11、およびG12のうちの少なくとも1つは、クリセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-G)によって表されるクリセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-G)で表されるクリセニル部分は、G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8、G9、G10、G11、およびG12のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
)が増加しても、次の式に従って決定される臨界核生成速度(
)は比較的低いままであり、マグネシウムの堆積を実質的に抑制する。
Edes≦α*Es≦β*Ei
Edes≦1.75*Es≦3*Ei
ΔEs-i=Es-Ei
Edes≦α*Es≦β*Ei
ΔEs-i=Es-Ei
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
(項目1)
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配設された第1の電極と、
前記第1の電極の上に配設された半導電性層と、
前記半導電性層の上に配設された第2の電極であって、前記第2の電極が、第1の部分および第2の部分を有する、第2の電極と、
前記第2の電極の前記第1の部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、
前記第2の電極の前記第2の部分の上に配設された導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式(I)の化合物を含む、光電子デバイス。
[式中、X 1 ~X 10 のうちの少なくとも2つがそれぞれ独立して、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)から選択され、X 1 ~X 10 のうちの残りがそれぞれ独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-A)では、A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 が独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-B)では、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-C)では、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-E)では、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-F)では、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-G)では、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される]
(項目2)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)からなる群から選択され、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)から選択される、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目3)
X 2 、X 3 、X 6 、およびX 7 がそれぞれ、個別に、H、D(重水素)、F、Cl、C 1 ~C 6 アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目2に記載の光電子デバイス。
(項目4)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、および(I-C)からなる群から選択され、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、および(I-C)からなる群から選択される、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目5)
X 2 、X 3 、X 6 、およびX 7 がそれぞれ、個別に、H、D(重水素)、F、Cl、C 1 ~C 6 アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目4に記載の光電子デバイス。
(項目6)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-B)および(I-C)からなる群から選択される、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目7)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-B)である、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目8)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-C)である、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目9)
A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 のうちの少なくとも1つが、t-ブチル、メトキシ、トリフルオロメトキシ、メチル、トリフルオロメチル、またはFである、項目6、7、および8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目10)
前記A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 のうちの最大3つが、Fである、項目6、7、および8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目11)
B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、およびC 7 が、Hである、項目9または10に記載の光電子デバイス。
(項目12)
X 9 が、(I-A)であり、X 10 が、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)からなる群から選択される、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目13)
X 1 、X 2 、X 3 、X 4 、X 5 、X 6 、X 7 、およびX 8 が独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目1、6、7、および8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目14)
前記核生成抑制コーティングが、約5nm~約100nmの厚さを有する、項目1~13のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目15)
前記第2の電極の前記第1の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、項目1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目16)
前記第2の電極の前記第2の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、項目1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目17)
前記第2の電極の前記第1の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、項目1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目18)
前記第2の電極の前記第2の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、項目1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目19)
前記光電子デバイスが、有機発光(OLED)デバイスである、項目1~18のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目20)
前記OLEDデバイスが、アクティブマトリクスOLEDデバイス、パッシブマトリクスOLEDデバイス、またはOLED照明デバイスである、項目19に記載の光電子デバイス。
(項目21)
前記OLEDデバイスが、トップエミッションOLEDデバイス、ボトムエミッションOLEDデバイス、または両面発光デバイスである、項目19または20に記載の光電子デバイス。
(項目22)
前記OLEDデバイスが、光透過部分を含み、前記光透過部分は、そこを通って光を透過させるように構成されている、項目19、20、または21に記載の光電子デバイス。
(項目23)
前記導電性コーティングが、前記OLEDデバイスの補助電極である、項目1~22のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目24)
前記核生成抑制コーティングが、以下からなる群から選択される化合物を含む、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目25)
以下の化合物。
(項目26)
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板の第1の領域を被覆する核生成抑制コーティングと、
第1の部分および第2の部分を含む導電性コーティングであって、前記導電性コーティングの前記第1の部分が、前記基板の第2の領域を被覆する、導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式(I)の化合物を含む、光電子デバイス。
[式中、X 1 ~X 10 のうちの少なくとも2つがそれぞれ独立して、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)から選択され、X 1 ~X 10 のうちの残りがそれぞれ独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-A)では、A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 が独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-B)では、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-C)では、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-D)では、D 1 、D 2 、D 3 、D 4 、D 5 、D 6 、D 7 、D 8 、D 9 、およびD 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、D 1 、D 2 、D 3 、D 4 、D 5 、D 6 、D 7 、D 8 、D 9 、およびD 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-E)では、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-F)では、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-G)では、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される]
