JP2002324674A - 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の方向における光の強度を大きくし、光
を効率よく利用することができる発光装置、ならびに該
発光装置を用いた表示装置および電子機器を提供する。 【解決手段】 発光装置１００は、基板１０と、基板１
０上に形成された発光素子部１１０とを含む。発光素子
部１１０は、エレクトロルミネッセンスによって光が発
生する第１発光層２０と、第１発光層２０に電界を印加
するための一対の電極層３０，５０と、第１発光層２０
で発生した光を吸収し、該吸収した光より長い波長の光
が発生する第２発光層４０と、第２発光層４０の上下に
形成された一対の誘電体多層膜９０ａ，９０ｂと、を含
む。誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによって反射される光
の波長帯域は、第２発光層４０で発生した光の波長帯域
を含む。
を効率よく利用することができる発光装置、ならびに該
発光装置を用いた表示装置および電子機器を提供する。 【解決手段】 発光装置１００は、基板１０と、基板１
０上に形成された発光素子部１１０とを含む。発光素子
部１１０は、エレクトロルミネッセンスによって光が発
生する第１発光層２０と、第１発光層２０に電界を印加
するための一対の電極層３０，５０と、第１発光層２０
で発生した光を吸収し、該吸収した光より長い波長の光
が発生する第２発光層４０と、第２発光層４０の上下に
形成された一対の誘電体多層膜９０ａ，９０ｂと、を含
む。誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによって反射される光
の波長帯域は、第２発光層４０で発生した光の波長帯域
を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）を用いた発光装置、該発光装置を用い
た表示装置ならびに電子機器に関する。
ルミネッセンス）を用いた発光装置、該発光装置を用い
た表示装置ならびに電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）を用いたＥＬ発光素子に
おいては、発光が等方的に行われて指向性が悪いため、
特定の方向についてみると、光の強度が弱く、出射光を
高い効率で利用することができないという難点を有す
る。
（エレクトロルミネッセンス）を用いたＥＬ発光素子に
おいては、発光が等方的に行われて指向性が悪いため、
特定の方向についてみると、光の強度が弱く、出射光を
高い効率で利用することができないという難点を有す
る。
【０００３】本発明の目的は、特定の方向における光の
強度を大きくし、光を効率よく利用することができる発
光装置を提供することにある。
強度を大きくし、光を効率よく利用することができる発
光装置を提供することにある。
【０００４】また、本発明の目的は、上記発光装置を用
いた表示装置、ならびに電子機器を提供することにあ
る。
いた表示装置、ならびに電子機器を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、基
板と、前記基板上に形成された発光素子部とを含み、前
記発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光
が発生する第１発光層と、前記第１発光層に電界を印加
するための一対の電極層と、前記第１発光層で発生した
光を吸収し、該吸収した光より長い波長の光が発生する
第２発光層と、前記第２発光層の上下に形成された一対
の誘電体多層膜と、を含み、前記誘電体多層膜によって
反射される光の波長帯域は、前記第２発光層で発生した
光の波長帯域を含む。
板と、前記基板上に形成された発光素子部とを含み、前
記発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光
が発生する第１発光層と、前記第１発光層に電界を印加
するための一対の電極層と、前記第１発光層で発生した
光を吸収し、該吸収した光より長い波長の光が発生する
第２発光層と、前記第２発光層の上下に形成された一対
の誘電体多層膜と、を含み、前記誘電体多層膜によって
反射される光の波長帯域は、前記第２発光層で発生した
光の波長帯域を含む。
【０００６】本発明の発光装置によれば、前記第１発光
層にてエレクトロルミネッセンスによって発生した光
が、前記第２発光層に吸収された後、該吸収された光よ
り長い波長の光が前記第２発光層で生じる。この光が前
記誘電体多層膜を経て前記基板側へと出射する。これに
より、光励起によって、効率良く発光可能な装置を得る
ことができる。
層にてエレクトロルミネッセンスによって発生した光
が、前記第２発光層に吸収された後、該吸収された光よ
り長い波長の光が前記第２発光層で生じる。この光が前
記誘電体多層膜を経て前記基板側へと出射する。これに
より、光励起によって、効率良く発光可能な装置を得る
ことができる。
【０００７】また、前記誘電体多層膜によって反射され
る光の波長帯域が、前記第２発光層で発生した光の波長
帯域を含むことにより、前記第２発光層で発生した光が
前記誘電体多層膜間に閉じ込められて、前記基板の表面
と交差する方向への光伝播が制御される。このため、前
記基板の表面と交差する方向において、発光スペクトル
幅の非常に狭い光を高効率で得ることができる。また、
前記第２発光層で発生した光を前記基板と交差する方向
に出射させることができ、いわゆる面発光を達成するこ
とができる。
る光の波長帯域が、前記第２発光層で発生した光の波長
帯域を含むことにより、前記第２発光層で発生した光が
前記誘電体多層膜間に閉じ込められて、前記基板の表面
と交差する方向への光伝播が制御される。このため、前
記基板の表面と交差する方向において、発光スペクトル
幅の非常に狭い光を高効率で得ることができる。また、
前記第２発光層で発生した光を前記基板と交差する方向
に出射させることができ、いわゆる面発光を達成するこ
とができる。
【０００８】本発明の発光装置は、以下の（１）〜（１
０）の態様をとることができる。
０）の態様をとることができる。
【０００９】（１）前記第１発光層で発生する光の波長
帯域と、前記第２発光層で吸収される光の波長帯域が少
なくとも一部重複することができる。この構成によれ
ば、前記第１発光層で発生した光を前記第２発光層で効
率良く吸収することができる。
帯域と、前記第２発光層で吸収される光の波長帯域が少
なくとも一部重複することができる。この構成によれ
ば、前記第１発光層で発生した光を前記第２発光層で効
率良く吸収することができる。
【００１０】（２）前記第２発光層で発生する光の波長
帯域における発光強度のピークの波長を、前記第１発光
層で発生する光の波長帯域における発光強度のピークの
波長よりも長くすることができる。
帯域における発光強度のピークの波長を、前記第１発光
層で発生する光の波長帯域における発光強度のピークの
波長よりも長くすることができる。
【００１１】（３）前記誘電体多層膜は、第１および第
２誘電体多層膜からなり、前記第１誘電体多層膜は、前
記第２誘電体多層膜よりも、前記第１発光層に近い側に
形成され、前記第１誘電体多層膜の反射率は、前記第２
誘電体多層膜の反射率より大きくすることができる。
２誘電体多層膜からなり、前記第１誘電体多層膜は、前
記第２誘電体多層膜よりも、前記第１発光層に近い側に
形成され、前記第１誘電体多層膜の反射率は、前記第２
誘電体多層膜の反射率より大きくすることができる。
【００１２】この構成によれば、前記第２発光層で発生
した光を、前記第２発光層側から前記基板への向きに出
射させることができる。
した光を、前記第２発光層側から前記基板への向きに出
射させることができる。
【００１３】（４）前記第１発光層は、エレクトロルミ
ネッセンスによって発光する有機発光材料を含むことが
できる。
ネッセンスによって発光する有機発光材料を含むことが
できる。
【００１４】（５）前記第２発光層は、ホスト材料およ
びドーパント材料を含み、前記ホスト材料は、前記第１
発光層で発生した光を吸収し、その結果生じる励起状態
が前記ドーパント材料に移動することにより、前記ドー
パント材料を励起させ、前記励起された前記ドーパント
材料は、前記ホスト材料が吸収した光より長い波長の光
を放出することができる。
びドーパント材料を含み、前記ホスト材料は、前記第１
発光層で発生した光を吸収し、その結果生じる励起状態
が前記ドーパント材料に移動することにより、前記ドー
パント材料を励起させ、前記励起された前記ドーパント
材料は、前記ホスト材料が吸収した光より長い波長の光
を放出することができる。
【００１５】（６）前記第２発光層は、有機発光材料を
含み、前記有機発光材料は、前記第１発光層で発生した
光を吸収し、その結果励起された前記有機発光材料が、
前記吸収した光より長い波長の光を放出することができ
る。
含み、前記有機発光材料は、前記第１発光層で発生した
光を吸収し、その結果励起された前記有機発光材料が、
前記吸収した光より長い波長の光を放出することができ
る。
【００１６】（７）前記第１発光層から出射する光の伝
播方向と、前記第２発光層から出射する光の伝播方向と
がほぼ等しくすることができる。
播方向と、前記第２発光層から出射する光の伝播方向と
がほぼ等しくすることができる。
【００１７】（８）さらに、前記第１発光層から出射し
た光を集光する光学部材を含むことができる。
た光を集光する光学部材を含むことができる。
【００１８】この構成によれば、前記光学部材が形成さ
れていることにより、前記第１発光層から出射した光を
集光させた後、前記第２発光層に入射させることができ
る。このため、光の利用効率の向上を図ることができ
る。
れていることにより、前記第１発光層から出射した光を
集光させた後、前記第２発光層に入射させることができ
る。このため、光の利用効率の向上を図ることができ
る。
【００１９】この場合、前記光学部材は、前記第１発光
層と前記第２発光層との間に形成されることができる。
層と前記第２発光層との間に形成されることができる。
【００２０】また、この場合、前記光学部材は、屈折率
分布型のレンズ層からなることができる。
分布型のレンズ層からなることができる。
【００２１】（９）前記第２発光層は、前記基板の面方
向に伝播する光を規制するフォトニクス結晶を含むこと
ができる。
向に伝播する光を規制するフォトニクス結晶を含むこと
ができる。
【００２２】この構成によれば、前記フォトニクス結晶
が、前記第２発光層中に形成されていることにより、前
記第２発光層において前記基板の面方向に伝播する光の
発生を規制することができる。さらに、前記第１発光層
で発生した光を効率良く利用することができる。
が、前記第２発光層中に形成されていることにより、前
記第２発光層において前記基板の面方向に伝播する光の
発生を規制することができる。さらに、前記第１発光層
で発生した光を効率良く利用することができる。
【００２３】ここで、前記基板の面方向とは、前記基板
において前記第１および第２発光層や前記誘電体多層膜
