JP7109537B2 - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
本願は、2018年4月27日に日本国に出願された特願2018-87713号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
これに対して、本実施形態では、被処理ウェハWの内部に改質層Mを形成することで、当該改質層MとクラックCを基点に周縁部Weを除去することができる。かかる場合、支持ウェハSの接合面Sjが研削等によるダメージを被ることがない。
これに対して、本実施形態では、被処理ウェハWの内部に形成した改質層MとクラックCを基点に周縁部Weを剥離させて除去するので、パーティクルが発生しない。
これに対して、本実施形態では、レーザを用いて被処理ウェハWの内部に改質層Mを形成するので、例えば1μm未満の高い精度を確保できる。このため、改質層Mを基点として除去される周縁部Weの幅(トリム幅)の精度も向上する。
これに対して、本実施形態では、高周波のレーザを用いて被処理ウェハWの内部に改質層Mを形成するので、チャック91の回転速度を速くすることができ、極めて短時間で処理を行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
これに対して、本実施形態では、レーザヘッド94自体が経時的に劣化することはなく、メンテナンス頻度を低減することができる。また、レーザを用いたドライプロセスであるため、研削水や廃水処理が不要となる。このため、ランニングコストを低廉化することができる。
これに対して、本実施形態では、例えば処理ユニット90において、被処理ウェハWとレーザ光を相対的に動作制御することにより、改質層Mをノッチの形状に合わせて形成することができ、ノッチの形状を残したまま、周縁部Weを容易に除去することもできる。
これに対して、本実施形態では、第2の被処理ウェハW2の内部に改質層Mを形成することで、当該改質層MとクラックCを基点に周縁部Weを容易に除去することができる。
これに対して、本実施形態では、レーザを用いて第2の被処理ウェハW2の内部に改質層Mを形成するので、高い精度を確保することができ、第2の被処理ウェハW2を適切に積層することができる。
また、仮に被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する際に、周縁部Weにボイドが残存したとしても、本実施形態のように改質面R1又はR2を形成することで、ボイドを除去することも可能となる。
50 加工装置
90 処理ユニット
130 粗研削ユニット
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
Claims (19)
- 基板を処理する基板処理システムであって、
第1の基板と第2の基板が接合された重合基板における、前記第1の基板の偏心を検出する偏心検出装置と、
前記第1の基板における除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成装置と、
前記改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去装置と、
前記重合基板に対し、前記第1の基板の前記周縁部における前記第2の基板との界面を改質する界面処理部を備えた界面処理装置と、
前記偏心検出装置及び前記界面処理装置を制御する制御装置を有し、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記界面処理部による処理に対し、前記重合基板の前記第1の基板の中心を調整する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記改質層形成装置は、前記重合基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記重合基板に対し、前記第1の基板の内部に前記改質層を形成する改質部と、を備え、
前記制御装置は、前記改質層形成装置を制御し、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記改質部による処理に対し、前記保持部に保持された前記重合基板における前記第1の基板の中心を調整する。 - 請求項2に記載の基板処理システムにおいて、
前記改質部は、前記第1の基板の内部にレーザ光を照射して前記改質層を形成し、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記保持部の中心軸又は前記改質部からのレーザ光の照射軸を調整する。 - 請求項2に記載の基板処理システムにおいて、
前記偏心検出装置、前記改質層形成装置、及び前記周縁除去装置に対して、前記重合基板を搬送する搬送装置を有し、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記第1の基板の中心と前記保持部の中心とを一致させて前記重合基板を前記保持部に搬送するように前記搬送装置を制御する。 - 請求項2に記載の基板処理システムにおいて、
前記周縁除去装置は、前記第1の基板の非接合面を研削する研削ユニットと、前記重合基板の位置調整を行う処理ユニットと、を備え、
前記改質層形成装置の前記保持部及び前記改質部は、前記処理ユニットに設けられ、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記処理ユニットを制御する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記界面処理部は、前記界面にレーザ光を照射して当該界面を改質し、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記重合基板を保持する他の保持部の中心軸又は前記界面処理部からのレーザ光の照射軸を調整する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記偏心検出装置、前記改質層形成装置、前記周縁除去装置、及び前記界面処理装置に対して、前記重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記第1の基板の中心と前記重合基板を保持する他の保持部の中心とを一致させて前記重合基板を前記他の保持部に搬送するように前記搬送装置を制御する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記周縁除去装置は、前記第1の基板の非接合面を研削する研削ユニットと、前記重合基板の位置調整を行う処理ユニットと、を備え、
前記界面処理装置の前記重合基板を保持する他の保持部及び前記界面処理部は、前記処理ユニットに設けられ、
前記制御装置は、前記偏心検出装置の検出結果に基づいて、前記処理ユニットを制御する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1の基板と前記第2の基板を接合する接合装置を有する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記偏心検出装置は、前記重合基板に対し、前記第1の基板に積層される第3の基板の偏心を検出し、
前記改質層形成装置は、前記第3の基板における除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って当該第3の基板の内部に改質層を形成し、
前記周縁除去装置は、前記第3の基板の前記改質層を基点に当該第3の基板の前記周縁部を除去する。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
第1の基板と第2の基板が接合された重合基板における、前記第1の基板の偏心を検出する偏心検出工程と、
その後、前記第1の基板における除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
その後、前記改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去工程と、
前記重合基板に対し、界面処理部によって前記第1の基板の前記周縁部における前記第2の基板との界面を改質する界面処理工程と、を有し、
前記界面処理工程を行う前に、前記偏心検出工程の検出結果に基づいて、前記界面処理部による処理に対し、前記重合基板の前記第1の基板の中心を調整する。 - 請求項11に記載の基板処理方法において、
前記改質層形成工程では、保持部に保持された前記重合基板に対し、改質部によって前記第1の基板の内部に前記改質層を形成し、
前記改質層形成工程を行う前に、前記偏心検出工程の検出結果に基づいて、前記改質部による処理に対し、前記保持部に保持された前記重合基板における前記第1の基板の中心を調整する。 - 請求項12に記載の基板処理方法において、
前記改質層形成工程において、前記改質部によって前記第1の基板の内部にレーザ光を照射して前記改質層を形成し、
前記改質層形成工程を行う前に、前記偏心検出工程の検出結果に基づいて、前記保持部の中心軸又は前記改質部からのレーザ光の照射軸を調整する。 - 請求項12に記載の基板処理方法において、
前記改質層形成工程を行う前に、前記偏心検出工程の検出結果に基づいて、前記第1の基板の中心が前記保持部の中心と一致するように、前記重合基板を前記保持部に搬送する。 - 請求項12に記載の基板処理方法において、
前記周縁除去工程では、処理ユニットにおいて前記重合基板の位置調整を行った後、研削ユニットにおいて前記第1の基板の非接合面を研削して前記周縁部を除去し、
前記保持部及び前記改質部は、前記処理ユニットに設けられ、
前記処理ユニットにおいて、前記偏心検出工程の検出結果に基づき、前記改質部による処理に対し、前記保持部に保持された前記重合基板における前記第1の基板の中心を調整する。 - 請求項11に記載の基板処理方法において、
前記界面処理工程において、前記界面処理部によって前記界面にレーザ光を照射し当該界面を改質し、
前記界面処理工程を行う前に、前記偏心検出工程の検出結果に基づいて、前記重合基板を保持する他の保持部の中心軸又は前記界面処理部からのレーザ光の照射軸を調整する。 - 請求項11に記載の基板処理方法において、
前記界面処理工程を行う前に、前記偏心検出工程の検出結果に基づいて、前記第1の基板の中心が前記重合基板を保持する他の保持部の中心と一致するように、前記重合基板を前記他の保持部に搬送する。 - 請求項11に記載の基板処理方法において、
前記周縁除去工程では、処理ユニットにおいて前記重合基板の位置調整を行った後、研削ユニットにおいて前記第1の基板の非接合面を研削して前記周縁部を除去し、
前記重合基板を保持する他の保持部及び前記界面処理部は、前記処理ユニットに設けられ、
前記処理ユニットにおいて、前記偏心検出工程の検出結果に基づき、前記界面処理部による処理に対し、前記他の保持部に保持された前記重合基板における前記第1の基板の中心を調整する。 - 請求項11に記載の基板処理方法において、
前記周縁除去工程の後、前記第1の基板に第3の基板を積層して接合する接合工程と、
その後、前記重合基板において、前記第1の基板に積層される前記第3の基板の偏心を検出する他の偏心検出工程と、
その後、前記第3の基板における除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って当該第3の基板の内部に改質層を形成する他の改質層形成工程と、
その後、前記第3の基板の前記改質層を基点に当該第3の基板の前記周縁部を除去する他の周縁除去工程と、を有する。
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