(項目27)
前記導電性コーティングの前記第2の部分が、前記核生成抑制コーティングと部分的に重なり、前記導電性コーティングの前記第2の部分が、ギャップによって前記核生成抑制コーティングから離間されている、項目26に記載の光電子デバイス。
Claims (29)
- 光電子デバイスであって、
前記デバイスの横方向側面の第1の部分で前記デバイスの第1の層表面上に配設された核生成抑制コーティング(NIC)と、
前記デバイスの横方向側面の第2の部分で前記デバイスの第2の層表面上に配設された導電性コーティングと、を備え、
ここで、前記第1の部分の少なくとも一部には、前記導電性コーティングが存在せず、
前記NICが、式(I)の化合物を含み、
ここで、前記化合物は、少なくとも1つのフッ素原子を含む、光電子デバイス。 - X1、X8、およびX9のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、および(I-C)からなる群から選択され、X4、X5、およびX10のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、および(I-C)からなる群から選択される、請求項1に記載の光電子デバイス。
- X2、X3、X6、およびX7がそれぞれ、個別に、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、請求項2に記載の光電子デバイス。
- X1、X8、およびX9のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X4、X5、およびX10のうちの少なくとも1つが、(I-B)および(I-C)からなる群から選択される、請求項1に記載の光電子デバイス。
- X1、X8、およびX9のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X4、X5、およびX10のうちの少なくとも1つが、(I-B)である、請求項1に記載の光電子デバイス。
- X1、X8、およびX9のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X4、X5、およびX10のうちの少なくとも1つが、(I-C)である、請求項1に記載の光電子デバイス。
- A1、A2、A3、A4、およびA5のうちの少なくとも1つが、t-ブチル、メトキシ、トリフルオロメトキシ、メチル、トリフルオロメチル、またはFである、請求項4に記載の光電子デバイス。
- 前記A1、A2、A3、A4、およびA5のうちの最大3つが、Fである、請求項4に記載の光電子デバイス。
- B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、C1、C2、C3、C4、C5、C6、およびC7が、Hである、請求項4に記載の光電子デバイス。
- 前記NICが、4.5nm~110nmの厚さを有する、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記第1の部分が、少なくとも1つの発光領域を含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記第2の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 第1の電極、第2の電極、および前記第1の電極と前記第2の電極との間の半導電性層をさらに備え、前記第2の電極が、前記第1の部分の前記NICと前記半導電性層との間に延在する、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記第2の電極に電気的に結合される、請求項14に記載の光電子デバイス。
- 前記第1の部分の少なくとも第1の一部が、前記第2の部分の少なくとも第2の一部と重なる、請求項12に記載の光電子デバイス。
- 前記NICが、前記第2の一部内の前記デバイスの前記表面上に配設され、前記導電性コーティングが、その中の前記NICの上に配設されている、請求項16に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、断面側面において前記NICから離間している、請求項17に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、補助電極に電気的に結合される、請求項16に記載の光電子デバイス。
- 前記第2の部分が、少なくとも1つの追加の発光領域を含む、請求項16に記載の光電子デバイス。
- 前記デバイスの前記第2の部分の前記追加の発光領域のうちの少なくとも1つが、第1の電極、第2の電極、および前記第1の電極と前記第2の電極との間の半導電性層を含み、前記第2の電極が、前記導電性コーティングを含む、請求項20に記載の光電子デバイス。
- 前記デバイスの前記第2の部分の前記少なくとも1つの追加の発光領域から放出される光の波長が、前記デバイスの前記第1の部分の前記少なくとも1つの発光領域から放出される光の波長と異なる、請求項20に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、補助電極を含む、請求項12に記載の光電子デバイス。
- 前記第2の部分が、少なくとも1つの発光領域を含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記第1の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、請求項24に記載の光電子デバイス。
- 前記第1の部分が、前記第1の部分を通して光透過性である、請求項24に記載の光電子デバイス。
- 第1の電極、第2の電極、および前記第1の電極と前記第2の電極との間の半導電性層をさらに備え、前記第2の電極が、前記第1の部分の前記NICと前記半導電性層との間に延在する、請求項24に記載の光電子デバイス。
- 前記第2の電極が、前記第2の部分の前記導電性コーティングと前記半導電性層との間に延在する、請求項27に記載の光電子デバイス。
- 第1の電極、前記第1の電極と前記導電性コーティングとの間の半導電性層をさらに備え、前記導電性コーティングが、前記デバイスの第2の電極を含む、請求項24に記載の光電子デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022184850A JP2023018039A (ja) | 2018-02-02 | 2022-11-18 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP2024002635A JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862625722P | 2018-02-02 | 2018-02-02 | |
US201862625710P | 2018-02-02 | 2018-02-02 | |
US62/625,710 | 2018-02-02 | ||
US62/625,722 | 2018-02-02 | ||
US201862770360P | 2018-11-21 | 2018-11-21 | |
US62/770,360 | 2018-11-21 | ||
PCT/IB2019/050839 WO2019150327A1 (en) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022184850A Division JP2023018039A (ja) | 2018-02-02 | 2022-11-18 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021512467A JP2021512467A (ja) | 2021-05-13 |
JPWO2019150327A5 JPWO2019150327A5 (ja) | 2022-01-26 |
JP7425480B2 true JP7425480B2 (ja) | 2024-01-31 |
Family
ID=67479068
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541978A Active JP7425480B2 (ja) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP2022184850A Pending JP2023018039A (ja) | 2018-02-02 | 2022-11-18 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP2024002635A Pending JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022184850A Pending JP2023018039A (ja) | 2018-02-02 | 2022-11-18 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP2024002635A Pending JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11751415B2 (ja) |
JP (3) | JP7425480B2 (ja) |
KR (1) | KR20200125941A (ja) |
CN (1) | CN112135808A (ja) |
WO (1) | WO2019150327A1 (ja) |
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JP2018533183A (ja) | 2015-10-26 | 2018-11-08 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドOti Lumionics Inc. | パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法 |
US20170117478A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
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Publication number | Publication date |
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WO2019150327A1 (en) | 2019-08-08 |
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US20230363196A1 (en) | 2023-11-09 |
JP2023018039A (ja) | 2023-02-07 |
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