などが積層されている面に平行な方向をいう。
において前記第１および第２発光層や前記誘電体多層膜
などが積層されている面に平行な方向をいう。
【００２４】この場合、前記フォトニクス結晶は、その
ピッチが前記第２発光層で発生する光の波長に基づいて
規定されることができる。
ピッチが前記第２発光層で発生する光の波長に基づいて
規定されることができる。
【００２５】（１０）前記発光素子部を複数含み、前記
複数の発光素子部にそれぞれ含まれる前記第２発光層
は、それぞれ発生する光の波長が異なることができる。
複数の発光素子部にそれぞれ含まれる前記第２発光層
は、それぞれ発生する光の波長が異なることができる。
【００２６】この場合、前記複数の第２発光層を、同一
レベルに形成できる。
レベルに形成できる。
【００２７】また、この場合、前記複数の発光素子部は
それぞれ、バンクによって分離させることができる。
それぞれ、バンクによって分離させることができる。
【００２８】また、本発明の発光装置は、例えばディス
プレイ等の表示装置に適用することができる。さらに、
この表示装置各種の電子機器に適用することができる。
あるいは、本発明の発光装置を各種の電子機器に適用す
ることができる。かかる表示装置および電子機器の具体
例については後述する。
プレイ等の表示装置に適用することができる。さらに、
この表示装置各種の電子機器に適用することができる。
あるいは、本発明の発光装置を各種の電子機器に適用す
ることができる。かかる表示装置および電子機器の具体
例については後述する。
【００２９】次に、本発明にかかる発光装置の各部分に
用いることができる材料の一部を例示する。これらの材
料は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したも
の以外の材料を選択できることはもちろんである。
用いることができる材料の一部を例示する。これらの材
料は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したも
の以外の材料を選択できることはもちろんである。
【００３０】（第１および第２発光層）第１および第２
発光層の材料は、所定の波長の光を得るために公知の化
合物から選択される。第１および第２発光層の材料とし
ては、有機化合物および無機化合物のいずれでもよい
が、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物であるこ
とが好ましい。
発光層の材料は、所定の波長の光を得るために公知の化
合物から選択される。第１および第２発光層の材料とし
ては、有機化合物および無機化合物のいずれでもよい
が、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物であるこ
とが好ましい。
【００３１】ここで、第１発光層で発生する光の波長よ
りも、第２発光層で発生する光の波長のほうが長くなる
ように、第１および第２発光層それぞれに用いる材料を
選択する。好ましくは、第１発光層で発生する光の波長
帯域と、第２発光層で吸収される光の波長帯域とが少な
くとも一部重複するように、第１および第２発光層それ
ぞれに用いる材料を選択する。より好ましくは、１段階
でエネルギー遷移が終了する材料を用いる。
りも、第２発光層で発生する光の波長のほうが長くなる
ように、第１および第２発光層それぞれに用いる材料を
選択する。好ましくは、第１発光層で発生する光の波長
帯域と、第２発光層で吸収される光の波長帯域とが少な
くとも一部重複するように、第１および第２発光層それ
ぞれに用いる材料を選択する。より好ましくは、１段階
でエネルギー遷移が終了する材料を用いる。
【００３２】例えば、第１発光層を、Ａｌｑ（アルミニ
ウム−８−ヒドロキシキノリナート）およびＴＰＤ（ト
リフェニル／ジアミン誘導体）を用いて形成することが
できる。この場合、Ａｌｑは電子輸送層および発光層と
しての機能を有し、ＴＰＤは正孔輸送層としての機能を
有する。
ウム−８−ヒドロキシキノリナート）およびＴＰＤ（ト
リフェニル／ジアミン誘導体）を用いて形成することが
できる。この場合、Ａｌｑは電子輸送層および発光層と
しての機能を有し、ＴＰＤは正孔輸送層としての機能を
有する。
【００３３】また、例えば、第２発光層を、ＤＣＭ２を
ドープしたＡｌｑから形成することができる。この場
合、ＤＣＭ２はドーパント材料としての機能を有し、Ａ
ｌｑはホスト材料としての機能を有する。あるいは、ペ
ンタセンをドープしたＰＴＣＤＡ（ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物）から第２発光層を形成することができ
る。この場合、ペンタセンはドーパント材料としての機
能を有し、ＰＴＣＤＡはホスト材料としての機能を有す
る。
ドープしたＡｌｑから形成することができる。この場
合、ＤＣＭ２はドーパント材料としての機能を有し、Ａ
ｌｑはホスト材料としての機能を有する。あるいは、ペ
ンタセンをドープしたＰＴＣＤＡ（ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物）から第２発光層を形成することができ
る。この場合、ペンタセンはドーパント材料としての機
能を有し、ＰＴＣＤＡはホスト材料としての機能を有す
る。
【００３４】（誘電体多層膜）発光素子部において、誘
電体多層膜は、屈折率が互いに異なる材料が交互に積層
された構造を有する。このような積層構造としては、例
えば酸化シリコン層（ＳｉＯ2）と窒化シリコン層（Ｓ
ｉＮx）とが交互に積層された層構造が挙げられる。そ
の他、例えば、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＭｇＦ2、およびＺ
ｎＳから選択される２層を交互に積層して誘電体多層膜
を形成することができる。
電体多層膜は、屈折率が互いに異なる材料が交互に積層
された構造を有する。このような積層構造としては、例
えば酸化シリコン層（ＳｉＯ2）と窒化シリコン層（Ｓ
ｉＮx）とが交互に積層された層構造が挙げられる。そ
の他、例えば、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＭｇＦ2、およびＺ
ｎＳから選択される２層を交互に積層して誘電体多層膜
を形成することができる。
【００３５】（電極層）陰極としては、仕事関数の小さ
い（例えば４ｅＶ以下）電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平８−２４８
２７６号公報に開示されたものを用いることができる。
い（例えば４ｅＶ以下）電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平８−２４８
２７６号公報に開示されたものを用いることができる。
【００３６】陽極としては、仕事関数の大きい（例えば
４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ
2，ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。
４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ
2，ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。
【００３７】また、発光装置の各層は、公知の方法で形
成することができる。たとえば、発光装置の各層は、そ
の材質によって好適な成膜方法が選択され、具体的に
は、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法、インクジェット
法などを例示できる。
成することができる。たとえば、発光装置の各層は、そ
の材質によって好適な成膜方法が選択され、具体的に
は、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法、インクジェット
法などを例示できる。
【００３８】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］ （デバイスの構造）図１は、本実施の形態にかかる発光
装置１００を模式的に示す断面図である。図２（ａ）
は、図１に示す第１発光層２０で発生する光、ならびに
第２発光層４０にて吸収される光および発生する光の波
長帯域の一例を模式的に示す図であり、図２（ｂ）は、
図１に示す第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂ
により反射される光の波長帯域の一例を模式的に示す図
である。
装置１００を模式的に示す断面図である。図２（ａ）
は、図１に示す第１発光層２０で発生する光、ならびに
第２発光層４０にて吸収される光および発生する光の波
長帯域の一例を模式的に示す図であり、図２（ｂ）は、
図１に示す第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂ
により反射される光の波長帯域の一例を模式的に示す図
である。
【００３９】発光装置１００は、基板１０と、基板１０
上に形成された発光素子部１１０とを含む。発光素子部
１１０は、陰極５０、第１発光層２０、陽極３０、第２
発光層４０、および第１および第２誘電体多層膜９０
ａ，９０ｂを含む。
上に形成された発光素子部１１０とを含む。発光素子部
１１０は、陰極５０、第１発光層２０、陽極３０、第２
発光層４０、および第１および第２誘電体多層膜９０
ａ，９０ｂを含む。
【００４０】第１発光層２０は、エレクトロルミネッセ
ンスによって発光可能な材料から形成される。第１発光
層２０を構成する材料としては、前述した材料を用いる
ことができる。
ンスによって発光可能な材料から形成される。第１発光
層２０を構成する材料としては、前述した材料を用いる
ことができる。
【００４１】陽極３０および陰極５０は、第１発光層２
０に電界を印加するために設けられる。陽極３０および
陰極５０によって第１発光層２０に電界が印加される
と、エレクトロルミネッセンスによって光が生じる。第
１発光層２０で発生した光は陽極３０および第１誘電体
多層膜９０ａを経て、第２発光層４０で吸収される。
０に電界を印加するために設けられる。陽極３０および
陰極５０によって第１発光層２０に電界が印加される
と、エレクトロルミネッセンスによって光が生じる。第
１発光層２０で発生した光は陽極３０および第１誘電体
多層膜９０ａを経て、第２発光層４０で吸収される。
【００４２】陽極３０は透明な導電材料で構成されるの
が好ましい。このような透明電極の材料としては、ＩＴ
Ｏなど前述した材料を用いることができる。
が好ましい。このような透明電極の材料としては、ＩＴ
Ｏなど前述した材料を用いることができる。
【００４３】陰極５０は、第１発光層２０上に形成され
る。陰極５０を第１発光層２０上に形成することによ
り、第２発光層４０で発生した光が陰極５０で吸収され
るのを防ぐことができる。
る。陰極５０を第１発光層２０上に形成することによ
り、第２発光層４０で発生した光が陰極５０で吸収され
