KR20220085765A - 이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법 - Google Patents

이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법 Download PDF

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쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
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Abstract

온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 기재층(基材層)과, 상기 기재층의 한쪽 면에 배치되고, 수지 입자를 포함하는 이형층(離型層)을 가지는, 반도체 패키지의 제조에 사용하기 위한 이형 필름, 및 기재층과, 상기 기재층의 한쪽 면에 배치되고, 수지 입자를 포함하는 이형층을 가지고, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인, 반도체 패키지의 제조에 사용하기 위한 이형 필름.

Description

이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법
본 개시는, 이형(離型) 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 칩은 통상, 외기로부터의 차단 및 보호를 위해 수지로 봉지(封止)되어, 패키지로 불리우는 성형품으로서 기판 상에 실장된다. 종래, 성형품은 봉지 수지의 유로(流路)인 러너를 통하여 연결한 1칩마다 패키지로서 성형된다. 금형으로부터 성형품이 이형하는 이형성은, 금형의 구조, 봉지 수지로의 이형제의 첨가 등에 의해 담보되고 있다.
최근, 패키지의 소형화, 다핀화 등의 요청으로부터, Ball Grid Array(BGA) 방식, Quad Flat Non-leaded(QFN) 방식, 웨이퍼 레벨-Chip Size Package(WL-CSP) 방식 등의 패키지가 증가하고 있다. QFN 방식에 있어서는, 스탠드오프(stand-off)의 확보 및 단자부로의 봉지재 버(burr)의 발생을 방지하기 위하여, 한편, BGA 방식 및 WL-CSP 방식에 있어서는, 금형으로부터의 패키지의 이형성 향상을 위하여, 수지제의 이형 필름이 사용된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이형 필름을 사용하는 성형 방법은 「필름 어시스트 성형」으로 불리우고 있다.
일본공개특허 제2002-158242호 공보
필름 어시스트 성형에 있어서는, 이형 필름의 이형성에 의해, 봉지 후의 반도체 패키지를 금형으로부터 이형하는 것은 비교적 용이하다. 그러나, BGA 방식 및 WL-CSP 방식에 있어서, 종래의 트랜스퍼 몰드 방식으로부터 콤프레션 몰드 방식으로 성형 방식이 변경된 경우, 이형 필름의 금형으로의 추종성이 부족한 경우가 있다. 이형 필름의 금형으로의 추종성이 부족하면, 성형 시에 이형 필름에 주름 또는 느슨함이 발생하여, 이형 필름의 박리 시에 반도체 패키지에 손상을 입힐 가능성이 있다. 또한, 이형 필름의 주름 또는 느슨함에 기인하여 반도체 패키지에 외관 불량이 일어날 가능성이 있다. 또한, 이형 필름의 주름 또는 느슨함에 기인하여 반도체 패키지의 봉지에 결함이 생기고, 반도체 패키지에 성능 불량이 일어날 가능성이 있다. 반도체 패키지는 이후에 더욱 소형화, 박형화 및 고집적화하는 것이 예상되어, 이형 필름의 추종성의 향상이 요구되고 있다.
본 개시의 실시형태는 상기 상황 하에서 이루어졌다.
본 개시의 실시형태는, 반도체 패키지의 수지 성형에 있어서, 성형할 때 금형으로의 추종성이 우수하고, 성형 후의 봉지 수지로부터 용이하게 박리할 수 있고, 반도체 패키지에 외관 불량을 생기게 하기 어려운 이형 필름, 및 이것을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 구체적 수단에는, 이하의 태양이 포함된다.
<1> 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 기재층(基材層)과, 상기 기재층의 한쪽 면에 배치되고, 수지 입자를 포함하는 이형층을 가지는, 반도체 패키지의 제조에 사용하기 위한 이형 필름.
<2> 상기 이형층에서 차지하는 상기 수지 입자의 체적 비율이 5체적%∼65체적%인, <1>에 기재된 이형 필름.
<3> 상기 기재층이 폴리에스테르 필름인, <1> 또는 <2>에 기재된 이형 필름.
<4> 기재층과, 상기 기재층의 한쪽 면에 배치되고, 수지 입자를 포함하는 이형층을 가지고, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인, 반도체 패키지의 제조에 사용하기 위한 이형 필름.
<5> 상기 이형층에서 차지하는 상기 수지 입자의 체적 비율이 5체적%∼65체적%인, <4>에 기재된 이형 필름.
<6> 상기 기재층이 폴리에스테르 필름인, <4> 또는 <5>에 기재된 이형 필름.
<7> 반도체 패키지의 콤프레션 성형에 사용하기 위한, <1>∼<6> 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름.
<8> <1>∼<7> 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름이 배치된 금형을 사용하고, 봉지재에 의해 반도체 칩을 봉지하여 반도체 패키지를 성형하는, 반도체 패키지의 제조 방법.
본 개시의 실시형태에 의하면, 반도체 패키지의 수지 성형에 있어서, 성형할 때 금형으로의 추종성이 우수하고, 성형 후의 봉지 수지로부터 용이하게 박리할 수 있고, 반도체 패키지에 외관 불량이 생기게 하기 어려운 이형 필름, 및 이것을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 개시의 이형 필름의 층 구성의 일례를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 개시에 있어서 「공정」이라는 단어에는, 다른 공정으로부터 독립된 공정에 더하여, 다른 공정과 명확히 구별할 수 없는 경우라도 그 공정의 목적이 달성되면, 상기 공정도 포함된다.
본 개시에 있어서 「∼」을 사용하여 나타낸 수치 범위에는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치가 각각 최소값 및 최대값으로서 포함된다.
본 개시 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재된의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또한, 본 개시 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.
본 개시에 있어서 각 성분은 해당하는 물질을 복수 종류 포함해도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 종류 존재할 경우, 각 성분의 함유율 또는 함유량은, 특별히 한정하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 상기 복수 종류의 물질의 합계의 함유율 또는 함유량을 의미한다.
본 개시에 있어서 각 성분에 해당하는 입자는 복수 종류 포함해도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 입자가 복수 종류 존재하는 경우, 각 성분의 입자 직경은, 특별히 한정하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 상기 복수 종류의 입자의 혼합물에 대한 값을 의미한다.
본 개시에 있어서 「층」이라는 단어에는, 상기 층이 존재하는 영역을 관찰했을 때, 상기 영역의 전체에 형성되어 있는 경우뿐만 아니라, 상기 영역의 일부에 형성되어 있는 경우도 포함된다.
본 개시에 있어서 「(메타)아크릴」은 아크릴 및 메타크릴 중 적어도 한쪽을 의미하고, 「(메타)아크릴레이트」는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 적어도 한쪽을 의미한다.
본 개시에 있어서 실시형태를 도면을 참조하여 설명하는 경우, 상기 실시형태의 구성은 도면에 나타낸 구성으로 한정되지 않는다. 또한, 각 도면에서의 부재의 크기는 개념적인 것이며, 부재간의 크기가 상대적인 관계는 이것으로 한정되지 않는다.
본 개시에 있어서, 이형 필름이 가지는 층의 평균 두께는, 대상이 되는 층의 5점의 두께를 측정하고, 그 산술 평균값으로서 주어지는 값으로 한다. 층의 두께는, 마이크로미터를 사용하여 측정할 수 있다. 적층된 중 1개의 층의 두께 또는 복수의 층의 총 두께를 측정하는 경우에는, 전자현미경을 사용하여 이형 필름의 단면을 관찰함으로써 측정해도 된다.
본 개시에 있어서, 「MD 방향」이란, 장척형으로 제조되는 필름에 있어서 장척 방향을 의미하고, 「TD 방향」이란, 「MD 방향」에 직교하는 방향을 의미한다. 본 개시에 있어서, 「MD 방향」을 「기계 방향」이라고도 하며, 「TD 방향」을 「폭 방향」이라고도 한다.
<이형 필름>
본 개시의 제1 실시형태의 이형 필름은, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 기재층과, 상기 기재층의 한쪽 면에 배치되어 있는, 수지 입자를 포함하는 이형층을 가진다.
본 개시의 제2 실시형태의 이형 필름은, 기재층과, 상기 기재층의 한쪽 면에 배치되어 있는, 수지 입자를 포함하는 이형층을 가지고, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상이다.
이하, 제1 실시형태의 이형 필름과 제2 실시형태의 이형 필름에 공통되는 사항에 대해서는, 「본 개시의 이형 필름」으로 총칭하여 기재한다.
도 1에, 본 개시의 이형 필름의 층 구성의 일례를 개략적으로 나타낸다. 도 1에 나타낸 이형 필름(10)은, 기재층(20)과, 기재층(20) 위에 배치된 이형층(30)을 구비하고 있다. 이형층(30)은, 상기 층 중에 수지 입자를 포함한다.
본 개시의 이형 필름은, 도 1에 나타낸 구성으로 한정되지 않는다. 본 개시의 이형 필름은, 예를 들면, 기재층(20)의 이형층(30)이 설치된 면과는 반대인 면 상에, 제2 이형층을 가지고 있어도 되고, 기재층(20)과 이형층(30) 사이에 다른 층(예를 들면, 대전(帶電)방지층, 착색층 등)을 가지고 있어도 된다.
본 개시의 이형 필름에 있어서 수지 입자를 포함하는 이형층이, 반도체 패키지를 제조할 때 봉지 수지와 접촉한다.
본 개시의 이형 필름은, 반도체 패키지의 수지 성형에 있어서, 성형할 때 금형으로의 추종성이 우수하고, 성형 후의 봉지 수지(예를 들면, 에폭시 수지)로부터 용이하게 박리할 수 있고, 반도체 패키지에 외관 불량을 생기게 하기 어렵다. 본 개시의 이형 필름이 상기한 성능을 나타내는 이유는 반드시 명확하지 않지만, 하기와 같이 추측된다.
제1 실시형태의 이형 필름이 가지는 기재층은, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상이므로, 열 및 외력이 가해졌을 때 적절하게 변형하면서도 형상을 유지하고자 하는 성질을 나타내고, 그 결과, 금형에 장착할 때 및 성형 시에 봉지 수지가 유동(流動)할 때 주름 또는 느슨함이 쉽게 발생하지 않고, 금형으로의 추종성이 우수한 것으로 추측된다.
제2 실시형태의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상이므로, 열 및 외력이 가해졌을 때 적절하게 변형하면서도 형상을 유지하고자 하는 성질을 나타내고, 그 결과, 금형에 장착할 때 및 성형 시에 봉지 수지가 유동할 때 주름 또는 느슨함이 쉽게 발생하지 않고, 금형으로의 추종성이 우수한 것으로 추측된다.
그리고, 본 개시의 이형 필름이 가지는 이형층은, 수지 입자를 포함한다. 수지 입자는, 이형층의 외표면에 미세한 요철(凹凸)을 형성하고, 수지 입자의 미세한 요철이 이형층의 외표면의 미끄러짐성을 높이고, 이형성의 향상에 기여하는 것으로 추측된다. 또한, 이 미세한 요철이 봉지 수지의 플로우 자국의 발생을 억제하므로, 반도체 패키지에 외관 불량이 생기기 어려운 것으로 추측된다. 또한, 인장탄성율 및 복원율이 상기한 범위인 것과 더불어, 수지 입자는 무기 입자에 비교하여 이형층으로부터 탈락하기 어려우므로, 수지 입자를 포함하는 이형층은, 수지 입자를 포함하지 않고 무기 입자를 포함하는 이형층에 비교하요, 반도체 패키지의 표면이나 금형의 표면을 오염시키기 어렵다.
