TWI651750B - 傳熱板及描繪裝置 - Google Patents
傳熱板及描繪裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI651750B TWI651750B TW106118318A TW106118318A TWI651750B TW I651750 B TWI651750 B TW I651750B TW 106118318 A TW106118318 A TW 106118318A TW 106118318 A TW106118318 A TW 106118318A TW I651750 B TWI651750 B TW I651750B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- heat transfer
- heat
- patent application
- drawing device
- transfer plate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
- G03F7/0022—Devices or apparatus
- G03F7/0032—Devices or apparatus characterised by heat providing or glossing means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
依本實施形態下的傳熱板,係具備:將在減壓環境中從光源產生的射束進行成形或控制從而傳達在所搭載的構材產生的熱的第1傳熱部;設於第1傳熱部的周圍的第2傳熱部;和使第1傳熱部為可相對於第2傳熱部而移動,連接於第1傳熱部與第2傳熱部之間的複數個第3傳熱部。
Description
本發明之實施形態,係有關傳熱板及描繪裝置。
肩負半導體裝置的微細化的進展的光刻技術,係半導體製程之中生成圖案的重要的程序。近年來,隨著LSI的高積體化,半導體裝置所要求的電路線寬漸趨微細化。為了形成如此的經微細化的電路圖案而使用的光罩,係利用電子束描繪技術而形成。在電子束描繪技術,係朝遮罩基底照射電子束並描繪遮罩圖案從而形成光罩。
例如,存在採用多重射束下之描繪裝置。使用多重射束的描繪裝置,係與以1個電子束進行描繪之情況相較下,可透過使用多重射束而一次照射多個射束故可使處理量提升。如此的多重射束方式的描繪裝置,係例如將從電子槍所放出的電子束,以具有複數個孔的孔徑陣列成形為多重射束,就該多重射束進行遮没控制,將未被遮蔽的射束以光學系統進行縮小、偏向而朝遮罩基底照射。
多重射束的個別的照射量,係依其照射時間而個別控制。要高精度地控制如此的多重射束的照射量,係需要以高速進行多重射束的遮没控制(ON/OFF控制)。為此,
多重射束方式的描繪裝置,係搭載配置多重射束的各遮没裝置的遮没孔徑陣列機構。
遮没孔徑陣列機構,係具有供於個別控制各射束用的控制電路及供於對各控制電路傳達控制信號用的電路(例如,日本專利特許公開公報2015-109323號參照)。此等控制電路等,係在描繪處理時發熱故成為熱源。此外,於電子束描繪裝置內,遮没孔徑陣列機構係在真空中進行利用。因此,熱難以發散,恐累積於遮没孔徑陣列機構。此情況下,亦存在該機構會熱脹而成為適切的遮没控制的障礙如此的問題、控制電路的動作不良等的問題。
本發明之實施形態,係提供可移動地載置在真空中所配置的熱源,同時可有效地將在熱源所產生的熱進行排熱的傳熱板及帶電粒子束描繪裝置。
依本實施形態下的傳熱板,係具備:將在減壓環境中從光源產生的射束進行成形或控制從而傳達在所搭載的構材產生的熱的第1傳熱部;設於第1傳熱部的周圍的第2傳熱部;和使第1傳熱部為可相對於第2傳熱部而移動,連接於第1傳熱部與第2傳熱部之間的複數個第3傳熱部。
第1至第3傳熱部,係以相同材料而形成。
第3傳熱部,係分別具備至少2個臂部、和將臂部間連接將第1傳熱部或2傳熱部與臂部之間連接的連接部,連接部可比臂部細。
第1至第3傳熱部,係由所積層的複數個材料板而成,複數個材料板之中與第1傳熱部相應的第1構材係一體地接合,與第2傳熱部相應的第2構材亦一體地接合,複數個材料板之中與第3傳熱部相應的第3構材,係亦可個別分離。
依本實施形態下的描繪裝置,係具備:可在減壓環境中載置處理對象的載台;將照射於處理對象的電子束進行成形或控制的孔徑構材;和搭載孔徑構材,傳達因電子束的成形或控制而產生的熱的傳熱板;其中,傳熱板,係具備:傳達熱的第1傳熱部;設於第1傳熱部的周圍的第2傳熱部;和使第1傳熱部為可相對於第2傳熱部而移動,將第1傳熱部與第2傳熱部之間連接的複數個第3傳熱部。
13‧‧‧傳送電路
20a~20e‧‧‧多重射束
25‧‧‧支撐基板
27‧‧‧傳熱板
30‧‧‧膜區
31‧‧‧BAA晶片
33‧‧‧電路基板
35‧‧‧支撐基板
37‧‧‧傳熱板
37a~37d‧‧‧材料板
43‧‧‧墊
56‧‧‧資料處理部
58‧‧‧描繪控制部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧樣品
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY載台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
139‧‧‧載台位置檢測器
140‧‧‧記憶裝置
142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧成形孔徑陣列基板