るのを防ぐことができる。
【００４４】また、陽極３０の下には、第２発光層４０
が形成されている。さらに、第２発光層４０の上下に
は、一対の誘電体多層膜（第１および第２誘電体多層膜
９０ａ，９０ｂ）が形成されている。
が形成されている。さらに、第２発光層４０の上下に
は、一対の誘電体多層膜（第１および第２誘電体多層膜
９０ａ，９０ｂ）が形成されている。
【００４５】第２発光層４０では、第１発光層２０で発
生した光を吸収した後、この吸収した光より長い波長の
光を発生する。すなわち、図２（ａ）に示すように、第
２発光層４０で発生する光の波長帯域４２における発光
強度のピークの波長が、第１発光層２０で発生する光の
波長帯域２１における発光強度のピークの波長よりも長
い。
生した光を吸収した後、この吸収した光より長い波長の
光を発生する。すなわち、図２（ａ）に示すように、第
２発光層４０で発生する光の波長帯域４２における発光
強度のピークの波長が、第１発光層２０で発生する光の
波長帯域２１における発光強度のピークの波長よりも長
い。
【００４６】また、第１発光層２０で発生する光の波長
帯域２１と、第２発光層４０で吸収する光の波長帯域４
１とは、少なくとも一部重複することが必要である。こ
の構成によれば、第１発光層２０で発生した光を第２発
光層４０で効率良く吸収することができる。第１発光層
２０で発生する光を第２発光層４０でより効率良く吸収
させるためには、図２（ａ）に示すように、第１発光層
２０で発生する光の波長帯域２１と、第２発光層４０で
吸収する光の波長帯域４１とがほぼ一致するのがより好
ましい。
帯域２１と、第２発光層４０で吸収する光の波長帯域４
１とは、少なくとも一部重複することが必要である。こ
の構成によれば、第１発光層２０で発生した光を第２発
光層４０で効率良く吸収することができる。第１発光層
２０で発生する光を第２発光層４０でより効率良く吸収
させるためには、図２（ａ）に示すように、第１発光層
２０で発生する光の波長帯域２１と、第２発光層４０で
吸収する光の波長帯域４１とがほぼ一致するのがより好
ましい。
【００４７】また、本実施の形態の発光装置１００にお
いては、第２発光層４０は、ホスト材料およびドーパン
ト材料を含む。ホスト材料は、第１発光層２０で発生し
た光を吸収し、その結果生じる励起状態を前記ドーパン
ト材料にフェルスタ移動（使用する材料によってはフェ
ルスタ移動およびDexter移動）させる。その結果励起さ
れた前記ドーパント材料が、よりエネルギー準位の低い
状態へと遷移する際に、前記ドーパント材料は、前記ホ
スト材料が吸収した光より長い波長の光を放出する。
いては、第２発光層４０は、ホスト材料およびドーパン
ト材料を含む。ホスト材料は、第１発光層２０で発生し
た光を吸収し、その結果生じる励起状態を前記ドーパン
ト材料にフェルスタ移動（使用する材料によってはフェ
ルスタ移動およびDexter移動）させる。その結果励起さ
れた前記ドーパント材料が、よりエネルギー準位の低い
状態へと遷移する際に、前記ドーパント材料は、前記ホ
スト材料が吸収した光より長い波長の光を放出する。
【００４８】このような作用を発揮するホスト材料およ
びドーパント材料としては、例えば、ホスト材料にＡｌ
ｑ、ドーパント材料にＤＣＭ２をそれぞれ用いた場合が
挙げられる。
びドーパント材料としては、例えば、ホスト材料にＡｌ
ｑ、ドーパント材料にＤＣＭ２をそれぞれ用いた場合が
挙げられる。
【００４９】あるいは、上記のホスト材料およびドーパ
ント材料を用いる代わりに、第１発光層２０で発光した
光を吸収し、かつ吸収した光より長い波長の光を放出す
る単一の有機発光材料を用いて第２発光層４０を形成し
てもよい。かかる有機発光材料は、第１発光層２０で発
生した光を吸収することにより励起され、この励起され
た前記有機発光材料がよりエネルギー準位の低い状態へ
と遷移する際に、前記吸収した光より長い波長の光を放
出する。
ント材料を用いる代わりに、第１発光層２０で発光した
光を吸収し、かつ吸収した光より長い波長の光を放出す
る単一の有機発光材料を用いて第２発光層４０を形成し
てもよい。かかる有機発光材料は、第１発光層２０で発
生した光を吸収することにより励起され、この励起され
た前記有機発光材料がよりエネルギー準位の低い状態へ
と遷移する際に、前記吸収した光より長い波長の光を放
出する。
【００５０】第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０
ｂは、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層の積層
のように、屈折率が互いに異なる材料が交互に積層され
た構造からなる。この交互に積層される各層は、厚さが
ほぼλ／（４ｎ）（λは第２発光層４０で発生する光の
波長帯域４２内にある所定波長，ｎは膜の屈折率）とな
るように形成される。
ｂは、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層の積層
のように、屈折率が互いに異なる材料が交互に積層され
た構造からなる。この交互に積層される各層は、厚さが
ほぼλ／（４ｎ）（λは第２発光層４０で発生する光の
波長帯域４２内にある所定波長，ｎは膜の屈折率）とな
るように形成される。
【００５１】第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０
ｂは、所定の波長帯域内にある波長の光を反射する。す
なわち、所定の波長帯域とは、第１および第２誘電体多
層膜９０ａ，９０ｂによって反射される光の波長帯域を
いう。第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによ
って反射される光の波長帯域は、第２発光層４０で発生
する光の波長帯域に基づいて規定される。したがって、
例えば図２（ｂ）に示すように、第１および第２誘電体
多層膜９０ａ，９０ｂによって反射される光の反射率９
１が、第２発光層４０で発生する光の波長帯域４２に含
まれるように、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９
０ｂが形成される。この構成によれば、第２発光層４０
で発生した光を、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，
９０ｂ間に閉じ込めることができるため、所定波長での
発光効率を高めることができる。発光効率をさらに高め
るためには、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０
ｂによって反射される光の波長帯域が、第２発光層４０
で発生する光の波長帯域とほぼ一致することがより好ま
しい。
ｂは、所定の波長帯域内にある波長の光を反射する。す
なわち、所定の波長帯域とは、第１および第２誘電体多
層膜９０ａ，９０ｂによって反射される光の波長帯域を
いう。第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによ
って反射される光の波長帯域は、第２発光層４０で発生
する光の波長帯域に基づいて規定される。したがって、
例えば図２（ｂ）に示すように、第１および第２誘電体
多層膜９０ａ，９０ｂによって反射される光の反射率９
１が、第２発光層４０で発生する光の波長帯域４２に含
まれるように、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９
０ｂが形成される。この構成によれば、第２発光層４０
で発生した光を、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，
９０ｂ間に閉じ込めることができるため、所定波長での
発光効率を高めることができる。発光効率をさらに高め
るためには、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０
ｂによって反射される光の波長帯域が、第２発光層４０
で発生する光の波長帯域とほぼ一致することがより好ま
しい。
【００５２】また、本実施の形態にかかる発光装置１０
０においては、第１誘電体多層膜９０ａの反射率が、第
２誘電体多層膜９０ｂの反射率よりも大きくなるよう
に、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂが形成
されている。ここで、第１誘電体多層膜９０ａとは、一
対の誘電体多層膜のうち、第１発光層２０に近い側に形
成されている誘電体多層膜をいう。この構成によれば、
第２発光層４０で発生した光を、第２発光層４０側から
基板１０への向きに出射させることができる。
０においては、第１誘電体多層膜９０ａの反射率が、第
２誘電体多層膜９０ｂの反射率よりも大きくなるよう
に、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂが形成
されている。ここで、第１誘電体多層膜９０ａとは、一
対の誘電体多層膜のうち、第１発光層２０に近い側に形
成されている誘電体多層膜をいう。この構成によれば、
第２発光層４０で発生した光を、第２発光層４０側から
基板１０への向きに出射させることができる。
【００５３】本実施の形態の発光装置１００では、第２
発光層４０で発生した光が第１および第２誘電体多層膜
９０ａ，９０ｂで閉じ込められることにより、基板１０
表面と交差する方向への光伝播が制御される。
発光層４０で発生した光が第１および第２誘電体多層膜
９０ａ，９０ｂで閉じ込められることにより、基板１０
表面と交差する方向への光伝播が制御される。
【００５４】また、本実施の形態の発光装置１００で
は、第１発光層２０から出射する光の伝播方向と、第２
発光層４０から出射する光の伝播方向とがほぼ等しくな
るように形成されている。
は、第１発光層２０から出射する光の伝播方向と、第２
発光層４０から出射する光の伝播方向とがほぼ等しくな
るように形成されている。
【００５５】（デバイスの動作）次に、この発光装置１
００の動作について説明する。
００の動作について説明する。
【００５６】陽極３０と陰極５０とに所定の電界が印加
されることにより、陰極５０から電子が、陽極３０から
ホールが、それぞれ第１発光層２０内に注入される。発
光層２０内で、この電子とホールとが再結合されること
により励起子が生成され、この励起子が失活する際に光
が生じる。
されることにより、陰極５０から電子が、陽極３０から
ホールが、それぞれ第１発光層２０内に注入される。発
光層２０内で、この電子とホールとが再結合されること
により励起子が生成され、この励起子が失活する際に光
が生じる。
【００５７】つづいて、第１発光層２０において発生し
た光は、第１発光層２０から出射し、陽極３０および第
１誘電体多層膜９０ａを経て、第２発光層４０へと入射
する。ここで、第２発光層４０に入射した光は、第２発
光層４０に含まれるホスト材料に吸収され、その結果発
生した励起状態がドーパント材料にフェルスタ移動する
ことにより、前記ドーパント材料が励起される。この励
起された前記ドーパント材料がよりエネルギー準位の低
