JP4349863B2 - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4349863B2 JP4349863B2 JP2003304949A JP2003304949A JP4349863B2 JP 4349863 B2 JP4349863 B2 JP 4349863B2 JP 2003304949 A JP2003304949 A JP 2003304949A JP 2003304949 A JP2003304949 A JP 2003304949A JP 4349863 B2 JP4349863 B2 JP 4349863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 196
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
田の拡散バリア層として機能し、電極剥離が発生せず、特性不良が生じず、電気的接続を
充分に確保することができ、かつ信頼性に優れた弾性表面波装置を提供することができ
る。
Alを主成分とするAl合金層を含む弾性表面波励振電極層と、該励振電極層と接続され
たAlを主成分とするAl合金層からなる電極パッドと、前記電極パッド上に形成された
中間電極層とを備え、前記中間電極層は、前記電極パッド上に形成された密着電極層と、
当該密着電極層上に積層されたバリア層と、当該バリア層上に形成されたAu電極層から
なる弾性表面波装置において、前記バリア層が内部に少なくとも一層以上の不純物含有層
を介在させた積層体により形成されることにより、バリア層の膜応力を緩和することが可
能となり、半田の拡散バリア層として機能し、電極剥離が発生せず、特性不良が生じず、
電気的接続を充分に確保することができ、かつ信頼性に優れた弾性表面波装置を提供す
ることができる。
前記バリア層上に前記上部層を形成する工程のうち少なくとも1つ工程の前に、層を形成
する面をスパッタリングにより粗面にして清浄化することにより、電極の各界面における
密着性が向上し、電極剥離が発生せず、特性不良が生じず、電気的接続を充分に確保する
ことができ、かつ信頼性に優れた弾性表面波装置を提供することができる。
2,21:電極パッド
3,23:密着層(下部層)
4,5,24:バリア層
5:不純物含有層
6,16,25:Au電極層(上部層)
7,17,26:中間電極層
8,35:IDT電極
9:引き出し電極
10:保護膜
22:レジスト
33:接続体
34:電極パターン
36,37:パッケージ部材
38:蓋体
61:回路基板
62:接続電極
63:接続部材
64:樹脂
Claims (4)
- 圧電基板上に、励振電極層と、該励振電極層に接続された電極パッド層と、該電極パッド層上に形成された中間電極層とを備えた弾性表面波装置であって、
前記中間電極層は、NiまたはCuからなるバリア層と、前記バリア層の厚さ方向に介在するとともに、前記バリア層の膜厚より薄く、前記バリア層を構成する金属元素から形成され、C,S,Oのうち1種類以上の元素の濃度を前記バリア層より高くした不純物含有層と、を含む積層体からなることを特徴とする弾性表面波装置。 - 前記電極パッド層と前記バリア層との間に下部層を有し、前記下部層は、Cr,Ti,V,Ptのうち1種以上の元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置。
- (a)基板上に電極パッド層を形成する工程と、
(b)前記基板上に、前記電極パッド層が露出するような開口部を有するレジストを形成する工程と、
(c)前記レジストの上面と前記開口部に、NiまたはCuからなる第1電極層と、前記第1電極層上に、前記第1電極層の膜厚より薄く、前記第1電極層を構成する金属元素から形成し、C,S,Oのうち1種類以上の元素の濃度を前記第1電極層より高くした不純物含有層と、前記不純物含有層上に前記第1電極層と同じ材料からなる第2電極層と、を形成する工程と、を含む弾性表面波装置の製造方法。 - 前記レジストを断面から見て、前記レジストの前記開口部の上端部がオーバーハング形状である請求項3に記載の弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003304949A JP4349863B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003304949A JP4349863B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009035155A Division JP4845980B2 (ja) | 2009-02-18 | 2009-02-18 | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079676A JP2005079676A (ja) | 2005-03-24 |
JP4349863B2 true JP4349863B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=34408501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003304949A Expired - Fee Related JP4349863B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4349863B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4986540B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-07-25 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2008113178A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-08-28 JP JP2003304949A patent/JP4349863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005079676A (ja) | 2005-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2175556B1 (en) | Elastic wave device and method for manufacturing the same | |
KR100654054B1 (ko) | 압전 부품 및 그 제조 방법 | |
US6552475B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP4311376B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器 | |
EP2256924B1 (en) | Piezoelectric component and manufacturing method thereof | |
JP2010050539A (ja) | 圧電部品及びその製造方法 | |
KR102320449B1 (ko) | 탄성파 장치, 및 전자부품 모듈 | |
JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3764450B2 (ja) | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 | |
EP1521362B1 (en) | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device | |
JP3687601B2 (ja) | 電子部品素子及びその製造方法並びに電子部品装置 | |
JP4012753B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3646116B2 (ja) | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 | |
JP4349863B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
JP4195605B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP4986540B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP4845980B2 (ja) | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 | |
WO2018198730A1 (ja) | 電子部品およびそれを備えるモジュール | |
US11233026B2 (en) | Electronic component | |
JP5569473B2 (ja) | 電子部品、回路基板及び電子機器 | |
JP7281146B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
CN110034741B (zh) | 弹性波装置 | |
JP5516511B2 (ja) | 電子部品、回路基板及び電子機器 | |
JP5773027B2 (ja) | 電子部品及び電子機器 | |
JP2005191923A (ja) | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090624 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090721 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4349863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130731 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |