WO2020129734A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2020129734A1
WO2020129734A1 PCT/JP2019/048093 JP2019048093W WO2020129734A1 WO 2020129734 A1 WO2020129734 A1 WO 2020129734A1 JP 2019048093 W JP2019048093 W JP 2019048093W WO 2020129734 A1 WO2020129734 A1 WO 2020129734A1
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wafer
peripheral edge
laser light
internal surface
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弘明 森
隼斗 田之上
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東京エレクトロン株式会社
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Priority to JP2020561323A priority patent/JP7109590B2/ja
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Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a stacked semiconductor device.
  • two or more semiconductor wafers are stacked to manufacture a stacked semiconductor device.
  • each semiconductor wafer is laminated on another semiconductor wafer and then backside ground to have a desired thickness.
  • Patent Document 2 a disk-shaped grinding tool provided with abrasive grains on the outer peripheral portion is rotated, and at least the outer peripheral surface of the grinding tool is linearly contacted with the semiconductor wafer so that the peripheral end portion of the semiconductor wafer is substantially removed. Grinding into an L-shape is disclosed. A semiconductor wafer is produced by bonding two silicon wafers together.
  • the technology according to the present disclosure efficiently performs the pretreatment of removing the peripheral portion of one substrate and thinning the one substrate in a superposed substrate in which the substrates are joined together.
  • One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus that processes a substrate, including a holding unit that holds the second substrate in a superposed substrate in which a first substrate and a second substrate are bonded, and the first substrate.
  • a detection unit that detects a boundary between a bonding region where the substrate and the second substrate are bonded, and a non-bonding region outside the bonding region, and the inside of the first substrate held by the holding unit are removed.
  • An internal surface reforming unit that irradiates an internal surface laser beam along the surface direction to form an internal surface reforming layer, a holding unit moving mechanism that horizontally moves the holding unit, and a detection unit that detects the internal surface reforming unit. From the detection result, the eccentricity amount of the center of the holding unit and the center of the joining region is calculated, and based on the eccentricity amount, the holding unit is aligned so that the center of the holding unit and the center of the joining region match.
  • a controller for performing an eccentricity correction for controlling the moving mechanism to move the holding unit, wherein the peripheral edge reforming unit performs the eccentricity correction and moves the holding unit while the first substrate is being moved.
  • the inside surface of the first substrate is irradiated with the laser light for the peripheral edge, and the internal surface reforming unit irradiates the laser light for the internal surface without performing the eccentricity correction, at least in the central portion of the inside of the first substrate.
  • a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) having a plurality of devices such as electronic circuits formed on the front surface is attached to the back surface of the wafer.
  • the wafer is thinned by grinding.
  • Grinding of the back surface of the wafer is performed, for example, by rotating the wafer and the grinding wheel with the grinding wheel in contact with the back surface and further lowering the grinding wheel. In such a case, the grinding wheel is worn and needs to be replaced regularly. Further, in the grinding process, it is necessary to use grinding water and treat the waste liquid. Therefore, a conventional wafer thinning process requires running costs.
  • peripheral edge of the wafer is usually chamfered, but when the back surface of the wafer is ground as described above, the peripheral edge of the wafer becomes a sharp pointed shape (so-called knife edge shape). Then, chipping may occur at the peripheral edge of the wafer and the wafer may be damaged. Therefore, so-called edge trim is performed in advance to remove the peripheral portion of the wafer before the grinding process.
  • the end surface grinding device described in Patent Document 2 described above is a device that performs this edge trim.
  • the edge trim is performed by grinding, the grindstone is worn out and needs to be replaced regularly.
  • a large amount of grinding water is used, and waste liquid treatment is required. Therefore, the conventional edge trim has a running cost.
  • the technology according to the present disclosure efficiently performs thinning processing and edge trimming of a wafer, and thus efficiently performs these pretreatments.
  • a wafer processing system as a substrate processing apparatus and a wafer processing method as a substrate processing method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.
  • elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the wafer processing system 1.
  • a processed wafer W as a first substrate and a support wafer S as a second substrate are bonded to a superposed wafer T as a superposed substrate. Perform predetermined processing. Then, in the wafer processing system 1, the peripheral edge portion We of the processed wafer W is removed, and the processed wafer W is further thinned.
  • a surface bonded to the support wafer S is referred to as a front surface Wa
  • a surface opposite to the front surface Wa is referred to as a back surface Wb.
  • the surface bonded to the processing wafer W is referred to as the front surface Sa
  • the surface opposite to the front surface Sa is referred to as the back surface Sb.
  • the processing wafer W is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer, and has a device layer (not shown) including a plurality of devices formed on the front surface Wa. Further, an oxide film F, for example, a SiO 2 film (TEOS film) is further formed on the device layer.
  • the peripheral edge We of the processed wafer W is chamfered, and the thickness of the cross section of the peripheral edge We decreases toward the tip thereof.
  • the peripheral edge portion We is a portion to be removed in the edge trim, and is, for example, within a range of 1 mm to 5 mm in the radial direction from the outer end portion of the processed wafer W.
  • oxide film F is not shown in FIG. 2 in order to avoid the complexity of the drawing. Similarly, in other drawings used in the following description, illustration of the oxide film F may be omitted.
  • the support wafer S is a wafer that supports the processing wafer W, and is, for example, a silicon wafer.
  • An oxide film (not shown) is formed on the surface Sa of the support wafer S.
  • the support wafer S functions as a protective material that protects the device on the front surface Wa of the processing wafer W.
  • a device layer (not shown) is formed on the front surface Sa similarly to the processed wafer W.
  • a bonding region Aa where the oxide film F and the surface Sa of the supporting wafer S are bonded and an unbonded region Ab which is a region radially outside the bonding region Aa are provided at the interface between the processing wafer W and the supporting wafer S.
  • an unbonded region Ab which is a region radially outside the bonding region Aa.
  • the wafer processing system 1 has a configuration in which a loading/unloading station 2 and a processing station 3 are integrally connected.
  • the loading/unloading station 2 loads/unloads a cassette Ct capable of accommodating a plurality of overlapped wafers T with the outside, for example.
  • the processing station 3 includes various processing devices that perform predetermined processing on the overlapped wafer T.
  • the cassette loading table 10 is provided in the loading/unloading station 2.
  • a plurality of, for example, three cassettes Ct can be mounted on the cassette mounting table 10 in a line in the Y-axis direction.
  • the number of cassettes Ct mounted on the cassette mounting table 10 is not limited to this embodiment, and can be arbitrarily determined.
  • a wafer transfer device 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10 on the X axis negative direction side of the cassette mounting table 10.
  • the wafer transfer device 20 is configured to be movable on a transfer path 21 extending in the Y-axis direction.
  • the wafer transfer device 20 has, for example, two transfer arms 22, 22 that hold and transfer the overlapped wafer T.
  • Each transfer arm 22 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis.
  • the configuration of the transfer arm 22 is not limited to this embodiment, and may have any configuration.
  • the wafer transfer device 20 is configured to be able to transfer the overlapped wafer T to the cassette Ct of the cassette mounting table 10 and the transition device 30 described later.
  • the loading/unloading station 2 is provided with a transition device 30 for transferring the overlapped wafer T, adjacent to the wafer transfer device 20 on the X-axis negative direction side of the wafer transfer device 20.
  • the processing station 3 is provided with, for example, three processing blocks G1 to G3.
  • the first processing block G1, the second processing block G2, and the third processing block G3 are arranged side by side in this order from the X-axis positive direction side (the loading/unloading station 2 side) to the negative direction side.
  • the first processing block G1 is provided with an etching device 40, a cleaning device 41, and a wafer transfer device 50.
  • the etching device 40 and the cleaning device 41 are arranged in layers.
  • the number and arrangement of the etching device 40 and the cleaning device 41 are not limited to this.
  • the etching device 40 and the cleaning device 41 may extend in the X-axis direction and may be placed side by side in parallel in a plan view. Further, each of the etching device 40 and the cleaning device 41 may be laminated.
  • the etching device 40 performs an etching process on the back surface Wb of the processing wafer W ground by the processing device 80 described later.
  • a chemical solution etching solution
  • HF, HNO 3 , H 3 PO 4 , TMAH, Choline, KOH or the like is used as the chemical liquid.
  • the cleaning device 41 cleans the back surface Wb of the processed wafer W ground by the processing device 80 described later. For example, a brush is brought into contact with the back surface Wb to scrub and clean the back surface Wb. Note that a pressurized cleaning liquid may be used for cleaning the back surface Wb. Further, the cleaning device 41 may have a configuration for cleaning the back surface Sb of the support wafer S together with the back surface Wb of the processing wafer W.
  • the wafer transfer device 50 is arranged, for example, on the Y axis negative direction side with respect to the etching device 40 and the cleaning device 41.
  • the wafer transfer device 50 has, for example, two transfer arms 51, 51 for holding and transferring the overlapped wafer T.
  • Each transfer arm 51 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis.
  • the configuration of the transfer arm 51 is not limited to this embodiment, and may have any configuration.
  • the wafer transfer device 50 is configured to transfer the superposed wafer T to the transition device 30, the etching device 40, the cleaning device 41, and the reforming device 60 described later.
  • the second processing block G2 is provided with a reforming device 60, a peripheral edge removing device 61, and a wafer transfer device 70.
  • the reforming device 60 and the peripheral edge removing device 61 are arranged in layers. The number and arrangement of the reforming device 60 and the peripheral edge removing device 61 are not limited to this.
  • the reforming device 60 irradiates the inside of the processed wafer W with laser light to form a peripheral reforming layer, a split reforming layer, and an inner surface reforming layer.
  • the specific configuration of the reformer 60 will be described later.
  • the peripheral edge removing device 61 removes the peripheral edge portion We of the processed wafer W with the peripheral edge modified layer formed by the reforming device 60 as a starting point.
  • the specific configuration of the peripheral edge removing device 61 will be described later.
  • the wafer transfer device 70 is arranged, for example, on the Y axis positive direction side with respect to the reforming device 60 and the peripheral edge removing device 61.
  • the wafer transfer device 70 has, for example, two transfer arms 71, 71 for holding and transferring the overlapped wafer T.
  • Each transfer arm 71 is supported by an articulated arm member 72, and is configured to be movable in a horizontal direction, a vertical direction, a horizontal axis, and a vertical axis. The specific configuration of the transfer arm 71 will be described later.
  • the wafer transfer device 70 is configured to transfer the superposed wafer T to the cleaning device 41, the reforming device 60, the peripheral edge removing device 61, and the processing device 80 described later.
  • a processing device 80 is provided in the third processing block G3. Note that the number and arrangement of the processing devices 80 are not limited to this embodiment, and a plurality of processing devices 80 may be arranged arbitrarily.
  • the processing device 80 grinds the back surface Wb of the processed wafer W. Then, on the back surface Wb on which the inner surface reforming layer is formed, the inner surface reforming layer is removed and the peripheral edge reforming layer is further removed. Specifically, the processing device 80 rotates the processing wafer W and the grinding wheel, respectively, in a state where the back surface Wb of the processing wafer W held by the chuck 81 is in contact with a grinding wheel (not shown), and the back surface Wb is rotated. To grind.
  • a known grinding device (polishing device) is used as the processing device 80, and for example, the device described in JP 2010-69601 A is used.
  • the wafer processing system 1 described above is provided with the control device 90 as a control unit.
  • the control device 90 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling the processing of the overlapped wafer T in the wafer processing system 1.
  • the program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing devices and transfer devices so as to realize substrate processing to be described later in the wafer processing system 1.
  • the program may be recorded in a computer-readable storage medium H and may be installed in the control device 90 from the storage medium H.
  • FIG. 4 is a plan view showing the outline of the configuration of the reformer 60.
  • FIG. 5 is a side view showing the outline of the configuration of the reformer 60.
  • the reforming device 60 has a chuck 100 as a holding unit that holds the superposed wafer T on its upper surface.
  • the chuck 100 sucks and holds the support wafer S in a state where the processing wafer W is on the upper side and the support wafer S is on the lower side.
  • the chuck 100 is supported by the slider table 102 via an air bearing 101.
  • a rotating unit 103 is provided on the lower surface side of the slider table 102.
  • the rotating unit 103 incorporates, for example, a motor as a drive source.
  • the chuck 100 is configured to be rotatable about the vertical axis by the rotating unit 103 via the air bearing 101.
  • the slider table 102 is configured to be movable along a rail 105 provided on a base 106 and extending in the Y-axis direction by a horizontal moving unit 104 provided on the lower surface side.
  • the rotating unit 103 and the horizontal moving unit 104 form a holding unit moving mechanism.
  • the drive source of the horizontal moving unit 104 is not particularly limited, but a linear motor is used, for example.
  • a laser head 110 is provided above the chuck 100.
  • the laser head 110 has a lens 111.
  • the lens 111 is a cylindrical member provided on the lower surface of the laser head 110, and irradiates the processing wafer W held by the chuck 100 with laser light.
  • the peripheral edge reforming portion and the inner surface reforming portion have the common laser head 110.
  • the laser head 110 further has an LCOS (Liquid Crystal on Silicon) not shown.
  • the LCOS is a spatial light modulator that modulates and outputs laser light.
  • the LCOS can control the focal position and phase of the laser light, and can adjust the shape and number (branch number) of the laser light with which the processing wafer W is irradiated.
  • the laser head 110 emits high-frequency pulsed laser light oscillated from a laser light oscillator (not shown) having a wavelength that is transparent to the processing wafer W inside the processing wafer W.
  • the light is condensed and irradiated at a predetermined position. As a result, the portion where the laser light is focused inside the processed wafer W is modified, and the peripheral modified layer, the split modified layer, and the inner surface modified layer are formed.
  • the laser head 110 is supported by the support member 120.
  • the laser head 110 is configured to be movable up and down by a lifting mechanism 130 along a rail 121 extending in the vertical direction. Further, the laser head 110 is configured to be movable in the Y-axis direction by the moving mechanism 131.
  • the elevating mechanism 130 and the moving mechanism 131 are supported by the support columns 132, respectively.
  • a macro camera 140 and a micro camera 150 as a detection unit are provided above the chuck 100 and on the Y-axis positive direction side of the laser head 110.
  • the macro camera 140 and the micro camera 150 are integrally formed, and the macro camera 140 is arranged on the Y-axis positive direction side of the micro camera 150.
  • the macro camera 140 and the micro camera 150 are configured to be movable up and down by a lifting mechanism 160, and are further configured to be movable in the Y-axis direction by a moving mechanism 161.
  • the macro camera 140 images (detects) the outer edge R1 (dotted line in FIG. 6) of the processed wafer W (overlapping wafer T) as shown in FIG.
  • the macro camera 140 includes, for example, a coaxial lens, emits visible light, for example, red light, and further receives reflected light from an object.
  • the visible light is reflected on the back surface Wb of the processing wafer W, but is absorbed by the chuck 100. Therefore, in the image captured by the macro camera 140, the processed wafer W appears white and the chuck 100 appears black.
  • the imaging magnification of the macro camera 140 is 2 times.
  • the image captured by the macro camera 140 is output to the control device 90.
  • the controller 90 calculates the first eccentricity amount between the center Cc of the chuck 100 and the center Cw of the processed wafer W from the image captured by the macro camera 140 as shown in FIG. 7.
  • the micro camera 150 images the peripheral portion of the processed wafer W as shown in FIG. 8, and images (detects) the boundary R2 (dotted line in FIG. 8) between the bonded area Aa and the unbonded area Ab.
  • the micro camera 150 includes, for example, a coaxial lens, irradiates infrared light (IR light), and further receives reflected light from an object. Note that, for example, the imaging magnification of the micro camera 150 is 10 times, the field of view is about 1 ⁇ 5 of the macro camera 140, and the pixel size is about 1 ⁇ 5 of the macro camera 140.
  • the image captured by the micro camera 150 is output to the control device 90.
  • the controller 90 calculates the second eccentricity amount between the center Cc of the chuck 100 and the center Ca of the bonding area Aa from the image captured by the micro camera 150 as shown in FIG. Further, the control device 90 controls the holding part moving mechanism (the rotating part 103 and the horizontal moving part 104) so that the center of the chuck 100 and the center of the bonding area Aa match based on the second eccentric amount.
  • the chuck 100 is moved.
  • the control for moving the chuck 100 may be referred to as eccentricity correction.
  • FIG. 10 is a plan view showing the outline of the configuration of the peripheral edge removing device 61.
  • FIG. 11 is a side view showing the outline of the configuration of the peripheral edge removing device 61.
  • the peripheral edge removing device 61 has a chuck 170 for holding the overlapped wafer T on its upper surface.
  • the chuck 170 sucks and holds the support wafer S in a state where the processing wafer W is on the upper side and the support wafer S is on the lower side.
  • the chuck 170 is configured to be rotatable about a vertical axis by a rotating mechanism 171.
  • a pad 180 for holding and transferring the peripheral edge portion We of the processing wafer W is provided above the chuck 170.
  • a suction mechanism (not shown) such as a vacuum pump is connected to the pad 180, and the pad 180 sucks and holds the peripheral edge portion We on the lower surface thereof.
  • the pad 180 is provided with an elevating mechanism 181 for vertically elevating the pad 180 and a moving mechanism 182 for moving the pad 180 in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction).
  • a detection unit 190 for confirming whether or not the peripheral edge portion We has been removed from the processing wafer W is provided.
  • the detection unit 190 detects the presence or absence of the peripheral edge We in the processed wafer W held by the chuck 170 and having the peripheral edge We removed.
  • a sensor is used for the detection unit 190, for example.
  • the sensor is, for example, a line type laser displacement meter, and detects the presence or absence of the peripheral edge portion We by irradiating the peripheral edge portion of the overlapped wafer T (processed wafer W) with a laser to measure the thickness of the overlapped wafer T. ..
  • the detection method of the presence or absence of the peripheral edge portion We by the detection unit 190 is not limited to this.
  • a line camera may be used as the detection unit 190, and the presence or absence of the peripheral edge portion We may be detected by imaging the overlapped wafer T (processed wafer W).
  • a recovery unit (not shown) that recovers the peripheral edge portion We transferred by the pad 180 is provided below the chuck 170.
  • the recovery unit accommodates and recovers the peripheral edge We that is suction-held by the pad 180.
  • FIG. 12 is a vertical cross-sectional view showing the outline of the configuration of the transfer arm 71.
  • the transfer arm 71 has a disk-shaped suction plate 200 having a larger diameter than the overlapped wafer T.
  • a holding unit 210 that holds the central portion Wc of the processing wafer W is provided on the lower surface of the suction plate 200.
  • a suction pipe 211 for sucking the central portion Wc is connected to the holding portion 210, and the suction pipe 211 communicates with a suction mechanism 212 such as a vacuum pump.
  • the suction pipe 211 is provided with a pressure sensor 213 that measures suction pressure.
  • the configuration of the pressure sensor 213 is arbitrary, but for example, a diaphragm type pressure gauge is used.
  • a rotation mechanism 220 that rotates the suction plate 200 around a vertical axis is provided on the upper surface of the suction plate 200.
  • the rotation mechanism 220 is supported by the support member 221.
  • the support member 221 (rotation mechanism 220) is supported by the arm member 72.
  • FIG. 13 is a flowchart showing the main steps of wafer processing.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram of main steps of wafer processing.
  • the processing wafer W and the supporting wafer S are bonded to each other in the bonding apparatus (not shown) outside the wafer processing system 1 to form the overlapped wafer T in advance.
  • the cassette Ct containing a plurality of overlapping wafers T shown in FIG. 14A is placed on the cassette placing table 10 of the loading/unloading station 2.
  • the overlapped wafer T in the cassette Ct is taken out by the wafer transfer device 20 and transferred to the transition device 30.
  • the wafer transfer device 50 takes out the overlapped wafer T of the transition device 30 and transfers it to the reforming device 60.
  • the peripheral reforming layer M1 and the divided reforming layer M2 are sequentially formed inside the processed wafer W (steps A1 and A2 in FIG. 13), and further in FIG. As shown in c), the inner surface modified layer M3 is formed (step A3 in FIG. 13).
  • the peripheral edge modifying layer M1 serves as a base point for removing the peripheral edge We in the edge trim.
  • the divided reformed layer M2 serves as a base point for making the removed peripheral edge portion We into small pieces.
  • the inner surface modified layer M3 serves as a base point for thinning the processed wafer W.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram of main steps of the reforming process in the reforming device 60.
  • the chuck 100 sliding table 102
  • the superposed wafer T is loaded from the wafer transfer device 50 and held by the chuck 100.
  • the chuck 100 is moved to the macro alignment position P2 as shown in FIG. 15(b).
  • the macro alignment position P2 is a position where the macro camera 140 can capture an image of the outer edge of the processing wafer W.
  • the macro camera 140 captures an image of the outer edge R1 of the processed wafer W in the circumferential direction of 360 degrees.
  • the captured image is output from the macro camera 140 to the control device 90.
  • the controller 90 calculates the first eccentricity amount of the center Cc of the chuck 100 and the center Cw of the processed wafer W from the image of the macro camera 140. Further, the control device 90 calculates the movement amount of the chuck 100 based on the first eccentricity amount so as to correct the Y-axis component of the first eccentricity amount.
  • the chuck 100 moves in the Y-axis direction based on the calculated movement amount, and moves the chuck 100 to the micro alignment position P3 as shown in FIG.
  • the micro alignment position P3 is a position where the micro camera 150 can capture an image of the peripheral portion of the processing wafer W.
  • the field of view of the micro camera 150 is as small as about 1/5 of that of the macro camera 140.
  • the peripheral portion of the processing wafer W is the micro camera.
  • the micro camera 150 may not be able to capture an image because it does not enter the angle of view of 150. Therefore, the correction of the Y-axis component based on the first amount of eccentricity can also be said to be for moving the chuck 100 to the micro alignment position P3.
  • the micro camera 150 takes an image of the boundary R2 between the bonded area Aa and the unbonded area Ab in the circumferential direction of 360 degrees of the processed wafer W.
  • the captured image is output from the micro camera 150 to the control device 90.
  • the controller 90 calculates the second eccentricity amount between the center Cc of the chuck 100 and the center Ca of the bonding area Aa from the image of the micro camera 150. Further, the controller 90 determines the position of the chuck 100 with respect to the peripheral modified layer M1 based on the second eccentricity amount so that the center of the chuck 100 and the center of the bonding area Aa coincide with each other.
  • the unbonded area Ab is formed before the processing wafer W and the supporting wafer S are bonded.
  • the center of the unbonded area Ab (center Ca of the bonding area Aa) and the center of the processed wafer W are formed. There is a case that it is misaligned.
  • the deviation of the unbonded region Ab is corrected.
  • the modification position P4 is a position where the laser head 110 irradiates the processing wafer W with laser light to form the peripheral modification layer M1.
  • the modified position P4 is the same as the micro alignment position P3.
  • laser light L1 (peripheral edge laser light L1) is emitted from the laser head 110, and the peripheral edge modifying layer M1 is applied to the boundary between the peripheral edge We and the central portion Wc of the processing wafer W.
  • the shape and number of the laser light L1 are adjusted by the LCOS. Specifically, the laser light L1 is controlled in its focal position and phase so as to form a peripheral modified layer M1 described later, and its shape is adjusted. Further, in the present embodiment, the number of laser beams L1 is one.
  • the peripheral edge modified layer M1 formed by the laser beam L1 is stretched in the thickness direction and has a vertically long aspect ratio.
  • the lower end of the peripheral modified layer M1 is located above the target surface (dotted line in FIG. 16) of the thinned processed wafer W. That is, the distance H1 between the lower end of the peripheral modified layer M1 and the surface Wa of the processed wafer W is larger than the target thickness H2 of the thinned processed wafer W.
  • the peripheral modified layer M1 does not remain on the processed wafer W after thinning. Inside the processed wafer W, cracks C1 have propagated from the peripheral modified layer M1 and have reached the front surface Wa and the back surface Wb.
  • the peripheral modified layer M1 is formed radially inward of the outer end of the bonding area Aa.
  • the peripheral edge modifying layer M1 is formed by the laser light L1 from the laser head 110, even if the peripheral edge modifying layer M1 is formed deviating from the outer end of the bonding area Aa due to, for example, a processing error, the peripheral edge modifying layer M1 is changed. It is possible to suppress the quality layer M1 from being formed radially outward from the outer end portion of the bonding area Aa.
  • the peripheral edge modified layer M1 floats on the support wafer S after the peripheral edge We is removed. I will end up. In this respect, in the present embodiment, the state of the processed wafer W can be reliably suppressed.
  • the inventors of the present invention have diligently studied and confirmed that the peripheral edge We can be appropriately removed if the distance D between the peripheral edge modified layer M1 and the outer end of the bonding area Aa is sufficiently small.
  • the distance D is preferably within 500 ⁇ m, more preferably within 50 ⁇ m.
  • the control device 90 determines the position of the chuck 100 based on the second amount of eccentricity.
  • step A1 the rotating unit 103 rotates the chuck 100 and the horizontal moving unit 104 rotates the chuck 100 so that the center of the chuck 100 and the center of the bonding area Aa match with the determined position of the chuck 100. Is moved in the Y-axis direction. That is, in step A1, eccentricity correction is performed. At this time, the rotation of the chuck 100 and the movement in the Y-axis direction are synchronized. By performing the complete synchronization control in this manner, the movement of the chuck 100 can be appropriately followed by the determined position with a small error.
  • the laser light L1 is irradiated from the laser head 110 to the inside of the processing wafer W. That is, the peripheral edge modified layer M1 is formed while correcting the second eccentricity amount. Then, the peripheral modified layer M1 is annularly formed concentrically with the bonding area Aa. That is, the distance D between the peripheral modified layer M1 and the outer end of the bonding area Aa shown in FIG. 16 can be made constant. Therefore, in the peripheral edge removing device 61, the peripheral edge portion We can be appropriately removed with the peripheral edge modifying layer M1 as a base point.
  • the chuck 100 when the second amount of eccentricity has an X-axis component, the chuck 100 is rotated in the Y-axis direction and the chuck 100 is rotated to correct the X-axis component.
  • the second amount of eccentricity when the second amount of eccentricity does not include the X-axis component, it is sufficient to move the chuck 100 in the Y-axis direction without rotating it.
  • the laser head 110 is moved in the Y-axis direction, and laser light L2 (division laser light L2) is emitted from the laser head 110 as shown in FIGS.
  • the divided reformed layer M2 is formed on the outer side in the direction (step A2 in FIG. 13).
  • the laser light emitted from the laser head 110 is switched from the laser light L1 to the laser light L2 by the LCOS, and the shape and number of the laser light L2 are adjusted.
  • the laser beam L2 is controlled in its focal position and phase to adjust its shape so as to form a split modification layer M2 described later.
  • the number of laser beams L2 is one.
  • the divided modified layer M2 is also stretched in the thickness direction and has a vertically long aspect ratio.
  • the divided reformed layer M2 is formed at the same height as the peripheral reformed layer M1. Further, the crack C2 has propagated from the divided reformed layer M2 and reaches the front surface Wa and the back surface Wb.
  • the divided reformed layers M2 of the line extending in the radial direction are formed at eight locations, but the number of divided reformed layers M2 is arbitrary. If at least the divided modified layer M2 is formed at two locations, the peripheral edge portion We can be removed.
  • the peripheral edge We is divided into a plurality of pieces by the division modified layer M2 while separating from the annular peripheral modified layer M1 as a base point. Then, the removed peripheral edge We is made into small pieces, which can be removed more easily.
  • the chuck 100 may be moved in the Y-axis direction.
  • laser light L3 (inner surface laser light L3) is emitted from the laser head 110 to form an inner surface modified layer M3 along the surface direction (FIG. 13).
  • Step A3 the laser light emitted from the laser head 110 is switched from the laser light L2 to the laser light L3 by the LCOS, and the shape and number of the laser light L3 are adjusted.
  • the laser beam L3 is controlled in its focal position and phase to adjust its shape so as to form an internal surface reforming layer M3 described later.
  • the number of laser beams L3 is one.
  • the black arrow shown in FIG. 21 indicates the rotation direction of the chuck 100, and the same applies to the following description.
  • the lower end of the inner surface modified layer M3 is located slightly above the target surface (dotted line in FIG. 20) of the thinned processed wafer W. That is, the distance H3 between the lower end of the inner surface modified layer M3 and the front surface Wa of the processed wafer W is slightly larger than the target thickness H2 of the thinned processed wafer W.
  • a crack C3 propagates in the surface direction from the inner surface modified layer M3.
  • Step A3 the chuck 100 (processed wafer W) is rotated, and the laser head 110 is moved from the outer peripheral portion of the processed wafer W toward the central portion in the Y-axis direction while being moved from the laser head 110 to the inside of the processed wafer W.
  • the laser light L3 is emitted.
  • the inner surface modified layer M3 is formed in a spiral shape from the outer side to the inner side in the surface of the processing wafer W.
  • the chuck 100 may be moved in the Y-axis direction.
  • eccentricity correction is performed when forming the peripheral modified layer M1 in step A1, but eccentricity correction is performed when forming the internal surface modified layer M3 in step A3 in the present embodiment. Not performed.
  • the rotation speed of the chuck 100 is controlled to adjust the distance between the inner surface modified layers M3. That is, when the radial position of the laser head 110 (irradiation position of the laser beam L3) is on the outer peripheral portion, the rotation speed is slowed, and when the radial position of the laser head 110 is at the central portion, the rotation speed is increased. doing.
  • the rotation speed is 30 rpm to 60 rpm in the outer peripheral portion of the processed wafer W (for example, in the range of 120 mm to 150 mm in the radial direction).
  • the rotation speed is 500 rpm to 3000 rpm. In the range of 20 mm to 120 mm in the radial direction of the processed wafer W, the rotation speed linearly changes from 60 rpm to 500 rpm.
  • the chuck 100 is rotating at a high speed, so it is difficult to follow the movement of the chuck 100 with the eccentricity correction. Therefore, when the laser head 110 is located at the center, the laser light L3 is emitted from the laser head 110 without performing the eccentricity correction.
  • the laser light L3 is emitted from the laser head 110 without performing the eccentricity correction.
  • the irradiation start position Ps of the laser light L3 from the laser head 110 is located radially outside of the peripheral modified layer M1.
  • the radial distance Q between the irradiation start position Ps and the peripheral modified layer M1 is equal to or greater than the second eccentric amount.
  • the inner surface reforming layer M3 is formed by radiating the laser light L3 for approximately one round on the outer side in the radial direction of the peripheral reforming layer M1.
  • the irradiation start position Ps of the laser beam L3 is on the outer side in the radial direction of the peripheral edge modified layer M1, and the inner surface modified layer M3 may be one turn or less outside the peripheral edge modified layer M1.
  • the chuck 100 is moved to the loading/unloading position P1 as shown in FIG. Then, the overlapped wafer T is unloaded by the wafer transfer device 70.
  • the overlapped wafer T is transferred to the peripheral edge removing device 61 by the wafer transfer device 70.
  • the peripheral edge removing device 61 removes the peripheral edge portion We of the processed wafer W from the peripheral edge modified layer M1 as a base point (step A4 in FIG. 13).
  • the lifting mechanism 181 lowers the pad 180 to suck and hold the peripheral edge portion We, and then raises the pad 180 further.
  • the peripheral edge portion We held by the pad 180 is separated from the processed wafer W with the peripheral edge modified layer M1 as a base point.
  • the peripheral edge portion We is divided into small pieces based on the divided reformed layer M2.
  • the removed peripheral edge portion We is recovered from the pad 180 to a recovery unit (not shown).
  • the overlapped wafer T is transferred to the processing device 80 by the wafer transfer device 70.
  • the processing apparatus 80 first, when transferring the overlapped wafer T from the transfer arm 71 to the chuck 81, as shown in FIG. , Back wafer Wb1) (step A5 in FIG. 13).
  • step A5 as shown in FIG. 23A, the processing wafer W is suction-held by the suction plate 200 of the transfer arm 71, while the supporting wafer S is suction-held by the chuck 81. Then, the suction plate 200 is rotated, and the back surface wafer Wb1 is cut along the boundary of the inner surface reforming layer M3. After that, as shown in FIG. 23B, in a state where the suction plate 200 suction-holds the back surface wafer Wb1, the suction plate 200 is raised to separate the back surface wafer Wb1 from the processing wafer W.
  • the pressure sensor 213 measures the pressure with which the backside wafer Wb1 is sucked, whereby the presence or absence of the backside wafer Wb1 can be detected, and it can be confirmed whether or not the backside wafer Wb1 is separated from the processed wafer W. If the backside wafer Wb1 can be separated only by raising the suction plate 200 as shown in FIG. 23B, the rotation of the suction plate 200 shown in FIG. 23A may be omitted. The separated backside wafer Wb1 is collected outside the wafer processing system 1.
  • step A6 the back surface Wb is ground by rotating the processing wafer W and the grinding wheel while the back surface Wb is in contact with the grinding wheel.
  • the back surface Wb of the processed wafer W may be cleaned with the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown).
  • the overlapped wafer T is transferred to the cleaning device 41 by the wafer transfer device 70.
  • the back surface Wb which is the ground surface of the processed wafer W is scrubbed and cleaned (step A7 in FIG. 13).
  • the back surface Sb of the support wafer S may be cleaned together with the back surface Wb of the processing wafer W.
  • the overlapped wafer T is transferred to the etching device 40 by the wafer transfer device 50.
  • the back surface Wb of the processed wafer W is wet-etched with a chemical solution (step A8 in FIG. 13).
  • a grinding mark may be formed on the back surface Wb ground by the processing device 80 described above.
  • the grinding marks can be removed by wet etching, and the back surface Wb can be smoothed.
  • the superposed wafer T that has undergone all the processes is transferred to the transition device 30 by the wafer transfer device 50, and further transferred to the cassette Ct of the cassette mounting table 10 by the wafer transfer device 20. In this way, a series of wafer processing in the wafer processing system 1 is completed.
  • the peripheral portion We is removed from the peripheral modified layer M1 as a starting point to perform edge trim, and the back surface wafer Wb1 is separated from the internal modified surface layer M3 as a starting point to reduce the thickness of the processed wafer W.
  • the conversion process is being performed.
  • the laser head 110 used for forming the peripheral modified layer M1 and the internal modified layer M3 is less likely to deteriorate with time and the consumables are reduced, so that the maintenance frequency can be reduced. Further, since it is a dry process using a laser, it is not necessary to process grinding water or waste water. Therefore, the running cost can be reduced. Therefore, the running cost can be suppressed as compared with the conventional edge trimming by grinding or thinning processing by grinding.
  • the back surface Wb is ground in step A6, but this grinding may be performed by removing the inner surface modified layer M3 and the peripheral modified layer M1, and the grinding amount is about several tens of ⁇ m. Few.
  • the grinding amount is large, for example, 700 ⁇ m or more, and the degree of wear of the grinding wheel is large. Therefore, in the present embodiment, the maintenance frequency can be reduced.
  • the peripheral edge modified layer M1, the split modified layer M2, and the internal surface modified layer M3 are formed. Can be formed. That is, even if the direction in which the modified layer is stretched and the required processing quality are different, it is possible to use one laser head 110 to select an appropriate shape of the laser beam. Since the modified layer having an arbitrary shape can be formed in this manner, the degree of freedom in forming the modified layer is improved. Further, the area occupied by the device (footprint) can be reduced, and space saving can be realized. Further, since the device configuration is simple, the device cost can be reduced. As described above, in this embodiment, the thinning process of the processed wafer W and the pre-process of the edge trim can be efficiently performed.
  • eccentricity correction is performed to align the center of the chuck 100 with the center of the bonding area Aa, so that the peripheral edge modified layer M1 is bonded. It can be formed concentrically with the area Aa at an appropriate position. Therefore, the peripheral edge portion We can be appropriately removed in the subsequent step A4.
  • eccentricity correction is not performed when forming the inner surface reforming layer M3 in step A3, and the irradiation start position Ps of the laser light L3 thereof is located radially outside the peripheral reforming layer M1. ..
  • the inner surface modified layer M3 can be formed on the entire surface of the processed wafer W at an appropriate position.
  • eccentricity correction is not performed, and a high rotation speed can be maintained.
  • the inner surface reforming layers M3 can have the same spacing in the surface direction. Therefore, in the subsequent step A5, the processed wafer W can be appropriately separated.
  • both the formation of the peripheral edge modified layer M1 in step A1 and the formation of the internal surface modified layer M3 in step A3 are appropriately realized by properly using the presence or absence of eccentricity correction. be able to.
  • the irradiation start position Ps of the laser beam L3 is radially outside of the peripheral edge modifying layer M1 without performing the eccentricity correction in step A3, thereby absorbing the second eccentricity amount and processing wafer. It was realized that the inner surface modified layer M3 was appropriately formed inside the W. In this respect, the method of forming the inner surface modified layer M3 in consideration of the second eccentricity is not limited to this.
  • the irradiation start position Ps of the laser beam L3 from the laser head 110 is set radially inward of the peripheral modified layer M1. Then, eccentricity correction is performed in a range where the laser head 110 is located on the outer peripheral portion of the processing wafer W. That is, while moving the laser head 110 from the outer side to the inner side in the radial direction, the rotating unit 103 rotates the chuck 100 so that the center of the chuck 100 coincides with the center of the bonding area Aa, and the horizontal moving unit 104 moves the chuck 100. Is moved in the Y-axis direction. At this time, since the rotation speed of the chuck 100 is low, eccentricity correction can be appropriately performed.
  • the eccentricity correction in this embodiment may be performed only while the laser head 110 irradiates the laser light L3 for several turns from the outside.
  • the eccentricity correction is not performed in the range where the laser head 110 is located in the central portion. Therefore, a high rotation speed can be maintained, and as a result, the inner surface reforming layers M3 can have the same spacing in the surface direction.
  • the laser beams L1 to L3 having different shapes are emitted by one laser head 110.
  • the laser head 110 does not carry the processed wafer T to be processed into the reforming apparatus 60. Is preferably calibrated. More specifically, it is preferable to calibrate the laser head 110 before the overlapped wafer T is held on the chuck 100. In such a case, it is not necessary to calibrate the laser head 110 during the reforming process for one processed wafer W, and the time required for switching the laser beams L1 to L3 can be shortened. As a result, the throughput of wafer processing can be improved.
  • peripheral modified layer M1 when the peripheral modified layer M1 is formed, one laser beam L1 is emitted from the laser head 110 into the inside of the processing wafer W, but a plurality of laser beams L1 may be emitted. In such a case, the time for forming the peripheral modified layer M1 can be shortened, and the throughput of wafer processing can be further improved.
  • the internal surface reforming layer M3 when the internal surface reforming layer M3 is formed, one laser beam L3 is emitted from the laser head 110 to the inside of the processing wafer W, but a plurality of laser beams L3 may be emitted. Even in such a case, the time for forming the inner surface modified layer M3 can be shortened, and the throughput of wafer processing can be further improved.
  • the laser head 110 is referred to as a first laser head 110
  • the laser head 300 is referred to as a second laser head 300.
  • the number of laser heads is not limited to this embodiment.
  • the macro camera 140 and the micro camera 150 are not shown in order to avoid complication of illustration.
  • the second laser head 300 is provided on the Y-axis positive direction side of the first laser head 110.
  • the configuration of the second laser head 300 is similar to that of the first laser head 110. That is, the second laser head 300 has the lens 301 and the LCOS (not shown).
  • the supporting structure of the second laser head 300 is similar to the supporting structure of the first laser head 110. That is, the second laser head 300 is supported by the support member 310, the rail 311, the elevating mechanism 320, and the moving mechanism 321.
  • the second laser head 300 is configured to be movable up and down and movable in the Y-axis direction.
  • the first laser head 110 and the second laser head 300 are arranged concentrically on the outer peripheral portion of the processed wafer W. Then, while rotating the processing wafer W, the laser beam L11 is emitted from the first laser head 110 and the laser beam L12 is emitted from the second laser head 300. Then, the laser light L11 forms the peripheral modified layer M11, and the laser light L12 forms the peripheral modified layer M12.
  • the peripheral edge modified layers M11 and M12 are respectively formed over a half circumference of the processed wafer W, and the peripheral edge modified layers M1 and M12 are combined to form the peripheral edge modified layer M1 in an annular shape.
  • the processed wafer W only needs to be rotated 180 degrees when forming the peripheral modified layer M1. Therefore, the time for forming the peripheral modified layer M1 can be shortened, and as a result, the throughput of wafer processing can be further improved.
  • the laser light L11 from the first laser head 110 and the laser light L12 from the second laser head 300 are irradiated to the same depth inside the processing wafer W to modify the peripheral edge.
  • the layer M11 and the peripheral modified layer M12 were formed at the same depth.
  • the laser light L11 and the laser light L12 may be irradiated to different depths to form the peripheral modified layer M11 and the modified peripheral layer M12 at different depths.
  • the first laser head 110 and the second laser head 300 are arranged concentrically on the outer peripheral portion of the processed wafer W. Then, while rotating the processing wafer W, the first laser head 110 and the second laser head 300 are moved in the Y-axis direction from the outer peripheral portion of the processing wafer W toward the central portion. That is, the first laser head 110 is moved in the Y-axis positive direction, and the second laser head 300 is moved in the Y-axis negative direction.
  • the first laser head 110 irradiates the inside of the processing wafer W with the laser light L31
  • the second laser head 300 emits the laser light into the inside of the processing wafer W.
  • the light L32 is emitted.
  • the laser light L31 forms the inner surface reforming layer M31
  • the laser light L32 forms the inner surface reforming layer M32.
  • the inner surface modified layers M31 and M32 are each formed in a spiral shape, and the inner surface modified layer M3 is formed on the entire surface of the processed wafer W.
  • the divided reformed layer M2 is formed by using the laser head 110 used in the reformer 60 to form the other peripheral reformed layer M1 and the inner surface reformed layer M3.
  • a separate laser head may be used.
  • the peripheral reforming layer M1, the divided reforming layer M2, and the inner surface reforming layer M3 may be formed using different laser heads (not shown).
  • the peripheral edge We is removed by holding the peripheral edge We with the pad 180 in the peripheral edge removing device 61, but the removing method is not limited to this.
  • the peripheral edge portion We may be removed by applying physical impact or ultrasonic waves.
  • the backside wafer Wb1 is separated from the processed wafer W when the overlapping wafer T is transferred from the transfer arm 71 of the wafer transfer device 70 to the chuck 81 of the processing device 80.
  • a separating device may be provided in the same device as the peripheral edge removing device 61, or a separating device (not shown) may be provided separately.

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Abstract

基板処理装置は、重合基板を保持する保持部と、第１の基板の内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層を形成する周縁改質部と、第１の基板の内部に面方向に沿って内部面改質層を形成する内部面改質部と、保持部を水平方向に移動させる保持部移動機構と、保持部の中心と接合領域の中心の偏心量を算出し、当該偏心量に基づいて、保持部の中心と接合領域の中心が一致するように、保持部移動機構を制御して保持部を移動させる偏心補正を行う制御部と、を有する。周縁改質部は、偏心補正を行って保持部を移動させながら、第１の基板の内部に周縁用レーザ光を照射し、内部面改質部は、少なくとも第１の基板の内部の中心部において、偏心補正を行わずに内部面用レーザ光を照射する。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　特許文献１には、積層型半導体装置の製造方法が開示されている。この製造方法では、２以上の半導体ウェハを積層して積層型半導体装置を製造する。この際、各半導体ウェハは、他の半導体ウェハに積層された後、所望の厚みを持つように裏面研削される。
　特許文献２には、外周部に砥粒が設けられた円板状の研削工具を回転し、研削工具の少なくとも外周面を半導体ウェハに線状に当接させて半導体ウェハの周端部を略Ｌ字状に研削することが開示されている。半導体ウェハは、二枚のシリコンウェハを貼り合わせて作製されたものである。
特開２０１２－６９７３６号公報 特開平９－２１６１５２号公報
　本開示にかかる技術は、基板同士が接合された重合基板において、一の基板の周縁部の除去と当該一の基板の薄化のそれぞれの前処理を効率よく行う。
　本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において前記第２の基板を保持する保持部と、前記第１の基板と第２の基板が接合された接合領域と、当該接合領域の外側の未接合領域との境界を検出する検出部と、前記保持部に保持された前記第１の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成する周縁改質部と、前記保持部に保持された前記第１の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する内部面改質部と、前記保持部を水平方向に移動させる保持部移動機構と、前記検出部で検出された検出結果から、前記保持部の中心と前記接合領域の中心の偏心量を算出し、当該偏心量に基づいて、前記保持部の中心と前記接合領域の中心が一致するように、前記保持部移動機構を制御して前記保持部を移動させる偏心補正を行う制御部と、を有し、前記周縁改質部は、前記偏心補正を行って前記保持部を移動させながら、前記第１の基板の内部に前記周縁用レーザ光を照射し、前記内部面改質部は、少なくとも前記第１の基板の内部の中心部において、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する。
　本開示によれば、基板同士が接合された重合基板において、一の基板の周縁部の除去と当該一の基板の薄化のそれぞれの前処理を効率よく行うことができる。
本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。 重合ウェハの一部の構成の概略を示す側面図である。 改質装置の構成の概略を示す平面図である。 改質装置の構成の概略を示す側面図である。 マクロカメラが撮像する箇所を示す説明図である。 マクロアライメントで算出される第１の偏心量の説明図である。 マイクロカメラが撮像する箇所を示す説明図である。 マイクロアライメントで算出される第２の偏心量の説明図である。 周縁除去装置の構成の概略を示す平面図である。 周縁除去装置の構成の概略を示す側面図である。 搬送アームの構成の概略を示す縦断面図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 ウェハ処理の主な工程の説明図である。 改質処理の主な工程の説明図である。 処理ウェハに周縁改質層を形成する様子を示す説明図である。 処理ウェハに周縁改質層を形成した様子を示す説明図である。 処理ウェハに分割改質層を形成する様子を示す説明図である。 処理ウェハに分割改質層を形成した様子を示す説明図である。 処理ウェハに内部面改質層を形成する様子を示す説明図である。 処理ウェハに内部面改質層を形成する様子を示す説明図である。 周縁部を除去する様子を示す説明図である。 処理ウェハから裏面ウェハを分離する様子を示す説明図である。 他の実施形態において処理ウェハに内部面改質層を形成する様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかる改質装置の構成の概略を示す平面図である。 他の実施形態において処理ウェハに周縁改質層を形成する様子を示す説明図である。 他の実施形態において処理ウェハに内部面改質層を形成する様子を示す説明図である。
　半導体デバイスの製造工程においては、例えば特許文献１に開示された方法のように、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削加工して、ウェハを薄化することが行われている。
　ウェハの裏面の研削加工は、例えば当該裏面に研削砥石を当接させた状態で、ウェハと研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに研削砥石を下降させて行われる。かかる場合、研削砥石が摩耗し、定期的な交換が必要となる。また、研削加工においては、研削水を使用し、その廃液処理も必要となる。このため、従来のウェハの薄化処理にはランニングコストがかかる。
　また、通常、ウェハの周縁部は面取り加工がされているが、上述のようにウェハの裏面に研削処理を行うと、ウェハの周縁部が鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）になる。そうすると、ウェハの周縁部でチッピングが発生し、ウェハが損傷を被るおそれがある。そこで、研削処理前に予めウェハの周縁部を除去する、いわゆるエッジトリムが行われている。
　上述した特許文献２に記載の端面研削装置は、このエッジトリムを行う装置である。しかしながら、この端面研削装置では、研削によりエッジトリムを行うため、砥石が摩耗し、定期的な交換が必要となる。また、大量の研削水を使用し、廃液処理も必要となる。このため、従来のエッジトリムにはランニングコストがかかる。
　本開示にかかる技術は、ウェハの薄化処理とエッジトリムを効率よく行うため、これらの前処理を効率よく行う。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　先ず、本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成について説明する。図１は、ウェハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。
　ウェハ処理システム１では、図２及び図３に示すように第１の基板としての処理ウェハＷと第２の基板としての支持ウェハＳとが接合された、重合基板としての重合ウェハＴに対して所定の処理を行う。そしてウェハ処理システム１では、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去し、さらに当該処理ウェハＷを薄化する。以下、処理ウェハＷにおいて、支持ウェハＳに接合された面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、支持ウェハＳにおいて、処理ウェハＷに接合された面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。
　処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハなどの半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数のデバイスを含むデバイス層（図示せず）が形成されている。また、デバイス層にはさらに酸化膜Ｆ、例えばＳｉＯ２膜（ＴＥＯＳ膜）が形成されている。なお、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅは面取り加工がされており、周縁部Ｗｅの断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。また、周縁部Ｗｅはエッジトリムにおいて除去される部分であり、例えば処理ウェハＷの外端部から径方向に１ｍｍ～５ｍｍの範囲である。
　なお、図２においては、図示の煩雑さを回避するため、酸化膜Ｆの図示を省略している。また、以下の説明で用いられる他の図面においても同様に、酸化膜Ｆの図示を省略する場合がある。
　支持ウェハＳは、処理ウェハＷを支持するウェハであって、例えばシリコンウェハである。支持ウェハＳの表面Ｓａには酸化膜（図示せず）が形成されている。また、支持ウェハＳは、処理ウェハＷの表面Ｗａのデバイスを保護する保護材として機能する。なお、支持ウェハＳの表面Ｓａの複数のデバイスが形成されている場合には、処理ウェハＷと同様に表面Ｓａにデバイス層（図示せず）が形成される。
　ここで、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅにおいて、処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合されていると、周縁部Ｗｅを適切に除去できないおそれがある。そこで、処理ウェハＷと支持ウェハＳの界面には、酸化膜Ｆと支持ウェハＳの表面Ｓａが接合された接合領域Ａａと、接合領域Ａａの径方向外側の領域である未接合領域Ａｂとを形成する。このように未接合領域Ａｂが存在することで、周縁部Ｗｅを適切に除去できる。なお、詳細は後述するが、接合領域Ａａの外側端部は、除去される周縁部Ｗｅの内側端部より若干径方向外側に位置させることが好ましい。
　図１に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣｔが搬入出される。処理ステーション３は、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセットＣｔをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸負方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送装置２０が設けられている。ウェハ搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置２０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム２２、２２を有している。各搬送アーム２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２０は、カセット載置台１０のカセットＣｔ、及び後述するトランジション装置３０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。
　搬入出ステーション２には、ウェハ搬送装置２０のＸ軸負方向側において、当該ウェハ搬送装置２０に隣接して、重合ウェハＴを受け渡すためのトランジション装置３０が設けられている。
　処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１～Ｇ３が設けられている。第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２、及び第３の処理ブロックＧ３は、Ｘ軸正方向側（搬入出ステーション２側）から負方向側にこの順で並べて配置されている。
　第１の処理ブロックＧ１には、エッチング装置４０、洗浄装置４１、及びウェハ搬送装置５０が設けられている。エッチング装置４０と洗浄装置４１は、積層して配置されている。なお、エッチング装置４０と洗浄装置４１の数や配置はこれに限定されない。例えば、エッチング装置４０と洗浄装置４１はそれぞれＸ軸方向に延伸し、平面視において並列に並べて載置されていてもよい。さらに、これらエッチング装置４０と洗浄装置４１はそれぞれ、積層されていてもよい。
　エッチング装置４０は、後述する加工装置８０で研削された処理ウェハＷの裏面Ｗｂをエッチング処理する。例えば、裏面Ｗｂに対して薬液（エッチング液）を供給し、当該裏面Ｗｂをウェットエッチングする。薬液には、例えばＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＴＭＡＨ、Ｃｈｏｌｉｎｅ、ＫＯＨなどが用いられる。
　洗浄装置４１は、後述する加工装置８０で研削された処理ウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。例えば裏面Ｗｂにブラシを当接させて、当該裏面Ｗｂをスクラブ洗浄する。なお、裏面Ｗｂの洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、洗浄装置４１は、処理ウェハＷの裏面Ｗｂと共に、支持ウェハＳの裏面Ｓｂを洗浄する構成を有していてもよい。
　ウェハ搬送装置５０は、例えばエッチング装置４０と洗浄装置４１に対してＹ軸負方向側に配置されている。ウェハ搬送装置５０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム５１、５１を有している。各搬送アーム５１は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム５１の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置５０は、トランジション装置３０、エッチング装置４０、洗浄装置４１、及び後述する改質装置６０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。
　第２の処理ブロックＧ２には、改質装置６０、周縁除去装置６１、及びウェハ搬送装置７０が設けられている。改質装置６０と周縁除去装置６１は、積層して配置されている。なお、改質装置６０と周縁除去装置６１の数や配置はこれに限定されない。
　改質装置６０は、処理ウェハＷの内部にレーザ光を照射し、周縁改質層、分割改質層、及び内部面改質層を形成する。改質装置６０の具体的な構成は後述する。
　周縁除去装置６１は、改質装置６０で形成された周縁改質層を基点に、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去する。周縁除去装置６１の具体的な構成は後述する。
　ウェハ搬送装置７０は、例えば改質装置６０と周縁除去装置６１に対してＹ軸正方向側に配置されている。ウェハ搬送装置７０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム７１、７１を有している。各搬送アーム７１は、多関節のアーム部材７２に支持され、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。搬送アーム７１の具体的な構成は後述する。そして、ウェハ搬送装置７０は、洗浄装置４１、改質装置６０、周縁除去装置６１、及び後述する加工装置８０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。
　第３の処理ブロックＧ３には、加工装置８０が設けられている。なお、加工装置８０の数や配置は本実施形態に限定されず、複数の加工装置８０が任意に配置されていてもよい。
　加工装置８０は、処理ウェハＷの裏面Ｗｂを研削する。そして、内部面改質層が形成された裏面Ｗｂにおいて、当該内部面改質層を除去し、さらに周縁改質層を除去する。具体的に、加工装置８０は、チャック８１に保持された処理ウェハＷの裏面Ｗｂを研削砥石（図示せず）に当接させた状態で、処理ウェハＷと研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを研削する。なお、加工装置８０には公知の研削装置（研磨装置）が用いられ、例えば特開２０１０－６９６０１号公報に記載の装置が用いられる。
　以上のウェハ処理システム１には、制御部としての制御装置９０が設けられている。制御装置９０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述の基板処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置９０にインストールされたものであってもよい。
　次に、上述した改質装置６０について説明する。図４は、改質装置６０の構成の概略を示す平面図である。図５は、改質装置６０の構成の概略を示す側面図である。
　改質装置６０は、重合ウェハＴを上面で保持する、保持部としてのチャック１００を有している。チャック１００は、処理ウェハＷが上側であって支持ウェハＳが下側に配置された状態で、当該支持ウェハＳを吸着保持する。チャック１００は、エアベアリング１０１を介して、スライダテーブル１０２に支持されている。スライダテーブル１０２の下面側には、回転部１０３が設けられている。回転部１０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック１００は、回転部１０３によってエアベアリング１０１を介して、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル１０２は、その下面側に設けられた水平移動部１０４によって、基台１０６に設けられＹ軸方向に延伸するレール１０５に沿って移動可能に構成されている。なお、本実施形態では、回転部１０３と水平移動部１０４が、保持部移動機構を構成している。また、水平移動部１０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。
　チャック１００の上方には、レーザヘッド１１０が設けられている。レーザヘッド１１０は、レンズ１１１を有している。レンズ１１１は、レーザヘッド１１０の下面に設けられた筒状の部材であり、チャック１００に保持された処理ウェハＷにレーザ光を照射する。なお、本実施形態では、周縁改質部と内部面改質部が共通のレーザヘッド１１０を有している。
　またレーザヘッド１１０は、図示しないＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　ｏｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）をさらに有している。ＬＣＯＳは、空間光変調器であって、レーザ光を変調して出力する。具体的にＬＣＯＳは、レーザ光の焦点位置や位相を制御することができ、処理ウェハＷに照射されるレーザ光の形状や数（分岐数）を調整することができる。
　そしてレーザヘッド１１０は、レーザ光発振器（図示せず）から発振された高周波のパルス状のレーザ光であって、処理ウェハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光を、処理ウェハＷの内部の所定位置に集光して照射する。これによって、処理ウェハＷの内部においてレーザ光が集光した部分が改質し、周縁改質層、分割改質層、及び内部面改質層が形成される。
　レーザヘッド１１０は、支持部材１２０に支持されている。レーザヘッド１１０は、鉛直方向に延伸するレール１２１に沿って、昇降機構１３０により昇降自在に構成されている。またレーザヘッド１１０は、移動機構１３１によってＹ軸方向に移動自在に構成されている。なお、昇降機構１３０及び移動機構１３１はそれぞれ、支持柱１３２に支持されている。
　チャック１００の上方であって、レーザヘッド１１０のＹ軸正方向側には、マクロカメラ１４０と検出部としてのマイクロカメラ１５０とが設けられている。例えば、マクロカメラ１４０とマイクロカメラ１５０は一体に構成され、マクロカメラ１４０はマイクロカメラ１５０のＹ軸正方向側に配置されている。マクロカメラ１４０とマイクロカメラ１５０は、昇降機構１６０によって昇降自在に構成され、さらに移動機構１６１によってＹ軸方向に移動自在に構成されている。
　マクロカメラ１４０は、図６に示すように処理ウェハＷ（重合ウェハＴ）の外側端部Ｒ１（図６中の点線）を撮像（検出）する。マクロカメラ１４０は、例えば同軸レンズを備え、可視光、例えば赤色光を照射し、さらに対象物からの反射光を受光する。可視光は、処理ウェハＷの裏面Ｗｂでは反射するが、チャック１００では吸収される。このため、マクロカメラ１４０で撮像される画像では、処理ウェハＷは白く映り、チャック１００は黒く映る。なお例えば、マクロカメラ１４０の撮像倍率は２倍である。
　マクロカメラ１４０で撮像された画像は、制御装置９０に出力される。制御装置９０では、図７に示すようにマクロカメラ１４０で撮像された画像から、チャック１００の中心Ｃｃと処理ウェハＷの中心Ｃｗの第１の偏心量を算出する。
　マイクロカメラ１５０は、図８に示すように処理ウェハＷの周縁部を撮像し、接合領域Ａａと未接合領域Ａｂの境界Ｒ２（図８中の点線）を撮像（検出）する。マイクロカメラ１５０は、例えば同軸レンズを備え、赤外光（ＩＲ光）を照射し、さらに対象物からの反射光を受光する。なお例えば、マイクロカメラ１５０の撮像倍率は１０倍であり、視野はマクロカメラ１４０に対して約１／５であり、ピクセルサイズはマクロカメラ１４０に対して約１／５である。
　マイクロカメラ１５０で撮像された画像は、制御装置９０に出力される。制御装置９０では、図９に示すようにマイクロカメラ１５０で撮像された画像から、チャック１００の中心Ｃｃと接合領域Ａａの中心Ｃａの第２の偏心量を算出する。さらに、制御装置９０は、第２の偏心量に基づいて、チャック１００の中心と接合領域Ａａの中心が一致するように、保持部移動機構（回転部１０３と水平移動部１０４）を制御してチャック１００を移動させる。なお、以下の説明においては、このチャック１００を移動させる制御を偏心補正という場合がある。
　次に、上述した周縁除去装置６１について説明する。図１０は、周縁除去装置６１の構成の概略を示す平面図である。図１１は、周縁除去装置６１の構成の概略を示す側面図である。
　周縁除去装置６１は、重合ウェハＴを上面で保持するチャック１７０を有している。チャック１７０は、処理ウェハＷが上側であって支持ウェハＳが下側に配置された状態で、当該支持ウェハＳを吸着保持する。またチャック１７０は、回転機構１７１によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。
　チャック１７０の上方には、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを保持して移送するパッド１８０が設けられている。パッド１８０には例えば真空ポンプなどの吸引機構（図示せず）が接続され、パッド１８０はその下面において周縁部Ｗｅを吸着保持する。パッド１８０には、パッド１８０を鉛直方向に昇降させる昇降機構１８１と、パッド１８０を水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動させる移動機構１８２とが設けられている。
　チャック１７０の上方には、処理ウェハＷから周縁部Ｗｅが除去されたか否かを確認するための検知部１９０が設けられている。検知部１９０は、チャック１７０に保持され、且つ周縁部Ｗｅが除去された処理ウェハＷにおいて、周縁部Ｗｅの有無を検知する。検知部１９０には、例えばセンサが用いられる。センサは、例えばライン型のレーザ変位計であり、重合ウェハＴ（処理ウェハＷ）の周縁部にレーザを照射して当該重合ウェハＴの厚みを測定することで、周縁部Ｗｅの有無を検知する。なお、検知部１９０による周縁部Ｗｅの有無の検知方法はこれに限定されない。例えば検知部１９０には、例えばラインカメラを用い、重合ウェハＴ（処理ウェハＷ）を撮像することで、周縁部Ｗｅの有無を検知してもよい。
　なお、チャック１７０の下方には、パッド１８０で移送された周縁部Ｗｅを回収する回収部（図示せず）が設けられている。回収部は、パッド１８０で吸着保持された周縁部Ｗｅを収容して回収する。
　次に、上述したウェハ搬送装置７０の搬送アーム７１について説明する。図１２は、搬送アーム７１の構成の概略を示す縦断面図である。
　搬送アーム７１は、重合ウェハＴより大きい径を有する、円板状の吸着板２００を有している。吸着板２００の下面には、処理ウェハＷの中央部Ｗｃを保持する保持部２１０が設けられている。
　保持部２１０には中央部Ｗｃを吸引する吸引管２１１が接続され、吸引管２１１は例えば真空ポンプなどの吸引機構２１２に連通している。吸引管２１１には、吸引圧力を測定する圧力センサ２１３が設けられている。圧力センサ２１３の構成は任意であるが、例えばダイヤフラム型の圧力計が用いられる。
　吸着板２００の上面には、当該吸着板２００を鉛直軸回りに回転させる回転機構２２０が設けられている。回転機構２２０は、支持部材２２１に支持されている。また、支持部材２２１（回転機構２２０）は、アーム部材７２に支持されている。
　次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図１３は、ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。図１４は、ウェハ処理の主な工程の説明図である。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。
　先ず、図１４（ａ）に示す重合ウェハＴを複数収納したカセットＣｔが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。
　次に、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、トランジション装置３０に搬送される。続けて、ウェハ搬送装置５０により、トランジション装置３０の重合ウェハＴが取り出され、改質装置６０に搬送される。改質装置６０では、図１４（ｂ）に示すように処理ウェハＷの内部に周縁改質層Ｍ１と分割改質層Ｍ２が順次形成され（図１３のステップＡ１、Ａ２）、さらに図１４（ｃ）に示すように内部面改質層Ｍ３が形成される（図１３のステップＡ３）。周縁改質層Ｍ１は、エッジトリムにおいて周縁部Ｗｅを除去の際の基点となるものである。分割改質層Ｍ２は、除去される周縁部Ｗｅを小片化するための基点となるものである。内部面改質層Ｍ３は、処理ウェハＷを薄化するための基点となるものである。
　図１５は、改質装置６０における改質処理の主な工程の説明図である。先ず、図１５（ａ）に示すようにチャック１００（スライダテーブル１０２）を搬入出位置Ｐ１に移動させる。そして、ウェハ搬送装置５０から重合ウェハＴが搬入され、チャック１００に保持される。
　次に、図１５（ｂ）に示すようにチャック１００をマクロアライメント位置Ｐ２に移動させる。マクロアライメント位置Ｐ２は、マクロカメラ１４０が処理ウェハＷの外側端部を撮像できる位置である。
　次に、マクロカメラ１４０によって、処理ウェハＷの周方向３６０度における外側端部Ｒ１の画像が撮像される。撮像された画像は、マクロカメラ１４０から制御装置９０に出力される。
　制御装置９０では、マクロカメラ１４０の画像から、チャック１００の中心Ｃｃと処理ウェハＷの中心Ｃｗの第１の偏心量を算出する。さらに制御装置９０では、第１の偏心量に基づいて、当該第１の偏心量のＹ軸成分を補正するように、チャック１００の移動量を算出する。チャック１００は、この算出された移動量に基づいてＹ軸方向に移動し、図１５（ｃ）に示すようにチャック１００をマイクロアライメント位置Ｐ３に移動させる。マイクロアライメント位置Ｐ３は、マイクロカメラ１５０が処理ウェハＷの周縁部を撮像できる位置である。ここで、上述したようにマイクロカメラ１５０の視野はマクロカメラ１４０に対して約１／５と小さいため、第１の偏心量のＹ軸成分を補正しないと、処理ウェハＷの周縁部がマイクロカメラ１５０の画角に入らず、マイクロカメラ１５０で撮像できない場合がある。このため、第１の偏心量に基づくＹ軸成分の補正は、チャック１００をマイクロアライメント位置Ｐ３に移動させるためともいえる。
　次に、マイクロカメラ１５０によって、処理ウェハＷの周方向３６０度における接合領域Ａａと未接合領域Ａｂの境界Ｒ２を撮像する。撮像された画像は、マイクロカメラ１５０から制御装置９０に出力される。
　制御装置９０では、マイクロカメラ１５０の画像から、チャック１００の中心Ｃｃと接合領域Ａａの中心Ｃａの第２の偏心量を算出する。さらに制御装置９０では、第２の偏心量に基づいて、チャック１００の中心と接合領域Ａａの中心が一致するように、周縁改質層Ｍ１に対するチャック１００の位置を決定する。ここで上述したように、処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合前に未接合領域Ａｂを形成するが、この未接合領域Ａｂの中心（接合領域Ａａの中心Ｃａ）と、処理ウェハＷの中心とがずれる場合がある。この点、本実施形態のように第２の偏心量に基づいて周縁改質層Ｍ１に対するチャック１００の位置を調整することで、未接合領域Ａｂのずれが補正される。
　次に、図１５（ｄ）に示すようにチャック１００を、改質位置Ｐ４に移動させる。改質位置Ｐ４は、レーザヘッド１１０が処理ウェハＷにレーザ光を照射して、周縁改質層Ｍ１を形成する位置である。なお、本実施形態では、改質位置Ｐ４はマイクロアライメント位置Ｐ３と同じである。
　次に、図１６及び図１７に示すようにレーザヘッド１１０からレーザ光Ｌ１（周縁用レーザ光Ｌ１）を照射して、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅと中央部Ｗｃの境界に周縁改質層Ｍ１を形成する（図１３のステップＡ１）。レーザ光Ｌ１は、ＬＣＯＳによって、その形状と数が調整される。具体的にレーザ光Ｌ１は、後述の周縁改質層Ｍ１を形成するように、その焦点位置と位相が制御されて形状が調整される。また本実施形態では、レーザ光Ｌ１の数は１つである。
　上記レーザ光Ｌ１によって形成される周縁改質層Ｍ１は、厚み方向に延伸し縦長のアスペクト比を有する。周縁改質層Ｍ１の下端は、薄化後の処理ウェハＷの目標表面（図１６中の点線）より上方に位置している。すなわち、周縁改質層Ｍ１の下端と処理ウェハＷの表面Ｗａとの間の距離Ｈ１は、薄化後の処理ウェハＷの目標厚みＨ２より大きい。かかる場合、薄化後の処理ウェハＷに周縁改質層Ｍ１が残らない。なお、処理ウェハＷの内部には、周縁改質層Ｍ１からクラックＣ１が進展し、表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達している。
　なお、周縁改質層Ｍ１は、接合領域Ａａの外側端部よりも径方向内側に形成される。レーザヘッド１１０からのレーザ光Ｌ１によって周縁改質層Ｍ１を形成する際に、例えば加工誤差などにより周縁改質層Ｍ１が接合領域Ａａの外側端部からずれて形成されたとしても、当該周縁改質層Ｍ１が接合領域Ａａの外側端部から径方向外側に形成されるのを抑制できる。ここで、周縁改質層Ｍ１が接合領域Ａａの外側端部から径方向外側に形成されると、周縁部Ｗｅが除去された後に支持ウェハＳに対して処理ウェハＷが浮いた状態になってしまう。この点、本実施形態では、かかる処理ウェハＷの状態を確実に抑制することができる。
　なお、本発明者らが鋭意検討したところ、周縁改質層Ｍ１と接合領域Ａａの外側端部との距離Ｄが十分に小さいと周縁部Ｗｅを適切に除去できることを確認している。そして、この距離Ｄは５００μｍ以内であるのが好く、さらに好ましくは５０μｍ以内である。
　ここで、上述したように制御装置９０では、第２の偏心量に基づいてチャック１００の位置が決定されている。ステップＡ１では、この決定されたチャック１００の位置に合わせて、チャック１００の中心と接合領域Ａａの中心が一致するように、回転部１０３によってチャック１００を回転させると共に、水平移動部１０４によってチャック１００をＹ軸方向に移動させる。すなわち、ステップＡ１では偏心補正が行われる。この際、チャック１００の回転とＹ軸方向の移動を同期させる。このように完全同期制御を行うことで、チャック１００の移動を、決定された位置に誤差が少なく適切に追従させることができる。
　そして、このようにチャック１００（処理ウェハＷ）を回転及び移動させながら、レーザヘッド１１０から処理ウェハＷの内部にレーザ光Ｌ１を照射する。すなわち、第２の偏心量を補正しながら、周縁改質層Ｍ１を形成する。そうすると周縁改質層Ｍ１は、接合領域Ａａと同心円状に環状に形成される。すなわち、図１６に示す周縁改質層Ｍ１と接合領域Ａａの外側端部との距離Ｄを一定にすることができる。このため、その後周縁除去装置６１において、周縁改質層Ｍ１を基点に周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。
　なお、本例においては、第２の偏心量がＸ軸成分を備える場合に、チャック１００をＹ軸方向に移動させつつ、チャック１００を回転させて、当該Ｘ軸成分を補正している。一方、第２の偏心量がＸ軸成分を備えない場合には、チャック１００を回転させずに、Ｙ軸方向に移動させるだけでよい。
　次に、レーザヘッド１１０をＹ軸方向に移動させて、図１８及び図１９に示すようにレーザヘッド１１０からレーザ光Ｌ２（分割用レーザ光Ｌ２）を照射して、周縁改質層Ｍ１の径方向外側に分割改質層Ｍ２を形成する（図１３のステップＡ２）。この際、ＬＣＯＳによって、レーザヘッド１１０から照射されるレーザ光が、レーザ光Ｌ１からレーザ光Ｌ２に切り替えられ、レーザ光Ｌ２はその形状と数が調整される。具体的にレーザ光Ｌ２は、後述の分割改質層Ｍ２を形成するように、その焦点位置と位相が制御されて形状が調整される。また本実施形態では、レーザ光Ｌ２の数は１つである。
　分割改質層Ｍ２も、周縁改質層Ｍ１と同様に厚み方向に延伸し、縦長のアスペクト比を有する。なお、本実施形態においては、分割改質層Ｍ２は周縁改質層Ｍ１と同じ高さに形成される。また、分割改質層Ｍ２からクラックＣ２が進展し、表面Ｗａと裏面Ｗｂに到達している。
　また、分割改質層Ｍ２及びクラックＣ２を径方向に数μｍのピッチで複数形成することで、図１９に示すように周縁改質層Ｍ１から径方向外側に延伸する、１ラインの分割改質層Ｍ２が形成される。なお、図示の例においては、径方向に延伸するラインの分割改質層Ｍ２は８箇所に形成されているが、この分割改質層Ｍ２の数は任意である。少なくとも、分割改質層Ｍ２が２箇所に形成されていれば、周縁部Ｗｅは除去できる。かかる場合、エッジトリムにおいて周縁部Ｗｅを除去する際、当該周縁部Ｗｅは、環状の周縁改質層Ｍ１を基点に分離しつつ、分割改質層Ｍ２によって複数に分割される。そうすると、除去される周縁部Ｗｅが小片化され、より容易に除去することができる。
　なお、本実施形態では分割改質層Ｍ２を形成するにあたり、レーザヘッド１１０をＹ軸方向に移動させたが、チャック１００をＹ軸方向に移動させてもよい。
　次に、図２０及び図２１に示すようにレーザヘッド１１０からレーザ光Ｌ３（内部面用レーザ光Ｌ３）を照射して、面方向に沿って内部面改質層Ｍ３を形成する（図１３のステップＡ３）。この際、ＬＣＯＳによって、レーザヘッド１１０から照射されるレーザ光が、レーザ光Ｌ２からレーザ光Ｌ３に切り替えられ、レーザ光Ｌ３はその形状と数が調整される。具体的にレーザ光Ｌ３は、後述の内部面改質層Ｍ３を形成するように、その焦点位置と位相が制御されて形状が調整される。また本実施形態では、レーザ光Ｌ３の数は１つである。なお、図２１に示す黒塗り矢印はチャック１００の回転方向を示し、以下の説明においても同様である。
　内部面改質層Ｍ３の下端は、薄化後の処理ウェハＷの目標表面（図２０中の点線）より少し上方に位置している。すなわち、内部面改質層Ｍ３の下端と処理ウェハＷの表面Ｗａとの間の距離Ｈ３は、薄化後の処理ウェハＷの目標厚みＨ２より少し大きい。なお、処理ウェハＷの内部には、内部面改質層Ｍ３から面方向にクラックＣ３が進展する。
　ステップＡ３では、チャック１００（処理ウェハＷ）を回転させると共に、レーザヘッド１１０を処理ウェハＷの外周部から中心部に向けてＹ軸方向に移動させながら、レーザヘッド１１０から処理ウェハＷの内部にレーザ光Ｌ３を照射する。そうすると、内部面改質層Ｍ３は、処理ウェハＷの面内において、外側から内側に螺旋状に形成される。
　なお、本実施形態では内部面改質層Ｍ３を形成するにあたり、レーザヘッド１１０をＹ軸方向に移動させたが、チャック１００をＹ軸方向に移動させてもよい。
　ここで、上述したようにステップＡ１で周縁改質層Ｍ１を形成する際には偏心補正が行われるが、本実施形態においてステップＡ３で内部面改質層Ｍ３を形成する際には偏心補正を行わない。
　後述のように内部面改質層Ｍ３を基点に処理ウェハＷを分離する際、この分離をウェハ面内で均一に行うためには、当該内部面改質層Ｍ３の間隔（ピッチ）は同じにするのが好ましい。そこでステップＡ３では、チャック１００の回転速度を制御して、内部面改質層Ｍ３の間隔を調整している。すなわち、レーザヘッド１１０の径方向位置（レーザ光Ｌ３の照射位置）が外周部にある場合には回転速度を遅くし、レーザヘッド１１０の径方向位置が中心部にある場合には回転速度を速くしている。具体的には、例えば処理ウェハＷの直径が３００ｍｍの場合、処理ウェハＷの外周部（例えば径方向１２０ｍｍ～１５０ｍｍの範囲）では、回転速度は３０ｒｐｍ～６０ｒｐｍである。一方、処理ウェハＷの中心部（例えば径方向０ｍｍ（中心点）～２０ｍｍの範囲）では、回転速度は５００ｒｐｍ～３０００ｒｐｍである。なお、処理ウェハＷの径方向２０ｍｍ～１２０ｍｍの範囲では、回転速度は６０ｒｐｍ～５００ｒｐｍまで直線的に変化する。
　かかる場合、特にレーザヘッド１１０が中心部に位置する場合には、チャック１００が高速回転しているため、当該チャック１００の移動を偏心補正に追従させるのが難しい。そこで、レーザヘッド１１０が中心部に位置する場合には、偏心補正を行わずに、当該レーザヘッド１１０からレーザ光Ｌ３を照射する。
　また本実施形態では、レーザヘッド１１０が外周部に位置する場合にも、偏心補正を行わずに、レーザヘッド１１０からレーザ光Ｌ３を照射する。但し、レーザヘッド１１０からのレーザ光Ｌ３の照射開始位置Ｐｓは、周縁改質層Ｍ１より径方向外側にする。また、照射開始位置Ｐｓと周縁改質層Ｍ１との径方向距離Ｑは、第２の偏心量以上である。このようにレーザ光Ｌ３の照射開始位置Ｐｓを設定することで、チャック１００の中心Ｃｃと接合領域Ａａの中心Ｃａの偏心（第２の偏心量）を吸収して、ウェハ全面に内部面改質層Ｍ３を適切に形成することができる。そうするとその後、内部面改質層Ｍ３を基点に処理ウェハＷを適切に分離することができる。
　なお本実施形態では、周縁改質層Ｍ１の径方向外側において略１周分、レーザ光Ｌ３が照射され内部面改質層Ｍ３が形成される。但し、少なくともレーザ光Ｌ３の照射開始位置Ｐｓが周縁改質層Ｍ１の径方向外側にあればよく、内部面改質層Ｍ３は周縁改質層Ｍ１の外側において１周以下であってもよい。
　次に、処理ウェハＷに内部面改質層Ｍ３が形成されると、図１５（ｅ）に示すようにチャック１００を搬入出位置Ｐ１に移動させる。そして、ウェハ搬送装置７０によって重合ウェハＴが搬出される。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により周縁除去装置６１に搬送される。周縁除去装置６１では、図１４（ｄ）に示すように周縁改質層Ｍ１を基点に、処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去する（図１３のステップＡ４）。ステップＡ４では、図２２に示すように昇降機構１８１によりパッド１８０を下降させて周縁部Ｗｅを吸着保持した後、さらにパッド１８０を上昇させる。そうすると、パッド１８０に保持された周縁部Ｗｅが、周縁改質層Ｍ１を基点に処理ウェハＷから分離される。この際、分割改質層Ｍ２を基点に、周縁部Ｗｅは小片化して分離される。なお、除去された周縁部Ｗｅは、パッド１８０から回収部（図示せず）に回収される。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により加工装置８０に搬送される。加工装置８０では、先ず、搬送アーム７１からチャック８１に重合ウェハＴを受け渡す際、図１４（ｅ）に示すように内部面改質層Ｍ３を基点に、処理ウェハＷの裏面Ｗｂ側（以下、裏面ウェハＷｂ１という）を分離する（図１３のステップＡ５）。
　ステップＡ５では、図２３（ａ）に示すように搬送アーム７１の吸着板２００で処理ウェハＷを吸着保持しつつ、チャック８１で支持ウェハＳを吸着保持する。そして、吸着板２００を回転させて、内部面改質層Ｍ３を境界に裏面ウェハＷｂ１が縁切りされる。その後、図２３（ｂ）に示すように吸着板２００が裏面ウェハＷｂ１を吸着保持した状態で、当該吸着板２００を上昇させて、処理ウェハＷから裏面ウェハＷｂ１を分離する。この際、圧力センサ２１３で裏面ウェハＷｂ１を吸引する圧力を測定することで、裏面ウェハＷｂ１の有無を検知して、処理ウェハＷから裏面ウェハＷｂ１が分離されたか否かを確認することができる。なお、図２３（ｂ）に示したように吸着板２００を上昇させるだけで裏面ウェハＷｂ１を分離できる場合、図２３（ａ）に示した吸着板２００の回転を省略してもよい。また、分離された裏面ウェハＷｂ１は、ウェハ処理システム１の外部に回収される。
　続いて、図１４（ｆ）に示すようにチャック８１に保持された処理ウェハＷの裏面Ｗｂを研削し、当該裏面Ｗｂに残る内部面改質層Ｍ３と周縁改質層Ｍ１を除去する（図１３のステップＡ６）。ステップＡ６では、裏面Ｗｂに研削砥石を当接させた状態で、処理ウェハＷと研削砥石をそれぞれ回転させ、裏面Ｗｂを研削する。なおその後、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、処理ウェハＷの裏面Ｗｂが洗浄液によって洗浄されてもよい。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置７０により洗浄装置４１に搬送される。洗浄装置４１では処理ウェハＷの研削面である裏面Ｗｂがスクラブ洗浄される（図１３のステップＡ７）。なお、洗浄装置４１では、処理ウェハＷの裏面Ｗｂと共に、支持ウェハＳの裏面Ｓｂが洗浄されてもよい。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置５０によりエッチング装置４０に搬送される。エッチング装置４０では処理ウェハＷの裏面Ｗｂが薬液によりウェットエッチングされる（図１３のステップＡ８）。上述した加工装置８０で研削された裏面Ｗｂには、研削痕が形成される場合がある。本ステップＡ８では、ウェットエッチングすることによって研削痕を除去でき、裏面Ｗｂを平滑化することができる。
　その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置５０によりトランジション装置３０に搬送され、さらにウェハ搬送装置２０によりカセット載置台１０のカセットＣｔに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
　以上の実施形態によれば、周縁改質層Ｍ１を基点に周縁部Ｗｅを除去してエッジトリムを行い、さらに内部面改質層Ｍ３を基点に裏面ウェハＷｂ１を分離して処理ウェハＷの薄化処理を行っている。そして、これら周縁改質層Ｍ１と内部面改質層Ｍ３の形成に用いられるレーザヘッド１１０は経時的に劣化しにくく、消耗品が少なくなるため、メンテナンス頻度を低減することができる。また、レーザを用いたドライプロセスであるため、研削水や廃水処理が不要となる。このため、ランニングコストを低廉化することができる。したがって、従来の研削によるエッジトリムや研削による薄化処理に比して、ランニングコストを抑えることができる。
　なお、本実施形態では、ステップＡ６において裏面Ｗｂの研削を行っているが、この研削は内部面改質層Ｍ３及び周縁改質層Ｍ１を除去すればよく、その研削量は数十μｍ程度と少ない。これに対して、従来のように処理ウェハＷを薄化するために裏面Ｗｂを研削する場合、その研削量は例えば７００μｍ以上と多く、研削砥石の摩耗度合いが大きい。このため、本実施形態では、やはりメンテナンス頻度を低減することができる。
　また、本実施形態によれば、１つのレーザヘッド１１０を用いてレーザ光Ｌ１～Ｌ３の形状を調整することで、周縁改質層Ｍ１、分割改質層Ｍ２、及び内部面改質層Ｍ３を形成することができる。すなわち、改質層が延伸する方向や、求められる加工品質が異なる場合でも、１つのレーザヘッド１１０を用いてレーザ光の適切な形状を選択することができる。そして、このように任意の形状の改質層を形成することができるので、当該改質層を形成する自由度が向上する。また、装置の占有面積（フットプリント）を小さくすることができ、省スペース化を実現することができる。さらに、装置構成が単純になるので、装置コストを低廉化することも可能となる。このように本実施形態では、処理ウェハＷの薄化処理とエッジトリムの前処理を効率よく行うことができる。
　また、本実施形態では、ステップＡ１で周縁改質層Ｍ１を形成する際には偏心補正を行い、チャック１００の中心と接合領域Ａａの中心を一致させているので、周縁改質層Ｍ１を接合領域Ａａと同心円状に適切な位置に形成することができる。したがって、後続のステップＡ４において周縁部Ｗｅを適切に除去することができる。
　さらに、本実施形態では、ステップＡ３で内部面改質層Ｍ３を形成する際には偏心補正を行わず、そのレーザ光Ｌ３の照射開始位置Ｐｓを周縁改質層Ｍ１より径方向外側にしている。かかる場合、内部面改質層Ｍ３を処理ウェハＷの全面に適切に位置に形成することができる。しかも、ステップＡ３では、レーザヘッド１１０が中心部に位置する場合でも、偏心補正を行わず、高速の回転速度を維持することができる。その結果、内部面改質層Ｍ３の間隔を面方向で同じにすることができる。したがって、後続のステップＡ５において処理ウェハＷの分離を適切に行うことができる。
　以上のように本実施形態によれば、偏心補正の有無を使い分けて、ステップＡ１における周縁改質層Ｍ１の形成と、ステップＡ３における内部面改質層Ｍ３の形成との両方を適切に実現することができる。
　以上の実施形態では、ステップＡ３において偏心補正を行わずに、レーザ光Ｌ３の照射開始位置Ｐｓを周縁改質層Ｍ１より径方向外側することで、第２の偏心量を吸収して、処理ウェハＷの内部に内部面改質層Ｍ３を適切に形成することを実現した。この点、第２の偏心量を考慮した内部面改質層Ｍ３の形成方法はこれに限定されない。
　例えば図２４に示すように、レーザヘッド１１０からのレーザ光Ｌ３の照射開始位置Ｐｓを周縁改質層Ｍ１より径方向内側とする。そして、レーザヘッド１１０が処理ウェハＷの外周部に位置する範囲では、偏心補正を行う。すなわち、レーザヘッド１１０を径方向外側から内側に移動させつつ、チャック１００の中心と接合領域Ａａの中心が一致するように、回転部１０３によってチャック１００を回転させると共に、水平移動部１０４によってチャック１００をＹ軸方向に移動させる。この際、チャック１００の回転速度は遅いため、偏心補正を適切に行うことができる。そしてその結果、第２の偏心量を吸収して、周縁改質層Ｍ１の内側に内部面改質層Ｍ３を形成することができる。なお、本実施形態における偏心補正は、例えばレーザヘッド１１０がレーザ光Ｌ３を外側から数周分照射する間だけ行ってもよい。
　その後、レーザヘッド１１０が処理ウェハＷの中心部まで移動すると、チャック１００の回転速度は速くなる。そこで上記実施形態と同様に、レーザヘッド１１０が中心部に位置する範囲では、偏心補正を行わない。したがって、高速の回転速度を維持することができ、その結果、内部面改質層Ｍ３の間隔を面方向で同じにすることができる。
　以上のように本実施形態でも、上記実施形態と同様の効果を享受することができ、処理ウェハＷの内部に内部面改質層Ｍ３を適切に形成することができる。
　なお、以上の実施形態では、１つのレーザヘッド１１０によって異なる形状のレーザ光Ｌ１～Ｌ３を照射していたが、レーザヘッド１１０は、処理対象の重合ウェハＴが改質装置６０に搬入される前に較正（キャリブレーション）されるのが好ましい。より詳細には、重合ウェハＴがチャック１００に保持される前に、レーザヘッド１１０の較正をしておくのが好ましい。かかる場合、１つの処理ウェハＷに対する改質処理中にレーザヘッド１１０の較正を行う必要がなく、レーザ光Ｌ１～Ｌ３の切り替えに要する時間を短縮することができる。その結果、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　また、以上の実施形態では、周縁改質層Ｍ１を形成するに際し、レーザヘッド１１０から処理ウェハＷの内部に１つのレーザ光Ｌ１を照射したが、複数のレーザ光Ｌ１を照射してもよい。かかる場合、周縁改質層Ｍ１を形成する時間を短縮することができ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。同様に、内部面改質層Ｍ３を形成するに際し、レーザヘッド１１０から処理ウェハＷの内部に１つのレーザ光Ｌ３を照射したが、複数のレーザ光Ｌ３を照射してもよい。かかる場合も、内部面改質層Ｍ３を形成する時間を短縮することができ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
　以上の実施形態の改質装置６０には、１つのレーザヘッド１１０が設けられていたが、図２５に示すように複数、例えば２つのレーザヘッド１１０、３００が設けられていてもよい。本実施形態では説明の便宜上、レーザヘッド１１０を第１のレーザヘッド１１０といい、レーザヘッド３００を第２のレーザヘッド３００という。なお、レーザヘッドの数は本実施形態に限定されない。また、図２５においては図示の煩雑さを回避するため、マクロカメラ１４０とマイクロカメラ１５０の図示を省略している。
　第２のレーザヘッド３００は、第１のレーザヘッド１１０のＹ軸正方向側に設けられている。第２のレーザヘッド３００の構成は、第１のレーザヘッド１１０の構成と同様である。すなわち、第２のレーザヘッド３００は、レンズ３０１とＬＣＯＳ（図示せず）を有している。
　第２のレーザヘッド３００の支持構成も、第１のレーザヘッド１１０の支持構成と同様である。すなわち、第２のレーザヘッド３００は、支持部材３１０、レール３１１、昇降機構３２０、及び移動機構３２１に支持されている。そして、第２のレーザヘッド３００は、昇降自在かつＹ軸方向に移動自在に構成されている。
　かかる場合、周縁改質層Ｍ１を形成する際には、図２６に示すように第１のレーザヘッド１１０と第２のレーザヘッド３００を、処理ウェハＷの外周部において同心円上に配置する。そして、処理ウェハＷを回転させながら、第１のレーザヘッド１１０からレーザ光Ｌ１１を照射するとともに、第２のレーザヘッド３００からレーザ光Ｌ１２を照射する。そうすると、レーザ光Ｌ１１によって周縁改質層Ｍ１１が形成され、レーザ光Ｌ１２によって周縁改質層Ｍ１２が形成される。周縁改質層Ｍ１１、Ｍ１２はそれぞれ処理ウェハＷの半周分に形成され、これら周縁改質層Ｍ１１、Ｍ１２を合わせて周縁改質層Ｍ１が環状に形成される。すなわち、本実施形態では、周縁改質層Ｍ１を形成するにあたり、処理ウェハＷは１８０度回転させるだけでよい。したがって、周縁改質層Ｍ１を形成する時間を短縮することができ、その結果、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
　なお、上記例においては、第１のレーザヘッド１１０からのレーザ光Ｌ１１と、第２のレーザヘッド３００からのレーザ光Ｌ１２とを、処理ウェハＷの内部において同じ深さに照射し、周縁改質層Ｍ１１と周縁改質層Ｍ１２を同じ深さに形成していた。この点、レーザ光Ｌ１１とレーザ光Ｌ１２を異なる深さに照射し、周縁改質層Ｍ１１と周縁改質層Ｍ１２を異なる深さに形成してもよい。
　また、内部面改質層Ｍ３を形成する際には、図２７に示すように第１のレーザヘッド１１０と第２のレーザヘッド３００を、処理ウェハＷの外周部において同心円上に配置する。そして、処理ウェハＷを回転させると共に、第１のレーザヘッド１１０と第２のレーザヘッド３００をそれぞれ処理ウェハＷの外周部から中心部に向けてＹ軸方向に移動させる。すなわち、第１のレーザヘッド１１０をＹ軸正方向に移動させ、第２のレーザヘッド３００をＹ軸負方向に移動させる。この処理ウェハＷの回転及びレーザヘッド１１０、３００の移動中、第１のレーザヘッド１１０から処理ウェハＷの内部にレーザ光Ｌ３１を照射し、第２のレーザヘッド３００から処理ウェハＷの内部にレーザ光Ｌ３２を照射する。そうすると、レーザ光Ｌ３１によって内部面改質層Ｍ３１が形成され、レーザ光Ｌ３２によって内部面改質層Ｍ３２が形成される。内部面改質層Ｍ３１、Ｍ３２はそれぞれ螺旋状に形成され、処理ウェハＷの全面に内部面改質層Ｍ３が形成される。このように内部面改質層Ｍ３１、Ｍ３２を同時に形成することにより、内部面改質層Ｍ３を形成する時間を短縮することができ、その結果、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
　なお、以上の実施形態では、分割改質層Ｍ２の形成は、改質装置６０において他の周縁改質層Ｍ１と内部面改質層Ｍ３の形成で用いられるレーザヘッド１１０を用いて形成したが、別途のレーザヘッド（図示せず）を用いてもよい。さらに改質装置６０では、周縁改質層Ｍ１、分割改質層Ｍ２、内部面改質層Ｍ３をそれぞれ、別のレーザヘッド（図示せず）を用いて形成してもよい。
　以上の実施形態では、周縁部Ｗｅの除去は、周縁除去装置６１においてパッド１８０で周縁部Ｗｅを保持して除去していたが、除去方法はこれに限定されない。例えば、周縁部Ｗｅに対して、物理的な衝撃や超音波などを付与して除去してもよい。
　また以上の実施形態では、処理ウェハＷからの裏面ウェハＷｂ１の分離は、ウェハ搬送装置７０の搬送アーム７１から加工装置８０のチャック８１に重合ウェハＴを受け渡す際に行っていたが、分離方法はこれに限定されない。例えば、分離装置（図示せず）を周縁除去装置６１と同一装置内に設けてもよいし、分離装置（図示せず）を別途設けてもよい。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　１　　　ウェハ処理システム
　　６０　　改質装置
　　９０　　制御装置
　　１００　チャック
　　１０３　回転部
　　１０４　水平移動部
　　１１０　レーザヘッド
　　１５０　マイクロカメラ
　　Ａａ　　接合領域
　　Ａｂ　　未接合領域
　　Ｓ　　　支持ウェハ
　　Ｔ　　　重合ウェハ
　　Ｗ　　　処理ウェハ

Claims (14)

  1. 基板を処理する基板処理装置であって、
    第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において前記第２の基板を保持する保持部と、
    前記第１の基板と第２の基板が接合された接合領域と、当該接合領域の外側の未接合領域との境界を検出する検出部と、
    前記保持部に保持された前記第１の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成する周縁改質部と、
    前記保持部に保持された前記第１の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する内部面改質部と、
    前記保持部を水平方向に移動させる保持部移動機構と、
    前記検出部で検出された検出結果から、前記保持部の中心と前記接合領域の中心の偏心量を算出し、当該偏心量に基づいて、前記保持部の中心と前記接合領域の中心が一致するように、前記保持部移動機構を制御して前記保持部を移動させる偏心補正を行う制御部と、を有し、
    前記周縁改質部は、前記偏心補正を行って前記保持部を移動させながら、前記第１の基板の内部に前記周縁用レーザ光を照射し、
    前記内部面改質部は、少なくとも前記第１の基板の内部の中心部において、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する、基板処理装置。
  2. 前記内部面改質部による前記内部面用レーザ光の照射開始位置は、前記周縁改質層より径方向外側であって、
    前記内部面改質部は、前記照射開始位置から径方向内側に向けて、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記照射開始位置は、前記周縁改質層から径方向外側に前記偏心量以上離間した位置である、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記内部面改質部による前記内部面用レーザ光の照射開始位置は、前記周縁改質層より径方向内側であって、
    前記内部面改質部は、
    前記第１の基板の内部の外周部において、前記照射開始位置から径方向内側に向けて、前記偏心補正を行って前記保持部を移動させながら前記内部面用レーザ光を照射し、
    その後、前記第１の基板の内部の中心部において、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記周縁改質部と前記内部面改質部は、共通のレーザヘッドを有し、
    前記レーザヘッドは、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光を切り換える、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記レーザヘッドを複数有する、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記レーザヘッドは、鉛直方向に昇降自在且つ水平方向に移動自在に構成されている、請求項５又は６に記載の基板処理装置。
  8. 基板を処理する基板処理方法であって、
    第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において前記第２の基板を保持部で保持することと、
    前記第１の基板と第２の基板が接合された接合領域と、当該接合領域の外側の未接合領域との境界を検出することと、
    前記接合領域と前記未接合領域との境界の検出結果から、前記保持部の中心と前記接合領域の中心の偏心量を算出することと、
    前記偏心量に基づいて、前記保持部の中心と前記接合領域の中心が一致するように、前記保持部を移動させる偏心補正を行うことと、
    周縁改質部から前記保持部に保持された前記第１の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成することと、
    内部面改質部から前記保持部に保持された前記第１の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成することと、を有し、
    前記周縁改質部は、前記偏心補正を行って前記保持部を移動させながら、前記第１の基板の内部に前記周縁用レーザ光を照射し、
    前記内部面改質部は、少なくとも前記第１の基板の内部の中心部において、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する、基板処理方法。
  9. 前記内部面改質部による前記内部面用レーザ光の照射開始位置は、前記周縁改質層より径方向外側であって、
    前記内部面改質部は、前記照射開始位置から径方向内側に向けて、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記照射開始位置は、前記周縁改質層から径方向外側に前記偏心量以上離間した位置である、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記内部面改質部による前記内部面用レーザ光の照射開始位置は、前記周縁改質層より径方向内側であって、
    前記内部面改質部は、
    前記第１の基板の内部の外周部において、前記照射開始位置から径方向内側に向けて、前記偏心補正を行って前記保持部を移動させながら前記内部面用レーザ光を照射し、
    その後、前記第１の基板の内部の中心部において、前記偏心補正を行わずに前記内部面用レーザ光を照射する、請求項８に記載の基板処理方法。
  12. 前記周縁改質部と前記内部面改質部は、共通のレーザヘッドを有し、
    前記レーザヘッドは、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光を切り換える、請求項８～１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  13. 前記レーザヘッドは複数設けられ、
    前記周縁改質層を形成する際に、複数の前記レーザヘッドは、前記第１の基板の内部に前記周縁用レーザ光を同時に照射する、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記レーザヘッドは複数設けられ、
    前記内部面改質層を形成する際に、複数の前記レーザヘッドは、前記第１の基板の内部に前記内部面用レーザ光を同時に照射する、請求項１２に記載の基板処理方法。
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