KR20150056112A - 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 균일한 두께의 막을 형성하기 위한 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크는 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고, 상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치한다.

Description

막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{MASK FOR FORMING LAYER, FORMING METHOD OF LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY USING THE SAME}
본 발명은 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 균일한 두께의 막을 형성하기 위한 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 표시 장치는 전기장 생성 전극과 전기 광학 활성층(electro-optical active layer)을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 발광층을 포함하고, 전기 영동 표시 장치는 전하를 띤 입자를 포함할 수 있다. 전기장 생성 전극은 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자에 연결되어 데이터 신호를 인가받을 수 있고, 전기 광학 활성층은 이러한 데이터 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.
여러 표시 장치 중 예를 들어 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED)는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.
유기 발광 표시 장치는 적색 화소, 청색 화소, 녹색 화소 및 백색 화소 등의 복수의 화소(pixel)를 포함하며, 이들 화소를 조합하여 풀 컬러(full color)를 표현할 수 있다. 각 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다.
유기 발광 소자는 전기장 생성 전극인 화소 전극과 공통 전극, 그리고 두 전극 사이에 위치하는 발광 부재를 포함한다. 화소 전극 및 공통 전극 중 한 전극은 애노드 전극이 되고 다른 전극은 캐소드 전극이 된다. 캐소드 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광 부재가 포함하는 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다. 발광 부재는 유기 물질을 포함할 수 있다.
이와 같은 표시 장치를 비롯한 다양한 전자 장치의 제조 과정은 기판 위에 다수의 막 패턴을 형성하는 과정을 포함한다. 막 패턴은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 포토 리소그래피 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
특히, 막이 유기 물질을 포함하는 유기막인 경우에는 유기 물질이 산소, 물 등에 매우 민감하므로 무기막 패턴을 형성하는 일반적인 리소그래피 방법, 특히 포토 리소그래피 등의 방법이 사용될 수 없다. 유기막 패턴은 잉크젯, 스핀, 노즐 등을 활용한 프린팅 공정, 증착 및 패터닝 공정, 섀도 마스크를 이용한 증착 공정, 열 또는 레이저 등을 이용한 전사 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
이와 같이 패턴을 가지는 막을 형성하는 여러 방법 중 전사 공정은 대형 기판에 저비용으로 간단히 막 패턴을 형성할 수 있는 방법으로 많이 활용된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전사 공정으로 형성된 막의 두께가 균일하게 할 수 있는 막 형성용 마스크 및 막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 전사 공정으로 형성된 막 두께가 균일하게 할 수 있는 막 형성용 마스크를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크는 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고, 상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성 방법은 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고, 상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치하는 막 형성용 마스크 위에 적층 물질을 도포하는 단계, 상기 막 형성용 마스크와 대상 기판을 서로 정렬하는 단계, 그리고 상기 막 형성용 마스크의 배면에 빛을 조사하여 상기 흡광부를 가열시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고, 상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치하는 막 형성용 마스크 위에 발광 부재용 유기 물질을 도포하는 단계, 상기 막 형성용 마스크와 대상 기판을 서로 정렬하는 단계, 그리고 상기 막 형성용 마스크의 배면에 빛을 조사하여 상기 흡광부를 가열시키는 단계를 포함한다.
상기 단위 영역에서 상기 흡광부와 상기 반사부는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 교대로 배치되어 있을 수 있다.
기판, 상기 기판 위에 위치하며 상기 흡광부를 형성하는 적어도 하나의 흡광층, 그리고 상기 기판 위에 위치하며 상기 반사부를 형성하는 적어도 하나의 반사층을 포함할 수 있다.
상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이룰 수 있다.
상기 경사 영역에서 상기 흡광층 또는 상기 반사층이 상기 기판의 면에 대해 이루는 경사각은 대략 40도 내지 대략 50도일 수 있다.
상기 경사 영역의 폭은 상기 흡광부 또는 상기 반사부의 폭보다 작거나 같을 수 있다.
상기 경사 영역의 상기 반사층 및 상기 흡광층과 상기 기판 사이에 위치하는 삽입층을 더 포함하고, 상기 삽입층의 윗면은 경사면을 이룰 수 있다.
상기 반사층과 상기 흡광층은 동일한 층에 위치하며 서로 중첩하지 않을 수 있다.
상기 반사층과 상기 흡광층은 서로 다른 층에 위치하고, 상기 흡광층은 상기 반사층과 중첩하는 부분을 포함할 수 있다.
상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 사각형일 수 있다.
상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 테두리 영역에 위치하는 상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 단변 및 장변을 포함하는 대략 직사각형이고, 상기 단위 영역 중 상기 테두리 영역으로 둘러싸인 중심 영역에 위치하는 상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 대략 정사각형일 수 있다.
기판, 상기 기판 위에 위치하며 상기 흡광부를 형성하는 적어도 하나의 흡광층, 그리고 상기 기판 위에 위치하며 상기 반사부를 형성하는 적어도 하나의 반사층을 포함하고, 상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루고, 상기 테두리 영역에 위치하는 상과 흡광부 또는 상기 반사부의 상기 단변의 길이는 상기 경사 영역의 폭과 대략 동일할 수 있다.
상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 상기 단위 영역의 중심을 둘러싸는 띠 형태를 가질 수 있다.
상기 흡광부 및 상기 반사부 중 하나는 상기 단위 영역의 중심에 위치하고, 상기 단위 영역의 중심에 위치하는 상기 흡광부 또는 상기 반사부는 다각형일 수 있다.
상기 단위 영역의 가장 바깥쪽에 위치하는 상기 흡광부 또는 상기 반사부의 폭은 그 안쪽에 위치하는 상기 흡광부 또는 상기 반사부의 폭보다 클 수 있다.
상기 단위 영역의 중심에 상기 흡광부가 위치하고, 상기 단위 영역의 중심 주위에 상기 중심에 위치하는 상기 흡광부와 이격되어 있는 다른 흡광부가 위치할 수 있다.
상기 단위 영역의 중심 주위에 위치하는 상기 흡광부는 상기 단위 영역의 모서리 부근에 위치할 수 있다.
기판, 상기 기판 위에 위치하며 상기 흡광부를 형성하는 적어도 하나의 흡광층, 그리고 상기 기판 위에 위치하며 상기 반사부를 형성하는 적어도 하나의 반사층을 포함하고, 상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루고, 상기 경사 영역의 안쪽 경계는 상기 단위 영역의 중심 주위에 위치하는 상기 흡광부의 가장자리 경계와 대략 정렬되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 마스크를 이용한 전사 공정으로 형성된 막 두께를 균일하게 할 수 있다.
또한 본 발명의 한 실시예에 따른 마스크를 이용한 전사 공정을 이용해 유기 발광 표시 장치를 제조함으로써 각 화소에 균일한 두께의 발광 부재를 형성할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고,
도 3은 도 1에 도시한 막 형성용 마스크를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 4는 도 3에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 위치에 따른 두께를 나타낸 시뮬레이션 그래프이고,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 단면도이고,
도 7은 도 6에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이고,
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고,
도 9는 도 8에 도시한 막 형성용 마스크를 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 10은 도 8에 도시한 막 형성용 마스크 및 대상 기판의 사시도이고,
도 11은 도 9에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이고,
도 12는 도 8에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이고,
도 13은 도 8에 도시한 막 형성용 마스크를 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 다른 예이고,
도 14는 도 13에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이고,
도 15 및 도 16은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 복수의 화소의 배치도이고,
도 17은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고,
도 18은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고,
도 19는 도 18에 도시한 막 형성용 마스크를 XIX-XIX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 20은 도 18에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이고,
도 21은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고,
도 22는 도 21에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이고,
도 23은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고,
도 24는 도 23에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이고,
도 25는 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역(TA)에 위치하는 적어도 하나의 흡광부(P)와 적어도 하나의 반사부(R)를 포함한다. 단위 영역(TA)에 위치하는 흡광부(P)와 반사부(R)는 서로 다른 영역에 위치한다. 단위 영역(TA)에 위치하는 흡광부(P)와 반사부(R)의 형태는 다양하게 정해질 수 있다. 이러한 흡광부(P) 및 반사부(R)의 다양한 형태에 대해 여러 도면을 참고하여 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고, 도 3은 도 1에 도시한 막 형성용 마스크를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 또는 도 2를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 단위 영역(TA)에 위치하며 적어도 한 방향에 대해 교대로 배열된 적어도 하나의 흡광부(P)와 적어도 하나의 반사부(R)를 포함한다. 특히 하나의 단위 영역(TA)에 대응하여 하나의 방향으로 서로 이격된 복수의 흡광부(P)가 위치할 수 있다.
단위 영역(TA)은 대상 기판(도시하지 않음) 위에 막을 형성할 때 막 패턴의 단위가 되는 영역으로서 단위 영역(TA)에 대응하는 영역에 형성된 막은 연속적으로 형성된다. 단위 영역(TA)의 한 변의 길이는 대략 수um 내지 수백um일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 각각 어느 한 방향, 예를 들어 가로 방향에 대해서만 적어도 하나의 흡광부(P)와 적어도 하나의 반사부(R)가 교대로 배열된 예를 도시한다. 도 1은 단위 영역(TA)의 가장자리에 반사부(R)가 배치된 예를 도시하고, 도 2는 단위 영역(TA)의 가장자리에 흡광부(P)가 배치된 예를 도시한다. 그러나 흡광부(P)와 반사부(R)가 교대로 배열되는 방법은 이에 한정되지 않고 다양하게 바뀔 수 있다.
흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭(a)은 수um, 예를 들어 대략 2um 내지 대략 5um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사부(R)의 폭(b)은 수um, 예를 들어 대략 2um 내지 대략 5um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3을 참조하면, 흡광부(P)와 반사부(R)는 기판(10) 위에 교대로 배치된 흡광층(30) 및 반사층(40)에 의해 형성될 수 있다. 흡광층(30)과 반사층(40)은 동일한 층에 위치할 수 있다.
기판(10)은 빛을 투과할 수 있는 투명성을 가질 수 있다. 기판(10)은 예를 들어 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등과 같은 고분자 물 또는 유리를 포함할 수 있다.
흡광층(30)은 빛을 흡수하여 이를 열에너지로 변환시킬 수 있으며, 빛의 반사율이 낮다. 흡광층(30)은 소정의 광학 밀도(optical density) 및 광흡수성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 흡광층(30)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 등의 금속 또는 이들의 산화물 또는 황화물 또는 이들의 합금, 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
흡광층(30)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 흡광층(30)는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 등의 금속 또는 이들의 산화물 또는 황화물 또는 이들의 합금, 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 등의 단일막으로 이루어질 수도 있고, 금속층과 금속 산화물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있다. 다중막의 경우 금속 산화물은 ITO, TCO, TiO2 등의 투명한 금속 산화물을 포함할 수 있다. 다중막은 금속층과 인접하며 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화티타늄(TiOx) 등을 포함할 수 있는 보호막을 더 포함할 수도 있다.
반사층(40)은 반사율이 높은 물질을 포함한다. 예를 들어, 반사층(40)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
흡광층(30)과 반사층(40)는 스퍼터링, 증착, 도금 등의 방법에 의해 적층될 수 있으며, 포토 리소그래피 등의 패터닝 방법을 이용해 패터닝될 수 있다.
도 3을 참조하면, 단위 영역(TA)의 바깥 영역에는 주변 반사층(periphery reflecting layer)(42)이 위치할 수 있다. 주변 반사층(42)도 반사층(40)고 같이 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 주변 반사층(42)은 이웃한 단위 영역(TA) 사이에 위치할 수 있다.
그러면 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크를 이용한 막 형성 방법에 대해 설명한다.
도 4는 도 3에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 위치에 따른 두께를 나타낸 시뮬레이션 그래프이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)의 흡광층(30) 및 반사층(40) 위에 막의 재료인 적층 물질(100)을 도포한다. 적층 물질(100)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
적층 물질(100)과 흡광층(30) 및 반사층(40) 사이에는 적층 물질(100)과 흡광층(30) 및 반사층(40) 사이의 반응을 방지할 수 있는 보호층(도시하지 않음)이 더 위치할 수도 있다. 보호층은 예를 들어 산화규소(SiOx) 등의 물질을 포함할 수 있다.
다음, 막을 형성할 대상 기판(110)을 막 형성용 마스크(1)와 대향시켜 정렬한다. 대상 기판(110)과 막 형성용 마스크(1) 사이의 갭(dG)은 대략 수um, 예를 들어 대략 3um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 플래시 램프, 할로겐 램프, 레이저 등의 광원(90)을 막 형성용 마스크(1)의 기판(10)이 있는 배면에 위치시키고 빛을 조사한다. 그러면, 반사층(40)에 조사된 빛은 반사되고, 흡광부(P)에 위치하는 흡광층(30)에 조사된 빛은 열에너지로 변환되어 흡광층(30)이 가열되어 흡광부(P) 위에 위치하는 적층 물질(100)도 가열된다. 이에 따라 흡광층(30) 위 또는 그 주위의 적층 물질(100)만 증발되어 대상 기판(110) 위로 전사되어 증착될 수 있다.
대상 기판(110)의 단위 영역(TA)에 대응하는 영역에 형성된 막은 연속되게 형성된다. 특히 단위 영역(TA)에 형성된 연속된 막의 두께가 적어도 한 방향으로 매우 균일하게 형성될 수 있다.
종래 기술과 같이 하나의 단위 영역(TA)에 대응하여 하나의 흡광부(P)만 배치되어 있는 마스크를 이용해 적층 물질을 전사하면, 단위 영역(TA)의 중앙 부분에 증착된 막의 두께가 가장 두껍고 가장자리로 갈수록 두께가 얇아져 대략 가우시안 분포(Gaussian distribution)의 두께로 막이 형성된다. 따라서 목표로 하는 균일한 막의 두께를 얻을 수 없고, 특히 가장자리 부분의 막의 두께가 목표 두께에 크게 미달하면서 바깥쪽으로 길게 늘어져 원하는 모양과 크기의 막 패턴을 얻을 수 없다.
그러나 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 사용하여 막을 형성하면 하나의 단위 영역(TA)에 대응하여 복수의 흡광부(P)가 위치하고 그로부터 적층 물질(100)이 증발되어 대상 기판(110) 위로 증착되므로 복수의 가우시안 분포가 겹쳐진 형태로 막이 증착되어 한 단위 영역(TA)에 연속적으로 형성된 막의 두께가 적어도 가로 방향 전체적으로 균일할 수 있다.
도 5는 대상 기판(110) 위에 증착된 막의 목표 두께에 대한 증착률의 위치에 따른 변화를 나타낸다. 본 시뮬레이션에서 단위 영역(TA)의 1 은 대략 20um로 하였다. 도 5를 참조하면, 단위 영역(TA)에 대응하여 형성된 막의 두께는 대부분 목표 두께의 대략 90% 이상이며 목표 증착 영역인 단위 영역(TA) 전체적으로 막의 두께가 균일함을 알 수 있다. 또한 목표 영역인 단위 영역(TA)의 바깥쪽으로 형성된 불필요한 부분이 짧다.
이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 사용하여 막 패턴을 형성하면 단위 영역(TA)에 대해 증착된 막의 두께가 균일하며 대부분의 위치의 막의 두께가 목표 두께에 근접할 수 있어 원하는 모양과 크기의 막 패턴을 얻을 수 있다.
다음, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 한 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크 및 이를 이용한 막 형성 방법에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 1 내지 도 3에 도시한 실시예와 대부분 동일하나 적층 구조가 다를 수 있다.
본 실시예에 따르면 기판(10) 위에는 반사부(R)에 대응하는 영역에 반사층(40)이 위치하고, 그 위의 전면에 흡광층(30)이 적층되어 있을 수 있다. 즉, 반사층(40) 위에도 흡광층(30)이 적층되어 있을 수 있다. 반사층(40)은 스퍼터링, 증착, 도금 등의 방법에 의해 적층된 후 패터닝될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용한 막 형성 방법은 앞에서 설명한 도 4에 도시한 실시예와 대부분 동일하다.
먼저, 막을 형성하기 위해 막 형성용 마스크(1)의 흡광층(30) 위에 막의 재료인 적층 물질(100)을 도포한다. 적층 물질(100)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
다음, 막을 형성할 대상 기판(110)을 막 형성용 마스크(1)와 대향시켜 정렬한다. 대상 기판(110)과 막 형성용 마스크(1) 사이의 갭(dG)은 대략 수um, 예를 들어 대략 3um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 플래시 램프, 할로겐 램프, 레이저 등의 광원(90)을 막 형성용 마스크(1)의 기판(10)이 있는 배면에 위치시키고 빛을 조사한다. 그러면, 반사부(R)에 대응하는 반사층(40)에 입사된 빛은 반사되고 반사층(40)과 중첩하지 않는 흡광층(30)에 조사된 빛만 열에너지로 변환되어 흡광층(30)이 가열된다. 이에 따라 흡광층(30) 위에 위치하는 적층 물질(100)도 가열된다. 이에 따라 흡광층(30) 위 또는 그 주위의 적층 물질(100)만 증발되어 대상 기판(110) 위로 전사되어 증착될 수 있다.
다음, 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크에 대해 설명한다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고, 도 9는 도 8에 도시한 막 형성용 마스크를 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 10은 도 8에 도시한 막 형성용 마스크 및 대상 기판의 사시도이다.
본 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 1 내지 도 3에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 흡광부(P) 및 반사부(R)가 2차원 면 상의 직교하는 두 방향 모두에 대해 교대로 배열될 수 있다. 즉, 막 형성용 마스크(1)는 복수의 흡광부(P) 및 복수의 반사부(R)를 포함하며, 흡광부(P) 및 반사부(R)는 가로 방향 및 세로 방향으로 교대로 배열되어 있다. 이에 따라 도 8에 도시한 바와 같이 흡광부(P) 및 반사부(R)는 체크 모양으로 배치될 수 있다.
흡광부(P) 또는 반사부(R)의 가로 방향 및 세로 방향의 폭(f)은 수um, 예를 들어 대략 2um 내지 대략 5um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
흡광부(P) 및 반사부(R) 각각의 모양은 직사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 8은 흡광부(P) 및 반사부(R) 각각의 모양이 정사각형인 예를 도시한다. 또한 하나의 단위 영역(TA)에 위치하는 흡광부(P) 및 반사부(R)의 형태는 도 8에 도시한 바와 같이 일정할 수도 있고 위치에 따라 바뀔 수도 있다.
도 9를 참조하면, 흡광부(P)와 반사부(R)는 기판(10) 위에 교대로 배치된 흡광층(30) 및 반사층(40)에 의해 형성될 수 있다. 흡광층(30)과 반사층(40)은 동일한 층에 위치할 수 있다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)의 적어도 일부에 위치하는 흡광층(30) 또는 반사층(40)은 기판(10)의 면에 대해 소정의 경사각(A)을 가지고 위쪽으로 기울어져 있을 수 있다. 이를 위해 기판(10)과 흡광층(30) 및 반사층(40) 사이에는 삽입층(50)이 위치할 수 있다. 삽입층(50)은 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)에서 바깥으로 연장되어 단위 영역(TA)의 바깥 영역에 위치할 수도 있다.
경사 영역(A2)의 삽입층(50)의 두께는 0부터 시작해 바깥쪽으로 갈수록 두꺼워지며, 윗면은 경사면을 이룬다. 삽입층(50)의 경사각(A)은 대략 20도 내지 대략 70도일 수 있고, 더 구체적으로 대략 40도 내지 대략 50도일 수 있다. 그러나 경사각(A)은 이에 한정되는 것은 아니다. 경사 영역(A2)에서 삽입층(50)의 경사각(A)은 일정할 수도 있고 변할 수도 있다. 도 9는 삽입층(50)의 경사각(A)이 일정한 예를 도시한다.
단위 영역(TA)의 바깥 영역에는 주변 반사층(42)이 위치할 수 있다. 주변 반사층(42)은 도 9에 도시한 바와 같이 삽입층(50) 위에 위치할 수 있다. 그러나 주변 반사층(42) 아래의 삽입층(50)은 제거되어 있을 수도 있다.
단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)은 도 8에 도시한 바와 같이 중심 영역(A1)을 둘러쌀 수 있다.
경사 영역(A2)의 폭(d)은 대응하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭(f)보다 작거나 같을 수 있다. 특히 경사 영역(A2)의 폭(d)이 대응하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭(f)보다 작은 경우 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)는 경사 영역(A2)에 위치하는 부분과 중심 영역(A1)에 위치하는 부분으로 나뉠 수 있다. 이때 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 중심 영역(A1)에 위치하는 부분의 폭(c)은 경사 영역(A2)의 폭(d)과 같을 수도 있고 다를 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 삽입층(50)은 생략될 수 있으며, 이 경우 단위 영역(TA)의 흡광층(30) 및 반사층(40)은 경사진 곳 없이 평탄할 수 있다.
그러면 앞에서 설명한 도 8 내지 도 10과 함께 도 11 및 도 12를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크를 이용한 막 형성 방법에 대해 설명한다.
도 11은 도 9에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이고, 도 12는 도 8에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)의 흡광층(30) 및 반사층(40) 위에 막의 재료인 적층 물질(100)을 도포한다. 적층 물질(100)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
적층 물질(100)과 흡광층(30) 및 반사층(40) 사이에는 적층 물질(100)과 흡광층(30) 및 반사층(40) 사이의 반응을 방지할 수 있는 보호층(도시하지 않음)이 더 위치할 수도 있다. 보호층은 예를 들어 산화규소(SiOx) 등의 물질을 포함할 수 있다.
다음, 막을 형성할 대상 기판(110)을 막 형성용 마스크(1)와 대향시켜 정렬한다. 대상 기판(110)과 막 형성용 마스크(1) 사이의 갭(dG)은 대략 수um, 예를 들어 대략 3um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 플래시 램프, 할로겐 램프, 레이저 등의 광원(90)을 막 형성용 마스크(1)의 기판(10)이 있는 배면에 위치시키고 빛을 조사한다. 그러면, 반사층(40)에 조사된 빛은 반사되고, 흡광부(P)에 위치하는 흡광층(30)에 조사된 빛은 열에너지로 변환되어 흡광층(30)이 가열되어 흡광부(P) 위에 위치하는 적층 물질(100)도 가열된다. 이에 따라 흡광층(30) 위 또는 그 주위의 적층 물질(100)만 증발되어 대상 기판(110) 위로 전사되어 증착될 수 있다.
대상 기판(110)의 단위 영역(TA)에 대응하는 영역에 형성된 막은 연속되게 형성된다. 특히 단위 영역(TA)에 형성된 연속된 막의 두께가 2차원 면 상에서 매우 균일하게 형성될 수 있다.
도 12는 대상 기판(110) 위에 증착된 막의 목표 두께에 대한 증착률의 2차원 위치에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 12를 참조하면, 단위 영역(TA)에 대응하여 형성된 막의 두께는 대부분 목표 두께의 대략 90% 이상이며, 목표 증착 영역인 단위 영역(TA) 전체적으로 가로 방향 및 세로 방향 모두에 대해 막의 두께가 균일함을 알 수 있다.
이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 사용하여 막 패턴을 형성하면 하나의 단위 영역(TA)에 대응하여 복수의 이격된 흡광부(P)에 대응하는 적층 물질(100)이 증발되어 대상 기판(110) 위로 증착되므로 복수의 가우시안 분포가 겹쳐진 형태로 막이 증착된다. 따라서 한 단위 영역(TA)에 연속적으로 형성된 막의 두께가 가로 방향 및 세로 방향을 포함한 2차원 면 상에서 전체적으로 균일하고, 대부분의 위치의 막의 두께가 목표 두께에 근접할 수 있어 원하는 모양과 크기의 막 패턴을 얻을 수 있다.
특히 본 실시예와 같이 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)의 흡광층(30) 또는 반사층(40)이 경사각(A)을 가지고 기울어지게 하면 적층 물질(100)이 목표 영역인 단위 영역(TA)의 바깥쪽으로 증발되는 것을 막고 단위 영역(TA)으로 집중되어 전사되도록 할 수 있다. 따라서 목표 영역인 단위 영역(TA)의 바깥쪽으로 막이 형성되는 것을 막을 수 있고 목표 두께에 더욱 근접하는 막의 두께를 얻을 수 있으며 막의 균일도를 더욱 높일 수 있다.
다음, 도 13 및 도 14를 참조하여 본 발명의 한 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크 및 이를 이용한 막 형성 방법에 대해 설명한다.
도 13은 도 8에 도시한 막 형성용 마스크를 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 다른 예이고, 도 14는 도 13에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 대상 기판 위에 막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 8 내지 도 10에 도시한 실시예와 대부분 동일하나 적층 구조가 다를 수 있다.
본 실시예에 따르면 기판(10) 위에는 반사부(R)에 대응하는 영역에 반사층(40)이 위치하고, 그 위의 전면에 흡광층(30)이 적층되어 있을 수 있다. 즉, 반사층(40) 위에도 흡광층(30)이 적층되어 있을 수 있다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용한 막 형성 방법은 앞에서 설명한 도 11에 도시한 실시예와 대부분 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
이제 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 15 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 15 및 도 16은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 복수의 화소의 배치도이고, 도 17은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시판(300)을 포함한다.
먼저 도 15를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 복수의 화소(PX)는 대략 행렬 형태로 배열되어 있을 수 있다. 가로 방향(DR1)인 행 방향으로 배열된 화소(PX)들은 교대로 서로 다른 기본색을 나타낼 수 있고, 세로 방향(DR2)으로 뻗는 각 열에 배치된 화소(PX)는 동일한 기본색을 나타낼 수 있다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시판(300)이 포함하는 복수의 화소(PX)는 가로 방향(DR1) 또는 세로 방향(DR2)에 대해 비스듬히 기울어진 대략 행렬 형태로 배열되어 있을 수 있다. 이때 화소(PX)가 포함하는 박막 트랜지스터에 신호를 공급하는 복수의 신호선은 가로 방향(DR1) 또는 세로 방향(DR2)에 대략 나란하게 뻗을 수 있다. 본 실시예에서는 가로 방향(DR1)에 대해 우상 방향으로 뻗는 방향을 행 방향이라 하고 좌하 방향으로 뻗는 방향을 열 방향이라 한다.
각 화소(PX)는 복수의 기본색 중 하나의 빛을 낼 수 있다. 본 실시예에서는 적색(R)을 나타내는 화소, 녹색(G)을 나타내는 화소, 그리고 청색(B)을 나타내는 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 예로 들어 설명한다. 서로 다른 기본색을 나타내는 화소는 서로 동일한 모양 또는 크기를 가질 수도 있고, 도 16에 도시한 바와 같이 각 기본색의 특성 및 발광 부재의 수명에 맞게 서로 다른 크기 및/또는 모양을 가질 수도 있다. 본 실시예에서는 청색(B)을 나타내는 화소의 크기가 가장 클 수 있고, 녹색(G)을 나타내는 화소의 크기가 가장 작을 수 있다.
각 화소는 대략 직사각형일 수 있고, 특히 적색(R)을 나타내는 화소와 청색(B)을 나타내는 화소는 각각 마름모꼴 또는 정사각형일 수 있다.