본 개시의 이형 필름은, 성형용의 금형으로의 추종성이 우수한 것에 의해, 성형 시에 주름 또는 느슨함이 생기기 어렵다. 따라서, 본 개시의 이형 필름에 의하면, (a) 이형 필름의 박리 시에 반도체 패키지에 손상을 입힐 가능성이 낮고, (b) 이형 필름의 주름 또는 느슨함에 기인한 외관 불량이 반도체 패키지에 발생하기 어려우며, (c) 이형 필름의 주름 또는 느슨함에 기인한 반도체 패키지의 봉지 결함이 생기기 어렵다.
본 개시의 이형 필름은, 성형 후의 봉지 수지로의 이형성이 우수한 것에 의해, 이형 필름의 박리에 요하는 힘이 적어지게 된다. 따라서, 본 개시의 이형 필름에 의하면, 이형 필름의 박리 시에 반도체 패키지에 손상을 입힐 가능성이 낮다.
본 개시의 이형 필름은, 성형할 때 금형으로의 추종성이 우수하고, 또한 성형 후의 봉지 수지로의 이형성이 우수하므로, 복잡한 형상을 가지는 금형 또는 비교적 깊은 홈을 가지는 금형에 대응할 수 있다. 또한, 본 개시의 이형 필름은, 이형 필름을 진공 흡착 등에 의해 금형에 배치하는 콤프레션 성형에 바람직하다.
이하, 본 개시의 이형 필름에 대하여, 각 층의 특성, 각 층에 포함되는 성분 등을 설명한다.
[기재층]
본 개시의 이형 필름은 기재층을 가진다. 기재층으로서는 특별히 한정되지 않고, 본 기술분야에서 사용되고 있는 수지 필름으로부터, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 수지 필름을 선택하는 것이 바람직하다.
(인장탄성율)
제1 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층은, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이다. 제2 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층은, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하인 것이 바람직하다.
기재층의 인장탄성율은, 하기 시험 방법에서 의해 구한다.
이형 필름을 제조하는 재료인 기재층을 준비하거나, 또는, 이형 필름으로부터 기재층 이외의 층을 박리하여 기재층을 준비한다. 기재층을 JIS K6251: 2010에 규격되어 있는 덤벨형 1호형 시험편의 형상으로 잘라낸다. 시험편의 중앙부에 40mm 이격하여 평행한 2개의 표선(標線)을 형성한다. JIS K6251: 2010에 규격되어 있는 시험 방법에 준거하여, 온도 170℃ 하에서, 인장시험기(예를 들면, (주)에이앤디 제조, 형식번호 RTC-1210)를 사용하여 인장시험을 행하고, 인장탄성율을 구한다.
구체적으로는, 시험편을 인장시험기(예를 들면, (주)에이앤디 제조, 형식번호 RTC-1210)에 설치하고, 온도 170℃ 하, 인장속도 500mm/분으로 시험편을 100% 연신한다(즉, 2개의 표선 사이가 80mm로 될 때까지 연신함). 그 때 측정된 응력-변형 곡선으로부터, 변형 ε1=0.0005(0.05%)에서의 응력σ1(MPa)과, 변형 ε2=0.0025(0.25%)에서의 응력 σ2(MPa)를 구하고, 하기 식으로부터 인장탄성율을 산출한다.
(식)… 인장탄성율(MPa)=(σ2-σ1)÷(ε2-ε1)
여기서, 기재층이 장척형으로 제조되는 수지 필름인 경우, 시험편의 길이 방향이 수지 필름의 MD 방향에 일치하는 시험편과, 시험편의 길이 방향이 수지 필름의 TD 방향에 일치하는 시험편을 제작한다. MD 방향의 시험편의 인장탄성율과 TD 방향의 시험편의 인장탄성율을 평균한 값을, 기재층의 인장탄성율로 한다.
제1 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 인장탄성율은, 금형에 대한 이형 필름의 추종성을 향상시키는 관점에서, 150MPa 이하이다. 제2 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 인장탄성율은, 금형에 대한 이형 필름의 추종성을 향상시키는 관점에서, 150MPa 이하인 것이 바람직하다. 본 개시의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 인장탄성율은, 상기 한 관점에서, 130MPa 이하가 보다 바람직하고, 110MPa 이하가 더욱 바람직하고, 100MPa 이하가 더욱 바람직하다. 본 개시의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 인장탄성율의 하한은, 기재층에 요구되는 강도를 확보하는 관점에서, 예를 들면, 1MPa 이상이며, 2MPa 이상이며, 3MPa 이상이다.
제1 실시형태의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하인 것이 바람직하다. 제2 실시형태의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이다. 본 개시의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 인장탄성율이 130MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 110MPa 이하인 것이 더욱 바람직하고, 100MPa 이하인 것이 더욱 바람직하고, 80MPa 이하인 것이 특히 바람직하다. 본 개시의 이형 필름의 온도 170℃에서의 인장탄성율의 하한은, 이형 필름에 요구되는 강도를 확보하는 관점에서, 예를 들면, 1MPa 이상이며, 2MPa 이상이며, 3MPa 이상이다.
이형 필름의 인장탄성율을 구하는 방법은, 기재층의 인장탄성율을 구하는 방법과 동일하며, 시험편으로서 이형 필름을 사용한다. 이형 필름이 장척형으로 제조되는 경우, 시험편의 길이 방향이 이형 필름의 MD 방향에 일치하는 시험편과, 시험편의 길이 방향이 이형 필름의 TD 방향에 일치하는 시험편을 제작한다. MD 방향의 시험편의 인장탄성율과 TD 방향의 시험편의 인장탄성율을 평균한 값을, 이형 필름의 인장탄성율로 한다.
