JP5080621B2 - 熱音響装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、熱音響装置、特に金属膜を利用した熱音響装置に関するものである。
一般的に、音響装置は信号装置及び音波発生器を含む。前記信号装置は、信号を前記音波発生器(例えばスピーカー)に伝送する。スピーカーは電気音響変換器として、電気信号を音に変換することができる。
動作原理により、スピーカーは、ダイナミックスピーカー、マグネティックスピーカー、静電気スピーカー、圧電スピーカーなどの多種に分類される。前記多種のスピーカーは、全て機械的振動によって音波を生じ、即ち、電気―機械力―音の変換を実現する。ここで、ダイナミックスピーカーが広く利用されている。
しかし、ダイナミックスピーカーは、重いマグネット及び磁場の作用に依存しているので、ダイナミックスピーカーの構造は複雑である。また、ダイナミックスピーカーのマグネットは、スピーカーの近くに配置された電子装置に、悪い影響を与えるという課題がある。さらに、ダイナミックスピーカーは電気信号の入力の条件により作動するので、電気信号を提供しない場合、ダイナミックスピーカーは作動できないという課題がある。
H.D.Arnold、I.B.Crandall, "The thermophone as a precision source of sound", Phys. 1917年、第10巻, 第22−38頁、 Kaili Jiang、Qunqing Li、Shoushan Fan、"Spinning continuous carbon nanotube yarns"、Nature、2002年、第419巻、p.801
非特許文献1に、熱音響現象によって製造されたサーモホン(thermophone)が掲載されている。熱音響現象とは、音と熱が関わり合う現象であり、エネルギー変換とエネルギー輸送という2つの側面がある。熱音響装置に信号を転送すると、熱音響装置に熱が生じ、周辺の媒体へ伝播される。伝播された熱によって生じた熱膨張及び圧力波に起因して、音波を発生することができる。ここで、厚さが7×10−5cmの白金片が熱音響部品として利用されている。しかし、厚さが7×10−5cmの白金片に対して、単位面積当たりの熱容量は2×10−4J/cm・Kである。白金片の単位面積当たりの熱容量が非常に高いので、白金片を利用したサーモホンが室外で利用される場合、音が非常に弱いという課題がある。
本発明の熱音響装置は、信号入力装置と、発音素子と、少なくとも二つの電極と、を備えている。前記発音素子は、基板と、複数の突起と、金属膜と、よりなる。前記金属膜は、前記複数の突起によって前記基板の一側に懸架されている。
本発明の熱音響装置の製造方法は、基板及び信号入力装置を提供する第一ステップと、前記基板の一つ表面に、複数の突起を形成する第二ステップと、隣接する前記突起の間の隙間を充填するために、前記基板の前記複数の突起が形成された表面に犠牲層を塗布する第三ステップと、前記犠牲層の表面に金属層を堆積させる第四ステップと、前記犠牲層を除去して発音素子を形成する第五ステップと、前記信号入力装置を前記発音素子に電気的に接続させる第六ステップと、を含む。
従来の技術と比べて、本発明の熱音響装置は次の優れた点がある。第一は、本発明の熱音響装置における金属膜は、複数の突起で支持されているので、前記金属膜に信号を転送して該金属膜を振動させるとき、前記金属膜の損傷を防止することができる。第二に、本発明の熱音響装置における金属膜は、所定の距離で基板と離れるように懸架されるので、音波発生器と周辺の空気と接触する面積が大きくなり、音波発生器により生じた熱が速く拡散されることができる。第三に、本発明の製造方法により、簡単に前記金属膜を懸架させることができる。
本発明の実施例1における熱音響装置の模式図である。 本発明の実施例1における熱音響装置の製造方法のフローチャートである。 本発明の実施例1における熱音響装置の製造方法の分解図である。 本発明の実施例2における熱音響装置の模式図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
(実施例1)
図1を参照すると、本実施例の熱音響装置10は、信号入力装置12と、発音素子14と、少なくとも二つの電極18と、を含む。前記発音素子14は、基板16と、複数の突起17と、金属膜15と、を含む。前記複数の突起17は、前記基板16の一つ表面162に形成されている。前記金属膜15は、前記複数の突起17に被覆させている。前記複数の電極18は、相互に分離して設置され、且つ、それぞれ電気的に前記金属膜15及び前記信号入力装置12に接続されている。前記信号入力装置12は、MP3再生機又は増幅器である。前記複数の電極18により、前記信号入力装置12からの電磁信号を前記発音素子14に転送する。前記複数の電極18及び前記信号入力装置12は、ワイヤ19によって電気的に接続されることができる。
前記基板16は、絶縁材料、又は導電性が低い材料からなる。これにより、前記基板16は前記金属膜15で生じた熱を吸収することができない。本実施例において、前記基板16はダイヤモンド、ガラス、石英、プラスチック、樹脂のいずれか一種からなる。前記基板16の表面162に複数の突起を形成して、前記突起17として利用できる。この場合、前記金属膜15は、前記基板16の表面162に設置されている。
前記金属膜15は、Fe、Ni、Au、Cu、Ag、Co、Pt、Alのいずれか一種又はその一種の合金からなる。前記金属膜15は0.7μmより薄く設けられるので、その単位面積当たりの熱容量は、0(0は含まず)〜2×10−4J/cm・Kに達することができる。前記金属膜15は薄く設けられると、その単位面積当たりの熱容量は小さくなる。しかし、前記金属膜15に高強度の信号を転送すると、該高強度の信号で生じた強い熱で、前記金属膜15を熱膨張させるので、前記金属膜15は損傷する恐れがある。本発明において、前記金属膜15を前記突起17に被覆させ、前記突起17で前記金属膜15を支持させることにより、前記金属膜15の損傷を防止することができる。本実施例において、前記金属膜15と前記突起17と接触する面積は、0mm(0は含まず)〜1mm以下に設けられている。これにより、前記金属膜15の大部分(99%)を懸架させるので、前記金属膜15と周囲の空気と接触する面積比が大きく、前記金属膜15の熱伝導率が高くなり、前記熱音響装置10の発声効果がよくなる。前記複数の突起17を均一に形成することが好ましい。これによって、前記複数の突起17で前記金属膜15の重力を均一に分担できる。
前記複数の電極18は金属、導電接着剤、カーボンナノチューブ、ITOのいずれかの導電材料からなる。単一の前記電極18の断面は、円形、方形、三角形、等辺四辺形、多角形のいずれか一種である。前記複数の電極18により、前記信号入力装置12と前記発音素子14とを電気的に接続させることができる。前記複数の電極18は、それぞれ所定の距離で離れて前記金属膜15の一つ表面に設置されている。前記複数の電極18は導電性接着剤で前記金属膜15に接着されていてもよい。本実施例において、該導電性接着剤は、銀ペーストである。単一の前記電極18の長さは、前記金属膜15の幅と同じ設けられている。勿論、前記複数の電極18を設置せず、前記信号入力装置12を電気的に前記金属膜15に接続することができる。これにより、前記信号入力装置12からの電磁信号を直接前記金属膜15に転送できる。
本実施例において、ワイヤ19を利用して、前記信号入力装置12と前記金属膜15とを電気的に接続させる。前記信号入力装置12からの電磁気信号は、前記電極18で前記発音素子14に転送される。
前記金属膜15の単位面積当たりの熱容量が小さいので、前記金属膜15で生じた温度波により周辺の媒体に圧力振動を発生させることができる。前記金属膜15に信号(例えば、電気信号)を転送すると、信号強度及び/又は信号によって前記金属膜15に熱が生じる。温度波の拡散により、周辺の空気が熱膨張されて音が生じる。前記入力信号が電気信号である場合、前記熱音響装置10は、電気―熱―音の変換方式によって作動するが、前記入力信号が光学信号である場合、前記熱音響装置10は、光―熱―音の変換方式によって作動する。前記光学信号のエネルギーは前記金属膜15で吸収されて、熱として放射される。熱の放射によって周辺媒体(環境)の圧力強度が変化するので、検出可能信号を発生させることができる。本実施例における前記熱音響装置10の音圧レベルは60dB以上に達することができる。前記熱音響装置10に4.5Wの電圧を印加する場合、前記熱音響装置10の周波数応答範囲は、20Hz〜100KHzである。
図2及び図3を参照すると、前記熱音響装置10の製造方法は、基板16及び信号入力装置12を提供する第一ステップと、前記基板16の一つ表面162に、複数の突起17を形成する第二ステップと、隣接する前記突起17の間の隙間を充填するために、前記基板16の前記複数の突起17が形成した表面に犠牲層13を塗布する第三ステップと、前記犠牲層13の表面に金属層15を堆積させる第四ステップと、前記犠牲層13を除去する第五ステップと、前記信号入力装置12を発音素子14に電気的に接続させる第六ステップと、を含む。
前記第二ステップにおいて、前記突起17は、フォトエッチング、イオンビームエッチング、電子線エッチング、サンドブラスティング、プライス印刷又はスクリーン印刷である。
前記第三ステップにおいて、前記犠牲層13は、有機材料からなる。前記犠牲層13は、前記有機材料を分解でき、前記金属膜15が溶けない温度で製造されている。本実施例において、前記犠牲層13は、450℃以下で、アクリル樹脂又は綿火薬で製造されたものである。前記犠牲層13の厚さは、単一の前記突起17の高さより小さい。
前記犠牲層13の製造方法は、所定の比例で、ポリマー、可塑剤、溶剤(又は共溶媒)を混合して有機ポリマー溶液を形成する第一サブステップと、前記基板16の前記表面162に前記有機ポリマー溶液を塗布する第二サブステップと、前記有機ポリマー溶液を固化させて前記犠牲層13を形成する第三サブステップと、を含む。
前記第一サブステップにおいて、前記ポリマーは、ポリ(メタクリル酸イソブチル)及びアクリル酸B−72樹脂を含む。前記可塑剤は、フタル酸ジブチル(DBP)である。前記溶剤は、酢酸エチル及び酢酸ブチルである。前記共溶媒は、エタノール及びブタノールである。本実施例において、前記有機ポリマー溶液は次の表1に示されている。
Figure 0005080621
さらに、前記第二ステップにおいて、前記有機ポリマー溶液を塗布する前に、前記基板16を1分間〜10分間洗浄することが好ましい。これにより、前記有機ポリマー溶液を容易に前記基板16の表面162に塗布できる。
前記第四ステップにおいて、真空蒸着又はマグネトロンスパッタリングで金属を堆積させることにより、非常に薄い金属膜15を形成することができる。
前記第五ステップにおいて、前記犠牲層13を加熱して分解させると、前記犠牲層13は薄くなるので、前記金属膜15は自身の重量で降下して、前記複数の突起17と接触する。前記犠牲層13の加熱温度は、前記金属膜15及び前記基板16の融点より低いので、前記犠牲層13を完全に分解させた後でも前記金属膜15及び前記基板16は溶けない。これにより、前記犠牲層13を除去した後、前記金属膜15は、前記基板16の一側に懸架されているので、前記金属膜15と周辺の媒介(空気又は液体)と接触する面積が大きくなる。
本実施例において、前記金属膜15は、自立構造を有した薄膜の形状に形成されている。ここで、自立構造とは、支持体材を利用せず、前記金属膜15を独立して利用することができるという形態のことである。すなわち、前記金属膜15を対向する両側から支持して、前記金属膜15の構造を変化させずに、前記金属膜15を懸架させることができることを意味する。前記金属膜15の一部は、前記複数の突起17で支持され、その他の部分は懸架されている。
さらに、前記金属膜15と、前記電極18と、を良好に接続させるために、前記金属膜15及び前記電極18の間に導電性を有する接着層(図示せず)を設置することができる。前記接着層と前記金属膜15と接触する面積は、できるだけ小さくなるように設けられることが好ましい。本実施例において、前記導電性を有する接着層は銀ペーストからなる。
本実施例の製造方法において、前記犠牲層13を加熱して除去することにより、前記金属膜15を懸架させることは、簡単であり、前記複数の突起17で前記金属膜15を支持することにより、前記金属膜15の損傷を防止できる。
(実施例2)
図4を参照すると、本実施例の熱音響装置20は、信号入力装置22と、発音素子24と、少なくとも二つの電極28と、を含む。前記発音素子24は、基板26と、複数の粒子27と、金属膜25と、を含む。前記複数の粒子27は、前記基板26の一つ表面262上に分散している。前記金属膜25は、前記複数の粒子27を被覆している。前記複数の電極28は、相互に分離して設置され、且つ、それぞれ電気的に前記金属膜25及び前記信号入力装置22に接続されている。
単一の前記粒子27の直経は1mm以下である。前記粒子27は、セラミック、ガラス、石英のような硬い熱絶縁材料からなる。これにより、前記金属膜25で生じた熱を、前記粒子27で吸収することを防止することができる。さらに、前記基板26の表面262及び前記粒子27の間に、接着層を設置することができる。
前記熱音響装置20の製造方法は、基板26及び信号入力装置22を提供する第一ステップと、前記基板26の一つ表面262に、複数の粒子27を設置する第二ステップと、隣接する前記粒子27の間の隙間を充填するために、前記基板26の前記複数の粒子27が設置された表面に犠牲層を塗布する第三ステップと、前記犠牲層の表面に金属層25を堆積させる第四ステップと、前記犠牲層を除去する第五ステップと、前記信号入力装置22を発音素子24に電気的に接続させる第六ステップと、を含む。
前記第二ステップにおいて、前記複数の粒子27の設置方法は、前記基板26の表面262に接着層を形成する第一サブステップと、該接着層に前記複数の粒子27を均一に分散する第二サブステップと、を含む。
10 熱音響装置
12 信号入力装置
14 発音素子
15 金属膜
16 基板
162 表面
17 突起
18 電極
20 熱音響装置
22 信号入力装置
24 発音素子
25 金属膜
26 基板
262 表面
27 粒子
28 電極

Claims (1)

  1. 基板及び信号入力装置を提供する第一ステップと、
    前記基板の一つ表面に、複数の突起を形成する第二ステップと、
    隣接する前記突起の間の隙間を充填するために、前記基板の前記複数の突起が形成された表面に犠牲層を塗布する第三ステップと、
    前記犠牲層の表面に金属層を堆積させる第四ステップと、
    前記犠牲層を除去して前記金属層を自身の重量で降下させ前記複数の突起と接触させることによって発音素子を形成する第五ステップと、
    前記信号入力装置を前記発音素子に電気的に接続させる第六ステップと、を含むことを特徴とする熱音響装置の製造方法。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102006542B (zh) * 2009-08-28 2014-03-26 清华大学 发声装置
CN103841483B (zh) 2012-11-20 2018-03-02 清华大学 耳机
CN103841502B (zh) 2012-11-20 2017-10-24 清华大学 发声装置
CN103841506B (zh) 2012-11-20 2017-09-01 清华大学 热致发声器阵列的制备方法
CN103841478B (zh) 2012-11-20 2017-08-08 清华大学 耳机
CN103841500B (zh) 2012-11-20 2018-01-30 清华大学 热致发声装置
CN103841501B (zh) 2012-11-20 2017-10-24 清华大学 发声芯片
CN103841507B (zh) 2012-11-20 2017-05-17 清华大学 热致发声装置的制备方法
CN103841479B (zh) 2012-11-20 2017-08-08 清华大学 耳机
CN103841481B (zh) 2012-11-20 2017-04-05 清华大学 耳机
CN103841480B (zh) 2012-11-20 2017-04-26 清华大学 耳机
JP5685622B2 (ja) * 2012-11-20 2015-03-18 ツィンファ ユニバーシティ 熱音響装置の製造方法及び熱音響装置アレイの製造方法
CN103841482B (zh) 2012-11-20 2017-01-25 清华大学 耳机
CN103841503B (zh) 2012-11-20 2017-12-01 清华大学 发声芯片
CN103841504B (zh) 2012-11-20 2017-12-01 清华大学 热致发声器阵列
CN103901247B (zh) * 2012-12-28 2016-08-31 清华大学 电势差测量方法
US10171919B2 (en) 2016-05-16 2019-01-01 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Thermal and thermoacoustic nanodevices and methods of making and using same
CN113005409B (zh) * 2021-02-22 2022-09-13 延边大学 一种复合金属薄膜制备方法

Family Cites Families (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1528774A (en) * 1922-11-20 1925-03-10 Frederick W Kranz Method of and apparatus for testing the hearing
US3670299A (en) * 1970-03-25 1972-06-13 Ltv Ling Altec Inc Speaker device for sound reproduction in liquid medium
JPS5311172B2 (ja) 1972-06-28 1978-04-19
JPS5220296Y2 (ja) * 1974-02-18 1977-05-10
US4045695A (en) * 1974-07-15 1977-08-30 Pioneer Electronic Corporation Piezoelectric electro-acoustic transducer
US4002897A (en) * 1975-09-12 1977-01-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-acoustic telephone receiver
US4334321A (en) * 1981-01-19 1982-06-08 Seymour Edelman Opto-acoustic transducer and telephone receiver
US4503564A (en) * 1982-09-24 1985-03-05 Seymour Edelman Opto-acoustic transducer for a telephone receiver
JPS6022900A (ja) 1983-07-19 1985-02-05 Toshiba Corp デジタルスピ−カ装置
US4641377A (en) * 1984-04-06 1987-02-03 Institute Of Gas Technology Photoacoustic speaker and method
JPS61294786A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 ダイキン工業株式会社 暖房用電気カ−ペツト
US4689827A (en) * 1985-10-04 1987-08-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Photofluidic audio receiver
US4766607A (en) * 1987-03-30 1988-08-23 Feldman Nathan W Method of improving the sensitivity of the earphone of an optical telephone and earphone so improved
JPH01255398A (ja) 1988-04-04 1989-10-12 Noriaki Shimano 水中音響装置
JPH03147497A (ja) 1989-11-01 1991-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd スピーカ装置
KR910013951A (ko) 1989-12-12 1991-08-08 이헌조 복합영상신호의 휘도/색도신호 분리회로
CN2083373U (zh) 1990-06-25 1991-08-21 中国科学院东海研究站 水下及高湿度空气中的扬声器
JP3147497B2 (ja) 1991-10-03 2001-03-19 三菱マテリアル株式会社 缶内圧測定装置及び缶内圧の測定方法
JPH07282961A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Kazuo Ozawa ヒーター
CN2251746Y (zh) 1995-07-24 1997-04-09 林振义 超薄型电脑中央处理单元的散热装置
JP3160756B2 (ja) 1995-08-07 2001-04-25 本田通信工業株式会社 タイマーアラーム装置および耳装着構造
US5694477A (en) * 1995-12-08 1997-12-02 Kole; Stephen G. Photothermal acoustic device
CN2282750Y (zh) 1996-10-15 1998-05-27 广州市天威实业有限公司 一种功放电路散热架
CN2302622Y (zh) 1997-06-11 1998-12-30 李桦 音箱
GB2333004B (en) * 1997-12-31 2002-03-27 Nokia Mobile Phones Ltd Earpiece acoustics
CN2327142Y (zh) 1998-02-13 1999-06-30 朱孝尔 匀热悬丝式红外定向辐射器
JP3705926B2 (ja) 1998-04-23 2005-10-12 独立行政法人科学技術振興機構 圧力波発生装置
JP3134844B2 (ja) * 1998-06-11 2001-02-13 株式会社村田製作所 圧電音響部品
US20010005272A1 (en) * 1998-07-03 2001-06-28 Buchholz Jeffrey C. Optically actuated transducer system
US6864668B1 (en) 1999-02-09 2005-03-08 Tropian, Inc. High-efficiency amplifier output level and burst control
AUPP976499A0 (en) 1999-04-16 1999-05-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multilayer carbon nanotube films
AUPQ065099A0 (en) 1999-05-28 1999-06-24 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Substrate-supported aligned carbon nanotube films
JP4136221B2 (ja) * 1999-09-09 2008-08-20 本田技研工業株式会社 スピーカ内蔵ヘルメットおよびヘルメット用スピーカ
CN1119917C (zh) 2000-03-31 2003-08-27 清华大学 用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法
JP2001333493A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 平面スピーカ
CN2425468Y (zh) 2000-06-09 2001-03-28 东莞市以态电子有限公司 一种平板音箱
GB2365816B (en) * 2000-08-09 2002-11-13 Murata Manufacturing Co Method of bonding conductive adhesive and electrode,and bonded structure
JP2002186097A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Pioneer Electronic Corp スピーカ
WO2002080360A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-10 California Institute Of Technology Pattern-aligned carbon nanotube growth and tunable resonator apparatus
CN2485699Y (zh) 2001-04-24 2002-04-10 南京赫特节能环保有限公司 无风扇台式计算机相变散热器
JP4207398B2 (ja) * 2001-05-21 2009-01-14 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス
JP2002352940A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Misawa Shokai:Kk 面状発熱装置
KR20030015806A (ko) * 2001-08-17 2003-02-25 최해용 극장용 영상,음향 광학계(劇場用 映像,音響 光學係)
TW200829675A (en) 2001-11-14 2008-07-16 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive for electric circuit connection
JP3798302B2 (ja) 2001-11-20 2006-07-19 独立行政法人科学技術振興機構 熱誘起圧力波発生装置
JP2003198281A (ja) 2001-12-27 2003-07-11 Taiko Denki Co Ltd オーディオ信号増幅装置
US6839439B2 (en) * 2002-02-14 2005-01-04 Siemens Vdo Automotive Inc. Method and apparatus for active noise control in an air induction system
CN1443021A (zh) 2002-03-01 2003-09-17 阿尔卑斯电气株式会社 音响装置
JP4180289B2 (ja) 2002-03-18 2008-11-12 喜萬 中山 ナノチューブ先鋭化方法
JP2003319491A (ja) 2002-04-19 2003-11-07 Sony Corp 振動板及びその製造方法、並びにスピーカ
JP2003319490A (ja) 2002-04-19 2003-11-07 Sony Corp 振動板及びその製造方法、並びにスピーカ
JP2003332266A (ja) 2002-05-13 2003-11-21 Kansai Tlo Kk ナノチューブの配線方法及びナノチューブ配線用制御回路
JP3997839B2 (ja) 2002-05-29 2007-10-24 松下電器産業株式会社 電気面状採暖具
JP3657574B2 (ja) 2002-05-31 2005-06-08 独立行政法人科学技術振興機構 カーボンナノワイヤの製造法
EP1578599A4 (en) 2002-08-01 2008-07-02 Oregon State METHOD FOR SYNTHETIZING NANOSTRUCTURES AT FIXED PLACES
GB2392795B (en) * 2002-09-04 2006-04-19 B & W Loudspeakers Suspension for the voice coil of a loudspeaker drive unit
CN100411979C (zh) * 2002-09-16 2008-08-20 清华大学 一种碳纳米管绳及其制造方法
US6798127B2 (en) * 2002-10-09 2004-09-28 Nano-Proprietary, Inc. Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles
TW568882B (en) 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst Self-organized nano-interfacial structure applied to electric device
