JP5857102B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
cence:EL)材料を含む発光層を介在させた発光素子で形成した画素部を有する発
光装置に関する。
この発光装置は有機ELディスプレイ、又は有機発光ダイオードとも呼ばれている。これ
らの発光装置は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低消費電力駆動などの特徴を
有しているため、新世代の携帯電話や携帯情報端末(PDA)をはじめ、次世代ディスプ
レイとして大きく注目されている。
ら成る電極間に、少なくとも一層のEL材料を含む層(以下、EL層と記す)が挿入され
た構成の多層膜が基板上に積層された構造を有し、陽極と陰極とに電場を加えることによ
り、EL層からエレクトロルミネッセンスを発する。また、EL素子からの発光は、励起
一重項状態から基底状態に電子遷移する際の発光(蛍光)と励起三重項状態から基底状態
に電子遷移する際の発光(りん光)とがある。
いう。
る。また、EL層を形成するEL材料は低分子系(モノマー系)材料と高分子系(ポリマ
ー系)材料に大別される。
EL層から発せられた光を外部に取り出すには、陽極または陰極の少なくとも一方に透光
性の導電物質、例えばIndium Tin Oxide(以下、ITOと表記する)等
を用いなければならない。典型的な有機EL素子は、基板上にスパッタリング法で成膜さ
れたITOを陽極とし、その上にEL層とアルミニウム等の金属を用いた陰極が積層され
た構造を有している。この構造の有機EL素子では、基板上に成膜された陽極から発光が
取り出される。この構造の有機EL素子を画素とするディスプレイをアクティブマトリク
ス駆動で表示する場合、基板上のTFTが陽極を透過した発光を遮ることになり、発光の
効率を大きく低下させる。そこで、近年では基板上に透光性のない金属の電極を成膜し、
その上にEL層と透光性の導電物質が積層された構造の有機EL素子が研究されている。
この構造の有機EL素子では、ディスプレイをアクティブマトリクス駆動で表示する場合
にも、基板上のTFTが発光を遮ることはない。
にスパッタリング法で成膜されたITOを陽極とし、その上に有機EL層と金属薄膜ある
いはITOを積層することによって作成される。この構造の従来の有機EL素子は、EL
層から発した光を基板両面に分けるため、駆動電圧に対する発光輝度の特性は、片面だけ
から発光を取り出す構造の有機EL素子の半分程度となる。
高輝度の発光を取り出すのは困難であると言う問題点が挙げられる。
オン化ポテンシャルとITOの仕事関数のギャップが大きいため、ITOからEL層への
電子注入性は低く、高い駆動電圧を要する。この問題を解消するために、EL層とITO
等の間に金属薄膜を挿入したり、EL層の一部に電子供与性の高い金属、例えばアルカリ
金属やアルカリ土類金属を添加するなどの方法でITOからEL層への電子注入性を向上
させている。この金属薄膜や添加されたアルカリ金属やアルカリ土類金属が陰極の透過率
を低下させるため、陰極側の発光輝度を大きく低下させる原因となっている。
程度に合わせることは困難であり、また、用途に応じて一方の面だけを光らせるというこ
とも不可能であるという問題点が挙げられる。
膜された段階で、蒸着装置からスパッタ装置へ基板を搬送する際に、EL層が大気に曝露
されれば、EL層は大気中の水分や酸素によって容易に酸化される。特に、陰極からEL
層への電子注入性を向上させる目的で添加されたアルカリ金属やアルカリ土類金属は大気
中の酸素によって容易に酸化され、絶縁物となる。
に曝露されれば、有機EL素子の特性は大きく劣化するという問題点が挙げられる。
L素子を画素とする発光装置を駆動表示させると、一方の面の画像に対して、もう一方の
面ではその鏡像が表示される。
るという問題点が挙げられる。
いて乾燥剤を封止することは出来ない。また、2枚のガラスを対向させて封止をする場合
でも、乾燥剤を挿入するスペースが乏しく、充分な量の乾燥剤を使用できないという難点
がある。
しないで封止する方法が必要であるという問題点が挙げられる。
の画像を独立に表示することを特徴とする発光装置を提供することを目的とする。
方法、封止缶や乾燥剤を使用しないで封止する方法を提供する。
し、前記画素は、少なくとも一方が透光性を有する一対の陽極及び陰極の間に、少なくと
も一層の有機層が挿入された構成の多層膜が積層された構造の第1の発光素子と第2の発
光素子とを有し、前記第1の発光素子は、前記基板の面に対し垂直かつ前記基板から前記
画素部が形成された側の向きにのみ光を発し、前記第2の発光素子は、前記基板の面に対
し垂直かつ前記第1の発光素子と逆の向きにのみ光を発することを特徴とする発光装置で
ある。
め、画素の両面で高輝度を達成するために高い駆動電圧を印加する必要がなくなり、発光
装置全体の耐久性を向上させることが可能となる。
となり、用途に応じて一方の面だけを光らせるということも可能となる。
け、搬送室を介して基板を蒸着室からスパッタ室に搬送することによって、EL層を大気
に曝さずにITO電極を成膜する方法を提供する。
方の面でその鏡像が表示されるなどの難点も解消される。
る構造とし、2枚の基板を貼りあわせる際、画素領域は透明なシール材で全面を覆い、2
枚の基板間隔を保持するギャップ材(フィラー、微粒子など)を含む別の粘度が高いシー
ル材で外部を囲み、これら2種類のシール材を用いて気泡等が混入しないように封止をす
ることを特徴とする。このような封止方法によって、封止缶や乾燥剤を使用せずに信頼性
の高い発光装置を得ることができる。
能となる。特に、従来、スペースやコストの関係上、サイズの小さいサブ画面しか搭載で
きなかった携帯情報端末に、大画面のサブ画面を搭載することが可能となり、携帯情報端
末のさらなる高付加価値化が実現する。
で利便性のある使用が可能となる。
本発明の画素および封止の構成と製造方法を以下に説明する。本発明の画素の基本構成
を図1に示す。ここでは、アクティブマトリクス方式の駆動用TFTが図示されているが
、駆動方式は単純マトリクス方式であってもよい。
2の発光素子とその駆動用TFT、透明保護膜、シール材、第2の基板に大別される。第
1の発光素子は、第1の陽極1009を反射電極とし、陰極1011を透明電極とするこ
とにより、基板の面に対し垂直かつ基板から前記画素部が形成された側の向きにのみ光を
発し、第2の発光素子は第2の陽極1024を透明電極とし、第2の陰極1023を反射
電極とすることにより、基板の面に対し垂直かつ第1の発光素子と逆の向きにのみ光を発
する。以後、第1の発光素子が発する光の向きを上方、その逆向きを下方と表記する。
、ガラスやプラスチックが好適な材料である。下地膜1001は、基板とTFTを電気的
に絶縁し、基板から発生する汚染物質がTFTやEL層に及ばないように遮断し、基板表
面の凹凸を低減する役目を果たしている。
が形成されている。第1の駆動用TFT1002は、活性層1003と、ゲート電極10
05と、活性層1003とゲート電極1005の間に挟まれたゲート絶縁膜1004を有
している。
1の層間絶縁膜1006上には第2の層間絶縁膜1007と、第3の層間絶縁膜1008
とが積層形成されている。
ている。
極、第2の発光素子の陽極、1010はEL層、1011は陰極であり、第1の陽極10
09とEL層1010と陰極1011が重なっている部分が第1の発光素子1012に、
第2の陽極1024とEL層1010と陰極1011が重なっている部分が第2の発光素
子1022に相当する。第1の駆動用TFT1002は、第1の発光素子1012に供給
する電流を制御するものであり、第1の発光素子1012と直接、または他の素子を介し
て電気的に接続されている。また第2の駆動用TFT1021は、第2の発光素子102
2に供給する電流を制御するものであり、第2の発光素子1022と直接、または他の素
子を介して電気的に接続されている。
が好ましい。例えば、Ti、TiN、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、W
SiXNY、NbN、Mo、Cr、Pt、Se、Pd、Ir、Au等であり、これらの混
合物や合金でもよい。また、上記以外の金属電極であっても、その上にITOを積層する
ことで充分なホール注入性を発揮できる場合もある。
好適である。
ッチング装置でパターニングすることによって形成できる。
9や第2の陽極1024の端部での段差により断絶されてしまうことを防止する。有機樹
脂膜1013には、例えばアクリル樹脂やポリイミド等が好適な材料として用いられ、特
に感光性アクリル樹脂は微細加工に適している。感光性アクリル樹脂は、硬化後の断面形
状が丸みを帯びており、その上に成膜する層が1〜10nm程度の極薄膜であっても断絶
しにくいという利点を有する。感光性アクリル樹脂は、スピンコーター、露光機、現像機
を用いて形成され、その膜厚はスピンコーターの回転速度や回転時間によって調節される
。
用いる有機物が低分子であれば真空蒸着装置を、高分子であればスピンコーターやインク
ジェット装置を用いて成膜する。例えば、蒸着装置を用いて、CuPcを20nm、α−
NPDを30nm、Alq3を50nmの構成で積層すれば、緑色発光の有機EL素子が
作成できる。なお、CuPcは電子注入層、α−NPDは電子輸送層、Alq3は発光層
である。この工程における蒸着室の圧力は10−7Pa〜10−4Pa程度が好ましい。
圧力が高ければ、蒸着工程中に有機物が残存酸素と熱によって酸化されるからである。ま
た、成膜レートは、0.1〜0.2nm/s程度が好ましい。成膜レートが高ければ、有
機分子が熱分解する恐れがあるからである。
入性が低いため、駆動電圧が極端に高くなる。このため、ITOからEL層への電子注入
性を高める工夫が必要である。
やアルカリ土類金属などを共蒸着によって添加する方法がある。特に、LiをAlq3に
添加する方法やAlq3層上にLiが添加されたBCPやCuPcの層を設ける方法が有
効である。このような手段を用いて、EL層中の陰極付近の有機物にN型半導体に近い物
性を与えることによって、ITOからEL層への電子注入性を飛躍的に向上させることが
出来る。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属は大気中で容易に酸化されて絶縁体とな
るため、前記の装置で大気曝露を避けることが好ましい。
からEL層への電子注入性を向上させることができる。例えば、Al−Li合金やMg−
Ag合金の10nm程度の薄膜であれば透光性があり、ITOからEL層への電子注入性
を向上させる効果も高い。
がEL層にダメージを与えるため、有機EL素子の輝度特性を低下させる原因となる。こ
のダメージを最小限に抑えるには、スパッタリングの条件(圧力、ガス流量比、投入電力
)を調整してプラズマ濃度を下げる方法、プラズマが基板に接触しないようにターゲット
にメッシュを被せる方法、EL層の上に無機物の保護層を設ける方法などがある。一般に
、スパッタリング時の放電電力値を下げて成膜すれば、EL層に及ぼすダメージは低減さ
れるが、低電力で成膜されたITOの比抵抗値は高くなる傾向があり、低電力成膜では圧
力とガス流量比を調節してITOの比抵抗が最低となる条件に最適化しなければならない
