JP4234376B2 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に係り、特には両面表示可能な表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）などの携帯電子機器に搭載される平面表示装置としては、主として、液晶表示装置が利用されている。また、近年、液晶表示装置に比べて応答速度や視野角などの点で有利な有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を携帯電子機器に搭載することも検討されている。
【０００３】
ところで、折畳式の携帯電話機などの携帯電子機器のなかには、開いた状態だけでなく畳んだ状態或いは閉じた状態でも画像を表示できるように、すなわち両面で画像を表示できるように、２つの平面表示装置を搭載したものがある。しかしながら、２つの平面表示装置を搭載した携帯電子機器は、平面表示装置を１つのみ搭載した携帯電子機器に比べて厚くならざるを得ない。携帯電子機器は薄型であることが極めて重要であり、したがって、２つの平面表示装置を搭載した場合でも十分に薄いことが望まれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、両面で画像を表示可能でありながらも薄型化が可能な電子機器及びそのような電子機器を実現し得る表示装置を提供することを目的とする。また、１つの表示装置で両面でそれぞれ異なる画像を表示可能な電子機器およびそのような電子機器を実現し得る表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、光透過性の基板と、前記基板の一方の主面上で配列し且つ遮光性である複数の第１画素電極と、前記基板の前記主面上で配列し且つ光透過性である複数の第２画素電極と、前記複数の第１画素電極及び前記複数の第２画素電極と対向し、前記第１画素電極と対向したそれぞれの部分は光透過性であり且つ前記第２画素電極と対向したそれぞれの部分は遮光性である共通電極と、前記複数の第１画素電極及び前記複数の第２画素電極と前記共通電極との間に介在し且つ前記第１画素電極と前記共通電極との間及び前記第２画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧またはそれらの間に流す電流に応じて光学特性が変化する光学層とを具備したことを特徴とする表示装置を提供する。
【０００６】
また、本発明は、上記の表示装置と、ユーザが入力操作し得る入力操作部とを具備し、ユーザの前記入力操作部への入力操作に応じて前記表示装置が表示する画像が変化し得ることを特徴とする電子機器を提供する。
【０００７】
本発明において、複数の第１画素電極のそれぞれは共通電極との対向面側が光反射性であってもよい。また、共通電極の第２画素電極と対向したそれぞれの部分の第２画素電極との対向面側も光反射性であってもよい。
【０００８】
本発明において、複数の第１画素電極及び複数の第２画素電極のそれぞれは互いに交差する第１及び第２方向に配列し、第１画素電極と第２画素電極とは第２方向に交互に配置される。
【０００９】
本発明において、上記表示装置は、基板の上記主面上で第１方向に配列した複数の走査信号線と、基板の上記主面上で第２方向に交互に配列した複数の第１及び第２映像信号線と、複数の走査信号線と複数の第１映像信号線との交差部近傍に配置され且つ走査信号線からの走査信号に応じて第１映像信号線からの映像信号を第１画素電極と共通電極との間に供給する複数の第１スイッチング素子と、複数の走査信号線と複数の第２映像信号線との交差部近傍に配置され且つ走査信号線からの走査信号に応じて第２映像信号線からの映像信号を第２画素電極と共通電極との間に供給する複数の第２スイッチング素子とをさらに具備している。そして、複数の第１の第１スイッチング素子の少なくとも一部と複数の第２スイッチング素子の少なくとも一部とは基板と複数の第１画素電極とに挟まれた領域内に位置している。
【００１０】
本発明において、第１画素電極の個数と第２画素電極の個数とは異なっていてもよい。また、光学層はエレクトロルミネセンス性を有する有機発光層を備えていてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の参考例に係る表示装置の回路構成を概略的に示す平面図である。図１に示す表示装置１は、有機ＥＬ表示装置である。
【００１３】
この有機ＥＬ表示装置１は、光透過性の基板２を備えている。基板２上には、走査信号線ドライバ３と映像信号線ドライバ４と走査信号線５と映像信号線６ａ，６ｂと電極配線７と画素８ａ，８ｂとが配置されている。
【００１４】
走査信号線５は画素の行方向（図中横方向）に延在しており、それらは縦方向に配列している。それぞれの走査信号線５には、走査信号線ドライバ３から一定の周期で走査信号が供給される。
【００１５】
映像信号線６ａ，６ｂは画素の列方向（図中縦方向）に延在しており、それらは横方向に交互に配列している。それぞれの映像信号線６ａ，６ｂには、映像信号線ドライバ４から映像信号が供給される。
【００１６】
画素８ａ，８ｂは、基板２上でマトリクス状に配列している。本参考例では、画素８ａ及び画素８ｂはそれぞれ図中縦方向に配列し、横方向に交互に配列している。なお、後述するように、画素８ａは下面発光用であり、画素８ｂは上面発光用である。
【００１７】
画素８ａは、有機ＥＬ素子１１ａと例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成され、有機ＥＬ素子１１ａへ供給する電流量を制御する駆動制御素子１２ａ，例えばＴＦＴで構成され、画素８ａを選択する画素スイッチ１３ａとを備えている。また、画素８ｂは、画素８ａと同様の回路構成の有機ＥＬ素子１１ｂと駆動制御素子１２ｂ，画素スイッチ１３ｂとを備えている。
【００１８】
駆動制御素子１２ａ，１２ｂのソース電極は何れも電極配線７に接続されており、それらのドレイン電極は有機ＥＬ素子１１ａ，１１ｂの陽極にそれぞれ接続されている。画素スイッチ１３ａ，１３ｂのゲート電極は何れも走査信号線５に接続されており、それらのソース電極は映像信号線６ａ，６ｂにそれぞれ接続されている。また、画素スイッチ１３ａ，１３ｂのドレイン電極は、駆動制御素子１２ａ，１２ｂのゲート電極にそれぞれ接続されている。
【００１９】
図２は、図１に示す画素８ａ，８ｂの実態配置を概略的に示す平面図である。また、図３（ａ）は図２に示す構造のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３（ｂ）は図２に示す構造のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、図２では、簡略化のため、一部の構成要素を省略している。
【００２０】
図２及び図３（ａ），（ｂ）に示すように、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、基板２上に、アンダーコート層として、例えば、ＳｉＮx層１５とＳｉＯ2層１６とが順次積層されている。アンダーコート層１６上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層２１及びゲート絶縁膜２２が順次積層されている。また、ゲート絶縁膜２２上には、ゲート電極２３及び走査信号線５が設けられている。これら半導体層２１、ゲート絶縁膜２２、及びゲート電極２３は、トップゲート型のＴＦＴを構成している。
【００２１】
ゲート絶縁膜２２並びにゲート電極２３及び走査信号線５上には、ＳｉＯ2などからなる層間絶縁膜２５が設けられている。層間絶縁膜２５上には、映像信号線６ａ，６ｂ、電極配線７、及びソース・ドレイン電極２８が設けられており、それらは、ＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜３０で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極２８は、層間絶縁膜２５に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース・ドレインに接続されている。
【００２２】
画素８ｂに対応した領域には、パッシベーション膜３０上に、光反射性の導体層３１と光透過性の導体層３２とが順次積層されている。他方、画素８ａに対応した領域には、パッシベーション膜３０上に光反射性の導体層３１は設けられておらず、光透過性の導体層３２のみが設けられている。画素８ａではこの導体層３２が光透過性の画素電極（陽極）を構成し、画素８ｂでは導体層３１と導体層３２との積層体が光反射性の画素電極（陽極）を構成している。
【００２３】
パッシベーション膜３０上には、さらに、隔壁絶縁層３３が設けられている。隔壁絶縁層３３は、例えば、親水性の絶縁層と撥水性の絶縁層とを順次積層した構造を有している。また、隔壁絶縁層３３には、導体層３２の上面を部分的に露出させるように開口が設けられている。
【００２４】
隔壁絶縁層３３の開口内で露出した導体層３２上には、有機物層３４が設けられている。有機物層３４は、例えば、発光色が赤、緑、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ発光層を含んでいる。また、有機物層３４は、正孔注入層などのように電極と発光層との間に介在してその電極から発光層への電荷の注入を媒介する層をさらに含んでいてもよい。
【００２５】
隔壁絶縁層３３及び有機物層３４上には、共通電極として、光透過性の導体層３５と光反射性の導体層３６とが順次積層されている。なお、導体層３５，３６はパッシベーション膜３０及び隔壁絶縁層３３に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して共通電極取出し配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００２６】
導体層３５は、画素８ａ，８ｂを含む表示領域全体にわたって連続膜として設けられている。他方、導体層３６は、導体層３５と同様に表示領域全体にわたって設けられているものの、画素８ｂに対応した領域に開口を有している。すなわち、画素８ａでは導体層３５と導体層３６との積層体が陰極を構成し、画素８ｂでは導体層３５が陰極を構成している。
【００２７】
以上の説明から明らかなように、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子１１ａは、光透過性の陽極（ここでは光透過性導体層３２）と、有機物層３４と、光反射性の陰極（ここでは光透過性導体層３５光反射性導体層３６との積層構造）とを順次積層した構造を有している。他方、有機ＥＬ素子１１ｂは、光反射性の陽極（ここでは光反射性導体層３１および光透過性導体層３２との積層構造）と、有機物層３４と、光透過性の陰極（ここでは光透過性導体層３５）とを順次積層した構造を有している。すなわち、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１は、下面発光式の画素８ａと上面発光式の画素８ｂとの双方を備えている。
【００２８】
それゆえ、この有機ＥＬ表示装置１は、両面で画像を表示することが可能である。したがって、この有機ＥＬ表示装置１を使用すれば、両面で画像を表示可能であり且つ薄型の電子機器を実現することが可能となる。
【００２９】
また、陽極及び陰極の双方を光透過性とした場合には、上面側で表示する画像と下面側で表示する画像とが干渉し合うため、上面側と下面側とで異なる画像を表示させることはできない。これに対し、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、画素８ａの陰極及び画素８ｂの陽極は光反射性であるため、上面側と下面側とで異なる画像を表示させることができるのに加え、高輝度を実現することができる。
【００３０】
さらに、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、画素８ａと画素８ｂとは殆ど同一の構造を有している。そのため、下面側及び上面側の双方で画像を表示可能とすることに伴う製造プロセスの増加は殆どない。
【００３１】
しかも、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、画素８ａと画素８ｂとで電極配線７及び映像信号線ドライバ４を共用している。したがって、ドライバ３，４を含む駆動回路領域に対する表示領域の面積比を高めること、及び、より高い輝度を実現することができる。
【００３２】
なお、本参考例においては、下面発光式の画素からなる表示画面と上面発光式の画素からなる表示画面とをほぼ同一面積となるよう形成したが、これに限定されず画素の個数を調整し、画面面積を適宜設定することができる。
【００３３】
次に、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
基板２としては、その上に形成される構造を保持可能なできるものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板２としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機ＥＬ表示装置１の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００３４】
導体層３１としては、例えば、金、銀、白金、パラジウムなどの金属材料層を使用することができる。また、導体層３２としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）層やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透明導電性酸化物層のような透明導電材料層を使用することができる。導体層３１，３２は、例えば、導体を蒸着法やスパッタリング法等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。また、導体層３１，３２は、マスクスパッタリング法などにより形成してもよい。
【００３５】
隔壁絶縁層３３は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。例えば、隔壁絶縁層３３を撥水性の絶縁層のみで構成してもよい。或いは、隔壁絶縁層３３を、親水性の絶縁層と撥水性の絶縁層とを順次積層してなる積層体で構成してもよい。後者の構造によると、前者に比べ、有機物層３４の位置精度及び断面形状をより高精度に制御可能となる。
【００３６】
隔壁絶縁層３３を構成する親水性絶縁層の材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる絶縁層は比較的高い親水性を示す。また、隔壁絶縁層３３を構成する撥水性絶縁層の材料としては、例えば、感光性樹脂のような有機絶縁材料を使用することができる。
【００３７】
有機物層３４は、先に説明したように、発光層を含んでおり、任意に正孔注入層などをさらに含んだ多層構造とすることができる。なお、正孔注入層は発光層と陽極との間に配置する。
【００３８】
正孔注入層の材料としてドナー性材料とアクセプタ性材料とを含有した混合物を使用する場合、そのような混合物として、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物とを含有した混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンのようなポリチオフェン誘導体やポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを挙げることができる。また、アクセプタ性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸などを挙げることができる。
【００３９】
正孔注入層は、例えば、隔壁絶縁層３３が形成する液溜めを、溶液塗布法によりドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥させて、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。正孔注入層を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、蒸着法、スピンコート法、及びインクジェット法などを挙げることができる。
【００４０】
発光層の材料としては、有機ＥＬ表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。そのような有機化合物のうち赤色に発光するものとしては、例えば、ポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物や、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などを挙げることができる。緑色の発光する有機化合物としては、例えば、アルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などを挙げることができる。青色に発光する有機化合物としては、例えば、ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体のようなポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。発光層も、正孔注入層に関して説明したのと同様の方法により形成することができる。発光層や正孔注入層は低分子系材料を使用することもできる。
【００４１】
導体層３５としては、例えば、薄いＬｉＦ層などのように光透過性を有する導電材料層を使用することができる。また、導体層３６としては、比較的厚いＡｌ層やＡｇ層などの金属材料層を使用することができる。導体層３５，３６は、例えば、導体を蒸着法やスパッタリング法等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。また、導体層３５，３６は、マスクスパッタリング法などにより形成してもよい。
【００４２】
なお、導体層３５，３６上には、光透過性の保護膜を設けてもよい。また、基板２の有機ＥＬ素子１１ａ，１１ｂが設けられた面と対向して封止基板を配置するとともに、それら基板の対向面周縁部にシール層を介在させて中空構造としてもよい。この空間はＡｒガスなどの希ガスやＮ2ガスのような不活性ガスで満たしてもよく、さらに、その空間に乾燥剤を封入してもよい。或いは、その空間に樹脂を充填してもよい。
【００４３】
次に、本発明の実施形態について説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係る平面表示装置の画素の実態配置を概略的に示す平面図である。本実施形態に係る平面表示装置は、参考例と同様に有機ＥＬ表示装置である。また、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成は参考例に係る有機ＥＬ表示装置１と等しく、断面構造は参考例に係る有機ＥＬ表示装置１とほぼ等しい。
【００４４】
図４に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、駆動制御素子１２ａ，１２ｂ，画素スイッチ１３ａ、画素スイッチ１３ｂの一部、映像信号線６ａ、及び電極配線７を導体層３１と基板２とに挟まれた領域内に位置させている。つまり、上面発光式画素と重複するように駆動制御素子及び画素スイッチ等を配置している。本実施形態は、このような配置を採用したこと以外は参考例とほぼ同様である。図４に示す配置によると、図２に示す配置に比べ、発光面積を大幅に増大させることができる。したがって、より表示品位の良好な表示装置を実現することが可能となる。
【００４５】
参考例及び実施形態に係る平面表示装置１は、携帯電話機やＰＤＡやノートブック型パソコンやデスクトップ型パソコンのモニターやゲーム機のような携帯電子機器及び固定電子機器を含む様々な電子機器に搭載することができる。
【００４６】
図５（ａ）は参考例または実施形態に係る平面表示装置１を搭載した携帯電話機を概略的に示す正面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す携帯電話機の背面図である。
【００４７】
図５（ａ），（ｂ）に示す携帯電話機１００は、折畳式の携帯電話機であり、下側部分１０１と上側部分１０２とを備えている。下側部分１０１と上側部分１０２とは、接続部１０３を介して互いに接続されており、この接続部１０３を支点とした開閉動作が可能である。
【００４８】
下側部分１０１の正面側には、入力用ユーザインターフェースである入力操作部１０５を構成する釦１０４ａ乃至１０４ｃや、音響エネルギーを電気エネルギーへと変換する送話器へと音声信号を伝達する開口１０６などが設けられている。また、下側部分１０１の背面側には、電池の交換を可能とする開閉蓋１０７や伸縮自在なアンテナ１０８などが設けられている。
【００４９】
上側部分１０２は、参考例または実施形態に係る平面表示装置１を搭載している。上側部分１０２の正面側には、平面表示装置１の一方の表示面で表示された画像を視認可能とする窓部と、電気エネルギーを音響エネルギーへと変換する受話器からの音声信号を外部へと伝達する開口１０９などが設けられている。また、上側部分１０２の背面側には、平面表示装置１の他方の表示面で表示された画像を視認可能とする窓部などが設けられている。
【００５０】
この携帯電話機１００は、参考例または実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を搭載しているため、正面側と背面側との双方で画像を表示可能である。すなわち、メイン表示画面とサブ表示画面とが１つの表示装置によって構成されている。しかも、この携帯電話機１００が搭載する有機ＥＬ表示装置１は片面のみで表示が可能な有機ＥＬ表示装置と同等の厚さに形成可能であるため、正面側と背面側との双方で画像を表示可能な構造を採用したことによる厚さの増加を防止することができる。
【００５１】
また、メイン表示を行う表示装置とサブ表示を行う表示装置とを用いる場合に比べ、部材コストの削減、配線接続点数削減による機械的強度を増大させることができる。
【００５２】
図６（ａ）は参考例または実施形態に係る平面表示装置１を搭載したゲーム機を概略的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った概略断面図である。図６（ａ），（ｂ）に示すゲーム機は、対面型のゲーム機であり、ゲーム機本体２００と、一対の入力操作具２０２と、それら入力操作具２０２とゲーム機本体２００とを接続するケーブル２０３とを備えている。
【００５３】
ゲーム機本体２００は、枠状の筐体２０１を備えている。筐体２０１は、参考例または実施形態に係る平面表示装置１を支持するとともに、その内部に信号処理部やスピーカなど（何れも図示せず）を収容している。また、入力操作具２０２は、入力操作部を構成する釦２０４ａやレバー２０４ｂを備えている。このゲーム機では、例えば、ユーザが釦２０４ａやレバー２０４ｂを操作すると、入力操作具２０２からケーブル２０３を介して信号処理部へと信号が供給される。信号処理部では、予め記憶しているプログラムに基づいて入力信号を処理し、表示装置１やスピーカなどに映像や音声に対応した出力信号を供給する。このようにして、ユーザの入力操作に応じて表示装置１が表示する画像やスピーカから出力される音声を変化させる。
【００５４】
このような電子機器に参考例または実施形態に係る表示装置１を用いた場合には、上記と同様の効果に加え、機器の少スペース化が達成される。
【００５５】
以上説明した参考例及び実施形態では、有機ＥＬ素子１１ａの陰極及び有機ＥＬ素子１１ｂの陽極を光反射性としたが、それらは光反射性である必要はない。すなわち、それらは、遮光性であればよく、例えば、光吸収性であってもよい。但し、輝度の観点からは、それらは光反射性である方が有利である。
【００５６】
参考例及び実施形態では、図１に示す回路構成を採用したが、他の回路構成を採用することも可能である。例えば、図１に示す回路に、駆動制御素子１２ａ，１２ｂのゲート電位を保持するキャパシタをさらに組み込んでもよい。また、図１，図２及び図４に示す回路では電極配線７を映像信号線６ａ，６ｂと略平行に延在させたが、電極配線７は走査信号線５と略平行に延在させてもよい。すなわち、例えば、図７に示すように、電極配線７を走査信号線５と略平行に延在させるとともに、駆動制御素子１２ａ，１２ｂのゲート電位を保持するキャパシタ１４ａ，１４ｂをさらに組み込んでもよい。また、図１に示す回路に、駆動制御素子１２ａ，１２ｂの閾値電圧のばらつきに基づく駆動電流のばらつきを補正する閾値キャンセル回路などをさらに組み込んでもよい。
【００５７】
参考例及び実施形態では、画素８ａと画素８ｂとで映像信号線ドライバ４を共用したが、画素８ａ用の映像信号線ドライバと画素８ｂ用の映像信号線ドライバとをそれぞれ対向する２辺に設け、下面発光用ドライバと上面発光用ドライバとを分離配置してもよい。また、上記参考例及び実施形態のように、映像信号線ドライバは基板２と一体的に形成してもよく、またＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のように基板外部に配置してもよい。
【００５８】
また、参考例及び実施形態では、画素８ａと画素８ｂとで電極配線７を共用したが、画素８ａ用の電極配線と画素８ｂ用の電極配線とを別々に設けてもよい。
【００５９】
参考例及び実施形態では、有機ＥＬ素子１１ａと有機ＥＬ素子１１ｂとを独立して駆動可能としたが、隣り合う１つの有機ＥＬ素子１１ａと１つの有機ＥＬ素子１１ｂとを電気的に接続（例えば並列接続）してもよい。すなわち、上面側と下面側とで常に同一の画像が表示されるように構成してもよい。この場合、それぞれの画素で回路を共有化することができ、例えば、有機ＥＬ素子１１ａ，１１ｂ及び駆動制御素子１２ａ，画素スイッチ１３ａのみで構成し、映像信号配線６ｂ及び駆動制御素子１２ｂ，画素スイッチ１３ｂが不要となる。
【００６０】
なお、このような構造を有機ＥＬ表示装置１に採用した場合、上面発光側と下面発光側との双方で画像を表示すると、上面発光側に表示される画像と下面発光側に表示される画像とは鏡像の関係となる。しかしながら、対面式のゲーム機に搭載される平面表示装置では、文字情報などを表示しない限り、一方の表示面で表示する画像と他方の表示面で表示する画像とが鏡像の関係にあったとしても問題を生じることはない。この場合、表示面内の一部に上面発光側と下面発光側とで互いに鏡像の関係にある画像を表示する箇所を設け、他の部分に上面及び下面発光側で互いに等しい関係にある画像を表示可能な箇所を設けてもよい。
【００６１】
また、折畳式の携帯電話機や開閉式のノートブック型パソコンなどの電子機器では、外面側と内面側とで別々の画像を同時に表示させる必要性は低い。したがって、例えば、折り畳んだ状態或いは閉じた状態では外面側のみで表示を行い、開いた状態では内面側のみで表示を行うとともに、双方の状態で画像が正しく表示されるように信号処理すればよい。
【００６２】