(복원율)
제1 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층은, 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상이다. 제2 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층은, 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 것이 바람직하다.
기재층의 복원율은, 하기 시험 방법에서 의해 구한다.
이형 필름을 제조하는 재료인 기재층을 준비하거나, 또는, 이형 필름으로부터 기재층 이외의 층을 박리하여 기재층을 준비한다. 기재층을 JIS K6251: 2010에 규격되어 있는 덤벨형 1호형 시험편의 형상으로 잘라낸다. 시험편의 중앙부에 40mm 이격하여 평행한 2개의 표선을 형성한다. 시험편을 인장시험기(예를 들면, (주)에이앤디 제조, 형식번호 RTC-1210)에 설치하고, 온도 170℃ 하, 인장속도 500mm/분으로 시험편을 100% 연신하고(즉, 2개의 표선 사이가 80mm로 될 때까지 연신하고), 이어서, 인장시험기의 시험편 파지구를 처음의 위치까지 되돌린다. 1분간 정치(靜置) 후, 시험편을 시험기로부터 분리하고, 2개의 표선 사이의 거리 L(mm)을 계측하고, 하기 식으로부터 복원율을 산출한다.
(식)… 복원율(%)=(80-L)÷40×100
여기서, 기재층이 장척형으로 제조되는 수지 필름인 경우, 시험편의 길이 방향이 수지 필름의 MD 방향에 일치하는 시험편과, 시험편의 길이 방향이 수지 필름의 TD 방향에 일치하는 시험편을 제작한다. MD 방향의 시험편의 복원율과 TD 방향의 시험편의 복원율을 평균한 값을, 기재층의 복원율로 한다.
제1 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 복원율은, 금형에 대한 이형 필름의 추종성을 향상시키는 관점에서, 70% 이상이다. 제2 실시형태의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 복원율은, 금형에 대한 이형 필름의 추종성을 향상시키는 관점에서, 70% 이상인 것이 바람직하다. 본 개시의 이형 필름에 있어서 기재층의 온도 170℃에서의 복원율은, 상기한 관점에서, 75%∼100%가 보다 바람직하고, 80%∼100%가 더욱 바람직하고, 90%∼100%가 더욱 바람직하다.
제1 실시형태의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 것이 바람직하다. 제2 실시형태의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상이다. 본 개시의 이형 필름은, 이형 필름 전체로서, 온도 170℃에서의 복원율이 75%∼100%인 것이 보다 바람직하고, 80%∼100%인 것이 더욱 바람직하고, 90%∼100%인 것이 더욱 바람직하다.
이형 필름의 복원율을 구하는 방법은, 기재층의 복원율을 구하는 방법과 동일하며, 시험편으로서 이형 필름을 사용한다. 이형 필름이 장척형으로 제조되는 경우, 시험편의 길이 방향이 이형 필름의 MD 방향에 일치하는 시험편과, 시험편의 길이 방향이 이형 필름의 TD 방향에 일치하는 시험편을 제작한다. MD 방향의 시험편의 복원율과 TD 방향의 시험편의 복원율을 평균한 값을, 이형 필름의 복원율로 한다.
(기재층의 성분)
기재층은, 반도체 패키지의 수지 성형이 고온(100℃∼200℃ 정도)에서 행해지는 것을 고려하면, 이 온도 이상의 내열성을 가지는 것이 바람직하다.
기재층은, 내열성 및 고온 시의 인장탄성율의 관점에서, 폴리에스테르 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리에스테르 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 이들의 공중합체 또는 변성 수지가 있다.
기재층으로서는, 폴리에스테르 수지를 성형한 폴리에스테르 필름이 바람직하고, 금형으로의 추종성의 관점에서는, 2축 연신 폴리에스테르 필름이 보다 바람직하다.
기재층으로서 폴리에스테르 필름을 사용하는 경우, 기재층의 인장탄성율 및 복원율은, 폴리에스테르 필름을 제조할 때의 연신 배율 또는 연신 온도에 의해 제어할 수 있다.
(기재층의 평균 두께)
기재층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않고, 5㎛∼200㎛가 바람직하고, 10㎛∼100㎛가 보다 바람직하다. 기재층의 평균 두께가 5㎛ 이상이면, 취급성이 우수하고, 주름이 생기기 어려운 경향이 있다. 기재층의 평균 두께가 200㎛ 이하이면, 성형 시의 금형으로의 추종성이 보다 우수하므로, 반도체 패키지에 주름 등이 발생하는 것이 보다 억제된다.
기재층의 외표면(금형과 접촉하는 면)에는, 금형으로부터의 박리를 용이하게 할 목적으로, 표면 가공이 실시되어 있어도 된다.
[이형층]
본 개시의 이형 필름은, 수지 입자를 포함하는 이형층을 기재층의 한쪽 면에 가진다. 이형층은, 적어도 수지 입자를 포함하고, 바인더 수지, 그 외의 성분을 더 포함해도 된다.
(수지 입자)
수지 입자는, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 수지 입자는, 이형층의 이형성의 관점에서는, 아크릴 수지, 폴리스티렌 수지 및 폴리아크릴로니트릴 수지로 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
수지 입자에 포함되는 아크릴 수지로서는, (메타)아크릴 단량체의 단독 중합체 또는 공중합체를 예로 들 수 있고, (메타)아크릴산 수지, (메타)아크릴산 에스테르 수지(예를 들면, 알킬(메타)아크릴레이트 수지, 및 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 수지) 등을 예로 들 수 있다. (메타)아크릴 단량체로서는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 n-부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 sec-부틸, (메타)아크릴산 tert-부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 헵틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 노닐, (메타)아크릴산 데실, (메타)아크릴산 도데실, (메타)아크릴산 테트라 데실, (메타)아크릴산 헥사데실, (메타)아크릴산 옥타데실, (메타)아크릴산 에이코실, (메타)아크릴산 도코실, (메타)아크릴산 시클로펜틸, (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산 시클로헵틸, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 페닐, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 디에틸아미노에틸, (메타)아크릴산 디메틸아미노프로필, (메타)아크릴산 2-클로로에틸, (메타)아크릴산 2-플루오로에틸, (메타)아크릴산 디시클로펜타닐 등을 예로 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.
수지 입자에 포함되는 폴리올레핀 수지로서는, 올레핀 단량체 또는 알켄 단량체의 단독 중합체 또는 공중합체라면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐 등을 예로 들 수 있다.
수지 입자에 포함되는 폴리스티렌 수지로서는, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 단독 중합체 또는 공중합체를 예로 들 수 있다. 스티렌 유도체로서는, α-메틸스티렌, 4-메틸스티렌, 2-메틸스티렌, 3-메틸스티렌, 2-에틸스티렌, 3-에틸스티렌, 4-에틸스티렌 등의 알킬쇄를 가지는 알킬 치환 스티렌; 2-클로로스티렌, 3-클로로스티렌, 4-클로로스티렌 등의 할로겐 치환 스티렌; 4-플루오로스티렌, 2,5-디플루오로스티렌 등의 불소치환 스티렌; 비닐 나프탈렌 등을 예로 들 수 있다.
수지 입자에 포함되는 폴리아크릴로니트릴 수지로서는, 아크릴로니트릴 단량체의 단독 중합체 또는 공중합체를 예로 들 수 있다.
수지 입자는, 반도체 패키지의 외관의 균일성의 관점에서, 이형층 형성용 조성물의 조제에 사용될 수 있는 유기 용매(예를 들면, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 아세트산 에틸)에 불용성 또는 난용성인 것이 바람직하다. 여기서, 유기 용매에 불용성 또는 난용성이란, JIS K6769: 2013에 준거하는 겔분률시험에 있어서, 톨루엔 등의 유기 용매 중에 수지 입자를 분산하여 50℃로 24시간 유지한 후의 겔분률이 97% 이상인 것을 일컫는다. 유기 용매에 대한 수지 입자의 용해성을 억제하는 관점에서는, 수지 입자에 포함되는 수지는 가교 수지인 것이 바람직하다.
수지 입자의 평균 입자 직경은 1㎛∼55㎛인 것이 바람직하다. 수지 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상이면, 이형층의 외표면에 충분히 요철을 형성하는 것이 가능하며, 이형층의 이형성이 보다 우수하다. 이 관점에서, 수지 입자의 평균 입자 직경은 3㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 5㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 수지 입자의 평균 입자 직경이 55㎛ 이하이면, 이형층 중에 수지 입자를 유지시키기 위해 이형층의 두께를 과도하게 크게 할 필요가 없다. 이 관점에서, 수지 입자의 평균 입자 직경은, 45㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 35㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
수지 입자의 평균 입자 직경은, 하기 측정 방법에 의해 구한다.
이형 필름을 일부 잘라내고, 수지에 포매(包埋)한 후, 이형 필름의 두께 방향으로 절단하여 박편 시료를 제작한다. 이 박편 시료를 주사형 전자현미경(SEM)으로 촬상한다. SEM 화상에 있어서, 이형층에 포함되는 수지 입자를 무작위로 100개 선택하고, 100개의 장경(長徑)을 계측한다. 100개의 장경의 산술평균을, 수지 입자의 평균 입자 직경으로 한다.
이형층에 포함되는 수지 입자의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 구형(球形), 판형, 부정형 중 어느 하나라도 된다.
수지 입자의 구체예로서는, 아크릴 수지 입자인 타프틱 FH-S010(도요보(주)) 등의 타프틱 시리즈를 들 수 있다.
이형층에서 차지하는 수지 입자의 체적 비율은, 이형층의 이형성을 향상시키는 관점과, 반도체 패키지 표면의 오염을 억제하는 관점으로부터, 5체적%∼65체적%인 것이 바람직하다. 수지 입자의 체적 비율이 5체적% 이상이면, 이형층의 외표면에 충분히 요철을 형성하는 것이 가능하며, 이형층의 이형성이 보다 우수하다. 이 관점에서, 수지 입자의 체적 비율은, 10체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 수지 입자의 체적 비율이 65체적% 이하이면, 이형층으로부터의 수지 입자의 탈락이 일어나지 않아, 반도체 패키지 표면의 오염을 억제할 수 있다. 이 관점에서, 수지 입자의 체적 비율은, 60체적% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
이형층에서 차지하는 수지 입자의 체적 비율은, 이형층의 절단면을 SEM으로 관찰하고, 하기 방법에 의해 구할 수 있다.
전술한 방법으로 제작한 박편 시료의 SEM 화상에 있어서, 이형층에 대하여 임의의 면적 S를 특정하고, 면적 S에 포함되는 수지 입자의 총면적 A를 구한다. 이형층이 균질하다고 가정하고, 수지 입자의 총면적 A를 면적 S로 나눗셈한 값을 백분률(%)로 환산하여, 이형층에서 차지하는 수지 입자의 체적 비율로 한다.
면적 S는, 수지 입자의 크기에 대하여 충분히 큰 면적으로 한다. 예를 들면, 수지 입자가 100개 이상 포함되는 크기로 한다. 면적 S는, 복수 개의 절단면의 합계라도 된다.
(바인더 수지)
이형층은 바인더 수지를 포함해도 된다. 바인더 수지를 포함함으로써, 수지 입자가 이형층 내에 유지된다.
이형층의 바인더 수지는 특별히 한정되지 않는다. 바인더 수지는, 반도체 패키지로부터의 이형성, 이형층의 내열성 등의 관점에서, 아크릴 수지 또는 실리콘 수지가 바람직하고, 가교형 아크릴 수지(이하 「가교형 아크릴 공중합체」라고도 함)가 보다 바람직하다.
아크릴 수지는, 아크릴산 부틸, 아크릴산 에틸, 2-에틸헥실아크릴레이트 등의 낮은 유리전이온도(Tg) 모노머를 주모노머로 하고, 주모노머와, 아크릴산, 메타크릴산, 하이드록시에틸메타크릴레이트, 하이드록시에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 모노머를 공중합함으로써 얻어지는 아크릴 공중합체인 것이 바람직하다. 가교형 아크릴 공중합체는, 상기 모노머를 가교제를 사용하여 가교함으로써 제조할 수 있다.
가교형 아크릴 공중합체의 제조에 사용되는 가교제로서는, 이소시아네이트 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시 화합물 등의 공지의 가교제를 예로 들 수 있다. 아크릴 수지 중에 완만하게 퍼진 그물눈형 구조를 형성하기 위하여, 가교제는 3관능, 4관능 등의 다관능 가교제인 것이 바람직하다. 다관능 가교제를 사용하여 제조된 가교형 아크릴 공중합체는, 완만하게 퍼진 그물눈형 구조를 가지므로, 이 가교형 아크릴 중합체를 포함하는 이형층은, 기재층의 연신에 추종하기 쉽고, 금형에 대한 이형 필름의 추종성을 향상시킨다.
가교형 아크릴 공중합체의 제조에 있어서 사용되는 가교제의 양은, 아크릴 공중합체 100질량부에 대하여, 3질량부∼100질량부가 바람직하고, 5질량부∼70질량부가 보다 바람직하다. 가교제의 양이 아크릴 공중합체 100질량부에 대하여 3질량부 이상이면, 이형층의 강도가 확보되는 것에 의해 수지 입자의 탈락이 일어나기 어려우며, 반도체 패키지 표면의 오염이 억제된다. 가교제의 양이 아크릴 공중합체 100질량부에 대하여 100질량부 이하이면, 가교형 아크릴 공중합체의 유연성이 향상하고, 이형층의 연신성이 향상한다.
(그 외의 성분)
이형층은, 본 개시의 이형 필름의 효과가 발휘되는 한, 필요에 따라, 용매, 앵커링향상제, 가교촉진제, 대전방지제, 착색제 등을 포함해도 된다.
(이형층의 평균 두께)
이형층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않고, 이형층에 포함되는 수지 입자의 입자 직경을 고려하여 설정하면 된다. 이형층의 외표면에 요철을 형성하여 이형층의 이형성을 향상시키는 관점에서는, 이형층의 두께는 지나치게 두껍지 않는 것이 바람직하다. 한편, 이형층에 포함되는 수지 입자가 이형층으로부터 탈락하면 반도체 패키지 표면이 오염되는 바, 이형층의 두께는 이형층 중에 수지 입자를 유지할 수 있는 두께가 바람직하다. 이형층의 평균 두께는, 구체적으로는, 0.1㎛∼100㎛가 바람직하고, 1㎛∼50㎛가 보다 바람직하다.
(이형층의 표면 거칠기)
이형층의 외표면은 미세한 요철을 가지는 것이 바람직하다. 이형층의 외표면이 미세한 요철은, 산술평균 거칠기(Ra) 또는 10점 평균 거칠기(Rz)에 의해 평가할 수 있다. 이형층의 이형성을 향상시키는 관점에서, 이형층의 외표면의 산술평균 거칠기(Ra)는 0.5㎛∼5㎛인 것이 바람직하고, 이형층의 외표면의 10점 평균 거칠기(Rz)는 5㎛∼50㎛인 것이 바람직하다. 이형층의 외표면의 표면 거칠기는, 수지 입자의 평균 입자 직경과 이형층의 두께를 조정함으로써 조정할 수 있다.
이형층의 외표면의 산술평균 거칠기(Ra) 및 10점 평균 거칠기(Rz)는, 표면거칠기 측정장치(예를 들면, (주)고사카연구소(小坂硏究所), 형식번호 SE-3500)를 사용하여, 촉침선단직경 2㎛, 주사 속도 0.5mm/s 및 주사 거리 8mm의 조건에서 측정한 결과를, JIS B0601: 2013 또는 ISO 4287(1997)에 의해 해석하여 구한다.
[그 외의 층]
본 개시의 이형 필름은, 기재층과 이형층 사이에, 대전방지층, 착색층 등을 가지고 있어도 된다.
본 개시의 이형 필름은, 기재층의 한쪽 면 상으로서, 수지 입자를 포함하는 이형층(제1 이형층)이 설치된 면과는 반대의 면 상에, 이형 필름의 금형으로부터의 박리를 용이하게 할 목적으로, 제2 이형층을 가지고 있어도 된다. 제2 이형층의 재료로서는, 전술한 바인더 수지 중에서, 금형으로부터의 이형성, 내열성 등을 고려하여 선택하는 것이 바람직하다. 제2 이형층의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 0.1㎛∼100㎛인 것이 바람직하다.
<이형 필름의 제조 방법>
본 개시의 이형 필름은, 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지 입자를 포함하는 이형층 형성용 조성물을 조제하고, 이형층 형성용 조성물을 기재층의 한쪽 면에 부여하고 건조함으로써, 본 개시의 이형 필름을 제조할 수 있다. 본 개시의 이형 필름은, 필요에 따라, 전술한 그 외의 층을 형성해도 된다.