EP1585440A1 (en) * 2003-01-13 2005-10-19 Glucon Inc. Photoacoustic assay method and apparatus
JP4126489B2 (ja) 2003-01-17 2008-07-30 松下電工株式会社 テーブルタップ
JP2004229250A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Koichi Nakagawa Pwm信号インターフェイス方式
CN1698400A (zh) * 2003-02-28 2005-11-16 农工大Tlo株式会社 热激发声波发生装置
US20050201575A1 (en) * 2003-02-28 2005-09-15 Nobuyoshi Koshida Thermally excited sound wave generating device
KR100584671B1 (ko) 2004-01-14 2006-05-30 (주)케이에이치 케미컬 황 또는 금속 나노입자를 접착제로 사용하는 탄소나노튜브또는 탄소나노파이버 전극의 제조방법 및 이에 의해제조된 전극
GB0316367D0 (en) * 2003-07-11 2003-08-13 Univ Cambridge Tech Production of agglomerates from gas phase
JP2005051284A (ja) 2003-07-28 2005-02-24 Kyocera Corp 音波発生器、ならびにそれを用いたスピーカ、ヘッドホンおよびイヤホン
US20060104451A1 (en) * 2003-08-07 2006-05-18 Tymphany Corporation Audio reproduction system
US20050036905A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-17 Matsushita Electric Works, Ltd. Defect controlled nanotube sensor and method of production
JP2005072209A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Fuji Xerox Co Ltd 抵抗素子、その製造方法およびサーミスタ
JP3845077B2 (ja) 2003-08-28 2006-11-15 農工大ティー・エル・オー株式会社 音波発生装置の製造方法
JP4449387B2 (ja) * 2003-09-25 2010-04-14 富士ゼロックス株式会社 複合材の製造方法
CN100562971C (zh) 2003-10-27 2009-11-25 松下电工株式会社 红外辐射元件和使用其的气敏传感器
JP4238716B2 (ja) * 2003-12-15 2009-03-18 富士ゼロックス株式会社 電気化学測定用電極及びその製造方法
JP2005189322A (ja) 2003-12-24 2005-07-14 Sharp Corp 画像形成装置
JP2005235672A (ja) 2004-02-23 2005-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd ヒータユニット及びそれを搭載した装置
JP4393245B2 (ja) * 2004-03-30 2010-01-06 株式会社東芝 電力増幅器
KR100879392B1 (ko) 2004-04-19 2009-01-20 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 탄소계 미세 구조물군, 탄소계 미세 구조물의 집합체, 그이용 및 제조방법
CN100543907C (zh) * 2004-04-22 2009-09-23 清华大学 一种碳纳米管场发射阴极的制备方法
JP4427380B2 (ja) 2004-04-27 2010-03-03 ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー 超音波探触子、超音波撮像装置および超音波探触子製造方法
CN1954640B (zh) * 2004-04-28 2011-07-27 松下电工株式会社 压力波产生装置及其制造方法
JP4505672B2 (ja) 2004-04-28 2010-07-21 パナソニック電工株式会社 圧力波発生装置及びその製造方法
JP2005333601A (ja) 2004-05-20 2005-12-02 Norimoto Sato スピーカー・ユニット駆動負帰還増幅器
JP4347885B2 (ja) 2004-06-03 2009-10-21 オリンパス株式会社 静電容量型超音波振動子の製造方法、当該製造方法によって製造された静電容量型超音波振動子を備えた超音波内視鏡装置、静電容量型超音波プローブおよび静電容量型超音波振動子
JP4103877B2 (ja) * 2004-09-22 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 静電型超音波トランスデューサ及び超音波スピーカ
TWI248253B (en) 2004-10-01 2006-01-21 Sheng-Fuh Chang Dual-band power amplifier
US8926933B2 (en) 2004-11-09 2015-01-06 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Fabrication of twisted and non-twisted nanofiber yarns
CN2779422Y (zh) 2004-11-10 2006-05-10 哈尔滨工程大学 高分辨率多波束成像声纳
JP4782143B2 (ja) * 2004-11-22 2011-09-28 ハーマン インターナショナル インダストリーズ インコーポレイテッド 拡声器のプラスチックコーンボディ
JP4513546B2 (ja) 2004-12-21 2010-07-28 パナソニック電工株式会社 圧力波発生素子およびその製造方法
JP2006217059A (ja) 2005-02-01 2006-08-17 Matsushita Electric Works Ltd 圧力波発生装置
CN1821048B (zh) 2005-02-18 2014-01-15 中国科学院理化技术研究所 一种基于热声转换的微/纳米热声激振器
CN2787870Y (zh) 2005-02-28 2006-06-14 中国科学院理化技术研究所 一种基于热声转换的微/纳米热声发动机
CN100337981C (zh) 2005-03-24 2007-09-19 清华大学 热界面材料及其制造方法
CN2798479Y (zh) 2005-05-18 2006-07-19 夏跃春 电热板及电热板***
US7315204B2 (en) * 2005-07-08 2008-01-01 National Semiconductor Corporation Class AB-D audio power amplifier
JP2007024688A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Matsushita Electric Works Ltd 人体異常検知センサおよびそれを用いた通報システム
KR100744843B1 (ko) * 2005-10-14 2007-08-06 (주)케이에이치 케미컬 음향 진동판 및 이를 구비하는 스피커
EP1916870B1 (en) * 2005-10-26 2010-11-24 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Pressure wave generator and production method therefor
KR100767260B1 (ko) 2005-10-31 2007-10-17 (주)케이에이치 케미컬 음향 진동판 및 이를 구비하는 스피커
CN1787696A (zh) 2005-11-17 2006-06-14 杨峰 多功能电热地暖装饰材料及其制作方法
DE102005059270A1 (de) 2005-12-12 2007-06-21 Siemens Ag Elektroakustische Wandlereinrichtung mit Kohlenstoffröhrchen und damit ausgestattete Hörvorrichtung
CN100500556C (zh) * 2005-12-16 2009-06-17 清华大学 碳纳米管丝及其制作方法
TW200726290A (en) 2005-12-16 2007-07-01 Ind Tech Res Inst Electro-acoustic transducer and manufacturing method thereof
JP4933090B2 (ja) 2005-12-19 2012-05-16 パナソニック株式会社 超音波探触子及び超音波診断装置
JP2007174220A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sony Corp 機器制御システム、リモートコントロール装置及び記録再生装置
CN1997243B (zh) 2005-12-31 2011-07-27 财团法人工业技术研究院 可挠式扬声器及其制法
US7427201B2 (en) * 2006-01-12 2008-09-23 Green Cloak Llc Resonant frequency filtered arrays for discrete addressing of a matrix
JP2007187976A (ja) 2006-01-16 2007-07-26 Teijin Fibers Ltd 映写用スクリーン
JP4816109B2 (ja) * 2006-01-30 2011-11-16 株式会社デンソー 超音波発生素子
JP2007228299A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd データ伝送装置およびデータ伝送システム
JP4968854B2 (ja) 2006-02-28 2012-07-04 東洋紡績株式会社 カーボンナノチューブ集合体、カーボンナノチューブ繊維及びカーボンナノチューブ繊維の製造方法
WO2007110899A1 (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Fujitsu Limited 炭素系繊維のデバイス構造およびその製造方法
JP4400889B2 (ja) 2006-04-03 2010-01-20 京セラ株式会社 材料変換器収納用容器および材料変換装置
TWI344487B (en) 2006-04-24 2011-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Thermal interface material
TW200744399A (en) 2006-05-25 2007-12-01 Tai-Yan Kam Sound-generation vibration plate of speaker
JP2007054831A (ja) 2006-08-18 2007-03-08 Nokodai Tlo Kk 超音波音源および超音波センサ
JP4817464B2 (ja) 2006-09-05 2011-11-16 パイオニア株式会社 熱音響発生装置
CN101138896B (zh) * 2006-09-08 2010-05-26 清华大学 碳纳米管/聚合物复合材料
DE102006046292B9 (de) * 2006-09-29 2014-04-30 Epcos Ag Bauelement mit MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung
CN100547184C (zh) 2006-11-09 2009-10-07 中国科学技术大学 光伏被动采暖墙
JP5032835B2 (ja) 2006-12-18 2012-09-26 三菱電線工業株式会社 電熱ヒータ付きグリップ部材
JP2008163535A (ja) 2007-01-05 2008-07-17 Nano Carbon Technologies Kk 炭素繊維複合構造体および炭素繊維複合構造体の製造方法
US7723684B1 (en) * 2007-01-30 2010-05-25 The Regents Of The University Of California Carbon nanotube based detector
CN101239712B (zh) * 2007-02-09 2010-05-26 清华大学 碳纳米管薄膜结构及其制备方法
TWI327177B (en) 2007-02-12 2010-07-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Carbon nanotube film and method for making same
KR100761548B1 (ko) * 2007-03-15 2007-09-27 (주)탑나노시스 필름 스피커
CN101284662B (zh) 2007-04-13 2011-01-05 清华大学 碳纳米管薄膜的制备方法
JP2008269914A (ja) 2007-04-19 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面状発熱体
CN101314464B (zh) 2007-06-01 2012-03-14 北京富纳特创新科技有限公司 碳纳米管薄膜的制备方法
JP2008304348A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Nippon Densan Corp 電圧信号変換回路およびモータ
JP2009031031A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Denso Corp 超音波センサ
CN101409962B (zh) 2007-10-10 2010-11-10 清华大学 面热光源及其制备方法
CN101409961B (zh) 2007-10-10 2010-06-16 清华大学 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101400198B (zh) 2007-09-28 2010-09-29 北京富纳特创新科技有限公司 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101458975B (zh) * 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
CN101459019B (zh) 2007-12-14 2012-01-25 清华大学 热电子源
CN101471213B (zh) 2007-12-29 2011-11-09 清华大学 热发射电子器件及其制备方法
CN101471211B (zh) 2007-12-29 2010-06-02 清华大学 热发射电子器件
JP2008101910A (ja) 2008-01-16 2008-05-01 Doshisha 熱音響装置
CN201150134Y (zh) 2008-01-29 2008-11-12 石玉洲 远红外光波板
JP4589438B2 (ja) 2008-02-01 2010-12-01 ツィンファ ユニバーシティ カーボンナノチューブ複合物
JP4589439B2 (ja) * 2008-02-01 2010-12-01 ツィンファ ユニバーシティ カーボンナノチューブ複合物の製造方法
US8068624B2 (en) * 2008-04-28 2011-11-29 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic device
TWI351680B (en) 2008-05-23 2011-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Acoustic device
CN101715155B (zh) 2008-10-08 2013-07-03 清华大学 耳机
JP4924593B2 (ja) 2008-12-01 2012-04-25 セイコーエプソン株式会社 Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法
CN101458221B (zh) 2008-12-26 2012-08-22 尚沃医疗电子无锡有限公司 金属氧化物/碳纳米管气体传感器
US8300855B2 (en) * 2008-12-30 2012-10-30 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic module, thermoacoustic device, and method for making the same
TWI382772B (zh) 2009-01-16 2013-01-11 Beijing Funate Innovation Tech 熱致發聲裝置

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