また、参考例及び実施形態では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は他の表示装置にも適用可能である。例えば、本発明は、表面表示用の反射型画素と裏面表示用の反射型画素とをマトリクス状に配置した液晶表示装置にも適用可能である。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、同一基板上に遮光性の第１画素電極と光透過性の第２画素電極とを並置するとともに、共通電極の第１画素電極に対向した部分を光透過性とし且つ第２画素電極に対向した部分を遮光性とする。そのため、厚さの増加を伴うことなく両面で画像を表示することが可能となる。
すなわち、本発明によると、両面で画像を表示可能でありながらも薄型化が可能な電子機器及びそのような電子機器を実現し得る平面表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の参考例に係る表示装置の回路構成を概略的に示す平面図。
【図２】 図１に示す画素の実態配置を概略的に示す平面図。
【図３】 （ａ）は図２に示す構造のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｂ）は図２に示す構造のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図４】 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の実態配置を概略的に示す平面図。
【図５】 （ａ）は参考例または実施形態に係る表示装置を搭載した携帯電話機を概略的に示す正面図、（ｂ）は（ａ）に示す携帯電話機の背面図。
【図６】 （ａ）は参考例または実施形態に係る表示装置を搭載したゲーム機を概略的に示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すゲーム機本体のＣ−Ｃ線に沿った断面図。
【図７】 画素の他の実態配置を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ表示装置、２…基板、３…走査信号線ドライバ、４…映像信号線ドライバ、５…走査信号線、６ａ，６ｂ…映像信号線、７…電極配線、８ａ，８ｂ…画素、１１ａ，１１ｂ…有機ＥＬ素子、１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ…ＴＦＴ、１４ａ，１４ｂ…キャパシタ、１５…アンダーコート層、１６…アンダーコート層、２１…半導体層、２２…ゲート絶縁膜、２３…ゲート電極、２５…層間絶縁膜、２８…ソース・ドレイン電極、３０…パッシベーション膜、３１…導体層、３２…導体層、３３…隔壁絶縁層、３４…有機物層、３５…導体層、３６…導体層、１００…携帯電話機、１０１…下側部分、１０２…１０１、１０３…接続部、１０４ａ乃至１０４ｃ…釦、１０５…入力操作部、１０６…開口、１０７…開閉蓋、１０８…アンテナ、１０９…開口、２００…ゲーム機本体、２０１…筐体、２０２…入力操作具、２０３…ケーブル、２０４ａ…釦、２０４ｂ…レバー。
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に係り、特には両面表示可能な表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）などの携帯電子機器に搭載される平面表示装置としては、主として、液晶表示装置が利用されている。また、近年、液晶表示装置に比べて応答速度や視野角などの点で有利な有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を携帯電子機器に搭載することも検討されている。
【０００３】
ところで、折畳式の携帯電話機などの携帯電子機器のなかには、開いた状態だけでなく畳んだ状態或いは閉じた状態でも画像を表示できるように、すなわち両面で画像を表示できるように、２つの平面表示装置を搭載したものがある。しかしながら、２つの平面表示装置を搭載した携帯電子機器は、平面表示装置を１つのみ搭載した携帯電子機器に比べて厚くならざるを得ない。携帯電子機器は薄型であることが極めて重要であり、したがって、２つの平面表示装置を搭載した場合でも十分に薄いことが望まれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、両面で画像を表示可能でありながらも薄型化が可能な電子機器及びそのような電子機器を実現し得る表示装置を提供することを目的とする。また、１つの表示装置で両面でそれぞれ異なる画像を表示可能な電子機器およびそのような電子機器を実現し得る表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、光透過性の基板と、前記基板の一方の主面上で配列し且つ遮光性である複数の第１画素電極と、前記基板の前記主面上で配列し且つ光透過性である複数の第２画素電極と、前記複数の第１画素電極及び前記複数の第２画素電極と対向し、前記第１画素電極と対向したそれぞれの部分は光透過性であり且つ前記第２画素電極と対向したそれぞれの部分は遮光性である共通電極と、前記複数の第１画素電極及び前記複数の第２画素電極と前記共通電極との間に介在し且つ前記第１画素電極と前記共通電極との間及び前記第２画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧またはそれらの間に流す電流に応じて光学特性が変化する光学層とを具備したことを特徴とする表示装置を提供する。
【０００６】
また、本発明は、上記の表示装置と、ユーザが入力操作し得る入力操作部とを具備し、ユーザの前記入力操作部への入力操作に応じて前記表示装置が表示する画像が変化し得ることを特徴とする電子機器を提供する。
【０００７】
本発明において、複数の第１画素電極のそれぞれは共通電極との対向面側が光反射性であってもよい。また、共通電極の第２画素電極と対向したそれぞれの部分の第２画素電極との対向面側も光反射性であってもよい。
【０００８】
本発明において、複数の第１画素電極及び複数の第２画素電極のそれぞれは互いに交差する第１及び第２方向に配列し、第１画素電極と第２画素電極とは第２方向に交互に配置される。
【０００９】
本発明において、上記表示装置は、基板の上記主面上で第１方向に配列した複数の走査信号線と、基板の上記主面上で第２方向に交互に配列した複数の第１及び第２映像信号線と、複数の走査信号線と複数の第１映像信号線との交差部近傍に配置され且つ走査信号線からの走査信号に応じて第１映像信号線からの映像信号を第１画素電極と共通電極との間に供給する複数の第１スイッチング素子と、複数の走査信号線と複数の第２映像信号線との交差部近傍に配置され且つ走査信号線からの走査信号に応じて第２映像信号線からの映像信号を第２画素電極と共通電極との間に供給する複数の第２スイッチング素子とをさらに具備している。そして、複数の第１の第１スイッチング素子の少なくとも一部と複数の第２スイッチング素子の少なくとも一部とは基板と複数の第１画素電極とに挟まれた領域内に位置している。
【００１０】
本発明において、第１画素電極の個数と第２画素電極の個数とは異なっていてもよい。また、光学層はエレクトロルミネセンス性を有する有機発光層を備えていてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の参考例に係る表示装置の回路構成を概略的に示す平面図である。図１に示す表示装置１は、有機ＥＬ表示装置である。
【００１３】
この有機ＥＬ表示装置１は、光透過性の基板２を備えている。基板２上には、走査信号線ドライバ３と映像信号線ドライバ４と走査信号線５と映像信号線６ａ，６ｂと電極配線７と画素８ａ，８ｂとが配置されている。
【００１４】
走査信号線５は画素の行方向（図中横方向）に延在しており、それらは縦方向に配列している。それぞれの走査信号線５には、走査信号線ドライバ３から一定の周期で走査信号が供給される。
【００１５】
映像信号線６ａ，６ｂは画素の列方向（図中縦方向）に延在しており、それらは横方向に交互に配列している。それぞれの映像信号線６ａ，６ｂには、映像信号線ドライバ４から映像信号が供給される。
【００１６】
画素８ａ，８ｂは、基板２上でマトリクス状に配列している。本参考例では、画素８ａ及び画素８ｂはそれぞれ図中縦方向に配列し、横方向に交互に配列している。なお、後述するように、画素８ａは下面発光用であり、画素８ｂは上面発光用である。
【００１７】
画素８ａは、有機ＥＬ素子１１ａと例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成され、有機ＥＬ素子１１ａへ供給する電流量を制御する駆動制御素子１２ａ，例えばＴＦＴで構成され、画素８ａを選択する画素スイッチ１３ａとを備えている。また、画素８ｂは、画素８ａと同様の回路構成の有機ＥＬ素子１１ｂと駆動制御素子１２ｂ，画素スイッチ１３ｂとを備えている。
【００１８】
駆動制御素子１２ａ，１２ｂのソース電極は何れも電極配線７に接続されており、それらのドレイン電極は有機ＥＬ素子１１ａ，１１ｂの陽極にそれぞれ接続されている。画素スイッチ１３ａ，１３ｂのゲート電極は何れも走査信号線５に接続されており、それらのソース電極は映像信号線６ａ，６ｂにそれぞれ接続されている。また、画素スイッチ１３ａ，１３ｂのドレイン電極は、駆動制御素子１２ａ，１２ｂのゲート電極にそれぞれ接続されている。