い状態へと遷移する際に光が生じる。ここで生じる光
は、前記ホスト材料が吸収した光より長い波長を有す
る。この第２発光層４０で発生した光は、第１および第
２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂ間に閉じ込められた後、
第２発光層４０から基板１０の方向へと光が出射する。
た光は、第１発光層２０から出射し、陽極３０および第
１誘電体多層膜９０ａを経て、第２発光層４０へと入射
する。ここで、第２発光層４０に入射した光は、第２発
光層４０に含まれるホスト材料に吸収され、その結果発
生した励起状態がドーパント材料にフェルスタ移動する
ことにより、前記ドーパント材料が励起される。この励
起された前記ドーパント材料がよりエネルギー準位の低
い状態へと遷移する際に光が生じる。ここで生じる光
は、前記ホスト材料が吸収した光より長い波長を有す
る。この第２発光層４０で発生した光は、第１および第
２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂ間に閉じ込められた後、
第２発光層４０から基板１０の方向へと光が出射する。
【００５８】（作用および効果）本実施の形態の発光装
置１００によれば、第１発光層２０にてエレクトロルミ
ネッセンスによって発生した光が、第２発光層４０に吸
収された後、該吸収された光より長い波長の光が第２発
光層４０で生じる。すなわち、第１発光層２０に注入さ
れた電荷が光へと効率的に変換された後、この光によっ
て第２発光層４０に含まれる材料が励起された後、該材
料が励起状態からよりエネルギー準位の低い状態へと遷
移する際に、第１発光層２０にて発生した光よりも波長
が長い光を放出する。この光が第１および第２誘電体多
層膜９０ａ，９０ｂを経て基板１０側へと出射する。こ
れにより、光励起によって、効率良く発光可能な装置を
得ることができる。
置１００によれば、第１発光層２０にてエレクトロルミ
ネッセンスによって発生した光が、第２発光層４０に吸
収された後、該吸収された光より長い波長の光が第２発
光層４０で生じる。すなわち、第１発光層２０に注入さ
れた電荷が光へと効率的に変換された後、この光によっ
て第２発光層４０に含まれる材料が励起された後、該材
料が励起状態からよりエネルギー準位の低い状態へと遷
移する際に、第１発光層２０にて発生した光よりも波長
が長い光を放出する。この光が第１および第２誘電体多
層膜９０ａ，９０ｂを経て基板１０側へと出射する。こ
れにより、光励起によって、効率良く発光可能な装置を
得ることができる。
【００５９】また、本実施の形態の発光装置１００によ
れば、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによ
って反射される光の波長帯域が、第２発光層４０で発生
した光の波長帯域を含むことにより、第２発光層４０で
発生した光が第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂ間に閉じ
込められて、基板１０表面と交差する方向への光伝播が
制御される。すなわち、第１および第２誘電体多層膜９
０ａ，９０ｂによって、基板１０表面と交差する方向へ
の光の自然放出が制約される。このため、基板１０表面
と交差する方向において、発光スペクトル幅の非常に狭
い光を高効率で得ることができる。また、基板１０表面
と交差する方向に光を出射させることができ、いわゆる
面発光を達成することができる。
れば、第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによ
って反射される光の波長帯域が、第２発光層４０で発生
した光の波長帯域を含むことにより、第２発光層４０で
発生した光が第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂ間に閉じ
込められて、基板１０表面と交差する方向への光伝播が
制御される。すなわち、第１および第２誘電体多層膜９
０ａ，９０ｂによって、基板１０表面と交差する方向へ
の光の自然放出が制約される。このため、基板１０表面
と交差する方向において、発光スペクトル幅の非常に狭
い光を高効率で得ることができる。また、基板１０表面
と交差する方向に光を出射させることができ、いわゆる
面発光を達成することができる。
【００６０】さらに、発光装置１００では、陰極５０に
隣接して第１誘電体多層膜９０ａが形成されている。し
たがって、第２発光層４０が陰極５０から離れて形成さ
れていることによって、陰極５０による第２発光層４０
で発生する光の吸収を少なくすることができる。
隣接して第１誘電体多層膜９０ａが形成されている。し
たがって、第２発光層４０が陰極５０から離れて形成さ
れていることによって、陰極５０による第２発光層４０
で発生する光の吸収を少なくすることができる。
【００６１】ところで、本実施の形態にかかる発光装置
１００をたとえばディスプレイに用いる場合には、光の
利用効率を向上させるため、基板１０側へと光を出射さ
せる必要がある。本実施の形態にかかる発光装置１００
では、第１誘電体多層膜９０ａの反射率が第２誘電体多
層膜９０ｂの反射率よりも大きくなるように形成されて
いるので、基板１０側へと優先的に光を出射させること
ができるため、光の利用効率を高めることができる。こ
れにより、本実施の形態にかかる発光装置１００をディ
スプレイに適用することができる。
１００をたとえばディスプレイに用いる場合には、光の
利用効率を向上させるため、基板１０側へと光を出射さ
せる必要がある。本実施の形態にかかる発光装置１００
では、第１誘電体多層膜９０ａの反射率が第２誘電体多
層膜９０ｂの反射率よりも大きくなるように形成されて
いるので、基板１０側へと優先的に光を出射させること
ができるため、光の利用効率を高めることができる。こ
れにより、本実施の形態にかかる発光装置１００をディ
スプレイに適用することができる。
【００６２】［第２の実施の形態］ （デバイスの構造）図３は、本実施の形態にかかる発光
装置２００を模式的に示す断面図である。
装置２００を模式的に示す断面図である。
【００６３】発光装置２００は、基板１０と、基板１０
上に形成された発光素子部２１０とを含む。発光装置２
００は、陽極３０と第１誘電体多層膜９０ａとの間に、
第１発光層２０から出射した光を集光する光学部材が設
けられている点で、第１の実施形態にかかる発光装置１
００と異なる。その他の部分の構成は、第１の実施形態
にかかる発光装置１００と同様であるため、説明を省略
する。
上に形成された発光素子部２１０とを含む。発光装置２
００は、陽極３０と第１誘電体多層膜９０ａとの間に、
第１発光層２０から出射した光を集光する光学部材が設
けられている点で、第１の実施形態にかかる発光装置１
００と異なる。その他の部分の構成は、第１の実施形態
にかかる発光装置１００と同様であるため、説明を省略
する。
【００６４】レンズ層８０は、第１発光層２０から出射
した光を集光する光学部材としての機能を有する。レン
ズ層８０は、高屈折率部８０ａおよび低屈折率部８０ｂ
から構成され、屈折率分布型のレンズとしての機能を有
する。ここで、高屈折率部８０ａの屈折率は低屈折率部
８０ｂの屈折率より大きい。高屈折率部８０ａは凸状形
状を有し、第１誘電体多層膜９０ａ上に形成されてい
る。また、低屈折率部８０ｂは高屈折率部８０ａを埋め
込むように形成されている。このレンズ層８０の製造方
法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
した光を集光する光学部材としての機能を有する。レン
ズ層８０は、高屈折率部８０ａおよび低屈折率部８０ｂ
から構成され、屈折率分布型のレンズとしての機能を有
する。ここで、高屈折率部８０ａの屈折率は低屈折率部
８０ｂの屈折率より大きい。高屈折率部８０ａは凸状形
状を有し、第１誘電体多層膜９０ａ上に形成されてい
る。また、低屈折率部８０ｂは高屈折率部８０ａを埋め
込むように形成されている。このレンズ層８０の製造方
法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
【００６５】（１）まず、第１誘電体多層膜９０ａ上
へ、ディスペンサノズルまたはインクジェットヘッドに
よって樹脂の液状物を射出し、該液状物を第１誘電体多
層膜９０ａ上に配置させた後硬化させることにより、高
屈折率部８０ａを形成する。ここで用いる樹脂の液状物
は、前記熱硬化性樹脂または紫外線硬化型樹脂の前駆体
を含む液状物であることが望ましい。ここで、前記液状
物の性質に応じて前記液状物を硬化させる。つづいて、
高屈折率部８０ａを埋め込むように低屈折率部８０ｂを
積層する。以上の工程により、高屈折率部８０ａおよび
低屈折率部８０ｂからなるレンズ層８０を形成する。
へ、ディスペンサノズルまたはインクジェットヘッドに
よって樹脂の液状物を射出し、該液状物を第１誘電体多
層膜９０ａ上に配置させた後硬化させることにより、高
屈折率部８０ａを形成する。ここで用いる樹脂の液状物
は、前記熱硬化性樹脂または紫外線硬化型樹脂の前駆体
を含む液状物であることが望ましい。ここで、前記液状
物の性質に応じて前記液状物を硬化させる。つづいて、
高屈折率部８０ａを埋め込むように低屈折率部８０ｂを
積層する。以上の工程により、高屈折率部８０ａおよび
低屈折率部８０ｂからなるレンズ層８０を形成する。
【００６６】（２）レンズ層８０を形成するための材料
として、ゲルマニウムを添加した石英ガラスを用いる。
この石英ガラスからなる層に紫外線を照射して屈折率の
高い部分を作製する。ここで、石英ガラス層のうち、紫
外線照射により屈折率が大きくなった部分が高屈折率部
８０ａとなり、残りの部分が低屈折率部８０ｂとなる。
以上の工程により、レンズ層８０が形成される。
として、ゲルマニウムを添加した石英ガラスを用いる。
この石英ガラスからなる層に紫外線を照射して屈折率の
高い部分を作製する。ここで、石英ガラス層のうち、紫
外線照射により屈折率が大きくなった部分が高屈折率部
８０ａとなり、残りの部分が低屈折率部８０ｂとなる。
以上の工程により、レンズ層８０が形成される。
【００６７】なお、第１発光層２０から出射した光を集
光する光学部材はレンズ層８０に限定されず、第１発光
層２０から出射した光を集光する機能を有する部材であ
ればよい。
光する光学部材はレンズ層８０に限定されず、第１発光
層２０から出射した光を集光する機能を有する部材であ
ればよい。
【００６８】（デバイスの動作）次に、この発光装置２
００の動作について説明する。
００の動作について説明する。
【００６９】陽極３０と陰極５０とに所定の電界が印加
されることにより、陰極５０から電子が、陽極３０から
ホールが、それぞれ第１発光層２０内に注入される。発
光層２０内で、この電子とホールとが再結合されること
により励起子が生成され、この励起子が失活する際に光
が生じる。
されることにより、陰極５０から電子が、陽極３０から
ホールが、それぞれ第１発光層２０内に注入される。発
光層２０内で、この電子とホールとが再結合されること
