CN101459019B - 热电子源 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种热电子源，该热电子源包括一基板、至少两个电极和一热电子发射体，所述至少两个电极间隔设置，并与该热电子发射体电接触，所述热电子发射体为一薄膜结构，该热电子发射体至少部分与所述基板间隔设置。

Description

热电子源
技术领域
本发明涉及一种热电子源，尤其涉及一种基于碳纳米管的热电子源。
背景技术
从1991年日本科学家Iijima首次发现碳纳米管以来(请参见Helicalmicrotubules of graphitic carbon，Nature，Sumio Iijima，vol 354，p56(1991))，以碳纳米管为代表的纳米材料以其独特的结构和性质引起了人们极大的关注。近几年来，随着碳纳米管及纳米材料研究的不断深入，其广阔的应用前景不断显现出来。例如，由于碳纳米管所具有的独特的电磁学、光学、力学、化学等性能，大量有关其在电子发射装置、传感器、新型光学材料、软铁磁材料等领域的应用研究不断被报道。
通常，电子发射装置采用热电子发射体或者冷电子发射体作为电子发射源。利用热电子发射体从电子发射装置发射电子的现象称为热电子发射现象。热电子发射是利用加热的方法使发射体内部电子的动能增加，以致使一部分电子的动能大到足以克服发射体表面势垒而逸出体外。从发射体表面发射的电子可以称为热电子，并且发射热电子的发射体可以称为热电子发射体。
现有技术中，热电子源一般包括一热电子发射体、两个电极和一基板。所述两个电极设置于所述基板之上，并与该基板相接触。所述热电子发射体设置于两个电极之间，与所述两个电极电接触的同时并与基板表面相接触。通常采用硼化物材料或者氧化物材料作为热电子发射体材料。然而以含有硼化物材料作为热电子发射体制备的热电子源中热电子发射体和基板表面相接触，在对热电子发射体进行加热的过程中，基板会导热从而将所述热电子发射体的大部分热量传导进大气中，影响所制备的热电子源的热电子发射性能。而且，由于含硼化物材料或者碱土金属碳酸盐材料的热电子发射体具有相当高的电阻率，所制备的热电子源在加热时发射电子会产生较大的功耗，因此不适合于大电流密度和高亮度的应用。
因此，确有必要提供一种具有优良的热发射性能且使用寿命高，可用于大电流密度和高亮度的平板显示和逻辑电路等多个领域的热电子源。
发明内容
一种热电子源包括一基板、至少两个电极和一热电子发射体，所述至少两个电极间隔设置，并与该热电子发射体电接触，所述热电子发射体为一薄膜结构，该热电子发射体至少部分与所述基板间隔设置。
与现有技术相比较，所述的热电子源中热电子发射体与基板间隔设置，基板不会将加热所述热电子发射体而产生的热量传导进大气中，故所制备的热电子源的热电子发射性能优异。而且，所述热电子发射体为一薄膜结构，电阻率低，在较低的热功率下即可实现热电子的发射，降低了所述热电子源在加热时发射电子而产生的功耗，可用于大电流密度和高亮度的平板显示和逻辑电路等多个领域。
附图说明
图1是本技术方案第一实施例的热电子源的结构示意图。
图2是本技术方案第二实施例的热电子源的结构示意图。
图3是本技术方案第二实施例的热电子源的扫描电镜照片。
图4是本技术方案第三实施例的热电子源的结构示意图。
图5是本技术方案第一实施例的热电子源的热发射特性曲线图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案热电子源及其制备方法。
请参阅图1，本技术方案第一实施例提供的一种热电子源10包括一基板12、一第一电极14、一第二电极16和一热电子发射体18。所述第一电极14和第二电极16间隔设置于所述基板12的表面，并与该基板12的表面接触。所述热电子发射体18与所述第一电极14和第二电极16的表面电接触。所述热电子发射体18为一薄膜结构，该热电子发射体18至少部分通过所述第一电极14和/或第二电极16与所述基板12间隔设置。
所述热电子源10进一步包括一低逸出功层，该低选出功层设置在所述热电子发射体18的表面。该低逸出功层的材料为氧化钡或者钍等，可以使所述热电子源10在较低的温度下实现热电子的发射。
所述基板12的材料可为陶瓷、玻璃、树脂、石英等。其中，所述基板12的形状大小不限，可依据实际需要进行改变。本技术方案第一实施例中所述基板12优选为一玻璃基板。
所述的第一电极14和第二电极16间隔设置在所述基板12表面，以使所述热电子发射体18应用于热电子源10时接入一定的阻值避免短路现象的产生。所述第一电极14和第二电极16的材料为金、银和铜等导电金属。所述第一电极14和第二电极16是一金属镀层或者一金属箔片，通过一粘结剂(图未示)固定于所述基板12表面。所述第一电极14和第二电极16的材料也可选择为石墨、碳纳米管等导电材料。所述第一电极14和第二电极16可以是一石墨层，通过一粘结剂(图未示)固定于所述基板12表面，还可以是一碳纳米管长线或者一碳纳米管薄膜通过本身的粘性直接固定于所述基板12表面。可以理解，所述第一电极14和第二电极16固定于所述基板12的方式不限于上述方式，只要使该第一电极14和第二电极16能固定于所述基板12的方式都在本发明的保护范围内。本技术方案第一实施例中所述第一电极14和第二电极16优选为铜镀层，分别通过一粘结剂固定于所述基板12的表面。
所述热电子发射体18的材料为硼化物、氧化物、金属或者碳纳米管。所述热电子发射体18的长度为200微米～500微米，宽度为100微米～300微米。本技术方案第一实施例中所述热电子发射体18优选为一碳纳米管层。该碳纳米管层包括一碳纳米管薄膜或者至少两个重叠设置的碳纳米管薄膜。该碳纳米管薄膜中碳纳米管沿同一方向择优取向排列。所述重叠设置的碳纳米管薄膜中相邻的两个碳纳米管薄膜中碳纳米管排列方向具有一交叉角度α，0度≤α≤90度。所述碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管束，相邻的碳纳米管束之间通过范德华力连接。该碳纳米管束包括多个长度相等且相互平行排列的碳纳米管，相邻碳纳米管之间通过范德华力连接。
本技术方案实施例中，由于采用CVD法在4英寸的基底上生长超顺排碳纳米管阵列，并进行进一步地处理得到一碳纳米管薄膜，故该碳纳米管薄膜的宽度为0.01厘米～10厘米，厚度为10纳米～100微米。所述碳纳米管薄膜可根据实际需要切割成具有预定尺寸和形状的碳纳米管薄膜。可以理解，当采用较大的基底生长超顺排碳纳米管阵列时，可以得到更宽的碳纳米管薄膜。上述碳纳米管薄膜中的碳纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或者多壁碳纳米管。当碳纳米管薄膜中的碳纳米管为单壁碳纳米管时，该单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～50纳米。当碳纳米管薄膜中的碳纳米管为双壁碳纳米管时，该双壁碳纳米管的直径为1.0纳米～50纳米。当碳纳米管薄膜中的碳纳米管为多壁碳纳米管时，该多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。由于碳纳米管薄膜中的碳纳米管非常纯净，且由于碳纳米管本身的比表面积非常大，所以该碳纳米管薄膜本身具有较强的粘性。该碳纳米管薄膜可利用其本身的粘性直接固定于所述第一电极14和第二电极16。所述热电子发射体18还可以通过一导电粘结剂固定于所述第一电极14和第二电极16。可以理解，所述热电子发射体1 8固定于所述第一电极14和第二电极16的方式不限于上述方式，只要使该热电子发射体18固定于所述第一电极14和第二电极16的方式都在本发明的保护范围内。本技术方案第一实施例优选将所述热电子发射体18通过一导电粘结剂固定于所述第一电极14和第二电极16。
请参阅图2及图3，本技术方案第二实施例提供的一种热电子源20包括一基板22、一第一电极24、一第二电极26、一第一固定元件25、一第二固定元件27和一热电子发射体28。所述第一电极24和第二电极26间隔设置于所述基板22的表面，并与该基板22的表面接触。所述第一固定元件25和第二固定元件27分别对应于所述第一电极24和第二电极26设置。所述热电子发射体28通过所述第一固定元件25和/或第二固定元件27固定于所述第一电极24和第二电极26，并与所述第一电极24和第二电极26电接触。所述热电子发射体28设置于所述固定元件和所述电极之间。所述热电子发射体28至少部分通过所述第一电极24和/或第二电极26与所述基板22间隔设置。
所述热电子发射体28与本技术方案第一实施例中热电子发射体18的结构相同，均为一薄膜结构。
所述第一固定元件25和第二固定元件27用于将所述热电子发射体28更好地固定于所述第一电极24和第二电极26。所述第一固定元件25和第二固定元件27通过一粘结剂(图未示)将所述热电子发射体28固定于所述第一电极24和第二电极26。所述第一固定元件25和第二固定元件27的材料、形状、大小和结构形式不限，只要能将所述热电子发射体28更好地固定于所述第一电极24和第二电极26即可。可以理解，所述热电子发射体28还可以通过导电胶固定于所述第一电极24和第二电极26。本技术方案第二实施例中所述第一固定元件25和第二固定元件27优选为石墨层，所述热电子发射体28通过一粘结剂固定于所述第一电极24和第二电极26。可以理解，使用所述第一固定元件25和第二固定元件27中任意一个，也可将所述热电子发射体28固定于所述第一电极24和第二电极26。
请参阅图4，本技术方案第三实施例提供的一种热电子源30包括一基板32、一第一支撑元件34、一第二支撑元件36、一第一电极35、一第二电极37和一热电子发射体38。所述第一支撑元件34和第二支撑元件36间隔设置于所述基板32的表面，并与该基板32的表面接触。所述第一电极35和第二电极37间隔设置于所述热电子发射体38的表面，并与所述热电子发射体38的表面电接触。所述热电子发射体38至少部分通过所述第一支撑元件34和/或第二支撑元件36与所述基板32间隔设置。
所述第一电极35和第二电极37可以通过一导电胶固定于所述热电子发射体38的表面。所述第一电极35和第二电极37设置于所述热电子发射体38的位置不限，只要所述第一电极35和第二电极37间隔设置即可。本技术方案第三实施例中所述第一电极35和第二电极37优选分别对应所述第一支撑元件34和第二支撑元件36设置。
