JP5623213B2 - 切削加工装置 - Google Patents

切削加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5623213B2
JP5623213B2 JP2010209614A JP2010209614A JP5623213B2 JP 5623213 B2 JP5623213 B2 JP 5623213B2 JP 2010209614 A JP2010209614 A JP 2010209614A JP 2010209614 A JP2010209614 A JP 2010209614A JP 5623213 B2 JP5623213 B2 JP 5623213B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
workpiece
holding
cleaning
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010209614A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012064872A (ja
Inventor
宏彦 香西
宏彦 香西
浩吉 湊
浩吉 湊
毅 北浦
毅 北浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2010209614A priority Critical patent/JP5623213B2/ja
Publication of JP2012064872A publication Critical patent/JP2012064872A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5623213B2 publication Critical patent/JP5623213B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェーハ等のワーク(被加工物)のエッジ部の面取り加工がなされている部分の除去を行うための切削加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウェーハやサファイア、ガラスなどのウェーハの表面にIC,LSIなどのデバイスを形成するいわゆる前工程の後、裏面を研削することによってウェーハを所定の厚みに加工し、このウェーハをダイシングすることによって個々のチップへと分割している。このようにして得られた半導体チップは、各種電子機器に広く利用されている。
近年、電子機器向けに半導体チップの薄型化、小型化を要求される傾向が強くなり、例えば100μm以下の薄ウェーハ化のニーズが大きくなっている。また、従来より、ウェーハには、前工程においてウェーハの割れや発塵を防止するためにウェーハエッジ部の面取り加工がなされている。そして、従来のウェーハ裏面研削工法によるウェーハ薄化では、ウェーハを100μm以下の仕上げ厚さに加工すると、加工後のウェーハエッジ形状がナイフエッジ状(鋭くとがった刃物のような状態)となり、加工中に小さな欠けが発生してウェーハの破損などの問題が生じていた。
このような問題に対応するものとして、ダイシングソーを用いて事前にウェーハエッジ部における面取り部分を除去(トリミング)し、加工後のウェーハエッジがナイフエッジ状にならないような形状を作り上げておいてから、裏面研削によるウェーハ薄化を図る工法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−173961号公報
しかしながら、上述したようにウェーハエッジ部における面取り部分を事前にトリミングする場合においては、トリミング後におけるウェーハ裏面の汚染が問題となることがあった。例えば、ウェーハエッジ部の面取り部分をトリミングした後に、ウェーハを前工程に戻してデバイス形成を行う場合などにウェーハ裏面における異物が不具合を引き起こす事態が生じていた。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、エッジトリミング加工におけるウェーハ裏面の汚染を抑制することができる切削加工装置を提供することを目的とする。
本発明の切削加工装置は、ウェーハを保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記ウェーハの外周面取り部分を除去するためにハーフカット加工を施す切削ブレードを備えた加工手段と、前記加工手段で加工された前記ウェーハを洗浄する洗浄手段と、前記保持手段と前記洗浄手段との間で前記ウェーハを搬送する搬送手段と、を有する切削加工装置であって、前記保持手段は、前記ウェーハを支持する支持面が形成された支持部と、前記支持面に支持された前記ウェーハ裏面を吸引保持する環状に形成された環状吸引部と、前記支持面の中央に設けられ、前記搬送手段が前記ウェーハをクランプできるように、前記支持面に支持された前記ウェーハを前記ウェーハ裏面から突き上げて前記支持面から離反させる突き上げ部と、を有し、前記洗浄手段は、前記ウェーハを保持する保持面が形成された保持部と、前記保持部に保持された前記ウェーハの表面及び裏面に洗浄水を供給し、前記環状吸引部に吸引されていた部分を洗浄する洗浄ノズルと、を有し、前記保持部の外径は前記環状吸引部の内径よりも小さく構成され、前記ウェーハ裏面の前記環状吸引部で吸引された箇所が露出するように前記ウェーハを保持するように形成され、前記搬送手段は、前記ウェーハのエッジをクランプする少なくとも2つのクランプ爪を有し、前記ウェーハを搬送するエッジクランプ機構を有し、前記突き上げ部は、前記ウェーハを突き上げたときに、前記ウェーハの中心を含む部分を面接触で支持することを特徴とする。