204‧‧‧遮没孔徑陣列機構
206‧‧‧限制部
207‧‧‧接物鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧反射鏡
211‧‧‧成形孔徑載台機構
212‧‧‧遮没孔徑載台機構
213‧‧‧傳達構材
214‧‧‧散熱構材
215‧‧‧第1驅動機構
216‧‧‧第2驅動機構
220‧‧‧孔徑機構
310‧‧‧第1傳熱環
311‧‧‧開口部
320‧‧‧第2傳熱環
330‧‧‧連接機構
331‧‧‧臂部
332‧‧‧連接部
410‧‧‧第1傳熱部
420‧‧‧第2傳熱部
430‧‧‧第3傳熱部
310a~310d‧‧‧第1構材
320a~320d‧‧‧第2構材
330a~330d‧‧‧第3構材
340a~340d‧‧‧連結部
C‧‧‧框
D1‧‧‧方向
P‧‧‧1間距
圖1,係就第1實施形態下的描繪裝置的構成的一例進行繪示的概念圖。
圖2,係就遮没孔徑陣列機構的發熱量的一例進行繪示的圖。
圖3,係就依第1實施形態下的孔徑機構的一例進行繪示的剖面圖。
圖4(A)及(B),係就傳熱板的構成的一例進行繪示的平面圖。
圖5,係就1個連接機構的構成的一例進行繪示的透視圖。
圖6(A)及(B),係就傳熱板的構成的一例進行繪
示的剖面圖。
圖7,係就構成傳熱板的複數個材料板的構成的一例進行繪示的平面圖。
圖8,係就依第2實施形態下的材料板的構成的一例進行繪示的平面圖。
圖9,係就1個連接機構的構成的一例進行繪示的透視圖。
圖1,係就第1實施形態下的描繪裝置的構成的一例進行繪示的概念圖。描繪裝置100,係例如多重帶電粒子束曝光裝置,用於就在半導體裝置的製造中所使用的光刻的光罩進行描繪。本實施形態,係除了描繪裝置以外,亦可為曝光裝置、電子顯微鏡、光學顯微鏡等的將電子束、光等照射於處理對象的裝置。因此,作為處理對象的樣品101,係除了遮罩基底以外,亦可為半導體基板等。
描繪裝置100,係具備描繪部150與控制部160。描繪部150,係具備電子鏡筒102、描繪室103。在電子鏡筒102內,係配置電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、遮没孔徑陣列機構204、縮小透鏡205、限制部206、接物鏡207、偏向器208、成形孔徑載台機構211、遮没孔徑載台機構212。在描繪室103內,係配置XY載台105。XY載台105,係可搭載在描繪時作為處理對象的遮罩基底等
的樣品101。樣品101,係可為半導體基板(矽晶圓)等。此外,在XY工作載台105上,係為了測定XY載台105的位置而配置反射鏡210。
在電子鏡筒102內,係配置成形孔徑載台機構211,在成形孔徑載台機構211上載置成形孔徑陣列基板203。在成形孔徑載台機構211之下,係配置遮没孔徑載台機構212,在遮没孔徑載台機構212上載置遮没孔徑陣列機構204。以下,亦將成形孔徑陣列基板203、遮没孔徑陣列機構204、成形孔徑載台機構211、遮没孔徑載台機構212的整體一起稱為孔徑機構220。另外,在圖1,係僅示出孔徑機構220的概略。孔徑機構220的更詳細的構成,係參照圖3進行說明。
控制部160,係具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、載台位置檢測器139及磁碟裝置等的記憶裝置140、142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、載台位置檢測器139及記憶裝置140、142,係經由未圖示之匯流排而互相連接。記憶裝置140,係儲存從外部所輸入的描繪資料。記憶裝置142,係儲存各照射的照射時間資料。
控制計算機110,係具備資料處理部56及描繪控制部58。資料處理部56及描繪控制部58係包含處理電路,該處理電路係包含電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外,對於資料處理部56及描繪控制部58,係亦可採用共通的處理電路(相同的處理電
路),或者亦可採用個別的處理電路。被資料處理部56及描繪控制部58所輸出入的資訊及運算中的資訊係每次被儲存至記憶體112。
於此,在圖1,係記載在說明第1實施形態下所需要的構成。描繪裝置100,係亦可具備其他必要的構成。
圖2,係就遮没孔徑陣列機構的發熱量的一例進行繪示的圖。遮没孔徑陣列機構204的電路基板33,係為了對BAA晶片31上的複數個墊43傳送控制信號,而具備複數個傳送電路13。作為傳送電路13,採用例如FPGA(Field Programmable Gate Array)。傳送電路13,係進行從電路基板33的外部所供應的高速信號的緩衝、朝該高速信號的BAA晶片31的發送、資料錯誤檢查、資料的再發送要求及再接收處理等。
在圖2之例,係例如2個傳送電路13被夾著BAA晶片31而配置。複數個傳送電路13,係配置於電路基板33(安裝基板)的背面側為適。於此,在遮没孔徑陣列機構204,係從包含複數個控制電路41的膜區30、在複數個傳送電路13及電路基板33上的其他電子構件(未圖示的)產生發熱。膜區30,係例如產生1W的熱。複數個傳送電路13,係在電路基板33的兩側分別各產生例如20W共40W的熱。結果,遮没孔徑陣列機構204,係整體上產生例如45W的熱。如此,遮没孔徑陣列機構204本身成為熱源。
圖3,係就依第1實施形態下的孔徑機構的一例進行繪示的剖面圖。於圖3,箭頭係顯示熱的流動。孔徑機構
220,係具備成形孔徑陣列基板203、遮没孔徑陣列機構204、成形孔徑載台機構211、遮没孔徑載台機構212、傳達構材213、散熱構材214、第1驅動機構215、第2驅動機構216。
作為孔徑構材的成形孔徑陣列基板203,係固定於成形孔徑載台機構211上。成形孔徑載台機構211,係具備支撐基板25、傳熱板27。支撐基板25,係搭載成形孔徑陣列基板203,且固定於傳熱板27上。傳熱板27,係搭載成形孔徑陣列基板203及支撐基板25,固定於散熱構材214上。
成形孔徑陣列基板203,係接收電子束200而發熱,可能成為熱源。因此,傳熱板27,係經由支撐基板25接收來自成形孔徑陣列基板203(熱源)的熱,朝散熱構材214傳達。此外,傳熱板27,係具有具可撓性的構材,可使成形孔徑陣列基板203及支撐基板25的位置,相對於散熱構材214變動。例如,在支撐基板25的底面係連接第2驅動機構216,第2驅動機構216使成形孔徑陣列基板203及支撐基板25移動。此時,傳熱板27的一部分撓曲,使得成形孔徑陣列基板203及支撐基板25係可相對於散熱構材214在維持熱導性下移動。第2驅動機構216,係設於傳達構材213與支撐基板25之間,例如以壓電元件等的致動器與伸縮桿而構成。第2驅動機構216的致動器將伸縮桿予以驅動,從而可相對於傳達構材213調節成形孔徑陣列基板203及支撐基板25的位置。另外,有關傳熱板27的詳細的構成,係與傳熱板37的構成一起參照圖4而於後進行說明。
作為孔徑構材的遮没孔徑陣列機構204,係固定於遮没孔徑載台機構212上。遮没孔徑載台機構212,係具備支撐基板35、傳熱板37。支撐基板35,係搭載遮没孔徑陣列機構204,且固定於傳熱板37上。傳熱板37,係搭載遮没孔徑陣列機構204及支撐基板35,固定於散熱構材214上。
遮没孔徑陣列機構204,係如上述,可能因多重射束20a~20e的控制而成為熱源。傳熱板37,係經由支撐基板35,而接收來自遮没孔徑陣列機構204(熱源)的熱,朝散熱構材214傳達。此外,傳熱板37,係具有具可撓性的構材,可使遮没孔徑陣列機構204及支撐基板35的位置,相對於散熱構材214變動。設於支撐基板35的下方的第1驅動機構215經由傳達構材213而連接於傳熱板37,可使遮没孔徑陣列機構204及支撐基板35旋轉移動。第1驅動機構215,係設於散熱構材214的底部與傳達構材213的底部之間,例如以旋轉軸承機構而構成。第1驅動機構215,係可經由傳達構材213,而使遮没孔徑陣列機構204及支撐基板35旋轉移動,同時亦經由連接於傳達構材213的第2驅動機構216而使成形孔徑陣列基板203及支撐基板25旋轉移動。亦即,孔徑機構220,係首先透過第1驅動機構215使成形孔徑陣列基板203及遮没孔徑陣列機構204雙方旋轉從而調節位置(旋轉位置),接著透過第2驅動機構216而調節成形孔徑陣列基板203的位置(旋轉位置、傾斜度)。藉此,孔徑機構220,係可從電子束200形成期望的多重射束20a~20e,且可就多重射束20a~20e正確地進行遮没控
制。
散熱構材214,係搭載成形孔徑陣列基板203、成形孔徑載台機構211、遮没孔徑陣列機構204及遮没孔徑載台機構212,被相對於電子鏡筒102而固定。散熱構材214,係經由支撐基板25、35、傳熱板27、37而接收來自成形孔徑陣列基板203、遮没孔徑陣列機構204等的熱,將該熱朝電子鏡筒102的外部進行傳達而散熱。支撐基板25、35、傳熱板27、37及散熱構材214,係例如以銅等的熱導率高的材料而構成。圖4(A)及圖4(B),係就傳熱板的構成的一例進行繪示的平面圖。圖4(B),係將圖4(A)的框C放大顯示的圖。另外,傳熱板27的構成係與傳熱板37的構成相同即可。因此,此處係說明傳熱板37的構成,省略傳熱板27的構成的說明。
傳熱板37,係如示於圖4(A),具備第1傳熱環310、第2傳熱環320、連接機構330。
作為第1傳熱部的第1傳熱環310,係搭載就圖3的遮没孔徑陣列機構204進行支撐的支撐基板35。支撐基板35,係固定於第1傳熱環310。此外,第1傳熱環310,係例如以銅等的熱導率高的材料而形成,以傳達因電子束200的控制而產生的熱。亦即,第1傳熱環310,係兼備搭載遮没孔徑陣列機構204及支撐基板35的功能、傳達遮没孔徑陣列機構204的熱的功能。第1傳熱環310,係在其中心部具有開口部311,射束20a~20e可通過。
作為第2傳熱部的第2傳熱環320,係設於第1傳熱環
310的周圍,固定於圖3的散熱構材214。第2傳熱環320,係形成為比第1傳熱環310大、與第1傳熱環310大致同心圓狀。第2傳熱環320,係接收經由連接機構330而傳達的來自第1傳熱環310的熱,而將該熱朝散熱構材214傳達。第2傳熱環320,係例如以銅等的熱導率高的材料而形成。
作為第3傳熱部的連接機構330,係以將第1傳熱環310的熱朝第2傳熱環320傳達的方式,連接於第1傳熱環310與第2傳熱環320之間。此外,如示於圖4(B),各連接機構330,係具有臂部331、連接部332,具有可撓性(柔軟性)。藉此,第1傳熱環310係可相對於第2傳熱環320而相對移動。
更詳言之,複數個連接機構330,係於第1傳熱環310與第2傳熱環320之間,設為在該等之圓周方向上大致均等(大致等間距)。藉此,各連接機構330雖為細的構材,惟能以連接機構330整體將第1傳熱環310的熱朝第2傳熱環320大致均等且充分地傳達。此外,連接機構330,係構成為可在將第1傳熱環310與第2傳熱環320之間連接下,使第1傳熱環310相對於第2傳熱環320移動。例如,連接機構330,係可朝第2傳熱環320的面內上的任意方向(圖4(A)的X、Y方向或水平方向)使第1傳熱環310移動,且亦可使第1傳熱環310相對於第2傳熱環320的面朝垂直方向(圖4(A)的Z方向)移動。如此,連接機構330,係具有將來自第1傳熱環310的熱傳達至第2傳熱環320的功能、可使第1傳熱環310相對於第2傳熱環320而相對移動的功
