JP7425480B2 - 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス - Google Patents
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関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年２月２日に出願された米国特許仮出願第６２／６２５，７１０号、２０１８年２月２日に出願された同第６２／６２５，７２２号、２０１８年１１月２１日に出願された同第６２／７７０，３６０号に対する優先権の利益を主張するものであり、それらの開示は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１８年２月２日に出願された米国特許仮出願第６２／６２５，７１０号、２０１８年２月２日に出願された同第６２／６２５，７２２号、２０１８年１１月２１日に出願された同第６２／７７０，３６０号に対する優先権の利益を主張するものであり、それらの開示は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
以下は、概して、表面上に導電性コーティングを選択的に堆積させる際に使用するための核生成抑制コーティングを形成するための材料に関する。具体的には、そのような核生成抑制コーティングおよび導電性コーティングを組み込んだ光電子デバイスが説明される。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、通常、導電性薄膜電極の間に挿入された有機材料のいくつかの層を含み、その有機層のうちの少なくとも１つはエレクトロルミネセント層である。電極に電圧を印加すると、アノードから正孔が、カソードから電子がそれぞれ注入される。電極によって注入された正孔と電子は、有機層を通って移動し、エレクトロルミネセント層に到達する。正孔と電子が近接しているとき、クーロン力により互いに引き付けられる。次に、正孔と電子が結合して、励起子と呼ばれる束縛状態を形成することができる。励起子は、光子が放出される輻射再結合プロセスを通じて減衰する場合がある。あるいは、励起子は、光子が放出されない非輻射再結合プロセスを通じて減衰する場合がある。本明細書で使用する場合、内部量子効率（ＩＱＥ）は、輻射再結合プロセスを通じて減衰する、デバイスで生成される全ての電子正孔対の割合であると理解されることに留意されたい。
輻射再結合プロセスは、電子正孔対（つまり、励起子）のスピン状態に応じて、蛍光またはリン光プロセスとして発生し得る。具体的には、電子正孔対によって形成される励起子は、一重項または三重項スピン状態を有するものとして特徴付けられ得る。概して、一重項励起子の輻射減衰により蛍光が発生し、三重項励起子の輻射減衰によりリン光が発生する。
より最近では、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を含む、ＯＬＥＤの他の発光メカニズムが提案および調査されている。簡単に言えば、ＴＡＤＦ放出は、熱エネルギーを利用した逆項間交差プロセスを介した三重項励起子の一重項励起子への変換と、それに続く一重項励起子の輻射減衰によって発生する。
ＯＬＥＤデバイスの外部量子効率（ＥＱＥ）は、デバイスによって放出される光子の数に対する、ＯＬＥＤデバイスに提供される電荷キャリアの比率を指す場合がある。例えば、ＥＱＥが１００％の場合、デバイスに注入される電子ごとに１つの光子が放出されることを示す。理解されるように、デバイスのＥＱＥは、概して、デバイスのＩＱＥよりも実質的に低い。ＥＱＥとＩＱＥの違いは、概して、デバイスの様々な構成要素によって引き起こされる光の吸収および反射など、多くの要因に起因し得る。
ＯＬＥＤデバイスは、通常、デバイスから光が放出される相対的な方向に応じて、「ボトムエミッション」デバイスまたは「トップエミッション」デバイスとして分類できる。ボトムエミッションデバイスでは、輻射再結合プロセスの結果として生成された光は、デバイスのベース基板に向かう方向に放出されるが、トップエミッションデバイスでは、光はベース基板から離れる方向に放出される。したがって、ベース基板の近位にある電極は、概して、ボトムエミッションデバイスでは光透過性（例えば、実質的に透明または半透明）になるように作られるが、トップエミッションデバイスでは、ベース基板の遠位にある電極が、概して、光の減衰を低減するために光透過性になるように作られる。特定のデバイス構造に応じて、アノードまたはカソードのいずれかが、トップエミッションデバイスおよびボトムエミッションデバイスの透過電極として機能することができる。
ＯＬＥＤデバイスは、ベース基板に対して両方向に光を放出するように構成された両面発光デバイスであってもよい。例えば、両面発光デバイスは、各ピクセルからの光が両方向に放出されるように、透過性アノードおよび透過性カソードを含むことができる。別の例では、両面発光ディスプレイデバイスは、各ピクセルからの単一の電極が透過性であるように、一方の方向に光を放出するように構成された第１のピクセルセットと、他方の方向に光を放出するように構成された第２のピクセルセットとを含むことができる。
上記のデバイス構成に加えて、透明または半透明のＯＬＥＤデバイスを実装することもでき、デバイスは、外部光をデバイスに透過させる透明部分を含む。例えば、透明ＯＬＥＤディスプレイデバイスでは、透明部分は、各隣接するピクセル間の非発光領域に設けられてもよい。別の例では、パネルの発光領域の間に複数の透明領域を設けることにより、透明ＯＬＥＤ照明パネルを形成することができる。透明または半透明のＯＬＥＤデバイスは、ボトムエミッション、トップエミッション、または両面発光のデバイスであってもよい。
カソードまたはアノードのいずれかを透過性電極として選択することができるが、典型的なトップエミッションデバイスは、光透過性カソードを含む。透過性カソードの形成に通常使用される材料には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、ならびに、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、または、マグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）合金およびイッテルビウム銀（Ｙｂ：Ａｇ）合金などの、体積で約１：９から約９：１の範囲の組成の様々な金属合金の薄層を堆積して形成される薄膜が含まれる。２層以上のＴＣＯおよび／または金属薄膜を含む多層カソードも使用することができる。
特に薄膜の場合、最大約数十ナノメートルの比較的薄い層の厚さが、ＯＬＥＤで使用するための透明度の向上と好ましい光学特性（例えば、マイクロキャビティ効果の低減）に寄与する。しかしながら、透過電極の厚さの減少は、そのシート抵抗の増加を伴う。高いシート抵抗を持つ電極は、デバイスの使用時に大きな電流抵抗（ＩＲ）ドロップを引き起こし、ＯＬＥＤの性能と効率に悪影響を与えるため、概してＯＬＥＤでの使用には望ましくない。ＩＲドロップは、電源レベルを上げることである程度補償することができるが、１つのピクセルの電源レベルが増加すると、デバイスの適切な動作を維持するために他のコンポーネントに供給される電圧も増加するため、好ましくない。
トップエミッションＯＬＥＤデバイスの電源仕様を削減するために、デバイスにバスバー構造または補助電極を形成するソリューションが提案されている。例えば、そのような補助電極は、ＯＬＥＤデバイスの透過性電極と電気的に連絡する導電性コーティングを堆積させることによって形成することができる。そのような補助電極は、透過電極のシート抵抗および関連するＩＲドロップを低減させることにより、電流がデバイスの様々な領域により効果的に流すことを可能にし得る。
補助電極は通常、アノード、１つ以上の有機層、およびカソードを含むＯＬＥＤスタックの上に設けられるため、補助電極のパターニングは、従来から、例えば物理蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって導電性コーティングが選択的に堆積されるマスクアパーチャを備えたシャドウマスクを使用して実現される。しかしながら、マスクは通常、金属マスクであるため、高温堆積プロセス中に反り、それによってマスクのアパーチャおよび得られた堆積パターンが歪む傾向がある。さらに、導電性コーティングがマスクに付着し、マスクの特徴部を見えにくくするため、マスクは通常、連続的な堆積によって劣化する。その結果、そのようなマスクは、時間および費用のかかるプロセスを使用して洗浄するか、または、マスクが目的のパターンの生成に効果がないとみなされた場合には処分する必要がある。したがって、このようなプロセスは非常に高価で複雑となる。したがって、シャドウマスクプロセスは、ＯＬＥＤデバイスの大量生産には商業的に実現できない可能性がある。さらに、大きな金属マスクは通常、シャドウマスクの堆積プロセス中に引き伸ばされるため、シャドウマスクプロセスを使用して生成できる特徴部のアスペクト比は通常、シャドウイング効果およびメタルマスクの機械的（例えば、引張り）強度によって制約を受ける。
シャドウマスクを介して表面上に導電性コーティングをパターニングする際の別の課題は、特定のパターンが、全てではないが、単一のマスクを使用して実現され得るということである。マスクの各部分は物理的にサポートされているため、全てのパターンが単一の処理段階で可能であるとは限らない。例えば、パターンが孤立した特徴部を指定する場合、単一のマスク処理段階は、通常、所望のパターンを実現するために使用することができない。さらに、デバイス表面全体に広がる繰り返し構造（例えば、バスバー構造または補助電極）を生成するために使用されるマスクは、マスク上に形成された多数の穿孔またはアパーチャを含む。しかしながら、マスク上に多数のアパーチャを形成すると、マスクの構造的完全性が損なわれる可能性があり、これにより、処理中にマスクの顕著な反りまたは変形が生じ、堆積構造のパターンが歪む可能性がある。
上記に加えて、実質的に均一な厚さを有する共通電極がＯＬＥＤディスプレイデバイスのトップエミッションカソードとして設けられる場合、デバイスの光学性能は、各サブピクセルに関連するエミッションスペクトルに従って微調整することは容易ではない。典型的なＯＬＥＤディスプレイデバイスでは、赤、緑、青のサブピクセルが設けられて、ディスプレイデバイスのピクセルを形成する。そのようなＯＬＥＤディスプレイデバイスで使用されるトップエミッション電極は、通常、複数のピクセルをコーティングする共通電極である。例えば、そのような共通電極は、デバイス全体にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電層である場合がある。異なるサブピクセル内に配設された有機層の厚さを変化させることによって、各サブピクセルの色に関連した光マイクロキャビティ効果を調整する努力がなされてきたが、そのようなアプローチは、少なくとも一部の場合には、光マイクロキャビティ効果の十分な調整の程度を提供しない場合がある。さらに、そのようなアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイの生産環境で実装するのが難しい場合がある。
次に、一部の実施形態を、添付の図面を参照して例として説明する。
一実施形態による、核生成抑制コーティングのシャドウマスク堆積を示す概略図である。
一実施形態による、核生成抑制コーティングのマイクロコンタクト転写印刷プロセスを示す概略図である。
一実施形態による、核生成抑制コーティングのマイクロコンタクト転写印刷プロセスを示す概略図である。
一実施形態による、核生成抑制コーティングのマイクロコンタクト転写印刷プロセスを示す概略図である。
一実施形態による、パターニング表面上への導電性コーティングの堆積を示す概略図である。
プロセスの一実施形態に従って製造されたデバイスを示す図である。
一実施形態による、導電性コーティングを選択的に堆積させるプロセスを示す概略図である。
一実施形態による、導電性コーティングを選択的に堆積させるプロセスを示す概略図である。
一実施形態による、導電性コーティングを選択的に堆積させるプロセスを示す概略図である。
別の実施形態による、導電性コーティングを選択的に堆積させるプロセスを示す概略図である。
別の実施形態による、導電性コーティングを選択的に堆積させるプロセスを示す概略図である。
別の実施形態による、導電性コーティングを選択的に堆積させるプロセスを示す概略図である。
一実施形態による、エレクトロルミネセントデバイスを示す図である。
一実施形態による、プロセス段階を示すフロー図である。
一例による、オープンマスクを示す上面図である。
別の例による、オープンマスクを示す上面図である。
さらに別の例による、オープンマスクを示す上面図である。
さらに別の例による、オープンマスクを示す上面図である。
一実施形態による、ＯＬＥＤデバイスの上面図である。
図１４のＯＬＥＤデバイスの断面図である。
別の実施形態によるＯＬＥＤデバイスの断面図である。
一実施形態による、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの上面図を示す概略図である。
図１７ＡのパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの概略断面図である。
封入後の図１７ＢのパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの概略断面図である。
比較のパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの概略断面図である。
様々な実施形態による、補助電極の一部分を示す。
様々な実施形態による、補助電極の一部分を示す。
様々な実施形態による、補助電極の一部分を示す。
様々な実施形態による、補助電極の一部分を示す。
一実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを示す。
一実施形態による、ピクセル配置を有するデバイスの一部分を示す。
図１５によるデバイスのＡ－Ａ線に沿った断面図である。
図１５によるデバイスのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。
一実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面の周りの断面プロファイルを示す図である。
別の実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面の周りの断面プロファイルを示す図である。
一実施形態による、導電性コーティング、核生成抑制コーティング、および核生成促進コーティングの界面の周りの断面プロファイルを示す図である。
別の実施形態による、導電性コーティング、核生成抑制コーティング、および核生成促進コーティングの界面の周りの断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面の周りの断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面付近の断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面付近の断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面付近の断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの界面付近の断面プロファイルを示す図である。
一実施形態による、導電性コーティングの堆積後の核生成抑制コーティングを除去するためのプロセスを示す。
一実施形態による、導電性コーティングの堆積後の核生成抑制コーティングを除去するためのプロセスを示す。
一実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面プロファイルを示す図である。
別の実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面プロファイルを示す図である。
さらに別の実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面プロファイルを示す図である。
一実施形態による、透明アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスを示す図である。
図２８Ａによる、デバイスの断面プロファイルを示す図である。
一実施形態による、透明アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスを示す図である。
図２９Ａの一実施形態によるデバイスの断面プロファイルを示す図である。
図２９Ａの別の実施形態によるデバイスの断面プロファイルを示す図である。
一実施形態による、デバイスを製造するための段階を示すフロー図である。
図３０の実施形態による、デバイス製造の様々な段階を示す概略図である。
図３０の実施形態による、デバイス製造の様々な段階を示す概略図である。
図３０の実施形態による、デバイス製造の様々な段階を示す概略図である。
図３０の実施形態による、デバイス製造の様々な段階を示す概略図である。
さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を示す概略図である。
さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を示す概略図である。
さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を示す概略図である。
さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を示す概略図である。
一実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面プロファイルを示す概略図である。
膜核の形成を示す模式図である。
吸着原子の相対エネルギー状態を示す模式図である。
シミュレーションモデル例で考慮された様々な事象を説明する概略図である。
図示の簡略化と明確化のために、適切であるとみなされる場合には、対応する構成要素または類似する構成要素を示すために、参照番号が図面間で繰り返され得ることが理解されよう。さらに、本明細書で説明される例示的な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細が記載されている。しかしながら、本明細書に記載されている例示的な実施形態は、それらの特定の詳細の一部がなくても実施できることが当業者には理解されよう。他の例では、本明細書で説明される例示的な実施形態を不明瞭にしないように、特定の方法、手順、および構成要素は詳細には説明されていない。
一部の実施形態による一態様では、表面上に導電性コーティングを堆積させる方法が提供される。一部の実施形態では、方法は、光電子デバイスの製造方法に関連して実行される。一部の実施形態では、方法は、別のデバイスの製造方法に関連して実行される。一部の実施形態では、方法は、基板の第１の領域上に核生成抑制コーティングを堆積させて、パターニング基板を作製することを含む。パターニング基板は、核生成抑制コーティングによって被覆された第１の領域と、核生成抑制コーティングから露出しているか、あるいは核生成抑制コーティングが実質的に存在しないか、または核生成抑制コーティングによって実質的に被覆されていない基板の第２の領域とを含む。本方法はまた、パターニング基板を処理して、基板の第２の領域上に導電性コーティングを堆積させることを含む。一部の実施形態では、導電性コーティングの材料はマグネシウムを含む。一部の実施形態では、パターニング基板を処理することは、核生成抑制コーティングと基板の第２の領域の両方を処理して、基板の第２の領域に導電性コーティングを堆積させることを含み、一方、核生成抑制コーティングは、導電性コーティングから露出したままであるか、あるいは導電性コーティングが実質的に存在しないか、または導電性コーティングによって実質的に被覆されていない。一部の実施形態では、パターニング基板を処理することは、導電性コーティングを形成するために使用される源材料の蒸発または昇華を実行すること、および核生成抑制コーティングと基板の第２の領域の両方を蒸発した源材料に曝すことを含む。
本明細書で使用する場合、「核生成抑制」という用語は、表面への導電性材料の堆積が抑制されるように、導電性材料の堆積に対して比較的低い親和性を示す表面を有する材料のコーティングまたは層を指すために使用され、一方、「核生成促進」という用語は、表面への導電性材料の堆積が促進されるように、導電性材料の堆積に対して比較的高い親和性を示す表面を有する材料のコーティングまたは層を指すために使用される。表面の核生成抑制特性または核生成促進特性の１つの尺度は、マグネシウムなどの導電性材料の表面の初期付着確率である。例えば、マグネシウムに関する核生成抑制コーティングは、表面へのマグネシウムの堆積が抑制されるように、マグネシウム蒸気に対して比較的低い初期付着確率を示す表面を有するコーティングを指すことができ、一方、マグネシウムに関する核生成促進コーティングは、表面へのマグネシウムの堆積が促進されるように、マグネシウム蒸気に対して比較的高い初期付着確率を示す表面を有するコーティングを指すことができる。本明細書で使用する場合、「付着確率」および「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。表面の核生成抑制特性または核生成促進特性の別の尺度は、別の（基準）表面上の導電性材料の初期堆積速度に対する、表面上のマグネシウムなどの導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、導電性材料の蒸発フラックスに曝すか、または露出される。
本明細書で使用する場合、「蒸発」および「昇華」という用語は互換的に使用され、概して、源材料が（例えば、加熱によって）蒸気に変換されて、例えば、固体状態でターゲット表面上に堆積される堆積プロセスを指す。
本明細書で使用する場合、材料が「実質的に存在しない」または「実質的に被覆されていない」表面（または表面の特定の領域）は、表面（または表面の特定の領域）に材料が実質的に存在しないことを指す。具体的には、導電性コーティングに関して、マグネシウムを含む金属などの導電性材料は光を減衰させ、かつ／または光を吸収するので、表面上の導電性材料の量の１つの尺度は光透過率となる。したがって、電磁スペクトルの可視部分で光透過率が９０％を超える、９２％を超える、９５％を超える、または９８％を超える場合、表面には導電性材料が実質的に存在しないとみなすことができる。表面上の材料の量の別の尺度は、材料による表面の被覆率であり、例えば、材料による被覆率が１０％以下、８％以下、５％以下、３％以下、または１％以下の場合、表面には材料が実質的に存在しないとみなすことができる。表面の被覆は、透過型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、または走査型電子顕微鏡などの画像技術を使用して評価できる。
選択的堆積
図１は、一実施形態による、核生成抑制コーティング１４０を基板１００の表面１０２上に堆積させるプロセスを示す概略図である。図１の実施形態では、源材料を含むソース１２０が真空下で加熱されて、源材料を蒸発または昇華させる。源材料は、核生成抑制コーティング１４０を形成するために使用される材料を含むか、または実質的にその材料から構成される。次に、蒸発した源材料は、矢印１２２によって示される方向に基板１００に向かって進行する。アパーチャまたはスリット１１２を有するシャドウマスク１１０は、アパーチャ１１２を通って進行するフラックスの一部分が基板１００の表面１０２の領域に選択的に入射するように、蒸発した源材料の経路に配設され、それにより、その上に核生成抑制コーティング１４０を形成する。
図１は、一実施形態による、核生成抑制コーティング１４０を基板１００の表面１０２上に堆積させるプロセスを示す概略図である。図１の実施形態では、源材料を含むソース１２０が真空下で加熱されて、源材料を蒸発または昇華させる。源材料は、核生成抑制コーティング１４０を形成するために使用される材料を含むか、または実質的にその材料から構成される。次に、蒸発した源材料は、矢印１２２によって示される方向に基板１００に向かって進行する。アパーチャまたはスリット１１２を有するシャドウマスク１１０は、アパーチャ１１２を通って進行するフラックスの一部分が基板１００の表面１０２の領域に選択的に入射するように、蒸発した源材料の経路に配設され、それにより、その上に核生成抑制コーティング１４０を形成する。
図２Ａ～図２Ｃは、一実施形態において、基板の表面上に核生成抑制コーティングを堆積させるためのマイクロコンタクト転写印刷プロセスを示す。シャドウマスクプロセスと同様に、マイクロコンタクト印刷プロセスを使用して、核生成抑制コーティングを基板表面の領域に選択的に堆積させることができる。
図２Ａは、マイクロコンタクト転写印刷プロセスの第１の段階を示しており、突起２１２を含むスタンプ２１０には、突起２１２の表面上に核生成抑制コーティング２４０が設けられる。当業者によって理解されるように、核生成抑制コーティング２４０は、様々な適切なプロセスを使用して、突起２１２の表面上に堆積させることができる。
図２Ｂに示されるように、次に、突起２１２の表面上に堆積された核生成抑制コーティング２４０が基板１００の表面１０２と接触するように、スタンプ２１０を基板１００に近接させる。核生成抑制コーティング２４０が表面１０２に接触すると、核生成抑制コーティング２４０は、基板１００の表面１０２に付着する。
したがって、図２Ｃに示すように、スタンプ２１０が基板１００から離れるように移動すると、核生成抑制コーティング２４０は、基板１００の表面１０２上に効果的に転写される。
核生成抑制コーティングが基板の表面の領域に堆積されると、核生成抑制コーティングが存在しない表面の残りの非被覆領域に導電性コーティングを堆積させることができる。図３を参照すると、導電性コーティング源４１０は、蒸発した導電性材料を基板１００の表面１０２に方向付けるように示されている。図３に示すように、導電性コーティング源４１０は、被覆または処理された領域（すなわち、核生成抑制コーティング１４０がその上に堆積された表面１０２の領域）と、表面１０２の被覆されていないか、または処理されていない領域の両方に入射するように、蒸発した導電性材料を方向付けることができる。しかしながら、核生成抑制コーティング１４０の表面は、基板１００の非被覆表面１０２の表面と比較して比較的小さい初期付着係数を示すので、導電性コーティング４４０は、核生成抑制コーティング１４０が存在しない表面１０２の領域に選択的に堆積させる。例えば、表面１０２の非被覆領域上の蒸発した導電性材料の初期堆積速度は、核生成抑制コーティング１４０の表面上での蒸発した導電性材料の初期堆積速度の少なくとも約８０倍以上、少なくとも約１００倍以上、少なくとも約２００倍以上、少なくとも約５００倍以上、少なくとも約７００倍以上、少なくとも約１０００倍以上、少なくとも約１５００倍以上、少なくとも約１７００倍以上、または少なくとも約２０００倍以上であり得る。導電性コーティング４４０は、例えば、純粋なマグネシウム、または実質的に純粋なマグネシウムを含み得る。
シャドウマスクのパターニングおよびマイクロコンタクト転写印刷プロセスを図示し説明してきたが、核生成抑制材料を堆積させることによって基板を選択的にパターニングするために他のプロセスを使用できることが理解されよう。核生成抑制コーティングを選択的に堆積させるために、表面をパターニングする様々な加法プロセスおよび減法プロセスを使用することができる。このようなプロセスの例には、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷およびリールツーリール印刷を含む）、有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、およびレーザ誘起サーマルイメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、ならびにそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。
一部の用途では、導電性コーティングを容易に堆積し得ない基板表面上に、特定の材料特性を有する導電性コーティングを堆積させることが望ましい場合がある。例えば、純粋なマグネシウムまたは実質的に純粋なマグネシウムは、一部の有機表面上のマグネシウムの付着係数が小さいため、通常、一部の有機表面上に容易に堆積させることができない。したがって、一部の実施形態では、導電性コーティングを堆積させる前に、その上に核生成促進コーティングを堆積させることによって、基板表面がさらに処理される。
発見および実験的観察に基づいて、本明細書でさらに説明するように、フラーレンおよび他の核生成促進材料は、マグネシウムを含む導電性コーティングの堆積のための核生成部位として機能すると想定される。例えば、マグネシウムがフラーレン処理された表面に蒸発プロセスを使用して堆積される場合、フラーレン分子は、マグネシウム堆積のための安定した核の形成を促進する核生成部位として機能する。場合によっては、マグネシウムの堆積のための核生成部位として機能するように、処理された表面に単分子層未満のフラーレンまたは他の核生成促進材料を設けることができる。理解されるように、核生成促進材料のいくつかの単分子層を堆積させることにより表面を処理すると、核生成部位の数を多くすることができ、これにより、初期付着確率が高くなる。核生成促進材料の他の例には、ＡｇおよびＹｂなどの金属、ならびにＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）およびＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの金属酸化物が含まれるが、これらに限定されない。
表面上に堆積されたフラーレンまたは他の材料の量は、１単分子層よりも多くてもよく、または少なくてもよいことが理解されよう。例えば、表面は、０．１単分子層、１単分子層、１０単分子層、またはそれ以上の核生成促進材料または核生成抑制材料を堆積させることにより処理されてもよい。本明細書で使用されるように、１単分子層の材料を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単層で表面の所望の領域を被覆する材料の量を指す。同様に、本明細書で使用されるように、０．１単分子層の材料を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単層で表面の所望の領域の１０％を被覆する材料の量を指す。例えば、分子または原子のスタッキングまたはクラスタリングの可能性があるため、堆積された材料の実際の厚さは不均一になる可能性がある。例えば、１単分子層の材料を堆積させると、表面の一部の領域が材料で被覆されなくなり、表面の他の領域は、その上に堆積される複数の原子層または分子層を有する場合がある。一部の実施形態では、核生成促進コーティングの厚さは、約１ｎｍ～約５ｎｍ、または約１ｎｍ～約３ｎｍであってもよい。
本明細書で使用する場合、「フラーレン」という用語は、炭素分子を含む材料を指す。フラーレン分子の例には、閉殻を形成し、形状が球形または半球形であり得る、複数の炭素原子を含む三次元骨格を含む炭素ケージ分子が含まれる。フラーレン分子はＣｎとして指定でき、ここで、ｎはフラーレン分子の炭素骨格に含まれる炭素原子の数に対応する整数である。フラーレン分子の例には、Ｃｎが含まれ、ここで、ｎは、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、およびＣ８４などの５０～２５０の範囲である。フラーレン分子のさらなる例には、単分子層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブなど、チューブ状または円筒状の炭素分子が含まれる。
図４は、導電性コーティング４４０の堆積の前に核生成促進コーティング１６０が堆積されるデバイスの実施形態を示す。図４に示すように、核生成促進コーティング１６０は、核生成抑制コーティング１４０によって被覆されていない基板１００の領域の上に堆積される。したがって、導電性コーティング４４０が堆積されると、導電性コーティング４４０は、核生成促進コーティング１６０よりも優先的に形成される。例えば、核生成促進コーティング１６０の表面上の導電性コーティング４４０の材料の初期堆積速度は、核生成抑制コーティング１４０の表面上の材料の初期堆積速度の少なくとも約８０倍以上、少なくとも約１００倍以上、少なくとも約２００倍以上、少なくとも約５００倍以上、少なくとも約７００倍以上、少なくとも約１０００倍以上、少なくとも約１５００倍以上、少なくとも約１７００倍以上、または少なくとも約２０００倍以上であり得る。概して、核生成促進コーティング１６０は、核生成抑制コーティング１４０の堆積の前または後に、基板１００上に堆積され得る。表面上に材料を選択的に堆積させるための様々なプロセスを使用して、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターニング、およびそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、核生成促進コーティング１６０を堆積させることができる。
図５Ａ～図５Ｃは、一実施形態における、基板の表面上に導電性コーティングを堆積させるためのプロセスを示す。
図５Ａでは、基板１００の表面１０２は、その上に核生成抑制コーティング１４０を堆積させることによって処理される。具体的には、図示の実施形態では、堆積は、ソース１２０の内部で源材料を蒸発させ、蒸発した源材料を表面１０２に方向付け、その上に堆積させることによって実現される。蒸発したフラックスが表面１０２に方向付けられる一般的な方向は、矢印１２２で示されている。図示のように、核生成抑制コーティング１４０の堆積は、核生成抑制コーティング１４０が実質的に表面１０２全体を被覆して処理表面１４２を生成するように、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで、実行することができる。あるいは、核生成抑制コーティング１４０は、例えば、上記の選択的堆積技術を使用して、表面１０２の領域上に選択的に堆積されてもよい。
核生成抑制コーティング１４０は、蒸発によって堆積されるものとして示されているが、スピンコーティング、ディップコーティング、印刷、スプレーコーティング、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターニング、物理蒸着（ＰＶＤ）（スパッタリングを含む）、化学蒸着（ＣＶＤ）、およびそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、他の堆積および表面コーティング技術が使用され得ることが理解されよう。
図５Ｂでは、シャドウマスク１１０は、処理された表面１４２上に核生成促進コーティング１６０を選択的に堆積させるために使用される。図示のように、ソース１２０から進行する蒸発した源材料は、マスク１１０を介して基板１００に方向付けられる。マスクは、マスク１１０に入射する蒸発した源材料の一部分がマスク１１０を進行して通過するのを防止されるように、アパーチャまたはスリット１１２を含み、マスク１１０のアパーチャ１１２を通して方向付けられる蒸発した源材料の別の部分は、処理された表面１４２上に選択的に堆積して、核生成促進コーティング１６０を形成する。したがって、核生成促進コーティング１６０の堆積が完了すると、パターニング表面１４４が生成される。
図５Ｃは、パターニング表面１４４上に導電性コーティング４４０を堆積させる段階を示す。導電性コーティング４４０は、例えば、純粋なマグネシウム、または実質的に純粋なマグネシウムを含み得る。以下でさらに説明するように、導電性コーティング４４０の材料は、核生成抑制コーティング１４０に対して比較的小さい初期付着係数、および核生成促進コーティング１６０に対して比較的高い初期付着係数を示す。したがって、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで堆積を実行して、核生成促進コーティング１６０が存在する基板１００の領域上に導電性コーティング４４０を選択的に堆積させることができる。図５Ｃに示すように、核生成抑制コーティング１４０の表面に入射する導電性コーティング４４０の蒸発した材料は、核生成抑制コーティング１４０上に堆積されるのを大幅に防止するか、または実質的に防止することができる。
図５Ｄ～図５Ｆは、別の実施形態において、基板の表面上に導電性コーティングを堆積させるためのプロセスを示す。
図５Ｄでは、核生成促進コーティング１６０が、基板１００の表面１０２上に堆積される。例えば、核生成促進コーティング１６０は、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで、熱蒸発によって堆積させることができる。あるいは、スピンコーティング、ディップコーティング、印刷、スプレーコーティング、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターニング、ＰＶＤ（スパッタリングを含む）、ＣＶＤ、およびそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、他の堆積および表面コーティング技術を使用してもよい。
図５Ｅでは、核生成抑制コーティング１４０は、シャドウマスク１１０を使用して核生成促進コーティング１６０の領域の上に選択的に堆積される。したがって、核生成抑制コーティング１４０の堆積が完了すると、パターニング表面が生成される。次に、図５Ｆでは、導電性コーティング４４０が核生成促進コーティング１６０の露出領域上に形成されるように、導電性コーティング４４０がオープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用してパターニング表面上に堆積される。
前述の実施形態では、プロセスによって形成された導電性コーティング４４０は、電子デバイスの電極または導電性構造として使用できることが理解されよう。例えば、導電性コーティング４４０は、ＯＬＥＤデバイスまたは有機光起電性（ＯＰＶ）デバイスなどの有機光電子デバイスのアノードまたはカソードであってもよい。さらに、導電性コーティング４４０はまた、活性層材料として量子ドットを含む光電子デバイスの電極として使用されてもよい。例えば、そのようなデバイスは、一対の電極間に配設された活性層を含むことができ、活性層は、量子ドットを含む。デバイスは、例えば、電極によって提供される電流の結果として光が量子ドット活性層から放出される、エレクトロルミネセント量子ドットディスプレイデバイスであってもよい。導電性コーティング４４０は、前述のデバイスのいずれかのためのバスバーまたは補助電極であってもよい。
したがって、様々なコーティングが堆積される基板１００は、前述の実施形態で具体的に図示または説明されていない１つ以上の追加の有機層および／または無機層を含むことができることが理解されよう。例えば、ＯＬＥＤデバイスの場合、基板１００は、１つ以上の電極（例えば、アノードおよび／またはカソード）、電荷注入および／または輸送層、およびエレクトロルミネセント層を含み得る。基板１００は、アクティブマトリクスまたはパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスに含まれる、抵抗器およびコンデンサなどの１つ以上のトランジスタおよび他の電子構成要素をさらに含むことができる。例えば、基板１００は、１つ以上のトップゲート薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１つ以上のボトムゲートＴＦＴ、および／または他のＴＦＴ構造を含むことができる。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の例には、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）などが含まれる。
基板１００はまた、上記で特定された追加の有機層および／または無機層を支持するためのベース基板を含み得る。例えば、ベース基板は、可撓性または剛性の基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板としての使用に適した他の材料を含み得る。
