JP7285151B2 - 支持体剥離方法及び支持体剥離システム - Google Patents

Description

本開示は、支持体剥離方法及び支持体剥離システムに関する。

特許文献１には、接着層を介して互いに接合された第１及び第２の部材を剥離する部材剥離方法が開示されている。この部材剥離方法は、第１の部材の第１主面に光熱変換層を配置するステップと、第１の部材の第１主面と第２の部材の第２主面とを、接着層を介して互いに接合するステップと、光熱変換層にレーザ光を照射するステップと、第１の部材と第２の部材に力を加えて、第１の部材を第２の部材から剥離するステップと、を有する。

特開２０１５－１２２３７０号公報

本開示にかかる技術は、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離する。

本開示の一態様は、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有し、前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状であり、前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する。

本開示によれば、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離することができる。

本実施形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。 デバイスウェハの構成の概略を示す平面図である。 レーザ照射装置の構成の概略を示す側面図である。 レーザ照射装置の構成の概略を示す平面図である。 レーザヘッドの構成の概略を示す説明図である。 剥離処理の主な工程を示すフロー図である。 重合ウェハより側方にはみ出した接着剤を除去する様子を示す説明図である。 重合ウェハより側方にはみ出した接着剤を除去した様子を示す説明図である。 接着剤を変質させる様子を示す説明図である。 接着剤を変質させた様子を示す説明図である。 接着剤を変質させた様子を示す説明図である。 接着剤のスクライブラインと外周部を変質させる様子を示す説明図である。 デバイスウェハと支持ウェハを剥離する様子を示す説明図である。 デバイスウェハと支持ウェハの接合界面にブレードを挿入する様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかる接着剤の変質パターンを示す説明図である。 他の実施形態にかかるレーザ照射装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかるレーザ照射装置の構成の概略を示す平面図である。 他の実施形態にかかるレーザ照射装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態において接着剤を変質させる様子を示す説明図である。 他の実施形態において接着剤を変質させた様子を示す説明図である。 他の実施形態において接着剤を変質させた様子を示す説明図である。 他の実施形態においてデバイスウェハと支持ウェハを剥離する様子を示す説明図である。 他の実施形態においてデバイスウェハと支持ウェハを剥離する様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。

近年、半導体デバイスの薄型化が要求されており、かかる半導体デバイスの製造工程において、例えばＴＳＶプロセスやＦａｎｏｕｔプロセスでは、表面に複数の回路等のデバイス層が形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）を薄化することが行われている。このように薄化されたウェハをそのまま搬送したり、後続の処理、例えばフォトリソグラフィ処理を行ったりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。そこで、ウェハを補強するために、例えば接着剤を介してウェハと支持基板を接合することが行われている。そして、ウェハと支持基板が接合された状態で後続の処理が行われた後、支持基板がウェハから剥離される。

ウェハと支持基板を剥離するにあたっては、従来、種々の方法が用いられている。主たる剥離方法として例えば、ウェハと支持基板に力を作用させて剥離する方法と、接着剤にレーザ光を照射してウェハと支持基板を剥離する方法とがある。以下の説明においては、前者の剥離方法をメカニカル剥離といい、後者の方法をレーザ剥離というが場合がある。また、レーザ剥離において、レーザ光として赤外光を用いた剥離方法をＩＲレーザ剥離といい、紫外光を用いた剥離方法をＵＶレーザ剥離という場合がある。

メカニカル剥離では、例えばウェハと支持基板の接合界面にブレードを挿入して、支持基板をウェハから離間させて剥離する。ここで、剥離前には、ウェハと支持基板が接合された状態で、例えばウェハの薄化処理などを行う必要があるため、これらの処理に耐えられる程度の接合強度が必要となる。換言すれば、剥離時には、ある程度大きな力（以下、剥離力という）を加える必要があり、かかる場合、ウェハへの負荷が高く、ウェハが割れるおそれもある。また、ブレードを用いる場合、ブレードの選定及び調整が難しく、さらにブレードの消耗に対してメンテナンスの手間がかかる。また、ウェハと支持基板を接合する接着剤が３層必要な場合があり、剥離後の接着剤除去の洗浄に時間がかかる。

ＩＲレーザ剥離では、例えば赤外光を、支持基板を透過させて接着剤に照射することで、当該接着材を変質させて、ウェハと支持基板を剥離する。この赤外光の波長は長いため、赤外光が接着剤を透過して、デバイス層まで到達する場合がある。そうすると、デバイス層が損傷（ダメージ）を被る。

ＵＶレーザ剥離では、例えば紫外光を、支持基板を透過させて接着剤に照射することで、当該接着材を変質させて、ウェハと支持基板を剥離する。この場合、支持基板には、紫外線を透過させる基板、例えばガラス基板が用いられる。このガラス基板はシリコンからなるウェハと熱膨張係数（ＣＴＥ）が異なるため、例えば熱処理を行う際、ウェハとガラス基板で熱変形に差が出る。

以上のように、メカニカル剥離、ＩＲレーザ剥離、ＵＶレーザ剥離にはそれぞれ、短所が存在する。そこで本発明者らは、鋭意検討した結果、メカニカル剥離とレーザ剥離を適切に組み合わせることで、これら短所を補完し、安定した剥離処理を効率よく行うことを想到した。

なお、上述した特許文献１に記載された剥離方法では、第１の部材と第２の部材の間に設けられた光熱変換層にレーザ光を照射し、さらに第１の部材を第２の部材に力を加えて、第１の部材を第２の部材から剥離する。しかしながら、この剥離方法では、接着層とは別に光熱変換層を設ける必要があり、手間がかかり効率が悪い。したがって、従来の剥離方法には改善の余地がある。

本開示にかかる技術は、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離する。以下、本実施形態にかかる支持体剥離システムとしての剥離システム、及び支持体剥離方法としての剥離方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜剥離システムの構成＞
先ず、本実施形態にかかる剥離システムの構成について説明する。図１は、剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

剥離システム１では、図２に示すようにデバイスウェハＷと支持ウェハＳとが接着剤Ｇを介して接合された重合ウェハＴから、支持ウェハＳを剥離する。なお、デバイスウェハＷは本開示における基板に相当し、支持ウェハＳは本開示における支持体に相当し、接着剤Ｇは本開示における接着層に相当し、重合ウェハＴは本開示における重合体に相当する。なお、接着剤Ｇは１層に形成されている。

以下では、デバイスウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合された面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介してデバイスウェハＷに接合された面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。

デバイスウェハＷは、例えばシリコン基板などの半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数の回路等を含むデバイス層Ｄが形成されている。デバイスウェハＷは、例えば裏面Ｗｂが研磨処理されることによって薄化されている。

また、図３に示すようにデバイスウェハＷにはダイシング処理が施され、スクライブラインＷｓ（ストリートと呼ばれることもある）によって、複数のダイＷｄに分割されている。本実施形態では平面視において、ダイＷｄは矩形状であり、スクライブラインＷｓは格子状に形成されている。ダイＷｄの表面にはデバイス層Ｄの回路が形成され、ダイＷｄは本開示における回路形成領域を構成している。スクライブラインＷｓには回路が形成されておらず、スクライブラインＷｓは本開示における非回路形成領域を構成している。なお、これらダイＷｄとスクライブラインＷｓの径方向外側のデバイスウェハＷの外周部Ｗｅにも、回路は形成されていない。

支持ウェハＳは、デバイスウェハＷを支持するウェハである。支持ウェハＳには、赤外光が透過する材料が用いられ、例えばシリコンウェハが用いられる。

接着剤Ｇは、デバイスウェハＷと支持ウェハＳに接着し、且つ赤外光を吸収することによって変質する。なお、ここでいう変質とは、接着剤Ｇがわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は接着剤Ｇと接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を示す。すなわち、接着剤Ｇが赤外光を吸収すると、当該接着剤Ｇは脆くなり、赤外光の照射を受ける前の接合強度（接着性）を失う。より詳細には、接着剤Ｇが赤外光を吸収すると、その吸収した赤外光のエネルギーによって加熱されて溶融され、さらに炭化する。こうして、接着剤Ｇは、赤外光が照射された部分が接着機能を失う。また、重合ウェハＴより側方にはみ出した接着剤Ｇが赤外光を吸収すると、その吸収した赤外光のエネルギーによって加熱され、接着剤Ｇが昇華することで、はみ出した接着剤Ｇを除去することができる。

また、図２に示すように重合ウェハＴは、ダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦに固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合ウェハＴを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐようにデバイスウェハＷの裏面Ｗｂ及びダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦに固定（保持）された状態となる。

図１に示すように剥離システム１は、搬入出ステーション１０、搬送ステーション２０、及び処理ステーション３０を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション１０は、例えば外部との間で複数のデバイスウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔが搬入出される。搬送ステーション２０は、搬入出ステーション１０と処理ステーション３０との間で、デバイスウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する。処理ステーション３０は、デバイスウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えている。

搬入出ステーション１０には、カセット載置台１１が設けられている。図示の例では、カセット載置台１１には、複数、例えば４つのカセットＣｗ、Ｃｓ、ＣｔをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。本実施形態においては、Ｘ軸負方向側のカセットＣｔは、未処理の重合ウェハＴを収容したローダカセットとして用いられ、Ｘ軸中央のカセットＣｗ、Ｃｓは、処理後（剥離後）のデバイスウェハＷと支持ウェハＳを収容するアンローダカセットと用いられる。さらに、Ｘ軸正方向側のカセットＣｔは、処理中に不具合のあった重合ウェハＴを回収して収容するアンローダカセットと用いられる。なお、カセット載置台１１に載置されるカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

搬送ステーション２０は、搬入出ステーション１０に隣接して設けられている。搬送ステーション２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、例えば２本の搬送アーム２３、２４を有している。第１の搬送アーム２３は、ダイシングフレーム搬送用のアームであり、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴ又はデバイスウェハＷを搬送する。第２の搬送アーム２４は、ウェハ搬送用のアームであり、剥離された支持ウェハＳを搬送する。各搬送アーム２３、２４は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３、２４の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。

処理ステーション３０は、搬送ステーション２０に隣接して設けられている。処理ステーション３０において搬送ステーション２０のＹ軸正方向側には、アライメント装置３１、光照射装置としてのレーザ照射装置３２、剥離装置３３、第１の洗浄装置３４、第２の洗浄装置３５が、Ｘ軸正方向から負方向に向けて並べて配置されている。また、処理ステーション３０において搬送ステーション２０のＸ軸正方向側には、反転装置３６が配置されている。なお、これら装置３１～３６の数や配置は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。

アライメント装置３１では、例えばＩＲカメラ（赤外線カメラ）を用いて、デバイスウェハＷのパターン、すなわちダイＷｄ及びスクライブラインＷｓのパターンを検出し、重合ウェハＴの位置調整を行う。なお、アライメント装置３１は、このようにパターンを検出するため、本開示における検出装置としても機能する。また、アライメント装置３１には、公知の装置が用いられる。

レーザ照射装置３２では、支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに、レーザ光である赤外光を照射する。なお、レーザ照射装置３２の構成は後述する。

剥離装置３３では、重合ウェハＴに力を作用させ、重合ウェハＴから支持ウェハＳを剥離する。具体的には、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合界面の一端部にブレードを挿入した後、当該一端部から他端部に向かって順次、支持ウェハＳをデバイスウェハＷから離間させて剥離する。なお、剥離装置３３には、公知の装置が用いられる。

第１の洗浄装置３４では、ダイシングフレームＦに固定され、且つ剥離後のデバイスウェハＷに対し、その表面Ｗａから接着剤Ｇを除去して、表面Ｗａをスピン洗浄する。なお、第１の洗浄装置３４には公知の装置が用いられる。

第２の洗浄装置３５では、剥離後の支持ウェハＳの表面Ｓａから接着剤Ｇを除去して、表面Ｓａをスピン洗浄する。なお、第２の洗浄装置３５には公知の装置が用いられる。

反転装置３６では、剥離後の支持ウェハＳの表裏面を反転させる。なお、反転装置３６には公知の装置が用いられる。

以上の剥離システム１には、制御装置４０が設けられている。制御装置４０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における剥離処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置４０にインストールされたものであってもよい。

＜レーザ照射装置の構成＞
次に、上述したレーザ照射装置３２について説明する。図４は、レーザ照射装置３２の構成の概略を示す側面図である。図５は、レーザ照射装置３２の構成の概略を示す平面図である。

レーザ照射装置３２は、重合ウェハＴを上面で保持するチャック１００を有している。チャック１００は、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴを吸着保持する。チャック１００は、エアベアリング１０１を介して、スライダテーブル１０２に支持されている。スライダテーブル１０２の下面側には、回転機構１０３が設けられている。回転機構１０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック１００は、回転機構１０３によってエアベアリング１０１を介して、θ軸（鉛直軸）回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル１０２は、その下面側に設けられた移動機構１０４によって、基台１０６に設けられＹ軸方向に延伸するレール１０５に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構１０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。

チャック１００の上方には、赤外光照射部としてのレーザヘッド１１０が設けられている。レーザヘッド１１０は、レンズ１１１を有している。レンズ１１１は、レーザヘッド１１０の下面に設けられた筒状の部材であり、チャック１００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射する。本実施形態ではレーザ光は赤外光であり、レーザヘッド１１０から発せられた赤外光は支持ウェハＳを透過し、接着剤Ｇに照射される。

レーザヘッド１１０には、例えばガルバノが用いられる。図６に示すようにレーザヘッド１１０の内部には、ガルバノミラー１１２が複数配置されている。また、レンズ１１１にはｆ－θレンズが用いられる。かかる構成により、レーザヘッド１１０に入力された赤外光Ｌｉｒは、ガルバノミラー１１２で反射され、レンズ１１１へと伝播され、支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに照射される。そして、ガルバノミラー１１２の角度を調整することで、接着剤Ｇに対して赤外光Ｌｉｒを走査させることができる。

なお、レーザヘッド１１０は、昇降機構（図示せず）によって昇降自在に構成されている。

＜剥離システムの動作＞
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる剥離処理について説明する。図７は、剥離処理の主な工程を示すフロー図である。

先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣｔが、搬入出ステーション１０のカセット載置台１１に載置される。この際、重合ウェハＴはダイシングフレームＦに固定されている。

次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、カセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、アライメント装置３１に搬送される。アライメント装置３１では、先ず、ＩＲカメラを用いて、デバイスウェハＷのパターン、すなわちダイＷｄ及びスクライブラインＷｓのパターンを検出する（図７のステップＡ１）。続いて、パターンの検出結果に基づいて、重合ウェハＴの位置調整（アライメント）を行う（図７のステップＡ２）。

次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、重合ウェハＴはレーザ照射装置３２に搬送される。レーザ照射装置３２に搬入された重合ウェハＴは、チャック１００に保持され、さらに移動機構１０４によって処理位置に配置される。この際、上述したステップＡ１におけるデバイスウェハＷのパターンの検出結果に基づいて、重合ウェハＴの偏心制御と周方向の位置調整が行われる。

続いて図８に示すように、回転機構１０３によって重合ウェハＴを回転させながら、レーザヘッド１１０から重合ウェハＴの外縁部に赤外光Ｌｉｒを照射する。ここで、図９の点線に示すように接着剤Ｇが重合ウェハＴより側方にはみ出している場合、後述する剥離装置３３においてブレード１４０を適切な位置に挿入されない場合がある。そこで、本実施形態では、重合ウェハＴの外縁部に赤外光Ｌｉｒを照射することによって、重合ウェハＴより側方にはみ出した接着剤Ｇを除去する（図７のステップＡ３）。具体的には、図９に示すように接着剤Ｇの端部が、支持ウェハＳのベベル部（湾曲部）の端部に位置するのが好ましい。

続いて図１０に示すように、レーザヘッド１１０から支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに赤外光Ｌｉｒを照射し、さらに接着剤Ｇに対して赤外光Ｌｉｒを走査させて、当該接着剤Ｇの表面を変質させる（図７のステップＡ４）。具体的には、図１１及び図１２に示すように、デバイスウェハＷのスクライブラインＷｓ及び外周部Ｗｅに対応する位置の、接着剤Ｇｓ、Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させる。以下、スクライブラインＷｓに対応する位置の接着剤ＧｓをスクライブラインＧｓとし、外周部Ｗｅに対応する位置の接着剤Ｇｅを外周部Ｇｅとする。図１３は、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを変質させる様子を示す説明図である。

先ず、図１３（ａ）に示すように、回転機構１０３によって重合ウェハＴを回転させながら、レーザヘッド１１０から接着剤Ｇの外周部Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射する。そして、外周部Ｇｅが変質する。なお、この際、赤外光Ｌｉｒの照射位置を径方向に移動させてもよい。すなわち、赤外光Ｌｉｒを複数の環状に照射して、外周部Ｇｅにおいて変質部分を複数の環状に形成してもよい。あるいは、重合ウェハＴを回転させながら赤外光Ｌｉｒの照射位置を径方向に移動させて、外周部Ｇｅにおいて変質部分を螺旋状に形成してもよい。

次に、接着剤ＧのスクライブラインＧｓに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させる。本実施形態では、図１３（ｂ）～（ｅ）に示すように、接着剤Ｇを４分割し、各エリアＧ１～Ｇ４を変質させる。すなわち、先ず、図１３（ｂ）に示すように接着剤Ｇの第１のエリアＧ１において、赤外光ＬｉｒをスクライブラインＧｓに沿って走査させ、当該スクライブラインＧｓを変質させる。その後、図１３（ｃ）に示すように重合ウェハＴを９０度回転させ、第２のエリアＧ２において、赤外光ＬｉｒをスクライブラインＧｓに沿って走査させ、当該スクライブラインＧｓを変質させる。これを繰り返すことによって、図１３（ｄ）に示すように第３のエリアＧ３におけるスクライブラインＧｓを変質させ、さらに図１３（ｅ）に示すように第４のエリアＧ４におけるスクライブラインＧｓを変質させる。こうして、接着剤Ｇの全面におけるスクライブラインＧｓが変質する。

なお、本実施形態では、４つのエリアＧ１～Ｇ４毎に接着剤Ｇを変質させたが、分割する数はこれに限定されない。また、接着剤Ｇを分割せず、１回の赤外光Ｌｉｒの照射で、接着剤Ｇの全面におけるスクライブラインＧｓを変質させてもよい。

但し、装置構成上、ガルバノミラー１１２の角度がある範囲で決まっているため、１回の赤外線照射で接着剤Ｇをカバーしようとすると、レーザヘッド１１０を上方に配置する必要がある。この場合、剥離装置３３の高さが高くなり、大型化する。また、ｆ－θレンズであるレンズ１１１の大きさは概ね、接着剤Ｇの径を分割数で割った大きさになるため、赤外光Ｌｉｒを照射する際の接着剤Ｇの分割数が少ないと、その分レンズ１１１が大きくなる。この場合、レンズ１１１が高価になり、剥離装置３３のコストが増加する。以上より、接着剤Ｇを複数のエリアに分割して、エリアごとに赤外光Ｌｉｒを照射するのが好ましい。

また、スクライブラインＧｓに照射される赤外光Ｌｉｒの形状は、丸形状であってもよいし、矩形状であってもよい。さらに、例えばスクライブラインＧｓの幅に対して赤外光Ｌｉｒの径が小さい場合には、１つのスクライブラインＧｓに対して複数回赤外光Ｌｉｒを照射してもよい。赤外光Ｌｉｒの形状や照射方法は任意に設定することができる。

また、上述したステップＡ１において、デバイスウェハＷのダイＷｄ及びスクライブラインＷｓのパターンが検出されており、ステップＡ４ではこの検出結果に基づいて、赤外光Ｌｉｒを照射する位置を制御してもよい。かかる場合、デバイスウェハＷ毎に照射位置を制御できるので、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを適切に変質させることができる。但し、予め定められた設計値に基づいて、赤外光Ｌｉｒの照射位置を制御してもよく、かかる方法も本開示の範囲内である。

また、本実施形態では、接着剤Ｇの外周部Ｇｅを変質させた後、スクライブラインＧｓを変質させたが、この順序は逆であってもよい。すなわち、スクライブラインＧｓを変質させた後、外周部Ｇｅを変質させてもよい。

以上のようにステップＡ４では、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを変質させることで、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合強度を低下させることができ、後述するステップＡ５における剥離力を低下させることができる。また、赤外光Ｌｉｒは、回路が形成されていない部分にのみ照射され、回路が形成されている部分には照射されない。このため、デバイス層Ｄが損傷を被るのを抑制することができる。

次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、重合ウェハＴは剥離装置３３に搬送される。剥離装置３３では、重合ウェハＴに力を作用させ、重合ウェハＴをデバイスウェハＷと支持ウェハＳに剥離する（図７のステップＡ５）。図１４は、デバイスウェハＷと支持ウェハＳを剥離する様子を示す説明図である。

先ず、図１４（ａ）に示すようにダイシングテープＰを介してデバイスウェハＷの全面を第１保持部１２０で吸着保持するとともに、支持ウェハＳを第２保持部１３０で吸着保持する。第２保持部１３０は、変形自在の薄板状の弾性部材１３１と、支持ウェハＳを吸着保持する複数の吸着部１３２とを有している。なお、複数の吸着部１３２の配置と個数は任意に設定することができる。また、複数の吸着部１３２に代えて、変形自在で、支持ウェハＳを全面で吸着する吸着部を用いてもよい。