【００１９】
図２は、図１に示す画素８ａ，８ｂの実態配置を概略的に示す平面図である。また、図３（ａ）は図２に示す構造のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３（ｂ）は図２に示す構造のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、図２では、簡略化のため、一部の構成要素を省略している。
【００２０】
図２及び図３（ａ），（ｂ）に示すように、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、基板２上に、アンダーコート層として、例えば、ＳｉＮx層１５とＳｉＯ2層１６とが順次積層されている。アンダーコート層１６上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層２１及びゲート絶縁膜２２が順次積層されている。また、ゲート絶縁膜２２上には、ゲート電極２３及び走査信号線５が設けられている。これら半導体層２１、ゲート絶縁膜２２、及びゲート電極２３は、トップゲート型のＴＦＴを構成している。
【００２１】
ゲート絶縁膜２２並びにゲート電極２３及び走査信号線５上には、ＳｉＯ2などからなる層間絶縁膜２５が設けられている。層間絶縁膜２５上には、映像信号線６ａ，６ｂ、電極配線７、及びソース・ドレイン電極２８が設けられており、それらは、ＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜３０で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極２８は、層間絶縁膜２５に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース・ドレインに接続されている。
【００２２】
画素８ｂに対応した領域には、パッシベーション膜３０上に、光反射性の導体層３１と光透過性の導体層３２とが順次積層されている。他方、画素８ａに対応した領域には、パッシベーション膜３０上に光反射性の導体層３１は設けられておらず、光透過性の導体層３２のみが設けられている。画素８ａではこの導体層３２が光透過性の画素電極（陽極）を構成し、画素８ｂでは導体層３１と導体層３２との積層体が光反射性の画素電極（陽極）を構成している。
【００２３】
パッシベーション膜３０上には、さらに、隔壁絶縁層３３が設けられている。隔壁絶縁層３３は、例えば、親水性の絶縁層と撥水性の絶縁層とを順次積層した構造を有している。また、隔壁絶縁層３３には、導体層３２の上面を部分的に露出させるように開口が設けられている。
【００２４】
隔壁絶縁層３３の開口内で露出した導体層３２上には、有機物層３４が設けられている。有機物層３４は、例えば、発光色が赤、緑、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ発光層を含んでいる。また、有機物層３４は、正孔注入層などのように電極と発光層との間に介在してその電極から発光層への電荷の注入を媒介する層をさらに含んでいてもよい。
【００２５】
隔壁絶縁層３３及び有機物層３４上には、共通電極として、光透過性の導体層３５と光反射性の導体層３６とが順次積層されている。なお、導体層３５，３６はパッシベーション膜３０及び隔壁絶縁層３３に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して共通電極取出し配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００２６】
導体層３５は、画素８ａ，８ｂを含む表示領域全体にわたって連続膜として設けられている。他方、導体層３６は、導体層３５と同様に表示領域全体にわたって設けられているものの、画素８ｂに対応した領域に開口を有している。すなわち、画素８ａでは導体層３５と導体層３６との積層体が陰極を構成し、画素８ｂでは導体層３５が陰極を構成している。
【００２７】
以上の説明から明らかなように、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子１１ａは、光透過性の陽極（ここでは光透過性導体層３２）と、有機物層３４と、光反射性の陰極（ここでは光透過性導体層３５光反射性導体層３６との積層構造）とを順次積層した構造を有している。他方、有機ＥＬ素子１１ｂは、光反射性の陽極（ここでは光反射性導体層３１および光透過性導体層３２との積層構造）と、有機物層３４と、光透過性の陰極（ここでは光透過性導体層３５）とを順次積層した構造を有している。すなわち、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１は、下面発光式の画素８ａと上面発光式の画素８ｂとの双方を備えている。
【００２８】
それゆえ、この有機ＥＬ表示装置１は、両面で画像を表示することが可能である。したがって、この有機ＥＬ表示装置１を使用すれば、両面で画像を表示可能であり且つ薄型の電子機器を実現することが可能となる。
【００２９】
また、陽極及び陰極の双方を光透過性とした場合には、上面側で表示する画像と下面側で表示する画像とが干渉し合うため、上面側と下面側とで異なる画像を表示させることはできない。これに対し、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、画素８ａの陰極及び画素８ｂの陽極は光反射性であるため、上面側と下面側とで異なる画像を表示させることができるのに加え、高輝度を実現することができる。
【００３０】
さらに、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、画素８ａと画素８ｂとは殆ど同一の構造を有している。そのため、下面側及び上面側の双方で画像を表示可能とすることに伴う製造プロセスの増加は殆どない。
【００３１】
しかも、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１では、画素８ａと画素８ｂとで電極配線７及び映像信号線ドライバ４を共用している。したがって、ドライバ３，４を含む駆動回路領域に対する表示領域の面積比を高めること、及び、より高い輝度を実現することができる。
【００３２】
なお、本参考例においては、下面発光式の画素からなる表示画面と上面発光式の画素からなる表示画面とをほぼ同一面積となるよう形成したが、これに限定されず画素の個数を調整し、画面面積を適宜設定することができる。
【００３３】
次に、本参考例に係る有機ＥＬ表示装置１の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
基板２としては、その上に形成される構造を保持可能なできるものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板２としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機ＥＬ表示装置１の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００３４】
導体層３１としては、例えば、金、銀、白金、パラジウムなどの金属材料層を使用することができる。また、導体層３２としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）層やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透明導電性酸化物層のような透明導電材料層を使用することができる。導体層３１，３２は、例えば、導体を蒸着法やスパッタリング法等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。また、導体層３１，３２は、マスクスパッタリング法などにより形成してもよい。
【００３５】
隔壁絶縁層３３は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。例えば、隔壁絶縁層３３を撥水性の絶縁層のみで構成してもよい。或いは、隔壁絶縁層３３を、親水性の絶縁層と撥水性の絶縁層とを順次積層してなる積層体で構成してもよい。後者の構造によると、前者に比べ、有機物層３４の位置精度及び断面形状をより高精度に制御可能となる。
【００３６】
隔壁絶縁層３３を構成する親水性絶縁層の材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる絶縁層は比較的高い親水性を示す。また、隔壁絶縁層３３を構成する撥水性絶縁層の材料としては、例えば、感光性樹脂のような有機絶縁材料を使用することができる。
【００３７】
有機物層３４は、先に説明したように、発光層を含んでおり、任意に正孔注入層などをさらに含んだ多層構造とすることができる。なお、正孔注入層は発光層と陽極との間に配置する。
【００３８】
