JP5948363B2 - ナノ組織体を備えた熱電気的装置 - Google Patents
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Description
また、本発明は、粗面を有し、ドーピングされ、或いはドーピングされない半導体よりなり、第一電極と第二電極と接触するナノ組織体からなる装置を提供する。
本発明のこれら及びこれ以外の目的、利点、及び特徴は、以下の詳細な記述を読むことによって、当業者に明白されるであろう。
本発明にかかるナノ組織体は粗面を有し、このナノ組織体はドーピングされた、或いはされていない、如何なる適宜な半導体からなるものであってよいが、Peng, et al. のSynthesis of large area silicon nanowire arrays via self assembling nanochemistry,(Adv.Mater.14,1164−1167(2002));Peng, et al.のDendrite assistet growth of silicon nanowires in electroless metal deposition,(Adv.Funct.Mater.13,127−132(2003)); 及びPeng, et al.のUniform, axial orientation alignment of one dimensional single crystal silicon nanostructure arrays:
Angew.Chem.Int.Edit. 44, 2737(2005)に記載されたシリコンナノワイヤーのような、洗浄されたp型(111)方位のシリコン下地層を水性HF/AgNO3溶液に50℃で20分間浸して準備されるシリコンナノワイヤーではない。本発明のナノ組織体は以下のような特徴を有する:制限(confinement)及び表面工学(或いは境界面工学)。
前記”制限”の定義とは、ナノ組織体が一次元的(1−D)或いは二次元的(2−D)のものであり、長さが1nmから1000nmまでに限定された次元を少なくとも一つ有すると言うことである。1−Dナノ組織体は、ナノワイヤーを含むがそれに限定されない。2−Dナノ組織体は、平面的組織体を含むがそれに限定されない。例えば、1−Dナノ組織体の場合、ナノワイヤーの直径或いは厚さが1nmから1000nmまでの長さである。又2−Dナノ組織体の場合、平面的組織体の厚さが1nmから1000nmまでの長さである。
発明のある実施例において、ナノ組織体の表面が粗であるとは表面に対して最高の点と最低の点との距離が0以上から5nmということである。
[ナノ組織体の合成]
1−Dナノ組織体及び複数の1−Dナノ組織体は適宜な方法によって合成することが出来る。そのような方法にはここに記載される例1及び2、それからここに全体として参照して組み込まれるPeng et al.”Synthesis of large area silicon nanowire arrays via self assembling nanochemistry”(Adv.Mater.,14(16): 1164−1167(2002))、及び Peng et al.”Aligned single crystalline Si nanowire arrays for photovoltaic applications”(small,1(11):1062−1067(2005))に記載の方法が含まれる。
本発明は、Peng,K.Q.,Yan,Y.J.Gao,S.P.&Zhu,J,”Synthesis of large−area silicon nanowire arrays via self−assembling nanochemistry”,Adv.Mater.14,1164−1167(2002);Peng,K.,Yan,Y.,Gao,S.*Zhu,J,”Dendrite−assisted growth of silicon nanowires in electroless metal deposition”,Adv.Funct.Mater.13,127−132(2003);Peng,K.et al.”Uniform, axial−orientation alignment of one−dimensional single−crystal silicon nanostructure arrays”,Angew.Chem.Int.Edit.,44,2737(2005)に記載されたナノワイヤーを含むナノ組織体からなる装置を提供する。この装置の運行中、第一電極と第二電極とは電気的に導通状態にある。
発明のある実施例において、電流を生成する方法は本発明の装置を準備する工程と、第一電極からナノワイヤーのような1−Dナノ組織体へ、及び1−Dナノ組織体を通じて第二電極に流れる電流を生成するように第一と第二電極の間に温度勾配を維持する工程とからなる。
ある実施例において、装置の第一電極と第二電極の間に温度の相違があり、ナノ組織体を通じて電流が生成される。
第一電極と第二電極の温度差は、1度以上、5度以上、10度以上、50度以上、100度以上、或いは200度以上である。温度は各電極が装置の成分を溶解せず、望まれる電流との干渉がない限り、どのようであってもよい。
本発明の装置は、熱電気的発電機或いは熱電気的クーラーである(図8及び図9を参照)。本発明の装置は、熱電気的発電或いはコンピュータチップの冷却などの用な熱電気的冷却に使用可能である。
発明が記述されたので、以下の実施例が例示のため、限定の目的ではなく提供される。
粗性シリコンナノワイヤー
最も普遍的に使用されている商業的熱電気的物質はバルク状のBi2Te3及びZTが約1であるSb,Seなどとの合金である。バルク状のBi2Te3を大規模なエネルギイ転換に調整するのは難しいが、その目的の合成ナノ組織体を製造することはよけい難しい。その一方、Siは最も豊富で広範囲に使用される半導体である。しかしバルク状Siはkが高く(室温で約150Wm−1K−1)(Touloukian,Y.S.,Powell,R.W.,Ho,C.Y.&Klemens,P.G.,”Thermal Conductivity:Metallic Elements and Alloys, Thermophysical Properties of Matter”,v.1,IFI/Plenum, New York,339(1970))、300KにおいてZTを約0.009にする(Weber,L.&Gmelin,E.,”Transport properties of silicon”,Appl.Phys.A53,136−140(1991))(本願に全体として参照して組み込まれる)。室温でSiのkに貢献するフォノンの分光的分布はかなり広い。フォノンーフォノンウムクラップ散乱はωをフォノン周波数としてω2のように変化するので、低周波数(或いは長波長)の音響的フォノンは長い平均自由行程を持ち、高温において有意義的にkに貢献する(Nolas,G.S.&Sharp,J.,Goldsmid,H.J.”Thermoelectrics:Basic Principles and New Materials Development”,Springer−Verlag,Berlin,2001; Asheghi,M.,Leung,Y.K.,Wong,S.S.&Goodson,K.E.”Phonon boundary scattering in thin silicon layers”,Appl.Phys.Lett.71,1798−1800(1997); Asheghi,M.,Touzelbaef,Goodson,K.E.,Leung,Y.K.&Wong,S.S.”Temperature dependent thermal conductivity of single crystal silicon layers in SOI substrates”,J.Heat Trans.120,30−36(1998);Ju,Y.S.&Goodson,K.E.”Phonon scattering in silicon films with thickness of order 100nm”Appl.Phys.Lett.74,3005−3007(1999))(本願に全体として参照して組み込まれる)。ここにおいて、我々は粗性ナノワイヤーを使用することによって有意義的にS2を変更せずに熱伝導率を約1Wm−1K−1に減少し、従って室温においてZTを約1にできることを示す。更に、ナノワイヤーの直径を減少すれば、ZTを1以上に増大し、高性能で廉価で調節可能なSiに基づく熱電気的装置の可能性が提供される。
thermoelectric power of heavily doped n−type silicon” J.Phys.C3,483−491(1970); Ruf,T.et al.”Thermal conductivity of isotopically enriched silicon” Solid State Commun.115,243−247(2000))(本願に全体として参照して組み込まれる)。このような欠陥の原子的特性により、これらは、主として短波長のフォノンを散乱するものと予想される。これらの高度にドーピングされたナノワイヤーの場合、直径約100nmのワイヤーのkは室温において1.5Wm−1K−1に低下された。比較のため、非結晶バルクSiのkの温度依存(http://users.mrl.uiuc.edu/cahill/tcdata/tcdata.htmlからのデータ点はCahill,D.G.&Pohl,R.O.”Thermal conductivity of amorphous solids above the plateau”Phys.Rev.B35,4067−4073(1987)(本願に全体として参照して組み込まれる)における測定値と合致する)も図2のパネルBに示してあり、これは高度にドーピングされた単結晶EE Siナノワイヤーの総計kがフォノンの平均自由行程が原子間間隙と同程度である絶縁体ガラスのそれと同程度であることを示唆する。更に半導体のZTの頂点はドーパント濃度が1x1019cm−3で起こるものと予想され、従って最適にドーピングされたワイヤーは更に低い値のkを有することであろう(Rowe,D.M.ed.”CRC Handbook of Thermoelectrics”, CRC Press, Boca Raton,ch.5(1995)(本願に全体として参照して組み込まれる))。
ナノワイヤー合成
標準的ナノワイヤー合成がBドーピングされたp型(100)Siウエファ上に実施された。ウエファチップはアセトンと2−プロパノルの中で超音波処理され、テフロン(登録商標)を付けたオートクレーブ内で0.02MのAgNO3と5Mのフッ化水素酸(HF)の水性溶液の中に入れられた。オートクレーブは密閉され、50°Cのオーブンの中に1時間入れられた。長さ150μmのナノワイヤーとして、ウエファチップは同様に準備され、0.04MのAgNO3と5MのHFと共にオートクレーブの中に4時間入れられた。ナノワイヤーは叉Siウエファ全体からエッチングされた。ウエファは洗浄され、同様なエッチング溶液と共にテフロン(登録商標)の皿の中に置かれ、合成は室温で行われた。室温において開けた皿の中でエッチングされたウエファから出来たワイヤーは、オートクレーブ内でエッチングされたものと同様ながら、長さは50μm未満であった。あらゆる方位のウエファ、ドーパントの種類及び濃度に同じ反応条件が使用された。すべてのサンプルの上の小さい領域に垂直に角度を成すエッチングされたナノワイヤーがあった。