。例えば、RF100W以下で成膜する場合、ガス流量比O2/Arを0とし、全圧を約
1Pa程度とすることが好ましい。通常のスパッタ装置では、この条件で比抵抗がμΩc
mのオーダーのITOが成膜できる。また、成膜パラメータの最適化だけでなく、ターゲ
ットに対向するメッシュを被せてプラズマをターゲットとメッシュに挟まれた領域だけに
発生するような構造とし、プラズマが基板に接触しないようにする方法(リモートプラズ
マ・スパッタ)や、EL層の上に無機物の保護層、例えば、金属や金属窒化物や金属ホウ
化物などの薄膜を設ける方法などと併用することが好ましい。
)、高い光透過率(可視領域で80〜90%以上)、可視光を干渉で弱めることのない良
好な光学特性の全てを有している必要がある。
2は図1中の第2の発光素子の主要部分の拡大図であり、ホール注入層2001、ホール
輸送層2002、発光層+添加物2003という構成のEL層の上に陰極(透明電極)2
004と第2の陰極(反射電極)2005を積層した構造の発光素子の光学干渉を示して
いる。陰極(透明電極)2004と第2の陰極(反射電極)2005の屈折率をそれぞれ
n4、n5とすると、発光層+添加物2003から直接外部に到達する光(直接光)と発
光層+添加物2003から陰極(透明電極)2004を経由して第2の陰極(反射電極)
2005との界面で反射して外部に到達する光(反射光)の光路差は、2×(n4×d1
+n5×d2)で表される。ここで注意すべきことは、n4>n5の場合、発光は自由端
反射をするため反射部における位相の変化はないが、n4<n5の場合、発光は固定端反
射をするため反射部において位相がπだけ変化するということである。例えば、ITOと
Alの積層の場合、発光は自由端反射をする。したがって、光路差2×(n4×d1+n
5×d2)が可視光波長λの整数倍となるように作成すれば、波長λの光が干渉して強め
られる。
光素子1012は全く覆われないように成膜する。第2の陰極1023の材質には反射率
の高い金属、例えばAl等の使用が好ましい。Alは10nm程度の膜厚では光を透過す
るため、100nm程度の膜厚が好ましい。Alは蒸着でもスパッタリングでも容易に成
膜可能である。
いる。したがって、水に難溶の物質を使用し、陰極を完全に覆う形状で成膜することが好
ましい。好適な物質は、CaF2、BaF2、MgF2などである。これらは蒸着によっ
て容易に成膜可能である。膜厚が厚いほど保護効果が大きいため、100nm以上とする
ことが好ましい。
くすように充填する。封止は、発光素子の設けられた第1の基板1000と対向する第2
の基板1026とを貼りあわせる構造とし、2枚の基板を貼りあわせる際、画素領域は透
明なシール材で全面を覆い、2枚の基板間隔を保持するギャップ材(フィラー、微粒子な
ど)を含む別の粘度が高いシール材で外部を囲み、これら2種類のシール材を用いて気泡
等が混入しないように行う。シール材のパターニングにはディスペンサを使用する。なお
、一対の基板を貼りあわせる際、僅かでも水分が混入されれば、作成された有機EL素子
の耐久性に深刻な影響が現れるため、封止室は減圧または窒素雰囲気とすることが望まし
い。貼りあわせ作業中の、封止室の露点は低いほど好適な条件であり、−80℃以下が望
ましい。
線が照射されるため、透明保護膜1014を2層とし、上層には紫外線のみを吸収または
反射する層、例えばZnOなどの層を形成することが望ましい。
を1×10−3Pa以下の圧力下で行うことができる。
本発明の画素の基本構成を図11に示す。ここでは、単純マトリクス方式の発光装置の
構成について示す。なお、本実施の形態について、実施形態1と同様の構成要素について
は、同じ符号を用いて説明する。
の発光素子1012と第2の発光素子1022が形成され、両基板はスペーサが混入され
た接着剤1033で間隙をもって固着されている。陽極1031と陰極1011は透明電
極とし、第1の発光素子1012では陽極1031側に、及び第2の発光素子1022で
は陰極1011側にそれぞれ遮光膜1030、1032を設けることにより光の放射方向
を決めている。
交差部にEL層を介在させることでマトリクス状に配列する画素を形成するものである。
図11の構成では、陽極1031と陰極1011の間にEL層1010が形成されており
、第1の発光素子1012は第1の基板1000側から、及び第2の発光素子1022は
第2の基板側から各素子の発光光が放射されることになる。
えば5重量%添加した透明電極を用いても良い。陰極1011は、ITOとの界面付近の
EL層に電子供与性の高い物質として、アルカリ金属やアルカリ土類金属などを共蒸着に
よって添加するものである。その他の方法として、EL層とITOの間に金属薄膜を挿入
することによって、ITOからEL層への電子注入性を向上させるものでも良い。
性の樹脂材料で形成すれば良い。
BaF2、MgF2などである。これらは蒸着によって容易に成膜可能である。膜厚が厚
いほど保護効果が大きいため、100nm以上とすることが好ましい。その他に、高周波
スパッタリング法でシリコンターゲットから形成する窒化シリコン膜を用いても良い。
るように形成する。シール材1025は光硬化型の樹脂を用いることが好ましく、第1の
発光素子1012の発光光の透過率が高い透光性の材料を用いる。
び第2の発光素子1022と第1の基板1000の間に着色層を設け、各発光素子の発光
光における特定波長帯を透過させる構成とすることもできる。すなわち、発光光の色純度
を高めたり、多色表示を行うことができる。
単純マトリクス方式を採用しても、低電圧で発光し、両面の輝度を独立に制御し、両面の
画像を独立に表示する発光装置を得ることができる。
次に、実施形態1で示す本発明の発光装置の駆動方法に関して、以下の実施形態3に説
明する。
膜トランジスタ(TFT)を用いているが、特に限定はしない。例えば、MOSトランジ
スタ、有機トランジスタ、分子トランジスタ等が挙げられるが、いずれも同様に用いて良
い。また、TFTにおいては、ソース領域とドレイン領域とは、その構造や動作条件によ
って、分別が難しいため、一方を第1の電極、他方を第2の電極として表記する。
、ゲート信号線3002、電流供給線3003、スイッチング用TFT3004、第1の
駆動用TFT3005、第2の駆動用TFT3006、第1の発光素子3007、第2の
発光素子3008を有する。各画素において、第1の発光素子3007の出射光が得られ
る領域を第1の領域、第2の発光素子3008の出射光が得られる領域が第2の領域であ
り、いずれも1画素に含まれる。
され、第1の電極は、ソース信号線3001と電気的に接続され、第2の電極は、第1、
第2の駆動用TFT3005、3006のゲート電極と電気的に接続されている。第1の
駆動用TFT3005の第1の電極は、電流供給線3003と電気的に接続され、第2の
電極は、第1の発光素子3007の第1の電極と電気的に接続されている。第2の駆動用
TFT3006の第1の電極は、電流供給線3003と電気的に接続され、第2の電極は
、第2の発光素子3008の第1の電極と電気的に接続されている。第1の発光素子30
07の第2の電極および、第2の発光素子3008の第2の電極は、それぞれ、電流供給
線と互いに電位差を有する対向電極3009、3010と電気的に接続されている。
するタイミングで、第1、第2の駆動用TFT3005、3006のゲート電極へと入力
され、映像信号にしたがって、第1、第2の発光素子3007、3008に電流が供給さ
れて発光する。前述のとおり、第1の領域、第2の領域は、それぞれ基板表裏から出射光
が得られる。
の制御は、第1、第2の駆動用TFT3005、3006によってなされるが、例えば、
図4に示すように、電流供給線4003と、第1、第2の駆動用TFT4005、400
6の第1の電極との間に、それぞれ排他的に動作するアナログスイッチ4011、401
2を設け、表示面制御信号によってON・OFFを制御することにより、ある期間ではア
ナログスイッチ4011がONし、第1の発光素子4007に電流が供給されると、第1
の領域には映像が表示される。一方、アナログスイッチ4011と排他的に動作するアナ
ログスイッチ4012は、この時はOFFしており、第2の発光素子4008への電流供
給経路を遮断する。よって第2の領域は発光しない。反対に、アナログスイッチ4012
がONし、第2の発光素子4008に電流が供給され、第2の領域に映像が表示されてい
る期間では、アナログスイッチ4012はOFFし、第1の発光素子4007への電流供
給経路を遮断する。よって第1の領域は発光しない。このとき、表示面制御信号は、使用
者が何らかの操作を行うことによって出力され、表示面の切り替えを行っても良いし、使
用している状態(例えば端末を折りたたんだ状態か開いている状態かなど)によって、自
動的に切り替え動作が行われるようにしても良い。
示すように、表示面制御信号1、表示面制御信号2を用いて独立に制御してもよい。この
構成によると、第1の領域、第2の領域はいずれも任意に表示・非表示を切り替えること
が出来る。
示させる方法としては、例えば1フレーム期間において、奇数フレームで第1の領域の表
示を行い、偶数フレームで第2の領域の表示を行うなどといった方法が挙げられる。この
とき、表示面制御信号は、1フレーム期間ごとに反転させ、アナログスイッチ5011、
5012が互いに1フレームごとにON・OFFを切り替えられれば良い。
る。
製造方法について記述する。この製造装置は、薄膜トランジスタ・陽極(第1の電極)・
該陽極の端部を覆う絶縁物等が予め設けられている基板を投入して成膜等の処理を連続的
に行った後、基板とは別に投入した対向と一体化させることによって封止処理を行い、パ
ネルを完成させるものである。
004・6005(各搬送室には基板を搬送するための搬送ロボットが設置されている)
と、仕込室6011と、受渡室6012・6013・6014と、カセット室6020a
・6020bと、トレー装着ステージ6021と、成膜室6022と、基板加熱室602
3と、基板・マスクストック室6024と、前処理室6025と、基板加熱室6026と
、蒸着室6027Ha・6027Ra・6027Ga・6027Ba・6027Ga・6
027Eaと、蒸着源を設置する蒸着前室6027Hb・6027Rb・6027Gb・
6027Bb・6027Ebと、蒸着室6028・6029と、スパッタ室6030・6
031と、対向ガラス用N2置換室6032・グローブBOX6033・準備室6034
と、基板・対向ストック室6035と、封止室6036と、取出室6037と、を有する
マルチチャンバー方式の製造装置である。
する。本製造装置は、2種類の大きさの基板を取り扱うことが出来るという特徴を持つ。
取り扱う基板が大型基板(本実施例では300mm×360mmとする)である場合、カ
セット室6020bに大型基板が収納された大型カセット(本実施例では12段とする)
を最大2個投入出来る。取り扱う基板が小型基板(本実施例では126.6mm×126
.6mmとする)である場合、カセット室6020aに小型基板が収納された小型カセッ
ト(本実施例では20段とし、このうち上部16段に小型基板を収納し、下部4段は搬送
室6001の搬送ロボットのアームを差し込むためのスペースとして運用する)を投入す
