JP5488209B2 - 焼結鉱の製造方法、シンターケーキ支持スタンドの設計方法及び原料充填層の層厚決定方法 - Google Patents
焼結鉱の製造方法、シンターケーキ支持スタンドの設計方法及び原料充填層の層厚決定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5488209B2 JP5488209B2 JP2010126938A JP2010126938A JP5488209B2 JP 5488209 B2 JP5488209 B2 JP 5488209B2 JP 2010126938 A JP2010126938 A JP 2010126938A JP 2010126938 A JP2010126938 A JP 2010126938A JP 5488209 B2 JP5488209 B2 JP 5488209B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- sinter cake
- layer
- material packed
- support stand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
すなわち、得られたシンターケーキは、排鉱部で排出され、1次クラッシャーで粗破砕した後、クーラーで冷却され、この冷却された焼結鉱は、複数の篩、2次クラッシャー等で構成される破砕・整粒篩分け処理を経て、5mm以上の塊成化物が成品焼結鉱として高炉へ供給され、5mm未満の焼結鉱は返鉱として焼結原料に配合し再度焼結機に装入されるが、5mm以上の塊成化物の質量すなわち、高炉へ供給される成品焼結鉱を焼結機の有効面積および焼結時間で除した値が生産率である。
下方吸引式の焼結の原理は、点火炉で原料充填層の表層部分の炭材を着火し、下方吸引により炭材を順次燃焼させて熱伝達を下方に行うものである。
この原理上、原料充填層の上層部分はまだ燃料の燃焼による予熱効果が小さく、かつ通気抵抗の高い燃焼溶融帯の厚みが薄いために原料充填層全体の通気抵抗も小さい。そのため、原料充填層の上層部分は温度が低く、かつ炭材の燃焼が過剰に早く進んでしまう結果、燃焼溶融反応(焼結化反応)が不十分となり、焼結したシンターケーキの強度が低い脆弱層(以下「上層脆弱層」という)が形成される。シンターケーキにはこの上層脆弱層が必ず存在する。強度が低い上層脆弱層は破砕工程において5mm未満に破砕される量(返鉱として再度焼結機に装入される量)が多くなるので、上層脆弱層が厚いシンターケーキほど、生産率が下がることになる。低層厚の方が高層厚の場合より相対的に上層脆弱層の割合が大きくなるので、上層脆弱層の割合の観点からは、高層厚ほど生産率の向上において好ましい。
これに対して、上層脆弱層より下の層の通気抵抗の観点からは、高層厚になるほど通気抵抗が大きくなり、ガス流れと焼成が不均一化して歩留がむしろ低下する。
従って、上層脆弱層の割合の観点及び上層脆弱層より下の層の通気抵抗の観点から、生産率を最大にする最適な層厚が存在する。
図7は、層厚が300mmのとき(図7(a))と層厚が800mmのとき(図7(b))に、それぞれスタンドと層厚の比が0.75となる高さのスタンドを設置した場合の、ストランド方向でのシンターケーキ支持スタンドによる荷重支持の状況を示す図である。右側に位置する図はスタンド位置での垂直断面図である。
符号101、111は被支持シンターケーキ(シンターケーキのうち、シンターケーキ支持スタンドによって支持されている部分)を、符号102、112は燃焼溶融帯を、符号103、113はシンターケーキ支持スタンドを示す。
シンターケーキ支持スタンドの位置は、ストランド方向においてシンターケーキ支持スタンドによってシンターケーキの支持が開始された位置を示している。
すなわち、同一のHs/H(シンターケーキ支持スタンドの高さ(Hs)と原料充填層の層厚(H)の比)であっても、シンターケーキ支持スタンドによって支持されるシンターケーキの形態や荷重が異なるので、生産率が最大となるシンターケーキ支持スタンド高さと原料充填層の層厚は、それらの高さ比だけでは決まらない。
ここで、シンターケーキ支持スタンドがない焼結機ではその荷重が全て燃焼溶融帯にかかるので、高層厚では低層厚のときに比べて中下層の通気悪化が大きく、通常操業で高層厚時に生産率が低下する要因になっている。
生産率は、被支持シンターケーキ体積と、シンターケーキ支持スタンドの高さと、原料充填層の層厚とに大きく依存する。
また、シンターケーキの体積は焼結機のサイズにも依存する。
従って、シンターケーキ荷重条件や原料充填層の層厚条件を変えて操業する場合に、シンターケーキ荷重条件や原料充填層の層厚条件に対して生産率を最大にするシンターケーキ支持スタンドの高さ条件や原料充填層の層厚条件を推定できなかった。
