TWI760324B - 用於電子束檢測之設備及系統 - Google Patents

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TWI760324B
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艾倫 布魯迪
瑞尼爾 克尼普梅耶
克里斯多福 希爾斯
約翰 羅斯
葛瑞斯 淑玲 陳
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美商克萊譚克公司
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Abstract

本發明揭示多光束電子束柱及使用此等多光束電子束柱之檢測系統。根據本發明組態之一多光束電子束柱可包含一電子源及一多透鏡陣列，該多透鏡陣列經組態以利用由該電子源提供之電子來產生複數個細光束。該多透鏡陣列可經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點。

Description

用於電子束檢測之設備及系統
本發明大體上係關於檢測系統之領域，且特定言之係關於電子束檢測系統。
薄拋光板(諸如矽晶圓及類似者)係現代技術之一非常重要部分。例如，一晶圓可意指用於製造積體電路及其他裝置中之一薄圓塊半導體材料。
晶圓及倍縮光罩經受缺陷檢測，且電子束(e-beam)檢測被視為用於晶圓之缺陷檢測之最敏感形式之一。然而，目前可行電子束檢測系統之處理量非常有限且需要改良。
本發明係關於一種設備。該設備可包含一電子源及一多透鏡陣列，該多透鏡陣列經組態以利用由該電子源提供之電子產生複數個細光束。該多透鏡陣列可經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點。
本發明之一進一步實施例係一種設備。該設備可包含一電子源及一 多透鏡陣列，該多透鏡陣列經組態以利用由該電子源提供之電子產生複數個細光束。該多透鏡陣列可經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點。該設備亦可包含至少一額外透鏡，該至少一額外透鏡經組態以接收該複數個細光束且朝向一目標傳遞該複數個細光束。
本發明之一額外實施例係關於一種檢測系統。該檢測系統可包含一電子源及一多透鏡陣列，該多透鏡陣列經組態以利用由該電子源提供之電子產生複數個細光束。該多透鏡陣列可經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點。該檢測系統亦可包含至少一額外透鏡，該至少一額外透鏡經組態以接收該複數個細光束且朝向一檢測主體傳遞該複數個細光束。該檢測系統可進一步包含一偵測器，該偵測器經組態以藉由用該複數個細光束掃描該檢測主體而產生該檢測主體之一或多個影像。
應理解，前述一般描述及下列詳細描述兩者皆僅為例示性及闡釋性的且未必限制本發明。併入說明書中且構成說明書之一部分之附圖繪示本發明之標的。該等描述及該等圖式一起用以解釋本發明之原理。
100:電子束柱
102:電子源
104:多透鏡陣列
104A:靜電板
104B:靜電板
104C:靜電板
106:轉移透鏡群組/開口
106':開口
108:物鏡群組/複數個單透鏡
110:複數個電子束/細光束
500:製程
502:步驟
504:步驟
506:步驟
508:步驟
700:檢測系統
702:(多光束)電子束柱
704:偵測器
706:(諸)處理器
708:製造工具
710:檢測主體/晶圓
熟習此項技術者參考附圖可更好地理解本發明之許多優點，其中：圖1係描繪根據本發明之一實施例來組態之一多光束電子束柱之一方塊圖；圖2係描繪根據本發明之一實施例來組態之一多透鏡陣列之一俯視圖 之一說明圖；圖3係描繪根據本發明之一實施例來組態之一多透鏡陣列之一截面圖之一說明圖；圖4係根據本發明之一實施例來組態之一多透鏡陣列之一靜電板之一截面圖；圖5係描繪用於製造根據本發明之一實施例來組態之一多透鏡陣列之一靜電板之一例示性製程之一說明圖；圖6係描繪用於製造根據本發明之一實施例來組態之一多透鏡陣列之一例示性製程之一說明圖；且圖7係描繪使用根據本發明之一實施例來組態之一多光束電子束柱之一檢測系統之一方塊圖。