次に、図１４（ａ）に示すようにブレード１４０をデバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合界面に挿入する。より詳細には、図１５（ａ）に示すようにブレード１４０を支持ウェハＳと接着剤Ｇの界面に挿入する。そして、ブレード１４０をさらに前進させると、一端部Ｓ１側の側面において支持ウェハＳと接着剤Ｇとの間に、剥離のきっかけとなる剥離開始部Ｍが形成される。この剥離開始部Ｍから、支持ウェハＳの剥離が開始する。なお、ブレード１４０の数は複数でもよい。

ここで、上述したようにステップＡ１において、重合ウェハＴより側方にはみ出した接着剤Ｇが除去されている。仮に図１５（ｂ）に示すように接着剤Ｇが重合ウェハＴより側方にはみ出していると、ブレード１４０が適切な位置に挿入されず、上記剥離開始部Ｍが形成されない。したがって、本実施形態のようにステップＡ１を行うことで、ブレード１４０の挿入を安定して行うことができる。

次に、図１４（ｂ）に示すように一端部Ｓ１側の吸着部１３２を上昇させる。そうすると、剥離開始部Ｍを基点に、支持ウェハＳが一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向けて順次剥離する。そして、図１４（ｃ）に示すように、他端部Ｓ２側の吸着部１３２も上昇させて、支持ウェハＳがその全面においてデバイスウェハＷから剥離する。この際、ステップＡ４において接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを変質させることで、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合強度が低下しているので、小さい剥離力でデバイスウェハＷから支持ウェハＳを剥離することができる。

次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、剥離後のデバイスウェハＷは第１の洗浄装置３４に搬送される。第１の洗浄装置３４では、デバイスウェハＷに残存する接着剤Ｇを除去して、表面Ｗａがスピン洗浄される（図７のステップＡ６）。このステップＡ６では、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅは変質しており、洗浄も容易となる。このため、従来用の接着剤Ｇを変質させない場合に比べて、洗浄時間を短縮することができる。さらに、スピン洗浄で用いられる洗浄液の量も低減することも可能となる。

その後、すべての処理が施されたデバイスウェハＷは、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３によりカセット載置台１１のカセットＣｗに搬送される。

以上のように剥離後のデバイスウェハＷに対してステップＡ６が行われるのに並行して、剥離後の支持ウェハＳにも所望の処理が行われる。

すなわち、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４により、剥離後の支持ウェハＳは、反転装置３６に搬送される。反転装置３６では、支持ウェハＳの表裏面が反転される（図７のステップＡ７）。

次に、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４により、支持ウェハＳは第２の洗浄装置３５に搬送される。第２の洗浄装置３５では、支持ウェハＳに残存する接着剤Ｇを除去して、表面Ｓａがスピン洗浄される（図７のステップＡ８）。

その後、すべての処理が施された支持ウェハＳは、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によりカセット載置台１１のカセットＣｓに搬送される。こうして、剥離システム１における一連の剥離処理が終了する。

以上の実施形態によれば、ＩＲレーザ剥離とメカニカル剥離を組み合わせることで、重合ウェハＴから支持ウェハＳを適切に、且つ効率よく剥離することができる。

すなわち、メカニカル剥離を単独で行った場合の、上述した短所を改善することができる。本実施形態によれば、ステップＡ５における剥離力を小さくでき、デバイスウェハＷにかかる負荷を低減することができる。また、剥離力が小さくて済むので、ブレード１４０の選定及び調整が容易で、ブレード１４０の消耗を抑えてメンテナンス頻度を低減することができる。さらに、本実施形態では接着剤Ｇが１層であり、剥離後の接着剤Ｇの除去洗浄を短時間で行うことができる。

また、ＩＲレーザ剥離を単独で行った場合の、上述した短所も改善することができる。本実施形態によれば、ステップＡ４において赤外光Ｌｉｒを用いているが、赤外光Ｌｉｒは、回路が形成されていない部分にのみ照射され、回路が形成されている部分には照射されない。このため、デバイス層Ｄが損傷を被るのを抑制することができる。

さらに、ＵＶレーザ剥離を行っておらず、支持ウェハＳにガラス基板を用いる必要がなく、シリコンウェハが用いられるため、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの熱膨張係数の差が生じない。そうすると、例えば熱処理を行っても、デバイスウェハＷと支持ウェハＳで熱変形に差が生じず、適切な接合状態を維持することができる。また、シリコンウェハはガラス基板より安価であり、コストを低減することができる。

＜変質パターンの他の実施形態＞
以上の実施形態では、ステップＡ４において、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射して変質したが、接着剤Ｇの変質パターンはこれに限定されない。図１６は、他の実施形態にかかる接着剤Ｇの変質パターンを示す説明図である。

図１６（ａ）に示すように接着剤Ｇの外周部Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射せず、スクライブラインＧｓのみに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させてもよい。また、図１６（ｂ）に示すように接着剤ＧのスクライブラインＧｓにおいて、中央部に赤外光Ｌｉｒを照射せず、外周部のみに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させてもよい。

図１６（ｃ）に示すように接着剤ＧのスクライブラインＧｓの一端部Ｓ１側のみに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させてもよい。この一端部Ｓ１は、ステップＡ５においてブレード１４０が挿入される位置である。そして、一端部Ｓ１の剥離力を低下させることで、ブレード１４０を挿入しやすくなり、剥離開始部Ｍを形成しやすくなる。

図１６（ｄ）に示すように、ステップＡ５における一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向かう剥離方向Ｊに沿った、接着剤ＧのスクライブラインＧｓのみに赤外線を照射して変質させてもよい。かかる場合、ステップＡ５でデバイスウェハＷから支持ウェハＳを剥離する際、剥離方向Ｊの剥離力が小さくなるので、当該剥離処理を容易に行うことができる。

図１６（ｄ）に示すように、ステップＡ５における一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向かう剥離方向Ｊと直交する方向に沿った、接着剤ＧのスクライブラインＧｓのみに赤外線を照射して変質させてもよい。ステップＡ５における支持ウェハＳの剥離面は、この剥離方向Ｊと直交する方向になる。図１６（ｅ）に示す例では、剥離面に沿った方向の剥離力が小さくなるので、当該剥離処理を容易に行うことができる。

以上、図１６に示した接着剤Ｇの変質パターンは一例である。接着剤Ｇを変質させる面積が大きくなれば、剥離力が小さくなり剥離処理に有利である。一方、接着剤Ｇを変質させる面積が大きくなれば、それだけ赤外光Ｌｉｒを照射する時間がかかる。したがって、接着剤Ｇの変質パターンは、処理時間（タクト）と剥離力を複合的に判断して決定するのが良い。

＜レーザ照射方法の他の実施形態＞
以上の実施形態のレーザ照射装置３２では、チャック１００はθ軸回りに回転自在で、一軸（Ｙ軸）方向に移動自在であったが、二軸（Ｘ軸及びＹ軸）に移動させてもよい。図１７は、他の実施形態にかかるレーザ照射装置２００の構成の概略を示す側面図である。図１８は、他の実施形態にかかるレーザ照射装置２００の構成の概略を示す平面図である。

レーザ照射装置２００は、重合ウェハＴを上面で保持するチャック２１０を有している。チャック２１０は、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴを吸着保持する。チャック２１０は、エアベアリング２１１を介して、スライダテーブル２１２に支持されている。スライダテーブル２１２の下面側には、回転機構２１３が設けられている。回転機構２１３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック２１０は、回転機構２１３によってエアベアリング２１１を介して、θ軸（鉛直軸）回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル２１２は、その下面側に設けられた移動機構２１４によって、移動ステージ２１６に設けられＹ軸方向に延伸するレール２１５に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構２１４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。

移動ステージ２１６は、その下面側に設けられた移動機構（図示せず）によって、基台２１８に設けられＸ軸に延伸するレール２１７に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。かかる構成により、チャック１００は、θ軸回りに回転自在であり、且つＸ軸及びＹ軸に移動自在になっている。

チャック２１０の上方には、赤外光照射部としてのレーザヘッド２２０が設けられている。レーザヘッド１１０は、レンズ２２１を有している。レーザヘッド２２０とレンズ２２１の構成は、上記実施形態のレーザヘッド１１０とレンズ１１１と同様である。

かかるレーザ照射装置２００でステップＡ４を行う際にも、図１３に示したように接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを形成する。図１３（ａ）に示したように外周部Ｇｅを変質させる方法は、上記実施形態のレーザ照射装置３２と同様であるので説明を省略する。

また、スクライブラインＧｓを変質させる際にも、図１３（ｂ）～（ｅ）に示したように接着剤Ｇを４分割し、各エリアＧ１～Ｇ４を変質させる。但し、上記実施形態のレーザ照射装置３２では、重合ウェハＴを９０度回転させて、エリアＧ１～Ｇ４をレーザヘッド１１０の下方に移動させた。これに対して、本実施形態のレーザ照射装置２００では、重合ウェハＴをＸ軸及びＹ軸に移動させて、エリアＧ１～Ｇ４をレーザヘッド１１０の下方に移動させる。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。しかも、重合ウェハＴ（チャック１００）を回転させないので、この回転に伴う重合ウェハの位置調整を省略することも可能である。但し、本実施形態のレーザ照射装置２００は、レーザ照射装置３２に比べて大型化する。

以上の実施形態では、ＩＲレーザ剥離とメカニカル剥離を組み合わせて、重合ウェハＴから支持ウェハＳを剥離したが、さらにＵＶレーザ剥離を組み合わせてもよい。図１９は、他の実施形態にかかるレーザ照射装置２５０の構成の概略を示す側面図である。

レーザ照射装置２５０は、レーザ照射装置３２の構成に、さらに紫外光照射部としてのレーザヘッド２６０とレンズ２６１を加えた構成を有する。このため、レーザヘッド２６０とレンズ２６１以外の構成部材については、レーザ照射装置３２の構成部材と同じ符号を付して、その説明を省略する。

レーザヘッド２６０は、チャック１００の上方に設けられている。レーザヘッド２６０のレンズ２６１は、レーザヘッド１１０の下面に設けられた筒状の部材であり、チャック１００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射する。本実施形態ではレーザヘッド２６０から照射されるレーザ光は紫外光である。また、本実施形態において支持ウェハＳには、紫外光を透過する材料が用いられ、例えばガラス基板が用いられる。そして、レーザヘッド２６０から発せられた紫外光は支持ウェハＳを透過し、接着剤Ｇに照射される。なお、レーザヘッド１１０から照射される赤外光も支持ウェハＳを透過する。

かかるレーザ照射装置２５０でステップＡ４を行う場合、図２０に示すようにレーザヘッド１１０から支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに赤外光Ｌｉｒを照射し、またレーザヘッド２６０から支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに紫外光Ｌｕｖを照射する。なお、この赤外光Ｌｉｒと紫外光Ｌｕｖの照射順序はいずれが先でもよい。また、赤外光Ｌｉｒと紫外光Ｌｕｖを同時に照射してもよい。

図２１及び図２２に示すように赤外光Ｌｉｒは、接着剤Ｇの接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅに照射され、当該スクライブラインＧｓと外周部Ｇｅが変質する。この赤外光ＬｉｒによるスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅの変質は、上記実施形態と同様である。

一方、紫外光Ｌｕｖは、デバイスウェハＷのダイＷｄに対応する位置の、接着剤Ｇｄに照射され、当該接着剤Ｇｄが変質する。以下、ダイＷｄに対応する位置の接着剤ＧｄをダイＧｄとする。このように紫外光Ｌｕｖを回路が形成されたダイＧｄに照射しても、紫外光Ｌｕｖは接着剤Ｇを透過せず、デバイス層Ｄの回路に到達することはない。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、赤外光Ｌｉｒによる接着剤Ｇの接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅの変質に加えて、紫外光ＬｕｖによるダイＧｄも変質されるので、ステップＡ５における剥離力をさらに小さくすることができる。そして、紫外光Ｌｕｖは回路に到達しないので、デバイス層Ｄが損傷を被るのを抑制することもできる。

なお、本実施形態において、赤外光Ｌｉｒの照射を行わず、紫外光Ｌｕｖを接着剤ＧのスクライブラインＧｓ、外周部Ｇｅ、及びダイＧｄに照射し、これらスクライブラインＧｓ、外周部Ｇｅ、及びダイＧｄを変質させてもよい。但し、赤外光Ｌｉｒと紫外光Ｌｕｖを併用する方が、処理時間（タクト）を短縮することができる。

＜剥離方法の他の実施形態＞
以上の実施形態の剥離装置３３では、ステップＡ５においてデバイスウェハＷから支持ウェハＳを一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向かって順次剥離したが、支持ウェハＳを全面でデバイスウェハＷから離間させて剥離してもよい。

図２３（ａ）に示すようにダイシングテープＰを介してデバイスウェハＷの全面を第１保持部２７０で吸着保持するとともに、支持ウェハＳの全面を第２保持部２８０で吸着保持する。続いて、ブレード２９０をデバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合界面に挿入する。そして、一端部Ｓ１側の側面において支持ウェハＳと接着剤Ｇとの間に、剥離のきっかけとなる剥離開始部Ｍが形成される。この剥離開始部Ｍから、支持ウェハＳの剥離が開始する。

次に、図２３（ｂ）に示すように第２保持部２８０を上昇させる。そうすると、支持ウェハＳの全体がデバイスウェハＷから離間する。かかる場合でも、ステップＡ４において接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅが変質して、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合強度が低下しているので、小さい剥離力でデバイスウェハＷから支持ウェハＳを剥離することができる。

さらに、上記実施形態において、図２４（ａ）に示すようにブレード２９０を挿入する際、支持ウェハＳを吸着保持する第２保持部２８０を回転させてもよい。かかる場合、剥離開始部Ｍを全周に亘って形成することができ、剥離処理をさらに容易に行うことができる。

なお、以上の実施形態では、剥離装置３３でデバイスウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、ブレード１４０、２９０を用いて剥離開始部Ｍを形成したが、剥離力が十分に小さい場合には、ブレード１４０、２９０を省略してもよい。

＜剥離システムの他の実施形態＞
以上の実施形態の剥離システム１は、アライメント装置３１、レーザ照射装置３２、剥離装置３３が別々に設けられていたが、図２５に示すように１つの装置であってもよい。アライメント装置３１、レーザ照射装置３２、剥離装置３３を統合した処理装置３００は、例えばアライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３を有している。処理装置３００には、重合ウェハＴを保持する１つのチャック３１０と、アライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３を横断して敷設されたレール３１１とが設けられている。そして、チャック３１０は、レール３１１に沿って、アライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３の間を移動自在に構成されている。なお、アライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３の各構成部材は、上記実施形態のアライメント装置３１、レーザ照射装置３２、剥離装置３３の各構成部材と同様である。

かかる場合、先ず、チャック３１０をアライメント部３０１に配置して、ステップＡ１におけるデバイスウェハＷのパターンの検出と、ステップＡ２における重合ウェハＴの位置調整を行う。次に、チャック３１０をレーザ照射部３０２に移動させて、ステップＡ３における接着剤Ｇの除去と、ステップＡ４における接着剤Ｇの変質を行う。次に、チャック３１０を剥離部３０３に移動させて、ステップＡ５におけるデバイスウェハＷと支持ウェハＳの剥離を行う。その後のステップＡ６～Ａ８は上記実施形態と同様である。

本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。しかも、本実施形態によれば、チャック３１０を移動させてステップＡ１～Ａ５を行うので、ウェハ搬送装置２２による搬送を省略でき、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。

＜その他の実施形態＞
以上の実施形態では、デバイスウェハＷに形成されたダイＷｄは矩形状であったが、ダイＷｄの形状はこれに限定されず、例えばダイＷｄは六角形状であってもよい。また、ダイＷｄはＸ軸とＹ軸に整列して形成されていたが、ダイＷｄの配置はこれに限定されず、例えば千鳥状に配置されていてもよい。いずれの場合でも、スクライブラインＷｓはダイＷｄの外周部を囲うように形成される。