[이형층 형성용 조성물의 조제]
이형층 형성용 조성물의 조제 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 수지 입자를 용매에 분산하는 방법이 있다. 이형층 형성용 조성물은, 수지 입자 이외에 바인더 수지 및 그 외의 성분을 포함해도 된다.
이형층 형성용 조성물의 조제에 사용하는 용매는, 특별히 한정되지 않는다. 이형층 형성용 조성물의 조제에 사용하는 용매로서는, 수지 입자를 분산 가능하며, 바인더 수지를 용해 가능한 유기 용매가 바람직하다. 유기 용매로서는, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 아세트산 에틸 등을 예로 들 수 있다.
[이형층 형성용 조성물의 부여 및 건조]
이형층 형성용 조성물을 기재층의 한쪽 면에 부여하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 롤 코트, 바 코트, 키스 코트 등의 공지의 도포 방법을 채용할 수 있다. 이형층 형성용 조성물을 기재층의 한쪽 면에 부여할 때는, 건조 후의 조성물층(이형층)의 두께가 0.1㎛∼100㎛로 되도록 부여하는 것이 바람직하다.
기재층의 한쪽 면에 부여된 이형층 형성용 조성물을 건조시키는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 건조 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 온도 50℃∼150℃의 분위기에 0.1분간∼60분간 두는 건조 방법이 있다.
<반도체 패키지의 제조 방법>
본 개시의 이형 필름은, 반도체 패키지의 제조에 사용된다. 즉, 본 개시의 이형 필름이 배치된 금형을 사용하고, 봉지재에 의해 반도체 칩을 봉지하여 반도체 패키지가 성형된다.
본 개시의 이형 필름은, 콤프레션 성형에 바람직하게 사용할 수 있다. 일반적인 콤프레션 성형의 공정은 하기와 같다.
콤프레션 성형 장치의 금형에 이형 필름을 배치하고, 진공 흡착 등에 의해 이형 필름을 금형의 형상에 추종시킨다. 다음으로, 반도체 패키지의 봉지재(예를 들면, 에폭시 수지 등)를 금형에 넣고, 반도체 칩을 그 위에 배치하고, 가열하면서 금형을 압축함으로써 봉지재를 경화시켜, 반도체 패키지를 성형한다. 다음으로, 금형을 열고, 성형된 반도체 패키지를 꺼낸다.
콤프레션 성형에서는, 통상, 이형 필름을 진공 흡착 등에 의해 금형에 배치하므로, 이형 필름은 금형의 형상에 대한 추종성이 우수한 것이 요구된다. 본 개시의 이형 필름은, 금형으로의 추종성이 우수하고, 콤프레션 성형에 바람직하다.
본 개시의 이형 필름을 사용하여 성형된 반도체 패키지는, 외관이 양호하다. 또한, 본 개시의 이형 필름을 사용하여 성형된 반도체 패키지는, 이형 필름의 주름 또는 느슨함에 기인한 반도체 패키지의 봉지 결함이 억제되어 있고, 이형 필름의 박리 시에 입을 가능성이 있는 손상이 억제되고 있다.
[실시예]
이하, 본 개시의 실시형태를 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 개시의 실시형태는 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
[이형 필름의 제작]
아크릴 수지(데이코쿠화학산업(帝國化學産業)(주), 상품명 WS-023) 100질량부와, 가교제(일본폴리우레탄 공업(주), 상품명 콜로네이트 L) 10질량부와, 아크릴 수지 입자(도요보(주), 상품명 타프틱 FH-S010, 평균 입자 직경 10㎛) 10질량부를 톨루엔에 첨가하여 고형분량 15질량%의 톨루엔 용액으로 만들고, 이형층 형성용 조성물을 조제했다.
기재층으로서 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(데이진(帝人)필름솔루션(주), 상품명 FT3, 두께 25㎛)을 준비하고, 이 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 인장탄성율 및 복원율을 전술한 시험 방법에 의해 구했다.
2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 코로나 처리한 후, 한쪽 면에, 롤 코터를 사용하여, 건조 후의 평균 두께가 10㎛로 되도록 이형층 형성용 조성물을 도포하고, 건조하여 이형층을 형성하고, 이형 필름을 얻었다.
얻어진 이형 필름에 있어서 이형층에 포함되는 수지 입자의 평균 입자 직경 및 체적 비율을, SEM을 사용한 전술한 시험 방법에 의해 구하였다. 또한, 얻어진 이형 필름의 인장탄성율 및 복원율을 전술한 시험 방법에 의해 구하였다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
[이형 필름의 성능 평가]
콤프레션 성형용 금형의 하부 몰드에 반도체 베어 칩을 세팅하였다. 콤프레션 성형용 금형의 상형(上型)에 이형 필름을 배치하고, 진공으로 고정한 후, 형체결하였다. 봉지재(히타치화성(주), 상품명 CEL-9750ZHF10)를 콤프레션 성형하여 반도체 패키지를 얻었다. 금형 온도는 180℃, 성형 압력은 6.86MPa(70kgf/cm2), 성형 시간은 180초로 했다. 이형 필름의 성능으로서, 하기 항목 (1)∼(3)을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 성형할 때의 금형으로의 추종성
이형 필름의 금형으로의 추종성을, 콤프레션 성형할 때 육안에 의해 관찰하고, 하기와 같이 분류했다.
A+(◎): 주름, 느슨함 및 텐트침이 모두 관찰되지 않고, 금형으로의 추종이 충분하다.
A(○): 주름, 느슨함 또는 텐트침이 관찰되지만 경미하며, 실용상 문제 없다.
B(△): 주름, 느슨함 또는 텐트침이 관찰되지만, 실용상의 허용 범위이다.
C(×): 주름, 느슨함 및 텐트침이 모두 관찰되고, 금형으로의 추종이 불충분하다.