正孔注入層の材料としてドナー性材料とアクセプタ性材料とを含有した混合物を使用する場合、そのような混合物として、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物とを含有した混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンのようなポリチオフェン誘導体やポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを挙げることができる。また、アクセプタ性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸などを挙げることができる。
【００３９】
正孔注入層は、例えば、隔壁絶縁層３３が形成する液溜めを、溶液塗布法によりドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥させて、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。正孔注入層を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、蒸着法、スピンコート法、及びインクジェット法などを挙げることができる。
【００４０】
発光層の材料としては、有機ＥＬ表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。そのような有機化合物のうち赤色に発光するものとしては、例えば、ポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物や、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などを挙げることができる。緑色の発光する有機化合物としては、例えば、アルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などを挙げることができる。青色に発光する有機化合物としては、例えば、ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体のようなポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。発光層も、正孔注入層に関して説明したのと同様の方法により形成することができる。発光層や正孔注入層は低分子系材料を使用することもできる。
【００４１】
導体層３５としては、例えば、薄いＬｉＦ層などのように光透過性を有する導電材料層を使用することができる。また、導体層３６としては、比較的厚いＡｌ層やＡｇ層などの金属材料層を使用することができる。導体層３５，３６は、例えば、導体を蒸着法やスパッタリング法等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。また、導体層３５，３６は、マスクスパッタリング法などにより形成してもよい。
【００４２】
なお、導体層３５，３６上には、光透過性の保護膜を設けてもよい。また、基板２の有機ＥＬ素子１１ａ，１１ｂが設けられた面と対向して封止基板を配置するとともに、それら基板の対向面周縁部にシール層を介在させて中空構造としてもよい。この空間はＡｒガスなどの希ガスやＮ2ガスのような不活性ガスで満たしてもよく、さらに、その空間に乾燥剤を封入してもよい。或いは、その空間に樹脂を充填してもよい。
【００４３】
次に、本発明の実施形態について説明する。
図４は、本発明の一実施形態に係る平面表示装置の画素の実態配置を概略的に示す平面図である。本実施形態に係る平面表示装置は、参考例と同様に有機ＥＬ表示装置である。また、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成は参考例に係る有機ＥＬ表示装置１と等しく、断面構造は参考例に係る有機ＥＬ表示装置１とほぼ等しい。
【００４４】
図４に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、駆動制御素子１２ａ，１２ｂ，画素スイッチ１３ａ、画素スイッチ１３ｂの一部、映像信号線６ａ、及び電極配線７を導体層３１と基板２とに挟まれた領域内に位置させている。つまり、上面発光式画素と重複するように駆動制御素子及び画素スイッチ等を配置している。本実施形態は、このような配置を採用したこと以外は参考例とほぼ同様である。図４に示す配置によると、図２に示す配置に比べ、発光面積を大幅に増大させることができる。したがって、より表示品位の良好な表示装置を実現することが可能となる。
【００４５】
参考例及び実施形態に係る平面表示装置１は、携帯電話機やＰＤＡやノートブック型パソコンやデスクトップ型パソコンのモニターやゲーム機のような携帯電子機器及び固定電子機器を含む様々な電子機器に搭載することができる。
【００４６】
図５（ａ）は参考例または実施形態に係る平面表示装置１を搭載した携帯電話機を概略的に示す正面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す携帯電話機の背面図である。
【００４７】
図５（ａ），（ｂ）に示す携帯電話機１００は、折畳式の携帯電話機であり、下側部分１０１と上側部分１０２とを備えている。下側部分１０１と上側部分１０２とは、接続部１０３を介して互いに接続されており、この接続部１０３を支点とした開閉動作が可能である。
【００４８】
下側部分１０１の正面側には、入力用ユーザインターフェースである入力操作部１０５を構成する釦１０４ａ乃至１０４ｃや、音響エネルギーを電気エネルギーへと変換する送話器へと音声信号を伝達する開口１０６などが設けられている。また、下側部分１０１の背面側には、電池の交換を可能とする開閉蓋１０７や伸縮自在なアンテナ１０８などが設けられている。
【００４９】
上側部分１０２は、参考例または実施形態に係る平面表示装置１を搭載している。上側部分１０２の正面側には、平面表示装置１の一方の表示面で表示された画像を視認可能とする窓部と、電気エネルギーを音響エネルギーへと変換する受話器からの音声信号を外部へと伝達する開口１０９などが設けられている。また、上側部分１０２の背面側には、平面表示装置１の他方の表示面で表示された画像を視認可能とする窓部などが設けられている。
【００５０】
この携帯電話機１００は、参考例または実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を搭載しているため、正面側と背面側との双方で画像を表示可能である。すなわち、メイン表示画面とサブ表示画面とが１つの表示装置によって構成されている。しかも、この携帯電話機１００が搭載する有機ＥＬ表示装置１は片面のみで表示が可能な有機ＥＬ表示装置と同等の厚さに形成可能であるため、正面側と背面側との双方で画像を表示可能な構造を採用したことによる厚さの増加を防止することができる。
【００５１】
また、メイン表示を行う表示装置とサブ表示を行う表示装置とを用いる場合に比べ、部材コストの削減、配線接続点数削減による機械的強度を増大させることができる。
【００５２】
図６（ａ）は参考例または実施形態に係る平面表示装置１を搭載したゲーム機を概略的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った概略断面図である。図６（ａ），（ｂ）に示すゲーム機は、対面型のゲーム機であり、ゲーム機本体２００と、一対の入力操作具２０２と、それら入力操作具２０２とゲーム機本体２００とを接続するケーブル２０３とを備えている。
【００５３】
ゲーム機本体２００は、枠状の筐体２０１を備えている。筐体２０１は、参考例または実施形態に係る平面表示装置１を支持するとともに、その内部に信号処理部やスピーカなど（何れも図示せず）を収容している。また、入力操作具２０２は、入力操作部を構成する釦２０４ａやレバー２０４ｂを備えている。このゲーム機では、例えば、ユーザが釦２０４ａやレバー２０４ｂを操作すると、入力操作具２０２からケーブル２０３を介して信号処理部へと信号が供給される。信号処理部では、予め記憶しているプログラムに基づいて入力信号を処理し、表示装置１やスピーカなどに映像や音声に対応した出力信号を供給する。このようにして、ユーザの入力操作に応じて表示装置１が表示する画像やスピーカから出力される音声を変化させる。
【００５４】
このような電子機器に参考例または実施形態に係る表示装置１を用いた場合には、上記と同様の効果に加え、機器の少スペース化が達成される。
【００５５】
以上説明した参考例及び実施形態では、有機ＥＬ素子１１ａの陰極及び有機ＥＬ素子１１ｂの陽極を光反射性としたが、それらは光反射性である必要はない。すなわち、それらは、遮光性であればよく、例えば、光吸収性であってもよい。但し、輝度の観点からは、それらは光反射性である方が有利である。
【００５６】
参考例及び実施形態では、図１に示す回路構成を採用したが、他の回路構成を採用することも可能である。例えば、図１に示す回路に、駆動制御素子１２ａ，１２ｂのゲート電位を保持するキャパシタをさらに組み込んでもよい。また、図１，図２及び図４に示す回路では電極配線７を映像信号線６ａ，６ｂと略平行に延在させたが、電極配線７は走査信号線５と略平行に延在させてもよい。すなわち、例えば、図７に示すように、電極配線７を走査信号線５と略平行に延在させるとともに、駆動制御素子１２ａ，１２ｂのゲート電位を保持するキャパシタ１４ａ，１４ｂをさらに組み込んでもよい。また、図１に示す回路に、駆動制御素子１２ａ，１２ｂの閾値電圧のばらつきに基づく駆動電流のばらつきを補正する閾値キャンセル回路などをさらに組み込んでもよい。
【００５７】
参考例及び実施形態では、画素８ａと画素８ｂとで映像信号線ドライバ４を共用したが、画素８ａ用の映像信号線ドライバと画素８ｂ用の映像信号線ドライバとをそれぞれ対向する２辺に設け、下面発光用ドライバと上面発光用ドライバとを分離配置してもよい。また、上記参考例及び実施形態のように、映像信号線ドライバは基板２と一体的に形成してもよく、またＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のように基板外部に配置してもよい。
【００５８】
また、参考例及び実施形態では、画素８ａと画素８ｂとで電極配線７を共用したが、画素８ａ用の電極配線と画素８ｂ用の電極配線とを別々に設けてもよい。
【００５９】
参考例及び実施形態では、有機ＥＬ素子１１ａと有機ＥＬ素子１１ｂとを独立して駆動可能としたが、隣り合う１つの有機ＥＬ素子１１ａと１つの有機ＥＬ素子１１ｂとを電気的に接続（例えば並列接続）してもよい。すなわち、上面側と下面側とで常に同一の画像が表示されるように構成してもよい。この場合、それぞれの画素で回路を共有化することができ、例えば、有機ＥＬ素子１１ａ，１１ｂ及び駆動制御素子１２ａ，画素スイッチ１３ａのみで構成し、映像信号配線６ｂ及び駆動制御素子１２ｂ，画素スイッチ１３ｂが不要となる。
【００６０】
なお、このような構造を有機ＥＬ表示装置１に採用した場合、上面発光側と下面発光側との双方で画像を表示すると、上面発光側に表示される画像と下面発光側に表示される画像とは鏡像の関係となる。しかしながら、対面式のゲーム機に搭載される平面表示装置では、文字情報などを表示しない限り、一方の表示面で表示する画像と他方の表示面で表示する画像とが鏡像の関係にあったとしても問題を生じることはない。この場合、表示面内の一部に上面発光側と下面発光側とで互いに鏡像の関係にある画像を表示する箇所を設け、他の部分に上面及び下面発光側で互いに等しい関係にある画像を表示可能な箇所を設けてもよい。
【００６１】
また、折畳式の携帯電話機や開閉式のノートブック型パソコンなどの電子機器では、外面側と内面側とで別々の画像を同時に表示させる必要性は低い。したがって、例えば、折り畳んだ状態或いは閉じた状態では外面側のみで表示を行い、開いた状態では内面側のみで表示を行うとともに、双方の状態で画像が正しく表示されるように信号処理すればよい。
【００６２】
また、参考例及び実施形態では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は他の表示装置にも適用可能である。例えば、本発明は、表面表示用の反射型画素と裏面表示用の反射型画素とをマトリクス状に配置した液晶表示装置にも適用可能である。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、同一基板上に遮光性の第１画素電極と光透過性の第２画素電極とを並置するとともに、共通電極の第１画素電極に対向した部分を光透過性とし且つ第２画素電極に対向した部分を遮光性とする。そのため、厚さの増加を伴うことなく両面で画像を表示することが可能となる。
すなわち、本発明によると、両面で画像を表示可能でありながらも薄型化が可能な電子機器及びそのような電子機器を実現し得る平面表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の参考例に係る表示装置の回路構成を概略的に示す平面図。
【図２】 図１に示す画素の実態配置を概略的に示す平面図。
【図３】 （ａ）は図２に示す構造のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｂ）は図２に示す構造のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図４】 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の実態配置を概略的に示す平面図。
【図５】 （ａ）は参考例または実施形態に係る表示装置を搭載した携帯電話機を概略的に示す正面図、（ｂ）は（ａ）に示す携帯電話機の背面図。
【図６】 （ａ）は参考例または実施形態に係る表示装置を搭載したゲーム機を概略的に示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すゲーム機本体のＣ−Ｃ線に沿った断面図。
【図７】 画素の他の実態配置を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ表示装置、２…基板、３…走査信号線ドライバ、４…映像信号線ドライバ、５…走査信号線、６ａ，６ｂ…映像信号線、７…電極配線、８ａ，８ｂ…画素、１１ａ，１１ｂ…有機ＥＬ素子、１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ…ＴＦＴ、１４ａ，１４ｂ…キャパシタ、１５…アンダーコート層、１６…アンダーコート層、２１…半導体層、２２…ゲート絶縁膜、２３…ゲート電極、２５…層間絶縁膜、２８…ソース・ドレイン電極、３０…パッシベーション膜、３１…導体層、３２…導体層、３３…隔壁絶縁層、３４…有機物層、３５…導体層、３６…導体層、１００…携帯電話機、１０１…下側部分、１０２…１０１、１０３…接続部、１０４ａ乃至１０４ｃ…釦、１０５…入力操作部、１０６…開口、１０７…開閉蓋、１０８…アンテナ、１０９…開口、２００…ゲーム機本体、２０１…筐体、２０２…入力操作具、２０３…ケーブル、２０４ａ…釦、２０４ｂ…レバー。
Claims (5)
- 光透過性の基板と、
前記基板の一方の主面上で互いに交差する第１及び第２方向に配列し且つ遮光性である複数の第１画素電極と、
前記基板の前記主面上で前記第１及び第２方向に配列し且つ光透過性である複数の第２画素電極と、
前記複数の第１画素電極及び前記複数の第２画素電極と対向し、前記第１画素電極と対向したそれぞれの部分は光透過性であり且つ前記第２画素電極と対向したそれぞれの部分は遮光性である共通電極と、
前記複数の第１画素電極及び前記複数の第２画素電極と前記共通電極との間に介在し且つ前記第１画素電極と前記共通電極との間及び前記第２画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧またはそれらの間に流す電流に応じて光学特性が変化する光学層と、
前記基板の前記主面上で前記第１方向に配列した複数の走査信号線と、
前記基板の前記主面上で前記第２方向に交互に配列した複数の第１及び第２映像信号線と、
前記複数の走査信号線と前記複数の第１映像信号線との交差部近傍に配置され且つ前記走査信号線からの走査信号に応じて前記第１映像信号線からの映像信号を前記第１画素電極と前記共通電極との間に供給する複数の第１スイッチング素子と、
前記複数の走査信号線と前記複数の第２映像信号線との交差部近傍に配置され且つ前記走査信号線からの走査信号に応じて前記第２映像信号線からの映像信号を前記第２画素電極と前記共通電極との間に供給する複数の第２スイッチング素子と
を具備し、前記第１画素電極と前記第２画素電極とは前記第２方向に交互に配置されており、前記複数の第１スイッチング素子の少なくとも一部と前記複数の第２スイッチング素子の少なくとも一部とは前記基板と前記複数の第１画素電極とに挟まれた領域内に位置していることを特徴とする表示装置。 - 前記複数の第１画素電極のそれぞれは前記共通電極との対向面側が光反射性であり、前記共通電極の前記第２画素電極と対向したそれぞれの部分の前記第２画素電極との対向面側は光反射性であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１画素電極の個数と前記第２画素電極の個数とが異なることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
- 前記光学層はエレクトロルミネセンス性を有する有機発光層を備えたことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示装置。
- 請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置と、ユーザが入力操作し得る入力操作部とを具備し、ユーザの前記入力操作部への入力操作に応じて前記表示装置が表示する画像が変化し得ることを特徴とする電子機器。
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| JP4289332B2 (ja) | 2004-09-30 | 2009-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | Ｅｌ表示装置、ｅｌ表示装置の製造方法、及び電子機器 |
| KR100703275B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-04-03 | 삼성전자주식회사 | 외부 듀얼 액정표시부를 구비한 휴대 단말기 |