この切削加工装置によれば、外周面取り部分を除去するエッジトリミング加工を行う際に、保持手段に環状に形成された環状吸引部によってウェーハ裏面の一部のみを吸引し、その後の洗浄時には吸引した環状部分よりも小さい保持部でウェーハを保持することによって、異物の付着などのコンタミネーションが問題となる吸引箇所を露出させ確実に洗浄することができる構成となっている。さらに、保持手段から洗浄手段にウェーハを搬送する搬送手段には、ウェーハの裏表面に触れることなく、かつ、ウェーハを乾燥させることがないエッジクランプ機構を採用することによって、搬送に伴う異物の付着およびウェーハの乾燥に伴って異物が除去し難くなる事態を防止できる。この結果、エッジトリミング加工におけるウェーハ裏面の汚染を抑制することが可能となる。
また、上記切削加工装置において、前記搬送手段は、前記ウェーハを搬送する際に前記ウェーハの表面に水を供給する水供給手段を備える形態を含んでいてもよい。
本発明によれば、エッジトリミング加工におけるウェーハ裏面の汚染を抑制することができる切削加工装置を提供することができる。
本発明の実施の形態1に係る切削加工装置の全体を示す斜視図である。 実施の形態1に係る切削加工装置が有するチャックテーブルの斜視図である。 実施の形態1に係る切削加工装置が有するチャックテーブル上からワークを搬出する際の搬送手段の動作を説明するための説明図である。 実施の形態1に係る切削加工装置が有するスピンナ洗浄手段の内部の斜視図(a)および断面模式図(b)である。 本発明の実施の形態2に係る切削加工装置が有するチャックテーブルの斜視図である。 実施の形態2に係る切削加工装置が有するチャックテーブル上からワークを搬出する際の搬送手段の動作を説明するための説明図である。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態1に係る切削加工装置1の全体を示す斜視図である。なお、以下においては、説明の便宜上、図1に示す右下方側(図1に示すX軸方向側)を「前方側」と呼び、図1に示す左上方側(図1に示す−X軸方向側)を「後方側」と呼ぶものとする。また、図1に示す左方側(図1に示すY軸方向側)を「左方側」と呼び、図1に示す右方側(図1に示す−Y軸方向側)を「右方側」と呼ぶものとする。さらに、図1に示す上方側(図1に示すZ軸方向側)を「上方側」と呼び、図1に示す下方側(図1に示す−Z軸方向側)を「下方側」と呼ぶものとする。
図1に示すように、本実施の形態に係る切削加工装置1においては、ワークWに対して切削ブレードによるエッジトリミング加工のためのハーフカット加工を施すとともに、トリミング後のワークWに対してスピンナ洗浄手段による洗浄処理を施すように構成されている。
ここで、切削加工装置1の被加工物であるワークWについて説明する。ワークW表面には、分割予定ラインが格子状に配列され、この分割予定ラインによって区画された複数の領域それぞれに図示しないIC,LSIなどのデバイスが形成されている。ワークWは、その外周(ウェーハエッジ部)に面取り加工が施されている。
ワークWは、特に限定されないが、例えば、シリコン(Si),ガリウムヒソ(GaAs),シリコンカーバイト(SiC)などの半導体ウェーハや、サファイア(Al)系の無機材料基板が挙げられる。
ワークWは、ワーク収容用のカセット2内にデバイスが形成された表面を上側に配置した状態で収容される。カセット2の内部には、ワークWの端部近傍を支持するための左右一対の支持部が上下方向に複数設けられている。この支持部により、ワークWが水平な状態で、かつ、上下方向に一定の間隔を持ってカセット2内に収容される。
基台3上の中央には、ワークWを保持する保持手段としてのチャックテーブル4が設けられている。チャックテーブル4は、基台3内に配設された負圧発生機構に接続され、ワークWを吸着保持可能に構成されている。また、チャックテーブル4は、θテーブル5の上面に固定されている。θテーブル5は、基台3内に配設された回転駆動機構に接続され、吸着保持したワークWをZ軸周りに回転可能に構成されている。
チャックテーブル4は、チャックテーブル4を前後方向(X軸方向)に搬送可能なテーブル搬送機構の一部を構成するベーステーブル6上に設けられている。このテーブル搬送機構は、基台3内に配設された駆動手段に接続され、エッジトリミングのためのハーフカット加工前におけるワークWを着脱する基台3上のワーク着脱位置と、後述する加工手段7による加工位置との間でチャックテーブル4を前後方向に往復移動可能に構成されている。
ここで、図2を参照して、チャックテーブル4の構造について説明する。図2は、本実施の形態に係る切削加工装置1が有するチャックテーブル4の斜視図である。なお、図2(a)においては、チャックテーブル4が有する突き上げ部43が支持部41内に収容された状態を示し、図2(b)においては、支持部41から突出した状態を示している。
図2に示すように、チャックテーブル4は、ワークWを支持する支持面が形成された支持部41と、ワークWを吸引保持する環状吸引部42と、支持部41の中心に位置する突き上げ部43と、を備えている。環状吸引部42は、例えば、ポーラスセラミック材により形成されており、図示しない吸引源に接続され、ワークWの裏面を吸引保持する。突き上げ部43は、図2(b)に示すように、支持部41表面から突出する構成となっている。なお、環状吸引部42は吸引源に接続された環状溝等としてもよい。
一般的に、チャックテーブル4の吸引部には切削屑などが侵入し易いため、ワークWを吸引部で吸着したり、吹き上げたりすると、この切削屑などの異物がワークWに汚れとして付着することがある。本実施の形態に係る切削加工装置1のチャックテーブル4は、環状吸引部42によってエッジトリミング加工を施すワークWの外周縁部近傍のみを環状に吸引する構成となっている。なお、図2(a)において、鎖線Waは、チャックテーブル4が保持するワークWの外周部分が配置される位置を示している。したがって、チャックテーブル4によるワークWの吸着および吹き上げに伴う異物の付着を最小限に抑えることができる。また、ワークWのうち加工が施されるエッジ部の近傍を環状に吸引するので、加工を施す際にワークWがバタついたりすることが無い。また、図2(a)において、鎖線101aは、後述するスピンナ洗浄手段10のスピンナテーブル101の外周部分が配置される位置を示している。このスピンナテーブル101の外周部分と、環状吸引部42との関係は後述する。
図1に戻り、切削加工装置1の構成について説明する。基台3上の後方側には、加工手段7が設けられている。加工手段7は、切削ブレード8を有する一対のブレードユニット71a,71bを移動し、Z軸周りに回転するチャックテーブル4上に保持されたワークWに向けて高速回転する切削ブレード8を降下することにより、ワークWの外周部に対する切削を施すように構成されている。
加工手段7は、テーブル搬送機構をまたぐように立設した門型の柱部72を備えている。柱部72の前面には、チャックテーブル4の上方において一対のブレードユニット71a,71bを左右方向に移動させる一対のブレードユニット移動機構73a,73bが設けられている。
ブレードユニット移動機構73a,73bは、左右方向(Y軸方向)に延びる一対のガイドレールをスライド可能に設けられた一対のY軸テーブル74a,74bを備えている。また、ブレードユニット移動機構73a,73bは、各Y軸テーブル74a,74bの前面に配置され、上下方向(Z軸方向)に延びる一対のガイドレールをスライド可能に設けられたZ軸テーブル75a,75bを備えている。これらのZ軸テーブル75a,75bの下端部に、ブレードユニット71a,71bがそれぞれ取り付けられている。
このような構成を有し、加工手段7は、加工位置に配置されたチャックテーブル4の位置を調節するとともに、ブレードユニット移動機構73a,73bによってブレードユニット71a,71bの位置を調節し、チャックテーブル4上のワークWに対して切削加工を行う。
基台3上のチャックテーブル4を挟んで左方側部分にはカセットステージ9が設けられ、右方側部分には洗浄手段としてのスピンナ洗浄手段10が設けられている。カセットステージ9には、複数のワークWが収容されたカセット2がセットされる。カセットステージ9は、図示しない昇降機構に接続され、上下方向(Z軸方向)に移動可能に構成されている。
スピンナ洗浄手段10は、ワークWを保持する保持面が形成された保持部としてのスピンナテーブル101と、スピンナテーブル101を昇降させる図示しない昇降手段と、スピンナテーブル101に保持されたワークWに洗浄水を噴出する洗浄ノズル102a,102b(図1に不図示、図4参照)と、を備えている。上記昇降手段は、スピンナテーブル101を、カセット2の表面に露出するワーク受け渡し位置と、カセット2内のワーク洗浄位置との間を上下方向(Z軸方向)に移動させる。ワーク受け渡し位置では、切削加工後または洗浄後のワークWが着脱される。ワーク洗浄位置では、回転するワークWに対して洗浄処理が施される。なお、スピンナテーブル101は、チャックテーブル4と同様に、基台3内に配設された負圧発生機構および回転駆動機構に接続され、ワークWを吸着保持するとともにZ軸周りに回転可能に構成されている。
基台3の上方には、協働してカセット2とチャックテーブル4との間、チャックテーブル4とスピンナテーブル101との間、並びに、スピンナテーブル101とカセット2との間を搬送する搬送手段11,12が設けられている。これらの搬送手段11、12は、例えば、基台3内に配設された移動機構に接続され、上下方向(Z軸方向)および水平方向(XY平面)に移動可能に構成されている。なお、図1においては、説明の便宜上、基台3内の移動機構との連結部分を省略している。
搬送手段11は、略C字型の平板形状を有する弧状部111と、弧状部111に設けられた複数の吸着パッド112と、を備え、ワークWを吸着保持して搬送する。具体的には、搬送手段11は、カセット2内のワークWを取り出して搬送し、ワークWを搬送手段12に引き渡す。また、搬送手段11は、搬送手段12からワークWを受け取って搬送し、ワークWをカセット2内に収容する。
搬送手段12は、ワークWの外周縁部(エッジ)をクランプするエッジクランプ機構を有し、ワークWのエッジをクランプした状態で搬送する。具体的には、搬送手段12は、搬送手段11からワークWを受け取って搬送し、ワークWをワーク着脱位置に配置されたチャックテーブル4に搬送する。また、ワーク着脱位置に配置されたチャックテーブル4上のワークWを、スピンナテーブル101上に搬送する。さらに、スピンナテーブル101上のワークWを搬送し、搬送手段11に引き渡す。
ここで、図3(a)を参照しつつ、搬送手段12の構成について説明する。搬送手段12は、ワークWのエッジを保持する複数のクランプ爪121と、これらクランプ爪121を放射方向に移動可能に支持する支持プレート122と、を備えている。なお、複数のクランプ爪121とは、少なくとも2個以上、より好ましくは3個以上を意味している。クランプ爪121は、周方向に等間隔をおいて設けられている。クランプ爪121は、断面略V字状の係合凹部121aが形成された係合部121bと、この係合部121bの上面の中心から上方に延びる円柱状の軸部121cと、から構成されている。
支持プレート122は、ワークWよりも外径が大きな円板状に設けられ、その外周部に、径方向に延びる、クランプ爪121に対応した数の長孔123が設けられている。これらの長孔123に沿って移動可能に、クランプ爪121の軸部121cが挿通されている。また、支持プレート122の上面中心には、ナット124が固定されている。
クランプ爪121は、支持プレート122に設けられた移動手段により、長孔123に沿って移動させられる。移動手段は、回動プレート125と、リンク126と、から構成されている。回動プレート125は、円板部125aを主体としており、この円板部125aの外周縁部には、径方向に延びる、クランプ爪121に対応した数のアーム部125bが設けられている。円板部125aの中心には孔が形成されており、この孔がナット124に回動可能にはめ込まれている。
リンク126は、直線形状を有する板状部材で構成され、通常は支持プレート122の径方向に沿って延びており、支持プレート122の外周側の一端と内周側の他端にそれぞれ孔が形成されている。外周側の孔は、長孔123に挿通されて上方に突出するクランプ爪121の軸部121cに回動可能にはめ込まれている。また、内周側の孔は、回動プレート125のアーム部125bの先端に形成された孔に挿通されたピン127に回動可能にはめ込まれている。すなわち、リンク126は、支持プレート122の外周側の端部が軸部121cを介してクランプ爪121に回動可能に連結され、内周側の端部がピン127を介して回動プレート125のアーム部125bに回動可能に連結されている。このような構成により、回動プレート125の回動に伴って、各クランプ爪121を長孔123に沿って支持プレート122の内周側あるいは外周側に移動させることができる。
なお、回動プレート125を回動させるには、例えば、エアの供給/排出作用によってピストンロッドが円板部125aの略接線方向に伸縮する構成のエアシリンダを利用し、ピストンロッドの先端に回動プレート125の1つのアーム部125bを連結する構成とすればよい。この場合、例えばピストンロッドが伸びるとアーム部125bが押されて回動プレート125が回動し、リンク126が内周側に引っ張られ、クランプ爪121が長孔123を支持プレート122の内周側の端部まで移動する。また、ピストンロッドが縮小するとリンク126が逆に作動し、クランプ爪121が長孔123を支持プレート122の外周側の端部まで移動する、という動作が可能となる。
搬送手段12は、基台3内に配設された移動機構に連結されたアーム128を備えている。このアーム128の先端にはフランジ129が設けられている。また、アーム128の中心には、水供給手段としてのチューブ130が通されている。このチューブ130は、アーム128の下端部から先端部が出されており、フランジ129の中心に形成された孔、ナット124にねじ込まれたねじに形成された孔および支持プレート122の中心に形成された孔を貫通して配設されている。チューブ130は図示しない水供給源に接続され、支持プレート122の下方に開口する先端から、水が吐出されるようになっている。
次に、本実施の形態に係る切削加工装置1におけるワークWに対する切削加工動作について図1を参照しながら説明する。ワークWに対する切削加工を行う場合、カセットステージ9が上昇または下降して所定の高さに位置した後、搬送手段11が左方側に移動する。そして、弧状部111をカセット2内に収容されたワークWの裏面側に挿入し、吸着パッド112によって、ワークWの裏面を吸着することで、当該ワークWを保持する。そして、搬送手段11を移動させ、ワークWをカセット2の右方側に引き出し、カセット2の外部に搬送する。このとき、搬送手段11の弧状部111はワークWの外周よりも小さいため、ワークWの外周縁部は露出した状態となる。
続いて、搬送手段11に吸着保持されているワークWの上方に、搬送手段12を位置付ける。このとき、搬送手段12は、支持プレート122がワークWと略同心状になるように位置付けられ、各クランプ爪121が支持プレート122の外周側に位置付けられる位置に配置される。
クランプ爪121の係合凹部121aがワークWの外周縁部の高さに位置するように、支持プレート122を下降させた後、回動プレート125を回動させて各クランプ爪121を支持プレート122の内周側に移動させる。これにより、ワークWの外周縁にクランプ爪121の係合凹部121aがはまり込み、クランプ爪121によってワークWのエッジがクランプされた状態となる。
その後、搬送手段12を上昇させて、搬送手段11からワークWを持ち上げる。ワークWは複数のクランプ爪121によってほぼ水平な状態で保持されたまま、搬送手段12の移動に伴って移動する。搬送手段12を移動させ、チャックテーブル4の上方において、ワークWをチャックテーブル4と略同心状に位置付けた後、搬送手段12を降下させる。
搬送手段12を下降させた後、回動プレート125を回動させて、各クランプ爪121を支持プレート122の外周側に移動させる。すると、ワークWは、クランプ爪121の係合部121bの下側のテーパ面を滑り落ちて、チャックテーブル4上に載置される。このとき、チャックテーブル4は負圧発生機構により負圧が発生した状態となっている。これにより、ワークWは、ワーク着脱位置に位置付けられているチャックテーブル4上に吸着保持される。
続いて、ワークWへの切削加工工程に移る。切削加工工程においては、まず、ベーステーブル6が移動することにより、ワークWを保持したチャックテーブル4が後方側の一対のブレードユニット71a,71bに対向する加工位置に移動される。そして、一対のブレードユニット71a,71bの切削ブレード8が、Y軸テーブル74a,74bによってワークWの外周面取り部分に位置合わせされる。その後、Z軸テーブル75a,75bによって一対のブレードユニット71a,71bが下方移動され、高速回転した切削ブレード8によってワークWが切り込まれる。
その後、ワークWを回転させながら、ワークWの外周縁部における外周面取り部分を切削ブレード8によって切削除去するハーフカット加工を施す。この場合における切削の深さは、後にワークWを薄化する際の仕上げ厚より若干深く、仕上げ厚+αとする。チャックテーブル4上のワークWの外周面取り部分の除去、すなわちエッジトリミング加工が完了すると、チャックテーブル4はワーク着脱位置に戻される。
続いて、ワークWが、搬送手段12によってスピンナ洗浄手段10に搬送され、ワークWの洗浄工程に移る。ここで、図3を参照して、チャックテーブル4からスピンナ洗浄手段10へワークWを搬送する際の、搬送手段12の動作について説明する。図3は、チャックテーブル4上からワークWを搬出する際の搬送手段12の動作を説明するための説明図である。
図3(a)に示すように、ワーク着脱位置において、ワークWがチャックテーブル4上に吸着保持されている。搬送手段12は、ワークWの上方において、支持プレート122がワークWと略同心状となるように位置付けられている。また、搬送手段12の各クランプ爪121は、支持プレート122の外周側に配置されている。
続いて、図3(b)に示すように、搬送手段12を下降させる。チャックテーブル4の負圧吸着は解除され、ワークW全体は支持部41に支持されている。
続いて、図3(c)に示すように、チャックテーブル4の突き上げ部43が支持部41表面から突出し、これに伴ってワークWが上方に移動する。このとき、ワークWの裏面の一部が露出する。ワークWは、その外周縁部の高さが、搬送手段12におけるクランプ爪121の係合凹部121aの高さで停止した状態となる。
続いて、図3(d)で示すように、回動プレート125を回動させて各クランプ爪121を支持プレート122の内周側に移動させる。これにより、ワークWの外周縁部にクランプ爪121の係合凹部121aがはまり込み、クランプ爪121によってワークWのエッジがクランプされた状態となる。
その後、搬送手段12を上昇させて、チャックテーブル4からワークWを持ち上げるとともに、チューブ130から水を吐出させる。水は、切削されたワークWの表面に供給される。このように水が供給されながらワークWは複数のクランプ爪121によってほぼ水平な状態で保持されたまま、搬送手段12の移動に伴って移動される。水の供給は、ワークWが乾燥することにより付着した異物が取れ難くなる事態の発生を防ぐ効果がある。また、水を供給せずに搬送する場合であっても、搬送手段12のようなエッジクランプ搬送機構は気体を吹き付けてワークWを保持するベルヌーイ搬送機構とは異なり、ワークWを乾燥させることがないため、ワークWが乾燥することにより付着した異物が取れ難くなる事態の発生を防ぐことができる。
搬送手段12を移動させ、スピンナテーブル101の上方において、ワークWをスピンナテーブル101と略同心状に位置付けた後、搬送手段12を降下させる。クランプ爪121によって保持されたワークWがスピンナテーブル101の上面に当接するまで搬送手段12を下降させた後、回動プレート125を回動させて、各クランプ爪121を支持プレート122の外周側に移動させる。すると、ワークWは、クランプ爪121の係合部121bの下側のテーパ面を滑り落ちて、スピンナテーブル101上に載置される。このとき、スピンナテーブル101は負圧発生機構により負圧が発生した状態となっている。これにより、ワークWは、ワーク受け渡し位置に位置付けられているスピンナテーブル101上に吸着保持される。
図4は、スピンナ洗浄手段10の内部の斜視図(a)および断面模式図(b)である。図4に示すように、スピンナ洗浄手段10の内部には、洗浄ノズル102a,102bが設けられている。スピンナテーブル101にワークWが吸着保持されると、スピンナテーブル101はワーク洗浄位置に下降して回転する。回転するワークWに洗浄ノズル102a,102bから洗浄水がワークWの表面および裏面に対して噴出されて、ワークWが洗浄される。図4(b)に示すように、洗浄ノズル102a,102bは、ワークWの外周縁部近傍に位置している。ワークWのうち、チャックテーブル4の環状吸引部42によって吸引されていた部分の洗浄を確実なものとするため、スピンナテーブル101の外径は、チャックテーブル4の環状吸引部42の内径より小さく構成し(図2(a)参照)、洗浄時にこの部分が露出されるよう設定されている。
この洗浄後、ワークWには乾燥エアが吹きつけられるなどの乾燥処理がなされる。ワークWの洗浄および乾燥が完了すると、スピンナテーブル101がワーク受け渡し位置に上昇する。
続いて、搬送手段12のクランプ爪121によってワークWの外周縁部がクランプされて保持される。同時に、スピンナテーブル101の負圧吸着が解除され、ワークW全体が搬送手段12に保持される。そして、搬送手段12が左方側に移動され、ワークWがテーブル搬送機構の上方に位置している搬送手段11上まで搬送される。搬送手段11の吸着パッド112によってワークWの裏面を吸着した後、搬送手段12のクランプ爪121を外周側に移動させる。ワークWを保持した搬送手段11は左方側へ移動し、カセット2内に搬入される。
以上のように、本実施の形態に係る切削加工装置1においては、ワークWはカセット2から搬出されて、加工手段7によるエッジトリミング加工、並びに、スピンナ洗浄手段10洗浄工程がなされた後、カセット2に搬入される。
以上説明したように、実施の形態1に係る切削加工装置1によれば、外周面取り部分を除去するエッジトリミング加工を行う際に、保持手段としてのチャックテーブル4に環状に形成された環状吸引部42によってワークW裏面の一部のみを吸引し、その後の洗浄時には吸引した環状部分よりも小さい保持部(スピンナテーブル101)でワークWを保持することによって、異物の付着などのコンタミネーションが問題となる吸引箇所を露出させ確実に洗浄することができる構成となっている。さらに、チャックテーブル4からスピンナ洗浄手段10にワークWを搬送する搬送手段12には、ワークWの裏表面に触れることなく、かつ、ワークWを乾燥させることがないエッジクランプ機構を採用することによって、搬送に伴う異物の付着およびワークWの乾燥に伴って異物が除去し難くなる事態を防止できる。この結果、エッジトリミング加工におけるワークW裏面の汚染を抑制することが可能となる。
特に、実施の形態1に係る切削加工装置1においては、チャックテーブル4の支持部41に支持されたワークWを裏面側から突き上げて支持面から離反させる突き上げ部43を支持面の中央に設けたことから、搬送手段12のクランプ爪121によって確実にエッジトリミング加工後のワークWの外周縁部をクランプすることが容易となる。
(実施の形態2)
実施の形態1で示したチャックテーブル4とは異なる構造のチャックテーブル40について説明する。実施の形態1に係る切削加工装置1の一部を構成するチャックテーブル4においては、突き上げ部43によってチャックテーブル4の表面からワークWを少し浮かせることにより、搬送手段12によるワークWのエッジクランプが可能となる構成となっている。実施の形態2に係るチャックテーブル40においては、切り欠き部44によってチャックテーブル40に支持されたワークWの外周縁部の裏面を一部露出させることにより、搬送手段12によるワークWのエッジクランプが可能となる構成となっている点で、実施の形態1に係るチャックテーブル4と相違する。
図5を参照して、実施の形態2に係るチャックテーブル40の構造について説明する。図5は、本実施の形態に係る切削加工装置1が有するチャックテーブル40の斜視図である。なお、図5において、図2と共通する構成について、同一の符号を付し、その説明を省略する。チャックテーブル40は、支持部41の外周部分の一部を切り欠いた切り欠き部44を有する点で、実施の形態1に係るチャックテーブル4と相違する。切り欠き部44は、支持部41に支持されたワークWの外周縁部の裏面を一部露出させる構成となっている。この構成は、チャックテーブル40が保持するワークWの外周部分を示す鎖線Waが、切り欠き部44上を通っていることからも明らかである。
続いて、図6を参照して、このチャックテーブル40からスピンナ洗浄手段10へワークWを搬送する際の、搬送手段12の動作について説明する。図6は、チャックテーブル40上からワークWを搬送する際の搬送手段12の動作を説明するための、図5におけるA−A線矢視断面説明図である。
図6(a)に示すように、ワーク着脱位置において、ワークWがチャックテーブル40上に吸着保持されている。搬送手段12は、ワークWの上方において、支持プレート122がワークWと略同心状となるように位置付けられている。また、搬送手段12の各クランプ爪121は、支持プレート122の外周側に配置されている。
続いて、図6(b)に示すように、搬送手段12を下降させる。このとき、クランプ爪121の下方側は、チャックテーブル40の切り欠き部44内に入り込み、クランプ爪121の係合凹部121aの高さは、ワークWの外周縁部の高さと略等しくなる。また、チャックテーブル40の負圧吸着は解除され、ワークW全体は支持部41に支持されている。
続いて、図6(c)に示すように、回動プレート125を回動させて各クランプ爪121を支持プレート122の内周側に移動させる。これにより、切り欠き部44によって露出したワークWの外周縁部にクランプ爪121の係合凹部121aがはまり込み、クランプ爪121によってワークWのエッジがクランプされた状態となる。
その後、図6(d)に示すように、搬送手段12を上昇させて、チャックテーブル40からワークWを持ち上げる。
このように実施の形態2に係る切削加工装置1によれば、実施の形態1と同様に、外周面取り部分を除去するエッジトリミング加工を行う際に、保持手段としてのチャックテーブル40に環状に形成された環状吸引部42によってワークW裏面の一部のみを吸引し、その後の洗浄時には吸引した環状部分よりも小さい保持部(スピンナテーブル101)でワークWを保持することによって、異物の付着などのコンタミネーションが問題となる吸引箇所を露出させ確実に洗浄することができる構成となっている。さらに、チャックテーブル40からスピンナ洗浄手段10にワークWを搬送する搬送手段12には、ワークWの裏表面に触れることなく、かつ、ワークWを乾燥させることがないエッジクランプ機構を採用することによって、搬送に伴う異物の付着およびワークWの乾燥に伴って異物が除去し難くなる事態を防止できる。この結果、エッジトリミング加工におけるワークW裏面の汚染を抑制することが可能となる。
特に、実施の形態2に係る切削加工装置1においては、チャックテーブル40の支持部41に支持されたワークWの外周縁部の裏面の一部を露出させる切り欠き部44を支持部41の外周部分に設けたことから、搬送手段12のクランプ爪121によって確実にエッジトリミング加工後のワークWの外周縁部をクランプすることが容易となる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記実施の形態においては、チャックテーブル4(40)の支持部41にワークWの裏面を吸引保持する環状吸引部42を設ける場合について説明しているが、ワークWの裏面を吸引保持する吸引部の形状については、環状に限定されるものではなく適宜変更が可能である。例えば、スピンナ洗浄手段10によって吸引箇所に対する洗浄処理が確保できることを条件として、ワークWの裏面の一部を吸引保持する構成であれば任意の形状とすることができる。
以上説明したように、本発明は、ワークWに対するエッジトリミング加工におけるウェーハ裏面の汚染を抑制できるという効果を有し、特に、エッジトリミング加工後に前工程に戻して処理を行う場合に有用である。
1 切削加工装置
2 カセット
3 基台
4、40 チャックテーブル
41 支持部
42 環状吸引部
43 突き上げ部
44 切り欠き部
5 θテーブル
6 ベーステーブル
7 加工手段
71a,71b ブレードユニット
72 柱部
73a,73b ブレードユニット移動機構
8 切削ブレード
9 カセットステージ
10 スピンナ洗浄手段
101 スピンナテーブル
102a,102b 洗浄ノズル
11 搬送手段
111 弧状部
112 吸着パッド
12 搬送手段
121 クランプ爪
121a 係合凹部
121b 係合部
121c 軸部
122 支持プレート
123 長孔
124 ナット
125 回動プレート
125a 円板部
125b アーム部
126 リンク
127 ピン
128 アーム
129 フランジ
130 チューブ

Claims (2)

  1. ウェーハを保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記ウェーハの外周面取り部分を除去するためにハーフカット加工を施す切削ブレードを備えた加工手段と、前記加工手段で加工された前記ウェーハを洗浄する洗浄手段と、前記保持手段と前記洗浄手段との間で前記ウェーハを搬送する搬送手段と、を有する切削加工装置であって、
    前記保持手段は、前記ウェーハを支持する支持面が形成された支持部と、前記支持面に支持された前記ウェーハ裏面を吸引保持する環状に形成された環状吸引部と、前記支持面の中央に設けられ、前記搬送手段が前記ウェーハをクランプできるように、前記支持面に支持された前記ウェーハを前記ウェーハ裏面から突き上げて前記支持面から離反させる突き上げ部と、を有し、
    前記洗浄手段は、前記ウェーハを保持する保持面が形成された保持部と、前記保持部に保持された前記ウェーハの表面及び裏面に洗浄水を供給し、前記環状吸引部に吸引されていた部分を洗浄する洗浄ノズルと、を有し、
    前記保持部の外径は前記環状吸引部の内径よりも小さく構成され、前記ウェーハ裏面の前記環状吸引部で吸引された箇所が露出するように前記ウェーハを保持するように形成され、
    前記搬送手段は、前記ウェーハのエッジをクランプする少なくとも2つのクランプ爪を有し、前記ウェーハを搬送するエッジクランプ機構を有し、
    前記突き上げ部は、前記ウェーハを突き上げたときに、前記ウェーハの中心を含む部分を面接触で支持することを特徴とする切削加工装置。
  2. 前記搬送手段は、前記ウェーハを搬送する際に前記ウェーハの表面に水を供給する水供給手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の切削加工装置。
JP2010209614A 2010-09-17 2010-09-17 切削加工装置 Active JP5623213B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010209614A JP5623213B2 (ja) 2010-09-17 2010-09-17 切削加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010209614A JP5623213B2 (ja) 2010-09-17 2010-09-17 切削加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012064872A JP2012064872A (ja) 2012-03-29
JP5623213B2 true JP5623213B2 (ja) 2014-11-12

Family

ID=46060246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010209614A Active JP5623213B2 (ja) 2010-09-17 2010-09-17 切削加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5623213B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5999972B2 (ja) * 2012-05-10 2016-09-28 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP2014075439A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP6312463B2 (ja) * 2014-03-03 2018-04-18 株式会社ディスコ 加工装置
CN105437392A (zh) * 2015-12-30 2016-03-30 河南广度超硬材料有限公司 一种智能化晶片切割机床
JP6689160B2 (ja) 2016-08-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 板状物搬送装置及び加工装置
CN114454075B (zh) * 2021-03-03 2022-12-16 华中科技大学 凸轮驱动的晶圆定位及托起装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0671689B2 (ja) * 1985-11-27 1994-09-14 株式会社日立製作所 研磨、研削用真空吸着装置
JPH0410529A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ及びウエーハ自動脱着装置
JP3312163B2 (ja) * 1994-11-18 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
TW444921U (en) * 1998-03-18 2001-07-01 United Microelectronics Corp Injection cleaning device of developer machine
JP2000232085A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4108941B2 (ja) * 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
JP2002324831A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Takatori Corp 真空吸着テーブル
JP4559317B2 (ja) * 2005-07-21 2010-10-06 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の搬送方法
JP4895594B2 (ja) * 2005-12-08 2012-03-14 株式会社ディスコ 基板の切削加工方法
JP4634950B2 (ja) * 2006-03-23 2011-02-16 株式会社ディスコ ウエーハの保持機構
JP2008132592A (ja) * 2007-12-07 2008-06-12 Ebara Corp ポリッシング装置およびポリッシング方法
JP5106278B2 (ja) * 2008-07-03 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法、ならびに記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012064872A (ja) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5623213B2 (ja) 切削加工装置
KR102515687B1 (ko) 웨이퍼 생성 장치
JP4874602B2 (ja) ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ
KR20190056306A (ko) 웨이퍼의 생성 방법 및 웨이퍼 생성 장치
JP5137747B2 (ja) ワーク保持機構
JP6061629B2 (ja) 加工装置
CN111300670B (zh) 切削装置
JP5260124B2 (ja) 加工装置
JP2013145776A (ja) 搬送方法
JP6312463B2 (ja) 加工装置
KR20190091196A (ko) 절삭 장치의 셋업 방법
JP6821254B2 (ja) 切削装置
JP2021074787A (ja) 加工装置
JP2017004989A (ja) ウエーハの製造方法及びウエーハ製造装置
JP6635864B2 (ja) 加工装置
JP2013187275A (ja) 加工方法
JP5877719B2 (ja) 搬送方法
JP7493465B2 (ja) 加工装置及び被加工物の搬出方法
JP2019212753A (ja) 被加工物ユニットの保持機構及び保持方法
CN110867398B (zh) 卡盘工作台和晶片的加工方法
JP2008016485A (ja) ウェーハ搬送方法及びウェーハ搬送ユニット
JP6084115B2 (ja) 加工装置
JP7341608B2 (ja) フランジ機構及び切削装置
JP5495936B2 (ja) ウェーハ保持装置およびウェーハ処理装置
JP7313766B2 (ja) 搬送機構、被加工物の搬送方法及び加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130809

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140617

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140814

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140902

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5623213

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250