JP6635864B2 - 加工装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの面取り部分を除去する際に用いられる加工装置に関する。
近年、小型軽量なデバイスチップを実現するために、シリコン等の半導体材料でなるウェーハを薄く加工(以下、薄化)することが求められている。例えば、表面のストリート(分割予定ライン)で区画された領域にIC等のデバイスが形成されたウェーハは、裏面側を研削されることで薄化される。薄化後のウェーハは、ストリートに沿って各デバイスに対応する複数のデバイスチップへと分割される。
このようなデバイスチップの製造に用いられるウェーハの外周縁は、搬送中の欠け等を防ぐために面取りされている。しかしながら、面取りされたウェーハを研削によって薄化すると、ウェーハの外周部分はナイフエッジのように薄く尖り、却って欠け、割れ等が発生し易くなってしまう。
そこで、研削による薄化の前に、ウェーハの面取りされた部分(面取り部分)を切削、除去するウェーハの加工方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この加工方法では、研削前のウェーハに切削ブレードを切り込ませて面取り部分を切削、除去することで、研削後に外周部分が薄く尖ってしまうのを防いでいる。
また、上述のような加工方法に適した加工装置も提案されている(例えば、特許文献2参照)。この加工装置は、例えば、ウェーハの外周部分のみを裏面側から保持する保持テーブルを備えている。保持テーブルによってウェーハの外周部分のみを保持しながらウェーハの表面側に切削ブレードを切り込ませることで、加工屑等の異物が保持テーブルに残留している場合にも、異物がウェーハの中央部分に付着する可能性を低く抑えられる。
特開2000−173961号公報 特開2015−23239号公報
しかしながら、上述の加工装置では、保持テーブルの保持面の高さを基準に切削ブレードの高さを制御するので、保持テーブルの保持面に異物が残留すると、保持面の高さが変わって切削ブレードの高さを適切に制御できない。その結果、保持テーブルによって保持されるウェーハへの切削ブレードの切り込み深さを適切に制御できなくなり、加工の精度が低下し易かった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを精度良く加工できる加工装置を提供することである。
本発明の一態様によれば、ウェーハの外周部分を保持する環状の保持面を有する保持テーブルと、ウェーハの外周縁を面取りしてなる面取り部分を除去するハーフカット加工を該保持テーブルで保持したウェーハに施す切削ブレードが装着される加工ユニットと、該保持テーブルの該保持面を洗浄する洗浄部と該洗浄部に洗浄液を供給する洗浄液供給路とを有する洗浄ユニットと、該洗浄部を該保持面に接触する洗浄位置と該保持面から離れた退避位置との間で移動させる移動機構と、該洗浄部と該保持面とを該保持面に対して平行な方向に相対的に移動させる相対移動機構と、該退避位置で該洗浄部を収容する凹部を有し、該凹部に該洗浄部が収容された状態で該洗浄液供給路から該洗浄液が供給されることにより該洗浄部を洗浄する洗浄部洗浄ユニットと、を備え、該保持面の洗浄を開始する前、及び該保持面の洗浄が完了した後に、該洗浄部が該退避位置に位置付けられる加工装置が提供される。
本発明の一態様において、該洗浄液で満たされた該凹部に該洗浄部を収容することが好ましい。
本発明の一態様に係る加工装置は、保持テーブルの持つ環状の保持面を洗浄するための洗浄ユニットを備えるので、加工の際に発生する加工屑等の異物が保持面に付着した場合にも、保持面を洗浄して異物を除去できる。すなわち、本発明の一態様に係る加工装置によれば、保持テーブルに残留する異物を適切に除去できるので、切削ブレードの切り込み深さを制御してウェーハを精度良く加工できる。
