JP4895594B2 - 基板の切削加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の基板に対して切断や溝加工といった切削加工を切削ブレードを用いて施す基板の切削加工方法に関する。

半導体チップ等の半導体デバイスは、シリコンウエーハ等の半導体基板材料からなるウエーハの表面に分割予定ラインを格子状に形成して多数の矩形状デバイス領域を区画し、次いでこれらデバイス領域にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いでウエーハの裏面を研削してウエーハを目的厚さまで薄化し、この後、分割予定ラインに沿ってウエーハを分割するといった過程を経て製造される。このような製造過程の中では、ウエーハを薄化する前の段階でウエーハの周縁を面取りし、取扱い時に周縁に割れや欠けなどの損傷を生じにくくする加工が施される場合がある。

また、面取り加工されたウエーハが薄化されると、周縁の断面は外周側にいくほど薄くなるように鋭角化し、ナイフエッジ状に変化する。このままでは再び同様の損傷が生じやすくなるので、周縁が厚さ方向に沿った面（面方向に垂直な面）になるように、予め薄化前にナイフエッジにならないようにするための切削加工が施される（特許文献１参照）。周縁に割れや欠けなどの損傷が生じると、そこが起点となって電子回路が形成されたデバイス領域まで損傷が延び、ウエーハ自体が破損して使用不能になるおそれがあるので、上記の周縁に対する加工は有効とされる。

さて、ナイフエッジを防止するための切削加工は、面取りされた薄化前のウエーハにおける表面側の周縁に環状の段差を形成するか、あるいは円形状の溝を形成することにより達成される。これらの段差や溝の径は、最終的に得るウエーハの直径に対応した円形状で、その深さは、薄化後のウエーハの目的厚さに相当する深さとされる。そしてウエーハの裏面が研削されて薄化加工が施されると、ナイフエッジ状の周縁が残ることなく厚さ方向に沿った面が得られるのである（特許文献１、特に図２〜図４参照）。

このような周縁の切削加工は、表面を上に向けて水平に保持したウエーハの上方から、高速回転状態の切削ブレードを下降させてウエーハ表面の切削加工開始点に所定深さ切り込み、この状態からウエーハに対して切削ブレードを相対回転移動させることにより切削ブレードを水平方向に切り込んで切削する方法が採られている。

また、半導体デバイスの分野では、比較的大径のウエーハから、小径のウエーハを切り出したり円形以外の異形のウエーハを切り出したりすることも行われる場合があるが、その際にも、切削ブレードをウエーハの表面に対して所定深さまで落とし込んでから水平方向に切り込んでいる（特許文献２参照）。

特開２０００−１７３９６１号公報 特開平１１−５４４６１号公報

上記公報に記載の切削ブレードは回転軸を有するスピンドルの先端に同軸的に装着されており、通常、スピンドルの軸方向を水平に保持した状態でそのスピンドルが軸方向に沿った水平方向および鉛直方向に移動自在にフレーム等に支持されている。このような切削ブレードにおいては、スピンドルの下降速度が水平方向の移動速度よりも比較的遅く設定されているのが一般的であった。また、ウエーハに対して切削ブレードを切り込ませる際に切削ブレードに負荷が大きくかかって切削ブレードに撓みが生じることを回避するために、切削ブレードの下降速度を速くすることにも限度があった。これらの事情から、切削ブレードの下降速度は遅く、製造者にとっては切削加工開始点に切削ブレードが達するまでの時間が長く、生産効率に劣るといった不満があった。

よって本発明は、半導体ウエーハ等の基板に対して切断や溝加工といった切削加工を切削ブレードを用いて施す場合に、基板に対する切削ブレードの切り込み速度を速めることができ、その結果として生産効率の向上が図られる基板の切削加工方法を提供することを目的としている。

本発明は、回転自在に設けられたチャックテーブルの表面に保持した基板に対して、円盤状の切削ブレードを回転させながら切り込んで、該基板に設定された円形状の切削加工予定ラインに沿って切削加工するにあたり、基板の面方向の延長方向である該基板の側方に切削ブレードを配するとともに、その基板厚さ方向の位置を、基板に対する切り込み深さに相当する位置に予め設定しておき、この状態から該切削ブレードを基板に向けて該基板の接線方向に沿って相対的に移動させ、これによって切削ブレードを基板の端縁から該基板における切削加工予定ラインの外周側に所定速度で直線的に進入させて基板内に設定されている切削加工開始点に到達させ、該切削加工開始点に到達したら該切削ブレードの進入を停止させ、次いで、切削ブレードの基板に対する直線的進入の停止を保持した状態で、基板をチャックテーブルごと回転させて、切削加工開始点までの進入時の速度と同じ切削速度で切削加工予定ラインに沿って切削ブレードを切り込んでいくことにより基板に切削加工を施すことを特徴としている。