相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C.§119(e)主張2016年2月4日申請之美國臨時申請案第62/291,120號之權利。該美國臨時申請案第62/291,120號之全文以引用之方式併入本文中。
現將詳細參考所揭示之標的，該標的係繪示於附圖中。
根據本發明之實施例係針對多光束電子束柱及使用此等多光束電子束柱之檢測系統。根據本發明組態之一多光束電子束柱可使用一單電子源以產生多個電子束。產生多個電子束提供一更大視域且增大一檢測系統之總光束電流，其繼而改良該檢測系統之處理量。
根據本發明組態之一多光束電子束柱亦可實施各種類型之機構，該等機構經組態以幫助校正場曲率效應。場曲率效應可自然地存在於用以傳 遞電子束之透鏡(例如，特定言之最終透鏡或物鏡)中。場曲率效應可引起電子束之焦點移位，從而導致未精確聚焦於相同焦平面上之電子束的傳遞。無場曲率校正之情況下，一掃描區域之外邊緣處之光束的光點大小可變模糊(歸因於焦點移位)，從而限制可用於執行檢測之光束的數目，因此限制多光束檢測系統之整體可擴縮性。因此，在一些實施例中，可藉由少量地掃描光束使得可在各個光束處減輕場曲率效應。然而，外部光束由於其等係定位於一大半徑處的事實可仍具有場曲率。
為處理此問題，在將電子束傳遞至已知引起焦點移位之透鏡之前，根據本發明組態之一多光束電子束柱可以受控方式有意地預失真其產生之電子束。例如，參考圖1，若已知一電子束柱100之轉移透鏡群組106及/或物鏡群組108中之一或多個透鏡引起焦點移位，則在將電子束傳遞至轉移透鏡群組106及/或物鏡群組108之前，可利用一多透鏡陣列104以預失真(例如，以一相反方式焦點移位)該等電子束。
現參考圖2至圖4，展示根據本發明組態之一多透鏡陣列104之一例示性實施方案。多透鏡陣列104可透過一裝置(例如，一透鏡)來接收由電子源102提供之電子，該裝置經組態以準直及/或照明多透鏡陣列104。多透鏡陣列104可包含具有經界定於其中之開口(例如，圓孔)106的三個(或更多)堆疊的靜電板104A至靜電板104C。具有經界定於其中之開口106之堆疊的靜電板104A至靜電板104C可形成複數個單透鏡108，複數個單透鏡108能夠使用由電子源102提供之電子來產生複數個電子束(可被稱作細光束)110。可給該等靜電板之一者(例如在圖3中係展示為靜電板104C)供應一電勢(電壓)，使得經界定於靜電板104C上之開口106可充當一孔隙透鏡陣列，該孔隙透鏡陣列可幫助聚焦複數個細光束110。
應注意圖3中所展示之細光束110之焦點被有意地移位使得細光束110未全部聚焦於相同平面上。此有意焦點移位之目的係補償當細光束110穿過一或多個下游透鏡(例如，圖1中所描繪之轉移透鏡群組106及/或物鏡群組108)時預期發生之焦點移位。在一些實施例中，可藉由圍繞靜電板之一者之開口106給靜電板之一者(例如，圖3及圖4中所展示之靜電板104B)供應個別可定址電勢(電壓)而提供該有意焦點移位，其可容許靜電板104B個別地調整細光束110之焦點。
應理解僅出於說明之目的，靜電板104B經描繪為提供有意焦點移位之靜電板。預期在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，多透鏡陣列104之堆疊靜電板之任一者(或一組合)可經組態以提供該有意焦點移位。亦預期儘管多透鏡陣列104之特定實施方案可變化，但多透鏡陣列104之目的保持相同，該目的係補償當由多透鏡陣列104產生之細光束110穿過一或多個下游透鏡時預期發生之焦點移位。因此預期可相應地研究該等下游透鏡以幫助判定如何預失真該等細光束使得該有意焦點移位(由多透鏡陣列104引入)及該預期焦點移位(預期由該等下游透鏡引入)實質上彼此抵消。應理解在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，可以各種方式實行此研究。