ると共に、小型基板を複数枚(本実施例では4枚とする)搭載して搬送するための基板ト
レー(本実施例では大型基板と同サイズの300mm×360mmとする)が収納された
トレーカセット(本実施例では4段とする)をカセット室6020bに投入する。このよ
うにカセット室6020bには大型カセット及びトレーカセットの両方が設置出来る形に
なっている。尚、大型基板・小型基板共、投入時の向きはフェイスアップ(後工程で成膜
される面が上側)である。上記からわかるように、本実施例では一度に投入可能な基板最
大数、即ち1ロット当たりの最大基板数は大型基板の場合は24枚、小型基板の場合は3
2枚である。
Ra・6027Ba・6027Ga・6027Ea、蒸着室6028・6029、スパッ
タ室6030・6031の計10室で使用するメタルマスクを計10枚セットする。本実
施例では、基板・マスクストック室6024は11段のエレベータ構造となっている。マ
スクセット後の状態を図7aに示す。基板・マスクストック室6024の排気が終了した
ら、各処理室へ必要なメタルマスクを搬送すればよい。マスク搬出後の状態を図7bに示
す。尚、各段はマスク及び基板兼用になっている。マスクを各室に搬送した後この部屋は
全段空段になるため、後述するように、基板・マスクストック室6024を基板の一時退
避場所として使用することが出来る。
理由は、これによって、あるロットAが終了後、そのロットAで使用したマスクを回収す
る前に、次のロットBで使用すべき異種マスク10枚を図7cのように予め用意しておく
ことが可能になるからである。つまり、空きの1段を使用して、マスク使用する処理室1
室毎に、ロットAで使用したマスクの回収→及ロットBで使用するマスクの搬送、といっ
た処理を図7d→図7e→図7f→図7g・・・のように連続して行うことが出来るため
、最終的に図7hのようにマスクを使用する全ての部屋に関してマスクを交換することが
出来るのである。この結果、マスク交換の作業時間を短縮することが可能となっている。
ット室6020bで使用したものと同一の大型カセット(12段)に収納し、対向ガラス
用N2置換室に最大2個セットする(即ち大型対向投入可能枚数は最大24枚)。基板が
小型基板(126.6mm×126.6mm)の場合は、基板より一回り小さいサイズ(
本実施例では122.6mm×122.6mmと、基板より外周2mm分小さいとする)
の小型対向を、複数枚搭載可能な(本実施例では4枚とする)対向トレー(本実施例では
300×360mmとする)に搭載したものを、カセット室6020bで使用したものと
同一のトレーカセットに収納し、対向ガラス用N2置換室6032に最大2個セットする
(即ち小型対向投入可能枚数は最大32枚)。尚、大型対向・小型対向共、投入時及びそ
の後の処理時における向きはフェイスアップ(後に基板と貼り合せる際に、基板と接触す
る面が上側)である。
(基板吸着機構を有する)が基板を取りに行く。大型基板の場合はカセット室6020b
から基板を取り出し、仕込室6011に搬送する。小型基板の場合はカセット室6020
bからトレーを取り出しトレー装着ステージ6021に搬送後、カセット室6020aか
ら小型基板を取り出しトレー装着ステージ6021に搬送後、トレーに装着する(本実施
例では最大4枚)。この後、大型基板或いは小型基板入りトレーを仕込室6011へ搬入
する。この時点以降、基板の向きはフェイスダウン(後工程で成膜される面が下側)にな
る。
小型基板に対するスループットは極めて高いと言える。以下、特に断らない限り、大型基
板に対する処理のみについて記載することにし、大型基板を単に基板と記載するが、小型
基板に対する処理についても全く同様である。
め、基板を搬入した後は排気を行ってから搬送室6002に基板を搬出することになる。
基板搬出後は仕込室6011に不活性ガスを導入して大気圧に戻し(ベント)、次に搬送
室6001から流れて来る基板の搬入に備えておけばよい。
型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプが備えられており、これに
よって到達真空度を10−5〜10−6Paにすることが可能であり、さらにポンプ側お
よび排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。装置内部に不純物が導入され
るのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内
部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機により高純度化され
たものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精
製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物
を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐこと
ができる。
いうシュリンク現象が見られることがある。この防止策の一つとして、有機化合物を含む
膜の蒸着直前の真空加熱が挙げられる。これは前処理室6025、あるいは基板加熱室6
026に設けられたヒーター(シースヒータ等)で行うことが可能である。上記基板に含
まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために、脱気のためのアニールを真空(5
×10−3torr(0.665Pa)以下、好ましくは10−4〜10−6Pa)で行
う。特に、層間絶縁膜や隔壁の材料として有機樹脂膜を用いた場合、有機樹脂材料によっ
ては水分を吸着しやすく、さらに脱ガスが発生する恐れがあるため、有機化合物を含む層
を形成する前に100℃〜250℃、好ましくは150℃〜200℃、例えば30分以上
の加熱を行った後、30分の自然冷却を行って吸着水分を除去する真空加熱を行うことは
有効である。
著しく低下する。そのため、基板加熱室6026は多段になっている。本実施例では前処
理室6025での基板加熱(基板面内温度分布を均一にするためシースヒータが採用され
ている)は最大同時1枚であるのに対し、基板加熱室6026は4段のエレベータ構造に
なっているため、最大同時4枚の基板加熱が可能であり、大幅な処理時間の短縮が実現さ
れる。また、本実施例では基板加熱室6026にはシースヒータが5段、即ち基板の段数
より1段多く設置されているため、基板がどの段に収納されても全く同じように基板両面
から加熱を行うことが出来る。加熱後の基板は基板・マスクストック室6024に搬送し
、ここで冷却を行えばよい。この処理によって、基板加熱室6026の空いた段には次の
基板を速やかに搬入することが出来、結果として処理時間の短縮につながる。
送して真空蒸着を行い、正孔注入層または正孔輸送層を形成する。次いで、搬送室600
2から常時真空に保たれている受渡室6012を経由して、常時真空に保たれている搬送
室6003に基板を搬送する。
a・6027Eaへ基板を適宜搬送して、赤色発光層・緑色発光層・青色発光層・電子輸
送層または電子注入層等の有機層を真空蒸着法によって形成する。ここで、蒸着室602
7Ha・6027Ra・6027Ga・6027Ba・6027Eaについて説明する。
、複数の蒸着源(本実施例では4 源とする)が搭載可能な、移動式蒸着源ホルダが設置
されている。蒸着時には蒸着源を動かしながら成膜出来る他、多源共蒸着も容易に行うこ
とが出来る。また、各蒸着源には蒸着源シャッターが設置されており、このシャッターの
開閉を通じて、材料を実際に蒸発させるかどうかのコントロールを行う。
わち、EL材料が予め材料メーカーで収納されている容器(代表的には坩堝)を用いて成
膜を行うことが好ましい。さらに設置する際には大気に触れることなく行うことが好まし
く、材料メーカーから搬送する際、坩堝は第2の容器に密閉した状態のまま成膜室に導入
されることが好ましい。望ましくは、蒸着室6027Ha・6027Ra・6027Ga
・6027Ba・6027Eaに連結された、真空排気手段を有する蒸着前室6027H
b・6027Rb・6027Gb・6027Bb・6027Ebを真空、または不活性ガ
ス雰囲気とし、この中で第2の容器から坩堝を取り出して、蒸着室の蒸着源ホルダに坩堝
を設置する。こ れによって、各蒸着室6027Ha・6027Ra・6027Ga・6
027Ba・6027Eaを大気開放することなく各蒸着源にEL材料をセットすること
が出来るのみならず、坩堝及び該坩堝に収納されたEL材料を蒸着直前までクリーンな状
態に保持出来る。
用するEL材料を適宜選択することにより、発光素子全体として、単色(例えば白色)、
或いはフルカラー(赤色・緑色・青色)の発光を示す発光素子を形成することが出来る。
おいて、赤色・緑色・青色の3原色を含有する3波長タイプと、青色/黄色または青緑色
/橙色の補色の関係を用いた2波長タイプに大別される。3波長タイプの白色発光素子を
、全有機化合物層の形成を一つの蒸着室のみで行うことによって作成する場合には、第1
の蒸着源には白色発光層を形成する芳香族ジアミンTPD(トリフェニルアミン誘導体)
、第2の蒸着源には白色発光層を形成する3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−
(4−エチルフェニル)−5−(ムービフェニニル)−1,2,4−トリアゾール(以下
p−EtTAZと示す)、第3の蒸着源には白色発光層を形成するAlq3、第4の蒸着
源には赤色発光色素であるNileRed、をそれぞれ用意する。そして、第1から第4
の順に実際に材料を蒸発させ、各層を積層すればよい。具体的には、まず第1から第4の
蒸着源を予め加熱しておく。この時、各蒸着源に設置された蒸着源シャッターは閉じてお
く。次に第1の蒸着源シャッターを開き、TPDを基板上に成膜後、第1の蒸着源シャッ
ターを閉じる。その後、第2の蒸着源シャッターを開き、p−EtTAZを基板上に成膜
後、第2の蒸着源シャッターを閉じる。次いで、第3の蒸着源シャッターを開き、基板上
にAlq3を成膜後、第3の蒸着源シャッターを閉じる。さらに第3・第4の蒸着源シャ
ッターを開き、Alq3とNileRedの共蒸着層を形成後、第3・第4の蒸着源シャ
ッターを閉じる。最後に、再び第3の蒸着源シャッターを開き、基板上にAlq3を成膜
後、第3の蒸着源シャッターを閉じる。こうした一連の手続きで、TPD、p−EtTA
Z、Alq3、Alq3:NileRed、Alq3の層を順番に基板上に成膜出来る。
尚、最初のAlq3層とAlq3:NileRed層の界面、及びAlq3:NileR
ed層と最後のAlq3層の界面においては、第3の蒸発源シャッターは開けたままでも
よい。
空に保たれている受渡室6013を経由し、常時真空に保たれている搬送室6004に基
板を搬送する。
30、スパッタ室6031に適宜搬送し、ITOに代表される透明導電膜をスパッタリン
グ法により形成すればよい。
や蒸着室6029で抵抗加熱を用いた真空蒸着法により形成してもよいし、スパッタ室6
030やスパッタ室6031でスパッタリング法によって形成することも出来る。
。
室6014に搬送する。さらに受渡室6014から搬送室6005を経由し、基板・対向
ストック室6035に搬送する。基板・対向ストック室6035は基板及び対向を一時ス