本発明によれば、基板の側方に配した切削ブレードを基板に向けて相対的に近付け、さらに切削ブレードを基板の端縁から進入させて切り込んでいき、切削加工開始点まで到達させる。この時の切削ブレードの進入方向は基板に設定された円形状の切削加工予定ラインの接線方向と平行であり、切削ブレードの回転軸線が水平である一般的な装置構成の場合には水平方向となる。すなわち本発明では切削ブレードの基板に対する進入方向を、従来の基板厚さ方向（下降方向）ではなく、その方向に直交する基板の面方向（水平方向）に替えたものである。

このように切削ブレードを基板の端縁から面方向に沿って進入させる方法を採ることにより、従来の下降による進入の場合と比べると切削ブレードをより速く切削加工開始点に到達させることが可能となる。また、本発明のような側方進入の場合は下降進入の場合よりも切削ブレードにかかる負荷が小さいため、切削ブレードの進入速度を速くすることができるという面もある。これらのことから、基板に対する切削ブレードの切り込み速度を速めることができ、その結果として生産効率の向上が図られる。

切削ブレードによる切削加工の形態は、基板の周縁を完全に切り離して円盤状の基板を得る切断加工や、上述したナイフエッジ防止策としての環状の溝あるいは段差を加工する形態が挙げられる。

切削ブレードの基板に対する進入速度は、切削ブレードの刃厚によっても速度の上限は変動するが、概ね１〜１０ｍｍ／秒が好適とされる。この速度範囲を好適とする理由は、１ｍｍ／秒を下回ると従来の下降進入の場合と同等速度になり本発明の効果が奏されず、また、１０ｍｍ／秒を超えると加工品質を低下させるおそれがあるからである。

本発明によれば、切削ブレードを基板の側方から切削加工予定ラインの接線方向に沿って進入させるので、従来の下降による表面への進入の場合と比べると切削ブレードをより速く切削加工開始点に到達させることが可能となり、その結果として生産効率の向上が図られるといった効果を奏する。

以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１は、本実施形態の基板である円盤状の半導体ウエーハ（以下、ウエーハと略称）１を示している。このウエーハ１はシリコンウエーハ等であって、厚さは６００〜７００μｍ程度のものであり、図１（ｂ）に示すように、ウエーハ１の周縁は断面Ｒ状に面取り加工されている。ウエーハ１の表面には格子状の分割予定ライン２によって多数の矩形状の半導体チップ３が区画されており、これら半導体チップ３の表面にはＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。

ウエーハ１は裏面側が研削されて目的厚さ（例えば５０〜１００μｍ程度）に薄化された後、分割予定ライン２に沿って切断、分割され、多数の半導体チップ３に個片化される。本実施形態は、ウエーハ１が薄化された後に周縁がナイフエッジ状になることを未然に防止する切削加工を、図２に示す切削加工装置１０を用いて行う方法である。以下、この切削加工装置１０について説明する。

［２］切削加工装置
切削加工装置１０は略直方体状の基台１１を有し、この基台１１の水平な上面には位置決め機構２０が設けられ、さらに、位置決め機構２０の周囲には時計回りにカセット３０、切削機構４０、洗浄ユニット５０が配列されている。ウエーハ１は、複数がカセット３０に収容された状態で基台１１上の所定位置に設置される。なお、図２に示すように、基台１１の一方の辺方向および他の辺方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向と矢印で示し、さらにこれら方向の一方側および他方側に、それぞれａ，ｂを付随させて、特に方向を特定する場合にこれらの符号（Ｘａ，Ｘｂ，Ｙａ，Ｙｂ）を適宜用いることとする。

カセット３０から１枚のウエーハ１が取り出され、そのウエーハ１は位置決め機構２０を経由して切削機構４０に移され、この切削機構４０によってウエーハ１の周縁が切削加工される。この後、ウエーハ１は位置決め機構２０を経由して洗浄ユニット５０に移され、この洗浄ユニット５０で洗浄される。洗浄されたウエーハ１はもう一度位置決め機構２０を経由してカセット３０に戻される。基台１１上には、このようにウエーハ１を移送する移送ロボットが設けられている（図示略）。以下に、ウエーハ１の移送順にしたがってカセット３０、位置決め機構２０、切削機構４０、洗浄ユニット５０を説明する。