断面的サンプルがEE Siナノワイヤー下地層を裂き、裂き面に垂直の方向から観察して準備された。JEOL JSM6360F電界放出SEM 及びFEI Strata 235 Dual Beam FIBを使用してSEM画像を得た。TEM及びHRTEM画像はPhillips CM200/FEG(電界放出銃)を200kVで使用して得た。
EE Siナノワイヤーは、両方の吊るされたSiNXにFEI Strata 235 Dual Beam FIBを使用して接合された。焦点整合された電子(5kV、スポットサイズ3)及びイオン(Gaイオン、30kV,開口10pA)線を使用してPtを選択的に架橋的ナノワイヤーのいずれかの端部に堆積した。入射線は下地材の表面から二次電子を放射させ、金属-有機Pt前駆体を局地的に分解する。堆積の後サンプルが直接電子或いはイオン放射に曝されないように注意したが、露出領域の半径1から2ミクロンの中に若干の堆積は常に起こる。
これらの熱輸送実験の正確さを示すため、この機械を使用してSiO2ナノワイヤーのkを測定した。SiO2ナノワイヤーはVLS成長のSiナノワイヤーの1000°Cで24時間の乾式酸化で準備された。酸化されたワイヤーのTEM解析は結晶物資が残っていないことを示し、エネルギ分散的X線分光によりナノワイヤー内にOが豊富に存在することが確認された。これらのワイヤーのkは(図4、パネルC)はバルク状非結晶SiO2のものに非常に近く,これはフォノンの平均自由行程が非結晶固体の中の原子間間隔に非常に近いので、予期出来ることであった。従ってバルクに比較して境界散乱の増加は観察されなかった。
ナノワイヤーがそれからエッチングされたウエファのチップ(1x1cm)をアセトンと2-プロパノルの中で超音波処理して生来の酸化物を30秒間のHF緩衝浴の中で除去した。15秒間脱イオン水の中ですすいだ後、ウエファは直ちに高真空の熱蒸発室に転送された。20nmのTiと20nmのAuとがSiチップのコーナー部にのみ、その他の部分をアルミニウムの箔で覆うことにより堆積された。その後、約300nmのAuが追加的にスパタリングによって堆積された。チップは次に3分間450°Cで急速に熱焼成された。チップへと外部端子をワイヤ接合するのにインジウムが使用され、温度に依存する抵抗力がホール測定により実験的に決定された(図5、パネルA)。この抵抗力はドーピング濃度の1.7x1018cm−3に相当する。ZTの決定には実験的測定値の間の温度点を線的内挿法で推定した。
バルクSiのゼーベック係数(S)はチップ(1x2cm)を3mmの間隙で隔離された二個の熱電(TE)装置の間に設置し、自家製のクリオスタトの中で測定した。一方のTE装置を熱する間他方を冷却して長さサンプルに沿った温度勾配(ΔT)が生成された。温度制御器(Lakeshore Model 331)とチップの各端部に付けられた2個のT型熱電対(Copper Constantan, Omega Model 5SRTC)を使用してΔTが測定された。電源器(Keithley Model 2400)がTE装置の電力を制御して、サンプルに亘ってのΔTを2K未満に保った。サンプルの熱電圧(ΔV)を測定するのにマルチ計(Keithkeu Model 2001)が熱電対の二個の銅製プローブに接続された。SiサンプルのSはS=−ΔV/ΔTで計算された。Cu(約6uV/K)のSはSiのそれの1%未満であり、計算では無視されている。測定されたゼーベック係数(図5、パネルB)は文献のデータ(Geballe,T.H.&Hull,G.W.”Seebeck effect in silicon”, Phys.Rev.98,940(1955); Brinson,M.E.&Dunstan,W,”Thermal conductivity and thermoelectric power of heavily dopes n−type silicon”, J.Phys.C3,483−491(1970); van Herwaarden,A.”The Seebeck effect in silicon Ics”, Sensors and Actuators,6, 245−254(1984))(本願に全体として参照して組み込まれる)とよく合致している。
Claims (30)
- 熱電気的装置であって、
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極及び前記第二電極間に配置される一又は複数のシリコンナノワイヤーとを備え、
前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、前記第一電極及び前記第二電極と電気的に接触し、かつ1nm〜5nmの範囲の平均表面粗さを有している装置。 - 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、300nm未満の直径を有している請求項1に記載の装置。
- 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、200nm未満の直径を有している請求項1に記載の装置。
- 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、100nm未満の直径を有している請求項1に記載の装置。
- 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、5〜50nmの直径を有している請求項1に記載の装置。
- 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、ドーピングされている請求項1に記載の装置。
- 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、少なくとも10 18 cm −3 のキャリア濃度にまでドーピングされている請求項6に記載の装置。
- 前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、少なくとも10 19 cm −3 のキャリア濃度にまでドーピングされている請求項6に記載の装置。
- 前記第一電極は第一不透明材料を含み、
前記第二電極は第二不透明材料を含み、
前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項1に記載の装置。 - 請求項1に記載の装置は、電流を生成するように構成されている装置。
- 前記第一電極と前記第二電極の温度が異なる場合に前記一又は複数のシリコンナノワイヤーを介して前記第一電極及び前記第二電極間に電流が生成されるように構成されている請求項10に記載の装置。
- 前記第一電極が前記第二電極の温度よりも高くなる場合に前記第一電極から前記一又は複数のシリコンナノワイヤーへ、及び前記一又は複数のシリコンナノワイヤーを介して前記第二電極へと電流が生成されるように構成されている請求項10に記載の装置。
- 請求項1に記載の装置は、熱電気冷却を提供するように構成されている装置。
- 請求項1に記載の装置は、熱電気加熱を提供するように構成されている装置。
- 熱電気的装置であって、
第一電極と、
第二電極と、
第三電極と、
前記第一電極及び前記第二電極間に配置される一又は複数の第一のシリコンナノワイヤーと、
前記第二電極及び前記第三電極間に配置される一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーとを備え、
前記一又は複数の第一のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、前記第一電極及び前記第二電極と電気的に接触し、かつ1nm〜5nmの範囲の平均表面粗さを有し、
前記一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、前記第二電極及び前記第三電極と電気的に接触し、かつ1nm〜5nmの範囲の平均表面粗さを有している装置。 - 請求項15に記載の装置は、電流を生成するように構成されている装置。
- 請求項16に記載の装置は、更に、前記第二電極の温度が前記第一電極及び前記三電極の温度と異なる場合、前記一又は複数の第一のシリコンナノワイヤー、前記第二電極、及び前記一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーを介して、前記第一電極及び前記第三電極間に電流が生成されるように構成されている装置。
- 請求項16に記載の装置は、更に、前記第二電極の温度が前記第一電極及び前記三電極の温度よりも高くなる場合、前記第三電極から前記一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーへ、前記一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーを介して前記第二電極へ、前記第二電極を介して前記一又は複数の第一のシリコンナノワイヤーへ、及び前記一又は複数の第一のシリコンナノワイヤーを介して前記第一電極へと電流が生成されるように構成されている装置。
- 前記一又は複数の第一のシリコンナノワイヤー及び前記一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーが、ドーピングされている請求項15に記載の装置。
- 前記一又は複数の第一のシリコンナノワイヤーが、一又は複数の5価の元素でドーピングされている請求項19に記載の装置。
- 前記一又は複数の第二のシリコンナノワイヤーが、一又は複数の3価の元素でドーピングされている請求項19に記載の装置。
- 請求項15に記載の装置は、熱電気冷却を提供するように構成されている装置。
- 請求項15に記載の装置は、熱電気加熱を提供するように構成されている装置。
- 前記第一電極は第一不透明材料を含み、
前記第二電極は第二不透明材料を含み、
前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項15に記載の装置。 - 熱電気的装置であって、
第一電極と、
第二電極と、
第三電極と、
前記第一電極及び前記第二電極間に配置される一又は複数のシリコンナノワイヤーと、
前記第二電極及び前記第三電極間に配置される一又は複数の熱電気組織体とを備え、
前記一又は複数のシリコンナノワイヤーのそれぞれは、前記第一電極及び前記第二電極と電気的に接触し、かつ1nm〜5nmの範囲の平均表面粗さを有し、
前記一又は複数の熱電気組織体のそれぞれは、前記第二電極及び前記第三電極と電気的に接触している装置。 - 請求項25に記載の装置は、電流を生成するように構成されている装置。
- 請求項26に記載の装置は、更に、前記第二電極の温度が前記第一電極及び前記三電極の温度と異なる場合、前記一又は複数のシリコンナノワイヤー、前記第二電極、及び前記一又は複数の熱電気組織体を介して、前記第一電極及び前記第三電極間に電流が生成されるように構成されている装置。
- 請求項25に記載の装置は、熱電気冷却を提供するように構成されている装置。
- 請求項25に記載の装置は、熱電気加熱を提供するように構成されている装置。
- 前記第一電極は第一不透明材料を含み、
前記第二電極は第二不透明材料を含み、
前記第一不透明材料と前記第二不透明材料とは同じ或いは異なる材料である請求項25に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US95715807P | 2007-08-21 | 2007-08-21 | |
US60/957,158 | 2007-08-21 | ||
US1627607P | 2007-12-21 | 2007-12-21 | |
US61/016,276 | 2007-12-21 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010522040A Division JP5524839B2 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-21 | ナノ組織体を備えた熱電気的な装置及びその装置の動作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014168077A JP2014168077A (ja) | 2014-09-11 |
JP5948363B2 true JP5948363B2 (ja) | 2016-07-06 |
Family
ID=40378659
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010522040A Expired - Fee Related JP5524839B2 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-21 | ナノ組織体を備えた熱電気的な装置及びその装置の動作方法 |
JP2014081075A Expired - Fee Related JP5948363B2 (ja) | 2007-08-21 | 2014-04-10 | ナノ組織体を備えた熱電気的装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010522040A Expired - Fee Related JP5524839B2 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-21 | ナノ組織体を備えた熱電気的な装置及びその装置の動作方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8729381B2 (ja) |
EP (2) | EP2221893A3 (ja) |
JP (2) | JP5524839B2 (ja) |
KR (3) | KR101631043B1 (ja) |
CN (2) | CN101836285B (ja) |
RU (1) | RU2515969C2 (ja) |
WO (1) | WO2009026466A1 (ja) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0601319D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-03-01 | Imp Innovations Ltd | A method of fabricating pillars composed of silicon-based material |
US8101449B2 (en) * | 2007-01-03 | 2012-01-24 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Process for altering thermoelectric properties of a material |
GB0709165D0 (en) | 2007-05-11 | 2007-06-20 | Nexeon Ltd | A silicon anode for a rechargeable battery |
GB0713898D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
GB0713896D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | Method |
CN101836285B (zh) | 2007-08-21 | 2014-11-12 | 加州大学评议会 | 具有高性能热电性质的纳米结构 |
GB2464157B (en) | 2008-10-10 | 2010-09-01 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material |
GB2464158B (en) | 2008-10-10 | 2011-04-20 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US8247325B2 (en) * | 2008-10-10 | 2012-08-21 | Uchicago Argonne, Llc | Direct growth of metal nanoplates on semiconductor substrates |
GB2470056B (en) | 2009-05-07 | 2013-09-11 | Nexeon Ltd | A method of making silicon anode material for rechargeable cells |
US9853292B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-12-26 | Nexeon Limited | Electrode composition for a secondary battery cell |
GB2470190B (en) | 2009-05-11 | 2011-07-13 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargeable battery cells |
JP2011040663A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Hioki Ee Corp | サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法 |
KR20110052225A (ko) * | 2009-11-12 | 2011-05-18 | 삼성전자주식회사 | 나노복합체형 열전재료 및 이를 포함하는 열전소자와 열전모듈 |
US20110114146A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Alphabet Energy, Inc. | Uniwafer thermoelectric modules |
JP5364549B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2013-12-11 | 日置電機株式会社 | サーモパイル型赤外線検知素子およびその製造方法 |
GB201009519D0 (en) | 2010-06-07 | 2010-07-21 | Nexeon Ltd | An additive for lithium ion rechargeable battery cells |
KR101779497B1 (ko) * | 2010-08-26 | 2017-09-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 나노입자가 도핑된 열전소자를 포함하는 열전모듈 및 그 제조 방법 |
GB201014707D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Electroactive material |
GB201014706D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Porous electroactive material |
KR20140009182A (ko) | 2010-10-22 | 2014-01-22 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 낮은 열전도율을 위한 나노메쉬 포노닉 구조들 및 열전 에너지 변환 재료들 |
KR101287611B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2013-07-18 | 전북대학교산학협력단 | 실리콘 나노선의 제조 방법 |
US9240328B2 (en) | 2010-11-19 | 2016-01-19 | Alphabet Energy, Inc. | Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof |
US8736011B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-05-27 | Alphabet Energy, Inc. | Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof |
TWI441305B (zh) * | 2010-12-21 | 2014-06-11 | Ind Tech Res Inst | 半導體裝置 |
KR101876947B1 (ko) * | 2011-01-25 | 2018-07-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 나노 구조의 벌크소재를 이용한 열전소자와 이를 포함하는 열전모듈 및 그의 제조 방법 |
WO2012101312A1 (es) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Procedimiento de fabricación de un dispositivo termoeléctrico, y dispositivo termoeléctrico así obtenido |
US20120282435A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-11-08 | University Of Massachusetts | Nanostructured Silicon with Useful Thermoelectric Properties |
CN102181939A (zh) * | 2011-03-25 | 2011-09-14 | 华东师范大学 | 一种控制硅纳米线生长长度的方法 |
WO2012137446A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | Panasonic Corporation | Thermoelectric conversion element module and method of manufacturing the same |
WO2013007798A1 (en) | 2011-07-14 | 2013-01-17 | GEORGE, John T. | Electrical light source with thermoelectric energy recovery |
US20130019918A1 (en) * | 2011-07-18 | 2013-01-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
EP2592363A1 (en) | 2011-11-14 | 2013-05-15 | Entry Technology Holding B.V. | Energy conversion device |
KR101956278B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2019-03-11 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 함유 복합 적층체, 이를 포함하는 열전재료, 열전모듈과 열전 장치 |
US10205080B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-02-12 | Matrix Industries, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
AU2013212087A1 (en) | 2012-01-25 | 2014-08-07 | Alphabet Energy, Inc. | Modular thermoelectric units for heat recovery systems and methods thereof |
US9051175B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-06-09 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
WO2013149205A1 (en) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | California Institute Of Technology | Phononic structures and related devices and methods |
FR2991207B1 (fr) * | 2012-06-04 | 2014-05-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un materiau thermoelectrique |
US9257627B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
JP6353447B2 (ja) | 2012-08-17 | 2018-07-04 | マトリックス インダストリーズ,インコーポレイテッド | 熱電デバイスを形成するためのシステム及び方法 |
TW201409783A (zh) * | 2012-08-28 | 2014-03-01 | Juant Technology Co Ltd | 可透光的熱電致冷元件 |
US9082930B1 (en) | 2012-10-25 | 2015-07-14 | Alphabet Energy, Inc. | Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same |
US20140116491A1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk-size nanostructured materials and methods for making the same by sintering nanowires |
WO2014070795A1 (en) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | Silicium Energy, Inc. | Methods for forming thermoelectric elements |
US20140360546A1 (en) * | 2013-06-08 | 2014-12-11 | Alphabet Energy, Inc. | Silicon-based thermoelectric materials including isoelectronic impurities, thermoelectric devices based on such materials, and methods of making and using same |
EP2835454A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-11 | University of Limerick | Seedless group IV nanowires, and methods for the production thereof |
US9065017B2 (en) | 2013-09-01 | 2015-06-23 | Alphabet Energy, Inc. | Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same |
CN106537621B (zh) | 2014-03-25 | 2018-12-07 | 美特瑞克斯实业公司 | 热电设备和*** |
WO2015157501A1 (en) | 2014-04-10 | 2015-10-15 | Alphabet Energy, Inc. | Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same |
CN105226179B (zh) * | 2015-07-20 | 2018-07-20 | 南昌大学 | 一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法 |
WO2017128294A1 (zh) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 华为技术有限公司 | 制备发电器件的方法、发电器件和供电设备 |
CN105703462A (zh) * | 2016-03-17 | 2016-06-22 | 深圳市微纳集成电路与***应用研究院 | 一种可穿戴设备的热电发电装置和对蓄电电源充电的衣物 |
TW201809931A (zh) | 2016-05-03 | 2018-03-16 | 麥崔克斯工業股份有限公司 | 熱電裝置及系統 |
CN107611247A (zh) * | 2016-07-11 | 2018-01-19 | 林宗宏 | 成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置 |
USD819627S1 (en) | 2016-11-11 | 2018-06-05 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric smartwatch |
FR3064109A1 (fr) * | 2017-03-20 | 2018-09-21 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Structure a nanofils et procede de realisation d'une telle structure |
US20180342661A1 (en) * | 2017-05-25 | 2018-11-29 | Globalfoundries Inc. | Fin-based devices based on the thermoelectric effect |
CN111418092B (zh) * | 2017-10-31 | 2023-07-28 | 科技创新动量基金(以色列)参股有限公司 | 纳米结构复合电极 |
JP2021513227A (ja) * | 2018-02-09 | 2021-05-20 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド,ア・ボディー・コーポレイト | ナノフォノニックメタマテリアルに基づく熱電デバイス |
JP7291461B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2023-06-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、及び、熱電変換モジュール |
WO2019244428A1 (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 住友電気工業株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュール、光センサおよび熱電変換材料の製造方法 |
EP3614389B1 (en) * | 2018-08-23 | 2023-10-11 | Tata Consultancy Services Limited | Systems and methods for predicting structure and properties of atomic elements and alloy materials thereof |
US11165007B2 (en) * | 2019-01-25 | 2021-11-02 | King Abdulaziz University | Thermoelectric module composed of SnO and SnO2 nanostructures |
KR102205050B1 (ko) | 2019-04-26 | 2021-01-20 | 한국과학기술연구원 | 열전소자 및 그 제조방법 |
US11762517B2 (en) | 2019-06-19 | 2023-09-19 | Nissha Co., Ltd. | Touch panel |
CN110690846B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-01-28 | 西南大学 | 一种基于倾斜硅纳米线的光热电转换器件 |
US20220115574A1 (en) * | 2020-10-13 | 2022-04-14 | Worcester Polytechnic Institute | Thermoelectric device and fabrication |
Family Cites Families (129)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2588254A (en) | 1950-05-09 | 1952-03-04 | Purdue Research Foundation | Photoelectric and thermoelectric device utilizing semiconducting material |
DE1483298B1 (de) | 1965-06-11 | 1971-01-28 | Siemens Ag | Elektrische Kontaktanordnung zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck und Verfahren zur Herstellung derselben |
US4251286A (en) * | 1979-09-18 | 1981-02-17 | The University Of Delaware | Thin film photovoltaic cells having blocking layers |
US4493939A (en) | 1983-10-31 | 1985-01-15 | Varo, Inc. | Method and apparatus for fabricating a thermoelectric array |
US4842699A (en) | 1988-05-10 | 1989-06-27 | Avantek, Inc. | Method of selective via-hole and heat sink plating using a metal mask |
US5391914A (en) | 1994-03-16 | 1995-02-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Diamond multilayer multichip module substrate |
US5824561A (en) | 1994-05-23 | 1998-10-20 | Seiko Instruments Inc. | Thermoelectric device and a method of manufacturing thereof |
US5837929A (en) | 1994-07-05 | 1998-11-17 | Mantron, Inc. | Microelectronic thermoelectric device and systems incorporating such device |
EP0843366B1 (en) | 1996-05-28 | 2006-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Method for manufacturing thermoelectric module |
USRE41801E1 (en) | 1997-03-31 | 2010-10-05 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
US6388185B1 (en) * | 1998-08-07 | 2002-05-14 | California Institute Of Technology | Microfabricated thermoelectric power-generation devices |
KR100666157B1 (ko) | 1999-03-11 | 2007-01-09 | 에네코, 인코포레이티드 | 혼성 열전자 에너지 변환기 및 방법 |
CA2442985C (en) | 2001-03-30 | 2016-05-31 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
CN101009214B (zh) * | 2001-03-30 | 2010-05-19 | 加利福尼亚大学董事会 | 纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件 |
US7619158B2 (en) | 2001-06-01 | 2009-11-17 | Marlow Industries, Inc. | Thermoelectric device having P-type and N-type materials |
US6843902B1 (en) | 2001-07-20 | 2005-01-18 | The Regents Of The University Of California | Methods for fabricating metal nanowires |
US20040251539A1 (en) | 2001-09-12 | 2004-12-16 | Faris Sadeg M. | Thermoelectric cooler array |
WO2003032408A1 (en) | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Research Triangle Institute | Phonon-blocking, electron-transmitting low-dimensional structures |
AU2002359470A1 (en) | 2001-11-26 | 2003-06-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Thick porous anodic alumina films and nanowire arrays grown on a solid substrate |
CN1167141C (zh) | 2001-12-06 | 2004-09-15 | 天津大学 | 由一维纳米线阵列结构温差电材料制造的微温差电池 |
US7220310B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-05-22 | Georgia Tech Research Corporation | Nanoscale junction arrays and methods for making same |
US8154093B2 (en) | 2002-01-16 | 2012-04-10 | Nanomix, Inc. | Nano-electronic sensors for chemical and biological analytes, including capacitance and bio-membrane devices |
KR20030064292A (ko) | 2002-01-25 | 2003-07-31 | 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 | 열전모듈 |
US6972146B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure having holes and method for producing the same |
US20030189202A1 (en) | 2002-04-05 | 2003-10-09 | Jun Li | Nanowire devices and methods of fabrication |
US7400395B2 (en) | 2002-06-12 | 2008-07-15 | Intel Corporation | Metal coated nanocrystalline silicon as an active surface enhanced raman spectroscopy (SERS) substrate |
US7361313B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-04-22 | Intel Corporation | Methods for uniform metal impregnation into a nanoporous material |
US6989897B2 (en) | 2002-06-12 | 2006-01-24 | Intel Corporation | Metal coated nanocrystalline silicon as an active surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrate |
JP2004031696A (ja) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
US6639242B1 (en) * | 2002-07-01 | 2003-10-28 | International Business Machines Corporation | Monolithically integrated solid-state SiGe thermoelectric energy converter for high speed and low power circuits |
US7067867B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
US7135728B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
US7163659B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-01-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid |
JP4235440B2 (ja) | 2002-12-13 | 2009-03-11 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスアレイ及びその製造方法 |
US7713778B2 (en) | 2003-02-13 | 2010-05-11 | Univ California | Nanostructured casting of organic and bio-polymers in porous silicon templates |
US7579077B2 (en) | 2003-05-05 | 2009-08-25 | Nanosys, Inc. | Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications |
US7605327B2 (en) | 2003-05-21 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template |
US7538010B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-05-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of fabricating an epitaxially grown layer |
KR101132076B1 (ko) | 2003-08-04 | 2012-04-02 | 나노시스, 인크. | 나노선 복합체 및 나노선 복합체로부터 전자 기판을제조하기 위한 시스템 및 프로세스 |
US20050045702A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | William Freeman | Thermoelectric modules and methods of manufacture |
US20050060884A1 (en) | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication of nanoscale thermoelectric devices |
CN100397671C (zh) | 2003-10-29 | 2008-06-25 | 京瓷株式会社 | 热电换能模块 |
US6969679B2 (en) | 2003-11-25 | 2005-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication of nanoscale thermoelectric devices |
CN1898784A (zh) | 2003-12-23 | 2007-01-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括异质结的半导体器件 |
KR100552707B1 (ko) | 2004-04-07 | 2006-02-20 | 삼성전자주식회사 | 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법 |
US20060233692A1 (en) * | 2004-04-26 | 2006-10-19 | Mainstream Engineering Corp. | Nanotube/metal substrate composites and methods for producing such composites |
US20050257821A1 (en) | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Shriram Ramanathan | Thermoelectric nano-wire devices |
EP1612870A1 (en) | 2004-07-01 | 2006-01-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method of manufacturing a thermoelectric generator and thermoelectric generator thus obtained |
US7344961B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-03-18 | Nanosys, Inc. | Methods for nanowire growth |
US20080308140A1 (en) | 2004-08-17 | 2008-12-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Thermo-Electric Cooling Device |
US20060076046A1 (en) | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Nanocoolers, Inc. | Thermoelectric device structure and apparatus incorporating same |
US20060157101A1 (en) | 2004-10-29 | 2006-07-20 | Sakamoto Jeff S | System and method for fabrication of high-efficiency durable thermoelectric devices |
US7309830B2 (en) * | 2005-05-03 | 2007-12-18 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
US9865790B2 (en) | 2004-12-07 | 2018-01-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
US8206780B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-06-26 | The Regents Of The University Of California | Polymer composite photonic particles |
WO2007037787A1 (en) | 2005-05-09 | 2007-04-05 | Vesta Research, Ltd. | Porous silicon particles |
JP2006332188A (ja) | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Toyota Motor Corp | 熱電発電モジュール |
US8039726B2 (en) | 2005-05-26 | 2011-10-18 | General Electric Company | Thermal transfer and power generation devices and methods of making the same |
RU2296055C2 (ru) | 2005-05-31 | 2007-03-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Восток" | Наноструктурированное покрытие несущей основы |
JP4522340B2 (ja) | 2005-08-01 | 2010-08-11 | シャープ株式会社 | 平面導波路素子 |
WO2007022359A2 (en) | 2005-08-16 | 2007-02-22 | The Regents Of The University Of California | Vertical integrated silicon nanowire field effect transistors and methods of fabrication |
EP1949451A4 (en) | 2005-08-22 | 2016-07-20 | Q1 Nanosystems Inc | NANOSTRUCTURE AND THIS IMPLEMENTING PHOTOVOLTAIC CELL |
US7833816B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-11-16 | Intel Corporation | Forming a thin film thermoelectric cooler and structures formed thereby |
US20070131269A1 (en) | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Biprodas Dutta | High density nanowire arrays in glassy matrix |
DE102005063038A1 (de) | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Basf Ag | Nano Thermoelektrika |
US7855396B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-12-21 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode package structure |
US20070261730A1 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-15 | General Electric Company | Low dimensional thermoelectrics fabricated by semiconductor wafer etching |
FR2904146B1 (fr) | 2006-07-20 | 2008-10-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une nanostructure a base de nanofils interconnectes,nanostructure et utilisation comme convertisseur thermoelectrique |
US20080178921A1 (en) | 2006-08-23 | 2008-07-31 | Qi Laura Ye | Thermoelectric nanowire composites |
DE602006017856D1 (de) | 2006-09-12 | 2010-12-09 | Fiat Ricerche | Generator von elektrischer Energie basiert auf den thermoelektrischen Effekt |
US7850941B2 (en) | 2006-10-20 | 2010-12-14 | General Electric Company | Nanostructure arrays and methods for forming same |
DE102006055120B4 (de) | 2006-11-21 | 2015-10-01 | Evonik Degussa Gmbh | Thermoelektrische Elemente, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