特に、近年、焼結機は増産に対応するために大型化、高層厚化が指向され、700mm超の高層厚操業も報告されているが、この大型化、高層厚化に伴う条件の変更に対して生産率を最大にするシンターケーキ支持スタンドの高さ条件や原料充填層の層厚条件を推定できなかった。
また、新しい焼結機を導入する際に、操業に用いる予定の原料充填層の層厚に最適なシンターケーキ支持スタンドの高さを推定することができなかった。
かかる場合に、シンターケーキの荷重を考慮しつつ、その焼結機のサイズにおいて、高い生産率を得るために、減少した高さのシンターケーキ支持スタンドに最適な原料充填層の層厚を推定する方法はなかった。
(1)焼結パレット台車上に、焼結パレット台車の幅方向に等間隔で、その進行方向に平行に立設されたシンターケーキ支持スタンドを複数備えた焼結機を用いる焼結鉱の製造方法(原料充填層上層部を十分に焼成した時点で、原料充填層に供給する酸素含有ガスの質量流量を、該原料充填層上層部を焼成する範囲において供給する酸素含有ガスの質量流量の1.01〜2.6倍に変更する場合を除く)において、原料充填層の層厚が650mm以上であり、(1)式で算出される被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)が75m3以上でかつ前記シンターケーキ支持スタンドの高さと原料充填層の層厚の比Hs/Hが0.8以下となるように前記シンターケーキ支持スタンドの高さ及び/又は前記原料充填層の層厚を選択して焼結鉱を製造することを特徴とする焼結鉱の製造方法。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
(2)前記Hs/Hのシンターケーキ支持スタンドの高さ(Hs)が前記焼結パレット台車上の少なくとも二以上のシンターケーキ支持スタンドの高さの平均値であることを特徴とする前項(1)に記載の焼結鉱の製造方法。
(3)前記幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離が1m以下であり、かつシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1.5m以下であることを特徴とする前項(1)又は(2)に記載の焼結鉱の製造方法。
(4)前記シンターケーキ支持スタンドの形状が上辺50mm〜400mm、下辺400mm〜800mm、厚み30mm〜60mmの台形板であることを特徴とする前項(1)〜(3)のいずれか一項に記載の焼結鉱の製造方法。
(5)焼結パレット台車上に、焼結パレット台車の幅方向に等間隔で、その進行方向に平行に立設されたシンターケーキ支持スタンドを複数備えた焼結機において、650mm以上の原料充填層の層厚で焼結鉱を製造するのに用いるシンターケーキ支持スタンドの設計方法(原料充填層上層部を十分に焼成した時点で、原料充填層に供給する酸素含有ガスの質量流量を、該原料充填層上層部を焼成する範囲において供給する酸素含有ガスの質量流量の1.01〜2.6倍に変更する場合を除く)であって、(1)式で算出される被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)が75m3以上でかつシンターケーキ支持スタンドの高さと原料充填層の層厚の比Hs/Hが0.8以下となるようにシンターケーキ支持スタンドの高さを採用することを特徴とするシンターケーキ支持スタンドの設計方法。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
(6)焼結パレット台車上に、焼結パレット台車の幅方向に等間隔で、その進行方向に平行に立設されたシンターケーキ支持スタンドを複数備えた焼結機の焼結パレット台車に装填する原料充填層の層厚決定方法(原料充填層上層部を十分に焼成した時点で、原料充填層に供給する酸素含有ガスの質量流量を、該原料充填層上層部を焼成する範囲において供給する酸素含有ガスの質量流量の1.01〜2.6倍に変更する場合を除く)であって、(1)式で算出される被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)が75m3以上かつ前記シンターケーキ支持スタンドの高さと前記原料充填層の層厚の比Hs/Hが0.8以下となるように、650mm以上の原料充填層の層厚を決定することを特徴とする原料充填層の層厚決定方法。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
ここで、「シンターケーキ支持スタンドの高さ及び/又は原料充填層の層厚」であるから、所定のシンターケーキ支持スタンドの高さに対して、上記条件を満たすように原料充填層の層厚を決定してもよいし、また、所定の原料充填層の層厚に対して、上記条件を満たすようにシンターケーキ支持スタンドの高さを決定してもよいし、さらにまた、上記条件を満たすようにシンターケーキ支持スタンドの高さと原料充填層の層厚とを決定してもよい。