亦預期當設計/建構多透鏡陣列104時，額外參數可被納入考量。在一些實施例中，一多透鏡陣列104之該等靜電板可經組態為圓形板，該等圓形板具有在近似50μm與300μm之間之一厚度，及在近似7mm與40mm之間之一直徑。兩個鄰近靜電板之間的距離可小於或等於近似1mm。此外，經界定於該等靜電板上的開口106可形成一大體上六邊形的圖案，其中兩鄰近開口106的中心至中心距離在近似80μm與120μm之間的範圍 內。此外，開口106的直徑可在近似20μm與50μm之間的範圍內，且在一些實施例中，經界定於靜電板上之經組態以用作一孔隙透鏡陣列(例如，圖3中之靜電板104C)之開口106可具有近似5μm至10μm之一直徑，該直徑小於經界定於其他靜電板上之開口106的直徑。
應理解上文所呈現之特定尺寸係為說明之目的而提供，且並非意謂限制。預期在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，該等尺寸可變化。
亦預期在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可利用各種類型的製造技術來製造多透鏡陣列104。圖5及圖6係描繪可在製程期間利用之一些技術的說明圖。
更具體言之，圖5展示可被利用以製造圖4中所展示之靜電板104B之一例示性製程500。例如，在步驟502中接收一矽基板後，在一步驟504中可藉由光電或電子束微影來圖案化開口106，接著蝕刻至矽基板中，且在步驟506中可氧化具有蝕刻開口106之矽基板。在一步驟508中，可接著用一或多種導電材料(例如，金屬)來個別地塗佈開口106，從而容許如先前所描述之可個別地定址開口106。
圖6展示一光學絕緣層112被***於多透鏡陣列104之兩鄰近靜電板之間之一例示性製程。絕緣層112可包含具有開口106'之一石英基板或藍寶石基板，開口106'經界定以與經界定於多透鏡陣列104之靜電板上之開口106大體上重合。經界定於絕緣層112上之開口106'的大小可大於界定於多透鏡陣列104之靜電板上之開口106的大小，以避免干擾多透鏡陣列104的操作。可用原子層沈積(ALD)電荷汲極來塗佈絕緣層112，以幫助減輕可在鄰近靜電板之間出現的串擾，從而提供可在各種操作條件下理解之一特徵。
應理解，圖5及圖6中所描繪之製造技術係為瞭解釋性目的而呈現，且並非意謂限制。預期在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，圖5及圖6中所描繪的製造技術，以及本文中未明確揭示之各種其他類型的製造技術可用以製造多透鏡陣列104。
現參考圖7，其展示描繪根據本發明組態之一檢測系統700之一方塊圖。檢測系統700可包含一多光束電子束柱702，多光束電子束柱702經組態以朝向一檢測主體(例如，一晶圓)710傳遞複數個聚焦電子束(細光束)。檢測系統700亦可包含一偵測器(例如，一電子顯微鏡)704，偵測器704經組態以藉由用該複數個細光束掃描晶圓710來產生晶圓710之一或多個影像。檢測系統700可進一步包含一或多個處理器706，處理器706經組態以基於由偵測器704產生之該等影像來實行各種類型之分析處理。預期(諸)處理器706可經組態以將該檢測之結果報告給一使用者。替代地及/或此外，(諸)處理器706可經組態以將其之輸出提供(例如，前饋或回饋)至用於製造晶圓710之一或多個製造工具708，需要時，則容許製造工具708做出適當調整。
應注意因為檢測系統700使用能夠產生多個細光束之一電子束柱702，所以相較於一單光束系統可顯著改良檢測系統700之處理量。亦應注意，因為由檢測系統700使用之電子束柱702能夠校正場曲率效應，可跨越電子束柱702之整個視域精確地聚焦傳遞至晶圓710之細光束，從而進一步改良檢測系統700之效率。
應理解儘管上述實例將一晶圓稱作檢測之主體，但根據本發明組態之檢測系統不限制於檢測晶圓。在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，根據本發明組態之檢測系統亦可應用於其他類型之主體。用於本發明中之 術語晶圓可包含用於製造積體電路及其他裝置以及其他薄拋光板(諸如，磁碟基板、塊規及類似者)之一薄圓塊半導體材料。
據信，藉由前述描述將理解本發明之系統及設備及其之諸多隨附優點，且應明白在不脫離所揭示之標的或不犧牲其之所有材料優點之情況下可對組件之形式、構造及配置作出各種改變。所描述之形式僅係解釋性。
100:電子束柱
102:電子源
104:多透鏡陣列
106:轉移透鏡群組/開口
108:物鏡群組/複數個單透鏡