| JP2006244892A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | アクティブマトリックス有機ｅｌ素子アレイ |
| KR100741075B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2006120854A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子、発光素子アレイ及びそれらの製造方法、並びに露光装置 |
| JP5269305B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2013-08-21 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機発光表示装置 |
| KR100782458B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP5092306B2 (ja) | 2006-08-02 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および画素回路のレイアウト方法 |
| JP5223341B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2013-06-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2011221070A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器、発光装置の駆動方法 |
| KR101954981B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2019-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5979627B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2016-08-24 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示パネル、及び表示装置 |
| TWI478333B (zh) * | 2012-01-30 | 2015-03-21 | Ind Tech Res Inst | 雙面發光顯示面板 |
| KR101945202B1 (ko) | 2012-08-14 | 2019-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 표시 장치 |
| KR102637151B1 (ko) * | 2015-02-06 | 2024-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107403819B (zh) * | 2016-05-20 | 2020-06-16 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
| CN106024839B (zh) * | 2016-07-12 | 2019-02-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 折叠式oled显示器 |
| US11730017B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5581274A (en) * | 1991-04-05 | 1996-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display-integrated type tablet device |
| US5737042A (en) * | 1994-08-31 | 1998-04-07 | Omron Corporation | Image display device with optical low-pass filter |
| JP3078188B2 (ja) | 1994-11-29 | 2000-08-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
| FI104658B (fi) * | 1997-05-26 | 2000-03-15 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kahden näytön näyttöjärjestely ja päätelaite |
| US6380672B1 (en) * | 1997-08-21 | 2002-04-30 | Seiko Epson Corporation | Active matrix display device |
| KR100307027B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2001-11-01 | 서평원 | 액정 표시장치 및 이것을 이용한 이동 통신 단말기의 표시장치 |
| US6819309B1 (en) * | 1999-07-07 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Double-face display device |
| TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
| CN1170458C (zh) * | 2000-03-07 | 2004-10-06 | 出光兴产株式会社 | 有源驱动型有机el显示装置及其制造方法 |
| JP3596471B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2004-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
| TW493282B (en) * | 2000-04-17 | 2002-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-luminous device and electric machine using the same |
| JP2001305525A (ja) | 2000-04-18 | 2001-10-31 | Hosiden Corp | 液晶表示素子 |
| JP2001332392A (ja) | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sony Corp | 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 |
| JP2002083691A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sharp Corp | アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法 |
| US6644832B2 (en) * | 2000-12-25 | 2003-11-11 | Seiko Epson Corporation | Illumination device and manufacturing method therefor, display device, and electronic instrument |
| KR100396771B1 (ko) * | 2001-01-13 | 2003-09-03 | 엘지전자 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그를 이용한 이동 단말기 |
| JP4443063B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2010-03-31 | 株式会社日立製作所 | 電界効果トランジスタ及びそれを使用した画像表示装置 |
| US6744198B2 (en) * | 2001-03-19 | 2004-06-01 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus |
| TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
| JP4217426B2 (ja) | 2002-05-28 | 2009-02-04 | シャープ株式会社 | 両面表示装置 |
| JP2005291870A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Kyokuhei Glass Kako Kk | マイクロチャンネルモジュール |
-
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