所述热电子发射体38与本技术方案第一实施例中热电子发射体18的结构相同，均为一薄膜结构。
所述第一支撑元件34和第二支撑元件36用于将所述热电子发射体38与所述基板32间隔设置。所述第一支撑元件34和第二支撑元件36通过一粘结剂(图未示)固定于所述基板32之上。所述第一支撑元件34和第二支撑元件36的材料、形状、大小和结构形式不限，只要能使所述热电子发射体38至少部分通过该第一支撑元件34和第二支撑元件36与所述基板32间隔设置即可。本技术方案第三实施例中所述第一支撑元件34和第二支撑元件36优选为玻璃层，分别通过一粘结剂固定于所述基板32的表面。可以理解，使用所述第一支撑元件34和第二支撑元件36中任意一个，也可将所述热电子发射体38与所述基板32间隔设置。
请参阅图5，为本技术方案第一实施例提供的热电子源10的热发射特性曲线图。所述热电子源10中第一电极14和第二电极16的形状为矩形。该第一电极14和第二电极16的长度均为200微米，宽度均为150微米。所述热电子发射体18为一碳纳米管层，该碳纳米管层包括一碳纳米管薄膜。该碳纳米管薄膜的长度为300微米，宽度为100微米。在所述第一电极14和第二电极16之间施加一定的电压对所述碳纳米管薄膜进行加热使碳纳米管薄膜内部电子的动能增加，以致使一部分电子的动能大到足以克服碳纳米管薄膜表面势垒而逸出体外，从而实现热电子的发射。通过测试可以发现，所述第一电极14和第二电极16之间电压为3.56伏，流过所述碳纳米管薄膜的电流为44毫安时，该碳纳米管薄膜的温度为1557K，并可以发射出电子。所述第一电极14和第二电极16之间电压为4.36伏，流过所述碳纳米管薄膜的电流为56毫安时，该碳纳米管薄膜的温度为1839K，并可以发出均匀的白炽光。从图中我们可以看出，该热电子源10在较低的热功率下即可实现热电子的发射。进一步地，还可以在所述碳纳米管薄膜的表面喷涂一含氧化钡或者钍等的低逸出功层，从而在较低的温度下实现热电子的发射。
与现有技术相比较，所述的热电子源具有以下优点：其一，采用碳纳米管薄膜作为热电子发射体，该碳纳米管薄膜中碳纳米管均匀分布，所制备的热电子源可以发射均匀而稳定的热电子流；其二，碳纳米管薄膜的化学性能稳定，延长了所制备的热电子源的使用寿命；其三，碳纳米管薄膜与基板间隔设置，基板不会将加热所述碳纳米管薄膜而产生的热量传导进大气中，故所制备的热电子源的热电子发射性能优异；其四，所述碳纳米管薄膜厚度小，电阻率低，故制备的热电子源在较低的热功率下即可实现热电子的发射，降低了热发射时加热产生的功耗，可用于大电流密度和高亮度的平板显示和逻辑电路等多个领域。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (16)

1.一种热电子源，包括一基板、至少两个电极和一热电子发射体，所述至少两个电极间隔设置，并与热电子发射体电接触，其特征在于，所述热电子发射体为一薄膜结构，该热电子发射体除了与所述电极接触的部分外的其他部分与所述基板平行的悬空设置。
2.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述的热电子发射体的长度为200微米～500微米，宽度为100微米～300微米。
3.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子发射体为一碳纳米管层。
4.如权利要求3所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管层包括一碳纳米管薄膜或者至少两个重叠设置的碳纳米管薄膜。
5.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管薄膜中碳纳米管沿同一方向择优取向排列。
6.如权利要求5所述的热电子源，其特征在于，所述重叠设置的碳纳米管薄膜中相邻两个碳纳米管薄膜中的碳纳米管排列方向具有一交叉角度α，0度≤α≤90度。
7.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜的宽度为0.01厘米～10厘米，厚度为10纳米～100微米。
8.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管束，相邻的碳纳米管束之间通过范德华力连接。
9.如权利要求8所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管束包括多个长度相等且相互平行排列的碳纳米管，相邻的碳纳米管之间通过范德华力连接。
10.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子源进一步包括一低逸出功层，该低逸出功层设置在所述热电子发射体的表面。
11.如权利要求10所述的热电子源，其特征在于，所述低逸出功层的材料为氧化钡或者钍。