「텐트침」이란, 이형 필름이 금형에 충분히 추종하지 않고, 이형 필름이 금형의 모서리로부터 뜬 상태로 되고, 상기 모서리에 마치 텐트를 친 것 같이 보이는 상태를 일컫는다.
(2) 성형 후의 봉지 수지로의 이형성
이형 필름을, 성형 후의 봉지 수지로부터, 박리각도 180°,박리속도 300mm/분으로 박리하는 박리 시험을 행하고, 박리에 요하는 힘을 측정하고, 하기와 같이 분류했다.
A(○): 0.5N/50mm 미만
B(△): 0.5N/50mm 이상 5.0N/50mm 미만
C(×): 5.0N/50mm 이상
(3) 반도체 패키지의 외관
성형 후의 반도체 패키지의 외관을 육안에 의해 관찰하고, 이형 필름의 주름 또는 느슨함에 기인하는 외관 불량의 유무를 하기와 같이 분류했다.
A(○): 주름에 기인하는 외관 불량 및 느슨함에 기인하는 외관 불량이 모두 관찰되지 않는다.
B(△): 주름에 기인하는 외관 불량 또는 느슨함에 기인하는 외관 불량이 관찰된다.
C(×): 주름에 기인하는 외관 불량 및 느슨함에 기인하는 외관 불량이 모두 관찰된다.
<실시예 2∼3>
기재층을 다른 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이형 필름을 제작하고 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<실시예 4∼7>
이형층 형성용 조성물에 첨가하는 아크릴 수지 입자(타프틱 FH-S010)의 첨가량을 변경하여 이형층에서 차지하는 수지 입자의 체적 비율을 표 1에 기재한 바와 같이 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이형 필름을 제작하고 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 1>
실시예 1에 있어서 사용한 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(데이진(帝人)필름 솔루션(주), 상품명 FT3, 두께 25㎛)에 이형층을 형성하지 않고 이형 필름으로서 사용하고, 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 2>
아크릴 수지 입자(타프틱 FH-S010)를 사용하지 않고 이형층 형성용 조성물을 조제한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이형 필름을 제작하고 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 3>
아크릴 수지 입자(타프틱 FH-S010) 대신 실리카 입자(도아합성(주), 상품명 HPS-3500, 평균 입자 직경 3.5㎛)를 사용하여 이형층 형성용 조성물을 조제한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이형 필름을 제작하고 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 4>
기재층을 다른 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이형 필름을 제작하고 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 5>
기재층을 미연신(未延伸) 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름으로 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이형 필름을 제작하고 성능을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00001
실시예 1∼7의 이형 필름은, 성형할 때 금형으로의 추종성이 우수하고, 성형 후의 봉지 수지로의 이형성이 양호하고, 반도체 패키지의 외관도 양호했다. 다만, 이형층에서 차지하는 수지 입자의 체적 비율이 65체적%를 초과하는 실시예 7에서는, 이형층으로부터의 수지 입자의 탈락이 관찰되었다.
반도체 패키지의 콤프레션 성형에 본 실시형태의 이형 필름을 사용함으로써, 반도체 패키지에 손상을 입히지 않고 봉지재와 금형을 용이하게 이형하는 것이 가능하며, 또한 양호한 외관을 가지는 반도체 패키지를 제공할 수 있다.
비교예 1의 이형 필름(이형층을 가지고 있지 않은 이형 필름)은, 성형 후의 봉지 수지로부터 이형 필름을 박리할 수 없었다.
비교예 2의 이형 필름(이형층에 수지 입자를 포함하지 않는 이형 필름)은, 성형 후의 봉지 수지로부터 이형 필름을 용이하게는 박리할 수 없었다. 또한, 반도체 패키지 표면의 외관이 불균일하며, 봉지재의 플로우 자국이 관찰되었다.
비교예 3의 이형 필름(이형층에 수지 입자 대신 실리카 입자를 포함하는 이형 필름)은, 성형 후의 봉지 수지로부터 이형 필름을 용이하게는 박리할 수 없었다. 또한, 육안 및 현미경 관찰 중 어디에서도, 이형층으로부터의 실리카 입자의 탈락이 관찰되었다.
일본특허출원 2019-193307호의 개시는, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 받아들여진다. 본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원, 및 기술규격은, 각각의 문헌, 특허출원, 및 기술규격이 참조에 의해 받아들이는 것이 구체적이면서 각각에 기재된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 받아들여진다.
10: 이형 필름
20: 기재층
30: 이형층

Claims (8)

  1. 온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인 기재층(基材層); 및
    상기 기재층의 한쪽 면에 배치되고, 수지 입자를 포함하는 이형층(離型層)
    을 가지는, 반도체 패키지의 제조에 사용하기 위한 이형 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이형층에서 차지하는 상기 수지 입자의 체적 비율이 5체적%∼65체적%인, 이형 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기재층이 폴리에스테르 필름인, 이형 필름.
  4. 기재층; 및
    상기 기재층의 한쪽 면에 배치되고, 수지 입자를 포함하는 이형층
    을 가지고,
    온도 170℃에서의 인장탄성율이 150MPa 이하이며 또한 온도 170℃에서의 복원율이 70% 이상인, 반도체 패키지의 제조에 사용하기 위한 이형 필름.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 이형층에서 차지하는 상기 수지 입자의 체적 비율이 5체적%∼65체적%인, 이형 필름.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 기재층이 폴리에스테르 필름인, 이형 필름.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    반도체 패키지의 콤프레션 성형에 사용하기 위한, 이형 필름.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름이 배치된 금형을 사용하고, 봉지재(封止材)에 의해 반도체 칩을 봉지하여 반도체 패키지를 성형하는, 반도체 패키지의 제조 방법.
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