により励起子が生成され、この励起子が失活する際に光
が生じる。
【００７０】つづいて、第１発光層２０において発生し
た光は、第１発光層２０から出射した後、レンズ層８０
に入射し、高屈折率部８０ａによって集光された後、第
１誘電体多層膜９０ａを経て、第２発光層４０へと入射
する。この後の動作および作用は、第１の実施の形態の
発光装置１００と同様であるため、説明を省略する。
た光は、第１発光層２０から出射した後、レンズ層８０
に入射し、高屈折率部８０ａによって集光された後、第
１誘電体多層膜９０ａを経て、第２発光層４０へと入射
する。この後の動作および作用は、第１の実施の形態の
発光装置１００と同様であるため、説明を省略する。
【００７１】（作用および効果）本実施の形態の発光装
置２００は、第１の実施の形態の発光装置１００とほぼ
同様の作用および効果を有するのに加えて、第１発光層
２０と第２発光層４０との間にレンズ層８０が形成され
ていることにより、第１発光層２０から出射した光を集
光させた後、第２発光層４０に入射させることができ
る。このため、光の利用効率の向上を図ることができ
る。
置２００は、第１の実施の形態の発光装置１００とほぼ
同様の作用および効果を有するのに加えて、第１発光層
２０と第２発光層４０との間にレンズ層８０が形成され
ていることにより、第１発光層２０から出射した光を集
光させた後、第２発光層４０に入射させることができ
る。このため、光の利用効率の向上を図ることができ
る。
【００７２】［第３の実施の形態］ （デバイスの構造）図４は、本実施の形態にかかる発光
装置３００を模式的に示す断面図であり、図５は、図４
におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。
装置３００を模式的に示す断面図であり、図５は、図４
におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００７３】発光装置３００は、図４に示すように、基
板１０と、基板１０上に形成された発光素子部３１０と
を含む。発光装置３００は、第２発光層４０中にフォト
ニクス結晶７０が設けられている点で、第１の実施形態
にかかる発光装置１００と異なる。その他の部分の構成
は、第１の実施形態にかかる発光装置１００と同様であ
るため、説明を省略する。
板１０と、基板１０上に形成された発光素子部３１０と
を含む。発光装置３００は、第２発光層４０中にフォト
ニクス結晶７０が設けられている点で、第１の実施形態
にかかる発光装置１００と異なる。その他の部分の構成
は、第１の実施形態にかかる発光装置１００と同様であ
るため、説明を省略する。
【００７４】発光装置３００において、フォトニクス結
晶７０は所定のピッチで配列している。本実施の形態の
発光装置３００においては、図４および図５に示すよう
に、フォトニクス結晶７０が千鳥格子状に配列している
例を示す。フォトニクス結晶７０のピッチは、第２発光
層４０で発生する光の波長に基づいて規定される。第２
発光層４０における実効屈折率をｎeffとすると、フォ
トニクス結晶７０のピッチｄは、ｄ＝λ／４ｎeffとな
るように形成される。ここで、λは第２発光層４０で発
生する光の波長帯域４２内にある光の所定波長、ｎeff
＝ｎ1×ｎ2／（ｎ1＋ｎ2）であり、ｎ1，ｎ2はそれぞ
れ、フォトニクス結晶を構成する２種の媒質の屈折率で
ある。このように、フォトニクス結晶７０のピッチを、
第２発光層４０で発生する光の波長に基づいて規定する
ことにより、第２発光層４０において基板１０の面方向
に伝播する光を規制することができる。なお、基板１０
の面方向とは、基板１０において第１および第２発光層
２０，４０や第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０
ｂなどが積層されている面に平行な方向をいう。
晶７０は所定のピッチで配列している。本実施の形態の
発光装置３００においては、図４および図５に示すよう
に、フォトニクス結晶７０が千鳥格子状に配列している
例を示す。フォトニクス結晶７０のピッチは、第２発光
層４０で発生する光の波長に基づいて規定される。第２
発光層４０における実効屈折率をｎeffとすると、フォ
トニクス結晶７０のピッチｄは、ｄ＝λ／４ｎeffとな
るように形成される。ここで、λは第２発光層４０で発
生する光の波長帯域４２内にある光の所定波長、ｎeff
＝ｎ1×ｎ2／（ｎ1＋ｎ2）であり、ｎ1，ｎ2はそれぞ
れ、フォトニクス結晶を構成する２種の媒質の屈折率で
ある。このように、フォトニクス結晶７０のピッチを、
第２発光層４０で発生する光の波長に基づいて規定する
ことにより、第２発光層４０において基板１０の面方向
に伝播する光を規制することができる。なお、基板１０
の面方向とは、基板１０において第１および第２発光層
２０，４０や第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０
ｂなどが積層されている面に平行な方向をいう。
【００７５】フォトニクス結晶７０の形成方法は特に限
定されるものではなく、公知の方法を用いることができ
る。その代表例を以下に例示する。
定されるものではなく、公知の方法を用いることができ
る。その代表例を以下に例示する。
【００７６】（１）リソグラフィによる方法 ポジまたはネガレジストを紫外線やＸ線などで露光およ
び現像して、レジスト層をパターニングすることによ
り、フォトニクス結晶を作成する。ポリメチルメタクリ
レートあるいはノボラック系樹脂などのレジストを用い
たパターニングの技術としては、例えば特開平６−２２
４１１５号公報、同７−２０６３７号公報などがある。
び現像して、レジスト層をパターニングすることによ
り、フォトニクス結晶を作成する。ポリメチルメタクリ
レートあるいはノボラック系樹脂などのレジストを用い
たパターニングの技術としては、例えば特開平６−２２
４１１５号公報、同７−２０６３７号公報などがある。
【００７７】また、ポリイミドをフォトリソグラフィに
よりパターニングする技術としては、例えば特開平７−
１８１６８９号公報および同１−２２１７４１号公報な
どがある。さらに、レーザアブレーションを利用して、
ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは酸化
チタンからなるフォトニクス結晶を形成する技術とし
て、例えば特開平１０−５９７４３号公報がある。
よりパターニングする技術としては、例えば特開平７−
１８１６８９号公報および同１−２２１７４１号公報な
どがある。さらに、レーザアブレーションを利用して、
ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは酸化
チタンからなるフォトニクス結晶を形成する技術とし
て、例えば特開平１０−５９７４３号公報がある。
【００７８】（２）スタンピングによる方法 熱可塑性樹脂を用いたホットスタンピング（特開平６−
２０１９０７号公報）、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング（特願平１０−２７９４３９号）、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング（特開平７−２３５０７５
号公報）などのスタンピングによって、フォトニクス結
晶７０を形成することができる。
２０１９０７号公報）、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング（特願平１０−２７９４３９号）、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング（特開平７−２３５０７５
号公報）などのスタンピングによって、フォトニクス結
晶７０を形成することができる。
【００７９】（３）エッチングによる方法 リソグラフィーおよびエッチング技術を用いて、薄膜を
選択的に除去してパターニングし、フォトニクス結晶７
０を形成することができる。
選択的に除去してパターニングし、フォトニクス結晶７
０を形成することができる。
【００８０】以上、フォトニクス結晶７０の形成方法に
ついて述べたが、要するに、フォトニクス結晶は互いに
異なる屈折率を有する少なくとも２の領域から構成され
ていればよく、例えば、屈折率の異なる２種の材料によ
り２の領域を形成する方法、一種の材料を部分的に変性
させるなどして、屈折率の異なる２の領域を形成する方
法、などにより形成することができる。
ついて述べたが、要するに、フォトニクス結晶は互いに
異なる屈折率を有する少なくとも２の領域から構成され
ていればよく、例えば、屈折率の異なる２種の材料によ
り２の領域を形成する方法、一種の材料を部分的に変性
させるなどして、屈折率の異なる２の領域を形成する方
法、などにより形成することができる。
【００８１】（デバイスの動作）本実施の形態にかかる
発光装置３００の動作は、第２発光層４０において、フ
ォトニクス結晶７０によって基板１０の面方向に伝播す
る光を規制する点以外は、第１の実施の形態にかかる発
光装置１００と同様であるので、説明を省略する。
発光装置３００の動作は、第２発光層４０において、フ
ォトニクス結晶７０によって基板１０の面方向に伝播す
る光を規制する点以外は、第１の実施の形態にかかる発
光装置１００と同様であるので、説明を省略する。
【００８２】（作用および効果）本実施の形態にかかる
発光装置３００は、第１の実施の形態にかかる発光装置
１００と同様の作用および効果を有するのに加えて、第
２発光層４０で発生する光の波長に基づいて規定された
フォトニクス結晶７０が、第２発光層４０中に形成され
ていることにより、第２発光層４０において基板１０の
面方向に伝播する光を規制することができる。これによ
り、基板１０の面方向に伝播する光の発生を規制するこ
とができる。さらに、第１発光層２０で発生した光を効
率良く利用することができる。
発光装置３００は、第１の実施の形態にかかる発光装置
１００と同様の作用および効果を有するのに加えて、第
２発光層４０で発生する光の波長に基づいて規定された
フォトニクス結晶７０が、第２発光層４０中に形成され
ていることにより、第２発光層４０において基板１０の
面方向に伝播する光を規制することができる。これによ
り、基板１０の面方向に伝播する光の発生を規制するこ
とができる。さらに、第１発光層２０で発生した光を効
率良く利用することができる。
【００８３】［第４の実施の形態］ （デバイスの構造）図６は、本実施の形態にかかる発光
装置４００を模式的に示す断面図である。
装置４００を模式的に示す断面図である。
【００８４】本実施の形態の発光装置４００は、基板１
０と、基板１０上に形成された発光素子部４１０，４２
０とを含む。発光装置４００は、基板１０上に複数の発
光素子部（発光素子部４１０，４２０）が設けられてい
る点で、第１の実施形態にかかる発光装置１００と異な
る。その他の部分の構成は、第１の実施形態にかかる発
光装置１００と同様であるため、説明を省略する。
０と、基板１０上に形成された発光素子部４１０，４２
０とを含む。発光装置４００は、基板１０上に複数の発