Claims (8)

  1. 一種用於電子束檢測之設備，其包括：一電子源；及一多透鏡陣列，其經組態以利用由該電子源提供之電子來產生複數個細光束，該多透鏡陣列經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點，其中該多透鏡陣列包含具有經界定於其中之開口之至少兩個靜電板，以形成一透鏡陣列，其中該至少兩個靜電板包括一第一靜電板及一第二靜電板，其中一絕緣層經定位於該第一靜電板及該第二靜電板之間，其中該第一靜電板及該第二靜電板之各者包含複數個經蝕刻開口，其中該等經蝕刻開口係以一導電材料個別地塗佈，以允許個別可定址電勢經由一接觸墊被施加至該等開口，其中該絕緣層包含複數個開口，其中該絕緣層之該等開口之尺寸大於該第一靜電板及該第二靜電板之該等經蝕刻開口之尺寸，其中該絕緣層包含電荷汲極(charge drain)以減輕在該第一靜電板及該第二靜電板之間之串擾(cross-talk)。
  2. 如請求項1之設備，其中該第一靜電板及該第二靜電板中至少一者包括具有經蝕刻於其中之該等開口之一個氧化矽板，其中用一導電材料來個別地塗佈該等開口以容許個別可定址電勢被施加於該等開口。
  3. 如請求項1之設備，其中基於該至少一額外透鏡之該預期焦點移位來至少部分地判定該等個別可定址電勢。
  4. 如請求項1之設備，其中該設備經調適以在一檢測系統中充當一多光束電子束柱。
  5. 一種用於電子束檢測之設備，其包括：一電子源；一多透鏡陣列，其經組態以利用由該電子源提供之電子來產生複數個細光束，該多透鏡陣列經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點；及至少一額外透鏡，其經組態以接收該複數個細光束，且朝向一目標傳遞該複數個細光束，其中該多透鏡陣列包含具有經界定於其中之開口之至少兩個靜電板，以形成一透鏡陣列，其中該至少兩個靜電板包括一第一靜電板及一第二靜電板，其中一絕緣層經定位於該第一靜電板及該第二靜電板之間，其中該第一靜電板及該第二靜電板之各者包含複數個經蝕刻開口，其中該等經蝕刻開口係以一導電材料個別地塗佈，以允許個別可定址電勢經由一接觸墊被施加至該等開口，其中該絕緣層包含複數個開口，其中該絕緣層之該等開口之尺寸大於該第一靜電板及該第二靜電板之該等經蝕刻開口之尺寸，其中該絕緣層包含電荷汲極以減輕在該第一靜電板及該第二靜電板之間之串擾。
  6. 如請求項5之設備，其中基於該至少一額外透鏡之該預期焦點移位來至少部分地判定該等個別可定址電勢。
  7. 一種用於電子束檢測之系統，其包括：一電子源；一多透鏡陣列，其經組態以利用由該電子源提供之電子來產生複數個細光束，該多透鏡陣列經進一步組態以移位該複數個細光束之至少一特定細光束之一焦點，使得該至少一特定細光束之該焦點不同於該複數個細光束之至少一其他細光束之一焦點；至少一額外透鏡，其經組態以接收該複數個細光束，且朝向一檢測主體傳遞該複數個細光束；及一偵測器，其經組態以藉由用該複數個細光束掃描該檢測主體來產生該檢測主體的一或多個影像，其中該多透鏡陣列包含具有經界定於其中之開口之至少兩個靜電板，以形成一微單透鏡陣列，其中該至少兩個靜電板包括一第一靜電板及一第二靜電板，其中一絕緣層經定位於該第一靜電板及該第二靜電板之間，其中該第一靜電板及該第二靜電板之各者包含複數個經蝕刻開口，其中該等經蝕刻開口係以一導電材料個別地塗佈，以允許個別可定址電勢經由一接觸墊被施加至該等開口，其中該絕緣層包含複數個開口，其中該絕緣層之該等開口之尺寸大於該第一靜電板及該第二靜電板之該等經蝕刻開口之尺寸，其中該絕緣層包含電荷汲極以減輕在該第一靜電板及該第二靜電板之間之串擾。
  8. 如請求項7之系統，其中基於該至少一額外透鏡之該預期焦點移位來至少部分地判定該等個別可定址電勢。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3685421A1 (en) * 2017-09-19 2020-07-29 ASML Netherlands B.V. Charged particle beam apparatus, and systems and methods for operating the apparatus
US11569060B2 (en) 2017-09-29 2023-01-31 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatuses for adjusting beam condition of charged particles
CN108107059B (zh) * 2017-11-16 2021-03-05 上海华力微电子有限公司 一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构及检测方法
EP3618095A1 (en) 2018-08-28 2020-03-04 ASML Netherlands B.V. Multi electron beam inspection methods and systems
JP7169452B2 (ja) 2018-12-31 2022-11-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． マルチビーム検査装置
JP7175798B2 (ja) * 2019-03-01 2022-11-21 株式会社荏原製作所 荷電粒子マルチビーム装置
JP2021034281A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子銃及び電子ビーム照射装置
CN114930487A (zh) 2020-01-06 2022-08-19 Asml荷兰有限公司 带电粒子评估工具、检查方法
US11651934B2 (en) 2021-09-30 2023-05-16 Kla Corporation Systems and methods of creating multiple electron beams
CN116435163A (zh) * 2023-06-12 2023-07-14 广东省科学院半导体研究所 多电子束场曲校正模块及电子束光柱体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW492043B (en) * 2000-06-19 2002-06-21 Nippon Electric Co Test method of mask for electron-beam exposure and method of electron-beam exposure
US20030066974A1 (en) * 2000-03-17 2003-04-10 Masato Muraki Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method
US20140014852A1 (en) * 2008-02-26 2014-01-16 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
US20140158902A1 (en) * 2003-09-05 2014-06-12 Applied Materials Israel, Ltd. Particle-Optical Systems and Arrangements and Particle-Optical Components for such Systems and Arrangements
TW201604914A (zh) * 2014-06-13 2016-02-01 英特爾股份有限公司 電子束通用切割器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3728015B2 (ja) 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
JP2001332473A (ja) 2000-05-23 2001-11-30 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
KR20020084290A (ko) * 2000-04-04 2002-11-04 주식회사 아도반테스토 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 복수의 전자빔을집속하는 다축전자렌즈, 반도체소자 제조방법
JP4091263B2 (ja) * 2001-03-27 2008-05-28 株式会社東芝 フォーカスモニタ方法及び露光装置
JP4647820B2 (ja) 2001-04-23 2011-03-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
US6750455B2 (en) 2001-07-02 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multiple charged particle beams
US20030132382A1 (en) 2001-12-18 2003-07-17 Sogard Michael R. System and method for inspecting a mask
US8038897B2 (en) 2007-02-06 2011-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for wafer inspection
JP2012195097A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Canon Inc 荷電粒子線レンズおよびそれを用いた露光装置
US8362425B2 (en) 2011-03-23 2013-01-29 Kla-Tencor Corporation Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
JP2013004216A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Canon Inc 荷電粒子線レンズ
JP5886663B2 (ja) 2012-03-21 2016-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置およびレンズアレイ
US9373492B2 (en) * 2013-03-14 2016-06-21 The University Of North Carolina At Chapel Hill Microscale mass spectrometry systems, devices and related methods
US9257260B2 (en) 2013-04-27 2016-02-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for adaptively scanning a sample during electron beam inspection
US9752992B2 (en) 2014-03-25 2017-09-05 Kla-Tencor Corporation Variable image field curvature for object inspection

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030066974A1 (en) * 2000-03-17 2003-04-10 Masato Muraki Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method
TW492043B (en) * 2000-06-19 2002-06-21 Nippon Electric Co Test method of mask for electron-beam exposure and method of electron-beam exposure
US20140158902A1 (en) * 2003-09-05 2014-06-12 Applied Materials Israel, Ltd. Particle-Optical Systems and Arrangements and Particle-Optical Components for such Systems and Arrangements
US20140014852A1 (en) * 2008-02-26 2014-01-16 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
TW201604914A (zh) * 2014-06-13 2016-02-01 英特爾股份有限公司 電子束通用切割器

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Publication number Publication date
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TW201732259A (zh) 2017-09-16

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