以上の実施形態では、デバイスウェハＷと支持ウェハＳを接合する接着層として接着剤Ｇを用いたが、例えば接着テープを用いてもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有する、支持体剥離方法。
（２）前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状である、前記（１）に記載の支持体剥離方法。
（３）前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の外周部に前記光を照射する、前記（２）に記載の支持体剥離方法。
（４）前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の一端部に前記光を照射する、前記（２）に記載の支持体剥離方法。
（５）前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する、前記（２）に記載の支持体剥離方法。
（６）前記光は赤外光である、前記（１）～（５）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（７）前記光を照射する工程では、前記回路形成領域の少なくとも一部に紫外光を照射する、前記（６）に記載の支持体剥離方法。
（８）前記光は紫外光である、前記（１）～（５）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（９）前記光を照射する工程では、前記前記非回路形成領域の少なくとも一部に前記光を照射する前に、前記重合体より側方にはみ出した前記接着層に前記光を照射して、当該接着層を除去する、前記（１）～（８）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１０）前記光を照射する工程の前に、前記非回路形成領域を検出する工程を有する、前記（１）～（９）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１１）前記支持体を剥離する工程では、当該支持体を一端部から他端部に向かって順次剥離する、前記（１）～（１０）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１２）前記支持体を剥離する工程では、当該支持体を全面で前記基板から離間させて剥離する、前記（１）～（１０）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１３）前記支持体を剥離する工程では、支持体が剥離するきっかけとなる剥離開始部を前重合体の一端部に形成する、前記（１１）又は（１２）に記載の支持体剥離方法。
（１４）基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離システムであって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する光照射装置と、
前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する剥離装置と、を有する、支持体剥離システム。
（１５）前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状である、前記（１４）に記載の支持体剥離システム。
（１６）前記光照射装置では、前記非回路形成領域の外周部に前記光を照射する、前記（１５）に記載の支持体剥離システム。
（１７）前記光照射装置では、前記非回路形成領域の一端部に前記光を照射する、前記（１５）に記載の支持体剥離システム。
（１８）前記光照射装置では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する、前記（１５）に記載の支持体剥離システム。
（１９）前記光照射装置は、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、赤外光を照射する赤外光照射部と、
前記回路形成領域の少なくとも一部に、紫外光を照射する紫外光照射部と、を有する、前記（１４）～（１８）のいずれかに記載の支持体剥離システム。
（２０）前記非回路形成領域を検出する検出装置を有する、前記（１４）～（１９）のいずれかに記載の支持体剥離システム。

１ 剥離システム
３２ レーザ照射装置
３３ 剥離装置
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ デバイスウェハ
Ｗｄ ダイ
Ｗｓ スクライブライン

Claims (12)

1. 基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、
   前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
   前記支持体は光を透過させ、
   前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
   前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、
   前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有し、
   前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状であり、
   前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する、支持体剥離方法。
2. 基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、
   前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
   前記支持体は光を透過させ、
   前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
   前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、
   前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有し、
   前記光は赤外光であり、
   前記光を照射する工程では、前記回路形成領域の少なくとも一部に紫外光を照射する、支持体剥離方法。
3. 基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、
   前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
   前記支持体は光を透過させ、
   前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
   前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、
   前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有し、
   前記光を照射する工程では、前記重合体より側方にはみ出した前記接着層に前記光を照射して、当該接着層を除去し、
   前記重合体から前記支持体を剥離する工程では、ブレードを前記支持体と前記接着層の界面に挿入する、支持体剥離方法。
4. 前記光を照射する工程の前に、前記非回路形成領域を検出する工程を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の支持体剥離方法。
5. 前記支持体を剥離する工程では、当該支持体を一端部から他端部に向かって順次剥離する、請求項１～４のいずれか一項に記載の支持体剥離方法。
6. 前記支持体を剥離する工程では、当該支持体を全面で前記基板から離間させて剥離する、請求項１～４のいずれか一項に記載の支持体剥離方法。
7. 前記支持体を剥離する工程では、支持体が剥離するきっかけとなる剥離開始部を前重合体の一端部に形成する、請求項５又は６に記載の支持体剥離方法。
8. 基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離システムであって、
   前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
   前記支持体は光を透過させ、
   前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
   前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する光照射装置と、
   前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する剥離装置と、を有し、
   前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状であり、
   前記光照射装置では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する、支持体剥離システム。
9. 基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離システムであって、
   前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
   前記支持体は光を透過させ、
   前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
   前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する光照射装置と、
   前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する剥離装置と、を有し、
   前記光は赤外光であり、
   前記光照射装置では、前記回路形成領域の少なくとも一部に紫外光を照射する、支持体剥離システム。
10. 基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離システムであって、
    前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
    前記支持体は光を透過させ、
    前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
    前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する光照射装置と、
    前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する剥離装置と、を有し、
    前記光照射装置では、前記重合体より側方にはみ出した前記接着層に前記光を照射して、当該接着層を除去し、
    前記剥離装置では、前記重合体から前記支持体を剥離する工程では、ブレードを前記支持体と前記接着層の界面に挿入する、支持体剥離システム。
11. 前記光照射装置は、
    前記非回路形成領域の少なくとも一部に、赤外光を照射する赤外光照射部と、
    前記回路形成領域の少なくとも一部に、紫外光を照射する紫外光照射部と、を有する、請求項８～１０のいずれか一項に記載の支持体剥離システム。
12. 前記非回路形成領域を検出する検出装置を有する、請求項８～１１のいずれか一項に記載の支持体剥離システム。
    

Images