US8049203B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-11-01 | Qunano Ab | Nanoelectronic structure and method of producing such |
US20080178920A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-31 | Schlumberger Technology Corporation | Devices for cooling and power |
GB0701069D0 (en) | 2007-01-19 | 2007-02-28 | Univ Bath | Nanostructure template and production of semiconductors using the template |
US7943234B2 (en) | 2007-02-27 | 2011-05-17 | Innovative Surface Technology, Inc. | Nanotextured super or ultra hydrophobic coatings |
WO2009011975A2 (en) | 2007-05-23 | 2009-01-22 | California Institute Of Technology | Method for fabricating monolithic two-dimensional nanostructures |
US7905013B2 (en) | 2007-06-04 | 2011-03-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for forming an iridium oxide (IrOx) nanowire neural sensor array |
US9209375B2 (en) | 2007-07-20 | 2015-12-08 | California Institute Of Technology | Methods and devices for controlling thermal conductivity and thermoelectric power of semiconductor nanowires |
CN101836285B (zh) | 2007-08-21 | 2014-11-12 | 加州大学评议会 | 具有高性能热电性质的纳米结构 |
WO2009045538A2 (en) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Purdue Research Foundation | Fabrication of nanowire array composites for thermoelectric power generators and microcoolers |
JP2009094378A (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7558371B2 (en) | 2007-10-18 | 2009-07-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of generating X-ray diffraction data for integral detection of twin defects in super-hetero-epitaxial materials |
FR2923601B1 (fr) | 2007-11-12 | 2010-01-01 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement electromagnetique a connexion par nanofil et procede de realisation |
TW200935635A (en) | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Univ Nat Chiao Tung | Method of manufacturing nanometer-scale thermoelectric device |
US20090236317A1 (en) | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Midwest Research Institute | Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions |
ITRM20080193A1 (it) | 2008-04-11 | 2009-10-12 | Univ Milano Bicocca | Dispositivo di conversione termo-elettrica bidirezionale ad effetto seebeck/peltier impiegante nanofili di materiale conduttore o semiconduttore. |
US20100147835A1 (en) | 2008-05-09 | 2010-06-17 | Mulpuri Rao V | Doped Gallium Nitride Annealing |
US20110100406A1 (en) | 2008-07-06 | 2011-05-05 | Lamos Inc. | Split thermo-electric structure and devices and systems that utilize said structure |
US9673371B2 (en) | 2008-08-11 | 2017-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Anisotropically elongated thermoelectric material, process for preparing the same, and device comprising the material |
KR101005803B1 (ko) | 2008-08-11 | 2011-01-05 | 한국표준과학연구원 | 양자점나노선 어레이 태양광 소자 및 그 제조 방법 |
KR20100021336A (ko) | 2008-08-14 | 2010-02-24 | 삼성전자주식회사 | 나노 헬릭스를 이용한 태양전지 |
US9343490B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-05-17 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same |
US20100072461A1 (en) | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Hanvision Co., Ltd. | Thermo-electric semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI380487B (en) | 2008-12-12 | 2012-12-21 | Ind Tech Res Inst | Thermoelectric device |
TWI401830B (zh) | 2008-12-31 | 2013-07-11 | Ind Tech Res Inst | 低熱回流之熱電奈米線陣列及其製造方法 |
KR101062129B1 (ko) | 2009-02-05 | 2011-09-02 | 주식회사 엘지화학 | 열전 소자 모듈 및 열전 소자 제조 방법 |
JP5749183B2 (ja) | 2009-03-12 | 2015-07-15 | ザ キュレイターズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ ミズーリ | 高エネルギー密度ラジオアイソトープマイクロ電源 |
US10138120B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-11-27 | The Regents Of The University Of Michigan | Shaping nanostructure arrays |
US8470409B2 (en) | 2009-04-28 | 2013-06-25 | Ben Gurion University Of The Negev Research And Development Authority | Nanowires, method of fabrication the same and uses thereof |
US20100319759A1 (en) | 2009-06-22 | 2010-12-23 | John Fisher | Nanostructure and methods of making the same |
JP2011014612A (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ibiden Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
US20110114146A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Alphabet Energy, Inc. | Uniwafer thermoelectric modules |
IT1397679B1 (it) | 2009-12-15 | 2013-01-18 | Univ Milano Bicocca | Elemento di conversione termo-elettrica seebeck/peltier comprendente nanofili paralleli di materiale conduttore o semiconduttore organizzati in file e colonne attraverso un corpo isolante e procedimento |
US8568877B2 (en) | 2010-03-09 | 2013-10-29 | Board Of Regents Of The University Of Texas System | Porous and non-porous nanostructures |
WO2011119149A1 (en) | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Hewlett-Packard Development Company | Thermoelectric device |
US8138068B2 (en) | 2010-08-11 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Method to form nanopore array |