12.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述电极设置于所述基板表面，所述热电子发射体除了与所述电极接触的部分外的其他部分通过所述电极与所述基板平行的悬空设置。
13.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子发射体通过一导电胶固定于所述电极。
14.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子源进一步包括至少两个固定元件，所述固定元件分别对应于电极设置，所述热电子发射体通过该固定元件固定于所述电极。
15.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子源进一步包括至少两个支撑元件，所述支撑元件设置于所述基板表面，所述热电子发射体除了与所述电极接触的部分外的其他部分通过所述支撑元件与所述基板平行的悬空设置。
16.如权利要求15所述的热电子源，其特征在于，所述电极通过一导电胶固定于所述热电子发射体。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101471213B (zh) * 2007-12-29 2011-11-09 清华大学 热发射电子器件及其制备方法
CN101471215B (zh) * 2007-12-29 2011-11-09 清华大学 热电子源的制备方法
CN101471210B (zh) * 2007-12-29 2010-11-10 清华大学 热电子源
US8452031B2 (en) * 2008-04-28 2013-05-28 Tsinghua University Ultrasonic thermoacoustic device
US8270639B2 (en) * 2008-04-28 2012-09-18 Tsinghua University Thermoacoustic device
US8249279B2 (en) * 2008-04-28 2012-08-21 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic device
US8259968B2 (en) * 2008-04-28 2012-09-04 Tsinghua University Thermoacoustic device
US8259967B2 (en) * 2008-04-28 2012-09-04 Tsinghua University Thermoacoustic device
CN101656907B (zh) * 2008-08-22 2013-03-20 清华大学 音箱
CN101715160B (zh) * 2008-10-08 2013-02-13 清华大学 柔性发声装置及发声旗帜
CN101715155B (zh) * 2008-10-08 2013-07-03 清华大学 耳机
US8325947B2 (en) * 2008-12-30 2012-12-04 Bejing FUNATE Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic device
US8300855B2 (en) * 2008-12-30 2012-10-30 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic module, thermoacoustic device, and method for making the same
CN101771922B (zh) * 2008-12-30 2013-04-24 清华大学 发声装置
CN101922755A (zh) * 2009-06-09 2010-12-22 清华大学 取暖墙
CN101943850B (zh) * 2009-07-03 2013-04-24 清华大学 发声银幕及使用该发声银幕的放映***
CN101990152B (zh) * 2009-08-07 2013-08-28 清华大学 热致发声装置及其制备方法
CN102006542B (zh) 2009-08-28 2014-03-26 清华大学 发声装置
CN102023297B (zh) * 2009-09-11 2015-01-21 清华大学 声纳***
CN102034467B (zh) * 2009-09-25 2013-01-30 北京富纳特创新科技有限公司 发声装置
CN102056064B (zh) * 2009-11-06 2013-11-06 清华大学 扬声器
CN102056065B (zh) * 2009-11-10 2014-11-12 北京富纳特创新科技有限公司 发声装置
CN102065363B (zh) * 2009-11-16 2013-11-13 北京富纳特创新科技有限公司 发声装置
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
CN102064071B (zh) * 2010-12-16 2012-07-18 清华大学 场发射显示装置
CN102074429B (zh) * 2010-12-27 2013-11-06 清华大学 场发射阴极结构及其制备方法
WO2014041639A1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-20 株式会社島津製作所 Ｘ線管装置およびｘ線管装置の使用方法
US11094493B2 (en) 2019-08-01 2021-08-17 Lockheed Martin Corporation Emitter structures for enhanced thermionic emission
CN113130275A (zh) * 2020-01-15 2021-07-16 清华大学 热电子发射器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1440044A (zh) * 2002-02-22 2003-09-03 株式会社日立制作所 发射显示装置
CN1773664A (zh) * 2005-09-09 2006-05-17 清华大学 一种薄膜场发射显示器件及其场发射阴极的制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1854970A (en) * 1930-05-20 1932-04-19 Gen Electric Electric lamp and the illuminating body used therein
US5905335A (en) * 1995-02-03 1999-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Electron generation using a fluorescent element and image forming using such electron generation
JP3740295B2 (ja) * 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
JP3684173B2 (ja) * 2000-06-30 2005-08-17 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造方法
US6949877B2 (en) * 2001-03-27 2005-09-27 General Electric Company Electron emitter including carbon nanotubes and its application in gas discharge devices
JP3710436B2 (ja) * 2001-09-10 2005-10-26 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
CN1282216C (zh) * 2002-09-16 2006-10-25 清华大学 一种灯丝及其制备方法
GB0310492D0 (en) * 2003-05-08 2003-06-11 Univ Surrey Carbon nanotube based electron sources
JP2005135852A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Tokai Univ 熱電子放出陰極
JP2006260946A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置およびその製造方法
KR20070013873A (ko) * 2005-07-27 2007-01-31 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출형 백라이트 유니트 및 이를 구비한 평판 표시장치
JP4613327B2 (ja) * 2006-11-06 2011-01-19 学校法人 名城大学 カーボンナノチューブ製フィラメントおよびその利用
CN101471211B (zh) * 2007-12-29 2010-06-02 清华大学 热发射电子器件
CN101471215B (zh) * 2007-12-29 2011-11-09 清华大学 热电子源的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1440044A (zh) * 2002-02-22 2003-09-03 株式会社日立制作所 发射显示装置
CN1773664A (zh) * 2005-09-09 2006-05-17 清华大学 一种薄膜场发射显示器件及其场发射阴极的制备方法

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