基板１００の表面１０２は、有機表面または無機表面であり得る。例えば、導電性コーティング４４０がＯＬＥＤデバイスのカソードとして使用するためのものである場合、表面１０２は、有機層のスタック（例えば、電子注入層の表面）の上面であってもよい。別の例では、導電性コーティング４４０がトップエミッションＯＬＥＤデバイスの補助電極として使用するためのものである場合、表面１０２は、電極（例えば、共通カソード）の上面であってもよい。あるいは、そのような補助電極は、有機層のスタックの上の透過性電極の直下に形成されてもよい。
図６は、一実施形態によるエレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイス６００を示す。ＥＬデバイス６００は、例えば、ＯＬＥＤデバイスまたはエレクトロルミネセンス量子ドットデバイスであり得る。一実施形態では、デバイス６００は、ベース基板６１６、アノード６１４、半導電性層６３０、およびカソード６０２を含むＯＬＥＤデバイスである。図示の実施形態では、半導電性層６３０は、正孔注入層６１２、正孔輸送層６１０、エレクトロルミネセント層６０８、電子輸送層６０６、および電子注入層６０４を含む。ＯＬＥＤデバイスの半導電性層６３０は、通常、有機半導電性材料を含むので、半導電性層６３０は、本明細書では互換的に有機層と呼ばれる場合がある。
正孔注入層６１２は、アノード６１４による正孔の注入を概して促進する正孔注入材料を使用して形成することができる。正孔輸送層６１０は、概して高い正孔移動度を示す材料である正孔輸送材料を使用して形成することができる。
エレクトロルミネセント層６０８は、例えば、ホスト材料にエミッタ材料をドープすることによって形成することができる。エミッタ材料は、例えば、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、またはＴＡＤＦエミッタであってもよい。複数のエミッタ材料をホスト材料にドープして、エレクトロルミネセント層６０８を形成することもできる。
電子輸送層６０６は、概して高い電子移動度を示す電子輸送材料を使用して形成することができる。電子注入層６０４は、カソード６０２による電子の注入を概して促進するように作用する電子注入材料を使用して形成することができる。
デバイス６００の構造は、１つ以上の層を省略または組み合わせることによって変化させてもよいことが理解されよう。具体的には、正孔注入層６１２、正孔輸送層６１０、電子輸送層６０６、および電子注入層６０４のうちの１つ以上は、デバイス構造から省略されてもよい。１つ以上の追加の層がデバイス構造内に存在してもよい。そのような追加の層には、例えば、正孔阻止層、電子阻止層、ならびに追加の電荷輸送および／または注入層が含まれる。各層は、任意の数の副層をさらに含むことができ、各層および／または副層は、様々な混合物および組成勾配を含むことができる。また、デバイス６００は、無機材料および／または有機金属材料を含む１つ以上の層を含むことができ、有機材料のみから構成されるデバイスに限定されないことも理解されよう。例えば、デバイス６００は、量子ドットを含んでもよい。
デバイス６００は、デバイス６００に電流を供給するための電源６２０に接続されてもよい。
デバイス６００がＥＬ量子ドットデバイスである別の実施形態では、ＥＬ層６０８は概して、電流が供給されると発光する量子ドットを含む。
図７は、一実施形態によるＯＬＥＤデバイスを製造する段階の概要を示すフロー図である。７０４では、有機層がターゲット表面に堆積される。例えば、ターゲット表面は、例えば、ガラス、ポリマー、および／または金属箔を含み得る、ベース基板の上に堆積されたアノードの表面であり得る。上述のように、有機層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、エレクトロルミネセント層、電子輸送層、および電子注入層を含むことができる。次に、核生成抑制コーティングが、選択的堆積またはパターニングプロセスを使用して、段階７０６で有機層の上に堆積される。段階７０８では、核生成促進コーティングが核生成抑制コーティング上に選択的に堆積され、パターニング表面を生成する。例えば、核生成促進コーティングおよび核生成抑制コーティングは、マスク、マイクロコンタクト転写印刷プロセス、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷およびリールツーリール印刷を含む）、ＯＶＰＤ、またはＬＩＴＩパターニングを使用した蒸発によって選択的に堆積させることができる。次に、段階７１０で、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、パターニング表面に導電性コーティングを堆積させる。導電性コーティングは、ＯＬＥＤデバイスのカソードまたは別の導電性構造として機能することができる。
別の実施形態では、段階７０６での核生成抑制コーティングの堆積は、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで実施することができる。さらに別の実施形態では、ステップ７０６における核生成抑制コーティングの堆積の前に、ステップ７０８における核生成促進コーティングの堆積が実施されてもよい。さらに別の実施形態では、ステップ７０６での核生成抑制コーティングの選択的堆積の前に、ステップ７０８における核生成促進コーティングの堆積を、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで実施することができる。
簡略化および明確化のために、厚さプロファイルと縁部プロファイルを含む堆積材料の詳細はプロセス図から省略されている。
上述の実施形態によれば、導電性コーティングは、核生成抑制コーティングまたは核生成抑制コーティングと核生成促進コーティングとの組み合わせを使用することにより、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用してターゲット領域に選択的に堆積され得る。
導電性コーティング、核生成抑制コーティング、および核生成促進コーティングを含む、様々な層またはコーティングのいずれかの堆積に使用されるオープンマスクは、基板の特定の領域への材料の堆積を「マスクキング」するか、または防止することができることも理解されよう。ただし、特徴部のサイズが数十ミクロン以下の比較的小さな特徴部を形成するために使用されるファインメタルマスク（ＦＭＭ）とは異なり、オープンマスクの特徴部のサイズは、概して、製造されるＯＬＥＤデバイスのサイズにほぼ相当する。例えば、オープンマスクは、製造中にディスプレイデバイスの縁部をマスクすることができ、これにより、オープンマスクは、ディスプレイデバイスのサイズにほぼ対応するアパーチャ（例えば、マイクロディスプレイの場合は約１インチ、モバイルディスプレイの場合は約４～６インチ、ラップトップまたはタブレットのディスプレイの場合は約８～１７インチなど）を有することになる。例えば、オープンマスクの特徴部のサイズは、約１ｃｍ以上のオーダーであってもよい。したがって、オープンマスクに形成されたアパーチャは、通常、一緒にディスプレイデバイスを形成する複数の発光領域またはピクセルを包含するようなサイズである。
図８Ａは、その中に形成されたアパーチャ１７３４を有するか、または画定するオープンマスク１７３１の例を示す。図示の例では、マスク１７３１のアパーチャ１７３４は、デバイス１７２１のサイズよりも小さいので、マスク１７３１が重ね合わされると、マスク１７３１は、デバイス１７２１の縁部を被覆する。具体的には、図示の実施形態では、デバイス１７２１の全てか、または実質的に全ての発光領域またはピクセル１７２３がアパーチャ１７３４を通して露出され、一方、非露出領域１７２７がデバイス１７２１の外縁部１７２５とアパーチャ１７３４との間に形成される。理解されるように、電気接点または他のデバイス構成要素は、これらの構成要素がオープンマスク堆積プロセスを通じて影響を受けないままであるように、非露出領域１７２７に位置してもよい。
図８Ｂは、マスク１７３１のアパーチャ１７３４が図１６Ｂのアパーチャよりも小さく、その結果、マスク１７３１が重ね合わされたときにデバイス１７２１の少なくとも一部の発光領域またはピクセル１７２３を被覆するオープンマスク１７３１の別の例を示す。具体的には、最も外側のピクセル１７２３’は、マスク１７３１のアパーチャ１７３４とデバイス１７２１の外縁部１７２５との間に形成されたデバイス１７２１の非露出領域１７２７内に位置するものとして示されている。
図８Ｃは、マスク１７３１のアパーチャ１７３４が、デバイス１７２１の他のピクセル１７２３を露出しながら、いくつかのピクセル１７２３’を被覆するパターンを画定する、オープンマスク１７３１のさらに別の例を示す。具体的には、デバイス１７２１の（アパーチャ１７３４と外縁部１７２５との間に形成される）非露出領域１７２７内に位置するピクセル１７２３’は、堆積プロセス中にマスキングされ、蒸気フラックスが非露出領域１７２７に入射するのを抑制する。
図８Ａ～図８Ｃの例では、最も外側のピクセルがマスキングされているように示されているが、オープンマスクのアパーチャは、デバイスの他の発光領域および非発光領域をマスキングするように形作られてもよいことが理解されよう。さらに、オープンマスクは、前述の例では１つのアパーチャを有するものとして示されているが、オープンマスクは、基板またはデバイスの複数の領域を露出させるための追加のアパーチャも含むことができる。
図８Ｄは、マスク１７３１が複数のアパーチャ１７３４ａ～１７３４ｄを有するか、または複数のアパーチャ１７３４ａ～１７３４ｄを画定する、オープンマスク１７３１の別の例を示す。アパーチャ１７３４ａ～１７３４ｄは、他の領域をマスキングしながらデバイス１７２１の特定の領域を選択的に露出させるように位置付けられる。例えば、特定の発光領域またはピクセル１７２３は、アパーチャ１７３４ａ～ｄを介して露出され、一方、非露出領域１７２７内に位置する他のピクセル１７２３’はマスキングされる。
本明細書で説明する様々な実施形態では、必要に応じて、オープンマスクの使用を省略できることが理解されよう。具体的には、本明細書に記載のオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、マスクを使用せずに実行されて、ターゲット表面全体が露出されるようにしてもよい。
上記の実施形態の少なくともいくつかは、蒸発プロセスを使用して形成される、核生成促進コーティング、核生成抑制コーティング、および導電性コーティングを含む様々な層またはコーティングを参照して説明されている。理解されるように、蒸発プロセスは、ＰＶＤプロセスの一種であり、１つ以上の源材料が低圧（真空など）環境で蒸発または昇華し、１つ以上の蒸発した源材料の（逆）昇華によってターゲット表面に堆積させる。源材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することができ、これにより、源材料を様々な方法で加熱することができることが理解されよう。例えば、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、または抵抗加熱によって加熱されてもよい。さらに、そのような層またはコーティングは、フォトリソグラフィ、印刷、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターニング、およびそれらの組み合わせを含む他の適切なプロセスを使用して堆積および／またはパターニングすることができる。これらのプロセスは、様々なパターンを実現するためにシャドウマスクと組み合わせて使用することもできる。
核生成促進材料、核生成抑制材料、および導電性コーティングを堆積させる目的で蒸発に関して特定のプロセスを説明してきたが、これらの材料を堆積させるために様々な他のプロセスを使用できることが理解されよう。例えば、堆積は、他のＰＶＤプロセス（スパッタリングを含む）、ＣＶＤプロセス（プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を含む）、またはそのような材料を堆積させるための他の適切なプロセスを使用して行われ得る。一部の実施形態では、導電性コーティングは、抵抗性ヒーターを使用して導電性コーティングを形成するための源材料を加熱することによって堆積される。他の実施形態では、導電性コーティング源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（例えば、エフュージョン蒸発源）、または任意の他のタイプの蒸発源に装填されてもよい。
導電性コーティングを堆積させるために使用される堆積源材料は、混合物または化合物であり得、一部の実施形態では、混合物または化合物のうちの少なくとも１つの成分は、堆積中に基板に堆積されない（または、例えば、マグネシウムと比較して比較的少量で堆積される）。一部の実施形態では、源材料は、銅－マグネシウム（Ｃｕ－Ｍｇ）混合物またはＣｕ－Ｍｇ化合物であってもよい。一部の実施形態では、マグネシウム堆積源の源材料は、マグネシウムと、例えばＣｕなどのマグネシウムよりも蒸気圧が低い材料とを含む。他の実施形態では、マグネシウム堆積源の源材料は、実質的に純粋なマグネシウムである。具体的には、実質的に純粋なマグネシウムは、純粋なマグネシウム（９９．９９％以上の純度のマグネシウム）と比較して、実質的に同様の特性（例えば、核生成を抑制および促進するコーティングの初期付着確率）を示すことができる。例えば、核生成抑制コーティング上の実質的に純粋なマグネシウムの初期付着確率は、核生成抑制コーティング上の９９．９９％純度マグネシウムの初期付着確率の±１０％以内または±５％以内であり得る。マグネシウムの純度は、約９５％以上、約９８％以上、約９９％以上、または約９９．９％以上であってもよい。導電性コーティングを堆積させるために使用される堆積源材料は、マグネシウムの代わりに、またはマグネシウムと組み合わせて、他の金属を含むことができる。例えば、源材料は、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはそれらの任意の組み合わせなどの高蒸気圧材料を含んでもよい。
さらに、様々な実施形態のプロセスは、有機光電子デバイスの電子注入層、電子輸送層、エレクトロルミネセント層、および／またはピクセル画定層（ＰＤＬ）として使用される他の様々な有機材料または無機材料の表面上で実行できることが理解されよう。そのような材料の例には、ＰＣＴ公開第ＷＯ２０１２／０１６０７４号に記載されているような有機分子ならびに有機ポリマーが含まれる。様々な元素および／または無機化合物でドープされた有機材料が依然として有機材料であるとみなされてもよいことも当業者には理解されよう。様々な有機材料が使用されてもよく、本明細書に記載されるプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが、当業者にさらに理解されよう。
また、無機基板または無機表面は、主に無機材料を含む基板または表面を指すことができることも理解されよう。より明確にするために、無機材料は、概して、有機材料とはみなされない任意の材料であると理解されよう。無機材料の例としては、金属、ガラス、および鉱物がある。具体的には、マグネシウムを含む導電性コーティングは、本開示によるプロセスを使用して、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ガラスおよびシリコン（Ｓｉ）の表面上に堆積され得る。本開示によるプロセスが適用され得る他の表面には、シリコンまたはシリコーンベースのポリマー、無機半導電性材料、電子注入材料、塩、金属、および金属酸化物の表面が含まれる。
基板は半導電性材料を含んでもよく、これにより、そのような基板の表面は半導電性表面であってもよいことが理解されよう。半導電性材料は、概してバンドギャップを示す材料として説明することができる。例えば、そのようなバンドギャップは、最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導電性材料は、概して、導電性材料（例えば、金属）の導電率よりは低いが、絶縁材料（例えば、ガラス）の導電率よりも高い導電率を有する。半導電性材料は、有機半導電性材料または無機半導電性材料であってもよいことが理解されよう。
電極の選択的堆積
図９および図１０は、一実施形態によるＯＬＥＤデバイス１５００を示す。具体的には、図９はＯＬＥＤデバイス１５００の上面図を示し、図１０はＯＬＥＤデバイス１５００の構造の断面図を示す。図９では、カソード１５５０は、その中に形成された複数のアパーチャまたは正孔１５６０を有するか、または画定する単一のモノリシック構造または連続構造として示され、これらは、カソード材料が堆積されなかったデバイス１５００の領域に対応する。これは、ベース基板１５１０、アノード１５２０、有機層１５３０、核生成促進コーティング１５４０、核生成促進コーティング１５４０の特定の領域上に選択的に堆積された核生成抑制コーティング１５７０、および核生成抑制コーティング１５７０が存在しない核生成促進コーティング１５４０の他の領域の上に堆積されたカソード１５５０を含むＯＬＥＤデバイス１５００を示す図１０にさらに示される。より具体的には、デバイス１５００の製造中に核生成促進コーティング１５４０の表面の特定の領域を被覆するように核生成抑制コーティング１５７０を選択的に堆積させることにより、カソード材料は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、核生成促進コーティング１５４０の表面の露出領域に選択的に堆積される。ＯＬＥＤデバイス１５００の透明度または透過率は、穴１５６０の平均サイズおよびカソード１５５０に形成された穴１５６０の密度など、与えられたパターンの様々なパラメータを変更することによって調整または変更できる。したがって、ＯＬＥＤデバイス１５００は、実質的に透明なＯＬＥＤデバイスであり得、これは、ＯＬＥＤデバイスに入射する外部光の少なくとも一部分がそこを透過することを可能にする。例えば、ＯＬＥＤデバイス１５００は、実質的に透明なＯＬＥＤ照明パネルであってもよい。このようなＯＬＥＤ照明パネルは、例えば、一方向（例えば、ベース基板１５１０に向かうか、または離れる）または両方向（例えば、ベース基板１５１０に向かい、かつ離れる）に光を放出するように構成され得る。
図９および図１０は、一実施形態によるＯＬＥＤデバイス１５００を示す。具体的には、図９はＯＬＥＤデバイス１５００の上面図を示し、図１０はＯＬＥＤデバイス１５００の構造の断面図を示す。図９では、カソード１５５０は、その中に形成された複数のアパーチャまたは正孔１５６０を有するか、または画定する単一のモノリシック構造または連続構造として示され、これらは、カソード材料が堆積されなかったデバイス１５００の領域に対応する。これは、ベース基板１５１０、アノード１５２０、有機層１５３０、核生成促進コーティング１５４０、核生成促進コーティング１５４０の特定の領域上に選択的に堆積された核生成抑制コーティング１５７０、および核生成抑制コーティング１５７０が存在しない核生成促進コーティング１５４０の他の領域の上に堆積されたカソード１５５０を含むＯＬＥＤデバイス１５００を示す図１０にさらに示される。より具体的には、デバイス１５００の製造中に核生成促進コーティング１５４０の表面の特定の領域を被覆するように核生成抑制コーティング１５７０を選択的に堆積させることにより、カソード材料は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、核生成促進コーティング１５４０の表面の露出領域に選択的に堆積される。ＯＬＥＤデバイス１５００の透明度または透過率は、穴１５６０の平均サイズおよびカソード１５５０に形成された穴１５６０の密度など、与えられたパターンの様々なパラメータを変更することによって調整または変更できる。したがって、ＯＬＥＤデバイス１５００は、実質的に透明なＯＬＥＤデバイスであり得、これは、ＯＬＥＤデバイスに入射する外部光の少なくとも一部分がそこを透過することを可能にする。例えば、ＯＬＥＤデバイス１５００は、実質的に透明なＯＬＥＤ照明パネルであってもよい。このようなＯＬＥＤ照明パネルは、例えば、一方向（例えば、ベース基板１５１０に向かうか、または離れる）または両方向（例えば、ベース基板１５１０に向かい、かつ離れる）に光を放出するように構成され得る。
図１１は、カソード１６５０がデバイス領域全体を実質的に被覆する別の実施形態によるＯＬＥＤデバイス１６００を示す。具体的には、ＯＬＥＤデバイス１６００は、ベース基板１６１０、アノード１６２０、有機層１６３０、核生成促進コーティング１６４０、カソード１６５０、カソード１６５０の特定の領域の上に選択的に堆積された核生成抑制コーティング１６６０、および核生成抑制コーティング１６６０が存在しないカソード１６５０の他の領域の上に堆積された補助電極１６７０を含む。
補助電極１６７０は、カソード１６５０に電気的に接続されている。特にトップエミッション構成では、カソード１６５０の存在による光学干渉（例えば、減衰、反射、拡散など）を低減するために、比較的薄いカソード１６５０の層を堆積させることが望ましい。しかしながら、カソード１６５０の厚さが減少すると、概して、カソード１６５０のシート抵抗が増加し、これにより、ＯＬＥＤデバイス１６００の性能および効率が低下する。カソード１６５０に電気的に接続される補助電極１６７０を設けることにより、シート抵抗、したがってカソード１６５０に関連するＩＲドロップを減少させることができる。さらに、補助電極１６７０を選択的に堆積して、デバイス領域の特定の領域を被覆し、他の領域は被覆されないままにすることにより、補助電極１６７０の存在による光学干渉を制御および／または低減することができる。
補助電極の利点がトップエミッションＯＬＥＤデバイスを参照して説明されてきたが、ボトムエミッションまたは両面発光ＯＬＥＤデバイスのカソードの上に補助電極を選択的に堆積させることも有利であり得る。例えば、カソードは、デバイスの光学特性に実質的に影響を与えることなく、ボトムエミッションＯＬＥＤデバイスにおいて比較的厚い層として形成されてもよいが、比較的薄いカソードを形成することは依然として有利であり得る。例えば、透明または半透明のディスプレイデバイスでは、カソードを含むデバイス全体の層を、実質的に透明または半透明になるように形成することができる。したがって、典型的な観察距離から肉眼で容易に検出できないパターニングされた補助電極を設けることは有益であり得る。説明したプロセスは、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイスの電極の抵抗を低減するためのバスバーまたは補助電極を形成するために使用できることも理解されよう。
図１２Ａは、一実施形態によるパターニングされたカソード１７１２を示し、カソード１７１２は、複数の離間した細長い導電性ストリップを含む。例えば、カソード１７１２は、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス（ＰＭＯＬＥＤ）１７１５で使用されてもよい。ＰＭＯＬＥＤデバイス１７１５では、発光領域またはピクセルは、概して、対向電極が重なる領域に形成される。したがって、図１２Ａの実施形態では、発光領域またはピクセル１７５１は、複数の離間した細長い導電性ストリップを含む、カソード１７１２とアノード１７４１の重複領域に形成される。非発光領域１７５５は、カソード１７１２とアノード１７４１が重ならない領域に形成される。概して、カソード１７１２のストリップおよびアノード１７４１のストリップは、図示されるように、ＰＭＯＬＥＤデバイス１７１５において互いに実質的に垂直に配向される。カソード１７１２およびアノード１７４１は、それぞれの電極に電流を供給するための電源および関連する駆動回路に接続されてもよい。
図１２Ｂは、図１２ＡのＡ－Ａ線に沿った断面図を示す。図１２Ｂでは、例えば透明基板であり得るベース基板１７０２が提供される。アノード１７４１は、図１２Ａに示されるように、ストリップの形態でベース基板１７０２上に設けられる。１つ以上の有機層１７６１が、アノード１７４１の上に堆積される。例えば、有機層１７６１は、デバイス全体にわたって共通の層として設けられてもよく、正孔注入および輸送層、エレクトロルミネセント層、ならびに電子輸送および注入層などの、本明細書に記載の任意の数の有機材料および／または無機材料の層を含んでもよい。有機層１７６１の上面の特定の領域は、上記の堆積プロセスに従ってカソード１７１２を選択的にパターニングするために使用される核生成抑制コーティング１７７１によって被覆されているものとして示されている。カソード１７１２およびアノード１７４１は、ピクセル１７５１からの光の放出を制御するそれぞれの駆動回路（図示せず）に接続されてもよい。
核生成抑制コーティング１７７１およびカソード１７１２の厚さは、所望の用途および性能に応じて変えることができるが、少なくとも一部の実施形態では、図１２Ｂに示されるように、核生成抑制コーティング１７７１の厚さは、カソード１７１２の厚さに相当するか、または実質的にカソード１７１２の厚さよりも小さくてよい。カソードのパターニングを実現するための比較的薄い核生成抑制コーティングの使用により、バリアコーティングが塗布され得る比較的平坦な表面を提供することができるので、可撓性ＰＭＯＬＥＤデバイスにとって特に有利であり得る。
図１２Ｃは、カソード１７１２および核生成抑制コーティング１７７１の上に塗布されたバリアコーティング１７７５を有する図１２ＢのＰＭＯＬＥＤデバイス１７１５を示す。理解されるように、バリアコーティング１７７５は、概して、有機層および酸化されやすい可能性があるカソード１７１２を含む様々なデバイス層が、水分および周囲空気に曝されるのを抑制するために設けられる。例えば、バリアコーティング１７７５は、印刷、ＣＶＤ、スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、前述の任意の組み合わせによって、または任意の他の適切な方法によって形成された薄膜封入であり得る。バリアコーティング１７７５は、予め形成されたバリア膜を、接着剤（図示せず）を使用してデバイス１７１５上に積層することによって設けられてもよい。例えば、バリアコーティング１７７５は、有機材料、無機材料、または両方の組み合わせを含む多層コーティングであってもよい。バリアコーティング１７７５は、ゲッター材料および／または乾燥剤をさらに含んでもよい。
比較のために、比較のＰＭＯＬＥＤデバイス１７１９の例が図１２Ｄに示されている。図１２Ｄの比較例では、デバイス１７１９の非発光領域に複数のピクセル画定構造１７８３が設けられているため、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して導電性材料が堆積されると、導電性材料は、隣接するピクセル画定構造１７８３の間に位置する両方の発光領域上に堆積されてカソード１７１２を形成するとともに、ピクセル画定構造１７８３の上に堆積されて導電性ストリップ１７１８を形成する。しかしながら、カソード１７１２の各セグメントが導電性ストリップ１７１８から電気的に絶縁されることを確実にするために、ピクセル画定構造１７８３の厚さまたは高さは、カソード１７１２の厚さよりも大きくなるように形成される。ピクセル画定構造１７８３は、カソード１７１２が導電性ストリップ１７１８と電気的に接触する可能性をさらに低減するために、アンダーカットプロファイルを有することもできる。バリアコーティング１７７５は、カソード１７１２、ピクセル画定構造１７８３、および導電性ストリップ１７１８を含むＰＭＯＬＥＤデバイス１７１９を被覆するために設けられる。
図１２Ｄに示される比較のＰＭＯＬＥＤデバイス１７１９では、バリアコーティング１７７５が塗布される表面は、ピクセル画定構造１７８３の存在のために不均一となる。これにより、バリアコーティング１７７５の塗布が困難になり、バリアコーティング１７７５を塗布した場合でも、その下にある表面へのバリアコーティング１７７５の接着力が比較的低くなる場合がある。接着力が弱いと、特に、デバイス１７１９が屈曲するか、または曲がっている場合、バリアコーティング１７７５がデバイス１７１９から剥離する可能性が高くなる。さらに、表面が不均一であるため、塗布手順中にバリアコーティング１７７５とその下の表面の間にエアポケットが閉じ込められる可能性が比較的高くなる。エアポケットの存在および／またはバリアコーティング１７７５の剥離は、欠陥および部分的または全体的なデバイスの故障を引き起こすか、または寄与する可能性があるため、非常に望ましくない。これらの要因は、図１２Ｃの実施形態において軽減または低減される。
図１２Ａに示されるパターニングされたカソード１７１２は、ＯＬＥＤデバイスのカソードを形成するために使用され得るが、同様のパターニングまたは選択的堆積技術がＯＬＥＤデバイスのための補助電極を形成するために使用され得ることが理解されよう。具体的には、そのようなＯＬＥＤデバイスは、共通カソードと、補助電極が共通カソードと電気的に連絡するように、共通カソードの上または下に堆積された補助電極とを備えることができる。例えば、そのような補助電極は、複数の発光領域を含むＯＬＥＤデバイス（例えば、ＡＭＯＬＥＤデバイス）に実装され得、それにより、補助電極は、発光領域の上ではなく非発光領域の上に形成される。別の例では、ＯＬＥＤデバイスの非発光領域ならびに少なくとも一部の発光領域を被覆するために、補助電極が設けられてもよい。
補助電極の選択的堆積
図１３Ａは、複数の発光領域１８１０ａ～１８１０ｆおよび非発光領域１８２０を含むＯＬＥＤデバイス１８００の一部分を示す。例えば、ＯＬＥＤデバイス１８００はＡＭＯＬＥＤデバイスであってもよく、発光領域１８１０ａ～１８１０ｆのそれぞれは、そのようなデバイスのピクセルまたはサブピクセルに対応してもよい。簡略化のために、図１３Ｂ～図１３Ｄは、ＯＬＥＤデバイス１８００の一部分を示す。具体的には、図１３Ｂ～図１３Ｄは、２つの隣接する発光領域である、第１の発光領域１８１０ａおよび第２の発光領域１８１０ｂを囲む領域を示す。明示的には示されていないが、デバイス１８００の発光領域と非発光領域の両方を実質的に被覆する共通カソードが設けられてもよい。
図１３Ａは、複数の発光領域１８１０ａ～１８１０ｆおよび非発光領域１８２０を含むＯＬＥＤデバイス１８００の一部分を示す。例えば、ＯＬＥＤデバイス１８００はＡＭＯＬＥＤデバイスであってもよく、発光領域１８１０ａ～１８１０ｆのそれぞれは、そのようなデバイスのピクセルまたはサブピクセルに対応してもよい。簡略化のために、図１３Ｂ～図１３Ｄは、ＯＬＥＤデバイス１８００の一部分を示す。具体的には、図１３Ｂ～図１３Ｄは、２つの隣接する発光領域である、第１の発光領域１８１０ａおよび第２の発光領域１８１０ｂを囲む領域を示す。明示的には示されていないが、デバイス１８００の発光領域と非発光領域の両方を実質的に被覆する共通カソードが設けられてもよい。
図１３Ｂには、一実施形態による補助電極１８３０が示されており、補助電極１８３０は、２つの隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間に配設されている。補助電極１８３０は、共通カソード（図示せず）に電気的に接続されている。具体的には、補助電極１８３０は、隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離（ｄ）よりも小さい幅（α）を有するものとして示され、これにより、補助電極１８３０の両側に非発光ギャップ領域が作成される。非発光ギャップ領域を設けることによって、補助電極１８３０がデバイス１８００の光出力と干渉する可能性を低減できるため、例えば、隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離が十分な幅の補助電極１８３０を収容するのに十分であるデバイス１８００では、このような配置が望ましい場合がある。さらに、このような配置は、補助電極１８３０が比較的厚い場合（例えば、数百ナノメートルを超えるか、数ミクロンの厚さ程度）に特に有益である可能性がある。例えば、その幅に対する補助電極１８３０の高さまたは厚さの比（すなわち、アスペクト比）は、約０．０５以上、例えば、約０．１以上、約０．２以上、約０．５以上、約０．８以上、約１以上、または約２以上であってもよい。例えば、補助電極１８３０の高さまたは厚さは、約５０ｎｍより大きく、例えば、約８０ｎｍ以上、約１００ｎｍ以上、約２００ｎｍ以上、約５００ｎｍ以上、約７００ｎｍ以上、約１０００ｎｍ以上、約１５００ｎｍ以上、約１７００ｎｍ以上、または約２０００ｎｍ以上であってもよい。
図１３Ｃには、別の実施形態による補助電極１８３２が示されている。補助電極１８３２は、共通カソード（図示せず）に電気的に接続されている。図示されるように、補助電極１８３２は、２つの隣接する発光領域１８１０ａおよび１８１０ｂ間の分離距離と実質的に同じ幅を有し、それにより、補助電極１８３２は、隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間に設けられる非発光領域全体を実質的に完全に占有する。このような配置は、例えば、高ピクセル密度のディスプレイデバイスのように、２つの隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離が比較的小さい場合に望ましい場合がある。
図１３Ｄには、さらに別の実施形態による補助電極１８３４が示されている。補助電極１８３４は、共通カソード（図示せず）に電気的に接続されている。補助電極１８３４は、２つの隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離（ｄ）よりも大きい幅（α）を有するものとして示されている。したがって、補助電極１８３４の一部分は、第１の発光領域１８１０ａの一部分および第２の発光領域１８１０ｂの一部分と重なる。このような配置は、例えば、隣接する発光領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の非発光領域が、所望の幅の補助電極１８３４を完全に収容するのに十分でない場合に望ましい場合がある。補助電極１８３４は、第２の発光領域１８１０ｂと実質的に同じ程度に第１の発光領域１８１０ａと重なるものとして図１３Ｄに示されているが、補助電極１８３４が隣接する発光領域と重なる程度は、他の実施形態では変調されてもよい。例えば、他の実施形態では、補助電極１８３４は、第２の発光領域１８１０ｂよりも第１の発光領域１８１０ａとより大きく重なってもよく、逆もまた同様である。さらに、補助電極１８３４と発光領域との間の重複のプロファイルも変化させることができる。例えば、補助電極１８３４の重複部分は、補助電極１８３４が、同じ発光領域の別の部分と比べて、発光領域の一部分とより大きく重なり、不均一な重複領域を作成するように形作られてもよい。
図１４は、補助電極２５３０がＯＬＥＤデバイス２５００の上にグリッドとして形成される実施形態を示す。図示のように、補助電極２５３０は、デバイス２５００の非発光領域２５２０の上に設けられており、それにより、発光領域２５１０のいかなる部分も実質的に被覆しない。例えば、発光領域２５１０は、ＯＬＥＤデバイス２５００のピクセルまたはサブピクセルに対応することができる。
補助電極は、図１４の実施形態では接続された連続構造として形成されるものとして示されているが、一部の実施形態では、補助電極は、個別の補助電極ユニットが互いに物理的に接続されていない個別の補助電極ユニットの形態で設けられてもよいことが理解されよう。しかしながら、そのような場合であっても、補助電極ユニットは、それにもかかわらず、共通電極を介して互いに電気的に連絡している場合がある。例えば、共通電極を介して互いに間接的に接続される個別の補助電極ユニットを設けることは、依然としてシート抵抗を実質的に低下させ、これにより、デバイスの光学特性を実質的に妨げることなくＯＬＥＤデバイスの効率を高め得る。
補助電極は、様々なピクセルまたはサブピクセル配置のディスプレイデバイスで使用できる。例えば、補助電極は、ダイヤモンドピクセル配置が使用されるディスプレイデバイス上に設けることができる。図１５～図１７にそのようなピクセル配置の例が示されている。
図１５は、一実施形態による、ダイヤモンドピクセル配置を有するＯＬＥＤデバイス２９００の概略図である。ＯＬＥＤデバイス２９００は、複数のピクセル画定層（ＰＤＬ）２９３０と、隣接するＰＤＬ２９３０との間に配設された発光領域２９１２（サブピクセル）を含む。発光領域２９１２は、例えば緑のサブピクセルに対応し得る第１のサブピクセル２９１２ａ、例えば青のサブピクセルに対応し得る第２のサブピクセル２９１２ｂ、および例えば赤のサブピクセルに対応し得る第３のサブピクセル２９１２ｃに対応するものを含む。
図１６は、図１５に示される線Ａ－Ａに沿ったＯＬＥＤデバイス２９００の概略図である。図１６により明確に示されるように、デバイス２９００は、基板２９０３と、ベース基板２９０３の表面上に形成された複数のアノードユニット２９２１とを含む。基板２９０３は、複数のトランジスタおよびベース基板をさらに含むことができ、これらは簡略化のために図から省略されている。有機層２９１５は、隣接するＰＤＬ２９３０間の領域内の各アノードユニット２９２１の上部に設けられ、共通カソード２９４２は、有機層２９１５およびＰＤＬ２９３０上に設けられて、第１のサブピクセル２９１２ａを形成する。有機層２９１５は、複数の有機層および／または無機層を含むことができる。例えば、そのような層は、正孔輸送層、正孔注入層、エレクトロルミネセント層、電子注入層、および／または電子輸送層を含むことができる。核生成抑制コーティング２９４５は、第１のサブピクセル２９１２ａに対応する共通カソード２９４２の領域上に設けられ、ＰＤＬ２９３０の実質的に平坦な領域に対応する共通カソード２９４２の非被覆領域上に補助電極２９５１を選択的に堆積させる。核生成抑制コーティング２９４５は、屈折率整合コーティングまたは取り出し層としても機能し得る。デバイス２９００を封入するために、薄膜封入層２９６１が任意に設けられてもよい。
図１７は、図１５に示される線Ｂ－Ｂに沿ったＯＬＥＤデバイス２９００の概略図を示す。デバイス２９００は、基板２９０３の表面上に形成された複数のアノードユニット２９２１と、隣接するＰＤＬ２９３０との間の領域内の各アノードユニット２９２１の上に設けられた有機層２９１６または２９１７とを含む。共通カソード２９４２は、有機層２９１６および２９１７およびＰＤＬ２９３０の上に設けられ、それぞれ第２のサブピクセル２９１２ｂおよび第３のサブピクセル２９１２ｃを形成する。核生成抑制コーティング２９４５は、サブピクセル２９１２ｂおよび２９１２ｃに対応する共通カソード２９４２の領域上に設けられ、ＰＤＬ２９３０の実質的に平坦な領域に対応する共通カソード２９４２の非被覆領域上に補助電極２９５１を選択的に堆積させる。核生成抑制コーティング２９４５は、屈折率整合コーティングとしても機能し得る。デバイス２９００を封入するために、薄膜封入層２９６１が任意に設けられてもよい。
一部の実施形態による別の態様では、デバイスが提供される。一部の実施形態では、デバイスは光電子デバイスである。一部の実施形態では、デバイスは、別の電子デバイスまたは他の製品である。一部の実施形態では、デバイスは、基板、核生成抑制コーティング、および導電性コーティングを含む。核生成抑制コーティングは、基板の第１の領域を被覆する。導電性コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、核生成抑制コーティングの少なくとも一部分が導電性コーティングから露出しているか、あるいは実質的に導電性コーティングが存在しないか、または導電性コーティングによって実質的に被覆されないように、核生成抑制コーティングと部分的に重なる。一部の実施形態では、導電性コーティングは第１の部分と第２の部分を含み、導電性コーティングの第１の部分は基板の第２の領域を被覆し、導電性コーティングの第２の部分は核生成抑制コーティングの一部分と重なる。一部の実施形態では、導電性コーティングの第２の部分は、ギャップによって核生成抑制コーティングから離間される。一部の実施形態では、核生成抑制コーティングは有機材料を含む。一部の実施形態では、導電性コーティングの第１の部分および導電性コーティングの第２の部分は、互いに一体的または連続的に形成されて、単一のモノリシック構造を提供する。
一部の実施形態による別の態様では、デバイスが提供される。一部の実施形態では、デバイスは光電子デバイスである。一部の実施形態では、デバイスは、別の電子デバイスまたは他の製品である。一部の実施形態では、デバイスは、基板および導電性コーティングを含む。基板は、第１の領域および第２の領域を含む。導電性コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、基板の第１の領域の少なくとも一部分が導電性コーティングから露出しているか、あるいは実質的に導電性コーティングが存在しないか、または導電性コーティングによって実質的に被覆されないように、基板の第１の領域と部分的に重なる。一部の実施形態では、導電性コーティングは第１の部分と第２の部分を含み、導電性コーティングの第１の部分は基板の第２の領域を被覆し、導電性コーティングの第２の部分は基板の第１の領域の一部分と重なる。一部の実施形態では、導電性コーティングの第２の部分は、ギャップによって基板の第１の領域から離間している。一部の実施形態では、導電性コーティングの第１の部分および導電性コーティングの第２の部分は、互いに一体的に形成される。
図１８は、一実施形態によるデバイスの一部分を示す。デバイスは、表面３４１７を有する基板３４１０を含む。核生成抑制コーティング３４２０は、基板３４１０の表面３４１７の第１の領域３４１５を被覆し、導電性コーティング３４３０は、基板３４１０の表面３４１７の第２の領域３４１２を被覆する。図１８に示すように、第１の領域３４１５および第２の領域３４１２は、基板３４１０の表面３４１７の別個の非重複領域である。導電性コーティング３４３０は、第１の部分３４３２および第２の部分３４３４を含む。図に示すように、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２は、基板３４１０の第２の領域３４１２を被覆し、導電性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、核生成抑制コーティング３４２０の一部分と部分的に重なる。具体的には、第２の部分３４３４は、その下にある基板表面３４１７に垂直な（または鉛直な）方向に核生成抑制コーティング３４２０の部分と重なるように示されている。
特に、核生成抑制コーティング３４２０が、その表面３４２２が導電性コーティング３４３０を形成するために使用される材料に対して比較的低い親和性または初期付着確率を示すように形成される場合、導電性コーティング３４３０の重複する第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２との間に形成されたギャップ３４４１が存在する。したがって、導電性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、核生成抑制コーティング３４２０と直接物理的に接触していないが、矢印３４９０で示されるように、基板３４１０の表面３４１７に垂直な方向に沿ってギャップ３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間している。それにもかかわらず、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２は、基板３４１０の第１の領域３４１５と第２の領域３４１２との間の境界または境界で核生成抑制コーティング３４２０と直接物理的に接触してもよい。
一部の実施形態では、導電性コーティング３４３０の重複する第２の部分３４３４は、導電性コーティング３４３０の厚さと同程度に核生成抑制コーティング３４２０の上を横方向に延在することができる。例えば、図１８を参照すると、第２の部分３４３４の幅ｗ２（または基板３４１０の表面３４１７に平行な方向に沿った寸法）は、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さｔ１（または基板３４１０の表面３４１７に垂直な方向に沿った寸法）に相当し得る。例えばｗ２：ｔ１の比は、約１：１～約１：３、約１：１～約１：１．５、または約１：１～約１：２の範囲であってもよい。厚さｔ１は、概して導電性コーティング３４３０全体で比較的均一であるが、第２の部分３４３４が核生成抑制コーティング３４２０（すなわち、ｗ２）と重なる程度は、表面３４１７の異なる部分全体である程度変化し得る。
図１９に示す別の実施形態では、導電性コーティング３４３０は、第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０との間に配設された第３の部分３４３６をさらに含む。図示されるように、導電性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、横方向に延在し、導電性コーティング３４３０の第３の部分３４３６から離間し、第３の部分３４３６は、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触し得る。第３の部分３４３６の厚さｔ３は、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さｔ１よりも小さくてもよく、場合によっては実質的に小さくてもよい。さらに、少なくとも一部の実施形態では、第３の部分３４３６の幅ｗ３は、第２の部分３４３４の幅ｗ２より大きくてもよい。したがって、第３の部分３４３６は、第２の部分３４３４より大きく核生成抑制コーティング３４２０と重なるように横方向に延在することができる。例えばｗ３：ｔ１の比は、約１：２から約３：１または約１：１．２から約２．５：１の範囲であってもよい。厚さｔ１は、概して導電性コーティング３４３０全体で比較的均一であるが、第３の部分３４３６が核生成抑制コーティング３４２０（すなわち、ｗ３）と重なる程度は、表面３４１７の異なる部分全体である程度変化し得る。第３の部分３４３６の厚さｔ３は、第１の部分３４３２の厚さｔ１の約５％以下または約５％未満であり得る。例えば、ｔ３は、ｔ１の約４％以下、約３％以下、約２％以下、約１％以下、または約０．５％以下であってもよい。図１９に示すように第３の部分３４３６の代わりに、またはそれに加えて、薄膜として形成される導電性コーティング３４３０の材料は、核生成抑制コーティング３４２０の一部分に島または切り離されたクラスタとして形成することができる。例えば、そのような島または切り離されたクラスタは、島またはクラスタが連続的な層として形成されないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。
図２０Ａに示されるさらに別の実施形態では、核生成促進コーティング３４５１は、基板３４１０と導電性コーティング３４３０との間に配設される。具体的には、核生成促進コーティング３４５１は、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２と基板３４１０の第２の領域３４１２との間に配設される。核生成促進コーティング３４５１は、核生成抑制コーティング３４２０が堆積される第１の領域３４１５上ではなく、基板３４１０の第２の領域３４１２上に配設されるものとして示されている。核生成促進コーティング３４５１は、核生成促進コーティング３４５１と導電性コーティング３４３０との間の界面または境界において、核生成促進コーティング３４５１の表面が、導電性コーティング３４３０の材料に対して比較的高い親和性または初期付着確率を示すように形成され得る。したがって、核生成促進コーティング３４５１の存在により、堆積中の導電性コーティング３４３０の形成および成長を促進することができる。図２０Ａの導電性コーティング３４３０（第１の部分３４３２および第２の部分３４３４の寸法を含む）および他のコーティングの様々な特徴は、図１８～１９について上述したものと同様であり、簡潔にするために繰り返されない。
図２０Ｂに示されるさらに別の実施形態では、核生成促進コーティング３４５１は、基板３４１０の第１の領域３４１５および第２の領域３４１２の両方に配設置され、核生成抑制コーティング３４２０は、第１の領域３４１５上に配設された核生成促進コーティング３４５１の一部分を被覆する。核生成促進コーティング３４５１の別の部分は、核生成抑制コーティング３４２０から露出しているか、あるいは実質的に核生成抑制コーティング３４２０が存在しないか、または核生成抑制コーティング３４２０によって実質的に被覆されず、導電性コーティング３４３０は、核生成促進コーティング３４５１の露出部分を被覆する。図２０Ｂの導電性コーティング３４３０および他のコーティングの様々な特徴は、図１８～図１９について上述したものと同様であり得、簡潔にするために繰り返されない。
図２１は、導電性コーティング３４３０が基板３４１０の第３の領域３４１９内の核生成抑制コーティング３４２０の一部分と部分的に重なるさらに別の実施形態を示す。具体的には、第１の部分３４３２および第２の部分３４３４に加えて、導電性コーティング３４３０は、第３の部分３４８０をさらに含む。図に示すように、導電性コーティング３４３０の第３の部分３４８０は、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２と第２の部分３４３４との間に配設され、第３の部分３４８０は、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触し得る。これに関して、第３の領域３４１９における重複は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセス中の導電性コーティング３４３０の横方向成長の結果として形成され得る。より具体的には、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２は、導電性コーティング３４３０の材料に対して比較的低い初期付着確率を示し得、これにより、導電性コーティング３４３０が成長するにつれて、材料が表面３４２２上で核生成する確率は低くなるが、図２１に示すように、厚さにおいて、コーティング３４３０も横方向に成長し得、核生成抑制コーティング３４２０の一部分を被覆し得る。
デバイスおよび導電性コーティング３４３０の特定の特徴に関する詳細は、図２０～図２１の実施形態に関する上記の説明では省略されているが、図１８および図１９に関して説明された導電性コーティング３４３０のギャップ３４４１、第２の部分３４３４、および第３の部分３４３６を含む様々な特徴の説明は、そのような実施形態にも同様に適用されることが理解されよう。
図２２Ａは、基板３４１０の第１の領域３４１５が核生成抑制コーティング３４２０でコーティングされ、第１の領域３４１５に隣接する第２の領域３４１２が導電性コーティング３４３０でコーティングされるさらに別の実施形態を示す。
少なくとも一部の場合において、核生成抑制コーティング３４２０で部分的にコーティングされた基板表面上に導電性コーティング３４３０のオープンマスク堆積またはマスクフリー堆積を実施すると、導電性コーティング３４３０と核生成抑制コーティング３４２０との間の界面またはその近傍でテーパ状断面プロファイルを示す導電性コーティング３４３０の形成をもたらし得ることが観察されている。
図２２Ａは、導電性コーティング３４３０のテーパ状プロファイルにより、導電性コーティング３４３０と核生成抑制コーティング３４２０との間の界面またはその近傍で導電性コーティング３４３０の厚さが減少する一実施形態を示す。具体的には、界面またはその近傍の導電性コーティング３４３０の厚さは、導電性コーティング３４３０の平均厚さよりも薄い。図２２Ａの実施形態では、導電性コーティング３４３０のテーパ状プロファイルが湾曲またはアーチ状として示されているが、他の実施形態では、プロファイルは実質的に線形または非線形であってもよい。例えば、導電性コーティング３４３０の厚さは、境界面に近い領域で、実質的に直線的、指数関数的、二次的、または他の方法で減少し得る。
薄膜形成プロセスの核生成段階では、気相の分子が基板の表面に凝縮して核を形成する。特定の理論に拘束されることを望むものではないが、これらの核の形状およびサイズ、ならびにこれらの核の島へのその後の薄膜へのその後の成長は、蒸気、基板、および凝縮した膜核の間の界面張力などの多くの要因に依存すると想定されている。さらに、基板の露出表面と核生成抑制コーティングとの間の界面での、またはその近傍での薄膜の核生成および成長中に、核生成抑制コーティングによる薄膜の固体表面の「ディウェッティング」により、膜の縁部と基板との間の比較的高い接触角が観察されると想定されている。このディウェッティング特性は、基板、薄膜、蒸気、および核生成抑制層の間の表面エネルギーの最小化によって促進される。したがって、核生成抑制コーティングの存在および核生成抑制コーティングの特性は、導電性コーティングの縁部の核生成および成長モードに大きな影響を与えると想定される。
導電性コーティング３４３０と核生成抑制コーティング３４２０との間の界面またはその近傍の導電性コーティング３４３０の「接触角」は、相対親和性または初期付着確率などの核生成抑制コーティング３４２０の特性に応じて変化することが確認されている。さらに、核の接触角は、堆積によって形成された導電性コーティングの薄膜接触角を決定づけ得ると想定されている。例えば、図２２Ａを参照すると、接触角θｃは、導電性コーティング３４３０および３４２０を核生成抑制コーティングとの間の界面またはその近傍の導電性コーティング３４３０の接線の傾きを測定することによって決定することができる。導電性コーティング３４３０の断面テーパプロファイルが実質的に線形である他の例では、接触角は、界面またはその近傍の導電性コーティング３４３０の勾配を測定することによって決定され得る。理解されるように、接触角は概して、その下にある表面の角度に対して測定される。簡略化のために、本明細書で提供される実施形態は、平面上に堆積されたコーティングを示すように示されているが、コーティングは非平面上に堆積されてもよいことが理解されよう。
一部の実施形態では、導電性コーティング３４３０の接触角は、約９０度より大きくてもよい。次に、図２２Ｂを参照すると、導電性コーティング３４３０が核生成抑制コーティング３４２０と導電性コーティング３４３０との間の界面を越えて延在する部分を含み、ギャップ３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間されている実施形態が示されている。このような実施形態では、例えば、接触角θｃは、約９０度より大きくてもよい。
少なくとも一部の用途では、比較的高い接触角を示す導電性コーティング３４３０を形成することが特に有利な場合がある。例えば、約１０度超、約１５度超、約２０度超、約２５度超、約３０度超、約３５度超、約４０度超、約５０度超、約６０度超、約７０度超、約７５度超、または約８０度超の接触角である。例えば、比較的高い接触角を有する導電性コーティング３４３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターニングされた特徴部を作成するために特に有利であり得る。一部の用途では、約９０度超の接触角を示す導電性コーティング３４３０を形成することが好ましい場合がある。例えば、約９０度超、約９５度超、約１００度超、約１０５度超、約１１０度超、約１２０度超、約１３０度超、約１３５度超、約１４０度超、約１４５度超、約１５０度超、または約１６０度超の接触角である。
上述のように、導電性コーティングの接触角は、導電性コーティングが形成される領域に隣接して配設される核生成抑制コーティングの特性（例えば、初期付着確率）に少なくとも部分的に基づいて決定されると想定される。したがって、比較的高い接触角を示す導電性コーティングの選択的堆積を可能にする核生成抑制コーティング材料は、特定の用途において特に有用であり得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、核生成および成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛管現象理論ではヤングの式とも呼ばれる次の式に従って決定されると想定されている。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ
式中、γｓｖは基板と蒸気との間の界面張力に対応し、γｆｓは膜と基板との間の界面張力に対応し、γｖｆは蒸気と膜との間の界面張力に対応し、θは膜核の接触角である。図３７は、上記のヤングの式で表された様々なパラメータ間の関係を示している。
ヤングの式に基づいて、島の成長の場合、膜核の接触角θはゼロより大きく、したがってγｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆであると導出することができる。
堆積された膜が基板を「濡らす」層成長の場合、核接触角θ＝０であり、したがってγｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆである。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）成長の場合、膜の異常成長の単位面積あたりのひずみエネルギーは、蒸気と膜との間の界面張力に対して大きく、γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆである。
核生成抑制コーティングと露出した基板表面との間の界面における導電性コーティングの核生成および成長モードは、θ＞０である島成長モデルに従うと想定される。特に、核生成抑制コーティングが、導電性コーティングを形成するために使用される材料に対して比較的低い親和性または低い初期付着確率（すなわち、ディウェッティング）を示し、導電性コーティングの比較的高い薄膜接触角をもたらす場合である。反対に、例えばシャドウマスクを使用することにより、核生成抑制コーティングを使用せずに導電性コーティングを表面に選択的に堆積させると、導電性コーティングの核生成および成長モードが異なる場合がある。特に、シャドウマスクパターニングプロセスを使用して形成された導電性コーティングは、少なくとも一部の場合において、約１０度未満の比較的低い薄膜接触角を示し得ることが観察されている。
明確には図示されていないが、核生成抑制コーティング３４２０を形成するために使用される材料は、導電性コーティング３４３０とその下にある表面（例えば、核生成促進層３４５１または基板３４１０の表面）との間の界面にもある程度存在し得ることが理解されよう。そのような材料は、シャドウイング効果の結果として堆積される可能性があり、その場合、堆積したパターンはマスクのパターンと同一ではなく、蒸発した材料がターゲット表面のマスキングされた部分に堆積される可能性がある。例えば、そのような材料は、島または切り離されたクラスタとして、または核生成抑制コーティング３４２０の平均厚さより実質的に薄い厚さを有する薄膜として形成することができる。
図２２Ｃおよび図２２Ｄは、導電性コーティング３４３０が、第１の領域３４１５と第２の領域３４１２との間に配設された第３の領域３４１９の核生成抑制コーティング３４２０の一部分と部分的に重なるさらに別の実施形態を示す。図に示されるように、核生成抑制コーティング３４２０の一部分と部分的に重なる導電性コーティングの一部は、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触することができる。これに関して、第３の領域３４１９における重複は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセス中の導電性コーティング３４３０の横方向成長の結果として形成され得る。より具体的には、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２は、導電性コーティング３４３０の材料に対して比較的低い親和性または初期付着確率を示し得、これにより、導電性コーティング３４３０が成長するにつれて、材料が表面３４２２上で核生成する確率は低くなるが、厚さにおいて、コーティング３４３０も横方向に成長し得、核生成抑制コーティング３４２０の一部を被覆し得る。
図に示すように図２２Ｃおよび図２２Ｄの場合には、導電性コーティング３４３０の接触角θｃは、導電性コーティング３４３０および３４２０を核生成抑制コーティングとの間の界面付近の導電性コーティングの縁部で測定することができる。特に図２２Ｄを参照すると、接触角θｃは、約９０度より大きくてもよく、これにより、導電性コーティング３４３０の一部分が、ギャップ３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間される。
一部の実施形態では、核生成抑制コーティング３４２０は、導電性コーティング３４３０の堆積に続いて除去され得、その結果、図１８～図２２Ｄの実施形態における核生成抑制コーティング３４２０によって被覆されるその下にある表面の少なくとも一部分が露出される。例えば、核生成抑制コーティング３４２０は、核生成抑制コーティング３４２０をエッチングまたは溶解することにより、または導電性コーティング３４３０に実質的に影響または浸食することなくプラズマまたは溶媒処理技術を使用することにより選択的に除去され得る。
図２３Ａは、一実施形態によるデバイス５９０１を示し、これは、基板５９１０と、基板５９１０の表面のそれぞれの領域の上に堆積された核生成抑制コーティング５９２０および導電性コーティング５９１５（例えば、マグネシウムコーティング）とを含む。
図２３Ｂは、デバイス５９０１に存在する核生成抑制コーティング５９２０が基板５９１０の表面から除去された後のデバイス５９０２を示しており、導電性コーティング５９１５が基板５９１０上に残り、核生成抑制コーティング５９２０によって被覆されていた基板５９１０の領域が露出または被覆されないようにする。例えば、デバイス５９０１の核生成抑制コーティング５９２０は、導電性コーティング５９１５に実質的に影響を与えることなく核生成抑制コーティング５９２０を優先的に反応および／またはエッチング除去する溶媒またはプラズマに基板５９１０を曝すことによって除去され得る。
一部の実施形態のデバイスは、電子デバイスであり得、より具体的には、光電子デバイスであり得る。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、またはその逆に変換する任意のデバイスを包含する。したがって、有機光電子デバイスは、デバイスの１つ以上の活性層が主に有機材料、より具体的には有機半導電性材料で形成される任意の光電子デバイスを包含することができる。有機光電子デバイスの例には、ＯＬＥＤデバイスおよびＯＰＶデバイスが含まれるが、これらに限定されない。
有機光電子デバイスが様々なタイプのベース基板上に形成されてもよいことも理解されよう。例えば、ベース基板は、可撓性または剛性の基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板としての使用に適した他の材料を含み得る。
デバイスの様々な構成要素は、蒸着、スピンコーティング、ラインコーティング、印刷、および様々な他の堆積技術を含む、多種多様な技術を使用して堆積され得ることも理解されよう。
一部の実施形態では、有機光電子デバイスはＯＬＥＤデバイスであり、有機半導電性層はエレクトロルミネセント層を含む。一部の実施形態では、有機半導電性層は、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、および／または正孔注入層などの追加の層を含むことができる。例えば、ＯＬＥＤデバイスは、ＡＭＯＬＥＤデバイス、ＰＭＯＬＥＤデバイス、またはＯＬＥＤ照明パネルまたはモジュールであってもよい。さらに、光電子デバイスは、電子デバイスの一部であってもよい。例えば、光電子デバイスは、スマートフォン、タブレット、ラップトップなどのコンピューティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイモジュール、またはモニターもしくはテレビなどの他の電子デバイスであってもよい。
一部の実施形態では、光電子デバイスはＯＬＥＤデバイスであり、デバイスは概してアノード、有機半導電性層およびカソードを含む。
図２４～図２７は、アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスの様々な実施形態を示している。簡略化のために、図１８～図２２Ｄを参照して上述した導電性コーティングと核生成抑制コーティングとの間の境界面またはその近傍の導電性コーティングの様々な詳細および特性は省略されている。しかしながら、図１８～図２２Ｄを参照して説明される特徴は、図２４～図２７の実施形態にも適用可能であり得ることが理解されよう。
図２４は、一実施形態によるＡＭＯＬＥＤデバイス３８０２の構造を示す概略図である。
デバイス３８０２は、ベース基板３８１０と、ベース基板３８１０の表面上に堆積されたバッファ層３８１２とを含む。次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３８０４がバッファ層３８１２の上に形成される。具体的には、半導電性活性領域３８１４は、バッファ層３８１２の一部分の上に形成され、ゲート絶縁層３８１６は、半導電性活性領域３８１４を実質的に被覆するように堆積される。次に、ゲート電極３８１８がゲート絶縁層３８１６の上に形成され、層間絶縁層３８２０が堆積される。ソース電極３８２４およびドレイン電極３８２２は、層間絶縁層３８２０およびゲート絶縁層３８１６に形成された開口部を通って延在し、半導電性活性層３８１４と接触するように形成されている。次に、絶縁層３８４２がＴＦＴ３８０４の上に形成される。次に、絶縁層３８４２の一部分の上に第１の電極３８４４が形成される。図２４に示されるように、第１の電極３８４４は、ドレイン電極３８２２と電気的に連絡するように、絶縁層３８４２の開口部を通って延在する。次に、ピクセル画定層（ＰＤＬ）３８４６が、その外縁部を含む第１の電極３８４４の少なくとも一部分を被覆するように形成される。例えば、ＰＤＬ３８４６は、絶縁有機材料または絶縁無機材料を含み得る。次に、特に隣接するＰＤＬ３８４６の間の領域において、第１の電極３８４４の上に有機層３８４８が堆積される。第２の電極３８５０は、有機層３８４８およびＰＤＬ３８４６の両方を実質的に被覆するように堆積される。次に、第２の電極３８５０の表面は、核生成促進コーティング３８５２で実質的に被覆される。例えば、核生成促進コーティング３８５２は、オープンマスク堆積またはマスクフリー堆積技術を使用して堆積されてもよい。核生成抑制コーティング３８５４は、核生成促進コーティング３８５２の一部分の上に選択的に堆積される。例えば、核生成抑制コーティング３８５４は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積されてもよい。したがって、補助電極３８５６は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、核生成促進コーティング３８５２の露出表面上に選択的に堆積される。さらに具体的には、オープンマスクを使用して、またはマスクを使用して補助電極３８５６（例えば、マグネシウムを含む）の熱堆積を実施することにより、補助電極３８５６は、核生成促進コーティング３８５２の露出表面上に選択的に堆積され、一方、核生成抑制コーティング３８５４の表面には、補助電極３８５６の材料が実質的に存在しないままである。
図２５は、核生成促進コーティングが省略された別の実施形態によるＡＭＯＬＥＤデバイス３９０２の構造を示す。例えば、補助電極が堆積される表面が補助電極の材料に対して比較的高い初期付着確率を有する場合、核生成促進コーティングは省略されてもよい。換言すれば、比較的高い初期付着確率を有する表面の場合、核生成促進コーティングは省略されてもよく、導電性コーティングが依然としてその上に堆積されてもよい。簡略化のために、以下の実施形態の説明では、ＴＦＴに関するものを含むバックプレーンの特定の詳細は省略されている。
図２５では、第１の電極３９４４と第２の電極３９５０との間に有機層３９４８が堆積される。有機層３９４８は、ＰＤＬ３９４６の一部分と部分的に重なり得る。核生成抑制コーティング３９５４は、第２の電極３９５０の一部分（例えば、発光領域に対応する）の上に堆積され、それにより、補助電極３９５６を形成するために使用される材料に対して比較的低い初期付着確率（例えば、比較的低い脱離エネルギー）を有する表面を提供する。したがって、補助電極３９５６は、核生成抑制コーティング３９５４から露出される第２の電極３９５０の一部分の上に選択的に堆積される。理解されるように、補助電極３９５６は、その下にある第２の電極３９５０と電気的に連絡して、第２の電極３９５０のシート抵抗を低減する。例えば、第２の電極３９５０および補助電極３９５６は、補助電極３９５６の材料の高い初期付着確率を確実にするために、実質的に同じ材料を含むことができる。具体的には、第２の電極３９５０は、実質的に純粋なマグネシウム（Ｍｇ）またはマグネシウムと銀（Ａｇ）などの別の金属との合金を含むことができる。Ｍｇ：Ａｇ合金の場合、合金組成は、体積で約１：９～約９：１の範囲であってもよい。他の例では、第２の電極３９５０は、ＩＴＯおよびＩＺＯなどの金属酸化物、または金属と金属酸化物の組み合わせを含むことができる。補助電極３９５６は、実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。
図２６は、さらに別の実施形態によるＡＭＯＬＥＤデバイス４００２の構造を示す。図示の実施形態では、有機層４０４８は、ＰＤＬ４０４６の一部分と部分的に重なるように、第１の電極４０４４と第２の電極４０５０との間に堆積される。核生成抑制コーティング４０５４は、第２の電極４０５０の表面を実質的に被覆するように堆積され、核生成促進コーティング４０５２は、核生成抑制コーティング４０５４の一部分に選択的に堆積される。次に、補助電極４０５６が核生成促進コーティング４０５２の上に形成される。任意で、核生成抑制コーティング４０５４および補助電極４０５６の露出表面を被覆するために、キャッピング層４０５８が堆積されてもよい。
補助電極３８５６または４０５６は、図２４および図２６の実施形態では第２の電極３８５０または４０５０と直接物理的に接触していないように示されているが、それにもかかわらず、補助電極３８５６または４０５６および第２の電極３８５０または４０５０は、電気的に連絡していてもよいことが理解されよう。例えば、補助電極３８５６または４０５６と第２の電極３８５０または４０５０との間に核生成促進材料または核生成抑制材料の比較的薄い膜（例えば、最大約１００ｎｍ）が存在しても、電流がそこを通過することにより、第２の電極３８５０または４０５０のシート抵抗を低減することができる。
図２７は、核生成抑制コーティング４１５４と補助電極４１５６との間の界面がＰＤＬ４１４６によって作成された傾斜表面上に形成される、さらに別の実施形態によるＡＭＯＬＥＤデバイス４１０２の構造を示す。デバイス４１０２は、第１の電極４１４４と第２の電極４１５０との間に堆積された有機層４１４８を含み、核生成抑制コーティング４１５４は、デバイス４１０２の発光領域に対応する第２の電極４１５０の一部分の上に堆積される。補助電極４１５６は、核生成抑制コーティング４１５４から露出される第２の電極４１５０の部分の上に堆積される。
図示されていないが、図２７のＡＭＯＬＥＤデバイス４１０２は、補助電極４１５６と第２の電極４１５０との間に配設された核生成促進コーティングをさらに含み得る。核生成促進コーティングは、特に核生成促進コーティングがオープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積される場合、核生成抑制コーティング４１５４と第２の電極４１５０との間に配設されてもよい。
図２８Ａは、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００が複数の光透過性領域を含む、さらに別の実施形態によるＡＭＯＬＥＤデバイス４３００の一部分を示す。図示のように、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００は、複数のピクセル４３２１と、隣接するピクセル４３２１との間に配設された補助電極４３６１とを含む。各ピクセル４３２１は、複数のサブピクセル４３３３、４３３５、４３３７、および光透過領域４３５１をさらに含むサブピクセル領域４３３１を含む。例えば、サブピクセル４３３３は、赤のサブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３５は、緑のサブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３７は、青のサブピクセルに対応してもよい。説明するように、光透過領域４３５１は、実質的に透明であり、光がデバイス４３００を通過することを可能にする。
図２８Ｂは、図２８Ａに示されている線Ａ－Ａに沿ったデバイス４３００の断面図を示している。簡単に言えば、デバイス４３００は、ベース基板４３１０、ＴＦＴ４３０８、絶縁層４３４２、および絶縁層４３４２上に形成され、ＴＦＴ４３０８と電気的に連絡するアノード４３４４を含む。第１のＰＤＬ４３４６ａおよび第２のＰＤＬ４３４６ｂは、絶縁層４３４２の上に形成され、アノード４３４４の縁部を被覆する。アノード４３４４の露出領域およびＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂの部分を被覆するために、１つ以上の有機層４３４８が堆積される。次に、カソード４３５０が、１つ以上の有機層４３４８の上に堆積される。次に、核生成抑制コーティング４３５４が、光透過領域４３５１およびサブピクセル領域４３３１に対応するデバイス４３００の部分を被覆するように堆積される。次に、デバイスの表面全体がマグネシウム蒸気フラックスに曝され、カソード４３５０のコーティングされていない領域にマグネシウムが選択的に堆積される。このようにして、その下にあるカソード４３５０と電気的に接触する補助電極４３６１が形成される。
デバイス４３００では、光透過領域４３５１には、そこを通る光の透過に実質的に影響を及ぼし得るいかなる材料も実質的に存在しない。特に、ＴＦＴ４３０８、アノード４３４４、および補助電極４３６１は、これらの構成要素が光を減衰させたり、光透過領域４３５１を透過するのを妨げたりしないように、全てサブピクセル領域４３３１内に位置付けられる。このような配置により、典型的な観察距離からデバイス４３００を見る観察者は、ピクセルがオフであるか、または非発光である場合にデバイス４３００を通して見ることができ、これにより、透明なＡＭＯＬＥＤディスプレイが作成される。
図示されていないが、図２８ＢのＡＭＯＬＥＤデバイス４３００は、補助電極４３６１とカソード４３５０との間に配設された核生成促進コーティングをさらに含むことができる。核生成促進コーティングはまた、核生成抑制コーティング４３５４とカソード４３５０との間に配設されてもよい。
他の実施形態では、有機層４３４８およびカソード４３５０を含む様々な層またはコーティングは、そのような層またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過領域４３５１の一部分を被覆することができる。あるいは、必要に応じて、ＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂを光透過領域４３５１に設けなくてもよい。
図２８Ａおよび図２８Ｂに示される配置以外のピクセルおよびサブピクセル配置も使用されてもよく、補助電極４３６１は、ピクセルの他の領域に設けられてもよいことが理解されよう。例えば、補助電極４３６１は、サブピクセル領域４３３１と光透過領域４３５１との間の領域に設けられてもよく、かつ／または必要に応じて、隣接するサブピクセル間に設けられてもよい。
図２９Ａは、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００が複数の光透過性領域を含む実施形態によるＡＭＯＬＥＤデバイス４３００の一部分を示す。図示のように、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００は、複数のピクセル４３２１を含む。各ピクセル４３２１は、複数のサブピクセル４３３３、４３３５、４３３７、および光透過領域４３５１をさらに含むサブピクセル領域４３３１を含む。例えば、サブピクセル４３３３は、赤のサブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３５は、緑のサブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３７は、青のサブピクセルに対応してもよい。説明するように、光透過領域４３５１は、実質的に透明であり、光がデバイス４３００を通過することを可能にする。
図２９Ｂは、一実施形態による、線Ｂ－Ｂに沿ったデバイス４３００の断面図を示す。デバイス４３００は、ベース基板４３１０、ＴＦＴ４３０８、絶縁層４３４２、および絶縁層４３４２上に形成され、ＴＦＴ４３０８と電気的に連絡するアノード４３４４を含む。第１のＰＤＬ４３４６ａおよび第２のＰＤＬ４３４６ｂは、絶縁層４３４２の上に形成され、アノード４３４４の縁部を被覆する。アノード４３４４の露出領域およびＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂの部分を被覆するために、１つ以上の有機層４３４８が堆積される。次に、第１の導電性コーティング４３５０が、１つ以上の有機層４３４８の上に堆積される。図示の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０は、サブピクセル領域４３３１と光透過領域４３５１の両方の上に配設される。そのような実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０は、実質的に透明または光透過性であってもよい。例えば、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、第１の導電性コーティング４３５０の存在が光透過領域４３５１を通る光の透過を実質的に減衰させないように比較的薄くてもよい。第１の導電性コーティング４３５０は、例えば、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。次に、核生成抑制コーティング４３６２が、光透過領域４３５１に対応するデバイス４３００の部分を被覆するように堆積される。次いで、デバイス表面全体が、第２の導電性コーティング４３５２を形成するための材料の蒸気フラックスに曝され、これにより、第１の導電性コーティング４３５０のコーティングされていない領域上に第２の導電性コーティング４３５２を選択的に堆積させる。具体的には、第２の導電性コーティング４３５２は、サブピクセル領域４３３１に対応するデバイス４３００の一部分の上に配設される。このようにして、デバイス４３００のカソードは、第１の導電性コーティング４３５０と第２の導電性コーティング４３５２との組み合わせによって形成される。
一部の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、第２の導電性コーティング４３５２の厚さよりも薄い。このようにして、光透過領域４３５１において比較的高い光透過率を維持することができる。例えば、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、例えば、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約８ｎｍ未満、または約５ｎｍ未満であってもよく、第２の導電性コーティング４３５２の厚さは、例えば、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、または約８ｎｍ未満であってもよい。他の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、第２の導電性コーティング４３５２の厚さより大きい。さらに別の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０の厚さおよび第２の導電性コーティング４３５２の厚さは、実質的に同じであってもよい。
第１の導電性コーティング４３５０および第２の導電性コーティング４３５２を形成するために使用され得る材料は、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２をそれぞれ形成するために使用されるものと実質的に同じであってもよい。そのような材料は、他の実施形態に関連して上述されているので、これらの材料の説明は、簡潔にするために省略されている。
デバイス４３００では、光透過領域４３５１には、そこを通る光の透過に実質的に影響を及ぼし得るいかなる材料も実質的に存在しない。特に、ＴＦＴ４３０８、アノード４３４４、および補助電極は、これらの構成要素が光を減衰させたり、光透過領域４３５１を透過するのを妨げたりしないように、全てサブピクセル領域４３３１内に位置付けられる。このような配置により、典型的な観察距離からデバイス４３００を見る観察者は、ピクセルがオフであるか、または非発光である場合にデバイス４３００を通して見ることができ、これにより、透明なＡＭＯＬＥＤディスプレイが作成される。
一部の実施形態では、ＡＭＯＬＥＤデバイスの電極がパターニングされてもよい。例えば、様々な実施形態において上記のプロセスを使用して選択的に堆積された導電性コーティングは、ＡＭＯＬＥＤデバイスの電極（例えば、カソード）として機能することができる。
したがって、一実施形態では、発光する光電子デバイスが提供され、デバイスは、発光領域および非発光領域と、非発光領域の少なくとも一部分に配設された核生成抑制コーティングと、発光領域に配設された導電性コーティングとを含む。さらなる実施形態では、発光領域は、第１の電極と、第１の電極の上に配設された半導電性層と、半導電性層の上に配設された導電性コーティングとを含む。このようにして、例えば、第１の電極は、アノードとして機能することができ、導電性コーティングは、光電子デバイスのカソードとして機能することができる。そのような実施形態では、非発光領域内の核生成抑制コーティングの表面は、導電性コーティングが実質的に存在しないか、または導電性コーティングから露出され得る。さらなる実施形態では、核生成促進コーティングを半導電性層と導電性コーティングとの間に配設することができる。発光光電子デバイスはＡＭＯＬＥＤデバイスであってもよく、そのようなデバイスに関連して本明細書に記載されている他の層、コーティング、および構成要素（ＴＦＴ、封入などを含むがこれらに限定されない）をさらに含み得ることが理解されよう。例えば、発光領域に配設された導電性コーティングは、約４０ｎｍ未満、例えば約５ｎｍ～約３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、または約１５ｎｍ～約２５ｎｍの厚さを有することができる。いくつかの例では、非発光領域は、光透過領域を含むことができる。
図２９Ｃは、一実施形態によるデバイス４３００’の断面図を示しており、第１の導電性コーティング４３５０’はサブピクセル領域４３３１に選択的に配設され、光透過領域４３５１は、第１の導電性コーティング４３５０’を形成するために使用される材料が実質的に存在しないか、またはその材料から露出している。例えば、デバイス４３００’の製造中に、核生成抑制コーティング４３６２は、第１の導電性コーティング４３５０’を堆積させる前に、光透過領域４３５１に堆積されてもよい。このようにして、第１の導電性コーティング４３５０’は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用してサブピクセル領域４３３１に選択的に堆積され得る。上述したように、第１の導電性コーティング４３５０’を形成するために使用される材料は、概して、核生成抑制コーティング４３６２の表面上に堆積させることに対して、比較的低い親和性（例えば、低い初期付着確率）を示す。例えば、第１の導電性コーティング４３５０’は、イッテルビウム（Ｙｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）およびマグネシウム（Ｍｇ）などの高蒸気圧材料を含み得る。一部の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０’は、純粋なマグネシウムまたは実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。第１の導電性コーティング４３５０’が存在しない、または第１の導電性コーティング４３５０’が実質的に存在しない光透過領域４３５１を設けることにより、そのような領域の光透過率は、例えば図２９Ｂのデバイス４３００と比較して、一部の場合に有利に高められ得る。一部の実施形態では、核生成促進コーティングは、第１の導電性コーティング４３５０’と半導電性層４３４８との間の界面に配置されてもよい。
図示されていないが、図２９ＢのＡＭＯＬＥＤデバイス４３００および図２９ＣのＡＭＯＬＥＤデバイス４３００’はそれぞれ、第１の導電性コーティング４３５０または４３５０’とその下にある表面（例えば、有機層４３４８）との間に配設された核生成促進コーティングをさらに含み得る。このような核生成促進コーティングはまた、核生成抑制コーティング４３６２とその下にある表面（例えば、ＰＤＬ４３４６ａ～ｂ）との間に配設されてもよい。
一部の実施形態では、核生成抑制コーティング４３６２は、有機層４３４８のうちの少なくとも１つと同時に形成されてもよい。例えば、核生成抑制コーティング４３６２を形成するための材料は、有機層４３４８のうちの少なくとも１つを形成するために使用されてもよい。このようにして、デバイス４３００または４３００’を製造するための段階の数を減らすことができる。
一部の実施形態では、上記の他の実施形態に関連して説明された、第２の導電性コーティングおよび第３の導電性コーティングを含む追加の導電性コーティングも、サブピクセル４３３３、４３３５、および４３３７上に設けることができる。さらに、一部の実施形態では、補助電極はまた、デバイス４３００、４３００’の非発光領域に設けられてもよい。例えば、このような補助電極は、サブピクセル領域４３３１または光透過領域４３５１における光透過率に実質的に影響を与えないように、隣接するピクセル４３２１間の領域に設けられてもよい。補助電極は、サブピクセル領域４３３１と光透過領域４３５１との間の領域に設けられてもよく、かつ／または必要に応じて、隣接するサブピクセル間に設けられてもよい。例えば、図２９Ｂの実施形態を参照すると、追加の核生成抑制コーティングが、サブピクセル４３３３領域に対応する第２の導電性コーティング４３５２の一部分の上に堆積され得、非発光領域に対応する部分は被覆されていないか、または露出されたままである。このようにして、導電性材料のオープンマスク堆積またはマスクフリー堆積を実施して、デバイス４３００の非発光領域の上に形成される補助電極をもたらすことができる。
一部の実施形態では、有機層４３４８を含む様々な層またはコーティングは、そのような層またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過領域４３５１の一部分を被覆することができる。あるいは、必要に応じて、ＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂを光透過領域４３５１から省略してもよい。
図２９Ａ、図２９Ｂ、および図２９Ｃに示されている配置以外のピクセルおよびサブピクセル配置も使用できることが理解されよう。
前述の実施形態では、核生成抑制コーティングは、核生成およびその上への導電性材料（例えば、マグネシウム）の堆積を抑制することに加えて、デバイスからの光の取り出しを強化するように作用し得る。具体的には、核生成抑制コーティングは、屈折率整合コーティング、キャッピング層（ＣＰＬ）、および／または反射防止コーティングとして機能することができる。
ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスを示す前述の実施形態に示されているデバイスを封入するために、バリアコーティング（図示せず）を設けることができる。理解されるように、そのようなバリアコーティングは、有機層および酸化されやすい可能性のあるカソードを含む様々なデバイス層が、水分および周囲空気に曝されることを抑制する場合がある。例えば、バリアコーティングは、印刷、ＣＶＤ、スパッタリング、ＡＬＤ、前述の任意の組み合わせによって、または任意の他の適切な方法によって形成された薄膜封入であり得る。バリアコーティングは、予め形成されたバリア膜を、接着剤を使用してデバイス上に積層することによって設けられてもよい。例えば、バリアコーティングは、有機材料、無機材料、または両方の組み合わせを含む多層コーティングであってもよい。一部の実施形態では、バリアコーティングは、ゲッター材料および／または乾燥剤をさらに含んでもよい。
ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスの共通電極のシート抵抗の仕様は、ディスプレイデバイスのサイズ（例えば、パネルサイズ）および電圧変動の許容範囲に従って変動する可能性がある。概して、パネルのサイズが大きくなり、パネル全体の電圧変動の許容範囲が小さくなると、シート抵抗の仕様が大きくなる（例えば、シート抵抗が低くなるように特定される）。
一実施形態による仕様に準拠するための補助電極のシート抵抗の仕様および関連する厚さを、様々なパネルサイズについて計算している。シート抵抗と補助電極の厚さを、０．１Ｖと０．２Ｖの電圧許容範囲に対して計算している。計算のために、全てのディスプレイパネルサイズに対して０．６４のアパーチャ比を想定している。
パネルサイズの例での補助電極の特定された厚さを、以下の表２に要約する。
理解されるように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（例えば、図２４に示されるＴＦＴ３８０４）を含むバックプレーンの様々な層および部分は、様々な適切な材料およびプロセスを使用して製造されてもよい。例えば、ＴＦＴは、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、レーザアニーリング、およびＰＶＤ（スパッタリングを含む）などの技術を使用して堆積および／または処理することができる有機材料または無機材料を使用して製造することができる。理解されるように、そのような層は、フォトマスクを使用して、その下にあるデバイス層を被覆するフォトレジストの選択部分をＵＶ光に曝すフォトリソグラフィを使用してパターニングすることができる。使用されるフォトレジストの種類に応じて、フォトマスクの露出部分または非露出部分を洗い流して、その下にあるデバイス層の所望の部分を露出させることができる。次に、パターニング表面を化学的または物理的にエッチングして、デバイス層の露出部分を効果的に除去することができる。
さらに、上記の特定の実施形態では、トップゲートＴＦＴが例示され、説明されてきたが、他のＴＦＴ構造も使用され得ることが理解されよう。例えば、ＴＦＴは、ボトムゲート型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の例には、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）を利用した構造が含まれる。
電極、１つ以上の有機層、ピクセル画定層、およびキャッピング層を含む、フロントプレーンの様々な層および部分は、熱蒸発および／または印刷を含む任意の適切な堆積プロセスを使用して堆積させることができる。例えば、そのような材料を堆積させる場合、所望のパターンを生成するためにシャドウマスクを適切に使用することができ、様々な層をパターニングするために様々なエッチングおよび選択的堆積プロセスも使用できることが理解されよう。そのような方法の例には、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷およびリールツーリール印刷を含む）、ＯＶＰＤ、およびＬＩＴＩパターニングが含まれるが、これらに限定されない。
発光領域への導電性コーティングの選択的堆積
一態様では、１つ以上の発光領域の上に導電性コーティングを選択的に堆積させる方法が提供される。一部の実施形態では、方法は、基板上に第１の導電性コーティングを堆積させることを含む。基板は、第１の発光領域および第２の発光領域を含み得る。基板上に堆積された第１の導電性コーティングは、基板の第１の発光領域をコーティングする第１の部分と、基板の第２の発光領域をコーティングする第２の部分とを含み得る。方法は、第１の導電性コーティングの第１の部分に第１の核生成抑制コーティングを堆積し、次に第１の導電性コーティングの第２の部分に第２の導電性コーティングを堆積させることをさらに含み得る。
一態様では、１つ以上の発光領域の上に導電性コーティングを選択的に堆積させる方法が提供される。一部の実施形態では、方法は、基板上に第１の導電性コーティングを堆積させることを含む。基板は、第１の発光領域および第２の発光領域を含み得る。基板上に堆積された第１の導電性コーティングは、基板の第１の発光領域をコーティングする第１の部分と、基板の第２の発光領域をコーティングする第２の部分とを含み得る。方法は、第１の導電性コーティングの第１の部分に第１の核生成抑制コーティングを堆積し、次に第１の導電性コーティングの第２の部分に第２の導電性コーティングを堆積させることをさらに含み得る。
図３０は、一実施形態による、デバイスを製造する段階の概要を示すフロー図である。図３１Ａ～図３１Ｄは、プロセスの各段階におけるデバイスを示す概略図である。
図３１Ａに示すように、基板３１０２が提供される。基板３１０２は、第１の発光領域３１１２および第２の発光領域３１１４を含む。基板３１０２は、１つ以上の非発光領域３１２１ａ～３１２１ｃをさらに含むことができる。例えば、第１の発光領域３１１２および第２の発光領域３１１４は、エレクトロルミネセントデバイスのピクセル領域またはサブピクセル領域に対応し得る。
段階１２では、第１の導電性コーティング３１３１が基板の上に堆積される。図３１Ｂに示すように、第１の導電性コーティング３１３１は、第１の発光領域３１１２、第２の発光領域３１１４、および非発光領域３１２１ａ～３１２１ｃをコーティングするように堆積される。第１の導電性コーティング３１３１は、第１の発光領域３１１２をコーティングする部分に対応する第１の部分３１３２と、第２の発光領域３１１４をコーティングする部分に対応する第２の部分３１３３とを含む。例えば、第１の導電性コーティング３１３１は、熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む、蒸発によって堆積されてもよい。一部の実施形態では、第１の導電性コーティング３１３１は、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで（すなわち、マスクフリーで）堆積させることができる。第１の導電性コーティング３１３１は、スパッタリング、化学蒸着、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩ、およびそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、他の方法を使用して堆積させることができる。
段階１４では、第１の核生成抑制コーティング３１４１が、第１の導電性コーティング３１３１の一部分の上に選択的に堆積される。図３１Ｃに示す実施形態では、第１の核生成抑制コーティング３１４１は、第１の発光領域３１１２に対応する第１の導電性コーティング３１３１の第１の部分３１３２をコーティングするように堆積される。そのような実施形態では、第２の発光領域３１１４の上に配設された第１の導電性コーティング３１３１の第２の部分３１３３は、第１の核生成抑制コーティング３１４１が実質的に存在しないか、または第１の核生成抑制コーティング３１４１から露出される。一部の実施形態では、第１の核生成抑制コーティング３１４１は、任意で、１つ以上の非発光領域の上に堆積された第１の導電性コーティング３１３１の部分もコーティングすることができる。例えば、第１の核生成抑制コーティング３１４１は、任意で、非発光領域３１２１ａおよび／または３１２１ｂなど、第１の発光領域３１１２に隣接する１つ以上の非発光領域の上に堆積された第１の導電性コーティング３１３１の部分をコーティングすることもできる。表面上に材料を選択的に堆積させるための様々なプロセスを使用して、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターニング、およびそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、第１の核生成抑制コーティング３１４１を堆積させることができる。
第１の核生成抑制コーティング３１４１が第１の導電性コーティング３１３１の表面の領域に堆積されると、核生成抑制コーティングが存在しない表面の残りの非被覆領域に第２の導電性コーティング３１５１が堆積され得る。図３１Ｄに着目すると、段階１６において、導電性コーティング源３１０５は、蒸発した導電性材料を第１の導電性コーティング３１３１および第１の核生成抑制コーティング３１４１の表面に方向付けるように示されている。図３１Ｄに示すように、導電性コーティング源３１０５は、被覆または処理された領域（すなわち、核生成抑制コーティング３１４１がその上に堆積された第１の導電性コーティング３１３１の領域）と、第１の導電性コーティング３１３１の被覆されていないか、または処理されていない領域の両方に入射するように、蒸発した導電性材料を方向付けることができる。しかしながら、第１の核生成抑制コーティング３１４１の表面は、第１の導電性コーティング３１３１の非被覆表面の表面と比較して比較的小さい初期付着係数を示すので、第２の導電性コーティング３１５１は、第１の核生成抑制コーティング３１４１が存在しない第１の導電性コーティング表面の領域に選択的に堆積させる。したがって、第２の導電性コーティング３１５１は、第１の導電性コーティング３１３１の第２の部分３１３３をコーティングすることができ、これは、第２の発光領域３１１４をコーティングする第１の導電性コーティング３１３１の部分に対応する。図３１Ｄに示されるように、第２の導電性コーティング３１５１は、非発光領域３１２１ａ、３１２１ｂ、および３１２１ｃをコーティングする部分を含む、第１の導電性コーティング３１３１の他の部分または領域もコーティングし得る。第２の導電性コーティング３１５１は、例えば、純粋なマグネシウム、または実質的に純粋なマグネシウムを含み得る。例えば、第２の導電性コーティング３１５１は、第１の導電性コーティング３１３１を形成するために使用されるものと同一の材料を使用して形成されてもよい。第２の導電性コーティング３１５１は、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで（すなわち、マスクフリー堆積プロセスで）堆積させることができる。
一部の実施形態では、方法は、段階１６に続く追加の段階をさらに含み得る。そのような追加の段階は、例えば、１つ以上の追加の核生成抑制コーティングを堆積させること、１つ以上の追加の導電性コーティングを堆積させること、補助電極を堆積させること、取り出しコーティングを堆積させること、および／またはデバイスの封入を含み得る。
上記の方法は、第１および第２の発光領域を有するデバイスに関連して図示および説明されているが、３つ以上の発光領域を有するデバイスにも同様に適用できることが理解されよう。例えば、そのような方法は、各発光領域の発光スペクトルに従って様々な厚さの導電性コーティングを堆積させるために使用されてもよい。
第１の導電性コーティング３１３１および第２の導電性コーティング３１５１は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において光透過性または実質的に透明であり得る。さらなる明確化のために、第１の導電性コーティング３１３１および第２の導電性コーティング３１５１はそれぞれ、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において光透過性または実質的に透明であってもよい。したがって、第２の導電性コーティング（および任意の追加の導電性コーティング）が第１の導電性コーティングの上に配設されてマルチコーティング電極を形成する場合、そのような電極はまた、電磁スペクトルの可視波長部分で光透過性または実質的に透明であり得る。例えば、第１の導電性コーティング３１３１、第２の導電性コーティング３１５１、および／またはマルチコーティング電極の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分で約３０％超、約４０％超、約４５％超、約５０％超、約６０％超、７０％超、約７５％超、または約８０％以上であってもよい。
一部の実施形態では、第１の導電性コーティング３１３１および第２の導電性コーティング３１５１の厚さは、比較的高い光透過率を維持するために比較的薄くすることができる。例えば、第１の導電性コーティング３１３１の厚さは、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、または約１０～２０ｎｍであってもよい。第２の導電性コーティング３１５１の厚さは、例えば、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、または約３～６ｎｍであってもよい。したがって、第１の導電性コーティング３１３１、第２の導電性コーティング３１５１および任意の追加の導電性コーティングの組み合わせによって形成されるマルチコーティング電極の厚さは、例えば、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、または約１０～２５ｎｍ、あるいは約１２～１８ｎｍであってもよい。
第１の発光領域３１１２および第２の発光領域３１１４は、一部の実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイデバイスのサブピクセル領域に対応し得る。したがって、様々なコーティングが堆積される基板３１０２は、前述の実施形態で具体的に図示または説明されていない１つ以上の追加の有機層および／または無機層を含むことができることが理解されよう。例えば、ＯＬＥＤディスプレイデバイスは、アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスであってもよい。そのような実施形態では、基板３１０２は、電極および各発光領域（例えば、サブピクセル）の電極上に堆積された少なくとも１つの有機層を含み得、第１の導電性コーティング３１３１は、少なくとも１つの有機層上に堆積され得る。例えば、電極は、アノードであってもよく、第１の導電性コーティング３１３１は、それ自体で、または第２の導電性コーティング３１５１および任意の追加の導電性コーティングと組み合わせて、カソードを形成してもよい。少なくとも１つの有機層は、エミッタ層を含み得る。少なくとも１つの有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、および／または任意の追加の層をさらに含むことができる。基板３１０２は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をさらに含むことができる。デバイスに設けられる各アノードは、少なくとも１つのＴＦＴに電気的に接続され得る。例えば、基板３１０２は、１つ以上のトップゲート薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１つ以上のボトムゲートＴＦＴ、および／または他のＴＦＴ構造を含むことができる。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の例には、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）などが含まれる。
基板３１０２はまた、上記で特定された追加の有機層および／または無機層を支持するためのベース基板を含み得る。例えば、ベース基板は、可撓性または剛性の基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板としての使用に適した他の材料を含み得る。
第１の発光領域３１１２および第２の発光領域３１１４は、互いに異なる波長または発光スペクトルの光を放出するように構成されたサブピクセルであり得る。第１の発光領域３１１２は、第１の波長または第１の発光スペクトルを有する光を放出するように構成され得、第２の発光領域３１１４は、第２の波長または第２の発光スペクトルを有する光を放出するように構成され得る。第１の波長は、第２の波長および／または第３の波長より短くても長くてもよく、第２の波長は、第１の波長および／または第３の波長より短くても長くてもよい。デバイスは、任意の数の追加の発光領域、ピクセル、またはサブピクセルを含むことができる。例えば、デバイスは、第１の発光領域または第２の発光領域の波長または発光スペクトルとは異なる第３の波長または第３の発光スペクトルを有する光を放出するように構成される追加の発光領域を含み得る。デバイスはまた、第１の発光領域、第２の発光領域、または他の追加の発光領域と実質的に同一の波長または発光スペクトルを有する光を放出するように構成される追加の発光領域を含み得る。
一部の実施形態では、第１の核生成抑制コーティング３１４１は、第１の発光領域３１１２のうちの少なくとも１つの有機層を堆積させるために使用されるものと同じシャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。このようにして、核生成抑制層を堆積させるための追加のマスク要件がなくなるため、光マイクロキャビティ効果は、費用効果の高い方法で各サブピクセルに対して調整することができる。
図３２は、ＡＭＯＬＥＤデバイス１３００の一部を示す概略断面図である。簡略化のために、以下の実施形態の説明では、ＴＦＴ１３０８ａ、１３０８ｂ、１３０８ｃに関するものを含むバックプレーンの特定の詳細は省略されている。
図３２の実施形態では、デバイス１３００は、第１の発光領域１３３１ａ、第２の発光領域１３３１ｂ、および第３の発光領域１３３１ｃを含む。例えば、発光領域は、デバイス１３００のサブピクセルに対応することができる。デバイス１３００では、第１の電極１３４４ａ、１３４４ｂ、１３４４ｃが、それぞれ、第１の発光領域１３３１ａ、第２の発光領域１３３１ｂ、および第３の発光領域１３３１ｃのそれぞれに形成される。図３２に示すように、第１の電極１３４４ａ、１３４４ｂ、１３４４ｃのそれぞれは、それぞれのＴＦＴ１３０８ａ、１３０８ｂ、１３０８ｃと電気的に連絡するように、絶縁層１３４２の開口部を通って延在する。次に、ピクセル画定層（ＰＤＬ）１３４６ａ～ｄが、各電極の外縁部を含む第１の電極１３４４ａ～ｃの少なくとも一部分を被覆するように形成される。例えば、ＰＤＬ１３４６ａ～ｄは、絶縁有機材料または無機材料を含み得る。有機層１３４８ａ、１３４８ｂ、１３４８ｃは、次に、特に隣接するＰＤＬ１３４６ａ～ｄの間の領域において、それぞれの第１の電極１３４４ａ、１３４４ｂ、１３４４ｃの上に堆積される。第１の導電性コーティング１３７１は、有機層１３４８ａ～ｃおよびＰＤＬ１３４６ａ～ｄの両方を実質的に被覆するように堆積される。例えば、第１の導電性コーティング１３７１は、共通カソードまたはその一部分を形成することができる。第１の核生成抑制コーティング１３６１は、第１の発光領域１３３１ａ上に配設された第１の導電性コーティング１３７１の一部分の上に選択的に堆積される。例えば、第１の核生成抑制コーティング１３６１は、ファインメタルマスクまたはシャドウマスクを使用して選択的に堆積されてもよい。したがって、第２の導電性コーティング１３７２は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、第１の導電性コーティング１３７１の露出表面上に選択的に堆積される。さらに具体的には、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで第２の導電性コーティング１３７２（例えば、マグネシウムを含む）の熱堆積を実施することにより、第２の導電性コーティング１３７２は、第１の導電性コーティング１３７１の露出表面上に選択的に堆積され、一方、第１の核生成抑制コーティング１３６１の表面には、第１の導電性コーティング１３７２の材料が実質的に存在しないままである。第２の導電性コーティング１３７２は、第２の発光領域１３３１ｂおよび第３の発光領域１３３１ｃの上に配設された第１の導電性コーティング１３７１の部分をコーティングするために堆積されてもよい。
図３２に示されるデバイス１３００では、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２は、集合的に共通カソード１３７５を形成することができる。具体的には、共通カソード１３７５は、第１の導電性コーティング１３７１と第２の導電性コーティング１３７２の組み合わせによって形成され得、第２の導電性コーティング１３７２は、第１の導電性コーティング１３７１の少なくとも一部分の上に直接配設される。共通カソード１３７５は、第１の発光領域１３３１ａにおいて第１の厚さｔｃ１を有し、第２の発光領域１３３５ｂおよび第３の発光領域１３３５ｃにおいて第２の厚さｔｃ２を有する。第１の厚さｔｃ１は、第１の導電性コーティング１３７１の厚さに対応し得、第２の厚さｔｃ２は、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２の合計厚さに対応し得る。したがって、第２の厚さｔｃ２は、第１の厚さｔｃ１よりも大きい。
図３３は、共通カソード１３７５が第３の導電性コーティング１３７３をさらに含む、デバイス１３００のさらなる実施形態を示す。具体的には、図３３の実施形態では、デバイス１３００は、第２の発光領域１３３１ｂの上に設けられた第２の導電性コーティング１３７２の一部分上に設けられた第２の核生成抑制コーティング１３６２を含む。次に、第３の導電性コーティング１３７３が、第３の発光領域１３３１ｃ上に配設された第２の導電性コーティング１３７２の部分を含む、第２の導電性コーティング１３７２の露出または未処理表面上に堆積される。このようにして、第１の発光領域１３３１ａにおける第１の厚さｔｃ１、第２の発光領域１３３１ｂにおける第２の厚さｔｃ２、および第３の発光領域１３３１ｃにおける第３の厚さｔｃ３を有する共通カソード１３７５を設けることができる。理解されるように、第１の厚さｔｃ１は、第１の導電性コーティング１３７１の厚さに対応し、第２の厚さｔｃ２は、第２の導電性コーティング１３７２の厚さに対応し、第３の厚さｔｃ３は、第３の導電性コーティング１３７３の厚さに対応する。したがって、第１の厚さｔｃ１は第２の厚さｔｃ２より小さくてもよく、第３の厚さｔｃ３は第２の厚さｔｃ２より大きくてもよい。
図３４に示されているさらに別の実施形態では、デバイス１３００は、第３の発光領域１３３１ｃの上に配設された第３の核生成抑制コーティング１３６３をさらに含むことができる。具体的には、第３の核生成抑制コーティング１３６３は、第３の発光領域１３３１ｃに対応するデバイスの一部分をコーティングする第３の導電性コーティング１３７３の一部分の上に堆積されるように示されている。
図３５に示されるさらに別の実施形態では、デバイス１３００は、デバイス１３００の非発光領域に配設された補助電極１３８１をさらに含む。例えば、補助電極１３８１は、第２の導電性コーティング１３７２および／または第３の導電性コーティング１３７３を堆積させるために使用されるプロセスと実質的に同じプロセスを使用して形成されてもよい。補助電極１３８１は、デバイス１３００の非発光領域に対応するピクセル画定層１３４６ａ～１３４６ｄの上に堆積されるものとして示されている。発光領域１３３１ａ、１３３１ｂ、１３３１ｃには、補助電極１３８１を形成するために使用される材料が実質的に存在しない場合がある。
第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３は、電磁スペクトルの可視波長部分において光透過性または実質的に透明であり得る。さらなる明確化のために、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３はそれぞれ、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において、光透過性または実質的に透明であり得る。したがって、第２の導電性コーティングおよび／または第３の導電性コーティングが第１の導電性コーティングの上に配設されて共通カソード１３７５を形成するとき、そのような電極はまた、電磁スペクトルの可視波長部分で光透過性または実質的に透明であり得る。例えば、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、第３の導電性コーティング１３７３、および／または共通カソード１３７５の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分で約３０％超、約４０％超、約４５％超、約５０％超、約６０％超、７０％超、約７５％超、または約８０％以上であってもよい。
一部の実施形態では、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３の厚さを比較的薄くして、比較的高い光透過率を維持することができる。例えば、第１の導電性コーティング１３７１の厚さは、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、または約１０～２０ｎｍであってもよい。第２の導電性コーティング１３７２の厚さは、例えば、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、または約３～６ｎｍであってもよい。第３の導電性コーティング１３７３の厚さは、例えば、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、または約３～６ｎｍであってもよい。したがって、第１の導電性コーティング１３７１と第２の導電性コーティング１３７２および／または第３の導電性コーティング１３７３との組み合わせによって形成される共通カソード１３７５の厚さは、例えば、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、または約１０～２５ｎｍ、あるいは約１２～１８ｎｍであってもよい。
補助電極１３８１の厚さは、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、第３の導電性コーティング１３７３、および／または共通カソード１３７５の厚さよりも大きくてよい。例えば、補助電極１３８１の厚さは、約５０ｎｍ超、約８０ｎｍ超、約１００ｎｍ超、約１５０ｎｍ超、約２００ｎｍ超、約３００ｎｍ超、約４００ｎｍ超、約５００ｎｍ超、約７００ｎｍ超、約８００ｎｍ超、約１μｍ超、約１．２μｍ超、約１．５μｍ超、約２μｍ超、約２．５μｍ超、または約３μｍ超であってもよい。一部の実施形態では、補助電極１３７５は、実質的に非透明であるか、または不透明であり得る。しかしながら、補助電極１３７５は、概して、デバイスの非発光領域に設けられるので、補助電極１３７５は、重大な光学干渉を引き起こさない場合がある。例えば、補助電極１３７５の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分の約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、または約９５％未満であってもよい。一部の実施形態では、補助電極１３７５は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分の光を吸収することができる。
第１の導電性コーティング１３７１は、光透過性導電層またはコーティングを形成するために概して使用される様々な材料を含み得る。例えば、第１の導電性コーティング１３７１は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、金属または非金属薄膜、およびそれらの任意の組み合わせを含み得る。第１の導電性コーティング１３７１は、２つ以上の層またはコーティングをさらに含み得る。例えば、そのような層またはコーティングは、互いの上に配設された別個の層またはコーティングであってもよい。第１の導電性コーティング１３７１は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、および前述の材料のいずれかを含む合金を含む、それらのいずれか２つ以上の組み合わせを含む様々な材料を含んでもよい。例えば、第１の導電性コーティング１３７１は、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｍｇ：Ｙｂ合金、Ｙｂ層およびＡｇ層を含む二層構造、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。Ｍｇ：Ａｇ合金またはＭｇ：Ｙｂ合金の場合、合金組成は、体積で約１：９～約９：１の範囲であってもよい。
第２の導電性コーティング１３７２および第３の導電性コーティング１３７３は、イッテルビウム（Ｙｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）およびマグネシウム（Ｍｇ）などの高蒸気圧材料を含み得る。一部の実施形態では、第２の導電性コーティング１３７２および第３の導電性コーティング１３７３は、純粋なマグネシウムまたは実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。
補助電極１３８１は、第２の導電性コーティング１３７２および／または第３の導電性コーティング１３７３と実質的に同じ材料を含み得る。一部の実施形態では、補助電極１３８１は、マグネシウムを含み得る。例えば、補助電極１３８１は、純粋なマグネシウムまたは実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。他の例では、補助電極１３８１は、Ｙｂ、Ｃｄ、および／またはＺｎを含んでもよい。
一部の実施形態では、発光領域１３３１ａ、１３３１ｂ、１３３１ｃに配設された核生成抑制コーティング１３６１、１３６２、１３６３の厚さは、各発光領域によって放出される光の色または放出スペクトルに従って変化し得る。図３４および３５に示すように、第１の核生成抑制コーティング１３６１は、第１の核生成抑制コーティング厚さｔｎ１を有し得、第２の核生成抑制コーティング１３６２は、第２の核生成抑制コーティング厚さｔｎ２を有し得、第３の核生成抑制コーティング１３６３は、第３の核生成抑制コーティング厚さｔｎ３を有し得る。第１の核生成抑制コーティング厚さｔｎ１、第２の核生成抑制コーティング厚さｔｎ２、および／または第３の核生成抑制コーティング厚さｔｎ３は、互いに実質的に同じであってもよい。あるいは、第１の核生成抑制コーティング厚さｔｎ１、第２の核生成抑制コーティング厚さｔｎ２、および／または第３の核生成抑制コーティング厚さｔｎ３は、互いに異なっていてもよい。
各発光領域またはサブピクセルに互いに独立して配設された核生成抑制コーティングの厚さを調整することにより、各発光領域またはサブピクセルの光マイクロキャビティ効果をさらに制御することができる。例えば、青のサブピクセル上に配設された核生成抑制コーティングの厚さは、緑のサブピクセル上に配設された核生成抑制コーティングの厚さよりも薄くてもよく、緑のサブピクセル上に配設された核生成抑制コーティングの厚さは、赤のサブピクセル上に配設された核生成抑制コーティングの厚さよりも薄くてもよい。理解されるように、各発光領域またはサブピクセルにおける光学的マイクロキャビティ効果は、他の発光領域またはサブピクセルとは無関係に、各発光領域またはサブピクセルの核生成抑制コーティング厚および導電性コーティング厚の両方を変調することにより、さらに大きく制御することができる。
光学マイクロキャビティ効果は、ＯＬＥＤなどの光電子デバイスを構築するために使用される、様々な屈折率の多数の薄膜層とコーティングによって作成された光学干渉の存在によって発生する。デバイスで観察される光マイクロキャビティ効果に影響を与えるいくつかの要因には、総経路長（例えば、デバイスから放出された光が取り出される前に進行するデバイスの総厚）と、様々な層およびコーティングの屈折率とが含まれる。ここで、発光領域（例えば、サブピクセル）におけるカソードの厚さを調整することにより、発光領域における光マイクロキャビティ効果が変化し得ることが見出されている。そのような影響は、概して、全光路長の変化に起因する可能性がある。さらに、特に薄いコーティングによって形成された光透過性カソードの場合、カソードの厚さの変化は、全光路長に加えてカソードの屈折率も変化させ得ると想定されている。さらに、光路長、したがって光マイクロキャビティ効果も、発光領域に配設された核生成抑制コーティングの厚さを変更することによって変調することができる。
光マイクロキャビティ効果の変調によって影響を受け得るデバイスの光学特性には、出力光の輝度とカラーシフトの角度依存性を含む、出力光の発光スペクトル、強度（光度）、および角度分布が含まれる。
様々な実施形態が２つまたは３つの発光領域またはサブピクセルを用いて説明されてきたが、デバイスは、任意の数の発光領域またはサブピクセルを含み得ることが理解されよう。例えば、デバイスは複数のピクセルを含むことができ、各ピクセルは２つ、３つ、またはそれ以上のサブピクセルを含む。さらに、他のピクセルまたはサブピクセルに対するピクセルまたはサブピクセルの特定の配置は、デバイス設計に応じて変化させることができる。例えば、サブピクセルは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイアモンド、またはペンタイル（登録商標）などの既知の配置スキームに従って配置されてもよい。
電極を補助電極に電気的に接続するための導電性コーティング
一態様では、光電子デバイスが提供される。光電子デバイスは、第１の電極および第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に配設された半導電性層、第２の電極の少なくとも一部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、補助電極と、補助電極と重なるように配置され、陰影領域を設けるパターニング構造と、陰影領域に配設された導電性コーティングと、を含み、導電性コーティングは、補助電極および第２の電極と電気的に接続されている。
一態様では、光電子デバイスが提供される。光電子デバイスは、第１の電極および第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に配設された半導電性層、第２の電極の少なくとも一部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、補助電極と、補助電極と重なるように配置され、陰影領域を設けるパターニング構造と、陰影領域に配設された導電性コーティングと、を含み、導電性コーティングは、補助電極および第２の電極と電気的に接続されている。
図３６は、一実施形態による光電子デバイス５０１１を示す。デバイス５０１１は、非発光領域５０１４に隣接して配置された発光領域５０１２を含む。一部の実施形態では、発光領域５０１２は、デバイス５０１１のサブピクセル領域に対応する。発光領域５０１２は、第１の電極５０３０、第２の電極５０８１、および第１の電極５０３０と第２の電極５０８１との間に配置された半導電性層５０７１を含む。第１の電極５０３０は、基板５０１０の表面５０１５に設けられている。基板５０１０は、第１の電極５０３０に電気的に接続されたＴＦＴ５０２０を含む。第１の電極５０３０の縁部または周囲は、概して、ピクセル画定層５０１４によって被覆されている。非発光領域５０１４は、補助電極５０５１と、補助電極５０５１と重なるように配置されたパターニング構造５０６１とを含む。パターニング構造５０６１は、横方向に延在して、陰影領域５０４２を設ける。例えば、パターニング構造５０６１は、陰影領域を設けるために、少なくとも一方の側の補助電極５０５１で、またはその近傍で凹状となってもよい。図示の実施形態では、陰影領域５０４２は、ピクセル画定層５０４１の表面上の、パターニング構造５０６１の横方向に延在する部分と重なる領域に対応する。非発光領域５０１４は、陰影領域５０４２に配設された導電性コーティング５０９９をさらに含む。導電性コーティング５０９９は、補助電極５０５１と第２の電極５０８１とを電気的に接続する。核生成抑制コーティング５０９１は、発光領域５０１２および非発光領域５０１４に配設される。核生成抑制コーティング５０９１は、第２の電極５０８１の表面上に配設される。一部の実施形態では、パターニング構造５０６１の表面は、残留する第２の電極５０８１’および残留核生成抑制コーティング５０９１’でコーティングされる。陰影領域５０４２には、核生成抑制コーティング５０９１が実質的に存在しないか、または核生成抑制コーティング５０９１によって被覆されておらず、導電性コーティング５０９９をその上に堆積させることができる。
図３６はそのようなデバイスの１つの実施形態を示しているが、様々な修正が行われ得ることが理解されよう。例えば、一部の実施形態では、パターニング構造５０６１は、その側面のうちの少なくとも２つに沿って陰影領域を設けることができる。他の実施形態では、パターニング構造５０６１は省略されてもよく、補助電極５０５１は、陰影領域５０４２を設けるために凹状部分を含んでもよい。さらに他の実施形態では、補助電極５０５１および導電性コーティング５０９９は、ピクセル画定層５０４１上ではなく、基板５０１０の表面５０１５上に直接配設されてもよい。
光学コーティングの選択的堆積
一部の実施形態による一態様では、デバイスが提供される。デバイスは、光電子デバイスであり得る。一部の実施形態では、デバイスは、基板、核生成抑制コーティング、および光学コーティングを含む。核生成抑制コーティングは、基板の第１の領域を被覆する。光学コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、核生成抑制コーティングの少なくとも一部分は、光学コーティングから露出しているか、または実質的に存在しないか、または実質的に被覆されていない。
一部の実施形態による一態様では、デバイスが提供される。デバイスは、光電子デバイスであり得る。一部の実施形態では、デバイスは、基板、核生成抑制コーティング、および光学コーティングを含む。核生成抑制コーティングは、基板の第１の領域を被覆する。光学コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、核生成抑制コーティングの少なくとも一部分は、光学コーティングから露出しているか、または実質的に存在しないか、または実質的に被覆されていない。
光学コーティングを使用して、デバイスによって透過、放出、または吸収される光の光学特性（プラズモンモードを含む）を変調することができる。例えば、光学コーティングは、光学フィルタ、屈折率整合コーティング、光学取り出しコーティング、散乱層、回折格子、またはそれらの部分として使用されてもよい。別の例では、光学コーティングを使用して、例えば、全光路長および／または屈折率を調整することにより、光電子デバイス内のマイクロキャビティ効果を変調することができる。光マイクロキャビティ効果の変調によって影響を受け得るデバイスの光学特性には、出力光の輝度とカラーシフトの角度依存性を含む、出力光の発光スペクトル、強度（光度）、および角度分布が含まれる。一部の実施形態では、光学コーティングは非電気的構成要素であってもよい。換言すれば、光学コーティングは、そのような実施形態における通常のデバイス動作中に電流を伝導または伝送するように構成されていない場合がある。
例えば、光学コーティングは、上述の導電性コーティングを堆積させる方法の様々な実施形態のいずれかを使用して形成されてもよい。光学コーティングは、イッテルビウム（Ｙｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）およびマグネシウム（Ｍｇ）などの高蒸気圧材料を含み得る。一部の実施形態では、光学コーティングは、純粋なマグネシウムまたは実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。
薄膜の形成
基板の表面上での蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階の間、十分な数の蒸気モノマー（例えば、原子または分子）は、典型的には、蒸気相から凝縮して、表面上に初期核を形成する。蒸気モノマーが表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さなクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで続く。
基板の表面上での蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階の間、十分な数の蒸気モノマー（例えば、原子または分子）は、典型的には、蒸気相から凝縮して、表面上に初期核を形成する。蒸気モノマーが表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さなクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで続く。
薄膜の形成には、１）島成長（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）層ごとの成長（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、および３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の３つの基本的な成長モードがある。島の成長は通常、モノマーの安定したクラスタが表面で核生成となり、成長して離散した島を形成するときに発生する。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面間の相互作用よりも強い場合に発生する。
核生成速度は、単位時間あたりに表面上に形成される臨界サイズの核の数を表す。膜形成の初期段階では、核の密度が低く、これにより核が表面の比較的小さな部分を被覆するため（例えば、隣接する核の間に大きなギャップ／空間が存在する）、核が表面へのモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長する速度は、通常、表面に吸着したモノマー（例えば、吸着原子）が移動して近傍の核に付着する速度に依存する。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱離するか、あるいは、脱離し、他の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成し、または成長している核に付着する前に、表面上をある程度移動することができる。最初の吸着後に吸着原子が表面に留まる平均時間は、次の式で与えられる。
上記の式で、νは表面の吸着原子の振動周波数、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、Ｅｄｅｓは吸着原子を表面から脱離させるために必要なエネルギーである。この式から、Ｅｄｅｓの値が低いほど、吸着原子が表面から脱離しやすくなるため、吸着原子が表面に留まる時間が短くなることがわかる。吸着原子が拡散できる平均距離は、次の式で与えられる。
式中、ａ０は格子定数であり、ＥＳは、表面拡散の活性化エネルギーである。Ｅｄｅｓが低い値、および／またはＥＳが高い値、あるいはその両方の場合、吸着原子は脱離前に短い距離を拡散するため、成長している核に付着したり、別の吸着原子または吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなる。
式中、ａ０は格子定数であり、ＥＳは、表面拡散の活性化エネルギーである。Ｅｄｅｓが低い値、および／またはＥＳが高い値、あるいはその両方の場合、吸着原子は脱離前に短い距離を拡散するため、成長している核に付着したり、別の吸着原子または吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなる。
膜形成の初期段階では、吸着された吸着原子が相互作用してクラスタを形成することができ、単位面積あたりのクラスタの臨界濃度は、次の式で与えられる。
式中、Ｅｉはｉ個の吸着原子を含む臨界クラスタを個別の吸着原子に解離するために必要なエネルギー、ｎ０は吸着部位の総密度、Ｎ１は次の式で与えられるモノマー密度である。
式中、
は蒸気衝突速度である。通常、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを決定する。
式中、Ｅｉはｉ個の吸着原子を含む臨界クラスタを個別の吸着原子に解離するために必要なエネルギー、ｎ０は吸着部位の総密度、Ｎ１は次の式で与えられるモノマー密度である。
式中、
は蒸気衝突速度である。通常、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを決定する。
成長するクラスタの臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱離する前に拡散できる平均面積によって与えられる。
したがって、臨界核生成速度は、上記の式の組み合わせによって与えられる。
上記の式から、吸着した吸着原子の脱離エネルギーが低い表面、吸着原子の拡散の活性化エネルギーが高い表面、高温である表面、または蒸気衝突速度が低い表面では、臨界核生成速度が抑制されることがわかる。
欠陥、レッジ、ステップ縁部などの基板の異質性の部位は、Ｅｄｅｓを増加させ、そのような部位で観察される核の密度を高める可能性がある。また、不純物または表面の汚染もＥｄｅｓを増加させ、核密度を高める可能性がある。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面の汚染物質の種類と密度は、真空圧力と、その圧力を構成する残留ガスの組成に影響される。
高真空条件下では、表面に衝突する分子のフラックス（ｃｍ２－ｓｅｃあたり）は次のように与えられる。
式中、Ｐは圧力、Ｍは分子量である。したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面の汚染密度が高くなり、Ｅｄｅｓが増加して核の密度が高くなる。
式中、Ｐは圧力、Ｍは分子量である。したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面の汚染密度が高くなり、Ｅｄｅｓが増加して核の密度が高くなる。
薄膜核生成と成長を特徴付けるための有用なパラメータは、以下によって与えられる付着確率である。
式中、Ｎａｄｓは、表面に残る（例えば、膜に組み込まれる）吸着されたモノマーの数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面に衝突するモノマーの総数である。付着確率が１に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率が０に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが脱離し、その後、表面に膜が形成されないことを示す。Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）．に記載されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技術など、付着確率を測定する様々な技術を使用して、様々な表面上の金属の付着確率を評価できる。
式中、Ｎａｄｓは、表面に残る（例えば、膜に組み込まれる）吸着されたモノマーの数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面に衝突するモノマーの総数である。付着確率が１に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率が０に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが脱離し、その後、表面に膜が形成されないことを示す。Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）．に記載されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技術など、付着確率を測定する様々な技術を使用して、様々な表面上の金属の付着確率を評価できる。
島の密度が増加する（例えば、平均膜厚が増加する）につれて、付着確率が変化する可能性がある。例えば、低い初期付着確率は、平均膜厚さが増加するにつれて増加する可能性がある。これは、島のない表面の領域（ベア基板）と島の密度が高い領域の付着確率の違いから理解することができる。例えば、島の表面に衝突するモノマーは、１に近い付着確率を有することができる。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、有意な数の臨界核が形成される前の表面の付着確率として特定できる。初期付着確率の１つの尺度には、表面全体の堆積材料の平均厚さが閾値以下である、材料の堆積の初期段階中の材料の表面の付着確率を含まれ得る。一部の実施形態の説明では、初期付着確率の閾値は、１ｎｍと特定することができる。次に、平均付着確率は次のように与えられる。
式中、Ｓｎｕｃは島で被覆された領域の付着確率であり、Ａｎｕｃは島で被覆された基板表面の領域の割合である。
式中、Ｓｎｕｃは島で被覆された領域の付着確率であり、Ａｎｕｃは島で被覆された基板表面の領域の割合である。
基板表面に吸着した吸着原子のエネルギープロファイルの例を図３８に示す。具体的には、図３８は、（１）局所的低エネルギー部位から脱出する吸着原子、（２）表面上の吸着原子の拡散、（３）吸着原子の脱離、に対応するエネルギープロファイルを示している。
（１）では、局所的低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーになる基板表面上の任意の部位であり得る。通常、核生成部位は、例えば、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、またはキンクなどの表面基板上の欠陥または異常であり得る。吸着原子が局所的低エネルギー部位でトラップされると、通常、表面拡散が発生する前にエネルギー障壁が存在することになる。このエネルギー障壁は、図３８の図においてΔＥとして表されている。局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁が十分に大きい場合、その部位は核生成部位として機能する可能性がある。
（２）では、吸着原子は基板表面に拡散することができる。例えば、局所的な吸収物の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱離するか、吸着原子のクラスタによって形成される成長している膜または成長している島に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向がある。図３８の図において、吸着原子の表面拡散に関連した活性化エネルギーは、ＥＳとして表される。
（３）では、吸着原子の表面からの脱離に関連する活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓとして表される。脱離されない吸着原子は基板表面に残ることが理解されよう。例えば、そのような吸着原子は、表面に拡散したり、成長している膜またはコーティングの一部として組み込まれたり、表面に島を形成する吸着原子のクラスタの一部になり得る。
図３８に示されるエネルギープロファイルに基づいて、脱離のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）および／または表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（ＥＳ）を示す核生成抑制コーティング材料は、様々な用途での使用に特に有利であると想定できる。例えば、いくつかの実施形態では、脱離のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）が熱エネルギー（ｋＢＴ）の約２倍未満、熱エネルギーの約１．５倍未満、熱エネルギーの約１．３倍未満、熱エネルギーの約１．２倍未満、熱エネルギー未満、熱エネルギーの約０．８倍未満、または熱エネルギーの約０．５倍未満であることが特に有利であり得る。一部の実施形態では、表面拡散（ＥＳ）の活性化エネルギーが、熱エネルギーよりも大きく、熱エネルギーの約１．５倍超、熱エネルギーの約１．８倍超、熱エネルギーの約２倍超、熱エネルギーの約３倍超、熱エネルギーの約５倍超、熱エネルギーの約７倍超、または熱エネルギーの約１０倍超であることが特に有利であり得る。
導電性コーティングを選択的に堆積して共通カソード用のカソードまたは補助電極を形成することに関して特定の実施形態を説明したが、他の実施形態では、同様の材料およびプロセスを使用して、アノードまたはアノード用の補助電極を形成できることが理解されよう。
核生成抑制コーティング
核生成抑制コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、約０．１（または１０％）以下もしくは未満、または約０．０５以下もしくは未満、および、より具体的には、約０．０３以下もしくは未満、約０．０２以下もしくは未満、約０．０１以下もしくは未満、約０．０８以下もしくは未満、約０．００５以下もしくは未満、約０．００３以下もしくは未満、約０．００１以下もしくは未満、約０．０００８以下もしくは未満、約０．０００５以下もしくは未満、または約０．０００１以下もしくは未満の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。核生成促進コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、少なくとも約０．６（または６０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、または少なくとも約０．９９の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。
核生成抑制コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、約０．１（または１０％）以下もしくは未満、または約０．０５以下もしくは未満、および、より具体的には、約０．０３以下もしくは未満、約０．０２以下もしくは未満、約０．０１以下もしくは未満、約０．０８以下もしくは未満、約０．００５以下もしくは未満、約０．００３以下もしくは未満、約０．００１以下もしくは未満、約０．０００８以下もしくは未満、約０．０００５以下もしくは未満、または約０．０００１以下もしくは未満の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。核生成促進コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、少なくとも約０．６（または６０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、または少なくとも約０．９９の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。
適切な核生成抑制材料には、小分子有機材料および有機ポリマーなどの有機材料が含まれる。適切な有機材料の例には、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、およびアルミニウム（Ａｌ）などの１つ以上のヘテロ原子を任意に含み得る有機分子を含む多環式芳香族化合物が含まれる。一部の実施形態では、多環式芳香族化合物は、コア部分およびコア部分に結合した少なくとも１つの末端部分をそれぞれ含む有機分子を含む。末端部分の数は、１以上、２以上、３以上、または４以上であってもよい。２つ以上の末端部分の場合、末端部分は同じであっても異なっていてもよく、または末端部分のサブセットは同じでも少なくとも１つの残りの末端部分と異なっていてもよい。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ａ）によって表されるフェニル部分であるか、または当該フェニル部分を含む。
概して、（Ｉ－Ａ）によって表されるフェニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ａ）で表されるフェニル部分は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ｂ）によって表されるナフチル部分であるか、または当該ナフチル部分を含む。
式中、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つは、ナフチル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｂ）によって表されるナフチル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｂ）で表されるナフチル部分は、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「Ｂ」置換基は、対応するＢ’（Ｂプライム）置換基であり、任意のＢ’置換基は、本明細書に示されるＢ置換基の値を有し得る。
式中、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つは、ナフチル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｂ）によって表されるナフチル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｂ）で表されるナフチル部分は、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「Ｂ」置換基は、対応するＢ’（Ｂプライム）置換基であり、任意のＢ’置換基は、本明細書に示されるＢ置換基の値を有し得る。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ｃ）によって表されるフェナントレニル部分であるか、または当該フェナントレニル部分を含む。
式中、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９、およびＣ１０のうちの少なくとも１つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｃ）によって表されるフェナントリル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｃ）で表されるフェナントリル部分は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９、およびＣ１０のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「Ｃ」置換基は、対応するＣ’（Ｃプライム）置換基であり、任意のＣ’置換基は、本明細書に示されるＣ置換基の値を有し得る。
式中、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９、およびＣ１０のうちの少なくとも１つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｃ）によって表されるフェナントリル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｃ）で表されるフェナントリル部分は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９、およびＣ１０のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「Ｃ」置換基は、対応するＣ’（Ｃプライム）置換基であり、任意のＣ’置換基は、本明細書に示されるＣ置換基の値を有し得る。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ｄ）によって表されるアントラセニル部分であるか、または当該アントラセニル部分を含む。
式中、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９およびＤ１０のうちの少なくとも１つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｄ）によって表されるアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｄ）で表されるアントラセニル部分は、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９、およびＤ１０のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９およびＤ１０のうちの少なくとも１つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｄ）によって表されるアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｄ）で表されるアントラセニル部分は、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９、およびＤ１０のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ｅ）によって表されるベンズアントラセニル部分であるか、または当該ベンズアントラセニル部分を含む。
式中、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８、Ｅ９、Ｅ１０、Ｅ１１、およびＥ１２のうちの少なくとも１つは、ベンズアントラセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｅ）によって表されるベンズアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｅ）で表されるベンズアントラセニル部分は、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８、Ｅ９、Ｅ１０、Ｅ１１、およびＥ１２のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８、Ｅ９、Ｅ１０、Ｅ１１、およびＥ１２のうちの少なくとも１つは、ベンズアントラセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｅ）によって表されるベンズアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｅ）で表されるベンズアントラセニル部分は、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８、Ｅ９、Ｅ１０、Ｅ１１、およびＥ１２のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ｆ）によって表されるピレニル部分であるか、または当該ピレニル部分を含む。
式中、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８、Ｆ９およびＦ１０のうちの少なくとも１つは、ピレニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｆ）によって表されるピレニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｆ）で表されるピレニル部分は、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８、Ｆ９、およびＦ１０のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８、Ｆ９およびＦ１０のうちの少なくとも１つは、ピレニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｆ）によって表されるピレニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｆ）で表されるピレニル部分は、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８、Ｆ９、およびＦ１０のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
一部の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下の構造（Ｉ－Ｇ）によって表されるクリセニル部分であるか、または当該クリセニル部分を含む。
式中、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ８、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、およびＧ１２のうちの少なくとも１つは、クリセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｇ）によって表されるクリセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｇ）で表されるクリセニル部分は、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ８、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、およびＧ１２のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ８、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、およびＧ１２のうちの少なくとも１つは、クリセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、（Ｉ－Ｇ）によって表されるクリセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、（Ｉ－Ｇ）で表されるクリセニル部分は、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ８、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、およびＧ１２のうちの少なくとも１つとして存在する１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上の置換基は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
さらに別の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、フルオレン部分またはフェニレン部分（複数（例えば、３つ、４つ、またはそれ以上）の縮合ベンゼン環を含むものを含む）などの縮合環構造を含む多環式芳香族部分であるか、または当該多環式芳香族部分を含む。そのような部分の例には、スピロビフルオレン部分、トリフェニレン部分、ジフェニルフルオレン部分、ジメチルフルオレン部分、ジフルオロフルオレン部分、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせが含まれる。
一部の実施形態において、多環式芳香族化合物は、それぞれがコア部分およびコア部分に結合した少なくとも１つの末端部分を含む有機分子を含み、コア部分は、以下の構造（ＩＩ）によって表されるアントラセニル部分であるか、または当該アントラセニル部分を含む。
（ＩＩ）では、１つ以上の末端部分がアントラセニルコア部分に結合している。例えば、１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上の末端部分は、アントラセニルコア部分に直接的または間接的に（例えば、リンカー部分を介して）結合され得る。一部の実施形態では、２つの独立して選択された末端部分がアントラセニルコア部分に結合している。例えば、１つ以上の末端部分は、上記（ＩＩ）に示される１位、２位、３位、４位、５位、６位、７位、８位、９位、および１０位のうちの１つ以上に独立して結合することができる。一部の実施形態では、２つの独立して選択された末端部分は、９位および１０位でアントラセニルコア部分に結合している。いくつかのさらなる実施形態において、第３の独立して選択された末端部分は、アントラセニルコア部分に結合される。例えば、第３の独立して選択された末端部分は、２位、３位、６位、または７位でアントラセニルコア部分に結合され得る。さらなる実施形態では、第４の独立して選択された末端部分は、２位、３位、６位、および７位から選択される非占有位置でアントラセニルコア部分に結合される。
（ＩＩ）のアントラセニルコア部分に結合した１つ以上の末端部分は、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、または（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、（Ｉ－Ｇ）、または上記のような縮合環構造を含む多環式芳香族部分によって表される部分であるか、または当該多環式芳香族部分を含む。１つ以上の末端部分は、コア部分に直接結合され得るか、またはリンカー部分を介してコア部分に結合され得る。リンカー部分の例には、－Ｏ－（Ｏは酸素原子を示す）、－Ｓ－（Ｓは硫黄原子を示す）、および１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上の炭素原子を含む環状または非環状炭化水素部分が含まれる。これは、非置換でも置換でもよく、任意で１つ以上のヘテロ原子を含んでもよい。コア部分と１つ以上の末端部分との間の結合は、例えば、共有結合であり得る。２つ以上の末端部分がコア部分に結合している実施形態では、２つ以上の末端部分のそれぞれは、互いに独立して選択され得る。例えば、２つ以上の末端部分は、互いに同じであっても異なっていてもよい。一実施形態では、多環式芳香族化合物は、（ＩＩ）によって表されるアントラセニルコア部分をそれぞれ含む有機分子を含む。有機分子はそれぞれ、（Ｉ－Ａ）で表されるフェニル部分の形態の第１の末端部分と、（Ｉ－Ｂ）で表されるナフチル部分、（Ｉ－Ｃ）で表されるフェナントリル部分、（Ｉ－Ｄ）で表されるアントラセニル部分、（Ｉ－Ｅ）で表されるベンズアントラセニル部分、（Ｉ－Ｆ）で表されるピレニル部分、または（Ｉ－Ｇ）で表されるクリセニル部分の形態の第２の末端部分と、を含む。例えば、第１の末端部分は、１位、９位、または８位に結合することができ、第２の末端部分は、４位、１０位、または５位に結合することができる。第１の末端部分および第２の末端部分は、アントラセニルコア部分に関して互いに対称的または非対称的に配置され得る。例えば、第１の末端部分および第２の末端部分は、第１の末端部分および第２の末端部分を１位および４位、９位および１０位、または８位および５位にそれぞれ結合することによって対称的に配置され得る。別の例では、第１の末端部分および第２の末端部分は、第１の末端部分および第２の末端部分を１位および５位、または８位および４位にそれぞれ結合することにより非対称的に配置され得る。一部の実施形態では、１つ以上の追加の末端部分がアントラセニルコア部分に結合され得る。１つ以上の追加の末端部分は、それぞれ、アントラセニルコア部分の１つ以上の占有されていない位置に結合することができる。例えば、１つ以上の追加の末端部分は、それぞれ２位、３位、６位、または７位に結合され得る。
一部の実施形態では、多環式芳香族化合物の１つ以上の炭素原子は、ヘテロ原子によって置換されてもよい。例えば、末端部分および／またはコア部分における１つ以上の炭素原子は、ヘテロ原子によって置換され得る。そのようなヘテロ原子置換の例には、硫黄および窒素が含まれるが、これらに限定されない。
一部の実施形態では、多環式芳香族化合物は、少なくとも１つのフッ素（Ｆ）原子を含む。
アントラセニルコアを含む多環式芳香族化合物の例を以下に示す。
構造Ａ１～Ａ６６によって表される部分において、Ｘ１～Ｘ１０は、１つ以上の置換基の存在を表す。例えば、１つ以上の置換基Ｘ１～Ｘ１０は、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ４アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の２つ以上の組み合わせから選択されてもよい。さらに、１つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択されてもよい。他の置換基の説明、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７（およびＢ１～Ｂ７に対応するＢ’の対応物）、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９（およびＣ１～Ｃ９に対応するＣ’の対応物）、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８、Ｅ９、Ｅ１０、Ｅ１１、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８、Ｆ９、Ｆ１０、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ８、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、およびＧ１２、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、または（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、（Ｉ－Ｇ）に関連して上記で提供されたものは、Ａ１からＡ６６で表される対応する置換基に適用できる。
アルキル置換基の例には、Ｃ１～Ｃ６アルキルが含まれ、これは、直鎖または分枝であり得る。例えば、Ｃ４～Ｃ６アルキルの場合、分岐アルキルが好ましい場合がある。
部分が構造Ａ１で表される一例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。例えば、最大１０、６、５、３、または１個のＦ原子がそのような構造に存在してもよい。
部分が構造Ａ１で表される別の例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６Ｘ７、Ｘ８、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つがアルキルである。例えば、そのような構造には、最大６、５、３、または１つのアルキル置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ１で表される別の例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ａ３、Ａ４およびＡ５のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。例えば、そのような構造には、最大５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ１で表される別の例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはアリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大８、６、４、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ２で表される１つの例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ３、Ａ４およびＡ５のうちの少なくとも１つはＦである。例えば、例えば、最大１０、６、５、３、または１個のＦ原子がそのような構造に存在してもよい。
部分が構造Ａ２で表される別の例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ａ３、Ａ４およびＡ５のうちの少なくとも１つはアルキルである。例えば、そのような構造には、最大６、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ２で表される別の例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ３、Ａ４およびＡ５のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。例えば、そのような構造には、最大５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ２で表される別の例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ８、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大８、６、４、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ３によって表される一例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ａ３、Ａ４およびＡ５のうちの少なくとも１つはＦである。例えば、最大１２、１０、６、５、３、または１つのそのような置換基がそのような構造に存在してもよい。
部分が構造Ａ３で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アルキルまたはアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ３、Ａ４およびＡ５うちの少なくとも１つアルキルである。例えば、そのような構造には、最大６、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ３で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ａ３、Ａ４およびＡ５のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。例えば、そのような構造には、最大５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ３で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ａ２およびＡ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大８、６、４、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ４で表される一例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。例えば、最大１４、１０、８、６、４、３、または１つのそのような置換基がそのような構造に存在してもよい。
部分が構造Ａ４で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アルキルまたはフルオロアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アルキルまたはフルオロアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アルキルまたはフルオロアルキルである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アルキルまたはフルオロアルキルである。例えば、そのような構造には、最大６、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ４で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ２、およびＢ４のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリール。例えば、そのような構造には、最大８、６、４、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ４で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはフルオロアルコキシである。例えば、そのような構造には、最大７、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ５で表される一例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ７、Ｂ８のうちの少なくとも１つはＦである。例えば、最大１６、１０、６、５、３、または１つのそのような置換基がそのような構造に存在してもよい。
部分が構造Ａ５で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ６、Ｃ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つはアルキルである。例えば、そのような構造には、最大１０、６、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ５で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、およびＢ８のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。例えば、そのような構造には、最大８、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ５で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ６、Ｂ７およびＢ８のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｂ３およびＢ６のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大８、６、４、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ６で表される一例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはＦである。さらに、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはＦである。さらなる例では、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６およびＣ’７のうちの少なくとも１つはＦである。例えば、最大１８、１２、１０、６、５、３、または１つのそのような置換基がそのような構造に存在してもよい。
部分が構造Ａ６で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つはアルキルである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６およびＣ’７のうちの少なくとも１つはアルキルである。例えば、そのような構造には、最大８、６、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ６で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。さらなる例では、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６およびＣ’７のうちの少なくとも１つは、フルオロアルキルまたはフルオロアルコキシである。例えば、そのような構造には、最大８、５、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
部分が構造Ａ６で表される別の例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ１０、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’１、Ｃ’２、Ｃ’３、Ｃ’４、Ｃ’５、Ｃ’６、Ｃ’７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。さらなる例では、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、Ｘ７、Ｃ’８、およびＣ’１０のうちの少なくとも１つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大８、６、４、３、または１つのそのような置換基が存在し得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、概して、（ｉ）分子構造の対称性が比較的低い、（ｉｉ）回転エネルギー障壁が比較的高い結合を含む、（ｉｉｉ）比較的大きな光学的ギャップ、（ｉｖ）導電性コーティングを形成するための材料と反応する可能性が比較的低い、という特性のうちの１つ以上を備えた分子は、核生成抑制コーティングの形成に使用するのに特に適していると想定されている。例えば、ナフチル末端部分を含む分子構造の場合、そのようなナフチル部分は、２位または３位ではなく、１位または４位でコア部分に直接的または間接的に結合することが概して好ましいと想定されている。そのような構成は、ナフチル末端部分の回転エネルギー障壁の増加に寄与し得る。別の例では、フェナントレニル部分を含む分子構造の場合、そのようなフェナントレニル部分は、１位または３位ではなく、９位または１０位でコア部分に直接的または間接的に結合していることが概して好ましく、これは、フェナトレニル部分の回転エネルギー障壁を高めるために、２位または７位での結合よりも依然として好ましいと想定されている。一部の実施形態では、核生成抑制コーティングは、約２．５ｅＶ超、約２．６ｅＶ超、約２．７ｅＶ超、または約２．８ｅＶ超の光学的ギャップを示す分子を含む。概して、より大きな光学的ギャップを有する分子は、電磁スペクトルの可視部分の光の吸収を減少させ、これにより、少なくとも一部の用途に好ましい場合がある。
一部の実施形態では、多環式芳香族化合物は、１つ以上のフッ素原子を含む。例えば、多環式芳香族化合物は、１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のフッ素原子を含むことができる。一部の実施形態では、多環式芳香族化合物は、１～３つのフッ素原子を含む。アントラセニルコアを含む多環式芳香族化合物のさらなる例を以下に提供する。
適切な核生成抑制材料には、ポリマー材料が含まれる。このようなポリマー材料の例には、そのようなポリマー材料の例には、パーフルオロ化ポリマーおよびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含むがこれらに限定されないフルオロポリマー、ポリビニルビフェニル、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、および上記の多環式芳香族化合物を複数重合してなるポリマーが含まれる。別の例では、ポリマー材料には、複数のモノマーを重合することによって形成されるポリマーが含まれ、モノマーのうちの少なくとも１つは、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、もしくは（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、（Ｉ－Ｇ）によって表される部分であるか、または当該部分を含む末端部分、あるいは上記のような縮合環構造を含む多環式芳香族部分を含む。
次に、一部の実施形態の態様を、本開示の範囲を決して限定することを意図しない以下の実施例を参照して例示および説明する。
化合物１（「ＳＦ１３」）の合成：９－（ナフタレン－１－イル）－１０－フェニルアントラセン。９－ブロモ－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン（１．５００ｇ、３．９１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、０．６７８ｇ、０．５８７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３、１．６２３ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）、およびボロン酸０．０７８２ｍｏｌの試薬を５００ｍＬの反応容器で混合した。本実施例では、ボロン酸としてフェニルボロン酸（０．９５４ｇ）を使用した。混合物を含む反応容器を加熱プレートマントルに置き、そしてマグネチックスターラーを使用して撹拌した。また、反応容器を水凝縮器に接続した。２０：５：３の容積比のトルエン、エタノール、および水を含む十分に撹拌された３００ｍｌの溶媒混合物を、丸底フラスコで別々に調製した。溶媒混合物を含むフラスコを密封し、Ｎ２を使用して最低３０分間脱気した後、カニューレを使用して、空気に曝すことなく溶媒混合物を丸底フラスコから反応容器に移した。全ての溶媒混合物を移した後、反応容器を窒素でパージし、約１２００ＲＰＭで撹拌しながら６５℃の温度に加熱し、窒素環境下で少なくとも１２時間反応させた。反応が完了したと判定した後、混合物を室温まで冷却してから、真空回転蒸発器を使用して溶媒混合物を除去した。次に、フラスコの内容物をジクロロメタン（ＤＣＭ）に再溶解し、５００ｍＬの１Ｍ ＮａＯＨ溶液で４回洗浄し、続いて５００ｍＬの水で２回洗浄した。有機相を硫酸マグネシウムで洗浄し、濾過した。得られた生成物を、真空吸引下でシリカゲルプラグカラムに２回通過させることにより精製した。ＤＣＭ溶媒を除去して、粉末状の生成物を生成した。次に、粉末生成物を、２０～５０ｍＴｏｒｒの減圧下でトレイン昇華を使用し、ＣＯ２をキャリアガスとして使用してさらに精製した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は０．９４０ｇ（３１．５％）である。昇華工程の収率は約７４％である。１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ８．１４（ｄｄｄ，Ｊ＝８．３，３．３，０．９Ｈｚ，１Ｈ）、８．１１－８．０４（ｍ，１Ｈ）、７．８１－７．５９（ｍ，７Ｈ）、７．５９－７．５１（ｍ，２Ｈ）、７．５２－７．４１（ｍ，２Ｈ）、７．４１－７．３１（ｍ，２Ｈ）、７．３３－７．２０（ｍ，３Ｈ）、７．１５（ｄｔ，Ｊ＝８．５，１．０Ｈｚ，１Ｈ）。λＡｂｓ＝３７６．１ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物２（「ＳＦ３６０」）の合成：９－（ナフタレン－１－イル）－１０－４－トリフェニルアントラセン。化合物２は、ボロン酸反応物として４－トリルフェニルボロン酸（１．０６４ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は１．１７６ｇ（３８．０％）である。昇華工程の収率は約８１％である。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ８．０９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．８１－７．６８（ｍ，３Ｈ）、７．５７（ｄｄ，Ｊ＝７．０，１．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．５２－７．４２（ｍ，４Ｈ）、７．２６－７．１７（ｍ，３Ｈ）、２．５５（ｓ，３Ｈ）。λＡｂｓ＝３７６．６ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝ｎｍ（トルエン）。
化合物３（「ＳＦ３６１」）の合成：９－（ナフタレン－１－イル）－１０－４－フルオロフェニルアントラセン。化合物３は、ボロン酸反応物として４－フルオロフェニルボロン酸（１．０９５ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は１．０６４ｇ（３４．１％）である。昇華工程の収率は約７４％である。１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ８．１４（ｄｔ，Ｊ＝８．３，１．１Ｈｚ，１Ｈ）、８．０８（ｄｔ，Ｊ＝８．３，０．９Ｈｚ，１Ｈ）、７．８０－７．７３（ｍ，３Ｈ）、７．６３－７．５６（ｍ，２Ｈ）、７．５６－７．５１（ｍ，２Ｈ）、７．４５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．８，１．３，０．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．４３－７．３６（ｍ，４Ｈ）、７．２７（ｄｄｄｄ，Ｊ＝８．０，６．３，５．０，１．３Ｈｚ，３Ｈ）、７．１５－７．１２（ｍ，１Ｈ）。λＡｂｓ＝３７５．６ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物４（「ＳＦ３５９」）の合成：９－（ナフタレン－１－イル）－１０－４－トリフルオロメチルフェニルアントラセン。化合物４は、ボロン酸反応物として４－トリフルオロメチルフェニルボロン酸（１．４８７ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は０．８９９ｇ（２５．６％）である。昇華工程の収率は約７４％である。１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ８．１５（ｄｄ，Ｊ＝８．３，１．１Ｈｚ，１Ｈ）、８．０９（ｄｔ，Ｊ＝８．４，０．９Ｈｚ，１Ｈ）、８．０２－７．９１（ｍ，２Ｈ）、７．８３－７．７４（ｍ，２Ｈ）、７．７４－７．６６（ｍ，３Ｈ）、７．６２（ｄｄ，Ｊ＝６．８，１．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．５５（ｄｄｄ，Ｊ＝８．１，６．６，１．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．４７（ｄｔ，Ｊ＝８．９，１．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．３９（ｄｄｄ，Ｊ＝８．９，６．４，１．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．３２－７．２２（ｍ，３Ｈ）、７．１４（ｄｄ，Ｊ＝８．５，１．１Ｈｚ，１Ｈ）。λＡｂｓ＝３７５．３ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物５（「ＳＦ１６」）の合成：９－（ナフタレン－１－イル）－１０－４－メトキシフェニルアントラセン。化合物５は、ボロン酸反応物として４－メトキシフェニルボロン酸（１．１８９ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は１．３８７ｇ（４３．２％）である。昇華工程の収率は約７４％である。１Ｈ ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ８．１４（ｄｔ，Ｊ＝８．３，１．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．８５－７．６７（ｍ，４Ｈ）、７．６３－７．５３（ｍ，２Ｈ）、７．５２（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１Ｈ）、７．５２－７．４４（ｍ，３Ｈ）、７．４４－７．４１（ｍ，１Ｈ）、７．３７（ｄｄｄ，Ｊ＝８．９，６．４，１．３Ｈｚ，２Ｈ）、７．３０－７．１８（ｍ，６Ｈ）、７．１６－７．０８（ｍ，２Ｈ）、４．０１（ｓ，３Ｈ）。λＡｂｓ＝３７７．４ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物６（「ＳＦ３５８」）の合成：９－（３－トリフルオロメチルフェニル）－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン。化合物６は、ボロン酸反応物として３－トリフルオロメチルフェニルボロン酸（１．４９ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は１．１４ｇである。昇華工程の収率は約７９％である。ＧＣ／ＭＳ溶出時間５．５３分、存在量１．１×１０６である。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．０６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、８．０１（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．８６－７．６７（ｍ，５Ｈ）、７．６１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．５５（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．５２－７．４１（ｍ，３Ｈ）、７．３７－７．３０（ｍ，２Ｈ）、７．２７－７．１８（ｍ，３Ｈ）、７．１３（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）。λＡｂｓ＝３９７ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４１１ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物７（「ＳＦ４」）の合成：９－（３，４，５－トリフルオロフェニル）－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン。化合物７は、ボロン酸反応物として３，４，５－トリフルオロフェニルボロン酸（１．３８ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は１．０１ｇである。昇華工程の収率は約８２％である。ＧＣ／ＭＳ溶出時間５．７０７分、存在量５．０×１０６である。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．０６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）、８．０１（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．７３－７．６１（ｍ，３Ｈ）、７．５６－７．３２（ｍ，５Ｈ）、７．２７－７．０６（ｍ，５Ｈ）。λＡｂｓ＝３９６ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４３０ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物８（「ＳＦ２５」）の合成：９－（２－フルオロフェニル）－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン。化合物８は、ボロン酸反応物として２－フルオロフェニルボロン酸（１．１０ｇ）を使用することを除いて、上記のように化合物１と同一の手順を使用して合成した。シリカゲルプラグカラムを用いた精製後の収量は１．３２ｇである。昇華工程の収率は約８１％である。ＧＣ／ＭＳ溶出時間６．４７５分、存在量８．４×１０６である。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．０６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、８．００（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．６８（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，３Ｈ）、７．４６（ｄｄｄｄ，Ｊ＝６０．９，２９．３，１３．０，７．７Ｈｚ，１０Ｈ）、７．２５－７．１１（ｍ，４Ｈ）。λＡｂｓ＝３９７ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４０７ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物９（「ＳＦ３１６」）の合成：９－（４－トリフルオロメチルフェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン。９－ブロモ－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（０．８５３ｇ、２．２３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４，０．３８５ｇ，１５ｍｏｌ％）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３，０．９２３ｇ，６．６９ｍｍｏｌ）、およびボロン酸４．４６ｍｍｏｌの試薬を１Ｌの反応容器で混合した。本実施例では、ボロン酸として４－トリフルオロメチルフェニルボロン酸（０．８４５ｇ）を使用した。混合物を含む反応容器を加熱プレートマントルに置き、そしてマグネチックスターラーを使用して撹拌した。また、反応容器を水凝縮器に接続した。６．６：３．３：１の容積比のトルエン、エタノール、および水を含む十分に撹拌された１９１ｍｌの溶媒混合物を、丸底フラスコで別々に調製した。溶媒混合物を含むフラスコを密封し、Ｎ２を使用して最低３０分間脱気した後、カニューレを使用して、空気に曝すことなく溶媒混合物を丸底フラスコから反応容器に移した。全ての溶媒混合物を移した後、反応容器を窒素でパージし、約１２００ＲＰＭで撹拌しながら６５℃の温度に加熱し、窒素環境下で少なくとも１２時間反応させた。反応が完了したと判断した後、混合物を室温まで冷却してから、真空回転蒸発器を使用して溶媒混合物を除去した。次に、フラスコの内容物をジクロロメタン（ＤＣＭ）に再溶解し、１Ｍ ＮａＯＨ溶液で洗浄した後、水で洗浄した。有機相を硫酸マグネシウムで洗浄し、濾過した。得られた生成物を、真空吸引下でシリカゲルプラグカラムを通過させることにより精製した。ＤＣＭ溶媒を除去して、粉末状の生成物を生成した。次に、粉末生成物を、２０～５０ｍＴｏｒｒの減圧下でトレイン昇華を使用し、ＣＯ２をキャリアガスとして使用してさらに精製した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．０９（ｄ，Ｊ＝８．５８Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４（ｍ，１Ｈ）、７．９８（ｓ，１Ｈ）、７．９１（ｍ，１Ｈ）、７．７４（ｍ，２Ｈ）、７．６３（ｍ，７Ｈ）、７．３５（ｍ，４Ｈ）。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：６２．３２（ｓ）。λＡｂｓ＝３９７ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４２３ｎｍ（ＤＣＭ）。収率（精製）＝６１％、収率（昇華）＝８８％。ＭＳ（ｍ／ｚ，％）：４３６．３（Ｍ＋，１００）ＧＣ保持時間＝７．３０分。
化合物１０（「ＳＦ３１７」）の合成：９－（３，４，５－トリフルオロフェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン。化合物１０は、ボロン酸反応物として３，４，５－トリフルオロフェンリルボロン酸（０．８０９ｇ、４．６０ｍｍｏｌ）を使用し、９－ブロモ－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（０．８８２ｇ、２．３０ｍｍｏｌ）、３，４，５－トリフルオロフェンリルボロン酸（０．８０９ｇ、４．６０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．９５４ｇ、６．９０ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３９９ｇ、１５ｍｏｌ％）と混合させることを除いて、上記のように化合物９と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．０９（ｄ，Ｊ＝８．５８Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４（ｍ，１Ｈ）、７．９７（ｓ，１Ｈ）、７．９３（ｍ，１Ｈ）、７．７４（ｍ，２Ｈ）、７．６２（ｍ，５Ｈ）、７．３８（ｍ，４Ｈ）、７．１６（ｍ，２Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１５２．７６、１５０．２６ １３８．３５、１３６．２８、１３３．５２、１３２．９８、１３０．３２、１３０．１２、１２９．７７、１２９．４３、１２８．２５、１２８．０９、１２７．２８、１２６．７２、１２６．５２、１２６．１３、１２６．０２、１２５．４８，１１５．９２、１１５．８６、１１５．７７、１１５．７２。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１３４．３８（ｍ）、１６１．６４（ｍ）。λＡｂｓ＝３９５ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４１８ｎｍ（ＤＣＭ）。収率（精製）＝７５％、収率（昇華）＝９１％。ＭＳ（ｍ／ｚ，％）：４３４．３（Ｍ＋，１００）。ＧＣ保持時間＝７．０７分。
化合物１１（「ＳＦ３１９」）の合成：９－（３－トリフルオロメチルフェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン。化合物１１は、使用した溶媒の量（トルエン／エタノール／水、２８７ｍＬ）と、ボロン酸として、９－ブロモ－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（１．２８０ｇ、３．３４ｍｍｏｌ）、３－トリフルオロフェンリルボロン酸（１．２６８ｇ、６．６８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．３８５ｇ、１０．０２ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５７８ｇ、１５ｍｏｌ％）と混合させた３－トリフルオロメチルフェンリルボロン酸（１．２６８ｇ、６．６８ｍｍｏｌ）を使用することと、を除いて、上記のように化合物９と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．１０（ｄ，Ｊ＝８．７３Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４（ｍ，１Ｈ）、７．９９（ｓ，１Ｈ）、７．９３（ｍ，１Ｈ）、７．７８（ｍ，６Ｈ）、７．６２（ｍ，５Ｈ）、７．３５（ｍ，４Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１４０．１７、１３７．８７、１３６．４７、１３５．３４、１３４．９１、１３３．５４、１３２．９５、１３１．３８、１３１．０６、１３０．３６、１３０．１７、１２９．９７、１２９．５６、１２９．１８、１２８．２３、１２８．０８、１２７．３８、１２６．６６、１２６．５３、１２６．４７、１２５．７４、１２５．３８、１２４．６５。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：６２．３４（ｓ）。λＡｂｓ＝３９５ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４１９ｎｍ（ＤＣＭ）。収率（精製）＝７５％、収率（昇華）＝９０％。ＭＳ（ｍ／ｚ，％）：４４８．３（Ｍ＋，１００）。ＧＣ保持時間＝６．８９分。
化合物１２（「ＳＦ１９」）の合成：９－（２－トリフェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン。化合物１２は、ボロン酸として、９－ブロモ－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（１．４５７ｇ、３．８０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．５７５ｇ、１１．４ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）－パラジウム（０．６５８ｇ、１５ｍｏｌ％）と混合させた２－トリルボロン酸（１．０３３ｇ、７．６０ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、上記のように化合物１１と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．１０（ｄｄ，Ｊ＝８．６０，２．３６Ｈｚ，１Ｈ）、８．０３（ｍ，２Ｈ）、７．９４（ｍ，１Ｈ）、７．７６（ｍ，２Ｈ）、７．６３（ｍ，５Ｈ）、７．４７（ｍ，３Ｈ）、７．３３（ｍ，５Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１３８．６０、１３８．０９、１３６．８９、１３６．７７、１３３．５７、１３２．９０、１３１．４７、１３０．４６、１３０．４５、１３０．２８、１３０．２１、１２９．８０、１２８．２６、１２８．２４、１２８．０８、１２８．０５、１２８．０４、１２７．３０、１２６．８２、１２６．５７、１２６．３６、１２６．０５、１２５．３３、１２５．２９、２０．０２。λＡｂｓ＝３９７ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４１５ｎｍ（ＤＣＭ）。収率（精製）＝７５％、収率（昇華）＝７３％。ＭＳ（ｍ／ｚ，％）：３９４．３（Ｍ＋，１００）。ＧＣ保持時間＝７．８１分。
化合物１３（「ＳＦ２０」）の合成：９－（３－トリフェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン。化合物１３は、３－トリルボロン酸（０．６６８ｇ、５．０６ｍｍｏｌ）をボロン酸として使用し、９－ブロモ－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（０．９７１ｇ、２．５３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．０５ｇ、７．６０ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）－パラジウム（０．４３８ｇ、１５ｍｏｌ）と混合させたことを除いて、上記のように化合物９と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．０９（ｄ，Ｊ＝８．０４Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４（ｍ，１Ｈ）、７．９９（ｓ，１Ｈ）、７．９３（ｍ，１Ｈ）、７．７４（ｍ，４Ｈ）、７．６２（ｍ，３Ｈ）、７．３４（ｍ，７Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１３９．１３、１３８．１３、１３７．６６、１３８．８７、１３３．５８、１３２．８８、１３２．１３、１３０．３８、１３０．２０、１３０．０６、１２９．７５、１２８．５３、１２８．４２、１２８．３４、１２８．０９、１２８．０４、１２７．２９、１２７．１４、１２６．５５、１２６．３５、１２５．２３、１２５．１０、３１．０９、２１．７１。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１１３．２２（ｍ）。λＡｂｓ＝３９５ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４２０ｎｍ（ＤＣＭ）。収率（精製）＝６９％、収率（昇華）＝８１％。ＭＳ（ｍ／ｚ，％）：３９４．３（Ｍ＋，１００）。ＧＣ保持時間＝９．２１分。
化合物１４（「ＳＦ２１」）の合成：９－（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン。化合物１４は、ボロン酸として、９－ブロモ－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（０．７４４ｇ、１．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．８０３ｇ、５．８１ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３３５ｇ、１５ｍｏｌ％）と混合させた３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸（０．９９８ｇ、３．８７ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、上記のように化合物９と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．０２（ｍ，７Ｈ）、７．７６（ｍ，２Ｈ）、７．６１（ｍ，３Ｈ）、７．５１（ｍ，２Ｈ）、７．３８（ｍ，４Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：２０７．０７、１４１．７５、１３８．８１、１３６．１７、１３３．５７、１３３．２３、１３３．０３、１３２．４５、１３２．０４、１３１．７３、１３０．２８、１３０．１６、１２９．８９、１２９．４１、１２８．２７、１２８．０９、１２７．６２、１２６．７４、１２６．５７、１２６．３４、１２５．８３、１２５．５１、３１．０７。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：６２．５９（ｓ）。λＡｂｓ＝３９５ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ＝４２５ｎｍ（ＤＣＭ）。収率（精製）＝５８％、収率（昇華）＝８５％。ＭＳ（ｍ／ｚ，％）：５１６．３（Ｍ＋，１００）。ＧＣ保持時間＝４．８７分。