トックしておくための部屋であり、多段エレベータ構造を有している。各段は基板・対向
兼用である。本実施例では24段のエレベータ構造になっており、大型基板・大型対向の
場合は投入した基板及び対向の一部が、小型基板・小型対向の場合は投入した基板(トレ
ー)及び対向(トレー)の全てが、それぞれ収納可能である。そのため、もし基板・対向
ストック室6035に空段が存在しない場合は、空段ができるまで受渡室6014で基板
を待機させておけばよい。また、基板・対向ストック室6035と搬送室6005の間に
は仕切りのためのゲート等は特に設置されておらず、空間としては基板・対向ストック室
6035は搬送室6005と一体である。
予め十分排気しておく必要があるが、ロットを流し始めた後は常時N2大気圧に保たれる
ため、搬送室6005に基板を搬送する際には受渡室6014をベントする必要がある。
基板を搬送室6005に搬送した後は、再度受渡室6014を排気し、次の基板を搬送室
6004から搬送可能な状態にしておく。つまり、受渡室6014は基板が通過する度に
排気・ベントを繰り返す。
回とする)行った後で、対向をグローブBOX6033に搬送する。このように排気・ベ
ント処理を1回以上行うことによって、グローブBOX内の水分濃度・酸素濃度を極力低
濃度に保っておく。
をシールディスペンサ部分に搬送し、シールディスペンサを使用して、発光素子が設けら
れた基板と最終的に貼り合わせるためのシール材(本実施例ではUV硬化型樹脂とする)
を対向に塗布する。シール材は、画素領域全体を覆うための透明なシール材と、2枚の基
板間隔を保持するギャップ材(フィラー、微粒子など)を含む別の粘度が高いシール材の
2種類を用いる。塗布のパターニングは、粘度の低いシール材が画素部全体を覆うように
、かつ粘度の高いシール材が画素部全体を囲むように行う。このシールディスペンサ部に
は予めシールディスペンサの種々の調整を手作業で行うためのグローブ(図示しない)が
設置されている。またシール材は、対向ガラス用N2置換室6032を通じて、ロットを
流す前に予め外部からグローブBOX6033内に用意しておけばよい。
後で、最後にもう1度準備室6034をベントする。その後、準備室6034から搬送室
6005を通じて対向を基板・対向ストック室6035に搬送する。但し、基板・対向ス
トック室6035に空段が存在しない場合は、空段ができるまで準備室6034で対向を
待機させておけばよい。
る処理について説明する。
6に搬送する。その後、基板と対向のアライメント動作を行った後で、基板と対向を貼り
合わせ、加圧する。その後、シール材を硬化させ、基板と対向を一体のパネルとする。本
実施例ではシール材はUV硬化樹脂であり、封止室6036にはUV照射機構が設置され
ており、UV照射は対向側(下側)から行われる。
にはカセット室6020bや対向ガラス用N2置換室6032でも使用した大型カセット
(24段)が2個、或いはトレーカセット(4段)が4個セット可能になっており、両者
のうちどちらをセットするかは取出室6037の段取り替えによって選択可能である。投
入した全ての基板及び対向の処理が完了した後、取出室からカセットに収納されたパネル
を取り出せばよい。
とが可能となる。
た例を示す。
示が可能なため、両面に表示部を設けた場合においても、筐体8000の厚さを抑えるこ
とが可能となる。
。画面操作は、操作ボタン8002によって行う。端末を閉じている状態において主に用
いる第2の表示面8003は、従来はスペースの関係上、サイズの小さなものしか内蔵出
来なかったが、本発明によって、第1の表示面8001と同等の表示サイズを有する第2
の表示面8003を用いて、メール、Webページ等の閲覧が可能となる。閉じた状態で
の操作は、操作ボタン8004によって行う。
手前に向けた状態での撮影時にも、表示領域の広い第2の表示面8002でモニタしなが
らの撮影が可能となる。
と第2の表示面8003を同時に表示すれば、撮影者側からも被撮影者側からもモニタ映
像を見ることが可能となり、アングル等の撮影意図が満たされているかを被撮影者が確認
してから撮影者がシャッターを切るということも可能となる。このような撮影では、撮影
者と被撮影者のコミュニケーションが円滑となり、撮影の失敗を減らす効果がある。80
06は撮影者、8007は被撮影者、8008は表示コントローラ、8009は本体駆動
用モジュール、8010はバッテリー、8011は第1の基板である。
た例を示す。
のページを同時に表示させることが可能である。図9に示されるように、第1の表示面9
000及び第4の表示面9003には通常の片面発光表示装置を用い、中央部に本発明の
表示装置である第2の表示面9001及び第3の表示面9002を挿入することにより、
合計4ページを同時に表示することが可能となる。
示面9003は、電子ブック本体に固定された通常の片面発光表示パネルであり、基板は
フィルムである必要はなく、通常のガラス基板でもよい。
す下面出射(ボトム・エミッション)タイプでも、成膜面側から発光を取り出す上面出射
(トップ・エミッション)タイプでもよい。
ム形態の両面発光表示パネルであり、プラスチック等の材質のフィルム基板上に電極やE
L層を成膜して作製される。封止は、対向フィルムを透明接着剤で貼り合わせる方法や、
スパッタリング法やCVD法を用いて窒化シリコン等の保護膜で基板全体を覆う方法があ
る。
2、バッテリー9013、電源コントローラ9014、CPU9015、ROM9016
、RAM9017、モデム9018、無線電話ユニット9019、モデムコントローラ9
020、ハードディスク9021、CD−ROM9022、メモリーカード9023、音
声信号処理回路9024、音声出力ユニット9025、操作ボタン9026から入力され
る信号を処理する入力コントローラ9027、ビデオ信号処理回路9011、信号処理回
路9010、映像信号コントロール回路9009、信号分割回路9004〜9008等が
内蔵されている。
ーカード9023等の記録媒体が含まれており、これらの記録媒体から、必要な情報を引
き出して表示面に表示することができる。また、これらの記録媒体を外部から接続するこ
とも可能である。さらに、本実施例の電子ブックは、外部のネットワークに接続されたモ
デム9018や、無線電話ユニット9019からの情報をモデムコントローラ9020で
処理することにより、表示させることも可能である。
処理回路9010、映像コントロール回路9009を経て、各表示面に接続された信号分
割回路9004〜9008に入力される。第2の表示面9001と第3の表示面9002
は同一基板上に形成されているが、それぞれ独立した信号を信号分割回路9005、90
06から入力することが可能であり、それぞれ独立した画像を表示することができる。
された信号を音声出力ユニット9025で出力することもできる。
ような場合や、辞書を参照しながら本文を読む場合等に便利である。
表示面を設けても厚さを抑えることが可能である。好適な作製例としては、通常のパソコ
ン表示装置として用いる大面積のメインディスプレイ10000と、使用を中断した場合
等に必要最小限の情報を表示する小面積のサブディスプレイ1001の2つを使い分ける
ことが出来るタイプのノートパソコンである。
スプレイ10001は独立駆動であり、全く別の画像を表示することが可能である。
ブディスプレイ10001はオフにすることが可能であり、あるいはまた、他者に向けて
何らかのメッセージを表示することも可能である。
1のみが外部に露出している状態では、メインディスプレイ10000はオフにすること
が可能である。サブディスプレイ10001は、使用者の意図次第で、オフにすることも
可能であり、必要最小限の情報のみを表示させることも可能である。例えば、作業中断中
に時刻を表示させたり、起動中のアプリケーションの種類を表示させたり、電子メールの
到着情報を表示させたり、作業者の行き先を表示させる等の利用法がある。
Claims (3)
- 一画素内に、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1の有機EL素子と、第2の有機EL素子とを有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第3のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、前記第1の有機EL素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第2の有機EL素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第3のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子と前記第2のトランジスタのゲート電極とは、間にトランジスタを介さずに電気的に接続されることを特徴とする発光装置。 - 一画素内に、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1の有機EL素子と、第2の有機EL素子とを有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第3のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、前記第1の有機EL素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第2の有機EL素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、第1の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第2の端子は、前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子と前記第2のトランジスタのゲート電極とは、間にトランジスタを介さずに電気的に接続されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の有機EL素子から発光される色と、前記第2の有機EL素子から発光される色とは、同じ色であることを特徴とする発光装置。
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---|---|---|---|---|
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JP4531341B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
US7333072B2 (en) * | 2003-03-24 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device |
KR20050119685A (ko) * | 2003-04-08 | 2005-12-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 양면 발광 디바이스 |
JP4614633B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2011-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
US7566902B2 (en) * | 2003-05-16 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
US7161184B2 (en) | 2003-06-16 | 2007-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7772756B2 (en) | 2003-08-01 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device including a dual emission panel |
JP4316960B2 (ja) | 2003-08-22 | 2009-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
US8884845B2 (en) * | 2003-10-28 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and telecommunication system |
JP4485184B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
US7453426B2 (en) * | 2004-01-14 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
TWI367686B (en) * | 2004-04-07 | 2012-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, electronic device, and television device |
TW200537976A (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-16 | Au Optronics Corp | Protection structure of organic light-emitting display unit and fabricating method thereof |
KR100565674B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 양방향 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
US8681140B2 (en) | 2004-05-21 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having the same |
KR100581913B1 (ko) | 2004-05-22 | 2006-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
KR20050112031A (ko) * | 2004-05-24 | 2005-11-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
US8860051B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-10-14 | The Regents Of The University Of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
US9070647B2 (en) * | 2004-08-05 | 2015-06-30 | Au Optronics Corporation | Dual emitting method and device for active matrix organic electroluminescence |
US20060049751A1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Jiun-Haw Lee | Display device with dual display areas |
KR100699997B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다수개의 구동 트랜지스터와 다수개의 애노드 또는캐소드전극을 갖는 유기 전계 발광 표시장치 |
JP4289332B2 (ja) | 2004-09-30 | 2009-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | El表示装置、el表示装置の製造方法、及び電子機器 |
KR100600883B1 (ko) | 2004-11-11 | 2006-07-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP4586560B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 画像印刷装置 |
JP4613637B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-01-19 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP4619186B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US20090026922A1 (en) * | 2005-04-21 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
JP4596976B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2010-12-15 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
TWI295144B (en) * | 2005-06-10 | 2008-03-21 | Au Optronics Corp | Dual emitting device |
US7722929B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
TWI326379B (en) * | 2005-09-20 | 2010-06-21 | Au Optronics Corp | A double-sided liquid crystal display |
EP1770672A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display and a method of driving the same |
TWI331479B (en) * | 2005-12-02 | 2010-10-01 | Au Optronics Corp | Dual emission display |
TWI327042B (en) * | 2006-01-19 | 2010-07-01 | Au Optronics Corp | Double-sided organic electro-luminescence device and electronic device |
US7615285B2 (en) * | 2006-06-21 | 2009-11-10 | Southern Taiwan University | Fabrication method and structure of an ITO anode containing nickel points for an OLED to selectively light |
KR101261604B1 (ko) * | 2006-07-06 | 2013-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양면 표시 장치 |
KR20080037754A (ko) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
TW201448263A (zh) | 2006-12-11 | 2014-12-16 | Univ California | 透明發光二極體 |
JP5087927B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2012-12-05 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置 |
NL1033860C2 (nl) * | 2007-05-16 | 2008-11-18 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. |
JP2009003436A (ja) * | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR100874458B1 (ko) * | 2007-11-22 | 2008-12-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
KR101073561B1 (ko) * | 2009-02-05 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
US20100237374A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Transparent Organic Light Emitting Diode Lighting Device |
KR101860692B1 (ko) | 2009-05-02 | 2018-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 패널 |
CN104597651B (zh) * | 2009-05-02 | 2017-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备 |
JP2011029172A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Fujifilm Corp | 有機el装置及びその設計方法 |
JP5328726B2 (ja) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
US9715845B2 (en) | 2009-09-16 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
JP4942223B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2012-05-30 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機el装置 |