Ａ．カセット
カセット３０は持ち運びが可能で、複数のウエーハ１を積層して収容するもので、基台１１上の所定のカセット設置部に着脱可能にセットされる。カセット３０は、互いに離間した一対の平行なケース３１を有しており、これらケース３１の内側の互いの対向面に、ラック３２が上下方向に複数段設けられている。これらラック３２に、表面を上に向けた水平な姿勢のウエーハ１がスライド可能に挿入されるようになっている。カセット３０は、基台１１上のカセット設置部に、ウエーハ１のスライド方向がＹ方向と平行になるようにしてセットされる。カセット３０内のウエーハ１は、上記移送ロボットによって位置決め機構２０に移送される。

Ｂ．位置決め機構
位置決め機構２０は、Ｙ方向に延びる一対の平行なガイドバー２１が、互いに近付いたり離れたりするようにリンクしながらＹ方向に直交するＸ方向に移動するように構成されている。ウエーハ１は、ガイドバー２１の間の基台１１上に載置され、近付き合うガイドバー２１に挟まれることにより、切削機構４０、洗浄ユニット５０およびカセット３０への中継位置が定められる。

Ｃ．切削機構
切削機構４０は、矩形状のテーブルベース４１上に回転自在に設けられた円盤状のチャックテーブル４２と、このチャックテーブル４２の上方に配設された切削ユニット４５とを備えている。テーブルベース４１は、基台１１上に図示せぬガイドレールを介してＸ方向に移動自在に設けられ、図示せぬ往復駆動機構によって往復移動させられる。チャックテーブル４２は、上面が水平で、Ｚ方向（鉛直方向）を軸線として回転自在にテーブルベース４１に支持されており、図示せぬ回転駆動機構によって時計方向または反時計方向に回転させられる。

チャックテーブル４２は周知の真空チャック式であって、表裏面に通じる多数の細かな吸引孔を有し、裏面側には図示せぬ真空装置の空気吸引口が配されている。ウエーハ１は真空装置を運転した状態からチャックテーブル４２の上面に載置されて吸着、保持される。テーブルベース４１の移動方向の両端部には、テーブルベース４１の移動路を塞いで塵埃等が侵入することを防ぐ蛇腹状のカバー４３が伸縮自在に設けられている。

切削ユニット４５は、軸方向がＹ方向と平行な状態に保持された円筒状のスピンドル４６と、このスピンドル４６の一端部（図２でＹａ側の端部）に装着された切削ブレード４７とを備えている。切削ブレード４７は、刃厚が０．１ｍｍ程度のものが用いられる。スピンドル４６は回転軸および回転軸を回転駆動させるモータ等を内蔵しており（いずれも図示略）、切削ブレード４７は回転軸に固定されている。スピンドル４６は、基台１１上に設けられた図示せぬフレームに、軸方向がＹ方向と平行な状態を保持したままで、Ｙ方向に往復移動し、かつＺ方向に上下動するように支持されている。そのフレームには、スピンドル４６をそれらの方向に移動させる図示せぬ駆動機構が設けられている。スピンドル４６の切削ブレード４７が装着された側の端部には、ブレードカバー４８が取り付けられている。このブレードカバー４８には、切削時の潤滑、冷却、清浄化等のための切削水をウエーハ１に供給する切削水ノズル４９Ａ，４９Ｂが取り付けられている。

上記構成の切削機構４０によれば、チャックテーブル４２上にウエーハ１が吸着、保持され、そのウエーハ１に対して切削ブレード４７を切り込むことによってウエーハ１が切削される。切削ブレード４７のＹ方向の切り込み位置はスピンドル４６をＹ方向に移動させることにより調整され、切削深さはスピンドル４６をＺ方向に移動させることにより調整される。そして、テーブルベース４１をＸ方向に移動させることによりＸ方向への切削が進行し、チャックテーブル４２を回転させると円形状の切削が可能となっている。

Ｄ．洗浄ユニット
洗浄ユニット５０は、上記切削機構４０のチャックテーブル４２と同様の真空チャック式のチャックテーブル５１と、このチャックテーブル５１の周囲に配設された洗浄水ノズルおよびエアノズル（いずれも図示略）とを備えている。チャックテーブル５１は、水平な上面にウエーハ１を吸着、保持し、図示せぬ回転駆動機構によって高速で回転させられる。チャックテーブル５１上に保持されて高速回転させられるウエーハ１に対して、洗浄水ノズルから洗浄水が噴射され、これによってウエーハ１は洗浄される。そして、チャックテーブル５１の回転を続行するとともに洗浄水の噴射を停止することにより洗浄水はスピンアウトし、さらにエアノズルからウエーハ１に空気が噴射されることにより、洗浄されたウエーハ１が乾燥処理される。

［３］切削加工装置の動作
次に、上記切削加工装置の動作を説明する。先に述べたように、本実施形態は、ウエーハ１が薄化された後に周縁がナイフエッジ状になることを防止する切削加工を施す方法である。この場合の切削加工の形態は、図３、図４および図５（ａ）に示すように、ウエーハ１の表面側の周縁に、円形状の溝４を全周にわたって形成するものである。図３および図４の破線５は、溝４が形成される部分であって、最終的に得ようとするウエーハ１の外形を示し、これは、切削機構４０のチャックテーブル４２上に保持されたウエーハ１に形成する溝４の切削加工予定ラインとされる。

切削加工装置１０による切削加工は、まずはじめに、上記の移送ロボットによってカセット３０内の１枚のウエーハ１が、位置決め機構２０における２つのガイドバー２１の間に表面を上に向けた状態で水平に置かれる。そして、２つのガイドバー２１が互いに近付く方向にリンクして移動し、両ガイドバー２１がウエーハ１に当接して挟んだ時点で移動を停止する。これによってウエーハ１は切削機構４０のチャックテーブル４２への移送開始位置に位置決めされる。

チャックテーブル４２は予め吸着運転されており、ウエーハ１はそのチャックテーブル４２上に移送ロボットによって移され、吸着、保持される。上記切削加工予定ライン５はこの時点で設定されるものであって、チャックテーブル４２の回転中心を中心とした直径に対応し、かつ多数の半導体チップ３の形成領域を囲む円である。また、切削加工予定ライン５の最もＹｂ側の点、すなわちチャックテーブル４２の回転中心から、得ようとするウエーハ１の半径の距離Ｙｂ方向に離れた点が、切削加工開始点６（図１（ａ）参照）に設定される。

次に、テーブルベース４１のＸ方向の移動と、切削ユニット４５のＹ方向およびＺ方向への移動を適宜に行って、ウエーハ１に対する切削ブレード４７の位置が、切削加工開始点６に対応する切削開始位置に定められる。その切削開始位置は、図４に示すように、Ｙ方向が切削加工開始点６と同じ位置、Ｘ方向はウエーハ１よりもＸａ側に外れた側方の任意の位置、Ｚ方向は切削ブレード４７の切り込み深さが薄化後のウエーハ１の目的厚さに相当する位置とされる。すなわち、切削ブレード４７は、切削加工開始点６からＸａ側に延びる切削加工予定ライン５の接線７上に配置される。

このように切削ブレード４７が切削開始位置に定められたら高速回転させ、次いでテーブルベース４１をＸａ方向に一定速度で移動させる。これによって切削ブレード４７をウエーハ１の周縁から相対的にＸｂ方向に進入させて切り込んでいき、切削ブレード４７が切削加工開始点６まで到達したらテーブルベース４１を停止させる。このように切削ブレード４７を進入させたウエーハ１には、図４に示すように、切削ブレード４７の進入点から切削加工開始点６まで、Ｘ方向すなわち接線７方向に沿った溝が形成される。この溝は、切削加工予定ライン５よりも外周側に形成される。切削ブレード４７がウエーハ１に進入して溝を形成する速度、すなわちテーブルベース４１のＸａ方向への移動速度は、１〜１０ｍｍ／秒に設定される。

次に、テーブルベース４１の停止を保持し、かつ切削ブレード４７の回転を続けたまま、チャックテーブル４２を一方向に回転させてウエーハ１を回転させ、切削ブレード４７を切削加工予定ライン５に沿って切り込んでいく。なお、このときのチャックテーブル４２の回転速度すなわち切削ブレード４７の切削速度は、進入時の速度と同じく１〜１０ｍｍ／秒に設定される。ウエーハ１を１回転させて切削ブレード４７が切削加工開始点６に戻ったら、切削加工予定ライン５に沿った円形の溝４が形成される。溝４が形成されたら、切削ブレード４７を待機位置まで上昇させる。

上記のようにナイフエッジ防止用の溝４が周縁の全周にわたって形成されたウエーハ１は、移送ロボットによって再び位置決め機構２０に移され、ここで洗浄ユニット５０のチャックテーブル５１への移送開始位置が定められてから、移送ロボットによって洗浄ユニット５０のチャックテーブル５１上に移される。ウエーハ１はチャックテーブル５１上に吸着、保持され、次いでチャックテーブル５１を高速で回転させながら、回転するウエーハ１に対して洗浄水ノズルから洗浄水が所定時間噴射される。これにより、ウエーハ１の表面や形成した溝４に存在していた水はスピンアウトし、水とともに切削屑や塵埃などが除去されてウエーハ１が洗浄される。

引き続きチャックテーブル５１を回転させながら、エアノズルからウエーハ１に空気が噴射され、これによってウエーハ１が乾燥処理される。このようにして洗浄されたウエーハ１は、移送ロボットによって洗浄ユニット５０から位置決め機構２０を経由してカセット３０内に収容され、次の裏面研削による薄化工程に移される。

薄化工程では、図６に示すように、裏面に保護テープ８が貼着されたウエーハ１を、真空チャック式のチャックテーブル６１上に保護テープ８を介して吸着、保持し、そのウエーハ１の表面に対して、高速回転させた研削ホイール６２の砥石６３を押圧することによって、ウエーハ１の裏面が研削される。

ウエーハ１の裏面が研削されて目的厚さに薄化されると、図５（ｂ）に示すように、溝４から外周側のウエーハ１の周縁は離脱して除去され、ウエーハ１の周縁は、厚さ方向に沿った溝４の内側の面に形成される。これは、溝４の深さが目的厚さに相当するものであったからに他ならない。したがって、溝４の深さは薄化後のウエーハ１の目的厚さに相当する必要があり、その目的厚さよりも深くてもよい。ちなみに、溝４を加工しないまま従来のようにウエーハ１を薄化すると、図５（ｃ）に示すように周縁はナイフエッジ状に鋭角化し、割れや欠けなどの損傷が生じやすいものとなる。なお、図５の破線はウエーハ１の研削された部分を示している。

以上説明したように、本実施形態によれば、水平に保持されているウエーハ１に対し、切削ブレード４７をウエーハ１の周縁から水平方向に進入させることにより、従来の下降による進入の場合と比べると、切削ブレード４７をより速く切削加工開始点６に到達させることができる。

例えば、切削ユニット４５の下降速度は、ミクロン単位の切り込み深さの設定が求められることから比較的遅いものであったが（例えば０．０５ｍｍ／秒）、水平移動に関しては比較的ラフな操作が許容されることから、上記のように１〜１０ｍｍ／秒といった程度の速度に設定される。また、ウエーハ１に対しての側方進入の場合は下降進入の場合よりも切削ブレード４７にかかる負荷が小さいため、切削ブレード４７の進入速度を速くすることができるという面もある。これらのことから、本実施形態のように切削ブレード４７を側方から進入させる方法を採ることにより進入速度を速めることができ、その結果として切削加工に要する時間が短縮されて生産効率の向上が図られる。

［４］溝の代わりに段差を形成する切削加工
上記実施形態はナイフエッジ防止策としてウエーハ１の周縁に溝４を形成する切削加工であるが、溝４の代わりに、図７（ａ）に示すように段差９を形成することによっても同様の効果を得ることができる。段差９を形成するには、上記切削ユニット４５の切削ブレード４７の刃厚をより厚いものとし（例えば０．５ｍｍ程度）、その切削ブレード４７のＹａ側の面を切削加工予定ライン５に位置付けして、上記と同様に側方からウエーハ１の周縁に進入させて切削加工開始点６まで切り込んだ後、ウエーハ１を１回転させる。この場合、切削ブレード４７の刃厚はウエーハ１の周縁よりも外周側にはみ出る寸法とし、段差９の形成によって不要な周縁は削り取ってしまう。この後、ウエーハ１の裏面を研削して薄化すると、図７（ｂ）に示すように、ナイフエッジのないウエーハ１を得ることができる。

［５］周縁を切り落とす切削加工
これまでの実施形態は、ウエーハ１の表面側の周縁に溝４や段差９を形成して、ウエーハ１を薄化した際に周縁がナイフエッジにならないようにするための切削加工であったが、周縁を全周にわたって切り落とし、薄化する前にウエーハ１を目的の直径にする切削加工も、上記実施形態のように切削ブレード４７の側方進入によって行うことができる。その場合、ウエーハ１を切削機構４０のチャックテーブル４２に直接載置すると、ウエーハ１を貫通する切削ブレード４７がチャックテーブル４２の上面に当たるため不適当であるから、図８に示すようにウエーハ１の裏面にダイシングテープ７１を貼り付け、切削ブレード４７の切削深さを、このダイシングテープ７１に切り込む程度に設定する。

ダイシングテープ７１は、ウエーハ１よりも大きな円形状で片面が粘着面とされた粘着テープであり、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ５μｍ程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。このままではウエーハ１は取扱いにくいので、ダイシングテープ７１の粘着面の周縁に、ステンレス等の金属でできた環状の板材からなるダイシングフレーム７２を貼り付け、ダイシングフレーム７２を保持することによってウエーハ１のハンドリングを可能とする。

図９は、上記切削加工装置を用いて、ダイシングテープ７１およびダイシングフレーム７２を装着したウエーハ１に対し、その周縁を切り落とす切削加工を行う使用状況を示している。上記カセット３０にはウエーハ１を保持したダイシングテープ７１およびダイシングフレーム７２が収容され、このカセット３０から、上記と同様の手順でウエーハ１がダイシングテープ７１およびダイシングフレーム７２ごと移送され、周縁を切り落とす切削加工が施される。切削機構４０で用いられる切削ブレード４７の刃厚は、この場合０．３ｍｍ程度とされる。なお、この場合には、ダイシングフレーム７２の上下動を規制するクランプ４４がテーブルベース４１に取り付けられている。

半導体ウエーハの（ａ）平面図（拡大部分は半導体チップ）、（ｂ）側面図である。 本発明の一実施形態を実施するに好適な切削加工装置の斜視図である。 （ａ）切削加工装置の切削ブレードでウエーハ周縁に溝を形成している状態の斜視図、（ｂ）溝が形成されたウエーハを示す断面図である。 切削ブレードがウエーハに進入する様子を示す平面図である。 （ａ）〜（ｂ）はウエーハ周縁への溝加工からウエーハ裏面研削による薄化の過程を示す断面図であり、（ｃ）は溝加工をしなかった場合の薄化したウエーハの周縁部断面図である。 ウエーハの裏面を研削する工程を示す側面図である。 ウエーハの周縁に段差を形成してから裏面研削による薄化の過程を（ａ）〜（ｂ）の順に示す断面図である。 ダイシングテープを介してダイシングフレームに支持された状態の半導体ウエーハを示す（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。 図２に示した切削加工装置を用いて、ダイシングテープおよびダイシングフレームを装着したウエーハの周縁を切り落とす切削加工を行う使用状況を示す斜視図である。

符号の説明

１…半導体ウエーハ１（基板）、５…切削加工予定ライン、６…切削加工開始点、４２…チャックテーブル（保持部材）、４７…切削ブレード。

Claims (2)

1. 回転自在に設けられたチャックテーブルの表面に保持した基板に対して、円盤状の切削ブレードを回転させながら切り込んで、該基板に設定された円形状の切削加工予定ラインに沿って切削加工するにあたり、
   前記基板の面方向の延長方向である該基板の側方に前記切削ブレードを配するとともに、その基板厚さ方向の位置を、基板に対する切り込み深さに相当する位置に予め設定しておき、
   この状態から該切削ブレードを前記基板に向けて該基板の接線方向に沿って相対的に移動させ、これによって切削ブレードを基板の端縁から該基板における前記切削加工予定ラインの外周側に所定速度で直線的に進入させて基板内に設定されている切削加工開始点に到達させ、該切削加工開始点に到達したら該切削ブレードの進入を停止させ、
   次いで、前記切削ブレードの前記基板に対する直線的進入の停止を保持した状態で、前記基板を前記チャックテーブルごと回転させて、前記切削加工開始点までの進入時の速度と同じ切削速度で前記切削加工予定ラインに沿って切削ブレードを切り込んでいくことにより基板に切削加工を施すことを特徴とする基板の切削加工方法。
2. 前記切削ブレードの前記基板に対する進入速度が１〜１０ｍｍ／秒であることを特徴とする請求項１に記載の基板の切削加工方法。

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