加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 主にテーブル洗浄ユニットの外観を模式的に示す図である。 主にテーブル洗浄ユニットの断面を模式的に示す図である。 図4(A)は、面取り部分を除去するためのハーフカット工程(ハーフカット加工)を模式的に示す図であり、図4(B)は、洗浄工程を模式的に示す図である。 図5(A)及び図5(B)は、保持テーブル洗浄工程を模式的に示す図である。 図6(A)及び図6(B)は、保持テーブル洗浄工程を模式的に示す図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係る加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、加工装置2は、各構造を支持する基台4を備えている。基台4の上面前端側には、Y軸方向(左右方向、割り出し送り方向)に長い矩形の開口4aが形成されており、この開口4a内には、ウェーハ11を搬送するための第1搬送機構(第1搬送手段)6が配置されている。
Y軸方向で開口4aの一方側の端部の後方には、矩形の開口4bが形成されており、この開口4b内には、カセット支持台8が昇降可能に設けられている。カセット支持台8の上面には、複数のウェーハ(被加工物)11を収容する直方体状のカセット10が載せられる。
ウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体でなる円形の基板であり、その表面11a側は、中央のデバイス領域(中央部分)と、デバイス領域を囲む外周余剰領域(外周部分)とに分けられている。デバイス領域は、格子状に配列された分割予定ライン(ストリート)で更に複数の領域に区画されており、各領域には、IC、LSI等のデバイス13が形成されている。
また、ウェーハ11は、外周縁を面取りして形成される面取り部分11c(図4(A)等参照)を備える。加工装置2は、この面取り部分11cの切削、除去に用いられる。なお、本実施形態では、シリコン等の半導体でなる円形の基板をウェーハ11としているが、ウェーハ11の材質、形状等に制限はない。例えば、セラミック、樹脂、金属等の材料でなる基板をウェーハ11として用いることもできる。
カセット支持台8の斜め後方には、X軸方向(前後方向、加工送り方向)に長い矩形の開口4cが形成されている。この開口4c内には、X軸移動テーブル12、X軸移動テーブル12をX軸方向に移動させるX軸移動機構(加工送り手段)(不図示)及びX軸移動機構を覆う防塵防滴カバー14が設けられている。
X軸移動機構は、X軸方向に概ね平行な一対のX軸ガイドレール(不図示)を備えており、X軸ガイドレールには、X軸移動テーブル12がスライド可能に取り付けられている。X軸移動テーブル12の下面側には、ナット(不図示)が設けられており、このナットには、X軸ガイドレールに概ね平行なX軸ボールネジ(不図示)が螺合されている。
X軸ボールネジの一端部には、X軸パルスモータ(不図示)が連結されている。X軸パルスモータでX軸ボールネジを回転させることで、X軸移動テーブル12は、X軸ガイドレールに沿ってX軸方向に移動する。
X軸移動テーブル12の上方には、第1搬送機構6によってカセット10から搬送されたウェーハ11の外周部分を保持する保持テーブル(保持手段)16が設けられている。この保持テーブル16は、モータ等の回転駆動源(相対移動機構、相対移動手段)(不図示)に連結されており、Z軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル16は、上述のX軸移動機構でX軸方向に加工送りされる。
保持テーブル16は、ステンレス等の金属でなる円柱状の基台部18(図4(A)等参照)と、樹脂等でなり基台部18の上面18a(図4(A)等参照)に固定される環状の保持部20(図4(A)等参照)と、を含む。保持部20の上面は、ウェーハ11の外周部分を裏面11b側から保持する保持面20a(図4(A)等参照)となっている。この保持面20aには、保持部20を上下に貫通する貫通孔20b(図4(A)等参照)の上端が開口している。
貫通孔20bの下端側には、基台部18の内部に形成された吸引路18b(図4(A)参照)の一端側が接続されている。吸引路18bの他端側には、開閉弁22(図4(A)参照)等を介して吸引源24(図4(A)参照)が接続されている。これにより、吸引源24で発生させた負圧を、保持面20a上のウェーハ11に作用させることができる。
基台4の上面には、2組の加工ユニット(加工手段)26を支持する門型の支持構造28が、開口4cを跨ぐように配置されている。支持構造28の前面上部には、各加工ユニット26をY軸方向及びZ軸方向に移動させる2組の加工ユニット移動機構(割り出し送り手段、昇降手段)30が設けられている。
各加工ユニット移動機構30は、支持構造28の前面に配置されY軸方向に概ね平行な一対のY軸ガイドレール32を共通に備えている。Y軸ガイドレール32には、各加工ユニット移動機構30を構成するY軸移動プレート34がスライド可能に取り付けられている。
各Y軸移動プレート34の後面側(裏面側)には、ナット(不図示)が設けられており、このナットには、Y軸ガイドレール32に概ね平行なY軸ボールネジ36がそれぞれ螺合されている。各Y軸ボールネジ36の一端部には、Y軸パルスモータ38が連結されている。Y軸パルスモータ38でY軸ボールネジ36を回転させれば、Y軸移動プレート34は、Y軸ガイドレール32に沿ってY軸方向に移動する。
各Y軸移動プレート34の前面(表面)には、Z軸方向に概ね平行な一対のZ軸ガイドレール40が設けられている。Z軸ガイドレール40には、Z軸移動プレート42がスライド可能に取り付けられている。
各Z軸移動プレート42の後面側(裏面側)には、ナット(不図示)が設けられており、このナットには、Z軸ガイドレール40に概ね平行なZ軸ボールネジ44がそれぞれ螺合されている。各Z軸ボールネジ44の一端部には、Z軸パルスモータ46が連結されている。Z軸パルスモータ46でZ軸ボールネジ44を回転させれば、Z軸移動プレート42は、Z軸ガイドレール40に沿ってZ軸方向に移動する。
各Z軸移動プレート42の下部には、加工ユニット26が設けられている。この加工ユニット26は、Y軸方向に概ね平行な回転軸となるスピンドル48(図4(A)参照)を備える。スピンドル48の一端側には、円環状の切削ブレード50が装着されており、スピンドル48の他端側には、モータ等の回転駆動源が連結されている。また、加工ユニット26の近傍には、保持テーブル16上のウェーハ11等を撮像するカメラ(撮像ユニット、撮像手段)(不図示)が設置されている。
Y軸方向で開口4aの他方側(開口4bの反対側)の端部の後方には、円形の開口4dが形成されている。開口4d内には、加工後のウェーハ11を洗浄するウェーハ洗浄ユニット(ウェーハ洗浄手段)52が設けられている。ウェーハ洗浄ユニット52は、ウェーハ11を吸引、保持するスピンナテーブル54と、スピンナテーブル54で吸引、保持したウェーハ11に洗浄用の流体を噴射するノズル56とを含む。
スピンナテーブル54は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、Z軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、スピンナテーブル54は、昇降機構(不図示)に連結されており、上方の搬入搬出位置と下方の洗浄位置との間を移動できる。このスピンナテーブル54の上面は、ウェーハ11の中央部分を裏面11b側から吸引、保持する保持面54a(図4(B)参照)となっている。
保持面54aは、スピンナテーブル54の内部に形成された吸引路54b(図4(B)参照)や、開閉弁58(図4(B)参照)等を介して、吸引源60(図4(B)参照)に接続されている。吸引源60で発生する負圧を保持面54a上のウェーハ11に作用させることで、ウェーハ11をスピンナテーブル54によって吸引、保持できる。
開口4c,4dの近傍には、加工後のウェーハ11を保持テーブル16からスピンナテーブル54へと搬送する第2搬送機構(第2搬送手段)62が配置されている。第2搬送機構62は、ウェーハ11の外周縁を把持するための複数(本実施形態では3個)の把持部64を備える。
把持部64を、保持テーブル16の外周に形成されたスリット(凹部)18c,20c(図4(A)参照)に合せてウェーハ11の径方向に移動させることで、保持テーブル16上のウェーハ11を把持部64によって把持できる。第2搬送機構62で搬送されたウェーハ11は、例えば、表面11a側が上方に露出する態様でスピンナテーブル54の保持面54aに載せられる。洗浄後のウェーハ11は、第1搬送機構6でカセット10に収容される。
開口4cの近傍には、保持テーブル16の保持面20aを洗浄するテーブル洗浄ユニット(洗浄ユニット、洗浄手段)66が配置されている。図2は、主にテーブル洗浄ユニット66の外観を模式的に示す図であり、図3は、主にテーブル洗浄ユニット66の断面を模式的に示す図である。
図2及び図3に示すように、テーブル洗浄ユニット66は、円柱状のホルダ68を備えている。ホルダ68は、内部に空間を備えた筒状のケース70と、ケース70の上部を閉じるキャップ72とで構成される。ケース70の内部には、スポンジ等でなる洗浄部材(洗浄部)74が収容されている。洗浄部材74の下部は、ケース70の下面に形成された開口部70aを通じてケース70の外部に露出(下方に突出)している。
キャップ72には、洗浄部材74が収容されるケース70の内部の空間に純水等の洗浄液21を供給するための洗浄液供給孔72aが形成されている。この洗浄液供給孔72aは、配管等でなる洗浄液供給路76を介して洗浄液供給源78に接続されている。テーブル洗浄ユニット66で保持テーブル16を洗浄する際には、洗浄液供給源78から洗浄液供給路76を通じて洗浄部材74に洗浄液21が供給される。
テーブル洗浄ユニット66は、テーブル洗浄ユニット移動機構(移動機構、移動手段)80に支持されている。このテーブル洗浄ユニット移動機構80は、例えば、基台4に固定されたエアシリンダ82と、エアシリンダ82に挿入されるピストンロッド84とを含む。
ピストンロッド84の先端部には、移動プレート86の裏面側が固定されている。エアシリンダ82へのエアの供給量を制御することで、移動プレート86をY軸方向に移動できる。移動プレート86の表面には、Z軸方向に概ね平行な一対のガイドレール88が設けられている。ガイドレール88には、L字状の支持プレート90がスライド可能に取り付けられている。
支持プレート90の裏面側(ガイドレール86側)には、ナット(不図示)が設けられており、このナットには、ガイドレール88に概ね平行なボールネジ(不図示)が螺合されている。ボールネジの一端部には、パルスモータ(不図示)が連結されている。パルスモータでボールネジを回転させれば、支持プレート90は、ガイドレール88に沿ってZ軸方向に移動する。この支持プレート90の先端部分には、テーブル洗浄ユニット66が固定される。
エアシリンダ82の前方下部には、L字状の支持具92を介して洗浄部材洗浄ユニット(洗浄部洗浄ユニット、洗浄部洗浄手段)94が設けられている。洗浄部材洗浄ユニット94の上面側には、ケース70の下方で露出する洗浄部材74を収容可能な凹部94aが形成されている。
例えば、この凹部94aに洗浄部材74を収容し、洗浄液供給源78から洗浄液21を供給することで、洗浄部材74の下部に付着した加工屑等の異物を除去できる。なお、その際には、凹部94aをあらかじめ洗浄液21で満たしておくと良い。これにより、洗浄部材74の下部に付着した異物をより確実に除去できる。
凹部94aの底には、洗浄液排出口94bが形成されており、凹部94a内の洗浄液21は、洗浄液排出口94bを通じて徐々に排出される。洗浄液排出口94bを通じて凹部94a内の洗浄液21を排出させることで、凹部94a内に洗浄液21が滞留し難くなり、凹部94a内の洗浄液21を常に清浄な状態に保つことができる。なお、凹部94aが常に洗浄液21で満たされるように、洗浄液排出口94bの大きさを洗浄液21の供給量等に合わせて調整しておくことが望ましい。
次に、上述した加工装置2で実施されるウェーハの加工方法の概略を説明する。図4(A)は、面取り部分11cを除去するためのハーフカット工程(ハーフカット加工)を模式的に示す図である。ハーフカット工程では、まず、第1搬送機構6でカセット10からウェーハ11を搬送し、表面11a側が上方に露出する態様でウェーハ11を保持テーブル16に載せる。具体的には、保持テーブル16の保持面20aにウェーハ11の外周部分を重ねる。
次に、開閉弁22を開いて、吸引源24の負圧をウェーハ11に作用させる。これにより、ウェーハ11を保持テーブル16によって吸引、保持できる。ウェーハ11を吸引、保持した後には、保持テーブル16と加工ユニット26とを相対的に移動させて、面取り部分11cの上方に切削ブレード50を合せる。
そして、回転させた切削ブレード50を下降させ、図4(A)に示すように、ウェーハ11の面取り部分11cに切削ブレード50を切り込ませる。併せて、保持テーブル16を回転させる。これにより、ウェーハ11の全周に切削ブレード50を切り込ませ、面取り部分11cの表面11a側を切削、除去できる。
なお、切削ブレード50の下降量(切り込み深さ)は、例えば、ウェーハ11の仕上がり厚み等の条件に応じて設定される。また、切削ブレード50の厚み(幅)や、切削ブレード50を切り込ませる回数、切削ブレード50を切り込ませる位置等は、例えば、面取り部分11cの大きさ等の条件に応じて設定される。
ハーフカット工程の後には、ウェーハ11を洗浄するウェーハ洗浄工程を実施する。図4(B)は、ウェーハ洗浄工程を模式的に示す図である。ウェーハ洗浄工程では、まず、第2搬送機構62で保持テーブル16からウェーハ11を搬送し、表面11a側が上方に露出する態様でウェーハ11をスピンナテーブル54に載せる。具体的には、スピンナテーブル54の保持面54aにウェーハ11の中央部分を重ねる。なお、スピンナテーブル54は、あらかじめ上方の搬入搬出位置に移動させておく。
次に、開閉弁58を開いて、吸引源60の負圧をウェーハ11に作用させる。これにより、ウェーハ11をスピンナテーブル54によって吸引、保持できる。ウェーハ11を吸引、保持した後には、スピンナテーブル54を下方の洗浄位置まで移動させる。その後、図4(B)に示すように、スピンナテーブル54を回転させて、上方のノズル56から洗浄用の流体23を噴射する。これにより、ウェーハ11を洗浄できる。なお、この時、ノズル56を水平方向に動かしながら流体23を噴射しても良い。流体23としては、例えば、純水等の液体や、液体にエア等の気体を混合した混合流体等を用いることができる。
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、このウェーハ洗浄工程に並行して、保持テーブル16の保持面20aを洗浄する保持テーブル洗浄工程を実施する。保持テーブル洗浄工程は、例えば、ウェーハ洗浄工程で保持テーブル16からウェーハ11を搬送した後に開始される。図5(A)、図5(B)、図6(A)及び図6(B)は、保持テーブル洗浄工程を模式的に示す図である。
保持テーブル洗浄工程を開始する前には、図5(A)に示すように、あらかじめ保持テーブル16(保持面20a)から離れた退避位置にテーブル洗浄ユニット66を移動させておく。この退避位置では、洗浄部材洗浄ユニット94の凹部94aに洗浄部材74が収容される。
凹部94aに洗浄部材74が収容された状態で、洗浄液供給源78から洗浄液21を供給すれば、洗浄部材74の下部に付着した異物を除去できる。なお、本実施形態では、洗浄部材74がスポンジ等の多孔質材でなるので、図3に示すように、洗浄部材74を通じて凹部94aに洗浄液21を供給するだけで、保持面20aの洗浄に伴い洗浄部材74に付着する異物を除去できる。
保持テーブル洗浄工程では、まず、退避位置にあるテーブル洗浄ユニット66をテーブル洗浄ユニット移動機構80で上昇させて、図5(B)に示すように、洗浄部材洗浄ユニット94の凹部94aから洗浄部材74を取り出す。次に、図6(A)に示すように、テーブル洗浄ユニット66を水平方向に移動させて、洗浄部材74を保持面20aの直上に合せる。
その後、図6(B)に示すように、保持テーブル16を回転させた状態で、洗浄部材74の下部が保持面20aに接触する洗浄位置までテーブル洗浄ユニット66を下降させる。これにより、互いに接触する洗浄部材74と保持面20aとを保持面20aに対して平行な方向に相対的に移動させて、保持面20aを洗浄部材74で洗浄できる。
なお、洗浄部材74を保持面20aに接触させる際には、洗浄液供給源78から洗浄液21を供給しておくことが望ましい。これにより、保持面20aを適切に洗浄できる。保持面20aの洗浄が完了すると、上述した手順とは逆の手順でテーブル洗浄ユニット66を退避位置まで移動させる。
以上のように、本実施形態に係る加工装置2は、保持テーブル16の持つ環状の保持面20aを洗浄するためのテーブル洗浄ユニット(洗浄ユニット、洗浄手段)66を備えるので、加工の際に発生する加工屑等の異物が保持面20aに付着した場合にも、保持面20aを洗浄して異物を除去できる。すなわち、本実施形態に係る加工装置2によれば、保持テーブル16に残留する異物を適切に除去できるので、切削ブレード50の切り込み深さを制御してウェーハを精度良く加工できる。
また、本実施形態に係る加工装置2では、上述のように保持テーブル16に残留する異物を適切に除去できるので、例えば、カメラ等でウェーハ11の外周縁を撮像して得られる撮像画像に基づいて切削ブレード50の切り込み位置を決定する際に、撮像画像に異物が写り込む可能性を低く抑えられる。つまり、保持テーブル16に残留する異物によってウェーハ11の外周縁を判別できない可能性が低くなり、適切な位置に切削ブレード50を切り込ませて面取り部分11cを確実に切削、除去できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ウェーハ洗浄工程に並行して保持テーブル洗浄工程を実施しているが、保持テーブル洗浄工程を実施するタイミングや頻度は、任意に設定、変更できる。1枚のウェーハ11の加工が終了する度に保持テーブル洗浄工程を実施しても良いし、複数のウェーハ11を加工した後に保持テーブル洗浄工程を実施しても良い。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
2 加工装置
4 基台
4a,4b,4c,4d 開口
6 第1搬送機構(第1搬送手段)
8 カセット支持台
10 カセット
12 X軸移動テーブル
14 防塵防滴カバー
16 保持テーブル(保持手段)
18 基台部
18a 上面
18b 吸引路
18c スリット(凹部)
20 保持部
20a 保持面
20b 貫通孔
20c スリット(凹部)
22 開閉弁
24 吸引源
26 加工ユニット(加工手段)
28 支持構造
30 加工ユニット移動機構(割り出し送り手段、昇降手段)
32 Y軸ガイドレール
34 Y軸移動プレート
36 Y軸ボールネジ
38 Y軸パルスモータ
40 Z軸ガイドレール
42 Z軸移動プレート
44 Z軸ボールネジ
46 Z軸パルスモータ
48 スピンドル
50 切削ブレード
52 ウェーハ洗浄ユニット(ウェーハ洗浄手段)
54 スピンナテーブル
54a 保持面
54b 吸引路
56 ノズル
58 開閉弁
60 吸引源
62 第2搬送機構(第2搬送手段)
64 把持部
66 テーブル洗浄ユニット(洗浄ユニット、洗浄手段)
68 ホルダ
70 ケース
70a 開口部
72 キャップ
72a 洗浄液供給孔
74 洗浄部材(洗浄部)
76 洗浄液供給路
78 洗浄液供給源
80 テーブル洗浄ユニット移動機構(移動機構、移動手段)
82 エアシリンダ
84 ピストンロッド
86 移動プレート
88 ガイドレール
90 支持プレート
92 支持具
94 洗浄部材洗浄ユニット(洗浄部洗浄ユニット、洗浄部洗浄手段)
94a 凹部
11 ウェーハ(被加工物)
11a 表面
11b 裏面
11c 面取り部分
13 デバイス
21 洗浄液
23 流体

Claims (2)

  1. ウェーハの外周部分を保持する環状の保持面を有する保持テーブルと、
    ウェーハの外周縁を面取りしてなる面取り部分を除去するためのハーフカット加工を該保持テーブルで保持したウェーハに施す切削ブレードが装着される加工ユニットと、
    該保持テーブルの該保持面を洗浄する洗浄部と該洗浄部に洗浄液を供給する洗浄液供給路とを有する洗浄ユニットと、
    該洗浄部を該保持面に接触する洗浄位置と該保持面から離れた退避位置との間で移動させる移動機構と、
    該洗浄部と該保持面とを該保持面に対して平行な方向に相対的に移動させる相対移動機構と、
    該退避位置で該洗浄部を収容する凹部を有し、該凹部に該洗浄部が収容された状態で該洗浄液供給路から該洗浄液が供給されることにより該洗浄部を洗浄する洗浄部洗浄ユニットと、を備え
    該保持面の洗浄を開始する前、及び該保持面の洗浄が完了した後に、該洗浄部が該退避位置に位置付けられることを特徴とする加工装置。
  2. 該洗浄液で満たされた該凹部に該洗浄部を収容することを特徴とする請求項1に記載の加工装置。
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JP6139326B2 (ja) * 2013-08-08 2017-05-31 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置
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