焼結過程において、原料充填層は、上層に焼結が完了した焼結完了層(シンターケーキ)A、その下に燃焼進行中の燃焼溶融層B、その下に未だ燃焼が始まっていない層C及び床敷層Dからなる状態となっており、シンターケーキAはシンターケーキ支持スタンドEによって支持されている。
符号Lは機長、符号Wは機幅、符号Hは原料充填層の層厚、符号Hsはシンターケーキ支持スタンドの高さ、符号Xはスタンド支持開始位置、符号Aは有効焼結面積、符号Vscは被支持シンターケーキ体積を示す。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
(i)赤熱帯後面を1100℃とし、直線的に下方に進行する。
(ii)赤熱帯後面がスタンド頂部に到達後から効果を発揮する。
(iii)スタンドは支持開始後、それ以下で生成するシンターケーキも支持する。
(1)式から、被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)はシンターケーキ支持スタンドの高さと原料充填層の層厚以外に、焼結機の大きさ(有効焼結面積)によっても変化することが分かる。
被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)は、スタンド高さと層厚比Hs/Hが高いほど、また、原料供給層の層厚が高いほど高いことがわかった。
具体的には、600mm、650mm、700mm、800mm、900mmのそれぞれに対して、0.32、0.3、0.28、0.23、0.2である。
焼結パレット台車3としては、機長L0が1500mm、機幅W0が5500mmのものを用いた。
また、焼結パレット台車3上には、パレット台車の進行方向に平行に配置する多数のグレートバー(3a)群に、パレット台車の幅方向にシンターケーキ支持スタンド4を4本づつ設置した。パレット台車の幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離d1は、パレット台車の幅方向において第1−第2スタンド間、および、第3−第4スタンド間のそれぞれの距離を1000mmとし、第2−第3スタンド間の距離も1000mmとした。また、シンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離d2は、それぞれ1250mmとした。
なお、シンターケーキ支持スタンドを用いなかった場合の本焼結機の生産率は原料充填層の層厚が600mmのときに最も高く、その到達レベルは約30t/d/m2であった。シンターケーキ支持スタンドを用いなかった場合、それ以上の層厚では生産率は低下した。これは通気抵抗が高くなり、むら焼けが発生したことによる、
また、焼結鉱成品の品質は冷間強度TI(ISO 3271)で測定し、管理基準である77%を下回った時は生産率を下げて調整した。すなわち、本試験結果の生産率は品質を維持した場合の生産率を示している。
これは、原料充填層の層厚が十分高くなく、被支持シンターケーキ体積が小さいためである。
具体的には、層厚650mmでは、Hs/Hが0.2のときはほとんど増産効果が見られなかったが、Hs/Hが0.3のとき(被支持シンターケーキ体積75m3に対応)に1%程度、さらにHs/Hが0.6付近で最大の6%程度となり、Hs/Hが0.8のときまで増産効果が見られた。
層厚700mmでは、Hs/Hが0.2のときはほとんど増産効果が見られなかったが、Hs/Hが0.3のとき(被支持シンターケーキ体積75m3に対応)に1.5%程度、さらにHs/Hが0.55付近で最大の8%程度となり、Hs/Hが0.8のときまで増産効果が見られた。
層厚800mmでは、Hs/Hが0.2のときはほとんど増産効果が見られなかったが、Hs/Hが0.3のとき(被支持シンターケーキ体積75m3に対応)に2.5%程度、さらにHs/Hが0.5付近で最大の11%程度となり、Hs/Hが0.8のときまで増産効果が見られた。
層厚900mmでは、Hs/Hが0.2のときはほとんど増産効果が見られなかったが、Hs/Hが0.3のとき(被支持シンターケーキ体積75m3に対応)に12%以上、さらにHs/Hが0.45付近で最大の13%程度となり、Hs/Hが0.8のときまで増産効果が見られた。
被支持シンターケーキ体積が75m3以上あれば、低Hs/Hでも増産効果が得られることが分かった。
これは、高層厚化で上層部位が強固となり、亀裂発生が抑制されるとともに、そもそも上層部の脆弱層比率が相対的に小さくなったため、スタンドによる上層の通気過剰の悪影響が緩和されたためであると考えられる。
一方、Hs/Hが高いとより焼成の初期からシンターケーキの支持を開始することになり、シンターケーキ支持スタンドがシンターケーキ荷重を支持する領域は大きくなるが、極端にHs/Hが高すぎると、ストランドの前半部分の通気性までも過剰に改善してしまう。この場合、上層のシンターケーキは脆弱であり、スタンドによる線支持に耐えられず、シンターケーキに亀裂が発生することがある。亀裂が発生すると、亀裂部位に優先的にガス流れが起こるので、下層の焼成が不均一となる(いわゆるむら焼け)を助長してしまい、生産率が低下する。
幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離、及び、シンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離がそれぞれ1m以下、1.5m以下であるのが望ましい。それ以上の場合、表層に亀裂が発生したり、幅方向の焼成のばらつきが拡大しやすいので、十分な増産効果が得られない場合がある。なお、シンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との望ましい距離がシンターケーキ支持スタンド間の望ましい距離よりも大きいのは、焼結パレット台車の側壁部分は幅方向のシンターケーキの収縮によって隙間があいているために、過剰な通気状態となっていることが一般的であり、それを調整するためである。
比較例1はシンターケーキ支持スタンドなしのベース条件で焼結鉱を製造したものである。生産率は層厚600mmのときに32t/d/m2であった。
比較例2は層厚600mmの条件でHs/H=0.3のシンターケーキ支持スタンドを設置した場合である。生産率は32.0t/d/m2であった。被支持シンンターケーキ体積が75m3以下であるため、その増産効果は認められなかった。
比較例3は層厚600mmの条件でHs/H=0.70のシンターケーキ支持スタンドを設置した場合である。被支持シンンターケーキ体積は75m3以上ではあるものの、Hs/Hが高いため、層厚600mmの条件では表層に亀裂が発生し、その影響が現れはじめたため、生産率は33.0t/d/m2であった。比較例1に対して増産効果は認められるものの、その効果は5%以下と小さかった。
本発明1は層厚を700mmとし、Hs/H=0.50のシンターケーキ支持スタンドを設置した場合である。生産率は34.5t/d/m2であった。被支持シンンターケーキ体積は75m3以上あり、かつ、Hs/Hが適正な範囲であるので、比較例1に対して7.8%の増産効果があった。
本発明2は層厚を700mmとし、Hs/H=0.70のシンターケーキ支持スタンドを設置した場合である。生産率は34.0t/d/m2であった。被支持シンンターケーキ体積は75m3以上であり、かつ、Hs/Hが0.8以下であるため、6.3%の増産効果があった。
本発明3は層厚を900mmとし、Hs/H=0.30のシンターケーキ支持スタンドを設置した場合である。生産率は36.0t/d/m2であった。被支持シンンターケーキ体積は75m3以上であるため、Hs/Hが0.30と低い条件であるのもかかわらず、12.5%の増産効果があった。
本発明4は層厚を900mmとし、Hs/H=0.70のシンターケーキ支持スタンドを設置した場合である。生産率は35.2t/d/m2であった。被支持シンンターケーキ体積は75m3以上であり、かつ、Hs/Hが0.8以下であるため、表層部の焼成も適正に保たれたので10.0%の増産効果があった。
4 シンターケーキ支持スタンド
Vsc 被支持シンターケーキ体積
H 原料充填層の層厚
Hs シンターケーキ支持スタンドの高さ
A 有効焼結面積
Claims (6)
- 焼結パレット台車上に、焼結パレット台車の幅方向に等間隔で、その進行方向に平行に立設されたシンターケーキ支持スタンドを複数備えた焼結機を用いる焼結鉱の製造方法(原料充填層上層部を十分に焼成した時点で、原料充填層に供給する酸素含有ガスの質量流量を、該原料充填層上層部を焼成する範囲において供給する酸素含有ガスの質量流量の1.01〜2.6倍に変更する場合を除く)において、原料充填層の層厚が650mm以上であり、(1)式で算出される被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)が75m3以上でかつ前記シンターケーキ支持スタンドの高さと原料充填層の層厚の比Hs/Hが0.8以下となるように前記シンターケーキ支持スタンドの高さ及び/又は前記原料充填層の層厚を選択して焼結鉱を製造することを特徴とする焼結鉱の製造方法。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
- 前記Hs/Hのシンターケーキ支持スタンドの高さ(Hs)が前記焼結パレット台車上の少なくとも二以上のシンターケーキ支持スタンドの高さの平均値であることを特徴とする請求項1に記載の焼結鉱の製造方法。
- 前記幅方向に隣接するシンターケーキ支持スタンド間距離が1m以下であり、かつシンターケーキ支持スタンドと焼結パレット台車の側壁との間の距離が1.5m以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の焼結鉱の製造方法。
- 前記シンターケーキ支持スタンドの形状が上辺50mm〜400mm、下辺400mm〜800mm、厚み30mm〜60mmの台形板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の焼結鉱の製造方法。
- 焼結パレット台車上に、焼結パレット台車の幅方向に等間隔で、その進行方向に平行に立設されたシンターケーキ支持スタンドを複数備えた焼結機において、650mm以上の原料充填層の層厚で焼結鉱を製造するのに用いるシンターケーキ支持スタンドの設計方法(原料充填層上層部を十分に焼成した時点で、原料充填層に供給する酸素含有ガスの質量流量を、該原料充填層上層部を焼成する範囲において供給する酸素含有ガスの質量流量の1.01〜2.6倍に変更する場合を除く)であって、(1)式で算出される被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)が75m3以上でかつ前記シンターケーキ支持スタンドの高さと原料充填層の層厚の比Hs/Hが0.8以下となるように前記シンターケーキ支持スタンドの高さを採用することを特徴とするシンターケーキ支持スタンドの設計方法。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
- 焼結パレット台車上に、焼結パレット台車の幅方向に等間隔で、その進行方向に平行に立設されたシンターケーキ支持スタンドを複数備えた焼結機の焼結パレット台車に装填する原料充填層の層厚決定方法(原料充填層上層部を十分に焼成した時点で、原料充填層に供給する酸素含有ガスの質量流量を、該原料充填層上層部を焼成する範囲において供給する酸素含有ガスの質量流量の1.01〜2.6倍に変更する場合を除く)であって、(1)式で算出される被支持シンターケーキ体積Vsc(m3)が75m3以上かつ前記シンターケーキ支持スタンドの高さと前記原料充填層の層厚の比Hs/Hが0.8以下となるように、650mm以上の前記原料充填層の層厚を決定することを特徴とする原料充填層の層厚決定方法。
Vsc(m3)=(2・H/1000−Hs/1000)/2・(Hs/H)・A
…(1)
H(mm): 原料充填層の層厚
Hs(mm): シンターケーキ支持スタンドの高さ
A(m2): 有効焼結面積
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010126938A JP5488209B2 (ja) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 焼結鉱の製造方法、シンターケーキ支持スタンドの設計方法及び原料充填層の層厚決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010126938A JP5488209B2 (ja) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 焼結鉱の製造方法、シンターケーキ支持スタンドの設計方法及び原料充填層の層厚決定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011252203A JP2011252203A (ja) | 2011-12-15 |
JP5488209B2 true JP5488209B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=45416348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010126938A Active JP5488209B2 (ja) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 焼結鉱の製造方法、シンターケーキ支持スタンドの設計方法及び原料充填層の層厚決定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5488209B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103256814B (zh) * | 2013-05-27 | 2014-10-08 | 中冶北方(大连)工程技术有限公司 | 烧结环冷机台车 |
KR20160079240A (ko) | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 주식회사 포스코 | 소결 장치 및 이를 이용한 소결광 제조 방법 |
CN114993053B (zh) * | 2022-04-11 | 2024-04-30 | 重庆钢铁股份有限公司 | 一种烧结停机操作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06129775A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Nippon Steel Corp | シンターケーキ支持焼結方法およびそれに用いる焼結パレット |
JPH06271952A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-27 | Nippon Steel Corp | 焼結鉱の製造方法 |
JP3292791B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2002-06-17 | 新日本製鐵株式会社 | シンターケーキ支持スタンド及び焼結パレット |
JPH0914857A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nippon Steel Corp | 焼結鉱の製造方法 |
BR9706625A (pt) * | 1996-08-16 | 1999-11-23 | Nippon Steel Corp | Método de produção de minério sinterizado e máquina de sinterização para o mesmo |
JPH10122754A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Nippon Steel Corp | シンターケーキ支持スタンドを有する焼結機 |
-
2010
- 2010-06-02 JP JP2010126938A patent/JP5488209B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011252203A (ja) | 2011-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5488209B2 (ja) | 焼結鉱の製造方法、シンターケーキ支持スタンドの設計方法及び原料充填層の層厚決定方法 | |
JP6331607B2 (ja) | ベルレス高炉の装入物装入方法 | |
JP5703715B2 (ja) | 焼結鉱の製造方法 | |
CN210001905U (zh) | 可提高烧结料透气性的平烧烧结机结构 | |
JP5263200B2 (ja) | クラッシングガイド | |
JP6107461B2 (ja) | 焼結原料の焼結方法 | |
KR20150016635A (ko) | 소결광의 제조 방법 | |
JP5464807B2 (ja) | 焼結機パレットおよびグレートバー押え方法 | |
JP4932970B2 (ja) | 焼結パレット台車、それを備えた焼結機及び焼結鉱の製造方法 | |
JP2011179752A (ja) | 焼結機 | |
JP3292791B2 (ja) | シンターケーキ支持スタンド及び焼結パレット | |
JP4757960B2 (ja) | 高炉朝顔部構造およびその設計方法 | |
JP4814387B1 (ja) | アルミニウム塊の溶解方法 | |
JP4512564B2 (ja) | シンターケーキ支持スタンド用特殊鋼 | |
JP6338953B2 (ja) | シンターケーキ支持スタンド用特殊鋼 | |
JP3304676B2 (ja) | 焼結鉱の製造方法及びその焼結機 | |
JP5461831B2 (ja) | シンターケーキ支持スタンド | |
JPH06129775A (ja) | シンターケーキ支持焼結方法およびそれに用いる焼結パレット | |
JP2014219161A (ja) | パレット台車のサイドウォールの摩耗防止構造および摩耗防止方法 | |
JP4681590B2 (ja) | シンターケーキ支持スタンド用特殊鋼 | |
JP5263199B2 (ja) | 床敷鉱ホッパー及びそれを備えた焼結機 | |
JP4941122B2 (ja) | 高炉操業方法 | |
JPH06271952A (ja) | 焼結鉱の製造方法 | |
JPH0914857A (ja) | 焼結鉱の製造方法 | |
JP2003314966A (ja) | 焼結機のパレット台車とその通気性調整方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5488209 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |