JP2020198365A - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部を改質する外周改質装置と、前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去する除去装置と、前記外周改質装置および前記除去装置の動作を制御する制御装置と、を含む。または、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部を改質することと、前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去することと、を含む。【選択図】図11
Description
本開示は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。
特許文献1には、外周部に砥粒が設けられた円板状の研削工具を回転し、研削工具の少なくとも外周面を半導体ウェハに線状に当接させて半導体ウェハの周端部を略L字状に研削することが開示されている。半導体ウェハは、二枚のシリコンウェハを貼り合わせて作製されたものである。
本開示にかかる技術は、基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。
本開示の一態様は、基板を処理する基板処理システムであって、前記基板には表面膜が形成され、前記表面膜の外周部を改質する外周改質装置と、前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去する除去装置と、前記外周改質装置および前記除去装置の動作を制御する制御装置と、を含む。
本開示によれば、基板の貼り合わせの前処理を適切に行うことができる。
半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成されたウェハの裏面を研削して、当該ウェハを薄化することが行われている。この薄化されたウェハに対して、そのまま搬送を行ったり、そのまま後続の処理を行ったりすると、反りや割れが生じるおそれがある。そこで、この反りや割れの発生を抑制するため、例えばウェハを支持ウェハに貼り付けることにより補強することが行われている。
図1は、基板としての処理ウェハWと他の基板としての支持ウェハSとを貼り合わせて形成された重合ウェハTの構成の概略を示す側面図である。以下、処理ウェハWにおいて、支持ウェハSと接合される面を表面Waといい、表面Waとの反対側の面を裏面Wbという。同様に、支持ウェハSにおいて、処理ウェハWと接合される面を表面Saといい、表面Saと反対側の面を裏面Sbという。
処理ウェハWは、例えばシリコンウェハなどの半導体ウェハであって、表面Waに複数の電子回路等のデバイスを含むデバイス層(図示せず)が形成されている。また、デバイス層にはさらに酸化膜Fw、例えばSiO2膜(TEOS膜)が形成されている。
支持ウェハSは、処理ウェハWを支持するウェハである。支持ウェハSの表面Saには、酸化膜Fs、例えばSiO2膜(TEOS膜)が形成されている。また、支持ウェハSは、処理ウェハWの表面のデバイス層を保護する保護材として機能する。なお、支持ウェハSの表面Saに複数のデバイスが形成されている場合には、処理ウェハWと同様に表面Saにデバイス層(図示せず)が形成される。
通常、図1(a)に示すように処理ウェハWの外端部は面取り加工がされているが、上述したように処理ウェハWの裏面Wbに研削処理を行うと、処理ウェハWの外端部が鋭く尖った形状(いわゆるナイフエッジ形状)になる。そうすると、処理ウェハWの外端部でチッピングが発生し、処理ウェハWが損傷を被るおそれがある。そこで、図1(b)に示すように研削処理前に予め処理ウェハWの周縁部Weを除去する、いわゆるエッジトリムが行われている。なお、エッジトリムにより除去される周縁部Weは、例えば処理ウェハWの外端部から径方向に1mm〜5mmの範囲である。
上述した特許文献1に記載の端面研削装置は、このエッジトリムを行う装置である。しかしながら、この端面研削装置では、エッジトリムを研削により行うため、当該研削処理時に大量の粉塵(以下、「パーティクル」という。)が発生する。そして、かかるパーティクルが装置の内部において飛散した場合、ウェハを汚染するおそれがある。
そこで本発明者らは、図2に示すように、エッジトリムによる除去対象としての周縁部Weと中央部Wcとの境界にレーザ光を集光することにより内部改質層Mを形成し、かかる内部改質層Mに沿って周縁部Weの剥離を行った(レーザトリミング加工)。
このような、レーザトリミング加工によれば、特許文献1のような研削を行うことなく周縁部Weの除去を行うことができるため、エッジトリムにおいて発生するパーティクル量を減少させることができる。