가로 방향(DR1) 또는 세로 방향(DR2)에 대해 비스듬하게 뻗는 행 방향 또는 열 방향으로 적색(R)을 나타내는 화소 및 녹색(G)을 나타내는 화소가 교대로 배치되어 있고, 그에 인접한 행 또는 열에는 청색(B)을 나타내는 화소 및 녹색(G)을 나타내는 화소가 교대로 배치되어 있다. 적색(R)을 나타내는 화소와 청색(B)을 나타내는 화소 각각은 네 개의 녹색(G)을 나타내는 화소와 대각선 방향으로 인접할 수 있다. 이에 따라 전체적으로 녹색(G)을 나타내는 화소의 수가 적색(R)을 나타내는 화소 또는 청색(B)을 나타내는 화소의 수보다 많으며 대략 2배일 수 있다.
이 밖에도 화소(PX)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다.
그러면, 도 16을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
먼저, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어질 수 있는 대상 기판(110)을 마련하고, 그 위에 복수의 신호선(도시하지 않음) 및 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 형성한다.
다음, 신호선 및 구동 트랜지스터(Qd) 위에는 무기물 또는 유기물 등으로 이루어진 보호막(180)을 적층한다. 보호막(180을 패터닝하여 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자를 드러내는 접촉 구멍(185)을 형성할 수 있다.
다음, 보호막(180) 위에 스퍼터링 등의 방법으로 도전성 물질을 적층하고 패터닝하여 복수의 화소 전극(191)을 형성한다. 화소 전극(191)은 보호막(180)의 접촉 구멍(185)을 통해 각 화소(PX)의 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자와 연결될 수 있다.
다음, 화소 전극(191) 및 보호막(180) 위에 아크릴 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물 또는 질화규소와 같은 무기물을 적층하고 패터닝하여 복수의 개구부를 가지는 화소 정의막(격벽이라고도 함)(360)을 형성한다.
다음, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용해 화소 정의막(360) 및 화소 전극(191) 위에 유기물을 포함하는 발광 부재(370)를 형성한다.
발광 부재(370)는 각 화소(PX)에 하부 유기 공통층(371), 발광층(373R, 373G, 373B), 그리고 상부 유기 공통층(375)을 차례대로 적층하여 형성할 수 있다.
하부 유기 공통층(371)은 예를 들어 차례대로 적층된 정공 주입층(hole injecting layer) 및 정공 수송층(hole transport layer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하부 유기 공통층(371)은 도 16에 도시한 바와 같이 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 영역 전면에 걸쳐 형성될 수도 있고, 각 화소(PX) 영역에 각각 형성되어 복수 개로 마련될 수도 있다.
각 화소(PX)에 각각의 하부 유기 공통층(371)을 형성하는 경우, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용해 각 화소(PX)의 목표 영역에 균일한 두께를 가지며 목표 두께에 근접하는 하부 유기 공통층(371)을 형성할 수 있다. 이때 각 화소(PX)에서 하부 유기 공통층(371)을 형성하고자 하는 목표 영역은 앞에서 설명한 단위 영역(TA)에 대응한다.
발광층(373R, 373G, 373B)은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용해 각각 대응하는 화소(PX)의 화소 전극(191) 위에 형성된다. 따라서 목표 두께에 근접하면서 각 화소(PX) 전체 영역에서 균일한 두께를 가지는 발광층(373R, 373G, 373B)이 형성될 수 있다. 이때 각 화소(PX)에서 발광층(373R, 373G, 373B)을 형성하고자 하는 목표 영역은 앞에서 설명한 단위 영역(TA)에 대응한다.
발광층(373R)은 적색의 기본색의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어질 수 있고, 발광층(373G)은 녹색의 기본색의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어질 수 있고, 발광층(373B)은 청색의 기본색의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어질 수 있다. 이 밖에 다양한 기본색의 종류에 따라 발광층(373R, 373G, 373B)이 내는 빛의 색은 바뀔 수 있다.
상부 유기 공통층(375)은 예를 들어 차례대로 적층된 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injecting layer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상부 유기 공통층(375)은 화소(PX)가 배치되어 있는 표시 영역 전면에 걸쳐 형성될 수도 있고 각 화소(PX) 영역에 각각 형성되어 복수 개로 마련될 수도 있다.
각 화소(PX)에 각각의 상부 유기 공통층(375)을 형성하는 경우, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용해 각 화소(PX)의 목표 영역에 균일한 두께를 가지며 목표 두께에 근접하는 상부 유기 공통층(375)을 형성할 수 있다. 이때 각 화소(PX)에서 상부 유기 공통층(375)을 형성하고자 하는 목표 영역은 앞에서 설명한 단위 영역(TA)에 대응한다.
특히 앞에서 설명한 도 16에 도시한 실시예와 같이 서로 다른 기본색(R, G, B)의 화소(PX)가 2차원 면 상에서 서로 다른 두 방향으로 교대로 배열되어 있는 유기 발광 표시 장치의 경우, 앞에서 설명한 도 8 내지 도 14에 도시한 실시예와 같이 흡광부(P) 및 반사부(R)가 2차원 면 상의 서로 다른 두 방향으로 교대로 배열되어 있는 막 형성용 마스크(1)를 사용하여 발광 부재(370)의 유기층을 적층하면, 2차원 면 상의 적어도 두 방향을 따라 균일한 막 두께를 얻을 수 있고 목표 두께에 근접한 충분한 두께를 얻을 수 있다.
하부 및 상부 유기 공통층(371, 375)은 발광층(373R, 373G, 373B)의 발광 효율을 향상하기 위한 것으로서 하부 및 상부 유기 공통층(371, 375) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
다음, 발광 부재(370) 위에 스퍼터링 등의 방법으로 도전성 물질을 적층하여 공통 전압을 전달하는 대향 전극(270)을 형성한다.
각 화소(PX)의 화소 전극(191), 발광 부재(370) 및 대향 전극(270)은 유기 발광 소자를 이루며, 화소 전극(191) 및 대향 전극(270) 중 하나가 캐소드가 되고 나머지 하나가 애노드가 된다.
대향 전극(270) 위에는 발광 부재(370) 및 대향 전극(270)을 밀봉(encapsulation)하여 외부로부터 수분 및/또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있는 밀봉층(encapsulation layer)(도시하지 않음)을 더 형성될 수 있다.
그러면 앞에서 설명한 도 8 내지 도 12와 함께 도 18 내지 도 20을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크에 대해 설명한다.
도 18은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고, 도 19는 도 18에 도시한 막 형성용 마스크를 XIX-XIX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 20은 도 18에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 8에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 흡광부(P) 및 반사부(R)의 형태가 위치에 따라 다를 수 있다. 예를 들어 한 단위 영역(TA)의 안쪽 영역(A3)에 위치하는 흡광부(P) 및 반사부(R)는 대략 서로 동일한 크기의 정사각형이나, 안쪽 영역(A3)의 바깥쪽인 테두리 영역에 위치하는 흡광부(P) 및 반사부(R)는 가로 방향 또는 세로 방향으로 더 긴 직사각형일 수 있다. 단위 영역(TA)의 각 테두리 영역에서 직사각형인 흡광부(P) 및 반사부(R)는 두 열을 이루며 인접해 배치될 수 있다.
단위 영역(TA)이 사각형일 때 네 모서리에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)는 다른 부분의 흡광부(P) 또는 반사부(R)와 다른 모양 및/또는 크기를 가질 수 있다. 예를 들어 한 모서리의 바깥쪽에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)는 "ㄱ"자 모양 또는 그 회전된 모습과 같이 꺾인 형태를 가질 수 있고, 그 안쪽에 위치하는 반사부(R) 또는 흡광부(P)는 대략 정사각형일 수 있다. 즉, 단위 영역(TA)의 각 모서리에는 서로 인접한 한 쌍의 흡광부(P)와 반사부(R)가 위치하며 함께 하나의 사각형을 이룰 수 있다.
안쪽 영역(A3)에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 가로 방향 또는 세로 방향의 폭(f)은 수um, 예를 들어 대략 2um 내지 대략 5um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
안쪽 영역(A3) 바깥쪽인 테두리 영역에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 단변의 폭(d, e)은 안쪽 영역(A3)의 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭(f)보다 작을 수 있다. 나아가 안쪽 영역(A3) 바깥쪽에 위치하는 이웃한 흡광부(P) 및 반사부(R)의 단변의 폭(d, e)의 합은 안쪽 영역(A3)의 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭(f)과 대략 같을 수 있다. 또한 테두리 영역에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 장변의 폭은 안쪽 영역(A3)의 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭(f)과 대략 같을 수 있다.
도 19를 참조하면, 흡광부(P)와 반사부(R)는 기판(10) 위에 교대로 배치된 흡광층(30) 및 반사층(40)에 의해 형성될 수 있다. 흡광층(30)과 반사층(40)은 동일한 층에 위치할 수 있으며, 서로 중첩하지 않을 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)의 적어도 일부에 위치하는 흡광층(30) 또는 반사층(40)은 기판(10)의 면에 대해 소정의 경사각(A)을 가지고 위쪽으로 기울어져 있을 수 있다. 이를 위해 기판(10)과 흡광층(30) 및 반사층(40) 사이에는 삽입층(50)이 위치할 수 있다. 삽입층(50)은 단위 영역(TA)의 경사 영역(A2)에서 바깥으로 연장되어 단위 영역(TA)의 바깥 영역에 위치할 수도 있다. 삽입층(50)은 앞에서 설명한 실시예와 대부분 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
단위 영역(TA)의 바깥 영역에는 주변 반사층(42)이 위치할 수 있다. 주변 반사층(42)은 도 9에 도시한 바와 같이 삽입층(50) 위에 위치할 수 있다. 그러나 주변 반사층(42) 아래의 삽입층(50)은 제거되어 있을 수도 있다.
단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)은 도 18에 도시한 바와 같이 중심 영역(A1)을 둘러쌀 수 있다.
경사 영역(A2)의 폭(d)은 대응하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭과 대략 동일할 수 있다. 이 경우 경사 영역(A2)은 테두리 영역의 흡광부(P) 또는 반사부(R)와 대략 정렬되어 있을 수 있다. 즉, 테두리 영역에서 두 줄로 배열된 직사각형의 흡광부(P) 및 반사부(R)의 경계와 중심 영역(A1)의 바깥 경계는 실질적으로 일치할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 삽입층(50)은 생략될 수 있으며, 이 경우 단위 영역(TA)의 흡광층(30) 및 반사층(40)은 경사진 곳 없이 평탄할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 반사부(R)의 반사층(40)과 흡광부(P)의 흡광층(30)은 서로 다른 층에 위치할 수도 있다. 이 경우 앞에서 설명한 도 13에 도시한 실시예와 같이 반사부(R)에 대응하는 영역에 반사층(40)이 위치하고, 그 위의 전면에 흡광층(30)이 적층되어 있을 수 있다.
도 18 및 도 19에 도시한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용한 막 형성 방법은 앞에서 설명한 실시예와 대부분 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
도 20은 대상 기판(110) 위에 도 18 및 도 19에 도시한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용하여 증착된 막의 목표 두께에 대한 증착률의 2차원 위치에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 20을 참조하면, 단위 영역(TA)에 대응하여 형성된 막의 두께는 대부분 목표 두께의 대략 90% 이상이며, 목표 증착 영역인 단위 영역(TA) 전체적으로 가로 방향 및 세로 방향 모두에 대해 막의 두께가 균일함을 알 수 있다. 이에 따른 효과는 앞에서 설명한 바와 동일하다.
특히 본 실시예에 따른 각 단위 영역(TA)의 테두리 영역에 위치하는 흡광부(P)와 반사부(R)의 폭이 안쪽 영역(A3)에서보다 좁아 흡광부(P)의 반복 주기가 짧아지므로 단위 영역(TA)의 가장자리 부분에 증착되는 막 두께가 얇아지는 것을 막을 수 있고, 전체적으로 균일한 두께의 막을 형성할 수 있으며, 목표 두께에 더욱 근접하게 막이 증착될 수 있다.
다음, 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 21 및 도 22를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크에 대해 설명한다.
도 21은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고, 도 22는 도 21에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 8에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 흡광부(P) 및 반사부(R)의 형태가 다를 수 있다.
본 실시예에 따르면 흡광부(P) 및 반사부(R)는 한 단위 영역(TA)의 중심부터 바깥쪽으로 교대로 배치된 띠 형태를 가질 수 있다. 예를 들어 도 21에 도시한 바와 같이 단위 영역(TA)의 중심에는 다각형 형태, 특히 볼록 다각형의 반사부(R)가 위치하고, 그 주위를 사각 도넛 형태의 흡광부(P)가 둘러싸고, 다시 그 주위를 사각 도넛 형태의 반사부(R)가 둘러싸고, 이런 식으로 반복될 수 있다. 단위 영역(TA)의 중심부터 반복되는 흡광부(P) 및 반사부(R)의 수는 대략 1 이상 10 이하일 수 있고, 더 바람직하게는 1 이상 3 이하일 수 있다. 도 21은 단위 영역(TA)의 중심부터 반복되는 흡광부(P) 및 반사부(R)의 수가 4인 예를 도시한다.
단위 영역(TA)의 중심에 위치하는 반사부(R)는 대략 정사각형일 수 있다.
도 21에서 흡광부(P)와 반사부(R)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
흡광부(P) 및 반사부(R)의 형태는 도시된 바에 한정되지 않고 바뀔 수 있다. 예를 들어 단위 영역(TA)이 원이나 타원형일 경우 흡광부(P) 및 반사부(R)의 형태는 원이나 타원형이거나 원 또는 타원형의 도넛일 수 있다.
흡광부(P)의 폭(a)과 반사부(R)의 폭(b)은 일정할 수도 있고, 위치에 따라 다를 수도 있다. 또한 흡광부(P)의 폭(a)과 반사부(R)의 폭(b)은 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
단위 영역(TA)의 가장 바깥에는 흡광부(P) 또는 반사부(R)가 위치할 수 있다. 도 21은 단위 영역(TA)의 가장 바깥에 흡광부(P)가 배치된 예를 도시한다. 단위 영역(TA)의 가장 바깥에 배치된 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭은 그 안쪽의 흡광부(P)의 폭(a) 또는 반사부(R)의 폭(b)보다 클 수 있다.
도 21을 참조하면, 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)의 적어도 일부에 위치하는 흡광부(P)를 이루는 흡광층 또는 반사부(R)를 이루는 반사층은 기판(도시하지 않음)의 면에 대해 소정의 경사각을 가지고 위쪽으로 기울어져 있을 수 있다. 이를 위해 앞에서 설명한 실시예들과 같이 기판과 흡광층 및 반사층 사이에는 삽입층(도시하지 않음)이 위치할 수 있다. 삽입층은 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)에서 바깥으로 연장되어 단위 영역(TA)의 바깥 영역에 위치할 수도 있다.
단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)은 도 21에 도시한 바와 같이 중심 영역(A1)을 둘러쌀 수 있다.
삽입층, 주변 반사층 등에 대한 이 밖의 특징은 앞에서 설명한 실시예에서와 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
경사 영역(A2)의 폭(d)은 대응하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 폭보다 작거나 같을 수 있다. 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)는 경사 영역(A2)에 위치하는 부분과 중심 영역(A1)에 위치하는 부분으로 나뉠 수 있다. 이때 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 중심 영역(A1)에 위치하는 부분의 폭(c)은 경사 영역(A2)의 폭(d)과 같을 수도 있고 다를 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 경사를 위한 삽입층은 생략될 수 있다. 이 경우 단위 영역(TA)의 흡광부(P) 및 반사부(R)는 경사진 곳 없이 평탄할 수 있다.
도 21에 도시한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용한 막 형성 방법은 앞에서 설명한 실시예와 대부분 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
도 22는 대상 기판 위에 도 21에 도시한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용하여 증착된 막의 목표 두께에 대한 증착률의 2차원 위치에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 22를 참조하면, 단위 영역(TA)에 대응하여 형성된 막의 두께는 대부분 목표 두께의 대략 90% 이상이며, 목표 증착 영역인 단위 영역(TA) 전체적으로 가로 방향 및 세로 방향 모두에 대해 막의 두께가 균일함을 알 수 있다. 이에 따른 효과는 앞에서 설명한 바와 동일하다.
다음, 앞에서 설명한 도면들과 함께 도 23 및 도 24를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크에 대해 설명한다.
도 23은 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이고, 도 24는 도 23에 도시한 막 형성용 마스크를 이용해 형성한 막의 두께를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 23을 참조하면, 본 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 8에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 흡광부(P) 및 반사부(R)의 형태가 다를 수 있다. 본 실시예에 따르면 단위 영역(TA) 전체적으로 흡광부(P) 또는 반사부(R)가 위치하고, 일부 영역에 반사부(R) 또는 흡광부(P)가 형성되어 있을 수 있다.
도 23은 단위 영역(TA) 전체적으로 흡광부(P)가 위치하고, 일부 영역에 반사부(R)가 형성되어 있는 예를 도시한다. 예를 들어 단위 영역(TA)의 중심에는 다각형, 특히 볼록 다각형의 반사부(R)가 위치하고, 그 주위에는 중심의 반사부(R)와 이격되어 있는 복수의 반사부(R)가 위치할 수 있다. 단위 영역(TA)의 중심에 위치하는 반사부(R)는 대략 정사각형일 수 있고, 단위 영역(TA)의 중심 주위에 위치하는 반사부(R)는 대략 직사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 단위 영역(TA)의 중심 주위에 위치하는 반사부(R)의 단변의 길이(a2)는 단위 영역(TA)의 중심에 위치하는 반사부(R)의 폭(a1)보다 작을 수 있고, 단위 영역(TA)의 중심 주위에 위치하는 반사부(R)의 장변의 길이(a3)는 단위 영역(TA)의 중심에 위치하는 반사부(R)의 폭(a1)보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
단위 영역(TA)의 중심 주위에 위치하는 복수의 반사부(R)는 두 개씩 짝을 이루어 단위 영역(TA)의 각 모서리 부근에 위치할 수 있다. 단위 영역(TA)의 각 모서리 부근에 위치하는 한 쌍의 반사부(R)는 적어도 하나의 꼭지점을 공유할 수 있고, 각각 가로 방향 및 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다.
반사부(R)의 형태 및 면적은 다양하게 바뀔 수 있다.
도 23을 참조하면, 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)의 적어도 일부에 위치하는 흡광부(P)를 이루는 흡광층 또는 반사부(R)를 이루는 반사층은 기판(도시하지 않음)의 면에 대해 소정의 경사각을 가지고 위쪽으로 기울어져 있을 수 있다. 이를 위해 앞에서 설명한 실시예들과 같이 기판과 흡광층 및 반사층 사이에는 삽입층(도시하지 않음)이 위치할 수 있다. 삽입층은 단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)에서 바깥으로 연장되어 단위 영역(TA)의 바깥 영역에 위치할 수도 있다.
단위 영역(TA)의 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)은 도 23에 도시한 바와 같이 중심 영역(A1)을 둘러쌀 수 있다. 특히 단위 영역(TA)의 중심 주위에 위치하는 흡광부(P)의 바깥 가장자리는 중심 영역(A1)과 경사 영역(A2) 사이의 경계선에 대략 정렬되어 있을 수 있다.
도 23에서 반사부(R)와 흡광부(P)의 위치가 서로 바뀔 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 흡광부(P) 또는 반사부(R)의 경사를 위한 삽입층은 생략될 수 있다. 이 경우 단위 영역(TA)의 흡광부(P) 및 반사부(R)는 경사진 곳 없이 평탄할 수 있다.
도 23에 도시한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용한 막 형성 방법은 앞에서 설명한 실시예와 대부분 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
도 24는 대상 기판 위에 도 23에 도시한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)를 이용하여 증착된 막의 목표 두께에 대한 증착률의 2차원 위치에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 24를 참조하면, 단위 영역(TA)에 대응하여 형성된 막의 두께는 대부분 목표 두께의 대략 90% 이상이며, 목표 증착 영역인 단위 영역(TA) 전체적으로 가로 방향 및 세로 방향 모두에 대해 막의 두께가 균일함을 알 수 있다. 이에 따른 효과는 앞에서 설명한 바와 동일하다.
마지막으로 도 25를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크에 대해 설명한다.
도 25는 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크의 평면도이다.
도 25를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 막 형성용 마스크(1)는 앞에서 설명한 도 1 또는 도 2에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 단위 영역(TA)의 가장자리, 특히 좌우 가장자리에 위치하는 경사 영역(A2)에 위치하는 흡광부(P)를 이루는 흡광층 또는 반사부(R)를 이루는 반사층이 기판(도시하지 않음)의 면에 대해 소정의 경사각을 가지고 위쪽으로 기울어져 있을 수 있다. 이를 위해 앞에서 설명한 실시예들과 같이 기판과 흡광층 및 반사층 사이에는 삽입층(도시하지 않음)이 위치할 수 있다.
이에 따라 단위 영역(TA)의 가장자리에 형성된 막의 두께가 얇아지는 것을 막아 단위 영역(TA)에 대해 더욱 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (30)

  1. 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고,
    상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치하는
    막 형성용 마스크.
  2. 제1항에서,
    상기 단위 영역에서 상기 흡광부와 상기 반사부는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 교대로 배치되어 있는 막 형성용 마스크.
  3. 제2항에서,
    기판,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 흡광부를 형성하는 적어도 하나의 흡광층, 그리고
    상기 기판 위에 위치하며 상기 반사부를 형성하는 적어도 하나의 반사층
    을 포함하는 막 형성용 마스크.
  4. 제3항에서,
    상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루는 막 형성용 마스크.
  5. 제4항에서,
    상기 경사 영역에서 상기 흡광층 또는 상기 반사층이 상기 기판의 면에 대해 이루는 경사각은 대략 40도 내지 대략 50도인 막 형성용 마스크.
  6. 제5항에서,
    상기 경사 영역의 폭은 상기 흡광부 또는 상기 반사부의 폭보다 작거나 같은 막 형성용 마스크.
  7. 제6항에서,
    상기 경사 영역의 상기 반사층 및 상기 흡광층과 상기 기판 사이에 위치하는 삽입층을 더 포함하고,
    상기 삽입층의 윗면은 경사면을 이루는
    막 형성용 마스크.
  8. 제3항에서,
    상기 반사층과 상기 흡광층은 동일한 층에 위치하며 서로 중첩하지 않는 막 형성용 마스크.
  9. 제3항에서,
    상기 반사층과 상기 흡광층은 서로 다른 층에 위치하고,
    상기 흡광층은 상기 반사층과 중첩하는 부분을 포함하는
    막 형성용 마스크.
  10. 제1항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 사각형인 막 형성용 마스크.
  11. 제10항에서,
    상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 테두리 영역에 위치하는 상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 단변 및 장변을 포함하는 대략 직사각형이고,
    상기 단위 영역 중 상기 테두리 영역으로 둘러싸인 중심 영역에 위치하는 상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 대략 정사각형인
    막 형성용 마스크.
  12. 제11항에서,
    기판,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 흡광부를 형성하는 적어도 하나의 흡광층, 그리고
    상기 기판 위에 위치하며 상기 반사부를 형성하는 적어도 하나의 반사층
    을 포함하고,
    상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루고,
    상기 테두리 영역에 위치하는 상과 흡광부 또는 상기 반사부의 상기 단변의 길이는 상기 경사 영역의 폭과 대략 동일한
    막 형성용 마스크.
  13. 제1항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 상기 단위 영역의 중심을 둘러싸는 띠 형태를 가지는 막 형성용 마스크.
  14. 제13항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 하나는 상기 단위 영역의 중심에 위치하고, 상기 단위 영역의 중심에 위치하는 상기 흡광부 또는 상기 반사부는 다각형인 막 형성용 마스크.
  15. 제14항에서,
    상기 단위 영역의 가장 바깥쪽에 위치하는 상기 흡광부 또는 상기 반사부의 폭은 그 안쪽에 위치하는 상기 흡광부 또는 상기 반사부의 폭보다 큰 막 형성용 마스크.
  16. 제1항에서,
    상기 단위 영역의 중심에 상기 흡광부가 위치하고,
    상기 단위 영역의 중심 주위에 상기 중심에 위치하는 상기 흡광부와 이격되어 있는 다른 흡광부가 위치하는
    막 형성용 마스크.
  17. 제16항에서,
    상기 단위 영역의 중심 주위에 위치하는 상기 흡광부는 상기 단위 영역의 모서리 부근에 위치하는 막 형성용 마스크.
  18. 제17항에서,
    기판,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 흡광부를 형성하는 적어도 하나의 흡광층, 그리고
    상기 기판 위에 위치하며 상기 반사부를 형성하는 적어도 하나의 반사층
    을 포함하고,
    상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루고,
    상기 경사 영역의 안쪽 경계는 상기 단위 영역의 중심 주위에 위치하는 상기 흡광부의 가장자리 경계와 대략 정렬되어 있는
    막 형성용 마스크.
  19. 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고, 상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치하는 막 형성용 마스크 위에 적층 물질을 도포하는 단계,
    상기 막 형성용 마스크와 대상 기판을 서로 정렬하는 단계, 그리고
    상기 막 형성용 마스크의 배면에 빛을 조사하여 상기 흡광부를 가열시키는 단계
    를 포함하는 막 형성 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 단위 영역에서 상기 흡광부와 상기 반사부는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 교대로 배치되어 있는 막 형성 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루는 막 형성 방법.
  22. 제19항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 사각형인 막 형성 방법.
  23. 제19항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 상기 단위 영역의 중심을 둘러싸는 띠 형태를 가지는 막 형성 방법.
  24. 제19항에서,
    상기 단위 영역의 중심에 상기 흡광부가 위치하고,
    상기 단위 영역의 중심 주위에 상기 중심에 위치하는 상기 흡광부와 이격되어 있는 다른 흡광부가 위치하는
    막 형성 방법.
  25. 연속적인 막을 형성하려는 영역에 대응하는 단위 영역에 위치하는 적어도 하나의 흡광부 및 적어도 하나의 반사부를 포함하고, 상기 단위 영역에 위치하는 상기 흡광부와 상기 반사부는 서로 다른 영역에 위치하는 막 형성용 마스크 위에 발광 부재용 유기 물질을 도포하는 단계,
    상기 막 형성용 마스크와 대상 기판을 서로 정렬하는 단계, 그리고
    상기 막 형성용 마스크의 배면에 빛을 조사하여 상기 흡광부를 가열시키는 단계
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제25항에서,
    상기 단위 영역에서 상기 흡광부와 상기 반사부는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 교대로 배치되어 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제26항에서,
    상기 단위 영역의 가장자리에 위치하는 경사 영역에 위치하는 상기 흡광층 또는 상기 반사층은 상기 기판의 면에 대해 위쪽으로 경사를 이루는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제25항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 사각형인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제25항에서,
    상기 흡광부 및 상기 반사부 중 적어도 하나는 상기 단위 영역의 중심을 둘러싸는 띠 형태를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제25항에서,
    상기 단위 영역의 중심에 상기 흡광부가 위치하고,
    상기 단위 영역의 중심 주위에 상기 중심에 위치하는 상기 흡광부와 이격되어 있는 다른 흡광부가 위치하는
    유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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