JP5043027B2 - Itoスクラップからの有価金属の回収方法 - Google Patents
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Description
このスパッタリング法による薄膜形成手段は優れた方法であるが、スパッタリングターゲットを用いて、例えば透明導電性薄膜を形成していくと、該ターゲットは均一に消耗していく訳ではない。このターゲットの一部の消耗が激しい部分を一般にエロージョン部と呼んでいるが、このエロージョン部の消耗が進行し、ターゲットを支持するバッキングプレートが剥き出しになる直前までスパッタリング操作を続行する。そして、その後は新しいターゲットと交換している。
したがって、使用済みのスパッタリングターゲットには多くの非エロージョン部、すなわち未使用のターゲット部分が残存することになり、これらは全てスクラップとなる。また、ITOスパッタリングターゲットの製造時においても、研磨粉や切削粉からスクラップ(端材)が発生する。一般に、酸化錫(SnO2)が9.7wt%前後含有されているが、多くは酸化インジウム(In2O3)である。
例えば、ITOスクラップを洗浄及び粉砕後、硝酸に溶解し、溶解液に硫化水素を通して、亜鉛、錫、鉛、銅などの不純物を硫化物として沈殿除去した後、これにアンモニアを加えて中和し、水酸化インジウムとして回収する方法である。
しかし、この方法によって得られた水酸化インジウムはろ過性が悪く操作に長時間を要し、Si、Al等の不純物が多く、また生成する水酸化インジウムはその中和条件及び熟成条件等により、粒径や粒度分布が変動するため、その後ITOターゲットを製造する際に、ITOターゲットの特性を安定して維持できないという問題があった。
その一つとして、基板上に被着されたITO膜を電解液中で電気化学的反応により還元させ、さらにこの還元された透明導電膜を電解液に溶解させる透明導電膜のエッチング方法がある(特許文献1参照)。但し、目的がマスクパターンを高精度で得る方法であり、回収方法とは異なる技術である。
ITOからの有価金属を回収するための事前処理として、バッキングプレートとの接合に用いていたIn系のロウ材に含まれる不純物を電解液中で分離する技術がある(特許文献2参照)。しかし、これはITOから有価金属を回収する直接的な技術に関するものではない。
また、高純度インジウムの回収方法として、ITOを塩酸で溶解し、これにアルカリを加えてpHが0.5〜4となるようにし、錫を水酸化物として除去し、次に硫化水素ガスを吹き込み銅、鉛等の有害物を硫化物として除去し、次いでこの溶解液を用いて電解によりインジウムメタルを電解採取する技術が開示されている(特許文献4参照)。この技術も精製工程が複雑であるという問題がある。
これ自体は有効な方法であるが、ITOスクラップの基本的な回収方法ではないという欠点がある。
以上から、効率的かつ回収工程に汎用性がある方法が求められている。
本発明のITOスクラップから有価金属を回収する場合の電解液として、主として硫酸、塩酸、硝酸溶液等を使用する。これらの電解質溶液は、好適な電解質溶液を提示するもので、これらに制限されるものではなく、効率的に回収できる条件を任意に選択することができる。これによって錫を水酸化錫として沈殿させ、さらにインジウムも水酸化物として回収できる好適な条件である。
以上の本発明の電解によるインジウムを回収する方法は、ITOスクラップをアノードとして電解するだけなので、極めて簡便な方法である。しかし、従来技術でこのような手法を採用した例はない。回収したインジウムはITO焼結体ターゲットの再生に利用できる。
このように、インジウムを回収できれば、再生ITOを製造することも容易になることが理解されるであろう。
電流密度は原料の種類により、適宜に調整することが望ましい。この場合に調整する要素は、生産効率のみである。また、電解温度も特に制限はないが、0〜100°Cに調整して電解することが望ましい。電解温度0°C未満であると電流効率が低下すること、逆に電解温度が100°Cを超えると電解液の蒸発が多くなるということであるが、より好ましい電解温度は20〜50°Cである。
ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップ2kgを原料とした。この原料中の成分は酸化錫(SnO2)が9.7wt%、残部酸化インジウム(In2O3)であった。
この原料をアノードボックスに入れ、液温50°C、pH2の硫酸溶液中で電解を行った。この結果、錫は水酸化物として沈殿した。これによって、ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップからSnの水酸化物を得ることができた。さらに、この水酸化物を焙焼することにより、Sn酸化物を得ることができた。この方法により得られた酸化物は約0.18kgであった。なお、Inはメタルとしてカソード側に電着した。
ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップ2kgを原料とした。この原料中の成分は酸化錫(SnO2)が9.7wt%、残部酸化インジウム(In2O3)であった。
この原料をアノードボックスに入れ、液温50°C、3N塩酸溶液中で電解を行った。ここで溶け出したインジウム、錫含有溶液を抜き出して、pHを1にし、錫は水酸化物として沈殿除去した。アノードとカソードは隔膜で仕切った。なお、隔膜の替わりに陰イオン交換膜を使用することもできる。
錫を除去したIn含有溶液をカソードボックスに入れて、pH6の硫酸溶液中で電解した。これによって、ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップからInの水酸化物が回収できた。この方法により得られたインジウムは約1.8kgであった。また、錫は水酸化物として回収することができた。
ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップ2kgを原料とした。この原料中の成分は酸化錫(SnO2)が9.7wt%、残部酸化インジウム(In2O3)であった。
この原料をアノードボックスに入れ、液温30°C、1Nの硝酸溶液中で電解を行った。この結果、錫はメタ錫酸として沈殿した。残った溶解液を抜き出し、これをpH8で中和し、水酸化インジウムを得た。これを焙焼して酸化物を得た。錫の酸化物は、約0.19kg、インジウムの酸化物は、約1.75kg得られた。
ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップ2kgを原料とした。この原料中の成分は酸化錫(SnO2)が9.7wt%、残部酸化インジウム(In2O3)であった。
この原料をアノードボックスに入れ、液温20°C、3N硫酸溶液中で電解を行った。硫酸溶液中で溶解したSn2+を空気バブリングさせた。この結果、錫は水酸化物として沈殿した。この場合、酸化剤(例えば、H2O2)を入れても同様な結果が得られた。
溶解した液は抜き出し、水酸化ナトリウムで中和してインジウムを水酸化物として沈殿させた。上記の水酸化物をそれぞれ焙焼して酸化物を得た。これによって、ITO(酸化インジウム−酸化錫)のスクラップからインジウム酸化物及び錫酸化物をそれぞれ別々に回収することができた。錫の酸化物は、約0.18kg、インジウム酸化物は約1.7kg得られた。
また、ITOにさらに少量の副成分を添加したものもあるが、基本的にITOが基本成分であれば、本願発明は、これらにも適用できることは言うまでもない。
Claims (3)
- ITOスクラップをアノードとして、pH調整した電解液中で電解することにより、インジウムをカソードに電着させて回収すると共に、錫を水酸化物とし、この錫の水酸化物をさらに焙焼して酸化錫として回収することを特徴とするITOスクラップからの有価金属の回収方法。
- アノードとカソードを隔膜又はイオン交換膜で仕切り、電解槽でITOスクラップをアノードとして電解し、錫の水酸化物を沈殿除去し、錫を除去したインジウムを含有溶液をカソードボックスに入れて電解し、インジウムを水酸化物として回収することを特徴とするITOスクラップからの有価金属の回収方法。
- インジウム又は錫を含有する沈殿物を焙焼することによりインジウム又は錫を酸化物として回収することを特徴とする請求項2記載のITOスクラップからの有価金属の回収方法。
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