JPS62290900A - 透明導電膜のエツチング方法およびその装置 - Google Patents

透明導電膜のエツチング方法およびその装置

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JPS62290900A
JPS62290900A JP13380586A JP13380586A JPS62290900A JP S62290900 A JPS62290900 A JP S62290900A JP 13380586 A JP13380586 A JP 13380586A JP 13380586 A JP13380586 A JP 13380586A JP S62290900 A JPS62290900 A JP S62290900A
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JP
Japan
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substrate
etching
transparent conductive
conductive film
electrolytic solution
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Application number
JP13380586A
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English (en)
Inventor
Yuichi Masaki
裕一 正木
Hiroaki Kakinuma
柿沼 弘明
Katsuaki Sakamoto
勝昭 坂本
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) この発明は、例えば液晶表示素子やEL素子、イメージ
センサ等に用いられる透明導電膜のエツチング方法およ
びこの方法を実施するための装置に関するものである。
(従来の技術) 従来、液晶表示素子やEL素子、イメージセンサ等に用
いられる透明導電膜として、インジウム錫酸化物(以下
ITOという)や錫酸化物(以下SnO2という)ある
いは双方の二RJV等が知られている。上記の透明導電
膜のエツチング槽中どしては、ITOの場合、湿式エツ
チング法として塩酸水溶液や塩化第2鉄水溶液を用いる
方法、乾式エツチング法としてハロゲン化炭素(例丈ば
四塩化炭素CCI、)を用いたプラズマエツチング法等
があった。また、5n02の場合、CCl4を用いたプ
ラズマエツチング法や亜鉛を塩酸水溶液に混ぜて発生し
た水素によって5n02を還元させ、塩酸に溶解させろ
方法等が提案されていた。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記した方法ではI T’ Oi、t 
精度よくエツチングできるが、SnO2は精度よくエツ
チングができないか、エツチング残溜物が付着するか、
あるいは全くエツチングが不可能である等の欠点があり
、したがって、ITOと比較して化学的に安定なS n
 O2を高matなパターニングを施して使用すること
ができない問題点があった。
この発明は以上述べたSnO2のエツチングが行な文な
いという問題点を解決し、精度よくSnO2膜のエツチ
ングの行な丈るエツチング方法および装置を提供するも
のである。
(問題点を解決するための手段) この発明の透明導電膜のエツチング方法は基板上の透明
導電膜を電解液中で化学反応により還元させ、還元され
た透明導電膜を電解液に溶解させるものである。
また、透明導電膜のエツチング装置として(よ、電解液
の入ったエツチング槽中の導入斜面に基板を定速で導入
し、かつ基板に一定電流を流す手段を備えたものである
さらに別のエツチング装置として、空のエツチング槽中
に設けた導入斜面に基板を固定し、槽中に徐々に電解液
を定速で導入する手段と、基板に定電流を流す定電流源
をI/lI左なものである。
(作  用) この発明は上記のようなエツチング方法および装置とし
たので、透明導電膜を電気化学反応により還元させろ際
、透明導電膜が被着された基彼を電解液に化学反応を起
こさせながら一定速度で浸漬し、還元された透明導電膜
が被着された基板を電解液中に浸し透明導電膜を溶解さ
せろことで、透明導電膜を精度よく加工することができ
る。
(実 施 例) 第1図は透明導電膜のエツチング方法を示す図で、(川
は透明導電膜となろSnO2やSnOとITOの二層膜
が被着されているガラス等の絶縁物の基板であって、こ
の例では基板(11)上にITOが500〜2000人
、さらにITO上にSnO2が100〜500人蒸着し
である。(1ツはエツチングする際のマスクとなるレジ
ストパターンで、基板(11)との密着性を高めるため
に150〜250℃で焼成されている。(旧は基板(1
1)を保持するホルダーで、少なくとも表面には金(A
u)または白金(Pt)等をコートシである。(+勇は
エツチング槽であり、ガラスやプラスチック等のように
エツチング族に腐蝕しない材料からなり、この槽(1中
に電解液となるエツチング液(1荀および電気化学反応
させろ際の電極(I乃が収容しである。エツチング液(
141は5〜10%の塩酸であり、電極f121 !、
tA uまたはPtを表面にコートシたメツシュ状のも
のである。
次にエツチング方法について説明する。まず、基板(1
1)を保持するホルダー(旧を定電流源の負極に接続し
、電極(1乃を正極に接続しておく、また、基板fll
+の幅がWmmの場合、W〜3WE リアンペアの定電
流が流れろように定電流源を調節する。次にホルダー[
1[9をパルスモータ等に接続されたワイヤによって毎
分50〜100面の定速で徐々にエツチング液(14)
中に降下していく。そして基板(11)全体がエツチン
グ’t(1(141中に全て入っt二ところで電流を切
る。この時点で基板(1すのSnO2膜の全ておよびI
TO膜のSnO2,寄りの一部が還元されて基板表面に
錫(Sn)およびインジウム(In)として付着する。
かくして基板(ulを電流を切った状態でエツチング液
(14)中に10〜60分つけておくと、基板表面に付
着したSn、inおよび残ったITOも全てエラチング
イIIIこ78 R1シ、マスクflslのパターンが
高精度で得ら第1る。
上記のエツチング方法では、エツチング液として5〜1
0q6の塩酸を用いたが、エツチングl夜中に少なくと
も水素イオンと塩素イオンを含むものであればよい。ま
た電気化学反応を終らせたあとの残留SnやIn、 I
TOのエツチング速度を速めたい場合、化学反応終了時
にポンプ等を使用してさらに濃度の高い塩酸と入れ替え
ればよい。さらに、基板(11)としてガラス上に50
0〜2000人のITOと100〜500人の5n02
が積層されたものを用いたが基板を電解液へ降ろす速度
および電流値を変化させると任意の膜厚のITO膜、5
n02膜およびこれらの多層膜を精度よくエツチングで
きる。
第2図は上記エツチング方法を実施する装置を示すもの
で、エツチング槽(21)中には底面に対し角度θ(0
<θ〈90)で導入斜面(22)が設けられている。(
25)は透明導電膜を被着した基板で、(26)は基板
(25)を保持するホルダーである。基板(25)はホ
ルダー(26)およびワイヤ(29)を介してパルスモ
ータ(30)に接続されて導入斜面(22)上に置かれ
ている。また基板(25)はホルダー(26)を介して
定電流源(28)の負極と接続されている。定電流源(
28)の正極はエツチング槽C2】)中の電極(24)
に接続されている。なお、電極(24)は少なくとも表
面をPtでコートしたメツシュ状のものである。上記の
ように構成した装置は、基板(25)を斜面(22)に
沿って一定速度でエツチング液(23)中に浸漬するこ
とによって上記エツチング方法と同様の作用が擾られる
と共に、基板(25)を安定性よくエツチングできる。
第3図は別のエツチング装置を示し、エツチング槽(3
1)中の斜面(32)に基板(38)を固定すると共に
、基板(38)のホルダー(3g)および導@ (40
bンを介して定電流源(41)の負極と接続されている
。また、エツチング槽(31)内にはタンク(34)中
のエツチング液(35)を圧縮空気(36)により導入
管(33)を経て導入するようにし、これにより、エツ
チング槽(31)内へエツチング液(35)を定速で流
入させて基板(38)のエツチングを行なうようにして
いる。
(発明の効果) 以上説明したようにこの発明によれば、基板上の透明導
電膜lt電解液中で化学反応により還元させ、この還元
された透明導電膜を電解液に溶解させるエツチング方法
としたので、透明導電膜を精度よく加工することができ
る。また、エツチング装置としては簡単な装置でエツチ
ング処理を安定して行うことができる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のエツチング方法を説明するための装
置の概略図、第2図および第3図はエツチング装置の異
なる例の概略図である。 CIl+、 (22)、 (38)・・・基板、0乃、
 (24)、 (37)・・・電極、(1簿、 (21
)、 (31)・・・エツチング槽、(141,(23
L (35)・・・エツチング液、(yap (26)
、 (39)・・・ホルダー、(28)、 (41)・
・・定電流源、(30)・・・パルスモータ、(34)
・・・タンク。 本を明n−レ呵4鴫;を耳莫のエフ長り”折ヨシ汀、す
J!p記第1図 30:ハットズ七−夕 第3図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)液晶表示素子、EL素子等に用いられる透明導電
    膜をエッチングするに際し、基板上に被着された透明導
    電膜を電解液中で電気化学反応により還元させる工程、
    及びこの還元された透明導電膜を電解液に溶解させる工
    程を連続して行うようにしたことを特徴とする透明導電
    膜のエッチング方法。
  2. (2)上記電解液が少なくとも水素イオンと塩素イオン
    とを含有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の透明導電膜のエッチング方法。
  3. (3)電気化学反応により透明導電膜を還元させる際、
    透明導電膜が被着され基板を一定速度で電解液中に導入
    することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の透明
    導電膜のエッチング方法。
  4. (4)電解液の入ったエッチング槽中に導入斜面を設け
    、この導入斜面上に沿って電解液中に基板をパルスモー
    タ等で定速で導入し、上記基板に一定電流を流す定電流
    源を具備させたことを特徴とする透明導電膜のエッチン
    グ装置。
  5. (5)空のエッチング槽中に設けた導入斜面に基板を固
    定し、エッチング槽中に電解液を徐々に導入して液面が
    定速で上昇する手段と、基板に一定電流を流す定電流源
    とを備えたことを特徴とする透明導電膜のエッチング装
    置。
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