JP2006287881A - 表面弾性波ディバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法は、櫛歯電極2と反射器5a、5bの領域全体が絶縁膜6で覆われた状態で、電極部3a、3b上に導体層4が形成されるため、導体層4の形成時には、櫛歯電極2と反射器5a、5bが絶縁膜6で保護されて、櫛歯電極2と反射器5a、5bへの異物の付着が無く、性能の良好なものが得られる。
【選択図】 図16
Description
即ち、レジスト膜60は、櫛歯電極52a,52bと反射器57a、57bの隙間部(導体が形成されない箇所)に配置された状態となっている。
また、中間層54と導体層55の形成時には、中間層54と導体層55の形成領域がレジスト膜60によって形成されるため、製造工程が多くなって、コスト高になるという問題がある。
なお、櫛歯電極2と反射器5a、5b、及び保護導体12の形成は、リフトオフなど他の電極形成技術や加工技術によって行っても良い。
この時、残されたレジスト膜13は、電極部3a、3bに対応する以外の箇所が残された状態になると共に、絶縁膜6の形成時は、櫛歯電極2と反射器5a、5bが保護導体12によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
この時、電極部3a、3b上の導体層4は、絶縁膜6によって形成領域が形成されると共に、導体層4の形成時は、櫛歯電極2と反射器5a、5bが保護導体12によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
この時、残されたレジスト膜13は、電極部3a、3b上の導体層4上と、櫛歯電極2と反射器5a、5bの領域に位置する絶縁膜6上の箇所が残された状態になる。
なお、櫛歯電極2と反射器5a、5b、及び保護導体12の形成は、リフトオフなど他の電極形成技術や加工技術によって行っても良い。
この時、残されたレジスト膜13は、電極部3a、3bと接続パターン7に対応する以外の箇所が残された状態になると共に、絶縁膜6の形成時は、櫛歯電極2と反射器5a、5bが保護導体12によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
この時、電極部3a、3b上と接続パターン7上の導体層4は、絶縁膜6によって形成領域が形成されると共に、導体層4の形成時は、櫛歯電極2と反射器5a、5bが保護導体12によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
この時、残されたレジスト膜13は、電極部3a、3b上、及び接続パターン7上の導体層4上と、櫛歯電極2と反射器5a、5bの領域に位置する絶縁膜6上の箇所が残された状態になる。
2:櫛歯電極
2a、2b:歯部
3a,3b:電極部
4:導体層
5a、5b:反射器
6:絶縁膜
7:接続パターン
P:接続ポイント
11:導体
12:保護導体
13:レジスト膜
Claims (4)
- 圧電基板と、この圧電基板の一面側に設けられた2つで対をなす少なくとも1組の櫛歯電極と、この櫛歯電極に接続された電極部と、この電極部上に設けられた導体層と、前記櫛歯電極の両側に隣接して設けられた反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を覆うように形成された絶縁膜を有した表面弾性波ディバイスを備え、前記圧電基板の一面側には、前記櫛歯電極と、前記反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器とを電気的に接続する保護導体が前記櫛歯電極と前記反射器以外の領域全体に形成された後、前記櫛歯電極と前記反射器の少なくとも領域全体を覆うように絶縁膜が形成され、しかる後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を前記絶縁膜によって覆った状態で、前記電極部上に前記導体層を形成する工程と、前記保護導体を除去する工程を行うようにしたことを特徴とする表面弾性波ディバイスの製造方法。
- 前記絶縁膜が前記圧電基板の前記一面側全体に形成された後、前記電極部に対応する位置の前記絶縁膜が除去され、しかる後、前記電極部上に前記導体層を形成する工程を行った後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域外の前記絶縁膜を除去すると共に、前記保護導体を除去するようにしたことを特徴とする請求項1記載の表面弾性波ディバイスの製造方法。
- 前記表面弾性波ディバイスは、複数組の前記櫛歯電極と、複数組の前記櫛歯電極のそれぞれに対応して設けられた前記反射器と、前記櫛歯電極に接続された前記電極部間を繋ぐ接続パターンを有し、前記圧電基板の前記一面側には、前記櫛歯電極と、前記反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器とを電気的に接続する前記保護導体が前記櫛歯電極と前記反射器以外の領域全体に形成された後、各組毎の前記櫛歯電極と前記反射器の少なくとも領域全体を覆うように前記絶縁膜が形成され、しかる後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を前記絶縁膜によって覆った状態で、前記電極部上と前記接続パターン上に前記導体層を形成する工程と、前記保護導体を除去する工程を行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の表面弾性波ディバイスの製造方法。
- 前記絶縁膜が前記圧電基板の前記一面側全体に形成された後、前記電極部と前記接続パターンに対応する位置の前記絶縁膜が除去され、しかる後、前記電極部上と前記配線パターン上に前記導体層を形成する工程を行った後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域外の前記絶縁膜を除去すると共に、前記保護導体を除去するようにしたことを特徴とする請求項3記載の表面弾性波ディバイスの製造方法。
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