化合物１５（「ＳＦ１」）の合成：９－（４－メチルフェニル）－１０－フェニルアントラセン。９－ブロモ－１０－フェニルアントラセン（１．４５ｇ、４．３５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、０．７５ｇ、０．６５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３、１．８０ｇ、１３．０５ｍｍｏｌ）、およびボロン酸８．７０ｍｍｏｌの試薬を反応容器内で混合した。本実施例では、ボロン酸として４－メチルベンゼンボロン酸（１．１８ｇ）を使用した。混合物を含む反応容器を加熱プレートマントルに置き、そしてマグネチックスターラーを使用して撹拌した。また、反応容器を水凝縮器に接続した。１：２５：０．１５の容積比のトルエン、エタノール、および水を含む十分に撹拌された３３３ｍｌの溶媒混合物を、丸底フラスコで別々に調製した。溶媒混合物を含むフラスコを密封し、Ｎ２を使用して最低３０分間脱気した後、カニューレを使用して、空気に曝すことなく溶媒混合物を丸底フラスコから反応容器に移した。全ての溶媒混合物を移した後、反応容器を窒素でパージし、約１２００ＲＰＭで撹拌しながら６５℃の温度に加熱し、窒素環境下で少なくとも１２時間反応させた。反応が完了したと判定した後、混合物を室温まで冷却してから、真空回転蒸発器を使用して溶媒混合物を除去した。次に、フラスコの内容物をジクロロメタン（ＤＣＭ）に再溶解し、ＮａＯＨ溶液、水、およびブラインで５回洗浄した。有機相を硫酸マグネシウムで洗浄し、濾過した。得られた生成物を、真空吸引下でシリカゲルプラグカラムを通過させることにより精製した。ＤＣＭ溶媒を除去して、粉末状の生成物を生成した。次に、粉末生成物を、２０～５０ｍＴｏｒｒの減圧下でトレイン昇華を使用し、ＣＯ２をキャリアガスとして使用してさらに精製した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：７．７２（ｍ，４Ｈ）、７．５８（ｍ，３Ｈ）、７．４９（ｍ，２Ｈ）、７．４１（ｍ，４Ｈ）、７．３３（ｍ，４Ｈ）、２．５５（ｓ，３Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１３９．２８、１３７．３８、１３７．２１、１３７．０７、１３６．１０、１３１．４８、１３１．３４、１３０．１３、１３０．０３、１２９．２５、１２８．５３、１２７．５７、１２７．２０、１２７．０８、１２５．１０、１２５．０２、２１．５５。λＡｂｓ＝３９３ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）、λｆｌｕｏ＝４０８．０３ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）。収率（精製）＝５３％、収率（昇華）＝７３％。
化合物１６（「ＳＦ７」）の合成：９－（４－トリフルオロメチルフェニル）－１０－フェニルアントラセンの合成。化合物１６は、ボロン酸として、９－ブロモ－１０－フェニルアントラセン（１．２５ｇ、３．７６ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（１．６０ｇ，１１．２８ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．６５ｇ，０．５６ｍｍｏｌ）と混合させた４－（トリフルオロメチル）ベンゼンボロン酸（１．４３ｇ、７．５２ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、上記のように化合物１５と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：７．８９（ｄ，２Ｈ）、７．７３（ｍ，２Ｈ）、７．６０（ｍ，７Ｈ）、７．４９（ｍ，２Ｈ）、７．３６（ｍ，４Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１４３．３１、１３８．９５、１３５．３２、１３１．９２、１３１．３７、１２９．９９、１２９．８６、１２８．６０、１２７．７４、１２７．３０、１２６．４８、１２５．８７、１２５．６０、１２５．５８、１２５．２７、１２３．１６。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：－６２．３１（ｓ，３Ｆ）。λＡｂｓ＝３９２ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）、λｆｌｕｏ＝４０６．９６ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）。収率（精製）＝５３％、収率（昇華）＝６７％。
化合物１７（「ＳＦ５」）の合成：９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１０－フェニルアントラセン。化合物１７は、ボロン酸として、９－ブロモ－１０－フェニルアントラセン（１．２９ｇ、３．８８ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（１．６１ｇ，１１．６４ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．６７ｇ，０．５８ｍｍｏｌ）と混合させた４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンボロン酸（１．３８ｇ、７．７６ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、上記のように化合物１５と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：７．７２（ｍ，４Ｈ）、７．５８（ｍ，５Ｈ）、７．５０（ｍ，２Ｈ）、７．４２（ｍ，２Ｈ）、７．３３（ｍ，４Ｈ）、１．４９（ｓ，９Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１５０．４１、１３９．３２、１３７．５０、１３７．０２、１３５．９９、１３１．４９、１３１．０８、１３０．１７、１３０．０４、１２８．５４、１２７．５７、１２７．３２、１２７．０５、１２５．４０、１２５．１１、１２４．９９、３４．９０。λＡｂｓ＝３９３ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）、λｆｌｕｏ＝４０８．０３ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）。
化合物１８（「ＳＦ２４」）の合成：９－（３－トリフルオロメチルフェニル）－１０－フェニルアントラセン。化合物１８は、溶媒の容積（２２２ｍＬ）と、ボロン酸として、室温で９－ブロモ－１０－フェニルアントラセン（０．８４ｇ、２．５１ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（１．０４ｇ，７．５３ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．４４ｇ，０．３８ｍｍｏｌ）と混合させた３－（トリフルオロメチル）ベンゼンボロン酸（０．９５ｇ、５．０２ｍｍｏｌ）を使用することと、を除いて、上記のように化合物１５と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：７．８４（ｍ，１Ｈ）、７．７４（ｍ，５Ｈ）、７．６０（ｍ，５Ｈ）、７．５０（ｍ，２Ｈ）、７．３７（ｍ，４Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１４０．１８、１３８．９７、１３８．０８、１３５．１９、１３４．９０、１３１．３８、１３１．０３、１３０．００、１２９．９３、１２９．１５、１２８．６１、１２８．２３、１２７．７５、１２７．３２、１２６．４６、１２５．６８、１２５．２７、１２４．６１、１２３．０３。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：－６２．３８（ｓ，３Ｆ）。λＡｂｓ＝３９２ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）、λｆｌｕｏ＝４０６．０６ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）。
化合物１９（「ＳＦ８」）の合成：９－（３－メチルフェニル）－１０－フェニルアントラセン。化合物１９は、ボロン酸として、９－ブロモ－１０－フェニルアントラセン（０．９７ｇ、２．９０ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（１．２０ｇ，８．７０ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．５１ｇ，０．４４ｍｍｏｌ）と混合させた３－メチルベンゼンボロン酸（０．７９ｇ、５．８０ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、上記のように化合物１８と同一の手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：７．７２（ｍ，４Ｈ）、７．５６（ｍ，６Ｈ）、７．３４（ｍ，７Ｈ）、２．４９（ｍ，３Ｈ）。１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：１３９．２８、１３９．１３、１３８．１２、１３７．４９、１３７．１０、１３２．１３、１３１．４９、１３０．０１、１３０．０１、１２８．５４、１２８．５２、１２８．４０、１２８．３１、１２７．５９、１２７．２２、１２７．０８、１２５．１１、１２５．０５、２１．６９。λＡｂｓ＝３９２ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）、λｆｌｕｏ＝４０６．０６ｎｍ（ｉＰｒＯＨ）。
化合物２０（「ＳＦ３５７」）の合成：９－（４－トリフルオロメトキシフェニル）－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン。化合物２０は、ボロン酸として、４－トリフルオロメトキシフェニルボロン酸（１．４９ｇ、７．８２ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、化合物１と同じ手順を使用して合成した。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．０６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、８．０１（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．８６－７．６７（ｍ，５Ｈ）、７．６１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．５５（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．５２－７．４１（ｍ，３Ｈ）、７．３７－７．３０（ｍ，２Ｈ）、７．２７－７．１８（ｍ，３Ｈ）、７．１３（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）。λＡｂｓ，ｍａｘ＝３７６ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ，ｍａｘ＝４３０ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物２１（「ＳＦ１７０」）の合成：９－（４－トリフルオロフェニル）－１０－（フェナントレン－１－イル）アントラセン。９－ブロモ－１０－（フェナントラセン－１０－イル）アントラセン（１．５００ｇ、３．９１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４，０．６７８ｇ，０．５８７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３，１．６２３ｇ，１１．７ｍｍｏｌ）、およびボロン酸７．８２ｍｍｏｌの試薬を５００ｍＬの反応容器で混合した。本実施例では、ボロン酸として４－トリフルオロメチルフェニルボロン酸（１．４９ｇ）を使用した。混合物を含む反応容器を加熱プレートマントルに置き、そしてマグネチックスターラーを使用して撹拌した。また、反応容器を水凝縮器に接続した。２５：３の容積比のＮ、Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および水を含む十分に撹拌された３００ｍｌの溶媒混合物を、丸底フラスコで別々に調製した。溶媒混合物を含むフラスコを密封し、Ｎ２を使用して最低３０分間脱気した後、カニューレを使用して、空気に曝すことなく溶媒混合物を丸底フラスコから反応容器に移した。全ての溶媒混合物を移した後、反応容器を窒素でパージし、約１２００ＲＰＭで撹拌しながら６５℃の温度に加熱し、窒素環境下で少なくとも１２時間反応させた。反応が完了したと判定した後、混合物を室温に冷却してから２Ｌのビーカーに移した。混合物を穏やかに撹拌しながらビーカーに水１５００ｍＬをゆっくりと加え、２相に分離させた。沈殿物を濾別し、乾燥して、粉末生成物を生成した。次に、粉末生成物を、２０～５０ｍＴｏｒｒの減圧下でトレイン昇華を使用し、ＣＯ２をキャリアガスとして使用してさらに精製した。合成後に１３９．２ｍｏｌ％（２．４０ｇ）の観測された収量が得られ、トレイン昇華後の全体のモル収量は６３．２ｍｏｌ％である。ＧＣ／ＭＳ溶出時間１２．１３６分、存在量６．５×１０６である。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．８７（ｄｄ，Ｊ＝８．４，３．６Ｈｚ，２Ｈ）、７．９０（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）、７．８５（ｓ，１Ｈ）、７．８１－７．７４（ｍ，１Ｈ）、７．７４－７．６９（ｍ，１Ｈ）、７．６５（ｄｄ，Ｊ＝１３．９，７．８Ｈｚ，５Ｈ）、７．５８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３７－７．２９（ｍ，３Ｈ）、７．２４－７．１８（ｍ，３Ｈ）。λＡｂｓ，ｍａｘ＝３７７ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ，ｍａｘ＝４３２ｎｍ（ＤＣＭ）。
化合物２２（「ＳＦ１７３」）の合成：９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１０－（フェナントレン－１－イル）アントラセン。化合物２２は、ボロン酸として４－Ｔｅｒｔ－ブチルフェニルボロン酸（１．３９ｇ、７．８２ｍｍｏｌ）を使用することを除いて、上記のように化合物２１と同一の手順を使用して合成した。合成後に１００．３ｍｏｌ％（１．６９ｇ）の観測された収量が得られ、トレイン昇華後の全体のモル収量は６７．１ｍｏｌ％である。ＧＣ／ＭＳ溶出時間２２．１８５分、存在量１．１×１０６である。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．０６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ）、８．０１（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．７３－７．６１（ｍ，６Ｈ）、７．５６－７．３２（ｍ，１０Ｈ）、７．２７－７．０６（ｍ，１０Ｈ）。λＡｂｓ，ｍａｘ＝３７８ｎｍ（ＤＣＭ）、λｆｌｕｏ，ｍａｘ＝４３６ｎｍ（ＤＣＭ）。
上記に加えて、以下の化合物２３～３６を合成した：９－（３－（ナフタレン－１－イル）フェニル）－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン（化合物２３（「ＳＦ１６８」））、９－（３－（ナフタレン－１－イル）フェニル）－１０－（フェナンスレン－９－イル）アントラセン（化合物２４（「ＳＦ１６９」））、２，６－ビス（４－フルオロフェニル）－９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（化合物２５（「ＳＦ３」））、２，６－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（化合物２６（「ＳＦ２」））、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）－２－（４－（トリフルオロメチル）フェニル）アントラセン（化合物２７（「ＳＦ１５７」））、９－（４－トリフルオロメトキシフェニル）－１０－（ナフタレン－２－イル）アントラセン（化合物２８（「ＳＦ３１５」））、９，１０－ジフェニルアントラセン（化合物２９）、９－（４－メトキシフェニル）－１０－フェニルアントラセン（化合物３０）、９－（４－フルオロフェニル）－１０－フェニルアントラセン（化合物３１）、９－フェニル－１０－（３，４，５－トリフルオロフェニル）アントラセン（化合物３２）、９－（２－メチルフェニル）－１０－フェニルアントラセン（化合物３３）、９－フェニル－１０－（フェナンスレン－９－イル）アントラセン（化合物３４）、９－（３－クロロ－４－フルオロフェニル）－１０－フェニルアントラセン（化合物３５（「ＳＦ０」））、および９－（３，４，５－トリフルオロフェニル）－１０－（フェナンスレン－９－イル）アントラセン（化合物３６（「ＳＦ１７１」））。
実施例１：化合物１～５の低速評価。様々な材料を使用して核生成抑制コーティングを形成する効果を特徴付けるために、一連のサンプルを、化合物１～５のそれぞれを使用して調製し、核生成抑制コーティングを形成した。
本明細書の例で使用したように、材料の層厚への言及は、ターゲット表面（または選択的堆積の場合は表面のターゲット領域）に堆積された材料の量を指しており、これは、基準層の厚さを有する材料の均一に厚い層でターゲット表面を被覆する材料の量に対応する。一例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚の材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。例えば、分子または原子のスタッキングまたはクラスタリングの可能性があるため、堆積された材料の実際の厚さは不均一になる可能性があることが理解されよう。例えば、１０ｎｍの層厚を堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料の一部分、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分が得られる場合がある。表面上に堆積された材料の特定の層の厚さは、表面全体にわたって堆積された材料の平均厚さに対応し得る。
一連のサンプルは、２－（４－（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ－［Ｄ］イミダゾール（ＬＧ２０１）によりガラス基板上に形成された約２０ｎｍの厚さの有機層を堆積し、続いてＬＧ２０１有機層の上に約３０ｎｍの厚さを有する核生成抑制コーティングを堆積させることによって製造した。次に、核生成抑制コーティングの表面に、マグネシウムのオープンマスク堆積を施した。各サンプルを、平均蒸発速度が約２．５Å／秒のマグネシウム蒸気フラックスに曝した。マグネシウムコーティングの堆積を実施する際に、約５００ｎｍのマグネシウムの基準層厚さを得るために、約２０００秒の堆積時間を使用した。
サンプルが製造されると、核生成抑制コーティングの表面に堆積したマグネシウムの相対量を決定するために、光透過率測定を行った。理解されるように、例えば、数ｎｍ未満の厚さを有する比較的薄いマグネシウムコーティングは、実質的に透明である。ただし、マグネシウムコーティングの厚みが増すと、光透過率は低下する。したがって、様々な核生成抑制コーティング材料の相対的な性能は、サンプルを通る光透過率を測定することによって評価することができ、これは、マグネシウム堆積プロセスからその上に堆積されるマグネシウムコーティングの量または厚さに直接相関する。各サンプルで核生成抑制コーティングを形成するために使用された材料、および各サンプルの光透過率測定を、以下の表３に要約する。光透過率測定値の計算では、ガラス基板、ＬＧ２０１有機層、および核生成抑制コーティングの存在によって引き起こされる光の損失または吸収を、測定された透過率から差し引いた。そのため、表３に示す光透過率の値は、核生成抑制コーティングの表面に存在し得るマグネシウムコーティングを通る光の透過率（波長約５５０ｎｍ）のみを反映している。
実施例２：化合物６～２２の低速評価。様々な材料を使用して核生成抑制コーティングを形成する効果を特徴付けるために、一連のサンプルを、化合物６、７および９～２２のそれぞれを使用して調製し、核生成抑制コーティングを形成した。
一連のサンプルは、ガラス基板上に核生成抑制コーティングを堆積させることによって製造した。次に、核生成抑制コーティングの表面に、マグネシウムのオープンマスク堆積を施した。各サンプルを、平均蒸発速度が約２Å／秒のマグネシウム蒸気フラックスに曝した。マグネシウムコーティングの堆積を実施する際に、約２００ｎｍのマグネシウムの基準層厚さを得るために、約１０００秒の堆積時間を使用した。
各サンプルで核生成抑制コーティングを形成するために使用された材料、および各サンプルの光透過率測定を、以下の表４に要約する。
上記に基づいて、核生成抑制コーティング材料として化合物１～７および９～２２を使用して製造したサンプルについて、９０％を超える比較的高い光透過率が測定されたことがわかる。上述したように、高い光透過率は、核生成抑制コーティングの表面に存在し、サンプルを透過する光を吸収する比較的少量のマグネシウムコーティングがある場合に直接起因する。したがって、これらの核生成抑制コーティング材料は、概して、マグネシウムに対して比較的低い親和性または初期付着確率を示し、これにより、特定の用途においてマグネシウムコーティングの選択的堆積およびパターニングを実現するために特に有用であり得る。対照的に、核生成抑制コーティング材料として化合物２９～３４を使用して製造されたサンプルは、光透過率が比較的低いか、または光透過を示さず、顕著な厚さのマグネシウムコーティングが堆積されたことを示した。したがって、化合物２９～３４は、核生成抑制コーティング材料として概して不十分に機能することが見出された。
本明細書で説明するこの例および他の例で使用されるように、基準層の厚さは、高い初期付着係数を示す基準表面（例えば、約１．０、または１．０に近い初期付着係数を持つ表面）に堆積されるマグネシウムの層の厚さを指す。具体的には、これらの例の場合、基準表面は、堆積速度と基準層の厚さを監視するために堆積チャンバー内に位置付けられた水晶の表面である。換言すれば、基準層の厚さは、ターゲット表面（すなわち、核生成抑制コーティングの表面）に堆積されたマグネシウムの実際の厚さを示すものではない。むしろ、基準層の厚さは、ターゲット表面と基準表面を同じ堆積期間（すなわち、水晶の表面）で同じマグネシウム蒸気フラックスに曝したときに、基準表面に堆積されるマグネシウムの層厚を指す。理解されるように、ターゲット表面と基準表面が堆積中に同時に同じ蒸気フラックスに曝されない場合、基準厚さを決定および監視するために適切なツーリングファクタが使用されてもよい。
実施例３：化合物１～５の高速評価。マグネシウム蒸発速度が様々な材料の核生成抑制特性にどのような影響を与えるかを判定するために、化合物１～５のそれぞれを使用して一連のサンプルを調製し、核生成抑制コーティングを形成してから、比較的高いマグネシウム蒸気フラックスに曝した。一連のサンプルは、ガラス基板上に形成された約２０ｎｍの厚さの有機層ＬＧ２０１を堆積し、続いてＬＧ２０１有機層上に約３０ｎｍの厚さを有する核生成抑制コーティングを堆積させることによって製造した。基準表面を使用して測定するとき、サンプルを平均堆積速度が約１０Å／秒のマグネシウムフラックスに曝した。マグネシウムコーティングの堆積を実施する際に、約５００ｎｍのマグネシウムの基準層厚さを得るために、約５００秒の堆積時間を使用した。
サンプルが製造されると、核生成抑制コーティングの表面に堆積したマグネシウムの相対量を決定するために、光透過率測定を行った。核生成抑制コーティングの厚さおよび各サンプルの光透過率測定を、以下の表４に要約する。光透過率測定値の計算では、ガラス基板および核生成抑制コーティングの存在によって引き起こされる光の損失または吸収を、測定された透過率から差し引いた。そのため、表４に示す光透過率の値は、核生成抑制コーティングの表面に存在し得るマグネシウムコーティングを通る光の透過率（波長約５５０ｎｍ）のみを反映している。
実施例４：化合物６～２２の高速評価。マグネシウム蒸発速度が様々な材料の核生成抑制特性にどのような影響を与えるかを判定するために、化合物６～２２のそれぞれを使用して一連のサンプルを調製し、核生成抑制コーティングを形成してから、比較的高いマグネシウム蒸気フラックスに曝した。一連のサンプルは、ガラス基板上に核生成抑制コーティングを堆積させることによって製造した。基準表面を使用して測定するとき、サンプルを平均堆積速度が約１０Å／秒のマグネシウムフラックスに曝した。マグネシウムコーティングの堆積を実施する際に、約２００ｎｍのマグネシウムの基準層厚さを得るために、約２００秒の堆積時間を使用した。
サンプルが製造されると、核生成抑制コーティングの表面に堆積したマグネシウムの相対量を決定するために、光透過率測定を行った。核生成抑制コーティングの厚さおよび各サンプルの光透過率測定を、以下の表６に要約する。光透過率測定値の計算では、ガラス基板および核生成抑制コーティングの存在によって引き起こされる光の損失または吸収を、測定された透過率から差し引いた。そのため、表６に示す光透過率の値は、核生成抑制コーティングの表面に存在し得るマグネシウムコーティングを通る光の透過率（波長約５５０ｎｍ）のみを反映している。
上記に基づいて、核生成抑制コーティング材料として化合物４、６、７、８、９、１０、１１、１６、１７、２１、２２を使用して製造されたサンプルについてのみ、９０％を超える比較的高い光透過率が測定されたことがわかる。上述したように、高い光透過率は、核生成抑制コーティングの表面に存在し、比較的少量のマグネシウムコーティングがある場合に直接起因する。したがって、そのような核生成抑制コーティング材料は、特定の用途においてマグネシウムコーティングの選択的堆積およびパターニングを実現するために特に有用であり得る。例えば、そのような材料は、マグネシウムコーティングの堆積速度が約２Å／秒より実質的に高い用途に特に適し得る。さらに、核生成抑制コーティング材料として化合物２９～３４を使用して製造されたサンプルは、光透過を示さず、顕著な厚さのマグネシウムコーティングが堆積されたことを示した。したがって、化合物２９～３４は、核生成抑制コーティング材料として概して不十分に機能することが見出された。
核生成抑制コーティング材料として化合物５、１２、１３、１４、１９および２０を使用して製造されたサンプルは、それぞれ約６６％、３３％、３５％、４９％、４６％および３６％の光透過率を示した。マグネシウムコーティングの高度に選択的な堆積を必要とする用途では、より高い光透過率を示す材料、したがって優れた核生成抑制特性（すなわち、低い初期付着確率）を示す材料を使用することが概してより好ましいが、それにもかかわらず、化合物５、１２、１３、１４、１９および２０などの材料は、特定の用途のための核生成抑制コーティングを形成するのに有用であり得る。
化合物１、２、１５および１８を使用して製造されたサンプルは全て、比較的低い光透過率を示した。特に、化合物１５および化合物１８を使用して製造されたサンプルは、透過を示さなかった。これは、核生成抑制コーティングの表面に堆積されたマグネシウムコーティングの比較的大量または厚い層が光の大幅な吸収をもたらすことを示している。したがって、これらの材料は、マグネシウムコーティングの選択的堆積を実現するための使用、特に、約２Å／秒を超える高い堆積速度（例えば、約１０Å／秒の堆積速度）で、比較的厚いマグネシウムコーティングを選択的に堆積させる必要がある用途には望ましくない場合がある。
実施例３および４の結果を実施例１および２の結果と比較することにより、いくぶん驚くべきことに、一部の材料は、比較的低い堆積速度または蒸発速度でマグネシウム蒸気フラックスに曝された場合、その上へのマグネシウムの堆積を実質的に抑制するが、マグネシウムの堆積が抑制される程度は、マグネシウムの比較的高い堆積速度または蒸発速度が使用される場合、実質的に減少することが判明している。換言すれば、マグネシウムコーティングの選択的堆積は、約２Å／秒の比較的低いマグネシウム堆積速度で、特定の核生成抑制コーティング材料（例えば、化合物１、２、１５、１８など）を使用して正常に実現できることが観察されている。しかし、約１０Å／秒の比較的高い堆積速度では、同じ核生成抑制コーティング材料を使用しても、マグネシウムコーティングの選択性の高い堆積を成功させることはできない。
これらの実施例で使用されるマグネシウム堆積速度に関係なく、一部の核生成抑制コーティング材料は、その上へのマグネシウムの堆積を抑制するのに効果的であると思われることも観察されている。実験結果に基づいて、化合物４、６、７、８、９、１０、１１、１６、１７、２１、２２は、少なくとも最大約１０Å／秒のマグネシウム堆積速度でマグネシウムコーティングの非常に選択的な堆積を実現するための効果的な核生成抑制コーティングを形成するために使用することができる。
さらに、核生成抑制コーティングとして化合物２３～２８、３５および３６を使用することを除いて、実施例４のサンプルと同様に製造されたサンプルも比較的高い光透過率を示しており、これにより、そのような材料は、少なくとも一部の用途において核生成抑制コーティングを形成するのにも適し得ることを示している。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、上記の核生成と成長の理論に基づいて、化合物１などの材料を堆積して形成された表面は、概して、吸着したマグネシウム吸着原子の比較的低い脱離エネルギー（Ｅｄｅｓ）、マグネシウム吸着原子の拡散の高い活性化エネルギー（ＥＳ）、またはその両方を示すと想定されている。このように、このように、マグネシウムの蒸気衝突速度（
）が増加しても、次の式に従って決定される臨界核生成速度（
）は比較的低いままであり、マグネシウムの堆積を実質的に抑制する。
）が増加しても、次の式に従って決定される臨界核生成速度（
）は比較的低いままであり、マグネシウムの堆積を実質的に抑制する。
蒸気衝突速度（すなわち、蒸発速度）が増加すると、基板の温度が上昇し得ると想定されている。例えば、蒸発速度が増加すると、蒸発源は通常、より高い温度で動作する。したがって、より高い蒸発速度では、基板は、基板を加熱し得る高いレベルの熱輻射に曝され得る。基板温度の上昇をもたらし得る他の要因には、基板温度の上昇をもたらす可能性のある他の要因には、基板表面に入射する多数の蒸発した分子からのエネルギー移動によって引き起こされる基板の加熱、ならびにプロセスでエネルギーを放出して加熱を引き起こす基板表面上の分子の凝縮または（逆）昇華速度の増加が挙げられる。
さらなる明確化のために、核生成抑制コーティングの文脈で使用される場合の「選択性」という用語は、概して、導電性コーティングを形成するために使用される材料の蒸気フラックスに曝されたときに、核生成抑制コーティングがその上への導電性コーティングの堆積を抑制または防止する程度を指すと理解される。例えば、マグネシウムに対して比較的高い選択性を示す核生成抑制コーティングは、比較的低い選択性を有する核生成抑制コーティングと比較して、概してその上へのマグネシウムコーティングの堆積をよりよく抑制または防止する。概して、比較的高い選択性を示す核生成抑制コーティングはまた、比較的低い初期付着確率を示し、比較的低い選択性を示す核生成抑制コーティングは、比較的高い初期付着確率を示すことが観察されている。
実施例４。一連の動的モンテカルロ（ＫＭＣ）計算を行って、様々な活性化エネルギーを示す表面への金属吸着原子の堆積をシミュレーションした。具体的には、このような表面をモノマーフラックスの一定速度で蒸発蒸気フラックスに曝すことにより、脱離（Ｅｄｅｓ）、拡散（Ｅｓ）、解離（Ｅｉ）、表面への反応（Ｅｂ）に関連した様々な活性化エネルギーレベルを有する表面へのマグネシウム吸着原子のような金属吸着原子の堆積をシミュレーションするために計算を行った。図３９は、現在の実施例で考慮された様々な「事象」の概略図である。図３９では、気相中の原子５３０１は、表面５３００に入射するように示されている。原子５３０１が表面５３００に吸着されると、それは吸着原子５３０３になる。吸着原子５３０３は、（ｉ）脱離（その上に脱離した原子５３１１が生成される）、（ｉｉ）拡散（表面５３００上で拡散する吸着原子５３１３を生じさせる）、（ｉｉｉ）核生成（臨界数の吸着原子５３１５が集まって核を形成する）、（ｉｖ）表面への反応（吸着原子５３１７が反応して表面５３００に結合する）、を含む様々な事象を経験する可能性がある。
脱離、拡散、または解離が発生する速度（Ｒ）は、以下の式に従って、試行の頻度（ω）、各事象の活性化エネルギー（Ｅ）、ボルツマン定数（ｋＢ）、およびシステムの温度（Ｔ）から計算される。
上記の計算の目的で、臨界クラスタサイズｉ（すなわち、安定した核を形成するための吸着原子の臨界数）を２に選択した。吸着原子－吸着原子相互作用の拡散の活性化エネルギーは約０．６ｅＶより大きくなるように選択し、吸着原子－吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーは約１．５ｅＶより大きくなるように選択し、吸着原子－吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーは、表面－吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーの約１．２５倍より大きくなるように選択した。上記の値と条件は、マグネシウム－マグネシウム相互作用についての報告値に基づいて選択した。シミュレーションの目的で、３００Ｋの温度（Ｔ）を使用した。タングステン－タングステンのような他の金属吸着原子－金属吸着原子活性化相互作用についての報告値を使用して、計算を繰り返した。上記の参照値は、例えば、カリフォルニア州ノイバウアーにおける、１９６４年、Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ，２，１，Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ｄｉｓｏｒｄｅｒ Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ ｉｎ Ｔｈｉｎ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍｓにおいて報告されている。
以下の式に従って、シミュレーション期間中に表面に衝突したモノマーの総数（Ｎｔｏｔａｌ）のうち、表面に残っている吸着モノマーの数（Ｎａｄｓ）の割合を計算することにより、累積付着確率を決定した。
シミュレーションは、約９６ｎｍを超える基準厚さを有する膜を堆積させるための時間に対応する、約８分を超える堆積期間にわたって約２Å／秒に対応する蒸気フラックス速度を使用して堆積をシミュレートするために実施した。
典型的な表面の場合、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）は、概して、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）以上である。シミュレーションに基づいて、少なくとも一部の場合では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）と拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）との間に比較的小さな差を示す表面は、核生成抑制コーティングの表面として作用するのに特に有用であり得ることが見出されている。一部の実施形態では、脱離の活性化エネルギーは、表面の拡散の活性化エネルギー以上であり、表面の拡散の活性化エネルギーの約１．１倍以下、約１．３倍以下、約１．５倍以下、約１．６倍以下、約１．７５倍以下、約１．８倍以下、約１．９倍以下、約２倍以下、または約２．５倍以下である。一部の実施形態では、脱離の活性化エネルギーと拡散の活性化エネルギーとの間の差（例えば、絶対値に関して）は、約０．５ｅＶ以下、約０．４ｅＶ以下、約０．３５ｅＶ以下、より好ましくは約０．３ｅＶ以下、または約０．２ｅＶ以下である。一部の実施形態では、脱離の活性化エネルギーと拡散の活性化エネルギーとの間の差は、約０．０５ｅＶ～約０．４ｅＶ、約０．１ｅＶ～約０．３ｅＶ、または約０．１ｅＶ～約０．２ｅＶである。
また、少なくとも一部の場合では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）と解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間に比較的小さな差を示す表面は、核生成抑制コーティングの表面として作用するのに特に有用であり得ることが見出されている。一部の実施形態では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）は、乗数に解離活性化エネルギー（Ｅｉ）を掛けた値以下である。一部の実施形態では、脱離の活性化エネルギーは、表面の解離の活性化エネルギーの約１．５倍以下、約２倍以下、約２．５倍以下、約２．８倍以下、約３倍以下、約３．２倍以下、約３．５倍以下、約４倍以下、または約５倍以下である。
また、少なくとも一部の場合では、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）と解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間に比較的小さな差を示す表面は、核生成抑制コーティングの表面として作用するのに特に有用であり得ることが見出されている。一部の実施形態では、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）は、乗数に解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）を掛けた値以下である。一部の実施形態では、拡散の活性化エネルギーは、表面の解離の活性化エネルギーの約２倍以下、約２．５倍以下、約２．８倍以下、約３倍以下、約３．２倍以下、約３．５倍以下、約４倍以下、または約５倍以下である。
一部の実施形態では、核生成抑制コーティングの脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）と、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）と、表面の解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間の関係は、以下のように表され得る。
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
式中、αは約１．１～約２．５の範囲から選択される任意の数であり得、βは約２～約５の範囲から選択される任意の数であり得る。いくつかのさらなる実施形態では、αは、約１．５～約２の範囲から選択される任意の数であり得、βは、約２．５～約３．５の範囲から選択される任意の数であり得る。別のさらなる実施形態では、αは約１．７５になるように選択され、βは約３になるように選択される。
以下の関係を有する表面は、少なくとも特定の場合において、マグネシウム蒸気について約０．１未満の累積付着確率を示す可能性があることが現在見出されている。
Ｅｄｅｓ≦１．７５＊Ｅｓ≦３＊Ｅｉ
Ｅｄｅｓ≦１．７５＊Ｅｓ≦３＊Ｅｉ
したがって、上記の活性化エネルギーの関係を有する表面は、一部の実施形態において、核生成抑制コーティングの表面としての使用に特に有利であり得る。
上記の活性化エネルギーの関係に加えて、拡散の活性化エネルギーと解離の活性化エネルギーとの間に約０．３ｅＶ以下の比較的小さな差を示す表面は、約０．１未満の累積付着確率が望まれる特定の用途において特に有用であり得ることが現在見出されている。拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）と解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間のエネルギー差（ΔＥｓ－ｉ）は、以下の式に従って計算され得る。
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
例えば、少なくとも一部の場合において、拡散の活性化エネルギーと解離の活性化エネルギーとの間のエネルギー差が約０．２５ｅＶ以下である表面は、マグネシウム蒸気の累積付着確率が約０．０７以下であることが現在見出されている。他の例では、ΔＥｓ－ｉが約０．２ｅＶ以下の場合、累積付着確率は約０．０５以下となり、ΔＥｓ－ｉが約０．１ｅＶ以下の場合、累積付着確率は約０．０４以下となり、ΔＥｓ－ｉが約０．０５ｅＶ以下の場合、累積付着確率は約０．０２５以下となる。
したがって、いくつかの実施形態では、表面は、次の不等式の関係において、以下によって特徴付けられ、αは、約１．１～約２．５の範囲、またはより好ましくは約１．５～約２の範囲、例えば約１．７５などから選択される任意の数であり、βは、約２～約５の範囲、またはより好ましくは約２．５～約３．５の範囲、例えば約３の範囲から選択される任意の数である。
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
ここで、次式に従って計算されたΔＥｓ－ｉは、次式において約０．３ｅＶ以下、約０．２５ｅＶ以下、約０．２ｅＶ以下、約０．１５ｅＶ以下、約０．１ｅＶ以下、または約０．０５ｅＶ以下である。
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
計算の結果も分析して、シミュレーションされた初期付着確率を決定した。これは、本実施例では、約１ｎｍの平均厚さを有するマグネシウムコーティングを生成する表面上に堆積したときの表面上のマグネシウムの付着確率であると特定された。結果の分析に基づいて、少なくとも一部の場合において、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）が拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）の約２倍未満であり、拡散のエネルギー（Ｅｓ）が解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）の約３倍未満である表面は、概して、約０．１未満の比較的低い初期付着確率を示すことが現在見出されている。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、様々な事象の活性化エネルギーおよび上記のこれらのエネルギー間のそれぞれの関係は、概して、表面への吸着原子反応の活性化エネルギー（Ｅｂ）が脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）よりも大きい表面に適用されると想定される。表面への吸着原子反応の活性化エネルギー（Ｅｂ）が脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）より小さい表面の場合、そのような表面での吸着原子の初期付着確率は概して約０．１より大きいと想定される。
上記の様々な活性化エネルギーは、電子ボルト（ｅＶ）などの任意のエネルギー単位で測定された負でない値として取り扱われることが理解されよう。そのような場合、上述の活性化エネルギーに関連する様々な不等式および式が概して適用可能であり得る。
様々な活性化エネルギーのシミュレーションされた値が上記で議論されたが、これらの活性化エネルギーはまた、様々な技術を使用して実験的に測定および／または導出され得ることが理解されよう。このような目的で使用できる技術と機器の例には、熱脱離分光法、フィールドイオン顕微鏡（ＦＩＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、および中性子放射化トレーサースキャン（ＮＡＴＳ）が含まれるが、これらに限定されない。
概して、本明細書で説明する様々な活性化エネルギーは、表面の一般的な組成と構造および吸着原子が（例えば、実験的測定と分析によって）特定されている場合、量子化学シミュレーションを実施することによって導出できる。シミュレーションについては、例えば、単一のエネルギー点、遷移状態、エネルギー表面スキャン、および局所／大域エネルギー最小値などの方法を使用する量子化学シミュレーションを使用することができる。例えば、密度汎関数理論（ＤＦＴ）、ハートリーフォック（ＨＦ）、自己無撞着場（ＳＣＦ）、および完全構成相互作用（ＦＣＩ）などの様々な理論を、そのようなシミュレーション方法と併せて使用することができる。理解されるように、拡散、脱離、および核生成などの様々な事象は、初期状態、遷移状態、および最終状態の相対エネルギーを調べることによってシミュレーションすることができる。例えば、遷移状態と初期状態との間の相対的なエネルギー差は、概して、様々な事象に関連する活性化エネルギーの比較的正確な推定を提供し得る。
本明細書で使用する場合、「実質的に」、「実質的な」、「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、および「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、小さな変動を示し、説明するために使用される。事象または状況と組み合わせて使用する場合、これらの用語は、事象または状況が正確に発生する場合だけでなく、事象または状況が近似的に発生する場合も指す場合がある。例えば、数値と組み合わせて使用する場合、これらの用語は、その数値の±１０％以下、例えば±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、または±０．０５％以下などの変動の範囲を指す場合がある。
一部の実施形態の説明では、別の構成要素の「上（ｏｎ）」もしくは「上（ｏｖｅｒ）」に設けられた構成要素、または別の構成要素を「被覆する（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」もしくは「被覆する（ｃｏｖｅｒｓ）」構成要素は、前者の構成要素が後者の構成要素に直接（例えば、物理的に接触して）いる場合、ならびに１つ以上の介在する構成要素が前者の構成要素と後者の構成要素との間に位置する場合を包含することができる。
本明細書に例示的に記載されている実施形態は、本明細書に具体的に開示されていない任意の１つ以上の要素、限定がなくても適切に実施することができる。したがって、例えば、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」などの用語は、拡張的にかつ制限なく解釈されるべきである。さらに、本明細書で使用されている用語および表現は、限定ではなく説明の用語として使用されており、そのような用語および表現を使用して、図示および説明された特徴またはその一部分の同等物を除外する意図はないが、請求された技術の範囲内で様々な修正が可能であることが認識される。さらに、「から本質的になる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）」という語句は、具体的に列挙された要素、および請求された技術の基本的かつ新規な特性に実質的に影響を与えない追加の要素を含むと理解される。「からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｏｆ）」という語句は、特定されていない要素を除外する。
さらに、本開示の特徴または態様がマーカッシュグループに関して説明される場合、当業者は、開示がまた、マーカッシュグループの任意の個々の要素または要素のサブグループに関して説明されることを認識するであろう。
当業者によって理解されるように、特に書面による説明を提供するという観点から、ありとあらゆる目的のために、本明細書に開示される全ての範囲は、ありとあらゆる可能な部分範囲およびその部分範囲の組み合わせも包含する。列挙された範囲は、同じ範囲を少なくとも等しい２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などに十分に説明し、有効にするものとして簡単に認識できる。非限定的な例として、本明細書で説明する各範囲は、下３分の１、中３分の１、および上３分の１などに容易に分解することができる。また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「未満」などの全ての言語は、上記のように、列挙された数を含み、後で部分範囲に分割できる範囲を指す。最後に、当業者によって理解されるように、範囲は各個々の要素を含む。
本開示を特定の実施形態を参照して説明したが、その様々な修正は、当業者には明らかであろう。本明細書で提供される例はいずれも、本開示の特定の態様を例示する目的でのみ含まれており、決して本開示を限定することを意図していない。本明細書で提供される図面はいずれも、本開示の特定の態様を例示することのみを目的としており、縮尺通りに描かれていない場合があり、決して本開示を限定するものではない。本明細書に添付される特許請求の範囲は、上記の説明で記載された特定の実施形態によって限定されるべきではなく、全体として本開示と一致するそれらの全範囲を与えられるべきである。本明細書に列挙される全ての文書の開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
他の実施形態は、以下の特許請求の範囲に示されている。
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
（項目１）
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配設された第１の電極と、
前記第１の電極の上に配設された半導電性層と、
前記半導電性層の上に配設された第２の電極であって、前記第２の電極が、第１の部分および第２の部分を有する、第２の電極と、
前記第２の電極の前記第１の部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、
前記第２の電極の前記第２の部分の上に配設された導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式（Ｉ）の化合物を含む、光電子デバイス。
［式中、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの少なくとも２つがそれぞれ独立して、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）から選択され、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの残りがそれぞれ独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ａ）では、Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ が独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｂ）では、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｃ）では、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｄ）では、Ｄ
１
、Ｄ
２
、Ｄ
３
、Ｄ
４
、Ｄ
５
、Ｄ
６
、Ｄ
７
、Ｄ
８
、Ｄ
９
、およびＤ
１０
のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｄ
１
、Ｄ
２
、Ｄ
３
、Ｄ
４
、Ｄ
５
、Ｄ
６
、Ｄ
７
、Ｄ
８
、Ｄ
９
、およびＤ
１０
のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｅ）では、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｆ）では、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｇ）では、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される］
（項目２）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）からなる群から選択され、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目３）
Ｘ ２ 、Ｘ ３ 、Ｘ ６ 、およびＸ ７ がそれぞれ、個別に、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目２に記載の光電子デバイス。
（項目４）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択され、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目５）
Ｘ ２ 、Ｘ ３ 、Ｘ ６ 、およびＸ ７ がそれぞれ、個別に、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目４に記載の光電子デバイス。
（項目６）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｂ）および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目７）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｂ）である、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目８）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｃ）である、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目９）
Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ のうちの少なくとも１つが、ｔ－ブチル、メトキシ、トリフルオロメトキシ、メチル、トリフルオロメチル、またはＦである、項目６、７、および８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１０）
前記Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ のうちの最大３つが、Ｆである、項目６、７、および８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１）
Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、およびＣ ７ が、Ｈである、項目９または１０に記載の光電子デバイス。
（項目１２）
Ｘ ９ が、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ １０ が、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）からなる群から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目１３）
Ｘ １ 、Ｘ ２ 、Ｘ ３ 、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、Ｘ ６ 、Ｘ ７ 、およびＸ ８ が独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目１、６、７、および８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４）
前記核生成抑制コーティングが、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する、項目１～１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５）
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１６）
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１７）
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１８）
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１９）
前記光電子デバイスが、有機発光（ＯＬＥＤ）デバイスである、項目１～１８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２０）
前記ＯＬＥＤデバイスが、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイス、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス、またはＯＬＥＤ照明デバイスである、項目１９に記載の光電子デバイス。
（項目２１）
前記ＯＬＥＤデバイスが、トップエミッションＯＬＥＤデバイス、ボトムエミッションＯＬＥＤデバイス、または両面発光デバイスである、項目１９または２０に記載の光電子デバイス。
（項目２２）
前記ＯＬＥＤデバイスが、光透過部分を含み、前記光透過部分は、そこを通って光を透過させるように構成されている、項目１９、２０、または２１に記載の光電子デバイス。
（項目２３）
前記導電性コーティングが、前記ＯＬＥＤデバイスの補助電極である、項目１～２２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２４）
前記核生成抑制コーティングが、以下からなる群から選択される化合物を含む、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目２５）
以下の化合物。
（項目２６）
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板の第１の領域を被覆する核生成抑制コーティングと、
第１の部分および第２の部分を含む導電性コーティングであって、前記導電性コーティングの前記第１の部分が、前記基板の第２の領域を被覆する、導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式（Ｉ）の化合物を含む、光電子デバイス。
［式中、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの少なくとも２つがそれぞれ独立して、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）から選択され、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの残りがそれぞれ独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ａ）では、Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ が独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｂ）では、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｃ）では、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｄ）では、Ｄ １ 、Ｄ ２ 、Ｄ ３ 、Ｄ ４ 、Ｄ ５ 、Ｄ ６ 、Ｄ ７ 、Ｄ ８ 、Ｄ ９ 、およびＤ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｄ １ 、Ｄ ２ 、Ｄ ３ 、Ｄ ４ 、Ｄ ５ 、Ｄ ６ 、Ｄ ７ 、Ｄ ８ 、Ｄ ９ 、およびＤ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｅ）では、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｆ）では、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｇ）では、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される］
（項目２７）
前記導電性コーティングの前記第２の部分が、前記核生成抑制コーティングと部分的に重なり、前記導電性コーティングの前記第２の部分が、ギャップによって前記核生成抑制コーティングから離間されている、項目２６に記載の光電子デバイス。
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
（項目１）
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配設された第１の電極と、
前記第１の電極の上に配設された半導電性層と、
前記半導電性層の上に配設された第２の電極であって、前記第２の電極が、第１の部分および第２の部分を有する、第２の電極と、
前記第２の電極の前記第１の部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、
前記第２の電極の前記第２の部分の上に配設された導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式（Ｉ）の化合物を含む、光電子デバイス。
［式中、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの少なくとも２つがそれぞれ独立して、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）から選択され、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの残りがそれぞれ独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ａ）では、Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ が独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｂ）では、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｃ）では、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｅ）では、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｆ）では、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｇ）では、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される］
（項目２）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）からなる群から選択され、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目３）
Ｘ ２ 、Ｘ ３ 、Ｘ ６ 、およびＸ ７ がそれぞれ、個別に、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目２に記載の光電子デバイス。
（項目４）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択され、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目５）
Ｘ ２ 、Ｘ ３ 、Ｘ ６ 、およびＸ ７ がそれぞれ、個別に、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目４に記載の光電子デバイス。
（項目６）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｂ）および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目７）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｂ）である、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目８）
Ｘ １ 、Ｘ ８ 、およびＸ ９ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、およびＸ １０ のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｃ）である、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目９）
Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ のうちの少なくとも１つが、ｔ－ブチル、メトキシ、トリフルオロメトキシ、メチル、トリフルオロメチル、またはＦである、項目６、７、および８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１０）
前記Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ のうちの最大３つが、Ｆである、項目６、７、および８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１）
Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、およびＣ ７ が、Ｈである、項目９または１０に記載の光電子デバイス。
（項目１２）
Ｘ ９ が、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ １０ が、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）からなる群から選択される、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目１３）
Ｘ １ 、Ｘ ２ 、Ｘ ３ 、Ｘ ４ 、Ｘ ５ 、Ｘ ６ 、Ｘ ７ 、およびＸ ８ が独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、項目１、６、７、および８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４）
前記核生成抑制コーティングが、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する、項目１～１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５）
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１６）
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１７）
前記第２の電極の前記第１の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１８）
前記第２の電極の前記第２の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、項目１～１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１９）
前記光電子デバイスが、有機発光（ＯＬＥＤ）デバイスである、項目１～１８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２０）
前記ＯＬＥＤデバイスが、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイス、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス、またはＯＬＥＤ照明デバイスである、項目１９に記載の光電子デバイス。
（項目２１）
前記ＯＬＥＤデバイスが、トップエミッションＯＬＥＤデバイス、ボトムエミッションＯＬＥＤデバイス、または両面発光デバイスである、項目１９または２０に記載の光電子デバイス。
（項目２２）
前記ＯＬＥＤデバイスが、光透過部分を含み、前記光透過部分は、そこを通って光を透過させるように構成されている、項目１９、２０、または２１に記載の光電子デバイス。
（項目２３）
前記導電性コーティングが、前記ＯＬＥＤデバイスの補助電極である、項目１～２２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２４）
前記核生成抑制コーティングが、以下からなる群から選択される化合物を含む、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目２５）
以下の化合物。
（項目２６）
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板の第１の領域を被覆する核生成抑制コーティングと、
第１の部分および第２の部分を含む導電性コーティングであって、前記導電性コーティングの前記第１の部分が、前記基板の第２の領域を被覆する、導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式（Ｉ）の化合物を含む、光電子デバイス。
［式中、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの少なくとも２つがそれぞれ独立して、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、（Ｉ－Ｃ）、（Ｉ－Ｄ）、（Ｉ－Ｅ）、（Ｉ－Ｆ）、および（Ｉ－Ｇ）から選択され、Ｘ １ ～Ｘ １０ のうちの残りがそれぞれ独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ａ）では、Ａ １ 、Ａ ２ 、Ａ ３ 、Ａ ４ 、およびＡ ５ が独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｂ）では、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｂ １ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３ 、Ｂ ４ 、Ｂ ５ 、Ｂ ６ 、Ｂ ７ 、およびＢ ８ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｃ）では、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｃ １ 、Ｃ ２ 、Ｃ ３ 、Ｃ ４ 、Ｃ ５ 、Ｃ ６ 、Ｃ ７ 、Ｃ ８ 、Ｃ ９ 、およびＣ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｄ）では、Ｄ １ 、Ｄ ２ 、Ｄ ３ 、Ｄ ４ 、Ｄ ５ 、Ｄ ６ 、Ｄ ７ 、Ｄ ８ 、Ｄ ９ 、およびＤ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｄ １ 、Ｄ ２ 、Ｄ ３ 、Ｄ ４ 、Ｄ ５ 、Ｄ ６ 、Ｄ ７ 、Ｄ ８ 、Ｄ ９ 、およびＤ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｅ）では、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｅ １ 、Ｅ ２ 、Ｅ ３ 、Ｅ ４ 、Ｅ ５ 、Ｅ ６ 、Ｅ ７ 、Ｅ ８ 、Ｅ ９ 、Ｅ １０ 、Ｅ １１ 、およびＥ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｆ）では、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｆ １ 、Ｆ ２ 、Ｆ ３ 、Ｆ ４ 、Ｆ ５ 、Ｆ ６ 、Ｆ ７ 、Ｆ ８ 、Ｆ ９ 、およびＦ １０ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、（Ｉ－Ｇ）では、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの少なくとも１つが、式Ｉへの結合を表し、Ｇ １ 、Ｇ ２ 、Ｇ ３ 、Ｇ ４ 、Ｇ ５ 、Ｇ ６ 、Ｇ ７ 、Ｇ ８ 、Ｇ ９ 、Ｇ １０ 、Ｇ １１ 、およびＧ １２ のうちの残りが独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される］
（項目２７）
前記導電性コーティングの前記第２の部分が、前記核生成抑制コーティングと部分的に重なり、前記導電性コーティングの前記第２の部分が、ギャップによって前記核生成抑制コーティングから離間されている、項目２６に記載の光電子デバイス。
Claims (29)
- 光電子デバイスであって、
前記デバイスの横方向側面の第１の部分で前記デバイスの第１の層表面上に配設された核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）と、
前記デバイスの横方向側面の第２の部分で前記デバイスの第２の層表面上に配設された導電性コーティングと、を備え、
ここで、前記第１の部分の少なくとも一部には、前記導電性コーティングが存在せず、
前記ＮＩＣが、式（Ｉ）の化合物を含み、
ここで、前記化合物は、少なくとも１つのフッ素原子を含む、光電子デバイス。 - Ｘ１、Ｘ８、およびＸ９のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択され、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ１０のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）、（Ｉ－Ｂ）、および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択される、請求項１に記載の光電子デバイス。
- Ｘ２、Ｘ３、Ｘ６、およびＸ７がそれぞれ、個別に、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、請求項２に記載の光電子デバイス。
- Ｘ１、Ｘ８、およびＸ９のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ１０のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｂ）および（Ｉ－Ｃ）からなる群から選択される、請求項１に記載の光電子デバイス。
- Ｘ１、Ｘ８、およびＸ９のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ１０のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｂ）である、請求項１に記載の光電子デバイス。
- Ｘ１、Ｘ８、およびＸ９のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ａ）であり、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ１０のうちの少なくとも１つが、（Ｉ－Ｃ）である、請求項１に記載の光電子デバイス。
- Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つが、ｔ－ブチル、メトキシ、トリフルオロメトキシ、メチル、トリフルオロメチル、またはＦである、請求項４に記載の光電子デバイス。
- 前記Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの最大３つが、Ｆである、請求項４に記載の光電子デバイス。
- Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、およびＣ７が、Ｈである、請求項４に記載の光電子デバイス。
- 前記ＮＩＣが、４．５ｎｍ～１１０ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記ＮＩＣが、以下からなる群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに備え、前記第２の電極が、前記第１の部分の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記第２の電極に電気的に結合される、請求項１４に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分の少なくとも第１の一部が、前記第２の部分の少なくとも第２の一部と重なる、請求項１２に記載の光電子デバイス。
- 前記ＮＩＣが、前記第２の一部内の前記デバイスの前記表面上に配設され、前記導電性コーティングが、その中の前記ＮＩＣの上に配設されている、請求項１６に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、断面側面において前記ＮＩＣから離間している、請求項１７に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、補助電極に電気的に結合される、請求項１６に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分が、少なくとも１つの追加の発光領域を含む、請求項１６に記載の光電子デバイス。
- 前記デバイスの前記第２の部分の前記追加の発光領域のうちの少なくとも１つが、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記導電性コーティングを含む、請求項２０に記載の光電子デバイス。
- 前記デバイスの前記第２の部分の前記少なくとも１つの追加の発光領域から放出される光の波長が、前記デバイスの前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域から放出される光の波長と異なる、請求項２０に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、補助電極を含む、請求項１２に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、請求項２４に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分が、前記第１の部分を通して光透過性である、請求項２４に記載の光電子デバイス。
- 第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに備え、前記第２の電極が、前記第１の部分の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、請求項２４に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極が、前記第２の部分の前記導電性コーティングと前記半導電性層との間に延在する、請求項２７に記載の光電子デバイス。
- 第１の電極、前記第１の電極と前記導電性コーティングとの間の半導電性層をさらに備え、前記導電性コーティングが、前記デバイスの第２の電極を含む、請求項２４に記載の光電子デバイス。
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