JP5287683B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2013-09-11 | セイコーエプソン株式会社 | ヘッドマウントディスプレイ |
JP5672695B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2015-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101174875B1 (ko) | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP2011150119A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Toppan Forms Co Ltd | 記入情報表示装置 |
KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
WO2011102501A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
JP5614067B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-10-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 露光装置及び画像形成装置 |
TWI413039B (zh) * | 2010-03-26 | 2013-10-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 自身攜帶照明裝置的電子書 |
KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101223723B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101678056B1 (ko) * | 2010-09-16 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101788285B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR101391244B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2014-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI441328B (zh) | 2010-12-24 | 2014-06-11 | Au Optronics Corp | 主動矩陣式有機電激發光顯示面板之畫素結構及其製作方法 |
KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
KR101880184B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2018-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
JP2013008663A (ja) * | 2011-05-24 | 2013-01-10 | Canon Inc | 表示装置 |
KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
TWI478333B (zh) * | 2012-01-30 | 2015-03-21 | Ind Tech Res Inst | 雙面發光顯示面板 |
KR102025722B1 (ko) | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
KR102108361B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
CN104282844B (zh) * | 2013-07-08 | 2017-02-08 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光结构及其制造方法及有机发光组件 |
KR102092705B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2020-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US9285660B2 (en) * | 2013-09-11 | 2016-03-15 | Disney Enterprises, Inc. | Animated document using an integrated projector |
KR102155736B1 (ko) | 2013-09-13 | 2020-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102114317B1 (ko) | 2013-09-13 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
KR20150056112A (ko) * | 2013-11-14 | 2015-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP2015109192A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2015096356A1 (zh) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种双面显示面板 |
CN103730485B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示的oled阵列基板及其制备方法、显示装置 |
USRE48695E1 (en) | 2013-12-31 | 2021-08-17 | Beijing Visionox Technology Co., Ltd. | Transparent OLED device and display device employing same |
CN103715230B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-12-07 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种透明oled器件及其显示装置 |
KR20150097359A (ko) * | 2014-02-18 | 2015-08-26 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
TWI548130B (zh) * | 2014-07-03 | 2016-09-01 | 逢甲大學 | 有機發光裝置及其製作方法 |
GB201413578D0 (en) | 2014-07-31 | 2014-09-17 | Infiniled Ltd | A colour iled display on silicon |
CN105789239A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-07-20 | 北京维信诺科技有限公司 | Oled显示屏双面发光的装置及制备方法 |
KR102637151B1 (ko) * | 2015-02-06 | 2024-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102426712B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 제조 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
CN105140260B (zh) * | 2015-07-23 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102498276B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2023-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102504630B1 (ko) * | 2016-07-01 | 2023-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN106252383B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-01-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR102562001B1 (ko) * | 2017-01-13 | 2023-08-02 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치를 포함하는 전자 장치 |
US10340323B2 (en) * | 2017-07-04 | 2019-07-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Double-sided OLED display device |
CN109285860A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、显示装置及其获取图像显示方法 |
CN107359175B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-02-11 | 上海天马微电子有限公司 | 微发光二极管显示面板和显示装置 |
CN107331693B (zh) * | 2017-08-31 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
WO2019112601A1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Dual-sided displays |
WO2020052232A1 (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
CN110911440B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-10-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
CN109300960B (zh) * | 2018-10-10 | 2021-04-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器件及其制作方法 |
KR102651733B1 (ko) * | 2018-12-20 | 2024-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102676590B1 (ko) * | 2019-10-25 | 2024-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
US11610877B2 (en) * | 2019-11-21 | 2023-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
CN111430414A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及制备方法、显示装置 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
CN113049753A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-29 | 徐州工牛高新材料有限公司 | 一种高纯低维电子材料制备与表征一体化方法 |
KR20230014124A (ko) * | 2021-07-20 | 2023-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6249897A (ja) | 1985-08-29 | 1987-03-04 | シャープ株式会社 | 全自動洗濯機 |
JPS6249897U (ja) | 1985-09-17 | 1987-03-27 | ||
US5493129A (en) * | 1988-06-29 | 1996-02-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film transistor structure having increased on-current |
JP2553696B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1996-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 |
US5167508A (en) | 1989-08-21 | 1992-12-01 | Mc Taggart Stephen I | Electronic book |
US5484292A (en) | 1989-08-21 | 1996-01-16 | Mctaggart; Stephen I. | Apparatus for combining audio and visual indicia |
JPH0392398A (ja) | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Mitsuo Ishihara | 座右の銘台及びその製造法 |
JPH0392398U (ja) * | 1990-01-06 | 1991-09-19 | ||
JP2844575B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1999-01-06 | キヤノン株式会社 | 印刷装置 |
JPH04355786A (ja) | 1991-06-03 | 1992-12-09 | Hitachi Ltd | 表示システム |
JPH0613184A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Shinko Electric Co Ltd | 有機薄膜el素子およびその製造方法 |
JPH0696858A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US6067082A (en) | 1992-11-09 | 2000-05-23 | Enmei; Toshiharu | Portable communicator |
JPH07220871A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Res Dev Corp Of Japan | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP3078188B2 (ja) | 1994-11-29 | 2000-08-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
US5703436A (en) * | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US6124851A (en) | 1995-07-20 | 2000-09-26 | E Ink Corporation | Electronic book with multiple page displays |
US5748160A (en) * | 1995-08-21 | 1998-05-05 | Mororola, Inc. | Active driven LED matrices |
US5780174A (en) * | 1995-10-27 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Micro-optical resonator type organic electroluminescent device |
JP3528470B2 (ja) * | 1995-10-27 | 2004-05-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
JP3698506B2 (ja) | 1996-11-08 | 2005-09-21 | 株式会社アルバック | El素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法 |
DE69723538T2 (de) | 1996-11-29 | 2004-06-09 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Organisches elektrolumineszentes Bauteil |
JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH10255976A (ja) | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JPH10289784A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JPH10321374A (ja) | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JPH10335061A (ja) | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機el素子の製造方法及びその製造装置 |
JPH1145779A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法および装置 |
JPH1173158A (ja) | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 表示素子 |
KR20000071044A (ko) * | 1998-03-19 | 2000-11-25 | 모리시타 요이찌 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP3546697B2 (ja) | 1998-05-06 | 2004-07-28 | トヨタ自動車株式会社 | 有機el素子 |
JP2000058260A (ja) | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 両面発光型エレクトロルミネッセンス素子および両面自発光型情報表示素子 |
JP4505067B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2010-07-14 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6281552B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
JP2000292777A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Minolta Co Ltd | ディスプレイ装置 |
TW444257B (en) * | 1999-04-12 | 2001-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for fabricating the same |
KR100307027B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2001-11-01 | 서평원 | 액정 표시장치 및 이것을 이용한 이동 통신 단말기의 표시장치 |
US6819309B1 (en) * | 1999-07-07 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Double-face display device |
JP4011795B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | 両面表示装置 |
JP2001035652A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた照光ユニット |
TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
JP2001109395A (ja) | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2002162652A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-06-07 | Fujitsu Ltd | シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
US7194085B2 (en) * | 2000-03-22 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US6936485B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
US7262763B2 (en) * | 2000-04-18 | 2007-08-28 | Fujifilm Corporation | Image display apparatus and image display method |
JP2001312228A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置、表示方法と表示部内蔵携帯型装置 |
US6608449B2 (en) * | 2000-05-08 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
JP2001319776A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Elパネルの作製方法 |
JP2001332392A (ja) | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sony Corp | 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 |
JP2001345184A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Nippon Menbrane:Kk | エレクトロルミネセンス素子及び表示装置 |
JP5110748B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6995753B2 (en) | 2000-06-06 | 2006-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP2001356714A (ja) | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Alpine Electronics Inc | 表示装置 |
US6542205B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4896314B2 (ja) | 2000-08-04 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7430025B2 (en) * | 2000-08-23 | 2008-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
US20020121848A1 (en) | 2000-10-05 | 2002-09-05 | Chih-Kung Lee | Backlight module for electro-optical display |
US6424093B1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-07-23 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display device with performed images |
US6906705B2 (en) | 2000-10-16 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic file with flexible display medium |
JP3999958B2 (ja) * | 2000-10-16 | 2007-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 電子ペーパファイル |
JP3408514B2 (ja) | 2000-11-24 | 2003-05-19 | セイレイ工業株式会社 | 収穫機 |
US6764776B2 (en) * | 2000-11-30 | 2004-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4644938B2 (ja) | 2001-01-15 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP3593982B2 (ja) | 2001-01-15 | 2004-11-24 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法 |
WO2002056284A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dossier de papier electronique et systeme de reglage de reperes |
JP2002304136A (ja) | 2001-01-17 | 2002-10-18 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えた電子機器 |
JP4765170B2 (ja) | 2001-01-24 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP4822590B2 (ja) | 2001-02-08 | 2011-11-24 | 三洋電機株式会社 | 有機el回路 |
JP3644392B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2005-04-27 | トヨタ車体株式会社 | 車両用扉開閉構造 |
JP2002324674A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Seiko Epson Corp | 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 |
JP2002296063A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Denso Corp | ナビゲーション装置 |
US6814642B2 (en) * | 2001-04-04 | 2004-11-09 | Eastman Kodak Company | Touch screen display and method of manufacture |
JP2002358031A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその駆動方法 |
JP2002373792A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその制御方法及びその制御システム及びその素子を用いたディスプレイ及びその素子を用いた感光体露光用光源を有する電子写真式の画像形成装置 |
US6635306B2 (en) * | 2001-06-22 | 2003-10-21 | University Of Cincinnati | Light emissive display with a black or color dielectric layer |
JP2003058081A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Casio Comput Co Ltd | 電子表示装置 |
JP2005520193A (ja) * | 2002-03-13 | 2005-07-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 二面表示装置 |
JP4120259B2 (ja) | 2002-04-26 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP4217426B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2009-02-04 | シャープ株式会社 | 両面表示装置 |
US6911772B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Oled display having color filters for improving contrast |
JP4234376B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-03-04 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
KR100489590B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-05-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 투과형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US7012364B2 (en) * | 2002-10-01 | 2006-03-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent display |
CN100370492C (zh) * | 2002-11-27 | 2008-02-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
TWI350404B (en) * | 2002-12-13 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
CN100504966C (zh) * | 2002-12-27 | 2009-06-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101019138B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
CN100594748C (zh) | 2003-01-24 | 2010-03-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备 |
US7566902B2 (en) * | 2003-05-16 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
US7622863B2 (en) * | 2003-06-30 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements |
JP4485184B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
US7453426B2 (en) * | 2004-01-14 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
JP5589452B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2014-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器、発光装置の駆動方法 |
-
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- 2004-01-14 CN CN200480007898A patent/CN100594748C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN1765156A (zh) | 2006-04-26 |
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JP2014060422A (ja) | 2014-04-03 |
JP5492946B2 (ja) | 2014-05-14 |
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