また、前記レーザトリミング加工により正常に処理ウェハWの周縁部Weの除去を行うため、処理ウェハWと支持ウェハSとの接合前に、周縁部Weにおける酸化膜Fwと酸化膜Fsとの接合強度を低下させるための前処理が行われている。当該前処理は、例えば処理ウェハWの周縁部Weに形成された酸化膜Fwの外周部にレーザ光を集光し、酸化膜Fwの表面の粗面化や除去をすることにより行われる(以下の説明において、前処理が行われる酸化膜Fwの外周部を、「加工領域Fwe」という場合がある)。そして、かかる前処理により形成された加工領域Fweにおいては、接合時に酸化膜Fwと酸化膜Fsとが接合されず、重合ウェハTにおいては、接合領域と未接合領域が形成される。
ここで、上述のように前処理を酸化膜Fwの外周部の表面にレーザ光を照射することにより行う場合、図3に示すように、レーザ光Lrの照射により発生した微量のパーティクルPが飛散する場合がある。そして、このように発生したパーティクルが酸化膜Fwの表面に付着した場合、付着したパーティクルにより酸化膜Fwと酸化膜Fsとの接合界面にボイドが発生し、処理ウェハWと支持ウェハSの貼り合わせが正常に行われないおそれがあった。すなわち、ウェハの貼り合わせ前における前処理には改善の余地がある。
本開示にかかる技術は、基板の貼り合わせの前処理を適切に行う。以下、本実施形態にかかる処理システムを用いて行われる前処理の方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
先ず、本実施形態にかかる処理システムの構成について説明する。図4は、処理システム1の構成の概略を示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図4に示すように処理システム1は、例えば外部との間で複数の処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットCw、Cs、Ctが搬入出される搬入出ステーション2と、処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。
搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11がY軸方向に一列に並べて配置されている。これらカセット載置板11には、処理システム1の外部に対してカセットCw、Cs、Ctを搬入出する際に、カセットCw、Cs、Ctを載置することができる。このように、搬入出ステーション2は、複数の処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。また、カセット載置板11には、カセットCw、Cs、Ct以外に、たとえば不具合が生じたウェハを回収するためのカセットが載置されてもよい。
搬入出ステーション2には、カセット載置台10のX軸正方向側において、当該カセット載置台10に隣接してウェハ搬送装置20が設けられている。ウェハ搬送装置20は、Y軸方向に延伸する搬送路21上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置20は、処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTを保持して搬送する、搬送アーム22を有している。搬送アーム22は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム22の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置20は、カセット載置台10のカセットCw、Cs、Ct、及び後述するトランジション装置70に対して、処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTを搬送可能に構成されている。
処理ステーション3には、例えば3つの処理ブロックG1〜G3が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図4のY軸負方向側)には、第1の処理ブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図4のY軸正方向側)には、第2の処理ブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3の搬入出ステーション2側(図4のX軸負方向側)には、第3の処理ブロックG3が設けられている。
第1の処理ブロックG1には、保護膜形成装置30、外周改質装置としての前処理装置40が配置されている。保護膜形成装置30と前処理装置40は、X軸負方向側(搬入出ステーション2側)からこの順で並べて配置されている。
また第2の処理ブロックG2には、除去装置としての洗浄装置50、接合装置60が配置されている。洗浄装置50と接合装置60は、X軸負方向側(搬入出ステーション2側)からこの順で並べて配置されている。
なお、保護膜形成装置30、前処理装置40、洗浄装置50及び接合装置60の数や配置はこれに限定されない。例えば保護膜形成装置30と前処理装置40、または洗浄装置50と接合装置60はそれぞれ積層されていてもよい。また、保護膜形成装置30と前処理装置40が第2の処理ブロックG2に設けられていてもよいし、第1の処理ブロックG1及び第2の処理ブロックG2に配置される装置の組み合わせもこれに限定されない。
保護膜形成装置30は、後述の前処理装置40における前処理を行う前の処理ウェハWに対して保護膜材を供給し、酸化膜Fwの表面に保護膜Wpを形成する。保護膜材としては、例えば水溶性材料が選択される。なお、保護膜形成装置30の詳細な構成については後述する。
前処理装置40は、酸化膜Fwの外周部にレーザ光を照射し、酸化膜Fwの表面に改質パターンを形成することで加工領域Fweを形成する。前処理装置40は、図5に示すように処理ウェハWの表面Wa(酸化膜Fwの形成面)が上側であって裏面Wbが下側に配置された状態で、処理ウェハWを保持するチャック41を有している。チャック41は、移動機構42によってX軸方向及びY軸方向に移動可能に構成されている。移動機構42は、一般的な精密XYステージで構成されている。また、チャック41は、回転機構43よって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。
チャック41の上方には、加工領域Fweにおける酸化膜Fwの表面にレーザ光Lrを照射するレーザ照射部44が設けられている。レーザ照射部44は、レーザ光発振器(図示せず)から発振された高周波のパルス状のレーザ光Lr、例えば赤外光を、加工領域Fweの所望位置に集光する。レーザ照射部44は、移動機構45によってX軸方向及びY軸方向に移動可能に構成されていてもよい。移動機構45は、一般的な精密XYステージで構成されている。またレーザ照射部44は、昇降機構46によってZ軸方向に移動可能に構成されていてもよい。
なお、前記レーザ光LrはCWレーザであってもよく、波長も任意に選択することができる。また、加工領域Fweに対するレーザ光Lrの集光位置は、上述の構成によればチャック31の回転に加え、チャック31およびレーザ照射部34の水平移動により調整されるが、かかる水平移動に代え、ガルバノミラーを配置し、ミラー角度を変化させることにより調整を行ってもよい。
なお、かかる前処理においては、図3に示したようにレーザ光の集光によりパーティクルPが発生し、当該発生したパーティクルPは前処理装置40の内部に飛散する。
洗浄装置50は、前処理装置40において前処理が行われた処理ウェハWを洗浄する。具体的には、保護膜形成装置30において形成された保護膜Wpを除去することにより、前処理装置40において保護膜Wpの表面に付着したパーティクルPを、保護膜Wpと共に洗い流す。ここで、洗浄装置50において処理ウェハWに供給される洗浄液としては、保護膜Wpを除去することができるもの、本実施形態によれば、例えば純水が選択される。
接合装置60は、処理ウェハWの酸化膜Fwと、支持ウェハSの酸化膜Fsとを接合する。接合装置60においては、接合に先だって、酸化膜Fwと酸化膜Fsは、それぞれ活性化され親水化される。そして、親水化された酸化膜Fwと酸化膜Fsは、処理ウェハWの中心部と支持ウェハSの中心部が当接されることにより水素結合による接合が開始し、いわゆるボンディングウェーブが発生する。そして、ボンディングウェーブが酸化膜Fw、Fsの中心部から拡散を開始し、周縁部まで到達すると、酸化膜Fw、Fsの全面が水素結合によって接合される。またさらに、接合された重合ウェハTにアニール処理を行い、酸化膜Fwと酸化膜Fsから水を除去して接合強度を確保する。なお、前処理装置40において前処理が施された加工領域Fweにおいては酸化膜Fwと酸化膜Fsが接合されず、接合領域が形成される。
第3の処理ブロックG3には、処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡すためのトランジション装置70が設けられている。なお、トランジション装置70の数や配置はこれに限定されない。例えばトランジション装置70は多段に積層して設けられてもよい。
図4に示すように第1の処理ブロックG1〜第3の処理ブロックG3に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域80が形成されている。ウェハ搬送領域80には、例えばウェハ搬送装置81が配置されている。
ウェハ搬送装置81は、例えば鉛直方向、水平方向(X軸方向、Y軸方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アーム82を有している。搬送アーム82は、処理ウェハWの裏面Wbの端部近傍(周縁部Weの近傍)を下方から保持する。
ウェハ搬送装置81は、ウェハ搬送領域80内を移動し、任意の、周囲の第1の処理ブロックG1の装置、第2の処理ブロックG2の装置及び第3の処理ブロックG3の装置に処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。
以上の処理システム1には、制御装置90が設けられている。制御装置90は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、処理システム1におけるウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御装置90にインストールされたものであってもよい。
次に、上述した保護膜形成装置30の構成について説明する。図6、図7はそれぞれ保護膜形成装置30の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
図6に示すように保護膜形成装置30は、内部を閉鎖可能な処理容器100を有している。図7に示すように処理容器100の側面には、処理ウェハWの搬入出口101が形成され、搬入出口101には、開閉シャッタ102が設けられている。
図6に示すように処理容器100内の中央部には、処理ウェハWを保持して回転させるスピンチャック110が設けられている。スピンチャック110は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば処理ウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、処理ウェハWをスピンチャック110上に吸着保持できる。
スピンチャック110の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部111が設けられている。スピンチャック110は、チャック駆動部111により任意の速度に回転できる。また、チャック駆動部111には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック110は昇降自在になっている。
スピンチャック110の周囲には、処理ウェハWから飛散又は落下する保護液を受け止め、回収するカップ112が設けられている。カップ112の下面には、回収した液体を排出する排出管113と、カップ112内の雰囲気を排気する排気管114が接続されている。
図7に示すようにカップ112のX方向負方向(図7の下方向)側には、Y方向(図7の左右方向)に沿って延伸するレール120が形成されている。レール120は、例えばカップ112のY方向負方向(図7の左方向)側の外方からY方向正方向(図7の右方向)側の外方まで形成されている。レール120には、例えば2本のアーム121、122が取り付けられている。
図6及び図7に示すように第1のアーム121には、処理ウェハWに形成された酸化膜Fwに保護膜材を供給する保護膜材ノズル130が支持されている。第1のアーム121は、図7に示すノズル駆動部131により、レール120上を移動自在である。これにより、保護膜材ノズル130は、カップ112のY方向正方向側の外方に設置された待機部132からカップ112内の処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該処理ウェハWの表面上を処理ウェハWの径方向に移動できる。また、第1のアーム121は、ノズル駆動部131によって昇降自在であり、保護膜材ノズル130の高さを調整できる。
図6に示すように保護膜材ノズル130には、当該保護膜材ノズル130に保護膜材を供給する供給管133が接続されている。供給管133は、内部に保護膜材を貯留する保護膜材供給源134に連通している。また、供給管133には、保護膜材の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群135が設けられている。
図6及び図7に示すように第2のアーム122には、保護膜材を除去する溶剤、例えば純水を供給する外周除去部としての溶剤ノズル140が支持されている。第2のアーム122は、図7に示すノズル駆動部141によってレール120上を移動自在であり、溶剤ノズル140を、カップ112のY方向負方向側の外方に設けられた待機部142からカップ112内の処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該処理ウェハWの表面上を処理ウェハWの径方向に移動できる。また、ノズル駆動部141によって、第2のアーム122は昇降自在であり、溶剤ノズル140の高さを調節できる。
図6に示すように溶剤ノズル140には、当該溶剤ノズル140に溶剤を供給する供給管143が接続されている。供給管143は、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源144に連通している。また、供給管143には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群145が設けられている。
なお、本実施形態では、保護膜材ノズル130を支持する第1のアーム121と溶剤ノズル140を支持する第2のアーム122はそれぞれ同じレール120に取り付けられていたが、別々のレールに取り付けられていてもよい。また、保護膜材ノズル130と溶剤ノズル140はそれぞれ別々のアーム121、122に支持されていたが、同じアームに支持されていてもよい。
次に、以上のように構成された処理システム1を用いて行われる処理方法としてのウェハ処理について説明する。
先ず、複数の処理ウェハWを収容したカセットCw、複数の支持ウェハSを収容したカセットCs及び空のカセットCtが、搬入出ステーション2のカセット載置台10に載置される。
次に、ウェハ搬送装置20によりカセットCw内の処理ウェハWが取り出され、処理ステーション3のトランジション装置70に搬送される。続けて、ウェハ搬送装置81により、トランジション装置70の処理ウェハWが取り出され、第1の処理ブロックG1の保護膜形成装置30に搬送される。
保護膜形成装置30では、図8(a)に示すようにスピンチャック110上に保持された処理ウェハWに対して保護膜材ノズル130から保護膜材がスピン塗布され、酸化膜Fwの表面に保護膜Wpが形成される。なお、保護膜材としては例えば水溶性材料が選択される。
ここで、図8(a)に示したように保護膜材をスピン塗布する場合、塗布された保護膜材が処理ウェハWの端部を介して裏面Wbに回り込む場合がある。このように保護膜材が処理ウェハWの裏面に回り込んだ場合、前述のようにウェハ搬送装置81の搬送アーム82は処理ウェハWの裏面Wbの端部近傍を保持するため、かかる回り込んだ保護膜材により搬送アーム82が汚染される恐れがある。
そこで保護膜形成装置30における保護膜材のスピン塗布にあたっては、スピン塗布により処理ウェハWの端部を介して裏面Wb側に回り込んだ保護膜材を除去することが望ましい。具体的には、図8(b)に示すように保護膜材のスピン塗布を行っている際に酸化膜Fwの外周部に対して溶剤ノズル140から溶剤、本実施形態においては例えば純水、を供給する。これにより、保護膜材が処理ウェハWの裏面Wbに回り込むことを抑制し、図8(c)に示すように適切に保護膜Wpを形成することができる。
なお保護膜Wpの形成範囲は、図8(c)に示したように平面視において酸化膜Fwの形成範囲と一致していてもよいが、図9に示すように酸化膜Fwの形成範囲よりも小さくてもよい。換言すれば、溶剤ノズル190から塗布される溶剤により、図9に示すように保護膜Wpの外周部Wpeを除去してもよい。
保護膜Wpが形成されると、処理ウェハWは、ウェハ搬送装置81によって前処理装置40に搬送される。
前処理装置40では、図10に示すように、酸化膜Fwの加工領域Fweにレーザ光を照射する。これによって、酸化膜Fwの表面においてレーザ光が集光した部分が除去または粗面化(以下、かかるレーザ光による「除去」および「粗面化」を総称して「改質」という)し、改質表面Fmが形成される。そして、これにより改質表面Fmが形成された加工領域Fweにおいては、後の接合装置60において支持ウェハSとの接合が行わず、重合ウェハTに接合領域が形成される。
なお、前処理装置40における前処理においては、図3に示したようにパーティクルPが発生する。発生したパーティクルPは、酸化膜Fwの表面に付着することにより、支持ウェハSの酸化膜Fsとの接合時にボイドを発生させる原因となり得る。しかしながら、本実施形態にかかるウェハ処理においては、酸化膜Fwの表面に保護膜Wpを表面に形成しているため、酸化膜FwにパーティクルPが付着することを適切に抑制できる。
改質表面Fmが形成されると、処理ウェハWは、ウェハ搬送装置81によって洗浄装置50に搬送される。
洗浄装置50では、保護膜形成装置30で形成された保護膜Wpの除去を行う。保護膜Wpの除去は、例えば保護膜Wpに、当該保護膜Wpを除去するための溶剤Gをスピン塗布することにより行われる。溶剤は、酸化膜Fwに形成された保護膜Wpの材質に応じて選択され、例えば本実施形態においては純水が選択される。
そして、かかる保護膜Wpの除去に際しては、図11に示すように前述の前処理において保護膜Wpに付着したパーティクルPが保護膜Wpと共に除去される。
保護膜Wpが除去されると、処理ウェハWは、ウェハ搬送装置81によって接合装置60に搬送される。また、支持ウェハSがカセットCsから取り出され、トランジション装置70を介して接合装置60に搬送される。
なお、支持ウェハSの表面Saに複数のデバイスが形成されている場合には、処理ウェハWと同様に、支持ウェハSに対しても保護膜の形成、前処理、保護膜の洗浄が順次行われてもよい。
接合装置60では、処理ウェハWと支持ウェハSはそれぞれ酸化膜Fw、Fsが形成された表面Wa、Saが対向するように保持部に保持される。そして、かかる状態で酸化膜Fw、Fsが中心部から当接され、徐々に外周部に向けて接合が行われることで、重合ウェハTが形成される。
なお、接合に先だって酸化膜FwおよびFsは、親水化、改質されていることが好ましい。かかる親水化、改質は任意の場所で行うことができ、処理システム1の外部で行われてもよいし、内部で行われてもよい。また、接合装置60の外部で行われてもよいし、内部で行われてもよい。
ここで、加工領域Fweには前述のように改質表面Fmが形成されているため、酸化膜Fw、Fsが接合されず、当該酸化膜Fw、Fsの界面には接合領域と接合領域が形成される。具体的には、改質表面Fmの形成されていない酸化膜Fwの中心部では接合領域が形成され、改質表面Fmが形成された加工領域Fweでは接合領域が形成される。
次に、形成された重合ウェハTはウェハ搬送装置81によってトランジション装置70に搬送される。そして、トランジション装置70に搬送された重合ウェハTは、ウェハ搬送装置20によりカセットCtへと搬送され、処理システム1における一連のウェハ処理は終了する。
なお、処理システム1から搬出された重合ウェハTは、図示しないエッジトリムを行うための装置、例えば周縁除去装置へと搬送される。そして、図2に示したように接合領域と接合領域との境界に沿って内部改質層Mが形成された後、当該内部改質層Mに沿って周縁部Weが除去される(エッジトリム)。かかるエッジトリムに際しては、前述のように接合領域が酸化膜Fwの外周部に形成されているため、適切に周縁部Weを除去することができる。
なお、かかるエッジトリムにあたっては除去対象としての周縁部Weを処理ウェハWの薄化とともに行ってもよい。具体的には、周縁除去装置においては図12(a)に示すように内部改質層Mに加えて内部面改質層M1を形成する。そして、図12(b)に示すように内部改質層Mと内部面改質層M1を基点に、処理ウェハWが第1の分離ウェハW1と第2の分離ウェハW2に分離される。この際、周縁部Weは第2の分離ウェハW2に付いて一体となり、第1の分離ウェハW1から周縁部Weが除去される。
以上の実施形態によれば、酸化膜Fwの表面に保護膜Wpを形成することにより、前処理により発生するパーティクルが酸化膜Fwに付着することを抑制でき、また、保護膜Wpと共に付着したパーティクルを除去することができる。これにより、処理ウェハWと支持ウェハSの接合時におけるボイドの発生を抑制し、適切に接合を行うことができる。
また、保護膜形成装置30においては、溶剤ノズル140から塗布される溶剤により処理ウェハWの端部から裏面Wbに回り込む保護膜材を除去するため、当該処理ウェハWを下方から保持するウェハ搬送装置81へ保護膜材が付着するのを抑制できる。そして、このようにウェハ搬送装置81に保護膜材が付着しないため、当該ウェハ搬送装置81を介して他の処理ウェハWを汚染する、いわゆるクロスコンタミネーションの発生を抑制できる。
なお、本実施形態によれば溶剤ノズル140はスピンチャック110の上方に配置され、上方から酸化膜Fwの外周部に対して溶剤を供給したが、溶剤ノズル140の配置はこれに限定されない。例えば、保護膜形成装置30において溶剤を供給する溶剤ノズル140は、図13に示すようにスピンチャック110の下方、すなわち、スピンチャック110に保持された処理ウェハWの裏面Wb側に配置されていてもよい。
また保護膜Wpは、上述のように酸化膜Fwに対してパーティクルが付着するのを抑制するために形成される。そこで、図9に示したように保護膜Wpの外周部Wpeを除去する場合、除去される外周部Wpeの径方向の幅は、図14に示すように、前処理装置40において形成される改質表面Fmの径方向の幅よりも小さいことが望ましい。すなわち、外周部Wpeの除去により露出した酸化膜Fwに対してパーティクルが付着するのを防止できるように、保護膜Wpが除去される外周部Wpeの幅が決定されることが望ましい。
なお、以上の実施形態によれば、保護膜材としては水溶性材料が選択されたが、前処理において発生したパーティクルが酸化膜Fwに付着することを抑制し、また、酸化膜Fwに影響を与えるものでなければ、任意の材料を使用することができる。
また、溶剤ノズル140から供給される溶剤、または、洗浄装置50において供給される溶剤としては、保護膜Wpを適切に除去することができるものであれば、保護膜Wpの材料に応じて任意の溶剤、例えばTMAHやDHFを選択できる。
なお、以上の実施の形態によれば、付着したパーティクルを適切に除去することにより接合におけるボイドの発生を抑制したが、当該付着するパーティクルの量をさらに軽減するように前処理装置40を構成してもよい。
具体的には、前処理装置40には、例えば図15(a)に示すように、パーティクルPを拡散させるための流体供給部としての流体ノズル47が設けられていてもよい。流体ノズル47は、例えば処理ウェハWの周縁部We上方に設けられている。また、流体ノズル47からは例えば純水や気体等が供給され、発生したパーティクルPを径方向外側へと拡散させることができる。これにより、発生したパーティクルPが処理ウェハWの径方向内側へと飛散し、保護膜Wpの表面に付着することを抑制することができる。なお、流体ノズル47は、発生したパーティクルPをより確実に径方向外側へと飛散させるため、例えば処理ウェハWの中央部の上方や、処理ウェハWの裏面Wb側に更に設けられていてもよい。
また、前処理装置40の構成は発生したパーティクルPを外周方向へ飛散させることができる構成であればよく、上述した構成には限定されない。例えば図15(b)に示すように、処理ウェハWにおける径方向内側が陽圧(図15(b)における「+」)、外側が負圧(図15(b)における「−」)となるように前処理装置40内部の圧力を制御してもよい。これにより前処理装置40においては処理ウェハWの径方向内側から外側に向けての気流が形成され、発生したパーティクルPの外周方向への飛散を適切に行うことができる。またかかる場合、処理ウェハWの端部の径方向外側に、例えば真空ポンプなどに接続される吸引機構48を設けることにより、更に適切に径方向内側から外側に向けての気流を形成することができる。
なお、以上の実施形態によれば、保護膜を形成、除去により前処理において発生するパーティクルの酸化膜Fwへの付着を防止したが、前処理において発生するパーティクルの対策はこれに限定されない。
図16は、第2の実施形態に係る処理システム200の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、本実施形態において、第1の実施形態にかかる処理システム1と実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本実施形態にかかる処理ステーション3の第1の処理ブロックG1には、液処理装置210が配置されている。また、第2の処理ブロックG2には、洗浄装置50、接合装置60が配置されている。なお、液処理装置210、洗浄装置50及び接合装置60の数や配置はこれに限定されない。
液処理装置210は、図17に示すように、酸化膜Fwが上方を向いた状態で処理ウェハWを保持するチャック211を有している。チャック211は、回転機構212によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。チャック211の上方には、酸化膜Fwの外周部にエッチング液Eを塗布するノズル220が設けられている。ノズル220は、エッチング液Eを貯留して供給するエッチング液供給源(図示せず)に連通している。またノズル220は、移動機構(図示せず)によってX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能に構成されている。
液処理装置210では、前処理が行われた後の処理ウェハWの表面に対してノズル220からエッチング液Eを供給する。これにより図18に示すように、前処理により発生し、酸化膜Fwの表面に付着したパーティクルがエッチング液Eにより除去される。
本実施形態によれば、酸化膜Fwに対して保護膜Wpを形成することなく、適切に酸化膜Fwに付着したパーティクルを除去することができる。そしてこれにより、接合においてパーティクルに起因するボイドの発生を抑制することができる。
なお、ノズル220から供給されるエッチング液Eとしては、任意の材料を選択することができるが、パーティクルのみを除去し、酸化膜Fwには影響を及ぼさない材料が選択されることが最も望ましい。
また、例えばエッチング液がパーティクルのみならず、酸化膜Fwを除去する恐れがある場合、当該エッチング液Eの供給量などの制御することにより、パーティクル及び酸化膜Fwの除去を制御することが望ましい。
なお、処理ウェハWを処理する処理システムの構成は、以上の第1の実施形態、第2の実施形態に示した構成例には限らず、任意の構成を取り得る。例えば、処理システムにおいては前処理のみが行われてもよい。かかる場合、保護膜形成装置30、前処理装置40及び洗浄装置50のみが処理システムに配置され、処理ウェハWと支持ウェハSの接合は処理システムの外部において行われる。または、前処理装置40及び液処理装置210のみが処理システムに配置されてもよい。
また例えば、処理システムには、上述のようにエッジトリムを行うための周縁除去装置や加工装置が更に配置されていてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上記の実施の形態においては処理前後の処理ウェハWの形状がそれぞれ円板形状である場合を例に説明を行ったが、処理ウェハWの形状もこれに限られるものではない。例えば処理ウェハWは、角型(四角形状)であってもよい。
1 処理システム
40 前処理装置
44 レーザ照射部
50 洗浄装置
Fw 酸化膜
Fwe 加工領域
W 処理ウェハ
40 前処理装置
44 レーザ照射部
50 洗浄装置
Fw 酸化膜
Fwe 加工領域
W 処理ウェハ
Claims (20)
- 基板を処理する基板処理システムであって、
前記基板には表面膜が形成され、
前記表面膜の外周部を改質する外周改質装置と、
前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去する除去装置と、
前記外周改質装置および前記除去装置の動作を制御する制御装置と、を含む基板処理システム。 - 前記制御装置は、前記表面膜のウェットエッチングにより前記パーティクルを除去するように、前記除去装置を制御する、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記表面膜に保護膜を形成する保護膜形成装置を含み、
前記保護膜形成装置の動作は、前記制御装置により制御される、請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記保護膜形成装置は、前記保護膜の外周部を除去する外周除去部を備える、請求項3に記載の基板処理システム。
- 前記制御装置は、前記保護膜の除去により前記パーティクルを除去するように、前記除去装置を制御する、請求項3または4に記載の基板処理システム。
- 前記制御装置は、
前記保護膜形成装置、前記外周改質装置、前記除去装置において、この順に前記基板の処理が行われるように前記基板の処理を制御する、請求項5に記載の基板処理システム。 - 前記外周改質装置は、改質処理中に前記表面膜の外周部に流体を供給する流体供給部を備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記制御装置は、前記流体供給部により、前記外周改質装置の内部に形成される前記基板の径方向内側から径方向外側に向けての流れを制御する、請求項7に記載の基板処理システム。
- 前記外周改質装置は、前記表面膜の表面にレーザを照射して前記表面膜の外周部を改質するレーザ照射部を備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記外周改質装置で外周部が改質された前記基板の表面膜と、他の基板に形成された他の表面膜とを接合する接合装置を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板には表面膜が形成され、
前記表面膜の外周部を改質することと、
前記表面膜の外周部の改質により発生したパーティクルを除去することと、を含む基板処理方法。 - 前記パーティクルの除去は、前記表面膜をウェットエッチングすることにより行われる、請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記外周部の改質よりも前に、前記表面膜へ保護膜を形成することを含む、請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記保護膜の外周部を除去することを含む、請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記パーティクルの除去は、前記保護膜を除去することにより行われる、請求項13または14に記載の基板処理方法。
- 保護膜形成装置において、前記保護膜を形成することと、前記保護膜の外周部を除去すること、を順次行い、
その後、前記保護膜形成装置から外周改質装置に前記基板を搬送し、
前記外周改質装置において、前記表面膜の外周部を改質し、
その後、前記外周改質装置から除去装置に前記基板を搬送し、
前記除去装置において、前記保護膜の除去により、前記パーティクルを除去する、請求項15に記載の基板処理方法。 - 前記表面膜の改質処理中に、前記表面膜の外周部に流体を供給する、請求項11〜16のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記表面膜の改質処理中に、流体により、前記基板の径方向内側から径方向外側に向けての流れを形成する、請求項17に記載の基板処理方法。
- 前記外周部が改質された前記基板の表面膜と、他の基板に形成された他の表面膜とを接合することを含む、請求項11〜18のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記外周部が改質された前記基板の周縁部を除去することを含む、請求項19に記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019103702A JP2020198365A (ja) | 2019-06-03 | 2019-06-03 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
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JP2019103702A Pending JP2020198365A (ja) | 2019-06-03 | 2019-06-03 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
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-
2019
- 2019-06-03 JP JP2019103702A patent/JP2020198365A/ja active Pending
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