US8512588B2 (en) | 2010-08-13 | 2013-08-20 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Method of fabricating a scalable nanoporous membrane filter |
KR101075772B1 (ko) | 2010-08-30 | 2011-10-26 | 삼성전기주식회사 | 열전 모듈 및 이를 제조하는 방법 |
US9240328B2 (en) | 2010-11-19 | 2016-01-19 | Alphabet Energy, Inc. | Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof |
US8736011B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-05-27 | Alphabet Energy, Inc. | Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof |
US20120152295A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Alphabet Energy, Inc. | Arrays of filled nanostructures with protruding segments and methods thereof |
US20120247527A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-10-04 | Alphabet Energy, Inc. | Electrode structures for arrays of nanostructures and methods thereof |
US20120282435A1 (en) | 2011-03-24 | 2012-11-08 | University Of Massachusetts | Nanostructured Silicon with Useful Thermoelectric Properties |
US8758650B2 (en) | 2011-07-05 | 2014-06-24 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd. | Graphene-based thermopile |
US8779276B2 (en) | 2011-07-14 | 2014-07-15 | Sony Corporation | Thermoelectric device |
US20130019918A1 (en) | 2011-07-18 | 2013-01-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
US9444027B2 (en) | 2011-10-04 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Ag | Thermoelectrical device and method for manufacturing same |
CN104335327A (zh) | 2011-11-21 | 2015-02-04 | 研究三角协会 | 用于热电应用的纳米颗粒压实体材料 |
US8822309B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-09-02 | Athenaeum, Llc | Heterogeneous integration process incorporating layer transfer in epitaxy level packaging |
AU2013212087A1 (en) | 2012-01-25 | 2014-08-07 | Alphabet Energy, Inc. | Modular thermoelectric units for heat recovery systems and methods thereof |
US20130175654A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-07-11 | Sylvain Muckenhirn | Bulk nanohole structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
US9051175B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-06-09 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
US9000557B2 (en) | 2012-03-17 | 2015-04-07 | Zvi Or-Bach | Semiconductor device and structure |
US8557632B1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US9257627B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
US20140182644A1 (en) | 2012-10-15 | 2014-07-03 | Alphabet Energy, Inc. | Structures and methods for multi-leg package thermoelectric devices |
US9082930B1 (en) | 2012-10-25 | 2015-07-14 | Alphabet Energy, Inc. | Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same |
US20140116491A1 (en) | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk-size nanostructured materials and methods for making the same by sintering nanowires |
-
2008
- 2008-08-21 CN CN200880113050.3A patent/CN101836285B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-21 EP EP10163141.4A patent/EP2221893A3/en not_active Withdrawn
- 2008-08-21 WO PCT/US2008/073922 patent/WO2009026466A1/en active Application Filing
- 2008-08-21 JP JP2010522040A patent/JP5524839B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-21 CN CN201410524397.4A patent/CN104392933B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-21 US US12/673,366 patent/US8729381B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-21 KR KR1020157007657A patent/KR101631043B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-21 RU RU2010110307/04A patent/RU2515969C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-08-21 KR KR1020107003922A patent/KR20100056478A/ko active Application Filing
- 2008-08-21 KR KR1020157007656A patent/KR101631042B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-21 EP EP08827590.4A patent/EP2181460A4/en not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-03-26 US US14/226,569 patent/US9219215B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-10 JP JP2014081075A patent/JP5948363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104392933A (zh) | 2015-03-04 |
US8729381B2 (en) | 2014-05-20 |
WO2009026466A1 (en) | 2009-02-26 |
CN101836285A (zh) | 2010-09-15 |
EP2221893A2 (en) | 2010-08-25 |
EP2221893A3 (en) | 2013-09-18 |
JP2014168077A (ja) | 2014-09-11 |
CN104392933B (zh) | 2017-11-07 |
KR20100056478A (ko) | 2010-05-27 |
EP2181460A4 (en) | 2013-09-04 |
US20110114145A1 (en) | 2011-05-19 |
JP5524839B2 (ja) | 2014-06-18 |
KR20150041160A (ko) | 2015-04-15 |
CN101836285B (zh) | 2014-11-12 |
JP2010537430A (ja) | 2010-12-02 |
KR20150041159A (ko) | 2015-04-15 |
RU2515969C2 (ru) | 2014-05-20 |
EP2181460A1 (en) | 2010-05-05 |
KR101631043B1 (ko) | 2016-06-24 |
US9219215B1 (en) | 2015-12-22 |
KR101631042B1 (ko) | 2016-06-24 |
RU2010110307A (ru) | 2011-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5948363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |