KR100552707B1 - 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
나노와이어 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 나노와이어 발광소자는, 기판 상의 제1전도층과, 상기 제1전도층 상에 수직으로 형성되어 있으며, 각각은 p 도핑부분과 n 도핑부분이 양측에 서로 구분되게 형성된 다수의 나노와이어와, 상기 나노와이어의 상부에 형성된 제2전도층을 구비한다. 상기 도핑부분은 상기 나노와이어의 외주에 분자를 흡착시켜서 형성된다.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노와이어 발광소자를 개략적으로 보인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노와이어 발광소자를 개략적으로 보인 단면도이다.
도 3 내지 도 12는 제1 실시예에 따른 나노와이어 발광소자의 제조방법을 단계적으로 설명하는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100,200: 기판 110,210: 제1전도층
120,120',220: 나노와이어 122,222: p형 도핑부분
124: 인트린식 부분 126,226: n형 도핑부분
128: 발광층 130,230,231,232: 절연성 폴리머
140,240: 제2전도층
본 발명은 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조비용이 낮고 대면적으로 생산이 가능한 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자로는 질화갈륨(GaN)계 화합물 반도체를 이용한 발광소자(light emitting diode: LED)가 많이 연구되어 왔다. 질화갈륨(GaN)계 화합물 반도체 발광소자는 발광효율은 높으나 기판과의 부정합(mismatch) 문제로 대면적 소자의 생산이 어렵다.
발광소자(light emitting device)로서 나노구조, 예컨대 나노와이어를 사용하는 기술이 개발되고 있다. 일본특허공보 H10-326,888호에는 실리콘 재질의 나노와이어를 구비한 발광소자와 이 발광소자를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 상기 나노와이어는 기판에 촉매층, 예컨대 금을 증착한 후, 반응로에 사염화규소(SiCl4) 개스를 흘러보내서 상기 촉매층으로부터 실리콘 나노와이어를 성장시키는 방법이다.
그러나, 상기 실리콘 나노와이어 발광소자는 제조비용이 저렴하지만 발광효율이 낮은 것으로 알려져 있다.
한편, 미국공개특허 2003/0168964호에는 나노와이어를 p-n 다이오드 구조로 형성하였다. 즉, 나노와이어의 하부는 n-type 나노와이어, 그 상부는 p-type 나노와이어로 형성하고 그들 사이의 접합부로부터 발광을 시키는 구조이다. 상기 p-n 접합구조의 나노와이어를 제조하기 위해서 VLS(vapor phase-liquid phase-solid phase) 방법을 사용하여 다른 조성(components)을 첨가하였다.
상기 p-n 접합구조의 나노와이어는 촉매층에서 성장되면서 n type 나노와이어 및 p type 나노와이어를 순차적으로 형성하기 때문에 양질의 p-n 접합구조를 얻기가 어렵다.
본 발명은 상기한 바와 같은 점들을 감안하여 안출된 것으로, 나노와이어의 표면에 도핑물질을 흡착시킴으로써 나노와이어의 p 타입 및 n 타입 도핑부분을 명확히 구분한 새로운 나노와이어 구조를 가지는 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노와이어 발광소자는,
기판;
상기 기판 상의 제1전도층;
상기 제1전도층 상에 수직으로 형성되어 있으며, 각각은 p 도핑부분과 n 도핑부분이 양측에 서로 구분되게 형성된 다수의 나노와이어; 및
상기 나노와이어 상에 형성된 제2전도층;을 구비하며,
상기 p 도핑부분 및 상기 n 도핑부분 중 적어도 어느 하나는 상기 나노와이어의 외주에 분자를 흡착시켜서 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 발광소자는, 상기 제1전도층 상에서 상기 나노와이어들 사이를 채운 절연성 폴리머;를 더 구비한 것이 바람직하다.
본 발명의 하나의 유형에 따르면, 상기 p 도핑부분과 상기 n 도핑부분 사이 의 경계면에 발광층이 형성된다.
본 발명의 다른 유형에 따르면, 상기 p 도핑부분과 상기 n 도핑부분 사이에는 도핑되지 않은 인트린식(intrinsic) 부분으로 된 발광층이 형성된다.
상기 p 도핑부분은 상기 나노와이어의 외주에 전기친화도가 큰 분자가 흡착된다.
바람직하게는 상기 p 도핑부분은 불소함유 분자로 흡착된다.