能。連接機構330,係以與第1傳熱環310及第2傳熱環320相同材料(例如,銅等)而形成。
圖5,係就1個連接機構的構成的一例進行繪示的透視圖。各連接機構330,係如示於圖4(B)及圖5,具備複數個臂部331、複數個連接部332。依本實施形態下的連接機構330,係具備4個臂部331、5個連接部332。臂部331的寬度,係比連接部332的寬度寬,雖僅稍微不變形,惟形成為僅寬度寬的部分比連接部332容易傳導熱。臂部331,係例如相對於從第1傳熱環310朝第2傳熱環320的方向D1而傾斜,在第1傳熱環310與第2傳熱環320之間配置為鋸齒狀。
另一方面,連接部332,係形成為比臂部331細(中間變細),具有比臂部331高的可撓性(柔軟性)而使得可變形。連接部332,係將第1傳熱環310與臂部331之間、鄰接的複數個臂部331之間、以及臂部331與第2傳熱環320之間連接。連接部332,係具有作為彈性鉸鏈的功能,於第1傳熱環310與第2傳熱環320之間,將複數個臂部331彈性連接。
例如,第1傳熱環310移動於D1方向的情況下,示於圖4(B)的連接部332係彎曲(縮短),臂部331的傾斜,係相對於D1方向變陡峭。亦即,臂部331,係相對於D1方向靠近於垂直方向。此時,夾著開口部311在框C的相反側的連接機構330方面,連接部332係變寬(伸長),臂部331的傾斜,係相對於D1方向變緩。亦即,臂部331,係相對於D1方向靠近於平行方向。藉此,第1傳熱環310,係相對
於第2傳熱環320朝D1方向移動。
另一方面,第1傳熱環310移動於與D1方向逆向的情況下,示於圖4(B)的連接部332係變寬(伸長),臂部331的傾斜,係相對於D1方向變緩。亦即,臂部331,係相對於D1方向靠近於平行方向。此時,夾著開口部311在框C的相反側的連接機構330方面,連接部332係彎曲(縮短),臂部331的傾斜,係相對於D1方向變陡峭。亦即,臂部331,係相對於D1方向靠近於垂直方向。藉此,第1傳熱環310,係相對於第2傳熱環320朝與D1方向逆向移動。同樣,第1傳熱環310,係可在包含第1傳熱環310的平面(圖4(A)的X-Y面)內朝任意的方向而移動。此外,第1傳熱環310,係亦可相對於包含第2傳熱環320的平面而移動於垂直方向(圖4(A)的Z方向)。如此,連接機構330,係可使第1傳熱環310相對於第2傳熱環320而柔軟且3維地移動。另外,相對於第2傳熱環320的第1傳熱環310的移動距離,係限於連接機構330的可伸縮的範圍。
此外,於連接機構330,變形的連接部332以外的臂部331的寬度,係形成為比連接部332的寬度寬而使得容易傳導熱。此外,多數個連接機構330設於第1傳熱環310與第2傳熱環320之間。藉此,連接機構330,係可一面使第1傳熱環310相對於第2傳熱環320移動,一面維持第1傳熱環310與第2傳熱環320之間的高熱導性。此外,臂部331形成為比連接部332寬幅,使得可抑制鄰接的連接機構330彼此牽扯。
另外,連接機構330,係只要具有可撓性且不防礙熱導性的構成,則不限定於示於圖4(B)及圖5的構成。例如,臂部331及連接部332的個數係不特別限定。然而,為了使第1傳熱環310可相對於第2傳熱環320移動,臂部331係需要至少2個,連接部332係需要至少3個。
圖6(A)及圖6(B),係就傳熱板的構成的一例進行繪示的剖面圖。圖6(A)係示出沿著圖4(A)的A-A線下的剖面,圖6(B)係示出沿著圖4(A)的B-B線下的剖面。圖7,係就構成傳熱板的複數個材料板的構成的一例進行繪示的平面圖。如示於圖6(A)及圖6(B),傳熱板37係積層示於圖7的複數個材料板37a~37d從而形成。另外,材料板37a~37d,係分別具有相同構成,故於圖7係示出該等中的1個。
材料板37a~37d,係分別具備對應於第1傳熱環310的第1構材310a~310d、對應於第2傳熱環320的第2構材320a~320d、對應於連接機構330的第3構材330a~330d。材料板37a~37d,分別係例如利用光刻技術及蝕刻技術而加工的銅的薄板。因此,材料板37a~37d,係分別就1個薄板進行加工而形成,第1~第3構材310a、320a、330a、第1~第3構材310b、320b、330b、第1~第3構材310c、320c、330c、第1~第3構材310d、320d、330d係分別被一體形成。
積層複數個材料板37a~37d時,第1構材310a~310d,係例如利用擴散接合等而被一體地接合。藉此,如
示於圖6(B),第1構材310a~310d係成為一體的第1傳熱環310。第2構材320a~320d亦例如利用擴散接合等而被一體地接合。藉此,如同第1傳熱環310,第2構材320a~320d,係成為一體的第2傳熱環320。另外,第1構材310a~310d及第2構材320a~320d的個別的接合方法,係不限定於擴散接合,例如亦可為黏合、焊接等。
另一方面,將材料板37a~37d進行積層時,第3構材330a~330d係維持彼此分離,而不接合。例如,如示於圖6(A),材料板37a~37d的鄰接於積層方向(Z方向)的第3構材330a、330b,係在第1及第2傳熱環310、320的圓周方向(相對於Z方向而大致垂直方向(圖6(A)中係X方向))上彼此各偏離大致半間距。鄰接於積層方向的第3構材330b、330c,亦在第1及第2傳熱環310、320的圓周方向上彼此各偏離大致半間距。鄰接於積層方向的第3構材330c、330d,亦在第1及第2傳熱環310、320的圓周方向上彼此各偏離大致半間距。藉此,於圖6(A)的剖面,第3構材330a~330d,係彼此不同地配置為矩陣狀,將材料板37a~37d進行積層時亦可維持分離的狀態。第3構材330a~330d,係維持分離下,在材料板37a~37d的積層後成為連接機構330。另外,1間距P係例如於材料板37a鄰接的2個第3構材330a間之間隔與1個第3構材330a的寬度的和。
使第3構材330a~330d各偏離半間距(P/2),使得就積層後的傳熱板37從Z方向視看時,如示於圖4(A)及圖
4(b),在鄰接的2個第3構材330a(330c)間出現第3構材330b(330d)。因此,示於圖4(A)的傳熱板37的連接機構330,係與圖7的1個材料板(例如,37a)的第3構材(例如,330a)相較下以較高的密度而排列。如此,傳熱板37的連接機構330,係能以分離狀態且高密度而形成。
如以上,在依本實施形態下的傳熱板37方面,第1傳熱環310及第2傳熱環320係分別被一體地接合,且連接機構330的第3構材330a~330d係分別分離。第1傳熱環310被一體地接合,使得第1傳熱環310的剛性,係具有與具備和第1構材310a~310d的厚度的總和相等的厚度的1個板大致相等的剛性。一般情況下,彎曲剛性(彎曲難度),係比例於材料的厚度的3次方,故第1傳熱環310係成為具有比第1構材310a~310d的剛性的和相當高的剛性。同樣,第2傳熱環320的剛性,係具有與具備和第2構材320a~320d的厚度的總和相等的厚度的1個板大致相等的剛性。因此,第2傳熱環320亦成為具有比第1構材310a~310d的剛性的和相當高的剛性。另一方面,連接機構330的第3構材330a~330d係分別分離,故連接機構330的剛性,係成為第3構材330a~330d的剛性的單純和,維持可撓性(柔軟性)。如此,依本實施形態下的傳熱板37,係可使第1及第2傳熱環310、320的剛性、連接機構330的可撓性同時成立。
此外,依本實施形態,即如示於圖6(A),第1及第2傳熱環310、320的鄰接於圓周方向的第3構材330a~330d彼此各偏離半間距(P/2)。藉此,可一面增加連接機構
330的密度或截面積,一面抑制連接機構330彼此牽扯。增加連接機構330的密度或截面積,使得連接機構330係可維持第1傳熱環310與第2傳熱環320之間的熱導性。結果,可抑制成形孔徑陣列基板203或遮没孔徑陣列機構204的熱脹,可使描繪準確度提升。此外,可促進遮没孔徑陣列機構204的冷卻,可使描繪處理的處理量提升。再者,即便使第1傳熱環310相對於第2傳熱環320移動,連接機構330仍維持彼此分離狀態,可抑制彼此牽扯。
於本實施形態,傳熱板37係積層4個材料板37a~37d而形成。然而,構成傳熱板37的材料板的積層數,係亦可為不足4個或5個以上。例如,傳熱板37係亦可積層分別具有約0.25mm的厚度的20個材料板而形成。此情況下,傳熱板37的整體的厚度,係成為約5mm。
圖8,係就依第2實施形態下的材料板37a~37d的構成的一例進行繪示的平面圖。
材料板37a~37d,係分別具有相同構成,故圖8係示出該等中的1個。第2實施形態的材料板37a~37d,係在分別具備第1構材310a~310d、第2構材320a~320d、第3構材330a~330d的點上,與第1實施形態的材料板37a~37d相同。然而,依第2實施形態下的材料板37a~37d,係在分別具備連結部340a~340d的點上,與第1實施形態的材料板37a~37d不同。
連結部340a,係將第1及第2構材310a、320a的鄰接於圓周方向的複數個第3構材330a連結。同樣,連結部340b係將第1及第2構材310b、320b的鄰接於圓周方向的複數個第3構材330b分別連結,連結部340c係將第1及第2構材310c、320c的鄰接於圓周方向的複數個第3構材330c分別連結,以及連結部340d係將第1及第2構材310d、320d的鄰接於圓周方向的複數個第3構材330d分別連結。此外,連結部340a,係將複數個第3構材330a間歇(例如,間隔1個)地連結。同樣,連結部340b係將複數個第3構材330b間歇地連結,連結部340c係將複數個第3構材330c間歇地連結,以及連結部340d係將複數個第3構材330d間歇地連結。如此,連結部340a~340d,係分別將鄰接的第3構材330a~330d每複數個進行連結。藉此,可一面維持第3構材330a~330d的可撓性,一面抑制第3構材330a~330d分別彼此牽扯。
在將材料板37a~37d進行積層後的傳熱板37方面,連結部340a~340d係變成將第1及第2傳熱環310、320的鄰接於圓周方向的複數個連接機構330連結。藉此,可抑制連接機構330互相彼此牽扯。此外,第2實施形態,係亦可獲得與第1實施形態同樣的效果。
於圖8,連結部340a~340d,係分別每2個將第3構材330a~330d進行連結。然而,透過連結部340a~340d而連結的第3構材330a~330d的個數,係不特別限定。因此,連結部340a~340d,係亦可分別將3個以上的第3構材330a
~330d進行連結。作成如此亦不會喪失第2實施形態的效果。
圖9,係就傳熱板的變化例的構成進行繪示的平面圖。在依第1及第2實施形態下的傳熱板37,作為第1傳熱部的第1傳熱環310及作為第2傳熱部的第2傳熱環320,係環狀,配置為同心圓狀。然而,第1傳熱部及第2傳熱部,係不限定於環狀,亦可並列地配置。例如,在本變化例,第1傳熱部410及第2傳熱部420,係方形,並列地配置。第3傳熱部430,係連接於第1傳熱部410與第2傳熱部420之間。
第1~第3傳熱部410~430的構成,係與參照圖5~圖6(B)而說明的構成同樣即可。因此,第1傳熱部410及第2傳熱部420的剖面(圖9的B-B線的剖面),係成為示於圖6(B)的構成。第3傳熱部430的構成,係成為示於圖5的構成。另外,於圖9,第3傳熱部430係簡略顯示。第3傳熱部430的剖面(圖9的A-A線的剖面),係成為示於圖6(A)的構成。有關第1~第3傳熱部410~430的詳細的構成係省略。
如此,第1傳熱部及第2傳熱部,係不限定於環狀,亦可並列地配置。
雖就本發明之幾個實施形態進行說明,惟此等實施形態作為例子而提示者,並未意圖限定發明之範圍。此等新
穎的實施形態,能以其他的各種形態加以實施,在不脫離發明之要旨的範圍下,可進行各種的省略、置換、變更。此等實施形態、其變化等,係包含於發明之範圍、要旨等,同時包含於申請專利範圍所記載之發明與其均等之範圍。
Claims (16)
- 一種傳熱板,具備:將在減壓環境中從光源所產生的射束進行成形或控制,從而傳達在所搭載的構材產生的熱的第1傳熱部;設於前述第1傳熱部的周圍的第2傳熱部;和使前述第1傳熱部為可相對於前述第2傳熱部而移動,連接於前述第1傳熱部與前述第2傳熱部之間的複數個第3傳熱部;其中,前述第3傳熱部分別具備:至少2個臂部;和連接部,其將前述臂部間連接,將前述第1傳熱部或前述2傳熱部與前述臂部之間連接;前述連接部比前述臂部細。
- 如申請專利範圍第1項之傳熱板,其中,前述第1至第3傳熱部,係以相同材料而形成。
- 如申請專利範圍第1項之傳熱板,其中,前述第1至第3傳熱部,係由所積層的複數個材料板而成,前述複數個材料板之中與前述第1傳熱部相對的第1構材係一體地接合,與前述第2傳熱部相應的第2構材亦一體地接合,前述複數個材料板之中與前述第3傳熱部相應的第3構材,係個別分離。
- 如申請專利範圍第3項之傳熱板,其中,前述複數個材料板的鄰接於積層方向的複數個前述第3構材,係相對於前述積層方向而彼此偏離於大致垂直方向。
- 如申請專利範圍第1項之傳熱板,其中,前述第3傳熱部,係在前述第1傳熱部與前述第2傳熱部之間配置為大致均等。
- 如申請專利範圍第1項之傳熱板,其中,前述連接部撓曲使得前述第1傳熱部相對於前述第2傳熱部而移動。
- 如申請專利範圍第1項之傳熱板,其中,前述第1~第3傳熱部係利用銅而形成。
- 如申請專利範圍第1項之傳熱板,其進一步具備將鄰接的複數個前述第3傳熱部進行連結的連結部。
- 一種描繪裝置,具備:可在減壓環境中載置處理對象的載台;將照射於前述處理對象的電子束進行成形或控制的孔徑構材;和搭載前述孔徑構材,傳達因前述電子束的成形或控制而產生的熱的傳熱板;其中,前述傳熱板,係具備:傳達前述熱的第1傳熱部;設於前述第1傳熱部的周圍的第2傳熱部;和使前述第1傳熱部為可相對於前述第2傳熱部而移動,將前述第1傳熱部與前述第2傳熱部之間連接的複數個第3傳熱部;其中,前述第3傳熱部分別具備至少2個臂部、在前述第1熱部與前述臂部之間將前述臂部連接的連接部,前述連接部比前述臂部細。
- 如申請專利範圍第9項的描繪裝置,其中,前述第1~第3傳熱部,係以相同材料而形成。
- 如申請專利範圍第9項的描繪裝置,其中,前述第1~第3傳熱部,係由所積層的複數個材料板而成,前述複數個材料板之中與前述第1傳熱部相應的部分係一體地接合,與前述第2傳熱部相應的部分亦一體地接合,前述複數個材料板之中與前述第3傳熱部相應的部分,係個別分離。
- 如申請專利範圍第11項的描繪裝置,其中,前述複數個材料板的鄰接於積層方向的前述第3傳熱部,係相對於前述積層方向而偏離於大致垂直方向上。
- 如申請專利範圍第9項的描繪裝置,其中,前述第3傳熱部,係在前述第1傳熱部與前述第2傳熱部之間配置為大致均等。
- 如申請專利範圍第9項的描繪裝置,其中,前述連接部撓曲使得前述第1傳熱部相對於前述第2傳熱部而移動。
- 如申請專利範圍第9項的描繪裝置,其中,前述第1~第3傳熱部係利用銅而形成。
- 如申請專利範圍第9項的描繪裝置,其進一步具備將鄰接的複數個前述第3傳熱部進行連結的連結部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-124870 | 2016-06-23 | ||
JP2016124870A JP6640040B2 (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 伝熱板および描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201810346A TW201810346A (zh) | 2018-03-16 |
TWI651750B true TWI651750B (zh) | 2019-02-21 |
Family
ID=60675106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106118318A TWI651750B (zh) | 2016-06-23 | 2017-06-02 | 傳熱板及描繪裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10236158B2 (zh) |
JP (1) | JP6640040B2 (zh) |
KR (1) | KR101952699B1 (zh) |
CN (1) | CN107544214B (zh) |
TW (1) | TWI651750B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7189794B2 (ja) * | 2019-02-12 | 2022-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2022185486A (ja) * | 2021-06-02 | 2022-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイユニット |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW367550B (en) * | 1997-01-10 | 1999-08-21 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
US8368030B2 (en) * | 2005-07-20 | 2013-02-05 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Charged particle beam exposure system and beam manipulating arrangement |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01104349A (ja) | 1987-10-15 | 1989-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空容器内極低温ステージ |
JP2001177024A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Ts Heatronics Co Ltd | 熱拡散用複合プレート |
US6574026B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-06-03 | Agere Systems Inc. | Magnetically-packaged optical MEMs device |
JP2002198475A (ja) | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 熱伝導材および熱伝導材の製造方法 |
JP4464097B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-05-19 | キヤノン株式会社 | 配線構造および露光装置 |
JP2005140999A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Nikon Corp | 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法 |
CN1938646B (zh) * | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7345287B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-03-18 | Applied Materials, Inc. | Cooling module for charged particle beam column elements |
JP5636238B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2014-12-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6136124B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2017-05-31 | 株式会社富士通ゼネラル | 熱交換器の製造方法および熱交換器 |
US9018022B2 (en) * | 2012-09-24 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus |
EP2765591B1 (en) * | 2013-02-08 | 2016-07-13 | FEI Company | Sample preparation stage |
NL2011401C2 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-09 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical device. |
JP6190254B2 (ja) | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2016
- 2016-06-23 JP JP2016124870A patent/JP6640040B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-04 US US15/586,858 patent/US10236158B2/en active Active
- 2017-06-02 TW TW106118318A patent/TWI651750B/zh active
- 2017-06-20 KR KR1020170078095A patent/KR101952699B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-23 CN CN201710484203.6A patent/CN107544214B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW367550B (en) * | 1997-01-10 | 1999-08-21 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
US8368030B2 (en) * | 2005-07-20 | 2013-02-05 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Charged particle beam exposure system and beam manipulating arrangement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107544214B (zh) | 2020-06-19 |
CN107544214A (zh) | 2018-01-05 |
KR20180000688A (ko) | 2018-01-03 |
US10236158B2 (en) | 2019-03-19 |
KR101952699B1 (ko) | 2019-02-27 |
JP6640040B2 (ja) | 2020-02-05 |
JP2017228702A (ja) | 2017-12-28 |
US20170372869A1 (en) | 2017-12-28 |
TW201810346A (zh) | 2018-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015211040A (ja) | パターン切削用マルチビーム・ツール | |
KR102135316B1 (ko) | 직접 기입 마스크리스 리소그래피를 위한 방법 및 장치 | |
TW201734663A (zh) | 用於直接寫入無光罩微影之方法及裝置 | |
TWI651750B (zh) | 傳熱板及描繪裝置 | |
JP2008227505A (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP6919019B2 (ja) | 接合装置、および接合方法 | |
US11500298B2 (en) | Reticle sub-field thermal control | |
TW201133694A (en) | Support and positioning structure, semiconductor equipment system and method for positioning | |
JP2018206814A (ja) | 搬送ハンド、搬送装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法及び保持機構 | |
US20130149646A1 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
US20170212425A1 (en) | Exposure apparatus | |
JP6604793B2 (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
JP2019054212A (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 | |
JP2005268675A (ja) | 微細パターン形成装置および半導体デバイス製造方法 | |
US9360752B2 (en) | Pattern formation method | |
JP2015128145A (ja) | 検出装置、インプリント装置、および物品の製造方法 | |
JP6393575B2 (ja) | 離間装置および離間方法 | |
JP2017111243A (ja) | ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
JP6875233B2 (ja) | テンプレート基板、テンプレート基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
KR102294079B1 (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP2017005035A (ja) | インプリント装置および物品の製造方法 | |
TW201802611A (zh) | 曝光裝置及曝光方法、微影方法、以及元件製造方法 | |
US20150072445A1 (en) | Lithography apparatus and method of manufacturing article | |
JP2021085960A (ja) | ダイレクト露光装置および基板の露光方法 | |
JP2023147767A (ja) | 転写方法、及び転写装置 |