CN108220907B

CN108220907B - 等离子体装置

Info

Publication number: CN108220907B
Application number: CN201711326795.5A
Authority: CN
Inventors: 马场哲治; 加藤典之
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2016-12-15
Filing date: 2017-12-13
Publication date: 2020-02-18
Anticipated expiration: 2037-12-13
Also published as: CN108220907A; US20180174800A1; JP6891788B2; JP2018098210A; US11251019B2

Abstract

本发明提供一种等离子体装置，在对工件进行等离子体处理的等离子体装置中，抑制处理对象物的变形。等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，将工件密封在关闭的第一模及第二模的内部。工件具有：处理对象物，具有处理对象部分和处理对象部分的外周的非处理对象部分；及掩模部件，覆盖非处理对象部分。第一模具有：相向平面部，与工件的外周表面相向配置；第一凹陷部，与处理对象部分相向配置并产生等离子体；及第二凹陷部，在相向平面部与第一凹陷部之间与非处理对象部分相向配置并产生等离子体。第二凹陷部的深度设定为与第一凹陷部的深度不同的值。

Description

等离子体装置

技术领域

本发明涉及等离子体装置。

背景技术

已知有通过等离子体CVD法在基板上进行成膜的装置。日本特开2009-62579号公报记载了以下那样的成膜装置。该成膜装置利用成膜室的上部的壁和下部的壁将基板夹入，向成膜室填充成膜气体，产生从配置在成膜室的内部的基板的下侧的高频电极朝向配置在基板的上侧的接地电极的等离子体，由此进行成膜。

发明内容

发明所要解决的课题

当在基板的成膜对象部分的外周设置不应成膜的部分(以下也称为“非成膜对象部分”)的情况下，多以覆盖该非成膜对象部分的方式配置掩模部件。例如，在将基板夹入的成膜室的上部的壁与下部的壁之间的部分(非成膜对象部分)，抑制等离子体的侵入，抑制从等离子体接收的热量引起的温度上升。因此，非成膜对象部分与成膜对象部分的温度差变大。其结果是，以成膜时的非成膜对象部分与成膜对象部分的温度差为起因，处理对象物发生变形，即使在处理后有时处理对象物也会残留变形。需要说明的是，该问题不仅在通过等离子体进行成膜的情况下，在通过等离子体进行蚀刻的情况下也同样。因此，在进行成膜或蚀刻的等离子体处理的等离子体装置中，希望能够抑制由于处理对象物的处理对象部分与非处理对象部分的温度差而产生的处理对象物的变形的技术。

用于解决课题的方法

本发明为了解决上述的课题而作出，可以作为以下的方式来实现。

(1)根据本发明的一方式，提供一种对工件进行等离子体处理的等离子体装置。该等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，在由所述第一模及所述第二模形成的密闭空间的内部配置所述工件。所述工件具有：处理对象物，具有处理对象部分和沿与处理对象物垂直的方向观察时位于比所述处理对象部分的一部分靠所述处理对象物的外周侧的非处理对象部分；及掩模部件，覆盖所述非处理对象部分。所述第一模具有：第一凹陷部，与所述处理对象部分相向配置并产生等离子体；第二凹陷部，与覆盖所述非处理对象部分的所述掩模部件的至少一部分相向配置并产生等离子体；及相向平面部，以包围所述第一凹陷部及所述第二凹陷部的方式配置，配置在比所述第一凹陷部及所述第二凹陷部接近所述第二模的位置。所述第二凹陷部的深度设定为与所述第一凹陷部的深度不同的值。

根据该方式的等离子体装置，通过在第二凹陷部产生的等离子体能够使非处理对象部分的温度上升，能够抑制处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差，因此能够抑制处理对象物的变形。

(2)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第二凹陷部的深度设定得小于所述第一凹陷部的深度。

根据该方式的等离子体装置，能够抑制将工件密封的空间的大小的增大，同时通过在第二凹陷部产生的等离子体使非处理部分的温度上升。

(3)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第一模还具有将所述第一凹陷部与所述第二凹陷部分隔的分隔壁，在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，所述间隙比所述第二凹陷部的底面与所述掩模部件之间的间隔小。

在该方式的等离子体装置中，第一凹陷部内的物质经由间隙而流入第二凹陷部内，因此在第二凹陷部内也产生等离子体。其结果是，在第二凹陷部能够使非处理部分的温度上升，能够抑制处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差。因此，能够抑制处理对象物的变形。

(4)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第一模具有构成所述第二凹陷部的底面的能够移动的底面部件，所述等离子体装置具有通过变更所述第二凹陷部的底面的位置来调整所述第二凹陷部的深度的深度调整部。

根据该方式的等离子体装置，通过调整第二凹陷部的深度，能够使非处理对象部分的温度上升而使处理对象部分与非处理对象部分的温度差成为适当的值，同时适当地设定由第一模和第二模形成的密闭空间的大小。

(5)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第一模还具有构成所述第一凹陷部的底面的能够移动的底面部件，所述深度调整部通过变更所述第一凹陷部的底面的位置来调整所述第一凹陷部的深度。

根据该方式的等离子体装置，通过独立地调整第一凹陷部及第二凹陷部的深度，能够将处理对象部分与非处理对象部分的温度差调整得小。而且，能够根据处理对象部分的等离子体处理所需的等离子体量来调整第一凹陷部及第二凹陷部的深度。

(6)在上述方式的等离子体装置中，可以是，还具有：第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，所述深度调整部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式执行所述调整。

根据该方式的等离子体装置，能够可靠地使处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内。

(7)在上述方式的等离子体装置中，可以是，还具备：第一施加电极，配置在所述第一凹陷部内；第二施加电极，配置在所述第二凹陷部内；及高频电力施加部，向所述第一施加电极及所述第二施加电极分别独立地施加高频电力。

根据该方式的等离子体装置，向第二施加电极施加高频电力而使非处理对象部分的温度上升，由此能够减小处理对象部分与非处理对象部分的温度差。

(8)在上述方式的等离子体装置中，可以是，还具有：第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，所述高频电力施加部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式至少调整向所述第二施加电极施加的高频电力。

本发明也可以通过上述的等离子体装置以外的各种方式实现。例如，可以通过进行等离子体处理的方法、等离子体装置的控制方法及控制装置、用于实现这些装置或方法的功能的计算机程序、记录有该计算机程序的记录介质等方式实现。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体装置的结构的概略剖视图。

图2是等离子体装置的分解立体图。

图3是等离子体装置的局部放大图。

图4是表示等离子体装置的等离子体处理方法的一例的工序图。

图5是局部性地表示第二实施方式的等离子体装置的结构的局部概略剖视图。

图6是表示第三实施方式的等离子体装置的图。

图7是表示第四实施方式的等离子体装置的图。

图8是局部性地表示第五实施方式的等离子体装置的结构的局部概略剖视图。

图9是表示第六实施方式的等离子体装置的图。

图10是表示第七实施方式的等离子体装置的图。

图11是局部性地表示第八实施方式的等离子体装置的结构的局部概略剖视图。

附图标记说明

10…处理对象物

10A…处理对象部分

10B…非处理对象部分

20、20a、20c…掩模部件

21、21a…上侧掩模部件

22、22a、22b、22c…下侧掩模部件

23a、24a…倾斜面

30、30b、30c…绝缘部件

35…绝缘部件

43A、44A…第一辐射温度计

43B、44B…第二辐射温度计

50…开闭装置

52…深度调整部

55…传送装置

61、62、65、66…密封部件

70…电力施加部

70r…高频电力施加部

71、71rA、71rB、72rA、72rB…电力导入部

75A…上侧第一施加电极

75B…上侧第二施加电极

76A…下侧第一施加电极

76B…下侧第二施加电极

75A1、75A2…上侧第一施加电极的分割电极

75B1、75B2…上侧第二施加电极的分割电极

76A1、76A2…下侧第一施加电极的分割电极

76B1、76B2…下侧第二施加电极的分割电极

80…气体供给装置

81…供给口

90…排气装置

91、91r…排气口

95、95e、95r…控制部

100、100b～100e、100r…真空容器

110、110c～110e、110r…第一模

111、111d…相向平面部

111p…平面

112、112e…侧面

113、113e、113r…底面

114、114e、114r…上侧第一凹陷部

115、115d、115e、115p…侧面

116、116d、116e、116r…底面

117、117d、117e、117r…上侧第二凹陷部

120、120b～120e、120r…第二模

121、121b、121d…相向平面部

121p…平面

122、122e…侧面

123、123e、123r…底面

124、124e、124r…下侧第一凹陷部

125、125d、125e、125p…侧面

126、126d、126e、126r…底面

127、127d、127e、127r…下侧第二凹陷部

130…货盘

130t…端部

141…上侧第一模部分(底面部件)

142…上侧第二模部分(底面部件)

143…上侧第三模部分

151…下侧第一模部分(底面部件)

152…下侧第二模部分(底面部件)

153…下侧第三模部分

160d、160u…分隔壁

200、200a～200e、200r、200s…等离子体装置

A1、A2、B1、B2、C1、C2、L…距离

D114、D117…深度

P1、P1b、P1c、P1d、P2、P2b、P2d…接触点

Q1、Q1d、Q2、Q2d…连接部位

R、Ra、Rd、Rr、Rs…等离子体装置的部分

S…接触面

T…角度

W…工件

具体实施方式

A.第一实施方式：

图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体装置200的结构的概略剖视图。图2是等离子体装置200的分解立体图。图1及图2图示出相互正交的XYZ轴。Y轴方向表示铅垂方向，X轴方向表示水平方向，Z轴方向表示与Y轴及X轴垂直的方向。这种情况在以后的图中也同样。