더욱 바람직하게는 상기 불소함유 분자는 F4-TCNQ 분자이다.
상기 n 도핑부분은 상기 나노와이어의 외주에 이온화 전위가 낮은 분자가 흡착된다.
바람직하게는 상기 n 도핑부분은 리티움, 구리, 아연 중 적어도 어느 하나를 포함하는 분자로 흡착된다.
더욱 바람직하게는, 상기 n 도핑부분은 CuPc, ZnPc, 펜타센(pentacene), BEDT-TTF 중 어느 하나로 흡착된다.
상기 나노와이어는 ZnO 로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노와이어 발광소자 제조방법은:
기판 상에 제1전극층을 형성하는 제1단계;
상기 제1전극층 상에 다수의 나노와이어를 수직으로 형성시키는 제2단계;
상기 나노와이어의 하부를 p 도핑 또는 n 도핑 시키는 제3단계;
상기 나노와이어의 상부를 상기 나노와이어의 하부와 다른 극성의 n 도핑 또는 p 도핑 시키는 제4 단계; 및
상기 나노와이어 상에 제2전극층을 형성하는 제5단계;를 구비한다.
상기 제3단계는,
상기 나노와이어의 외주에 전기친화도가 큰 분자 또는 이온화 전위가 낮은 분자를 흡착시키는 단계;
상기 제1전극층 상의 나노와이어 사이에 절연성 폴리머를 채우는 단계; 및
상기 나노와이어의 상부에 대응되는 영역의 상기 절연성 폴리머를 식각하여 상기 상부에 흡착된 분자를 제거하는 단계;를 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 하나의 유형에 따르면, 상기 제4단계는,
제3단계의 결과물 상에 노출된 상기 나노와이어의 외주에 상기 나노와이어의 하부에 도핑된 극성과 반대되는 극성이 도핑되도록 이온화 전위가 낮은 분자 또는 전기친화도가 큰 분자를 흡착시키는 단계;를 구비한다.
본 발명의 다른 유형에 따르면, 상기 제4단계는,
제3단계의 결과물 상에 소정 높이로 상기 나노와이어의 도핑되지 않은 인트린식 부분을 형성하는 단계; 및
상기 인트린식 부분 위의 노출된 상기 나노와이어의 외주에 상기 나노와이어의 하부에 도핑된 극성과 반대되는 극성이 도핑되도록 이온화 전위가 낮은 분자 또는 전기친화도가 큰 분자를 흡착시키는 단계;를 구비한다.
상기 인트린식 부분 형성단계는,
제3단계의 결과물 상에 노출된 나노와이어를 덮는 절연성 폴리머를 형성하는 단계; 및
상기 나노와이어의 상부로부터 상기 인트린식 부분에 해당되는 영역 위의 상기 절연성 폴리머를 식각하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 인트린식 부분 상에서 노출된 나노와이어들 사이에 절연성 폴리머를 채우는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제5단계는,
상기 나노와이어의 상단이 노출되도록 상기 절연성 폴리머층을 식각하는 단계; 및
상기 절연성 폴리머층 상에 제2전도층을 형성하는 단계;를 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서, 본 발명에 따른 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노와이어 발광소자를 개략적으로 보인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 전도층(제1전극층)(110)이 형성되어 있으며, 전도층(110) 상에는 다수의 나노와이어(120)가 대체적으로 수직으로 형성되어 있다. 상기 나노와이어(120) 사이에는 절연성 폴리머(130)가 채워져 있으며, 상기 나노와이어(120) 상에는 전극층(제2전극층)(140)이 형성되어 있다.
상기 나노와이어(120)은 p-type 도핑 부분(122), n-type 도핑 부분(126)과, 이들 p-type 도핑부분(122) 및 n-type 도핑부분(126) 사이의 발광층(light emitting layer)이며 인트린식(intrinsic) 영역(124)이 형성되어 있다. 이 인트린식 영역은 어느 전극으로도 도핑되지 않은 영역이다.
상기 기판(100)은 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 또는 평탄한 금속박막이 사용될 수 있다.
상기 제1전극층(110)은 알루미늄, 금, 마그네슘 등으로 증착될 수 있다. 상기 제2전극층(140)은 투명전극층, 예컨대 ITO 또는 p 도핑 GaN 층으로 형성될 수 있다.