光素子部（発光素子部４１０，４２０）が設けられてい
る点で、第１の実施形態にかかる発光装置１００と異な
る。その他の部分の構成は、第１の実施形態にかかる発
光装置１００と同様であるため、説明を省略する。
【００８５】発光素子部４１０，４２０は、いずれも基
板１０上に形成され、基板１０上に形成されたバンク１
２によって分離されている。発光素子部４１０，４２０
にはそれぞれ、第２発光層４０，１４０が形成されてい
る。なお、本実施の形態においては、発光素子部４１
０，４２０において第２発光層４０，１４０以外の層は
それぞれ同一工程にて形成される。
板１０上に形成され、基板１０上に形成されたバンク１
２によって分離されている。発光素子部４１０，４２０
にはそれぞれ、第２発光層４０，１４０が形成されてい
る。なお、本実施の形態においては、発光素子部４１
０，４２０において第２発光層４０，１４０以外の層は
それぞれ同一工程にて形成される。
【００８６】第２発光層４０，１４０は、同一レベルに
形成されている。第２発光層４０，１４０にはそれぞ
れ、発光波長が異なる発光材料が含まれる。このため、
第２発光層４０，１４０でそれぞれ発生する光の波長が
異なる。ここで、発光素子部４１０，４２０に形成され
る誘電体多層膜の膜厚は、第２発光層４０，１４０でそ
れぞれ発生する光の波長に基づいて規定される。このた
め、発光素子部４１０，４２０にそれぞれ形成される誘
電体多層膜は、第２発光層４０，１４０でそれぞれ発生
する光の波長に対応させた膜厚にする必要がある。した
がって、第２発光層４０，１４０でそれぞれ発生する光
の波長が大きく異なる場合には、発光素子部４１０，４
２０にそれぞれ形成される誘電体多層膜の膜厚の差が大
きくなる場合がある。
形成されている。第２発光層４０，１４０にはそれぞ
れ、発光波長が異なる発光材料が含まれる。このため、
第２発光層４０，１４０でそれぞれ発生する光の波長が
異なる。ここで、発光素子部４１０，４２０に形成され
る誘電体多層膜の膜厚は、第２発光層４０，１４０でそ
れぞれ発生する光の波長に基づいて規定される。このた
め、発光素子部４１０，４２０にそれぞれ形成される誘
電体多層膜は、第２発光層４０，１４０でそれぞれ発生
する光の波長に対応させた膜厚にする必要がある。した
がって、第２発光層４０，１４０でそれぞれ発生する光
の波長が大きく異なる場合には、発光素子部４１０，４
２０にそれぞれ形成される誘電体多層膜の膜厚の差が大
きくなる場合がある。
【００８７】しかし、発光素子部４１０，４２０を構成
する誘電体多層膜９０ａ，９０ｂの高反射帯域を広くと
れば、この誘電体多層膜９０ａ，９０ｂを発光素子部４
１０，４２０にて共通で用いることもできる。
する誘電体多層膜９０ａ，９０ｂの高反射帯域を広くと
れば、この誘電体多層膜９０ａ，９０ｂを発光素子部４
１０，４２０にて共通で用いることもできる。
【００８８】また、発光素子部４１０，４２０を構成す
る誘電体多層膜９０ａ，９０ｂの高反射率帯域を広くと
って、この誘電体多層膜９０ａ，９０ｂを発光素子部４
１０，４２０にて共通で用いることもできる。
る誘電体多層膜９０ａ，９０ｂの高反射率帯域を広くと
って、この誘電体多層膜９０ａ，９０ｂを発光素子部４
１０，４２０にて共通で用いることもできる。
【００８９】（デバイスの動作）本実施の形態にかかる
発光装置４００の動作は、第１の実施の形態にかかる発
光装置１００と同様であるので、説明を省略する。
発光装置４００の動作は、第１の実施の形態にかかる発
光装置１００と同様であるので、説明を省略する。
【００９０】（作用および効果）本実施の形態にかかる
発光装置４００は、第１の実施の形態にかかる発光装置
１００と同様の効果を有する。さらに、発光素子部４１
０，４２０を構成する誘電体多層膜９０ａ，９０ｂの高
反射率帯域を広くとって、この誘電体多層膜９０ａ，９
０ｂを発光素子部４１０，４２０にて共通で用いる場
合、発光素子部４１０，４２０を形成する際に、第２発
光層４０，１４０のみをインクジェット法等を用いてそ
れぞれ個別に形成することができる。
発光装置４００は、第１の実施の形態にかかる発光装置
１００と同様の効果を有する。さらに、発光素子部４１
０，４２０を構成する誘電体多層膜９０ａ，９０ｂの高
反射率帯域を広くとって、この誘電体多層膜９０ａ，９
０ｂを発光素子部４１０，４２０にて共通で用いる場
合、発光素子部４１０，４２０を形成する際に、第２発
光層４０，１４０のみをインクジェット法等を用いてそ
れぞれ個別に形成することができる。
【００９１】なお、各実施の形態にかかる発光装置にお
いて、第１発光層２０を構成する発光材料として有機化
合物を用いる場合、必要に応じて、陽極３０と第１発光
層２０との間にホール輸送層を設けることができる。ホ
ール輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホール
注入材料として用いられているもの、あるいは有機発光
装置のホール注入層に使用されている公知のものの中か
ら選択して用いることができる。ホール輸送層の材料
は、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機
能を有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれ
でもよい。その具体例としては、例えば、特開平８−２
４８２７６号公報に開示されているものを例示すること
ができる。
いて、第１発光層２０を構成する発光材料として有機化
合物を用いる場合、必要に応じて、陽極３０と第１発光
層２０との間にホール輸送層を設けることができる。ホ
ール輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホール
注入材料として用いられているもの、あるいは有機発光
装置のホール注入層に使用されている公知のものの中か
ら選択して用いることができる。ホール輸送層の材料
は、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機
能を有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれ
でもよい。その具体例としては、例えば、特開平８−２
４８２７６号公報に開示されているものを例示すること
ができる。
【００９２】また、必要に応じて、陰極５０と第１発光
層２０との間に電子輸送層を設けることができる。電子
輸送層の材料としては、陰極５０より注入された電子
を、第１発光層２０に伝達する機能を有していればよ
く、その材料は公知の物質から選択することができる。
その具体例としては、例えば、特開平８−２４８２７６
号公報に開示されたものを例示することができる。
層２０との間に電子輸送層を設けることができる。電子
輸送層の材料としては、陰極５０より注入された電子
を、第１発光層２０に伝達する機能を有していればよ
く、その材料は公知の物質から選択することができる。
その具体例としては、例えば、特開平８−２４８２７６
号公報に開示されたものを例示することができる。
【００９３】［第５の実施の形態］ （表示装置および電子機器）図７〜図１２はそれぞれ、
本発明を適用した第５の実施形態にかかる表示装置５０
０を含む電子機器の一例を示す斜視図である。表示装置
５００は、前記第１の実施の形態に係る発光装置１００
を含む。また、発光装置１００を含む表示装置５００を
電子機器に適用することができる。
本発明を適用した第５の実施形態にかかる表示装置５０
０を含む電子機器の一例を示す斜視図である。表示装置
５００は、前記第１の実施の形態に係る発光装置１００
を含む。また、発光装置１００を含む表示装置５００を
電子機器に適用することができる。
【００９４】なお、表示装置５００には、本実施形態の
発光装置１００に限らず、前述の発光装置１０２、なら
びに第２〜第４の実施形態にかかる発光装置２００〜４
００を適用することができる。
発光装置１００に限らず、前述の発光装置１０２、なら
びに第２〜第４の実施形態にかかる発光装置２００〜４
００を適用することができる。
【００９５】図７は、本実施の形態の電子機器の一例た
る電子ブック１０００の構成を示す斜視図である。電子
ブック１０００は、ブック形状のフレーム３２と、この
フレーム３２に開閉可能なカバー３３とを有する。フレ
ーム３２には、その表面に表示面を露出された状態で表
示装置５００が設けられ、さらに，操作部３５が設けら
れている。フレーム３２の内部には、コントローラ、カ
ウンタ、およびメモリ（図示せず）が内蔵されている。
本実施の形態では、表示装置５００は、電子インクを薄
膜素子に充填して形成した画素部と、この画素部と一体
に備えられかつ集積化された周辺回路（図示せず）とを
備える。この周辺回路は、デコーダ式のスキャンドライ
バおよびデータドライバを備える。
る電子ブック１０００の構成を示す斜視図である。電子
ブック１０００は、ブック形状のフレーム３２と、この
フレーム３２に開閉可能なカバー３３とを有する。フレ
ーム３２には、その表面に表示面を露出された状態で表
示装置５００が設けられ、さらに，操作部３５が設けら
れている。フレーム３２の内部には、コントローラ、カ
ウンタ、およびメモリ（図示せず）が内蔵されている。
本実施の形態では、表示装置５００は、電子インクを薄
膜素子に充填して形成した画素部と、この画素部と一体
に備えられかつ集積化された周辺回路（図示せず）とを
備える。この周辺回路は、デコーダ式のスキャンドライ
バおよびデータドライバを備える。
【００９６】図８は、本実施の形態の電子機器の一例た
るパーソナルコンピュータ１１００の構成を示す斜視図
である。このパーソナルコンピュータ１１００は、キー
ボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した表
示装置５００を備えた表示ユニットから構成される。
るパーソナルコンピュータ１１００の構成を示す斜視図
である。このパーソナルコンピュータ１１００は、キー
ボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した表
示装置５００を備えた表示ユニットから構成される。
【００９７】図９は、本実施の形態の電子機器の一例た
る携帯電話１２００の構成を示す斜視図である。図９に
おいて、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０
２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、
上述した表示装置５００を備える。
る携帯電話１２００の構成を示す斜視図である。図９に
おいて、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０
２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、
上述した表示装置５００を備える。
【００９８】図１０は、本実施の形態の電子機器の一例
たるディジタルスチルカメラ１３００の構成を示す斜視