等离子体装置200是通过所谓等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相淀积)法而在具有导电性的工件W的处理对象部分10A形成薄膜的装置。工件W包括处理对象物10和掩模部件20。处理对象物10包括处理对象部分10A和非处理对象部分10B。非处理对象部分10B沿与处理对象物10垂直的方向观察时位于比处理对象部分10A的一部分靠处理对象物10的外周侧。更具体地，非处理对象部分10B以包围处理对象部分10A的方式配置。需要说明的是，在本说明书中，“B包围A”是指以能够取得连结B包含的两点的直线与A的一部分相交这样的两点的方式相对于A来配置B。处理对象部分10A是处理对象物10的表面及背面中的、通过等离子体装置200形成薄膜的部分。非处理对象部分10B是处理对象物10的表面及背面中的、未通过等离子体装置200形成薄膜的部分。非处理对象部分10B与处理对象部分10A连接。在第一实施方式中，处理对象物10是作为燃料电池的隔板的基材而使用的矩形的板状的金属部件，例如，钛(Ti)的板材。但是，处理对象物的原材料并不限定于此，也可以是铝(Al)、不锈钢(SUS)等。

掩模部件20是将非处理对象部分10B的表面及工件W的端部侧面覆盖的板状的部件。掩模部件20是在处理对象物10的处理对象部分10A开口的板状的部件。等离子体装置200通过开口仅在处理对象物10的处理对象部分10A形成薄膜(例如导电性的碳系的薄膜)。

等离子体装置200具备真空容器(腔室)100、绝缘部件30、电力施加部70。等离子体装置200还具备开闭装置50、传送装置55、气体供给装置80、排气装置90、控制部95、货盘130、密封部件61、62。需要说明的是，在图2中，开闭装置50、传送装置55、电力施加部70及其电力导入部71、气体供给装置80及其供给口81、排气装置90及排气口91、控制部95省略图示。

真空容器100是能够分割的金属制的容器。真空容器100具备第一模110和与第一模110相向配置的第二模120。第一模110在工件W的上表面侧具备：与处理对象部分10A相向配置的第一凹陷部114；与非处理对象部分10B相向配置的第二凹陷部117；及与以包围工件W的方式配置的货盘130和被掩模部件20覆盖了的工件W的外周部分的一部分相向配置的相向平面部111(参照图1)。

第一凹陷部114及第二凹陷部117向离开工件W的方向凹陷，在第一实施方式中，相对于工件W的上表面而向上方(+Y方向)凹陷。第二凹陷部117具有比第一凹陷部114浅的深度。即，第二凹陷部117相对于相向平面部111而向Y轴方向+侧凹陷。第一凹陷部114相对于第二凹陷部117而向Y轴方向+侧凹陷。相向平面部111是配置在比第一凹陷部114及第二凹陷部117接近第二模120的位置的大致平面状的部位。

第二凹陷部117以包围第一凹陷部114的方式配置。相向平面部111以包围第二凹陷部117的方式配置。相向平面部111与第二凹陷部117连接。相向平面部111是工件W的外周部分相向地配置的部分。第一凹陷部114具备侧面112和底面113。第二凹陷部117具备侧面115和底面116。第一凹陷部114的侧面112与第二凹陷部117的底面116连接，第二凹陷部117的侧面115与相向平面部111的内周侧的端部连接。需要说明的是，在本说明书中，将凹陷部中的与开口相反的一侧的构成内壁的面称为“底面”。

第二模120在工件W的下表面侧具备与第一模110的相向平面部111、第一凹陷部114、第二凹陷部117分别大致对称地配置的相向平面部121、第一凹陷部124、第二凹陷部127(参照图1)。第二模120的相向平面部121与第一模110的相向平面部111平行，在第一实施方式中，与XZ平面平行。

另外，第二模120的第一凹陷部124及第二凹陷部127相对于工件W的下表面侧的处理对象部分10A而向下方(-Y方向)凹陷(参照图1)。第二凹陷部127具有比第一凹陷部124浅的深度。第一凹陷部124具备侧面122和底面123。第二凹陷部127具备侧面125和底面126。第一凹陷部124的侧面122与第二凹陷部127的底面126连接，第二凹陷部127的侧面125与相向平面部121的内周侧的端部连接。

需要说明的是，在以下的说明中，在隔着工件W而将第一模110侧和第二模120侧的相同的结构要素特别进行区分的情况下，有时在第一模110侧的结构要素之前附加“上侧”，在第二模120侧的结构要素之前附加“下侧”。例如，将第一模110的相向平面部111、第一凹陷部114及第二凹陷部117分别也称为上侧相向平面部111、上侧第一凹陷部114及上侧第二凹陷部117。将第二模120的相向平面部121、第一凹陷部124及第二凹陷部127分别也称为下侧相向平面部121、下侧第一凹陷部124及下侧第二凹陷部127。

在工件W配置于被关闭的状态的真空容器100的密闭空间内的状态下，工件W离开相向平面部111、121。而且，工件W的处理对象部分10A面向第一凹陷部114、124内的空间。非处理对象部分10B面向第二凹陷部117、127内的空间。处理对象部分10A的构成外周的端部配置在第一凹陷部114、124的空间内。更具体而言，处理对象部分10A的端部配置在由(i)包含第一凹陷部114、124的侧面112、122的与ZY平面平行的两个平面、(ii)包含第一凹陷部114的底面113的与XZ平面平行的一个平面、(iii)包含第一凹陷部124的底面123的与XZ平面平行的一个平面、(iv)对第一凹陷部114、124进行规定的图1未示出的与XY平面平行的两个平面来划分的第一凹陷部114、124的空间内。

第一模110及第二模120具备用于从气体供给装置80向真空容器100内供给气体的供给口81、用于通过排气装置90对真空容器100内进行排气的排气口91。在供给口81及排气口91设有能够开闭的阀(未图示)。而且，第二模120具备用于向工件W施加电压的电力导入部71。第二模120与电力导入部71之间由绝缘部件35进行电绝缘。在第一实施方式中，真空容器100具有接地电位。

需要说明的是，在第一实施方式中，在工件W中的位于第一凹陷部114、124内的部分未开设将工件W的上表面侧和下表面侧贯通的孔。然而，在该部分也可以设有在真空容器100被关闭的状态下将工件W的上表面侧和下表面侧贯通的孔。

在第一实施方式中，掩模部件20具有上侧掩模部件21和下侧掩模部件22。上侧掩模部件21配置在处理对象物10的第一模110侧。下侧掩模部件22配置在处理对象物10的第二模120侧。在第一实施方式中，下侧掩模部件22对处理对象物10进行支承。掩模部件20由导电性的部件形成。处理对象物10与掩模部件20通过接触而被电连接。需要说明的是，作为构成掩模部件20(21、22)的部件，使用钛(Ti)、铝(Al)、不锈钢(SUS)等。

绝缘部件30配置在第一模110的相向平面部111与第二模120之间。在第一实施方式中，绝缘部件30配置在相向平面部111与相向平面部121之间。绝缘部件30在使工件W的上表面侧的处理对象部分10A朝向上侧第一凹陷部114内的空间、使上表面侧的非处理对象部分10B朝向上侧第二凹陷部117内的空间、并使工件W从相向平面部111分离的状态下，与工件W接触。而且，在第一实施方式中，绝缘部件30在使工件W的下表面侧的处理对象部分10A朝向下侧第一凹陷部124内的空间、使下表面侧的非处理对象部分10B朝向下侧第二凹陷部127内的空间、并使工件W离开相向平面部121的状态下，与工件W接触。在第一实施方式中，绝缘部件30与工件W中的下侧掩模部件22接触而支承下侧掩模部件22。绝缘部件30由例如氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)等陶瓷形成。

货盘130是金属制的板状部件。货盘130也是将工件W向真空容器100内传送的部件。在货盘130上，将绝缘部件30、下侧掩模部件22、处理对象物10及上侧掩模部件21依次沿+Y方向装载(参照图1)。在第一实施方式中，货盘130具有接地电位。需要说明的是，作为构成货盘130的金属制的部件，使用钛(Ti)、铝(Al)、不锈钢(SUS)等。

密封部件61、62配置在第一模110的相向平面部111与第二模120之间。密封部件61、62是用于保持真空容器100内的气密的部件。密封部件61、62是绝缘性的部件，在第一实施方式中是橡胶制的环状部件。在第一实施方式中，使用O形密封圈作为密封部件61、62。在第一实施方式中，密封部件61嵌入于第一模110所设置的槽部，并配置在第一模110的相向平面部111与货盘130之间。密封部件62嵌入于第二模120所设置的槽部，并配置在第二模120的相向平面部121与货盘130之间。

开闭装置50是用于对真空容器100进行开闭的装置。在第一实施方式中，开闭装置50使第一模110向+Y方向移动而将真空容器100打开，使第一模110向-Y方向移动而将真空容器100关闭。

传送装置55是用于将货盘130向真空容器100的第一模110与第二模120之间(在本说明书中，也标记为“真空容器100内”)传送并将货盘130向真空容器100外传送的装置。在第一实施方式中，传送装置55与货盘130的端部130t接触，在真空容器100打开的状态下，将货盘130、装载于货盘130的绝缘部件30及工件W(掩模部件20、处理对象物10)向真空容器100内(第一模110与第二模120之间)传送。而且，传送装置55通过使传送的货盘130向下方移动而隔着密封部件62将货盘130设置在第二模120上。而且，传送装置55使移动到上方的货盘130沿XZ平面移动而能够向真空容器100外传送。

电力施加部70是用于产生等离子体的装置。电力施加部70向工件W施加直流电力。电力施加部70生成用于对供给到真空容器100内的原料气体进行等离子体化的电场。在第一实施方式中，电力导入部71和处理对象物10及掩模部件20为阴极，第一模110、第二模120及货盘130为阳极。在第一实施方式中，电力施加部70通过下侧掩模部件22向处理对象物10施加偏压。电力施加部70例如能够向电力导入部71施加-3000V的电压。需要说明的是，在第一实施方式中，真空容器100及货盘130接地(0V)。

气体供给装置80经由供给口81向真空容器100内供给运载气体及原料气体。在第一实施方式中，气体供给装置80供给例如氮(N₂)气、氩(Ar)气作为运载气体，供给例如砒啶(C₅H₅N)气体作为原料气体。气体供给装置80与积存不同种类的气体的多个罐连接。气体供给装置80通过操作在各罐与供给口81之间设置的切换阀，能够切换向供给口81供给的气体的种类。而且，气体供给装置80为了使真空容器100内的压力返回到开闭装置50能够打开真空容器100的程度的压力，而在基于等离子体装置200的成膜后、蚀刻后，向真空容器100内供给例如氮气。

排气装置90经由排气口91对真空容器100内进行排气。排气装置90由例如旋转泵、扩散泵、伺服分子泵等构成。

控制部95控制等离子体装置200整体的动作。控制部95包括CPU和存储器。CPU通过执行存储器存储的程序而进行基于等离子体装置200的等离子体处理的控制。该程序也可以记录于各种记录介质。例如，控制部95通过控制开闭装置50而对真空容器100进行开闭，通过控制传送装置55而传送货盘130。而且，控制部95通过控制排气装置90而对真空容器100内进行排气，通过控制气体供给装置80而向真空容器100内供给气体，通过控制电力施加部70而向工件W施加电力。

图3是等离子体装置200的局部放大图。图3示出图1中虚线表示的R部分。图3示出工件W与绝缘部件30的接触点P1、工件W与绝缘部件30的接触点P2。接触点P1是工件W与绝缘部件30接触的部位中的、与上侧相向平面部111相向的部位。在等离子体装置200的截面(参照图3)中接触点P1是工件W与绝缘部件30接触的部位中的、最接近上侧相向平面部111的接触部位。接触点P2是工件W与绝缘部件30接触的部位中的、与下侧相向平面部121相向的部位。在等离子体装置200的截面(参照图3)中接触点P2是工件W与绝缘部件30接触的部位中的、最接近下侧相向平面部121的接触部位。

图3示出上侧第一凹陷部114的深度D114及上侧第二凹陷部117的深度D117。深度D114是上侧相向平面部111的与工件W相向的平面和上侧第一凹陷部114的底面113之间的距离(间隔)，深度D117是上侧相向平面部111的与工件W相向的平面和上侧第二凹陷部117的底面116之间的距离(间隔)。深度D114设定为能够在第一凹陷部114产生等离子体的大小。深度D117也设定为能够在第二凹陷部117产生等离子体的大小。但是，在本例中，设定为D114>D117。虽然图示及说明省略，但是下侧第一凹陷部124的深度及下侧第二凹陷部127的深度也同样地设定。

图3还示出接触点P1与上侧相向平面部111之间的距离A1、工件W与上侧第一凹陷部114的底面113之间的距离B1、工件W与上侧第二凹陷部117的底面116之间的距离C1。距离A1是工件W与绝缘部件30的接触部位和上侧相向平面部111之间的最短距离。距离B1是与上侧第一凹陷部114相向的工件W和上侧第一凹陷部114的底面113之间的距离，是上侧第一凹陷部114的底面113与工件W之间的最短距离。距离C1是与上侧第二凹陷部117相向的工件W和上侧第二凹陷部117的底面116之间的距离，是上侧第二凹陷部117的底面116与工件W之间的最短距离。

另外，图3示出接触点P2与下侧相向平面部121之间的距离A2、工件W与下侧第一凹陷部124的底面123之间的距离B2、工件W与下侧第二凹陷部127的底面126之间的距离C2。距离A2是工件W与绝缘部件30的接触部位和下侧相向平面部121之间的最短距离。距离B2是与下侧第一凹陷部124相向的工件W和下侧第一凹陷部124的底面123之间的距离，是下侧第一凹陷部124的底面123与工件W之间的最短距离。距离C2是与下侧第二凹陷部127相向的工件W和下侧第二凹陷部127的底面126之间的距离，是下侧第二凹陷部127的底面126与工件W之间的最短距离。

距离B1远大于通过向上侧第一凹陷部114的底面113与工件W之间施加的电压而形成的鞘层的距离(厚度)，设定为在上侧第一凹陷部114的空间内充分地产生等离子体的大小。而且，距离C1虽然比距离B1小，但是远大于通过向上侧第二凹陷部117的底面116与工件W之间施加的电压而形成的鞘层的距离(厚度)，设定为在上侧第二凹陷部117的空间内充分地产生等离子体的大小。

与距离B1同样，距离B2也远大于通过向下侧第一凹陷部124的底面123与工件W之间施加的电压而形成的鞘层的距离(厚度)，设定为在下侧第一凹陷部124的空间内充分地产生等离子体的大小。而且，与距离C1同样，距离C2也是虽然比距离B2小，但是远大于通过向下侧第二凹陷部127的底面126与工件W之间施加的电压而形成的鞘层的距离(厚度)，设定为在下侧第二凹陷部127的空间内充分地产生等离子体的大小。

在等离子体装置200中，距离A1也比距离B1、C1小。换言之，由工件W和上侧相向平面部111形成的空间的进深比由工件W和上侧第一凹陷部114形成的空间、及由工件W和上侧第二凹陷部117形成的空间的进深小。而且，距离A1比通过向上侧相向平面部111与工件W之间施加的电压而形成的鞘层的距离短，设定为抑制等离子体的产生的大小。

与距离A1同样，距离A2也比距离B2、C2小。换言之，由工件W和下侧相向平面部121形成的空间比由工件W和下侧第一凹陷部124形成的空间、及由工件W和下侧第二凹陷部127形成的空间小。而且，与距离A1同样，距离A2也比通过向下侧相向平面部121与工件W之间施加的电压而形成的鞘层的距离短，设定为抑制等离子体的产生的大小。

在第一实施方式中，距离(间隔)A1及距离(间隔)A2比在向工件W与真空容器100之间施加了电力的情况下在工件W与真空容器100(上侧相向平面部111、下侧相向平面部121)之间形成的鞘层的距离(厚度)短。在第一实施方式中，距离A1及距离A2为2.0mm以下。需要说明的是，从充分地保持真空容器100与工件W之间的绝缘性的观点出发，距离A1及距离A2优选为0.5mm以上。

图3还示出从上侧第二凹陷部117与上侧相向平面部111的连接部位Q1至接触点P1的沿X轴的距离、从下侧第二凹陷部127与下侧相向平面部121的连接部位Q2至接触点P2的沿X轴的距离中的最短距离L。距离L是从上侧第二凹陷部117的侧面115至接触点P1的沿X轴的距离和从下侧第二凹陷部127的侧面125至接触点P2的沿X轴的距离中的最短距离。距离L设定为比0(零)大的值。接触点P1、P2配置在从上侧第二凹陷部117的侧面115、下侧第二凹陷部127的侧面125分离了距离L以上的位置。其结果是，接触点P1、P2、电力导入部71与掩模部件20的接触部配置在上侧相向平面部111与下侧相向平面部121之间。在第一实施方式中，距离L设定为10mm以上的值。

图4是表示基于等离子体装置200的等离子体处理方法的一例的工序图。以下，列举通过等离子体装置200在工件W的一部分进行成膜的方法为例进行说明。当通过控制部95开始基于等离子体装置200的成膜的处理时，首先，将工件W传送到真空容器100内(步骤S10)。在第一实施方式中，真空容器100的第一模110通过开闭装置50而向+Y轴方向移动，装载有绝缘部件30及工件W(掩模部件20、处理对象物10)的货盘130通过传送装置55被传送到真空容器100内(第一模110与第二模120之间)。传送后的货盘130隔着密封部件62而配置在第二模120上。

接下来，将真空容器100关闭(步骤S20)。在第一实施方式中，向真空容器100内(第一模110与第二模120之间)传送了货盘130之后，通过开闭装置50使第一模110向-Y轴方向移动。当真空容器100关闭时，处理对象部分10A成为朝向真空容器100的第一凹陷部114、124及第二凹陷部117、127内的空间的状态。工件W以离开了相向平面部111、121的状态被密封在真空容器100的内部。

接下来，将真空容器100内的气体排出(步骤S30)。在第一实施方式中，等离子体装置200例如设置在氮气气氛中。在步骤S30中，通过排气装置90经由排气口91将真空容器100内的氮气排出，使真空容器100内真空化。

当真空容器100内的气体被排出时，向真空容器100内供给原料气体(步骤S40)。在步骤S40中，通过气体供给装置80经由供给口81供给运载气体及原料气体。向真空容器100内供给例如氢气及氩气作为运载气体。而且，供给氮气及砒啶气体作为原料气体。在步骤S40中，真空容器100内的压力值为例如11Pa。

接下来，向工件W施加电力(步骤S50)。当通过电力施加部70向工件W与真空容器100之间施加电力时，在第一凹陷部114、124内及第二凹陷部117、127内产生等离子体，在处理对象物10的处理对象部分10A形成薄膜。如以上所述，进行基于等离子体装置200的成膜。在步骤S50中，通过电力施加部70向工件W施加例如-3000V的电力(直流电力)。当步骤S50结束时，原料气体的供给和电力的施加停止而成膜结束。

当成膜结束时，调整真空容器100内的压力(步骤S55)。在第一实施方式中，为了使真空容器100内的压力返回到通过开闭装置50能够打开真空容器100的程度的压力，而通过气体供给装置80向真空容器100内供给氮气。需要说明的是，当调整真空容器100内的压力时，第一模110通过开闭装置50而向+Y轴方向移动，通过传送装置55将装载有绝缘部件30及工件W(掩模部件20、处理对象物10)的货盘130从真空容器100送出。如以上所述基于等离子体装置200的一连串的等离子体处理方法结束。

在此，产生等离子体而形成薄膜的部位仅为处理对象物10的处理对象部分10A，因此在配置有不需要成膜的非处理对象部分10B的空间中，不需要产生等离子体。而且，为了成膜速度的高速化、供给的气体量的抑制等提高成膜时的各种处理效率，希望真空容器100内的空间小。在考虑到这些点的情况下，作为真空容器，可考虑相向平面部111、121与第一凹陷部114、124连接而没有第二凹陷部117、127(参照图1、图3)的构造。然而，如上所述，相向平面部111、121与工件W之间的空间的间隔A1、A2设定得比形成于相向平面部111、121与工件W之间的鞘层的距离小。因此，在相向平面部111、121与工件W之间不产生等离子体，而且，如后所述，也能抑制来自第一凹陷部114、124的等离子体的侵入。因此，在非处理对象部分10B与相向平面部111、121相向配置的情况下，在覆盖非处理对象部分10B的掩模部件20及由掩模部件20覆盖的非处理对象部分10B，能抑制从等离子体接受的热量引起的温度上升。由此，与处理对象部分10A相比非处理对象部分10B的温度降低，其温度差比塑性变形产生温度差大，由此，在成膜后的处理对象物10产生翘曲、起伏等塑性变形的可能性高。

相对于此，在第一实施方式的等离子体装置200中，如上所述，具有与非处理对象部分10B相向配置的第二凹陷部117、127。第二凹陷部117、127的空间设定为使经由第一凹陷部114、124供给的原料气体成为等离子体状态所需的深度。因此，从在第二凹陷部117、127产生的等离子体能够直接向与第二凹陷部117、127相向配置的掩模部件20及由掩模部件20覆盖的非处理对象部分10B施加热量，能够抑制非处理对象部分10B与处理对象部分10A的温度差。并且，能够减小非处理对象部分10B与处理对象部分10A的交界处的温度梯度。由此，能够抑制成膜后的处理对象物10的塑性变形的产生。需要说明的是，第二凹陷部117、127的空间设定为使经由第一凹陷部114、124供给的原料气体成为等离子体状态所需的深度且与第一凹陷部114、124的空间不同的深度。

需要说明的是，向非处理对象部分10B施加的来自等离子体的热量根据在第二凹陷部117、127产生的等离子体的量而变化。因此，第二凹陷部117、127的空间越大，即，第二凹陷部117、127的深度越深，则该热量越多，越能够抑制非处理对象部分10B与处理对象部分10A的温度差。然而，由于配置第二凹陷部117、127而真空容器100的内部空间扩展。因此，在第二凹陷部117、127的深度更深的形态下，会导致用于将空间内的气体排出而进行真空化的时间的增加、向空间内供给的气体量的增加及为此的时间的增加等。因此，第二凹陷部117、124优选在满足成膜后的处理对象物10容许的变形量的大小的范围内极力减小。

因此，在第一实施方式中，第二凹陷部117、127设定为与第一凹陷部114、124不同的深度。该第二凹陷部117、127的深度只要预先通过实验求出非处理对象部分10B与处理对象部分10A的温度差收纳在容许温度差以内的条件并设定为适当的值即可。需要说明的是，在第一实施方式中，如图3所示，工件W与第二凹陷部117、127的底面116、126之间的距离C1、C2设定得比工件W与第一凹陷部114、124的底面113、123之间的距离B1、B2小。即，第二凹陷部117、127的深度设定得小于第一凹陷部114、124的深度。在该设定中，能够极力抑制设置第二凹陷部117、127引起的真空化用的时间的增加、用于气体供给的时间的增加。

如以上说明所述，根据第一实施方式的等离子体装置200，在与处理对象物10的非处理对象部分10B相向配置的第二凹陷部117、127产生等离子体，能够从等离子体直接向掩模部件20及由掩模部件20覆盖的非处理对象部分10B施加热量。由此，能够抑制非处理对象部分10B与处理对象部分10A的温度差，能够抑制成膜后的处理对象物10的塑性变形的产生。

另外，在将产生了超过容许值的变形量的隔板用于燃料电池的情况下，由于燃料电池的变形而导致将多个燃料电池堆叠化时的燃料电池间的错动，导致发电性能的下降。相对于此，如果将塑性变形的产生被第一实施方式的等离子体装置200抑制了的隔板用于燃料电池，则能够抑制将多个燃料电池堆叠化时产生的燃料电池间的错动，能够抑制发电性能的下降。

另外，如图3所示，在真空容器100关闭的状态下，与工件W接触的绝缘部件30配置在第一模110的上侧相向平面部111与第二模120的下侧相向平面部121之间。工件W与绝缘部件30的接触点P1和上侧相向平面部111之间的距离A1小于工件W与上侧第一凹陷部114的底面113之间的距离B1及工件W与上侧第二凹陷部117的底面116之间的距离C1(<B1)。因此，能抑制在上侧第一凹陷部114及上侧第二凹陷部117、下侧第一凹陷部124及下侧第二凹陷部127产生的等离子体向由工件W和上侧相向平面部111形成的空间侵入。因此，能减少接触点P1处的等离子体的量，因此能够抑制异常放电的产生。

同样，工件W与绝缘部件30的接触点P2和下侧相向平面部121之间的距离A2小于工件W与下侧第一凹陷部124的底面123之间的距离B2及工件W与下侧第二凹陷部127的底面126之间的距离C2(<B2)。因此，能抑制在下侧第一凹陷部124及下侧第二凹陷部127、上侧第一凹陷部114、上侧第二凹陷部117产生的等离子体向由工件W和下侧相向平面部121形成的空间侵入。因此，能减少接触点P2处的等离子体的量，因此能够抑制异常放电的产生。

另外，从上侧第二凹陷部117与上侧相向平面部111的连接部位Q1及下侧第二凹陷部127与下侧相向平面部121的连接部位Q2至绝缘部件30的沿X轴的距离L大于0(零)，因此工件W与绝缘部件30的接触点P1、P2和由第一凹陷部114、124及第二凹陷部117、127形成的等离子体产生的空间分离。因此，接触点P1、P2处的等离子体的量进一步减少。其结果是，能够进一步抑制工件W与绝缘部件30的接触点P1、P2处的异常放电的产生。

另外，工件W与绝缘部件30的接触点P1和上侧相向平面部111之间的距离A1比形成在工件W与上侧相向平面部111之间的鞘层的距离(厚度)短，因此能够避免在工件W与上侧相向平面部111之间产生等离子体。而且，工件W与绝缘部件30的接触点P2和下侧相向平面部121之间的距离A2比形成在工件W与相向平面部121之间的鞘层的距离(厚度)短，因此能够避免在工件W与相向平面部121之间产生等离子体。因此，能有效地减少接触点P1、P2处的等离子体的量，因此能够有效地抑制异常放电的产生。

另外，距离A1及距离A2为2.0mm以下，因此能进一步抑制等离子体从第一凹陷部114、124及第二凹陷部117、127向由工件W和上侧相向平面部111形成的空间及由工件W和下侧相向平面部121形成的空间侵入。而且，能够避免在工件W与相向平面部111、121之间产生等离子体。因此，进一步减少接触点P1、P2处的等离子体的量，因此能够进一步抑制异常放电的产生。

另外，在等离子体装置200中，工件W的处理对象部分10A朝向第一凹陷部114、124内的空间，绝缘部件30和工件W的端部位于上侧相向平面部111与下侧相向平面部121之间。因此，与将工件W整体收容在等离子体产生的空间内的情况相比，能够实现等离子体装置200的小型化。而且，在等离子体装置200中，为了成膜而进行排气的空间小，因此能够缩短排气所需的时间，能够缩短为了在工件W进行成膜所需的时间。

需要说明的是，在上述的第一实施方式中，通过等离子体装置200在工件W的一部分进行成膜。相对于此，也可以通过等离子体装置200进行对工件W的一部分进行蚀刻的等离子体处理。在进行蚀刻的情况下，在上述的等离子体处理中的供给气体的工序(图4的步骤S40)中，可以向真空容器100内供给例如主要包含氩的气体。

B.第二实施方式：

图5是局部性地表示第二实施方式的等离子体装置200a的结构的局部概略剖视图。图5示出与图1的R部分相当的部分Ra。第二实施方式的等离子体装置200a与第一实施方式的等离子体装置200的不同点是掩模部件20a(21a、22a)具有倾斜面23a、24a。具体而言，上侧掩模部件21a在处理对象部分10A侧的端部具有朝向上侧第一凹陷部114侧倾斜的倾斜面23a。而且，下侧掩模部件22a在处理对象部分10A侧的端部具有朝向下侧第一凹陷部124侧倾斜的倾斜面24a。倾斜面23a、24a是在掩模部件20a(21a、22a)中相对于与非处理对象部分10B接触的接触面S而倾斜的面。在第二实施方式中，倾斜面23a、24a与处理对象部分10A的端部接触。第二实施方式的等离子体装置200a的其他的结构与第一实施方式的等离子体装置200相同，因此省略说明。

根据第二实施方式的等离子体装置200a，与处理对象部分10A接触的上侧掩模部件21a具备朝向上侧第一凹陷部114侧倾斜的倾斜面23a，因此能够抑制电场集中于上侧掩模部件21a的端部。因此，在工件W的上表面侧的处理对象部分10A的端部，能够抑制成膜密度或蚀刻密度下降。而且，下侧掩模部件22a具备朝向下侧第一凹陷部124侧倾斜的倾斜面24a，因此能够抑制电场集中于下侧掩模部件22a的端部。因此，在工件W的下表面侧的处理对象部分10A的端部，能够抑制成膜密度或蚀刻密度下降。

需要说明的是，在处理对象部分10A的端部，从进一步抑制成膜密度或蚀刻密度下降的观点出发，倾斜面23a、24a与接触面S所成的角即角度T优选为30°以下。需要说明的是，在上侧掩模部件及下侧掩模部件中，倾斜面23a、24a可以不与处理对象部分10A直接接触，而设置将倾斜面23a、24a的前端与处理对象部分10A连接的铅垂的(沿Y方向的)面。在这样的形态中，也能够抑制电场集中于上侧掩模部件21a的端部、下侧掩模部件22a的端部。因此，在工件W的上表面侧及下表面侧的处理对象部分10A的端部，能够抑制成膜密度或蚀刻密度下降。

C.第三实施方式：

图6是表示第三实施方式的等离子体装置200b的图。等离子体装置200b与上述的第一实施方式的等离子体装置200(参照图1)的主要不同点是不使用货盘130而配置工件W。因此，在等离子体装置200b中，在真空容器100b中，第二模120b的相向平面部121b与绝缘部件30b接触，同时使工件W与第二模120c分离。而且，在等离子体装置200b中，与第一实施方式的等离子体装置200同样，具备开闭装置50、传送装置55、电力施加部70、气体供给装置80、排气装置90及控制部95，但是为了便于图示而省略。

需要说明的是，与上述的第一实施方式同样，在第三实施方式中，也是工件W与绝缘部件30b的接触点P1b和上侧相向平面部111之间的距离小于工件W与上侧第二凹陷部117的底面116之间的距离。而且，工件W与绝缘部件30b的接触点P2b和下侧相向平面部121b之间的距离小于工件W与下侧第二凹陷部127的底面126之间的距离。而且，从上侧第二凹陷部117与上侧相向平面部111的连接部位Q1及下侧第二凹陷部127与下侧相向平面部121的连接部位Q2至接触点P1b、P2b的沿X轴的距离设定为大于0(零)的值。其结果是，接触点P1b、P2b及电力导入部71与掩模部件20的接触部配置在上侧相向平面部111与下侧相向平面部121之间。需要说明的是，第三实施方式的其他的结构与上述的第一实施方式相同。

在该等离子体装置200b中，也与第一实施方式同样，能够抑制塑性变形的产生。而且，能够抑制等离子体装置200b内的异常放电的产生。

D.第四实施方式：

图7是表示第四实施方式的等离子体装置200c的图。等离子体装置200c与第一实施方式的等离子体装置200(参照图1)不同，仅在处理对象物10的第一凹陷部114侧进行成膜或蚀刻的等离子体处理。因此，在等离子体装置200c中，在真空容器100c的第二模120c与处理对象物10之间没有空间，绝缘部件30c接触于第二模120c上，下侧掩模部件22c接触于绝缘部件30c上，处理对象物10的下侧整面接触于下侧掩模部件22c上。而且，等离子体装置200c不具备载置工件W的货盘130。而且，在等离子体装置200c中，取代第二模120侧而在第一模110c侧具备电力导入部71。而且，在等离子体装置200c中，与第一实施方式的等离子体装置200同样，具备开闭装置50、传送装置55、电力施加部70、气体供给装置80、排气装置90及控制部95，但是为了便于图示而省略。

与上述的第一实施方式同样，在第四实施方式中，也是工件W与绝缘部件30c的接触点P1c和上侧相向平面部111之间的距离小于工件W与上侧第二凹陷部117的底面116之间的距离。而且，从上侧第二凹陷部117与上侧相向平面部111的连接部位Q1至接触点P1c的沿X轴的距离设定为大于0(零)的值。其结果是，接触点P1c及电力导入部71与掩模部件20c的接触部配置在与上侧相向平面部111相向的位置。需要说明的是，第四实施方式的其他的结构与上述的第一实施方式相同。

在该等离子体装置200c中，也与第一实施方式同样，能够抑制处理对象物10的塑性变形的产生。而且，能够抑制等离子体装置200c内的异常放电的产生。

E.第五实施方式：

图8是局部性地表示第五实施方式的等离子体装置200d的结构的局部概略剖视图。图8示出与图1的R部分相当的部分Rd。第五实施方式的等离子体装置200d与第一实施方式的等离子体装置200的不同点是第二凹陷部117d、127d隔着分隔壁160u、160d而配置在第一凹陷部114、124的外侧的周围。

上侧第二凹陷部117d与上侧第一凹陷部114之间的分隔壁160u包括上侧第一凹陷部114的侧面112、上侧第二凹陷部117d的内侧的侧面115p、平面111p。平面111p是与侧面112和侧面115p连接且处于与上侧相向平面部111d的和工件W相向的平面相同的XZ平面上的面。而且，下侧第二凹陷部127d与下侧第一凹陷部124之间的分隔壁160d包括下侧第一凹陷部124的侧面122、下侧第二凹陷部127d的内侧的侧面125p、平面121p。平面121p是与侧面122和侧面125p连接且处于与下侧相向平面部121d的和工件W相向的平面相同的XZ平面上的面。

上侧的分隔壁160u的平面111p与上侧相向平面部111d同样，从相向的工件W(上侧掩模部件21)向+Y方向分离地配置。上侧的分隔壁160u的平面111p与工件W之间的间隙比上侧第二凹陷部117d的底面116d与上侧掩模部件21之间的间隔小，构成上侧第一凹陷部114与上侧第二凹陷部117d的连通路。

另外，下侧的分隔壁160d的平面121p与下侧相向平面部121d同样，从相向的工件W(下侧掩模部件22)向-Y方向分离地配置。下侧的分隔壁160d的平面121p与工件W之间的间隙比下侧第二凹陷部127d的底面126d与下侧掩模部件22之间的间隔小，构成下侧第一凹陷部124与下侧第二凹陷部127d的连通路。

经由第一凹陷部114、124与第二凹陷部117d、127d的连通路，从第一凹陷部114、124向第二凹陷部117d、127d供给原料气体。因此，在第二凹陷部117d、127d中，也与第二凹陷部117、127(参照图3)同样，能够产生能够使相向的工件W的掩模部件20的部分及由该部分覆盖的非处理对象部分10B的温度上升的充分的等离子体。

与上述的第一实施方式同样，在第五实施方式中，工件W与绝缘部件30的接触点P1d和上侧相向平面部111d之间的距离也小于工件W与上侧第二凹陷部117d的底面116d的距离。而且，工件W与绝缘部件30的接触点P2d和下侧相向平面部121d之间的距离小于工件W与下侧第二凹陷部127d的底面126d的距离。而且，从上侧第二凹陷部117d与上侧相向平面部111d的连接部位Q1d至接触点P1d的沿X轴的距离及从下侧第二凹陷部127d与下侧相向平面部121d的连接部位Q2d至接触点P2d的沿X轴的距离设定为大于0(零)的值。其结果是，接触点P1d、P2d及电力导入部71与掩模部件20的接触部配置在上侧相向平面部111d与下侧相向平面部121d之间的位置。需要说明的是，第五实施方式的等离子体装置200d的其他的结构与第一实施方式的等离子体装置200相同，因此省略图示及说明。

在该等离子体装置200d中，也与第一实施方式同样，能够抑制处理对象物10的塑性变形的产生。而且，能够抑制等离子体装置200d内的异常放电的产生。

在本实施方式的等离子体装置200d中，第一凹陷部114与第二凹陷部117d由分隔壁160u分隔。而且，第一凹陷部124与第二凹陷部127d由分隔壁160d分隔。因此，相比第一凹陷部与第二凹陷部未由分隔壁分隔的形态，在进行对于工件W的处理对象部分10A形成薄膜的处理时，能够在短时间内对第一凹陷部114、124内进行减压，能够在短时间内使第一凹陷部114、124内由所需的浓度的处理气体充满。

F.第六实施方式：

图9是表示第六实施方式的等离子体装置200e的图。等离子体装置200e与上述的第一实施方式的等离子体装置200(参照图1)的主要不同点是具有能够变更第一凹陷部的深度的底面及能够变更第二凹陷部的深度的底面。

在等离子体装置200e中，真空容器100e的第一模110e被分割成具有第一凹陷部114e的底面113e的第一模部分141、具有第二凹陷部117e的底面116e的第二模部分142、具有相向平面部111的第三模部分143。真空容器100e的第二模120e也与第一模110e同样，被分割成具有第一凹陷部124e的底面123e的第一模部分151、具有第二凹陷部127e的底面126e的第二模部分152、具有相向平面部121的第三模部分153。

在第一模部分141、151，在第二模部分142、152侧的外侧面的槽部嵌入有用于保持真空容器100e内的气密的密封部件65。在第二模部分142、152，也在第三模部分143、153侧的外侧面的槽部嵌入有用于保持真空容器100e内的气密的密封部件66。密封部件65、66使用O形密封圈。需要说明的是，第一模部分141、151相当于“构成第一凹陷部的底面的能够移动的底面部件”，第二模部分142、152相当于“构成第二凹陷部的底面的能够移动的底面部件”。

另外，等离子体装置200e具备与第一实施方式的等离子体装置200(参照图1)同样的开闭装置50、传送装置55、电力施加部70、气体供给装置80及排气装置90，并将控制部95置换为控制部95e。此外，等离子体装置200e具备深度调整部52、计测工件W的处理对象部分10A的温度的第一辐射温度计43A、44A及计测覆盖非处理对象部分10B的掩模部件20(上侧掩模部件21、下侧掩模部件22)的温度的第二辐射温度计43B、44B。

上侧第一模部分141的底面113e、下侧第一模部分151的底面123e、上侧第二模部分142的底面116e及下侧第二模部分152的底面126e具有通过深度调整部52而能够分别独立地沿Y方向移动的构造。由此，上侧第一凹陷部114e的深度、下侧第一凹陷部124e的深度、上侧第二凹陷部117e的深度及下侧第二凹陷部127e的深度通过深度调整部52能够分别独立地调整。

控制部95e根据上侧第一辐射温度计43A及上侧第二辐射温度计43B的温度，能够求出处理对象部分10A的上表面侧与非处理对象部分10B的上表面侧的温度差。控制部95e根据下侧第一辐射温度计44A及下侧第二辐射温度计44B的温度，能够求出处理对象部分10A的下表面侧与非处理对象部分10B的下表面侧的温度差。并且，深度调整部52通过来自控制部95e的控制，使第一凹陷部114e、124e及第二凹陷部117e、127e的深度变化，由此，能够以使处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式，调整第一凹陷部114e、124e及第二凹陷部117e、127e的深度。

例如，在实际的等离子体处理开始之前的装置的调整阶段，预先使第一凹陷部114e、124e及第二凹陷部117e、127e的深度变化，反复进行调整用的等离子体处理，由此能够进行以下的调整。即，能够以使处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差收敛于容许温度差以内的方式，预先调整第一凹陷部114e、124e及第二凹陷部117e、127e的深度。由此，能够将处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差调整得小。需要说明的是，第六实施方式的其他的结构与上述的第一实施方式相同，省略说明。

在该等离子体装置200e中，也与第一实施方式同样，能够抑制处理对象物10的塑性变形的产生。而且，能够抑制等离子体装置200e内的异常放电的产生。

需要说明的是，在上述的说明中，说明了调整第一凹陷部114e、124e的深度及第二凹陷部117e、127e的深度，但是也可以将第一凹陷部114e、124e的深度固定，仅调整第二凹陷部117e、127e的深度。但是，在能够进行两方调整的情况下，温度差的调整能够平衡更良好且有效地执行。而且，能够根据等离子体处理所需的等离子体量来调整空间的大小。

另外，也可以省略第一辐射温度计43A、44A及第二辐射温度计43B、44B。在这种情况下，例如，在上述的装置的调整时，只要在内部设置温度计而进行调整即可。而且，即使不设置温度计，也可以反复进行多次调整用的等离子体处理而求出收敛于容许的变形量的深度。

另外，在上述的说明中，分别能够独立地调整上侧第一凹陷部114e的深度、下侧第一凹陷部124e的深度、上侧第二凹陷部117e的深度及下侧第二凹陷部127e的深度，但是也可以使上侧第一凹陷部114e及下侧第一凹陷部124e的深度相同并使上侧第二凹陷部117e的深度及下侧第二凹陷部127e的深度相同地进行调整。

G.第七实施方式：

图10是表示第七实施方式的等离子体装置200r的图。等离子体装置200r是利用由电力施加部70施加的直流电力(DC(Direct Current)电力)和由高频电力施加部70r施加的高频电力(RF(Radio Frequency)电力)能够对工件W的处理对象部分10A进行等离子体处理的装置。因此，等离子体装置200r具备：配置于上侧第一凹陷部114r内的底面113r侧的上侧第一施加电极75A；配置于下侧第一凹陷部124r内的底面123r侧的下侧第一施加电极76A；及高频电力施加部70r。而且，等离子体装置200r具备与第一实施方式的等离子体装置200(参照图1)同样的开闭装置50、传送装置55、电力施加部70、气体供给装置80及排气装置90，并将控制部95置换为控制部95r。

高频电力施加部70r通过控制部95r的控制，向第一施加电极75A、76A施加高频电力。需要说明的是，高频电力施加部70r向第一施加电极75A、76A分别独立地施加不同大小的高频电力。但是，高频电力施加部70r也可以使向第一施加电极75A、76A施加的高频电力的大小相同。

另外，等离子体装置200r具备：配置于上侧第二凹陷部117r内的底面116r侧的上侧第二施加电极75B；及配置于下侧第二凹陷部127r内的底面126r侧的下侧第二施加电极76B。高频电力施加部70r通过控制部95r的控制，向第二施加电极75B、76B施加高频电力。需要说明的是，高频电力施加部70r向第二施加电极75B、76B分别独立地施加不同大小的高频电力。但是，高频电力施加部70r也可以使向第二施加电极75B、76B施加的高频电力的大小相同。

第一模110r具备：用于向上侧第一施加电极75A施加高频电力的电力导入部71rA；用于向上侧第二施加电极75B施加高频电力的电力导入部71rB；及用于对真空容器100r内进行排气的排气口91r。第二模120r具备：用于向下侧第一施加电极76A施加高频电力的电力导入部72rA；用于向下侧第二施加电极76B施加高频电力的电力导入部72rB；及用于对真空容器100r内进行排气的排气口91r。电力导入部71rA与第一模110r之间、电力导入部71rB与第一模110r之间、电力导入部72rA与第二模120r之间及电力导入部72rB与第二模120r之间分别由绝缘部件35进行电绝缘。

在第七实施方式中，上侧第一施加电极75A与第一模110r之间的距离及上侧第二施加电极75B与第一模110r之间的距离比形成于上侧第一模110r与工件W之间的鞘层的距离(厚度)短。因此，在上侧第一施加电极75A与第一模110r之间及上侧第二施加电极75B与第一模110r之间不产生等离子体。下侧第一施加电极76A与第二模120r之间的距离及下侧第二施加电极76B与第二模120r之间的距离也同样，在它们之间不产生等离子体。

在第七施方式中，在工件W中的位于第一凹陷部114r、124r及第二凹陷部117r、127r内的部分未设置将工件W的上表面侧和下表面侧贯通的孔，在真空容器100r关闭的状态下，工件W将上侧第一凹陷部114r及上侧第二凹陷部117r内的空间与下侧第一凹陷部124r及下侧第二凹陷部127r内的空间分离(划分)。因此，上述的空间被电绝缘。即，通过工件W，将在上侧第一凹陷部114r及上侧第二凹陷部117r内产生的等离子体与在下侧第一凹陷部124r及下侧第二凹陷部127r内产生的等离子体分离。

另外，等离子体装置200r与上述的第五实施方式的等离子体装置200e(参照图9)同样，具备计测工件W的处理对象部分10A的温度的第一辐射温度计43A、44A及计测覆盖非处理对象部分10B的掩模部件20(上侧掩模部件21、下侧掩模部件22)的温度的第二辐射温度计43B、44B。控制部95r根据上侧第一辐射温度计43A及上侧第二辐射温度计43B的温度，能够求出处理对象部分10A的上表面侧与非处理对象部分10B的上表面侧的温度差。控制部95r根据下侧第一辐射温度计44A及下侧第二辐射温度计44B的温度，能够求出处理对象部分10A的下表面侧与非处理对象部分10B的下表面侧的温度差。需要说明的是，关于第一辐射温度计43A、44A及第二辐射温度计43B、44B的温度、及据此求出的处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差在后文叙述。需要说明的是，第七实施方式的等离子体装置200r的其他的结构与第一实施方式的等离子体装置200相同，因此省略说明。

在基于等离子体装置200r的等离子体处理中，在上述的第一实施方式的等离子体处理方法的施加电力的工序(图4的步骤S50)中，除了向工件W施加直流电力之外，还通过高频电力施加部70r向第一施加电极75A、76A及第二施加电极75B、76B施加高频电力。第七实施方式的其他的等离子体处理方法与上述的第一实施方式相同，因此省略说明。

根据第七实施方式的等离子体装置200r，通过工件W将上侧第一凹陷部114r及上侧第二凹陷部117r内的空间与下侧第一凹陷部124r及下侧第二凹陷部127r内的空间分离，并且这些空间被电绝缘。因此，能抑制向上侧第一施加电极75A施加的高频与向下侧第一施加电极76A施加的高频的相位发生干涉。其结果是，能够高效地利用被施加的电力对工件W的处理对象部分10A进行成膜或蚀刻。因此，能够使第一凹陷部114r、124r内的等离子体密度增加而提高处理对象部分10A的成膜密度、蚀刻密度。而且，在通过等离子体装置200r对处理对象部分10A进行成膜的情况下，能够使膜厚变厚，在通过等离子体装置200r对处理对象部分10A进行蚀刻的情况下，能够使处理对象部分10A的蚀刻量变多。

另外，在第七实施方式的等离子体装置200r中，通过工件W将上侧第一凹陷部114r及上侧第二凹陷部117r内的空间与下侧第一凹陷部124r及下侧第二凹陷部127r内的空间分离。并且，高频电力施加部70r能够使向上侧第一施加电极75A施加的高频电力的大小与向下侧第一施加电极76A施加的高频电力的大小不同。因此，根据第七实施方式的等离子体装置200r，能够使处理对象部分10A的上表面侧与下表面侧的成膜密度、蚀刻密度、膜厚、蚀刻量不同。

例如，处理对象物10是用于燃料电池的隔板，在处理对象部分10A的上表面侧形成冷却水流路且在下表面侧形成燃料气体的流路的情况下，为了提高燃料电池的性能，优选至少提高下表面侧的成膜密度。根据第七实施方式的等离子体装置200r，通过维持向上侧第一施加电极75A施加的电力的状态下增大向下侧第一施加电极76A施加的电力而能够提高仅下表面侧的成膜密度、蚀刻密度。因此，在提高处理对象物10的一方的面的成膜密度、蚀刻密度的情况下，能够抑制被消耗的电力。

需要说明的是，发明者们在真空容器100r内的压力为30Pa、向真空容器100r内供给的气体为砒啶气体、通过电力施加部70向工件W施加的电力为-2500V的情况下，使向第一施加电极75A、76A施加的电力不同而在处理对象物10进行了成膜。其结果是，通过高频电力施加部70r向上侧第一施加电极75A以13.56MHz施加-100W的电力，向下侧第一施加电极76A以13.56MHz施加-1000W的电力，由此确认出在处理对象部分10A的上表面侧形成50nm的厚度的膜，在下表面侧形成80nm的厚度的膜。而且，发明者们在成膜后通过FE-SEM(FieldEmission-Scanning Electron Microscope：电场辐射型扫描电子显微镜)观察了处理对象部分10A的上表面侧和下表面侧时，确认出在下表面侧形成比上表面侧更致密的膜。

另外，在等离子体装置200r中，如上所述，控制部95r根据上侧第一辐射温度计43A及上侧第二辐射温度计43B的温度，能够求出处理对象部分10A的上表面侧与非处理对象部分10B的上表面侧的温度差，根据下侧第一辐射温度计44A及下侧第二辐射温度计44B的温度，能够求出处理对象部分10A的下表面侧与非处理对象部分10B的下表面侧的温度差。而且，高频电力施加部70r能够有别于向第一施加电极75A、76A施加的高频电力而分别独立设定向上侧第二施加电极75B施加的高频电力的大小和向下侧第二施加电极76B施加的高频电力的大小。因此，能够根据施加的高频电力的大小而使在第二凹陷部117r、127r内产生的等离子体的密度变化，能够使非处理对象部分10B的上表面侧的温度及下表面侧的温度分别独立地变化。因此，高频电力施加部70r通过控制部95r的控制，能够以使处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式控制高频电力施加部70r向第二施加电极75B、76B施加的高频电力的大小。由此，能够将处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差调整得小。

在该等离子体装置200r中，也与第一实施方式同样，能够抑制处理对象物10的塑性变形的产生。而且，能够抑制等离子体装置200r内的异常放电的产生。

需要说明的是，高频电力施加部70r向第二施加电极75B、76B施加的高频电力的大小的控制不需要在每次执行等离子体处理时进行。而且，高频电力施加部70r向第一施加电极75A、76A施加的高频电力的大小的控制也不需要在每次执行等离子体处理时进行。例如，可以在实际的等离子体处理开始之前的装置的调整阶段，预先求出处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差收敛于容许温度差以内的高频电力的大小，预先进行设定。

另外，也可以省略第一辐射温度计43A、44A及第二辐射温度计43B、44B。在这种情况下，例如，在上述的装置的调整时，只要在内部设置温度计而进行调整即可。而且，即使不设置温度计，也可以反复进行多次调整用的等离子体处理而求出收敛于容许的变形量的高频电力的大小。

另外，在上述的说明中，以分别独立地设定向上侧第一施加电极75A、上侧第二施加电极75B、下侧第一施加电极76A及下侧第二施加电极76B施加的高频电力的大小的情况为例进行了说明。然而，也可以向上侧第一施加电极75A和下侧第一施加电极76A施加相同大小的高频电力，向上侧第二施加电极75B和下侧第二施加电极76B施加相同大小的高频电力。

另外，在上述的说明中，以除了从电力施加部70向工件W施加直流电力之外还从高频电力施加部70r向第一施加电极75A、76A及第二施加电极75B、76B施加高频电力的结构为例进行了说明。然而，在向第一施加电极75A、76A及第二施加电极75B、76B施加高频电力的结构的情况下，可以省略从电力施加部70向工件W的直流电力的施加。

H.第八实施方式：

图11是局部性地表示第八实施方式的等离子体装置200s的结构的局部概略剖视图。图11示出与图10的Rr部分相当的部分Rs。第八实施方式的等离子体装置200s与第七实施方式的等离子体装置200r的不同点是第一施加电极75A、76A及第二施加电极75B、76B分别被分割成多个电极。

在第八实施方式的例子中，上侧第一施加电极75A被分割成内周侧的分割电极75A1和外周侧的分割电极75A2，下侧第一施加电极76A被分割成内周侧的分割电极76A1和外周侧的分割电极76A2。而且，上侧第二施加电极75B被分割成内周侧的分割电极75B1和外周侧的分割电极75B2，下侧第二施加电极76B被分割成内周侧的分割电极76B1和外周侧的分割电极76B2。上侧的第一施加电极的分割电极75A1、75A2及第二施加电极的分割电极75B1、75B2与下侧的第一施加电极的分割电极76A1、76A2及第二施加电极的分割电极76B1、76B2配置于在上下方向(Y方向)上对称的位置。

另外，虽然图示省略，但是各分割电极75A1、75A2、75B1、75B2、76A1、76A2、76B1、76B2分别连接有电力导入部，从高频电力施加部分别被施加独立地设定的大小的高频电力。而且，虽然图示省略，但是具备计测与上下的第一施加电极的多个分割电极75A1、75A2、76A1、76A2相向的工件W的各位置的温度的多个(4个)第一辐射温度计、计测与上下的第二施加电极的多个分割电极75B1、75B2、76B1、76B2相向的工件W的各位置的温度的多个(4个)第二辐射温度计。需要说明的是，第八实施方式的等离子体装置200s的其他的结构与第七实施方式的等离子体装置200r相同，因此省略说明。

在等离子体装置200s中，将第七实施方式的等离子体装置200r(参照图10)的配置于第二凹陷部117r、127r的第二施加电极75B、76B分割成多个分割电极75B1、75B2、76B1、76B2。因此，在工件W的非处理对象部分10B产生了温度分布的情况下，通过控制向各分割电极75B1、75B2、76B1、76B2施加的高频电力的大小而能够抑制该温度分布。由此，能够更有效地减小非处理对象部分10B与处理对象部分10A的温度差，能够抑制处理对象物10的塑性变形的产生。

另外，在等离子体装置200s中，将第七实施方式的等离子体装置200r的配置于第一凹陷部114r、124r的第一施加电极75A、76A分割成多个分割电极75A1、75A2、76A1、76A2。因此，在工件W的处理对象部分10A产生了温度分布的情况下，通过控制向各分割电极75A1、75A2、76A1、76A2施加的高频电力的大小而能够抑制该温度分布，能够更有效地抑制向处理对象部分10A施行的等离子体处理的成膜、蚀刻的不均。

在该等离子体装置200s中，也与第一实施方式同样，能够抑制处理对象物10的塑性变形的产生。而且，能够抑制等离子体装置200s内的异常放电的产生。

需要说明的是，在第八实施方式的等离子体装置200s中，向第二施加电极的多个分割电极75B1、75B2、76B1、76B2施加的高频电力的大小的控制可以不用在每次执行等离子体处理时进行。例如，可以在实际的等离子体处理开始之前的调整阶段，预先求出抑制非处理对象部分10B的温度分布、处理对象部分10A的温度分布并使处理对象部分10A与非处理对象部分10B的温度差收敛于容许温度差以内的高频电力的大小，进行设定。

另外，也可以省略第一辐射温度计及第二辐射温度计。在这种情况下，例如，在上述的调整时，只要在内部设置温度计而进行调整即可。而且，即使不设置温度计，也可以反复进行多次调整用的成膜处理来求出收敛于容许的变形量的高频电力的大小。

另外，以分别独立地设定向各分割电极75A1、75A2、75B1、75B2、76A1、76A2、76B1、76B2施加的高频电力的大小的情况为例进行了说明，但是也可以分别向在上下方向(Y方向)上配置于对称位置的分割电极施加相同大小的高频电力。

另外，以与多个第一施加电极相当的分割电极75A1、75A2、76A1、76A2配置在第一凹陷部114r、124r的内周侧及外周侧、与多个第二施加电极相当的分割电极75B1、75B2、76B1、76B2配置在第二凹陷部117r、127r的内周侧及外周侧的情况为例进行说明。然而，电极的个数、电极的配置位置没有限定于此。即，只要能够抑制与第一凹陷部114r、124r相向配置的处理对象部分10A的温度分布及与第二凹陷部117r、127r相向配置的非处理对象部分10B的温度即可，电极的个数、电极的配置位置没有特别限定。

I.变形例：

需要说明的是，本发明并不局限于上述的实施例、实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够以各种方式实施，例如可以进行如下的变形。

(1)变形例1

在上述的第一实施方式的等离子体装置200的等离子体处理方法(参照图4)中，例如为了提高成膜速度，可以在供给原料气体之前，通过电力施加部70向工件W(处理对象物10、掩模部件20)与真空容器100之间施加电力，使工件W的温度升温。

(2)变形例2

在上述的第一实施方式中，如图3所示，接触点P1与相向平面部111之间的距离A1比形成于工件W与相向平面部111之间的鞘层的距离短，接触点P2与相向平面部121之间的距离A2比形成于工件W与相向平面部121之间的鞘层的距离短。相对于此，可以是距离A1和距离A2中的任一方比鞘层的距离大，也可以是两方均比鞘层的距离大。而且，在上述的第一实施方式中，距离A1及距离A2为2.0mm以下。相对于此，可以是距离A1和距离A2中的任一方比2.0mm大，也可以是两方均比2.0mm大。

另外，上述实施方式中，相向平面部111包围第二凹陷部117并与第二凹陷部117连接。但是，相向平面部可以形成为不包围第一凹陷部及第二凹陷部而与第二凹陷部连接的方式。而且，相向平面部也可以形成为不经由第二凹陷部而与第一凹陷部连接的方式。进而，相向平面部也可以形成为一部分与第二凹陷部连接而另一部分不经由第二凹陷部地与第一凹陷部连接的方式。

(3)变形例3

在上述的第一实施方式中，如图3所示，上侧第一凹陷部114具备侧面112和底面113，但是上侧第一凹陷部114只要从相向平面部111向离开处理对象物10的方向凹陷即可，也可以为例如半球状。在这种情况下，上侧第一凹陷部114的底面113可以是从与上侧第一凹陷部114相向的工件W分离最远的部位，工件W与上侧第一凹陷部114的底面113之间的距离B1可以是与第一凹陷部114相向的工件W和第一凹陷部114的从工件W分离最远的部位之间的距离。而且，上侧第二凹陷部117具备侧面115和底面116，但是上侧第二凹陷部117也与上侧第一凹陷部114同样只要从相向平面部111向离开处理对象物10的方向凹陷即可。而且，下侧第一凹陷部124及下侧第二凹陷部127也与上侧第一凹陷部114及上侧第二凹陷部117同样。

在上述实施方式中，第二凹陷部117的深度设定得比第一凹陷部114的深度小(参照图1、图3、以及图5～图8)。然而，第二凹陷部的深度也可以设定得比第一凹陷部的深度大。

在上述第六实施方式中，上侧第一模部分141的底面113e、下侧第一模部分151的底面123e、上侧第二模部分142的底面116e、以及下侧第二模部分152的底面126e具有通过深度调整部52能够分别独立地沿Y方向移动的构造(参照图9)。

然而，也可以是上侧第一模部分141的底面113e及上侧第二模部分142的底面116e构成为能够沿Y方向移动，而下侧第一模部分151的底面123e及下侧第二模部分152的底面126e构成为不能移动。而且，也可以是上侧第二模部分142的底面116e及下侧第二模部分152的底面126e构成为能够沿Y方向移动，而上侧第一模部分141的底面113e及下侧第一模部分151的底面123e构成为不能移动。即，可以构成为至少一部分的底面能够移动。

(4)变形例4

在上述的第一实施方式中，如图1所示，真空容器100及货盘130为接地电位，但是真空容器100及货盘130也可以不是接地电位。电力施加部70只要是能够向真空容器100与处理对象物10之间施加用于对处理对象物10进行成膜或蚀刻的等离子体处理的电力即可。

(5)变形例5

在上述的第一实施方式中，处理对象物10为燃料电池用的隔板，但是处理对象物10只要是具有导电性的部件即可。而且，在上述的第一实施方式中，等离子体装置200成膜出碳系的薄膜，但是在进行成膜时，也可以形成金(Au)、铂(Pt)、钽(Ta)、硅(Si)等其他的导电性的元素的薄膜。

(6)变形例6

可以将上述的第一实施方式的等离子体装置200(参照图1)设为以Z轴方向为中心而顺时针或逆时针地旋转了90°的结构。在该变形例中，真空容器100沿X轴方向开闭。需要说明的是，在本变形例中，绝缘部件30、掩模部件20、货盘130优选以不脱落那样的结合力分别嵌合。或者，绝缘部件30、掩模部件20、货盘130优选分别由例如螺栓等紧固。

(7)变形例7

可以将上述的各实施方式及变形例任意地组合适用。例如，在具备倾斜面的等离子体装置(参照图5)、具备分隔壁的等离子体装置(参照图8)中，也可以形成为凹陷部的底面能够移动的方式(参照图9)。

另外，在上述各实施方式中，在第一模和第二模这两方设置的结构(例如，图5所示的掩模部件20a的倾斜面23a、24a、图8所示的分隔壁160u、160d、图9所示的模部分141、142、151、152)可以仅设置于第一模，也可以仅设置于第二模。此外，各实施方式的第一模与第二模可以替换地配置。即，可以将第一模作为下模，将第二模作为上模。

本发明并不限于上述的实施方式、变形例，在不脱离其主旨的范围内能够以各种结构实现。例如，与发明内容一栏记载的各方式中的技术特征对应的实施方式、变形例中的技术特征为了解决上述的课题的一部分或全部，或者为了实现上述的效果的一部分或全部，可以适当进行更换、组合。而且，前述的实施方式及各变形例的结构要素之中的除了独立权利要求记载的要素以外的要素是附加性的要素，可以适当省略。

Claims

1.一种等离子体装置，对工件进行等离子体处理，

所述等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，在由所述第一模及所述第二模形成的密闭空间的内部配置所述工件，

所述工件具有：

处理对象物，具有处理对象部分和沿与处理对象物垂直的方向观察时位于比所述处理对象部分的一部分靠所述处理对象物的外周侧的非处理对象部分；及

掩模部件，覆盖所述非处理对象部分，

所述第一模具有：

第一凹陷部，与所述处理对象部分相向配置并产生等离子体；

第二凹陷部，与覆盖所述非处理对象部分的所述掩模部件的至少一部分相向配置并产生等离子体；及

相向平面部，以包围所述第一凹陷部及所述第二凹陷部的方式配置，并配置在比所述第一凹陷部及所述第二凹陷部接近所述第二模的位置，

所述第二凹陷部的深度设定为与所述第一凹陷部的深度不同的值，

所述第一凹陷部的深度是所述相向平面部的与所述工件相向的平面和所述第一凹陷部的底面之间的距离，所述第二凹陷部的深度是所述相向平面部的与所述工件相向的平面和所述第二凹陷部的底面之间的距离，

所述底面是凹陷部中的与开口相反的一侧的构成内壁的面。

2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其中，

所述第二凹陷部的深度设定得小于所述第一凹陷部的深度。

3.根据权利要求1所述的等离子体装置，其中，

所述第一模还具有将所述第一凹陷部与所述第二凹陷部分隔的分隔壁，

在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，

所述间隙比所述第二凹陷部的底面与所述掩模部件之间的间隔小。

4.根据权利要求2所述的等离子体装置，其中，

在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体装置，其中，

所述第一模具有构成所述第二凹陷部的底面的能够移动的底面部件，

所述等离子体装置具有通过变更所述第二凹陷部的底面的位置来调整所述第二凹陷部的深度的深度调整部。

6.根据权利要求5所述的等离子体装置，其中，

所述第一模还具有构成所述第一凹陷部的底面的能够移动的底面部件，

所述深度调整部通过变更所述第一凹陷部的底面的位置来调整所述第一凹陷部的深度。

7.根据权利要求5所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具有：

第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及

第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，

所述深度调整部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式执行所述调整。

8.根据权利要求6所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具有：

第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及

9.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具备：

第一施加电极，配置在所述第一凹陷部内；

第二施加电极，配置在所述第二凹陷部内；及

高频电力施加部，向所述第一施加电极及所述第二施加电极分别独立地施加高频电力。

10.根据权利要求9所述的等离子体装置，其中，

所述等离子体装置还具有：

第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及

所述高频电力施加部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式至少调整向所述第二施加电极施加的高频电力。