상기 나노와이어(120)는 ZnO, GaN, GaAs, InGaN, CdS, Si 등으로 형성될 수 있다. 상기 나노와이어(120)의 재질에 따라서 본 발명의 발광소자에서 방출되는 색이 결정된다. 나노와이어(120)가 ZnO 인 경우 자외선이 방출되며, Si 인 경우 적외선이 방출되며, GaN 인 경우 자외선 또는 청색광이 방출되며, InGaN 인 경우 청색광, CdS 인 경우 녹색광, GaAs 인 경우 적색광을 방출할 수 있다. 상기 나노와이어(120)는 그 직경이 대략 20~100 nm 이며, 그 길이는 대략 1 ㎛ 로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 나노와이어는 p 도핑부분(122), n 도핑부분(126)과 인트린식 영역(124)로 이루어진 pin 접합구조이다.
상기 p-type 도핑부분(122)은 나노와이어(120)의 외주에 p-type 도핑물질이 흡착된 부분이다. 상기 p-type 도핑물질로는 전기 친화도(electron affinity)가 큰 분자, 예컨대 electron acceptor 분자인 F4-TCNQ(tetrafluoro-tetracyano- quinodimethane)을 사용할 수 있다. 상기 p-type 도핑물질은 해당 나노와이어(120) 표면에서 전자를 뺏으므로, p-type 도핑물질이 흡착된 부분은 그 표면에 정공들이 생성되며 따라서 p-type 도핑 부분(122)이 된다.
상기 n-type 도핑부분(126)은 나노와이어(120)의 외주에 n-type 도핑물질이 흡차된 부분이다. 상기 n-type 도핑물질로는 이온화 전위(ionization potential)가 낮은 분자, 예컨대 리티움, 아연, 금속 중 적어도 하나를 포함하는 electron donor 분자를 사용할 수 있다. 예컨대 CuPc(copper phtalocyanine), ZnPc(zinc phtalocyanine), 펜타센(pentacene)(벤젠 5분자가 붙어있는 방향족 고리 화합물), BEDT-TTF(bis(ethylenddithio)tetrathiafulvalene)를 사용할 수 있다. 상기 n-type 도핑물질은 해당 나노와이어(120) 표면에 전자를 제공하며 따라서 n-type 도핑물질이 흡착된 부분은 그 표면에 자유전자가 생기며 따라서 n-type 도핑 부분(126)이 된다.
상기 절연성 폴리머(130)는 나노와이어 사이의 전기적 연결을 방지한다. 포토레지스트가 사용될 수 있다.
상기 구조의 발광소자의 작용을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
먼저 나노와이어(120)의 p-type 도핑부분(122)과 연결된 제1전극층(110)에 +전압, 나노와이어(120)의 n-type 도핑부분(126)과 연결된 제2전극층(140)에 - 전압을 인가하면, p-type 도핑부분(122)의 정공(hole)과 n-type 도핑부분(126)의 전자가 인트린식 영역(124)에서 재결합을 한다. 이때 광이 방출된다. 인트린식 영역(124)에서 방출된 광은 투명한 전극층, 예컨대 제2전극층(140)을 통과하여 외 부로 방출된다.
상기 실시예에서는 p 도핑부분 및 n 도핑부분 모두 분자의 흡착에 의해 도핑된 것을 기술하였으나, 어느 하나의 도핑부분 만 상기 흡착에 의해 도핑되고, 나머지 도핑부분은 종래의 이온 삽입(ion implantation)으로 도펀트(dopant)를 넣어서 도핑시킬 수도 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노와이어 발광소자를 개략적으로 보인 단면도이며, 제1 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 전도층(제1전극층)(110)이 형성되어 있으며, 전도층(110) 상에는 다수의 나노와이어(120')가 대체적으로 수직으로 형성되어 있다. 상기 나노와이어(120') 사이에는 절연성 폴리머(130)가 채워져 있으며, 상기 나노와이어(120') 상에는 전극층(제2전극층)(140)이 형성되어 있다.
상기 나노와이어(120')는 p-type 도핑 부분(122), n-type 도핑 부분(126)이 서로 접촉되게 형성되며, 이들 접촉영역은 발광층(light emitting layer)(128)을 형성한다. 이러한 발광구조는 제1 실시예의 p-i-n 접합구조와 비교하여 p-n 접합구조를 이룬다.
이러한 구조의 발광소자에서는 나노와이어(120')의 양단에 직류전압을 인가하면 발광층(128)에서 광이 방출된다.
도 3 내지 도 12는 제1 실시예에 따른 나노와이어 발광소자의 제조방법을 단계적으로 설명하는 도면이다.
도 3을 참조하면, 실리콘 기판(200) 상에 제1전도층(210), 예컨대 알루미늄층을 증착한다. 상기 알루미늄층(210) 상에 금속 유기물 기상 에피택시(metal-organic-vapor phase epitaxy:MOVPE) 방법으로 대략 1 ㎛ 길이의 나노와이어들(220)을 형성시킨다. 상기 나노와이어(220)는 diethyl-zinc(DEZn)와 산소를 반응 소스로 사용하여 ZnO 로 제조될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 나노와이어(220)를 형성하는 방법은 종래의 VLS(vapor phase-liquid phase-solid phase) 법, self-assembly 법 및 금속촉매층을 사용하는 방법 등 제한을 두지 않는다.
도 4를 참조하면, 나노와이어(220)의 외주에 전기 친화도가 큰 p 도핑물질(221), 예컨대 F4-TCNQ(tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane) 분자를 도핑시킨다. 상기 p 도핑물질(221)은 나노와이어(220)의 외주에 흡착하면서 나노와이어(220) 표면의 전자를 뺏으며, 따라서 나노와이어(220)는 p 도핑된다.
도 5를 참조하면, 제1전도층(210) 상에서 p 도핑된 나노와이어들(220) 사이의 공간에 절연성 고분자, 예컨대 얇은 포토레지스트(230)를 스핀코팅하여 채운다.
도 6을 참조하면, 나노와이(220)의 상부측의 포토레지스트(230)를 산화 플라즈마(oxygen plasma) 또는 습식식각하여 포토레지스트(230) 및 p 도핑물질(221)을 일부 제거한다. 잔존하는 p 도핑물질(221)이 형성된 나노와이어 부분은 p 도핑부분(222)이 된다.
도 7을 참조하면, p 도핑부분(222) 상부를 얇은 포토레지스트(231)를 스핀 코팅하여 나노와이어(220) 사이를 채운다. 이어서, 포토레지스트(231)를 선택적으로 산화 플라즈마(oxygen plasma) 또는 습식식각하여 상기 p 도핑부분(222)으로부터 소정 높이로 포토레지스트(231)를 형성한다. 포토레지스트(231)으로 덮힌 나노와이어 영역은 도핑되지 않은 영역으로 인트린식 영역(224)을 형성한다.
도 8을 참조하면, 포토레지스트(231) 상에서 노출된 나노와이어(220)의 외주에 n 도핑물질(223)을 흡착시킨다. n-type 도핑물질(223)로는 이온화 전위(ionization potential)가 낮은 분자, 예컨대 CuPc(copper phtalocyanine), ZnPc(zinc phtalocyanine), 펜타센(pentacene), BEDT-TTF(bis(ethylenddithio)tetrathiafulvalene) 중 하나를 사용할 수 있다. 상기 n-type 도핑물질(225)은 해당 나노와이어(220) 표면에 전자를 제공하며 따라서 n-type 도핑물질이 흡착된 부분은 그 표면에 자유전자가 생기며 따라서 n-type 도핑 부분(226)이 된다.
도 9를 참조하면, 포토레지스트(231) 상으로부터 노출된 나노와이어(220)의 n 도핑부분(226) 사이를 얇은 포토레지스트(232)를 스핀 코팅하여 채운다. 이어서, 상기 n 도핑부분(226)의 상부가 노출되도록 나노와이어(220) 사이의 포토레지스트(232)를 선택적으로 산화 플라즈마(oxygen plasma) 또는 습식식각한다.
도 10을 참조하면, 포토레지스트(232) 상에서 노출된 나노와이어(220)를 덮도록 제2전도층(240)을 증착한다.
상기 과정으로 제조한 발광소자는 도 1의 p-i-n 접합구조를 가진다.
한편, 도 2의 p-n 접합구조를 가지는 발광소자의 제조는 도 7의 인트린식 영역을 형성하는 과정을 제외하면 상기 설명한 제조방법과 매우 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 나노와이어 발광소자는 동일한 물질로 이루어진 접합(homeogenous junction)을 구비하므로 발광효율이 우수하며, 기판과의 매칭이 양호하므로 대량생산이 가능하다. 또한 대면적으로 생산이 가능하기 때문에 평판디스플레이에 직접 적용이 가능하다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.
Claims (20)
- 기판;상기 기판 상의 제1전도층;상기 제1전도층 상에 수직으로 형성되어 있으며, 각각은 p 도핑부분과 n 도핑부분이 양측에 서로 구분되게 형성된 다수의 나노와이어; 및상기 나노와이어 상에 형성된 제2전도층;을 구비하며,상기 p 도핑부분 및 상기 n 도핑부분 중 적어도 어느 하나는 상기 나노와이어의 외주에 분자를 흡착시켜서 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1전도층 상에서 상기 나노와이어들 사이를 채운 절연성 폴리머;를 더 구비한 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 p 도핑부분과 상기 n 도핑부분 사이의 경계면에 발광층이 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 p 도핑부분과 상기 n 도핑부분 사이에는 도핑되지 않은 인트린식(intrinsic) 부분으로 된 발광층이 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 p 도핑부분은 상기 나노와이어의 외주에 전기친화도가 큰 분자가 흡착된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 p 도핑부분은 불소함유 분자로 흡착된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 불소함유 분자는 F4-TCNQ 분자인 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 n 도핑부분은 상기 나노와이어의 외주에 이온화 전위가 낮은 분자가 흡착된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 n 도핑부분은 리티움, 구리, 아연 중 적어도 어느 하나의 금속을 포함하는 분자 또는 유기 분자로 흡착된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 n 도핑부분은 CuPc, ZnPc, 펜타센(pentacene), BEDT-TTF(bis(ethylenddithio)tetrathiafulvalene)BEDT-TTF 중 선택된 적어도 어느 하나 로 흡착된 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 나노와이어는 ZnO 로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자.
- 기판 상에 제1전극층을 형성하는 제1단계;상기 제1전극층 상에 다수의 나노와이어를 수직으로 형성시키는 제2단계;상기 나노와이어의 하부를 p 도핑 또는 n 도핑 시키는 제3단계;상기 나노와이어의 상부를 상기 나노와이어의 하부와 다른 극성의 n 도핑 또는 p 도핑 시키는 제4 단계; 및상기 나노와이어 상에 제2전극층을 형성하는 제5단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 나노와이어의 외주에 전기친화도가 큰 분자 또는 이온화 전위가 낮은 분자를 흡착시키는 단계;상기 제1전극층 상의 나노와이어 사이에 절연성 폴리머를 채우는 단계; 및상기 나노와이어의 상부에 대응되는 영역의 상기 절연성 폴리머를 식각하여 상기 상부에 흡착된 분자를 제거하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노와 이어 발광소자 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제4단계는,제3단계의 결과물 상에 노출된 상기 나노와이어의 외주에 상기 나노와이어의 하부에 도핑된 극성과 반대되는 극성이 도핑되도록 이온화 전위가 낮은 분자 또는 전기친화도가 큰 분자를 흡착시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 절연성 폴리머층 상에서 노출된 나노와이어들 사이에 절연성 폴리머를 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제5단계는,상기 나노와이어의 상단이 노출되도록 상기 절연성 폴리머층을 식각하는 단계;상기 절연성 폴리머층 상에 제2전도층을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제4단계는,제3단계의 결과물 상에 소정 높이로 상기 나노와이어의 도핑되지 않은 인트 린식 부분을 형성하는 단계;상기 인트린식 부분 위의 노출된 상기 나노와이어의 외주에 상기 나노와이어의 하부에 도핑된 극성과 반대되는 극성이 도핑되도록 이온화 전위가 낮은 분자 또는 전기친화도가 큰 분자를 흡착시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 인트린식 부분 형성단계는,제3단계의 결과물 상에 노출된 나노와이어를 덮는 절연성 폴리머를 형성하는 단계; 및상기 나노와이어의 상부로부터 상기 인트린식 부분에 해당되는 영역 위의 상기 절연성 폴리머를 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 인트린식 부분 상에서 노출된 나노와이어들 사이에 절연성 폴리머를 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제5단계는,상기 나노와이어의 상단이 노출되도록 상기 절연성 폴리머층을 식각하는 단계; 및상기 절연성 폴리머층 상에 제2전도층을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 발광소자 제조방법.
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