図である。図１０においては、ディジタルスチルカメラ
１３００の構成とともに、ディジタルスチルカメラ１３
００と外部機器との接続についても簡易的に示す。
たるディジタルスチルカメラ１３００の構成を示す斜視
図である。図１０においては、ディジタルスチルカメラ
１３００の構成とともに、ディジタルスチルカメラ１３
００と外部機器との接続についても簡易的に示す。
【００９９】通常のカメラは、被写体の光像によってフ
ィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１
３００は、被写体の光像をＣＣＤによる撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ここで、ディジタル
スチルカメラ１３００の背面には、上述した表示装置５
００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示
を行なう構成を有する。すなわち、表示装置５００は、
被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケ
ース１３０２の観察側（図１０においては裏面側）に
は、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット１３０
４が設けられている。ここで、撮影者が表示装置５００
に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３
０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号
が回路基板１３０８のメモリに転送され格納される。ま
た、このディジタルスチルカメラ１３００においては、
ケース１３０２の側面にビデオ信号出力端子１３１２
と、データ通信用の入出力素子１３１４とが設けられて
いる。そして、図１０に示すように、ビデオ信号出力素
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用
の入出力素子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４
４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納さ
れた撮像信号が、テレビモニタ１４３０やパーソナルコ
ンピュータ１４４０に出力される構成となっている。
ィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１
３００は、被写体の光像をＣＣＤによる撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ここで、ディジタル
スチルカメラ１３００の背面には、上述した表示装置５
００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示
を行なう構成を有する。すなわち、表示装置５００は、
被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケ
ース１３０２の観察側（図１０においては裏面側）に
は、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット１３０
４が設けられている。ここで、撮影者が表示装置５００
に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３
０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号
が回路基板１３０８のメモリに転送され格納される。ま
た、このディジタルスチルカメラ１３００においては、
ケース１３０２の側面にビデオ信号出力端子１３１２
と、データ通信用の入出力素子１３１４とが設けられて
いる。そして、図１０に示すように、ビデオ信号出力素
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用
の入出力素子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４
４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納さ
れた撮像信号が、テレビモニタ１４３０やパーソナルコ
ンピュータ１４４０に出力される構成となっている。
【０１００】図１１は、本実施の形態の電子機器の一例
たる電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
図１１において、電子ペーパー１４００は、紙と同様の
質感および柔軟性を有するリライタブルシートからなる
本体１４０１と、上述した表示装置５００とを備えた表
示ユニットから構成される。
たる電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
図１１において、電子ペーパー１４００は、紙と同様の
質感および柔軟性を有するリライタブルシートからなる
本体１４０１と、上述した表示装置５００とを備えた表
示ユニットから構成される。
【０１０１】図１２は、本実施の形態の電子機器の一例
たる電子ノート１４０２の構成を示す斜視図である。図
１２において、電子ノート１４０２は、図１１に示す電
子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１４０３
に挟まれて構成されている。また、電子ノート１４０２
は、カバー１４０３に表示データ入力手段を設けること
により、束ねられた状態で電子ペーパー１４００の表示
内容を変更することができる。
たる電子ノート１４０２の構成を示す斜視図である。図
１２において、電子ノート１４０２は、図１１に示す電
子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１４０３
に挟まれて構成されている。また、電子ノート１４０２
は、カバー１４０３に表示データ入力手段を設けること
により、束ねられた状態で電子ペーパー１４００の表示
内容を変更することができる。
【０１０２】なお、電子機器としては、図７に示す電子
ブック１０００、図８に示すパーソナルコンピュータ１
１００、図９に示す携帯電話１２００、図１０に示すデ
ィジタルスチルカメラ１３００、図１１に示す電子ペー
パー１４００、および図１２に示す電子ノート１４０２
のほか、液晶テレビや、ビューファインダ型またはモニ
タ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、
ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ＩＣカ
ード、ミニディスクプレーヤ、タッチパネルを備えた機
器等が例示できる。そして、これらの各種電子機器の表
示部として、上述した表示装置５００が適用可能である
のは言うまでもない。
ブック１０００、図８に示すパーソナルコンピュータ１
１００、図９に示す携帯電話１２００、図１０に示すデ
ィジタルスチルカメラ１３００、図１１に示す電子ペー
パー１４００、および図１２に示す電子ノート１４０２
のほか、液晶テレビや、ビューファインダ型またはモニ
タ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、
ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ＩＣカ
ード、ミニディスクプレーヤ、タッチパネルを備えた機
器等が例示できる。そして、これらの各種電子機器の表
示部として、上述した表示装置５００が適用可能である
のは言うまでもない。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる発光装置を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示す第１発光層で発生す
る光、ならびに第２発光層にて吸収される光および発生
する光の波長帯域の一例を模式的に示す図であり、図２
（ｂ）は、図１に示す誘電体多層膜により反射される光
の波長帯域の一例を模式的に示す図である。
る光、ならびに第２発光層にて吸収される光および発生
する光の波長帯域の一例を模式的に示す図であり、図２
（ｂ）は、図１に示す誘電体多層膜により反射される光
の波長帯域の一例を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる発光装置を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態にかかる発光装置を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿って切断した場合の断面を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態にかかる発光装置を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第５の実施形態にかかる電子機器の一
例たる電子ブックの構成を示す斜視図である。
例たる電子ブックの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の第５の実施形態にかかる電子機器の一
例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であ
る。
例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であ
る。
【図９】本発明の第５の実施形態にかかる電子機器の一
例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態にかかる電子機器の
一例たるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す
斜視図である。
一例たるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す
斜視図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態にかかる電子機器の
一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の第５の実施形態にかかる電子機器の
一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
１０ 基板 １２ バンク ２０ 第１発光層 ２１ 第１発光層２０で発生する光の波長帯域 ３０ 陽極 ３２ フレーム ３３ カバー ３５ 操作部 ４０，１４０ 第２発光層 ４１ 第２発光層４０で吸収する光の波長帯域 ４２ 第２発光層４０で発生する光の波長帯域 ５０ 陰極 ７０ フォトニクス結晶 ８０ レンズ層 ８０ａ 高屈折率部 ８０ｂ 低屈折率部 ９０ａ 第１誘電体多層膜 ９０ｂ 第２誘電体多層膜 ９１ 第１および第２誘電体多層膜９０ａ，９０ｂによ
って反射される光の反射率 １１０，２１０，３１０，４１０ 発光素子部 １００，２００，３００，４００ ＥＬ装置 ５００ 表示装置 １０００ 電子ブック １１００ パーソナルコンピュータ １１０２ キーボード １１０４ 本体部 １２００ 携帯電話 １２０２ 操作ボタン １２０４ 受話口 １２０６ 送話口 １３００ ディジタルスチルカメラ １３０２ ケース １３０４ 受光ユニット １３０６ シャッタボタン １３０８ 回路基板 １３１２ ビデオ信号出力端子 １３１４ データ通信用の入出力素子 １４００ 電子ペーパー １４０１ 本体 １４０２ 電子ノート １４０３ カバー １４３０ テレビモニタ １４４０ パーソナルコンピュータ
って反射される光の反射率 １１０，２１０，３１０，４１０ 発光素子部 １００，２００，３００，４００ ＥＬ装置 ５００ 表示装置 １０００ 電子ブック １１００ パーソナルコンピュータ １１０２ キーボード １１０４ 本体部 １２００ 携帯電話 １２０２ 操作ボタン １２０４ 受話口 １２０６ 送話口 １３００ ディジタルスチルカメラ １３０２ ケース １３０４ 受光ユニット １３０６ シャッタボタン １３０８ 回路基板 １３１２ ビデオ信号出力端子 １３１４ データ通信用の入出力素子 １４００ 電子ペーパー １４０１ 本体 １４０２ 電子ノート １４０３ カバー １４３０ テレビモニタ １４４０ パーソナルコンピュータ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｂ Ｆターム(参考） 3K007 AB03 BB06 DB03 5C094 AA08 AA10 BA12 BA27 BA32 CA19 CA24 DA13 EB02 ED01 ED11 ED20 FA01 FA02 FB01 FB02 FB16 FB20
Claims (20)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成された発光素
子部とを含み、 前記発光素子部は、 エレクトロルミネッセンスによって光が発生する第１発
光層と、 前記第１発光層に電界を印加するための一対の電極層
と、 前記第１発光層で発生した光を吸収し、該吸収した光よ
り長い波長の光が発生する第２発光層と、 前記第２発光層の上下に形成された一対の誘電体多層膜
と、を含み、 前記誘電体多層膜によって反射される光の波長帯域は、
前記第２発光層で発生した光の波長帯域を含む、発光装
置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記第２発光層で発生した光は、前記基板と交差する方
向に出射する、発光装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、 前記第１発光層で発生する光の波長帯域と、前記第２発
光層で吸収される光の波長帯域が少なくとも一部重複す
る、発光装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記第２発光層で発生する光の波長帯域における発光強
度のピークの波長が、前記第１発光層で発生する光の波
長帯域における発光強度のピークの波長よりも長い、発
光装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、 前記誘電体多層膜は、第１および第２誘電体多層膜から
なり、 前記第１誘電体多層膜は、前記第２誘電体多層膜より
も、前記第１発光層に近い側に形成され、 前記第１誘電体多層膜の反射率は、前記第２誘電体多層
膜の反射率より大きい、発光装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかにおいて、 前記第１発光層は、エレクトロルミネッセンスによって
発光する有機発光材料を含む、発光装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかにおいて、 前記第２発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を
含み、 前記ホスト材料は、前記第１発光層で発生した光を吸収
し、その結果生じる励起状態が前記ドーパント材料に移
動することにより、前記ドーパント材料を励起させ、 前記励起された前記ドーパント材料は、前記ホスト材料
が吸収した光より長い波長の光を放出する、発光装置。 - 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかにおいて、 前記第２発光層は、有機発光材料を含み、 前記有機発光材料は、前記第１発光層で発生した光を吸
収し、その結果励起された前記有機発光材料が、前記吸
収した光より長い波長の光を放出する、発光装置。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかにおいて、 前記第１発光層から出射する光の伝播方向と、前記第２
発光層から出射する光の伝播方向とがほぼ等しい、発光
装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかにおいて、 さらに、前記第１発光層から出射した光を集光する光学
部材を含む、発光装置。 - 【請求項１１】 請求項１０において、 前記光学部材は、前記第１発光層と前記第２発光層との
間に形成される、発光装置。 - 【請求項１２】 請求項１０または１１において、 前記光学部材は、屈折率分布型のレンズ層からなる、発
光装置。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかにおいて、 前記第２発光層は、前記基板の面方向に伝播する光を規
制するフォトニクス結晶を含む、発光装置。 - 【請求項１４】 請求項１３において、 前記フォトニクス結晶は、そのピッチが前記第２発光層
で発生する光の波長に基づいて規定される、発光装置。 - 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかにおいて、 前記発光素子部を複数含み、前記複数の発光素子部にそ
れぞれ含まれる前記第２発光層は、それぞれ発生する光
の波長が異なる、発光装置。 - 【請求項１６】 請求項１５において、 前記複数の第２発光層は、同一レベルに形成されてい
る、発光装置。 - 【請求項１７】 請求項１５または１６において、 前記複数の発光素子部はそれぞれ、バンクによって分離
されている、発光装置。 - 【請求項１８】 請求項１ないし１７のいずれかに記載
の発光装置を用いた、表示装置。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の表示装置を用い
た、電子機器。 - 【請求項２０】 請求項１ないし１９のいずれかに記載
の発光装置を用いた、電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/080,692 US6512249B2 (en) | 2001-02-26 | 2002-02-25 | Light emitting device, display device, and electronic appliance |
| JP2002048116A JP2002324674A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-25 | 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001049776 | 2001-02-26 | ||
| JP2001-49776 | 2001-02-26 | ||
| JP2002048116A JP2002324674A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-25 | 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324674A true JP2002324674A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=26610068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002048116A Withdrawn JP2002324674A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-25 | 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6512249B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002324674A (ja) |
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| CN107003765A (zh) * | 2014-12-23 | 2017-08-01 | 英特尔公司 | 显示设备的电活性隐私层 |
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| KR100792139B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2008-01-04 | 주식회사 엘지화학 | 전자주입층으로서 무기절연층을 이용한 유기발광소자 및이의 제조 방법 |
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| KR101569406B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2015-11-17 | 주성엔지니어링(주) | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| JP5210267B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2013-06-12 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光装置及びその製造方法 |
| WO2018218626A1 (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 阴极复合层、显示屏和制造方法 |
| KR102630962B1 (ko) * | 2018-12-12 | 2024-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 화합물, 이를 포함하는 발광다이오드 및 발광장치 |
| KR20210078802A (ko) * | 2019-12-19 | 2021-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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