JP4677758B2 - ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ（以下「スタックドＭＣＰ」という）の開発がその中心を担っている。

スタックドＭＣＰの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ１００μｍ以下のものが積極的に使用、検討されている。また多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。

このような状況の中、スタックドＭＣＰの接着部材としては従来からペースト材料が用いられてきた。しかし、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生などの原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。

こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤はペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドＭＣＰへの適用が積極的に検討されている。

このフィルム状接着剤は、通常、接着層が剥離基材上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材を除去し、接着層上にダイシングテープを貼り付ける。その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着層を有する構造となっており、この接着層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。

この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着層が基材フィルム上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとＵＶ型ダイシングテープとの２種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。

また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式ではウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという２つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている。この接着シートとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ（例えば、特許文献１〜３参照）や、一つの樹脂層で粘着層と接着層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ（例えば、特許文献４参照）がある。

また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献５、６）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。

かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。

また、単層タイプの接着シートは一般的に、剥離基材上に接着層と粘着層の両方の機能を有する樹脂層（以下、「粘接着層」という）を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に基材フィルムと貼り合わせる等の方法により作製される。
特許第３３４８９２３号公報 特開平１０−３３５２７１号公報 特許第２６７８６５５号公報 特公平７−１５０８７号公報 実公平６−１８３８３号公報 登録実用新案３０２１６４５号公報

接着フィルムのプリカット加工は、例えば、図１４に示す方法により行われる。図１４（ａ）〜（ｃ）は単層タイプの接着シートに対してプリカット加工を行う一連の工程図である。図１４に示すように、まず、剥離基材１０と、粘接着層１２及び基材フィルム１４からなる粘接着フィルム（ダイシングテープ）２０とを貼り合わせて、プリカット前の接着シートを作製する（図１４（ａ））。次に、所望形状に応じたプリカット刃Ｃを、基材フィルム１４の表面Ｆ１４から、剥離基材１０に達するまで進入させてカット作業を行う（図１４（ｂ））。その後、粘接着層１２及び基材フィルム１４の不要部分を除去することで、プリカット加工を完了する（図１４（ｃ））。なお、積層タイプの接着シートの場合も、粘接着層１２が接着層及び粘着層となっている点を除いて、上記と同様の方法でプリカット加工が行われる。

ところで、このプリカット加工時において、プリカット刃Ｃが剥離基材１０に到達していないとカット加工が不十分となり、不要部分の剥離作業時に必要部分も剥離されるといった不具合を生じる。そのため、従来このようなカット不良を回避するために、プリカット刃Ｃの進入量は、粘接着層１２と剥離基材１０との界面よりも深く設定されている。

ところが、このようにプリカット刃Ｃの進入量を深く設定してプリカット加工を行った接着シートでは、図１５に示すように、粘接着層１２が剥離基材１０の切り込み部Ｅに噛み込まれ、剥離基材１０と粘接着層１２との界面がシールされてしまうことを本発明者らは見出した。そして、この状態で接着シートをウェハにラミネートしようとした場合、剥離基材１０から粘接着層１２を剥離することが困難となり、剥離不良が生じやすくなることを本発明者らは見出した。

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工が施されており、剥離基材からの粘接着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、剥離基材、基材フィルム、及び、上記剥離基材と上記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層を備える接着シートであって、上記剥離基材には、上記第１の粘接着層側の面から切り込み部が環状に形成されており、上記第１の粘接着層は、上記剥離基材における上記切り込み部の内側の面全体を覆うように積層されており、上記切り込み部の切り込み深さは、上記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下であることを特徴とする接着シートを提供する。

ここで、本発明における切り込み深さは、剥離基材に形成された切り込み部の剥離基材の厚さ方向の深さを電子顕微鏡による断面観察により任意に１０点測定し、これを平均した値を意味する。

かかる接着シートは、上述したプリカット加工が施された接着シートである。そして、かかる接着シートにおいては、剥離基材における切り込み部の切り込み深さが上記範囲であることにより、第１の粘接着層が切り込み部へ噛み込まれることを十分に抑制することができる。そのため、剥離基材と第１の粘接着層との界面がシールされることがなく、剥離基材からの第１の粘接着層及び基材フィルムの剥離が容易となって剥離不良の発生を十分に抑制することができる。

また、上記接着シートは、上記剥離基材の厚さをａ（μｍ）、上記切り込み部の切り込み深さをｄ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たしていることが好ましい。
０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）

これにより、第１の粘接着層が切り込み部へ噛み込まれることをより十分に抑制することができ、剥離不良の発生をより十分に抑制することができる。

また、上記接着シートにおいて、上記第１の粘接着層は、上記剥離基材を剥離した後に上記第１の粘接着層を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有していることが好ましい。

上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を第１の粘接着層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。なお、第１の粘接着層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状と相似であってもよく、半導体ウェハの平面形状の面積よりもやや大きくてもよい。

更に、上記接着シートにおいて、上記第１の粘接着層は、上記剥離基材を剥離した後に上記第１の粘接着層を貼り付けるべき被着体及び上記基材フィルムに対して室温で粘着性を有することが好ましい。

これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに第１の粘接着層が密着するように接着シートの貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。

また、上記第１の粘接着層は、高エネルギー線の照射により上記基材フィルムに対する粘着力が低下することが好ましい。

これにより、第１の粘接着層を基材フィルムから剥離する際において、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。

また、上記接着シートは、上記第１の粘接着層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材との間に配置される第２の粘接着層を更に備えることが好ましい。

かかる第２の粘接着層を備えていることにより、半導体ウェハのダイシング時に使用するウェハリングに対してこの第２の粘接着層を貼り付け、第１の粘接着層がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。第１の粘接着層がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、第１の粘接着層の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、第２の粘接着層をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、第１の粘接着層には十分に高い粘着力を持たせるとともに、第２の粘接着層にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、第２の粘接着層の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材と第２の粘接着層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材からの第２の粘接着層、第１の粘接着層及び基材フィルムの剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。

ここで、上記第２の粘接着層は、上記剥離基材を剥離した後に上記第２の粘接着層を貼り付けるべき被着体及び上記第１の粘接着層に対して室温で粘着性を有することが好ましい。

また、上記接着シートは、上記第１の粘接着層の上記周縁部の少なくとも一部と上記第２の粘接着層との間に配置される中間層を更に備えることが好ましい。

かかる中間層を備えていることにより、第２の粘接着層の材料選択の自由度を高めることができる。例えば、第２の粘接着層を備える接着シートを製造する際には、剥離基材上に第２の粘接着層を積層した後、この第２の粘接着層をプリカットする必要があるが、安価で入手できる粘接着層はそれ自体に自己支持性がなく、剥離基材からきれいに除去することが困難となる場合がある。しかし、第２の粘接着層上に中間層を備えることにより、プリカット時にこの中間層ごと第２の粘接着層を容易に除去することが可能となり、作業の効率化が図れるとともに、第２の粘接着層の材料選択の自由度を高めることができる。そのため、第２の粘接着層の粘着力を調整することが容易に可能となり、剥離基材と第２の粘接着層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材からの第２の粘接着層、第１の粘接着層及び基材フィルムの剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。

また、本発明は、剥離基材、基材フィルム、及び、上記剥離基材と上記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層を備える接着シートの製造方法であって、上記剥離基材上に、上記第１の粘接着層及び上記基材フィルムを積層する第１の積層工程と、上記第１の積層工程の後に、上記基材フィルムの上記第１の粘接着層側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、上記剥離基材に切り込み部を環状に形成する第１の切断工程と、を含み、上記第１の切断工程において、上記切り込み部の切り込み深さが、上記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れることを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。

本発明はまた、剥離基材、基材フィルム、上記剥離基材と上記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層、及び、上記剥離基材と上記第１の粘接着層との間に配置される第２の粘接着層を備える接着シートの製造方法であって、上記剥離基材上に部分的に上記第２の粘接着層を積層する第２の積層工程と、上記剥離基材及び上記第２の粘接着層上に、上記第１の粘接着層及び上記基材フィルムを積層する第３の積層工程と、上記基材フィルムの上記第１の粘接着層側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、上記剥離基材に切り込み部を環状に形成する第２の切断工程と、を含み、上記第２の切断工程において、上記切り込み部の内側の領域内で上記第１の粘接着層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材との間に上記第２の粘接着層が配置された状態となるように切断を行うとともに、上記切り込み部の切り込み深さが、上記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れることを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。

本発明は更に、剥離基材、基材フィルム、上記剥離基材と上記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層、上記剥離基材と上記第１の粘接着層との間に配置される第２の粘接着層、及び、上記第１の粘接着層と上記第２の粘接着層との間に配置される中間層を備える接着シートの製造方法であって、上記剥離基材上に部分的に上記第２の粘接着層及び上記中間層を積層する第４の積層工程と、上記剥離基材及び上記中間層上に、上記第１の粘接着層及び上記基材フィルムを積層する第５の積層工程と、上記基材フィルムの上記第１の粘接着層側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、上記剥離基材に切り込み部を環状に形成する第３の切断工程と、を含み、上記第３の切断工程において、上記切り込み部の内側の領域内で上記第１の粘接着層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材との間に上記第２の粘接着層及び上記中間層が配置された状態となるように切断を行うとともに、上記切り込み部の切り込み深さが、上記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れることを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。

これらの接着シートの製造方法においては、プリカット加工を施すとともに、そのプリカット加工により剥離基材に形成する切り込み部の切り込み深さが上記範囲となるようにしているため、得られた接着シートは、剥離不良の発生を十分に抑制することが可能となる。

また、上記第１〜３の切断工程において、上記剥離基材の厚さをａ（μｍ）、上記切り込み部の切り込み深さをｄ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たすように切り込みを入れることが好ましい。
０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）

これにより、剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能な接着シートを得ることができる。

また、本発明は、上記本発明の接着シートから上記剥離基材を剥離して、上記基材フィルム及び上記第１の粘接着層からなる第１の積層体を得る第１の剥離工程と、上記第１の積層体における上記第１の粘接着層を半導体ウェハに貼り付ける第１の貼り付け工程と、上記半導体ウェハ及び上記第１の粘接着層をダイシングすることにより、上記第１の粘接着層が付着した半導体素子を得る第１のダイシング工程と、上記第１の粘接着層が付着した上記半導体素子を上記基材フィルムからピックアップする第１のピックアップ工程と、上記半導体素子を、上記第１の粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する第１の接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

本発明はまた、上記本発明の接着シートから上記剥離基材を剥離して、上記基材フィルム、上記第１の粘接着層及び上記第２の粘接着層からなる第２の積層体を得る第２の剥離工程と、上記第２の積層体における上記第１の粘接着層を半導体ウェハに貼り付け、上記第２の粘接着層をウェハリングに貼り付ける第２の貼り付け工程と、上記半導体ウェハ及び上記第１の粘接着層をダイシングすることにより、上記第１の粘接着層が付着した半導体素子を得る第２のダイシング工程と、上記第１の粘接着層が付着した上記半導体素子を上記基材フィルムからピックアップする第２のピックアップ工程と、上記半導体素子を、上記第１の粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する第２の接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

本発明は更に、上記本発明の接着シートから上記剥離基材を剥離して、上記基材フィルム、上記第１の粘接着層、上記中間層及び上記第２の粘接着層からなる第３の積層体を得る第３の剥離工程と、上記第３の積層体における上記第１の粘接着層を半導体ウェハに貼り付け、上記第２の粘接着層をウェハリングに貼り付ける第３の貼り付け工程と、上記半導体ウェハ及び上記第１の粘接着層をダイシングすることにより、上記第１の粘接着層が付着した半導体素子を得る第３のダイシング工程と、上記第１の粘接着層が付着した上記半導体素子を上記基材フィルムからピックアップする第３のピックアップ工程と、上記半導体素子を、上記第１の粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する第３の接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

これらの製造方法によれば、その製造工程において本発明の接着シートを用いているため、製造過程における剥離不良の発生が十分に抑制され、半導体装置を効率的に且つ確実に製造することができる。

本発明は更に、上記本発明の半導体装置の製造方法により製造されていることを特徴とする半導体装置を提供する。

本発明によれば、プリカット加工が施されており、剥離基材からの粘接着層及び基材フィルムを含む積層体の剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

［接着シート］
（第１実施形態）
図１は、本発明の接着シートの第１実施形態を示す平面図であり、図２は、図１に示す接着シート１を図１のＡ１−Ａ１線に沿って切断した場合の模式断面図である。図１及び図２に示すように、接着シート１は、剥離基材１０と、第１の粘接着層１２と、基材フィルム１４とが順次積層された構成を有している。また、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４からなる第１の積層体２０は、所定の平面形状に切断されており、剥離基材１０上に部分的に積層されている。更に、剥離基材１０には、第１の積層体２０の平面形状の周縁に沿って、第１の粘接着層１２側の面から剥離基材１０の厚み方向に切り込み部Ｄが環状に形成されている。第１の積層体２０は、剥離基材１０における切り込み部Ｄの内側の面全体を覆うように積層されている。

ここで、第１の積層体２０の上記所定の平面形状とは、剥離基材１０上に第１の積層体２０が部分的に積層された状態となる形状であれば特に制限されないが、半導体ウェハ等の被着体の平面形状に合致する平面形状であることが好ましく、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。

また、半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、図３に示すように、接着シート１から剥離基材１０を剥離し、第１の粘接着層１２にウェハリング３４を貼り付け、その内側に半導体ウェハ３２を貼り付ける。ここで、ウェハリング３４は、円環状や四角環状等の枠となっており、接着シート１における第１の積層体２０は、更にこのウェハリング３４に合致する平面形状を有していることが好ましい。

また、第１の粘接着層１２は、室温（２５℃）で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。

また、接着シート１において、剥離基材１０に形成された切り込み部Ｄの切り込み深さｄは、剥離基材１０の厚さ未満となっており、且つ、２５μｍとなっている。

以下、接着シート１を構成する各層について詳細に説明する。

剥離基材１０は、接着シート１の使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材１０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。

また、剥離基材１０の第１の粘接着層１２側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。

剥離基材１０の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることが特に好ましい。

第１の粘接着層１２には、例えば、熱可塑性成分、熱重合性成分、放射線重合性成分等を含有させることができる。このような成分を含有する組成とすることにより、第１の粘接着層１２には、放射線（例えば紫外光）や熱で硬化する特性を持たせることができる。また、放射線以外の高エネルギー線（例えば、電子線等）により重合する成分を含有させてもよい。

ここで、第１の粘接着層１２に放射線重合性成分を含有させることにより、半導体ウェハ等の被着体に第１の粘接着層１２を貼り付けた後、ダイシングを行う前に光照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に光照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような放射線重合性成分としては、従来放射線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。また、熱硬化性成分を含有させることにより、半導体素子をこれを搭載すべき支持部材に搭載するときの熱や、半田リフローを通るときの熱等によって、第１の粘接着層１２が硬化し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。以下、それぞれの成分について詳細に説明する。

第１の粘接着層１２に用いられる熱可塑性成分としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はないが、例えば、（１）Ｔｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５０００〜２０００００であるもの、又は、（２）Ｔｇが−５０〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量が１０００００〜１００００００であるものが好ましく用いられる。

上記（１）の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられ、中でもポリイミド樹脂を使用することが好ましい。また、上記（２）の熱可塑性樹脂としては、官能性モノマーを含む重合体を使用することが好ましい。

これらの熱可塑性樹脂のうち好ましいものの一つとして、ポリイミド樹脂が挙げられる。かかるポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させることによって得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。

また、上記熱可塑性樹脂のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを含む重合体が挙げられる。かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、さらにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。

上記官能性モノマーを含む重合体であって、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、その中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。

上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。

上記官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。

上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成するためには、モノマー全量を基準として０．５〜５０重量％が好ましい。また、接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、０．５〜６．０重量％が好ましく、０．５〜５．０重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好ましい。

グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。

上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。

官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。

また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００重量部に対して、１０〜４００重量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００重量部に対して、１５〜３５０重量部がより好ましく、２０〜３００重量部が特に好ましい。

第１の粘接着層１２に用いられる熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着シートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが好ましい。

エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、東都化成株式会社製のＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。

フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が、またｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７や、東都化成株式会社製、ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。

多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＥｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。

アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート６０４、東都化成株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。

複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。

上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。

第１の粘接着層１２に用いられる放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。

また、第１の接着剤層１２には、光重合開始剤（例えば活性光の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。

また、第１の接着剤層１２には、放射線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤を添加しても良い。これにより、ダイシング前又はダイシング後の光照射により、ラジカルが発生して光硬化成分が硬化するとともに、系内に熱硬化性樹脂の硬化剤である塩基が発生し、その後の熱履歴による第１の粘接着層１２の熱硬化反応を効率的に行うことができるため、光反応と熱硬化反応のそれぞれの開始剤を添加する必要がなくなる。このような放射線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤としては、例えば、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、イルガキュア９０７）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、イルガキュア３６９）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。

また、放射線または熱で硬化する第１の粘接着層１２の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、フィラーを添加するといった方法を用いることができる。

更に、第１の粘接着層１２には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されないが、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、熱重合性成分の総量１００重量部に対して、４０重量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、熱重合性成分層のＴｇを確保することが可能となる傾向にある。

また、第１の粘接着層１２には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

放射線照射によって塩基を発生する化合物は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であって、発生した塩基が、熱硬化性樹脂の硬化反応速度を上昇させるものであり、光塩基発生剤ともいう。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるｐＫａ値が使用され、水溶液中でのｐＫａ値が７以上の塩基が好ましく、さらに９以上の塩基がより好ましい。

また、上記放射線照射によって塩基を発生する化合物は、波長１５０〜７５０ｎｍの光照射によって塩基を発生する化合物を用いることが好ましく、一般的な光源を使用した際に効率良く塩基を発生させるためには２５０〜５００ｎｍの光照射によって塩基を発生する化合物がより好ましい。

このような放射線照射によって塩基を発生する化合物の例としては、イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、１，２−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、４−メチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の４位にアミノ基又はアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、ｎ−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１（ＤＢＵ）等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体などが挙げられる。

第１の粘接着層１２の厚さは、搭載基板への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、第１の粘接着層１２の厚さは１〜３００μｍであることが好ましく、５〜１５０μｍであることがより好ましく、１０〜１００μｍであることが特に好ましい。厚さが１μｍ未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、３００μｍを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。

接着シート１を構成する基材フィルム１４としては、剥離基材１０に用いたフィルムもしくはシートと同様のものを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、基材フィルム１４は、これらのフィルムが２層以上に積層されたものであってもよい。

また、基材フィルム１４の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることが特に好ましい。

接着シート１は、以上説明したような剥離基材１０、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４を備えるものである。この接着シート１において、剥離基材１０には、第１の粘接着層１２と基材フィルム１４とからなる第１の積層体２０の平面形状の周縁に沿って、剥離基材１０の第１の粘接着層１２側の面から剥離基材１０の厚み方向に切り込み部Ｄが形成されている。

そして、この切り込み部Ｄの切り込み深さｄは、剥離基材１０の厚さ未満となっており、且つ、２５μｍとなっている。ここで、より良好な剥離性を得る観点から、切り込み深さｄは、１５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが更に好ましく、５μｍ以下であることが特に好ましい。このように、切り込み深さｄは０μｍに近いほど好ましく、０μｍより大きく０．５μｍ以下であることが最も好ましい。

切り込み部Ｄの切り込み深さｄが上記範囲であることにより、接着シート１において、第１の粘接着層１２が切り込み部Ｄへ噛み込まれることを十分に抑制することができる。そのため、剥離基材１０と第１の粘接着層１２との界面がシールされることがなく、剥離基材１０からの第１の積層体２０の剥離が容易となって、第１の積層体２０を被着体に貼り付ける際の剥離不良の発生を十分に抑制することができる。

但し、現行のプリカット装置で切り込み深さを０μｍに近づける場合、装置の調整とプリカット工程の実施に多くの時間がかかり、生産効率が低下する傾向がある。したがって、生産効率と剥離不良抑制のバランスの点では、切り込み深さｄは５〜１５μｍであることが好ましい。

また、接着シート１は、剥離基材１０の厚さをａ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たしていることが好ましい。
０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）

上記（ｄ／ａ）の値が上記式（１）の条件を満たしていることにより、第１の粘接着層１２が切り込み部Ｄへ噛み込まれることをより十分に抑制することができ、剥離不良の発生をより十分に抑制することができる。また、かかる効果をより十分に得る観点から、上記式（１）における（ｄ／ａ）の値の上限値は、０．５であることがより好ましく、０．３であることが更に好ましく、０．２５であることが特に好ましく、０．１５であることが極めて好ましく、０．１であることが最も好ましい。

なお、上記切り込み深さｄは、先に述べたように、剥離基材１０に形成された切り込み部Ｄの深さを電子顕微鏡による断面観察により任意に１０点測定し、これを平均した値を意味するが、剥離不良の発生をより十分に抑制する観点から、任意に１０点測定した切り込み部Ｄの深さの全てが上記範囲となっていることが好ましい。

（第２実施形態）
図４は、本発明の接着シートの第２実施形態を示す平面図であり、図５は、図４に示す接着シート２を図４のＡ２−Ａ２線に沿って切断した場合の模式断面図である。図４及び図５に示すように、接着シート２は、剥離基材１０と、第１の粘接着層１２と、第１の粘接着層１２の周縁部と剥離基材１０との間に配置される第２の粘接着層１６と、基材フィルム１４とを備える構成を有している。また、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４は所定の平面形状に切断されており、剥離基材１０上に部分的に積層されている。更に、第２の粘接着層１６も所定の平面形状に切断されており、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６からなる第２の積層体２２を半導体ウェハ及びウェハリングに貼り付ける際に、ウェハリングに貼り付けるべき位置に配置されている。そして、剥離基材１０には、第２の積層体２２の平面形状に沿って、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６側の面から剥離基材１０の厚み方向に切り込み部Ｄが環状に形成されている。

かかる接着シート２において、剥離基材１０に形成された切り込み部Ｄの切り込み深さｄは、剥離基材１０の厚さ未満となっており、且つ、２５μｍとなっている。また、かかる切り込み部Ｄの切り込み深さｄの好ましい範囲は、第１実施形態における接着シート１における切り込み深さｄの好ましい範囲と同様である。

かかる接着シート２を使用する場合には、剥離基材１０から第２の積層体２２が剥離され、第２の積層体２２における第１の粘接着層１２が半導体ウェハに貼り付けられ、第２の粘接着層１６がウェハリングに貼り付けられることとなる。

接着シート２において、剥離基材１０、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４としては、上記第１実施形態に係る接着シート１において説明したものと同様のものを使用することができる。

接着シート２における第２の粘接着層１６は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系の樹脂を含んで形成されている。かかる第２の粘接着層１６の厚さは、５〜５０μｍであることが好ましい。

この第２の粘接着層１６が、第１の粘接着層１２の周縁部と剥離基材１０との間、すなわち接着シート２の使用時にウェハリングに貼り付けられる位置に配置されていることにより、第１の粘接着層１２がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。第１の粘接着層１２がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、第１の粘接着層１２の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、第２の粘接着層１６をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、第１の粘接着層１２には十分に高い粘着力を持たせるとともに、第２の粘接着層１６にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、第２の粘接着層１６の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材１０と第２の粘接着層１６との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材１０からの第２の粘接着層１６、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。

（第３実施形態）
図６は、本発明の接着シートの第３実施形態を示す平面図であり、図７は、図６に示す接着シート３を図６のＡ３−Ａ３線に沿って切断した場合の模式断面図である。図６及び図７に示すように、接着シート３は、剥離基材１０と、第１の粘接着層１２と、第１の粘接着層１２の周縁部と剥離基材１０との間に配置される第２の粘接着層１６と、第２の粘接着層１６と基材フィルム１４との間に配置される中間層１８と、基材フィルム１４とを備える構成を有している。また、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４は所定の平面形状に切断されており、剥離基材１０上に部分的に積層されている。更に、第２の粘接着層１６及び中間層１８も所定の平面形状に切断されており、これらは、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２、中間層１８及び第２の粘接着層１６からなる第３の積層体２４を半導体ウェハ及びウェハリングに貼り付ける際に、ウェハリングに貼り付けるべき位置に配置されている。そして、剥離基材１０には、第２の積層体２２の平面形状に沿って、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６側の面から剥離基材１０の厚み方向に切り込み部Ｄが環状に形成されている。

かかる接着シート３において、剥離基材１０に形成された切り込み部Ｄの切り込み深さｄは、剥離基材１０の厚さ未満となっており、且つ、２５μｍとなっている。また、かかる切り込み部Ｄの切り込み深さｄの好ましい範囲は、第１実施形態における接着シート１における切り込み深さｄの好ましい範囲と同様である。

かかる接着シート３を使用する場合には、剥離基材１０から第３の積層体２４が剥離され、第３の積層体２４における第１の粘接着層１２が半導体ウェハに貼り付けられ、第２の粘接着層１６がウェハリングに貼り付けられることとなる。

接着シート３において、剥離基材１０、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４としては、上記第１実施形態に係る接着シート１において説明したものと同様のものを使用することができ、第２の粘接着層１６としては、上記第２実施形態に係る接着シート２において説明したものと同様のものを使用することができる。

接着シート３における中間層１８としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、その他のエンジニアリングプラスチック等からなるフィルム、金属の板又は箔等が用いられる。かかる中間層１８の厚さは、５〜１００μｍであることが好ましい。

接着シート３においては、まず、第２実施形態における接着シート２と同様に、第２の粘接着層１６が、第１の粘接着層１２の周縁部と剥離基材１０との間、すなわち接着シート２の使用時にウェハリングに貼り付けられる位置に配置されており、これにより、第１の粘接着層１２がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。そして、第１の粘接着層１２には十分に高い粘着力を持たせるとともに、第２の粘接着層１６にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。

更に、接着シート３においては、第２の粘接着層１６と第１の粘接着層１２との間に中間層１８が配置されていることにより、第２の粘接着層１６の材料選択の自由度を高めることができる。例えば、第２実施形態の接着シート２を製造する際には、剥離基材１０上に第２の粘接着層１６を積層した後、この第２の粘接着層１６をプリカットする必要があるが、安価で入手できる粘接着層はそれ自体に自己支持性がなく、剥離基材１０からきれいに除去することが困難となる場合がある。しかし、接着シート３のように中間層１８を備えることにより、プリカット時にこの中間層１８ごと第２の粘接着層１６を容易に除去することが可能となり、作業の効率化が図れるとともに、第２の粘接着層１６の材料選択の自由度を高めることができる。

［接着シートの製造方法］
（第４実施形態）
上記第１実施形態に係る接着シート１を製造するための、第４実施形態に係る接着シート１の製造方法について説明する。

図８（ａ）〜（ｃ）は、接着シート１を製造する一連の工程図である。まず、図８（ａ）に示すように、剥離基材１０上に、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４からなる第１の積層体２０を積層する（第１の積層工程）。次に、図８（ｂ）〜（ｃ）に示すように、プリカット刃Ｃにより基材フィルム１４の第１の粘接着層１２側と反対側の面Ｆ１４から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、基材フィルム１４及び第１の粘接着層１２を所定の平面形状に切断するとともに、剥離基材１０に切り込み部Ｄを形成する（第１の切断工程）。これにより、接着シート１の製造を完了する。

ここで、第１の切断工程においては、切り込み部Ｄの切り込み深さｄが、剥離基材１０の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れる。

以下、各製造工程について詳細に説明する。

第１の積層工程においては、まず、第１の粘接着層１２を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して第１の粘接着層形成用ワニスとし、これを基材フィルム１４上に塗布後、加熱により溶剤を除去して第１の積層体２０を形成する。

ここで、ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に限定されないが、層形成時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。

基材フィルム１４へのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。

次に、上述のようにして作製した第１の積層体２０と剥離基材１０とを貼り合わせる。これにより、プリカット前の接着シート（以下、「前駆体シート」という）を形成し、第１の積層工程を完了する。

ここで、第１の積層体２０と剥離基材１０との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。

また、前駆体シートは以下の方法によっても製造することができる。例えば、第１の粘接着層形成用ワニスを剥離基材１０上に塗布後、加熱により溶剤を除去して第１の粘接着層１２を形成した後、この第１の粘接着層１２上に基材フィルム１４をラミネーター等を用いて貼り付ける方法等を採用することもできる。

第１の切断工程においては、上記のようにして作製した前駆体シートに対して、基材フィルム１４の第１の粘接着層１２側と反対側の面Ｆ１４から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４からなる第１の積層体２０を所定の平面形状に切断するとともに、剥離基材１０に切り込み部Ｄを形成する。

ここで、第１の積層体２０の切断は、所定の平面形状に応じたプリカット加工刃により行うことができる。

この第１の切断工程において、切り込み部Ｄの切り込み深さｄが剥離基材１０の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れる。なお、より良好な剥離性を有する接着シート１を得る観点から、切り込み部Ｄの切り込み深さｄが１５μｍ以下となるようにすることがより好ましく、１０μｍ以下となるようにすることが更に好ましく、５μｍ以下となるようにすることが特に好ましい。このように、切り込み深さｄが０μｍに近くなるようにするほど好ましく、０μｍより大きく０．５μｍ以下となるようにすることが最も好ましい。但し、生産効率と剥離不良抑制のバランスの点では、切り込み深さｄは５〜１５μｍとなるようにすることが好ましい。

また、第１の切断工程において、剥離基材１０の厚さをａ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たすように切り込みを入れることが好ましい。
０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）

これにより、剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能な接着シート１を得ることができる。また、かかる効果をより十分に得る観点から、上記式（１）における（ｄ／ａ）の値の上限値は、０．５であることがより好ましく、０．３であることが更に好ましく、０．２５であることが特に好ましく、０．１５であることが極めて好ましく、０．１であることが最も好ましい。

その後、必要に応じて第１の積層体２０の不要部分を剥離除去し、目的の接着シート１を得る。

（第５実施形態）
上記第２実施形態に係る接着シート２を製造するための、第５実施形態に係る接着シート２の製造方法について説明する。

図９（ａ）〜（ｅ）は、接着シート２を製造する一連の工程図である。まず、図９（ａ）に示すように、剥離基材１０上に、第２の粘接着層１６を積層する。次いで、プリカット刃Ｃにより第２の粘接着層１６に切り込みを入れ、第２の粘接着層１６を部分的に除去して、図９（ｂ）に示すように、剥離基材１０の第２の粘接着層１６側の面に露出面Ｆ１０を形成する（第２の積層工程）。その後、図９（ｃ）に示すように、剥離基材１０の露出面Ｆ１０及び第２の粘接着層１６上に、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４を積層する（第３の積層工程）。次に、図９（ｄ）〜（ｅ）に示すように、プリカット刃Ｃにより基材フィルム１４の第１の粘接着層１２側と反対側の面Ｆ１４から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６を所定の平面形状に切断するとともに、剥離基材１０に切り込み部Ｄを形成する（第２の切断工程）。これにより、接着シート２の製造を完了する。

ここで、第２の切断工程において、上記所定の平面形状の領域内（上記切り込み部Ｄの内側の領域内）で、第１の粘接着層１２と剥離基材１０の露出面Ｆ１０とが接した状態となり、且つ、該領域内の周縁部において第１の粘接着層１２と第２の粘接着層１６とが接した状態となるように切断を行うとともに、切り込み部Ｄの切り込み深さｄが、剥離基材１０の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れる。

以下、各製造工程について詳細に説明する。

第２の積層工程においては、第２の粘接着層１６を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して第２の粘接着層形成用ワニスとし、これを剥離基材１０に塗布後、加熱により溶剤を除去して第２の粘接着層１６を形成する。

続いて、上記のようにして作製した第２の粘接着層１６において、プリカット刃Ｃにより第２の粘接着層１６の剥離基材１０側と反対側の面Ｆ１６から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、第２の粘接着層１６を剥離基材１０から部分的に除去して、剥離基材１０の第２の粘接着層１６側の面に露出面Ｆ１０を形成する。これにより、第２の粘接着層１６は剥離基材１０上に部分的に積層された状態となり、第２の積層工程を完了する。

第３の積層工程においては、まず、第１の粘接着層１２を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して第１の粘接着層形成用ワニスとし、これを基材フィルム１４上に塗布後、加熱により溶剤を除去して第１の積層体２０を作製する。ここで、第１の積層体２０は、上記第４実施形態において説明したものと同様の手順で作製することができる。

次に、上述のようにして作製した第１の積層体２０を、剥離基材１０の露出面Ｆ１０及び第２の粘接着層１６上に積層する。これにより、プリカット前の接着シート（前駆体シート）を形成し、第３の積層工程を完了する。

第２の切断工程においては、上記のようにして作製した前駆体シートに対して、基材フィルム１４の第１の粘接着層１２側と反対側の面Ｆ１４から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６を所定の平面形状に切断するとともに、剥離基材１０に切り込み部Ｄを形成する。

ここで、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６の切断は、所定の平面形状に応じたプリカット加工刃Ｃにより行うことができる。

この第２の切断工程において形成する切り込み部Ｄの切り込み深さｄの好ましい範囲は、上記第４実施形態において説明した通りである。

その後、必要に応じて基材フィルム１４、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６の不要部分を剥離除去し、剥離基材１０上に、第２の粘接着層１６、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４からなる第２の積層体２２が形成された目的の接着シート２を得る。

（第６実施形態）
上記第３実施形態に係る接着シート３を製造するための、第６実施形態に係る接着シート３の製造方法について説明する。

図１０（ａ）〜（ｅ）は、接着シート３を製造する一連の工程図である。まず、図１０（ａ）に示すように、剥離基材１０上に、第２の粘接着層１６及び中間層１８を積層する。次いで、プリカット刃Ｃにより第２の粘接着層１６及び中間層１８に切り込みを入れ、第２の粘接着層１６及び中間層１８を部分的に除去して、図１０（ｂ）に示すように、剥離基材１０の第２の粘接着層１６側の面に露出面Ｆ１０を形成する（第４の積層工程）。その後、図１０（ｃ）に示すように、剥離基材１０の露出面Ｆ１０及び中間層１８上に、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４を積層する（第５の積層工程）。次に、図１０（ｄ）〜（ｅ）に示すように、プリカット刃Ｃにより基材フィルム１４の第１の粘接着層１２側と反対側の面Ｆ１４から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２、中間層１８及び第２の粘接着層１６を所定の平面形状に切断するとともに、剥離基材１０に切り込み部Ｄを形成する（第３の切断工程）。これにより、接着シート３の製造を完了する。

ここで、第３の切断工程において、上記所定の平面形状の領域内（上記切り込み部Ｄの内側の領域内）で、第１の粘接着層１２と剥離基材１０の露出面Ｆ１０とが接した状態となり、且つ、該領域内の周縁部において第１の粘接着層１２と中間層１８とが接した状態となるように切断を行うとともに、切り込み部Ｄの切り込み深さｄが、剥離基材１０の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れる。

以下、各製造工程について詳細に説明する。

第４の積層工程においては、まず、第２の粘接着層１６を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して第２の粘接着層形成用ワニスとし、これを剥離基材１０に塗布後、加熱により溶剤を除去して第２の粘接着層１６を形成する。次いで、中間層１８を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して中間層形成用ワニスとし、これを第２の粘接着層１６に塗布後、加熱により溶剤を除去して中間層１６を形成する。

続いて、上記のようにして作製した第２の粘接着層１６及び中間層１８において、プリカット刃Ｃにより中間層１８の第２の粘接着層１６側と反対側の面Ｆ１８から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、第２の粘接着層１６及び中間層１８を剥離基材１０から部分的に除去して、剥離基材１０の第２の粘接着層１６側の面に露出面Ｆ１０を形成する。これにより、第２の粘接着層１６及び中間層１８は剥離基材１０上に部分的に積層された状態となり、第４の積層工程を完了する。

第５の積層工程においては、まず、第１の粘接着層１２を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して第１の粘接着層形成用ワニスとし、これを基材フィルム１４上に塗布後、加熱により溶剤を除去して第１の積層体２０を作製する。ここで、第１の積層体２０は、上記第４実施形態において説明したものと同様の手順で作製することができる。

次に、上述のようにして作製した第１の積層体２０を、剥離基材１０の露出面Ｆ１０及び中間層１８上に積層する。これにより、プリカット前の接着シート（前駆体シート）を形成し、第５の積層工程を完了する。

第３の切断工程においては、上記のようにして作製した前駆体シートに対して、基材フィルム１４の第１の粘接着層１２側と反対側の面Ｆ１４から剥離基材１０に達するまで切り込みを入れ、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２、中間層１８及び第２の粘接着層１６を所定の平面形状に切断するとともに、剥離基材１０に切り込み部Ｄを形成する。

ここで、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２、中間層１８及び第２の粘接着層１６の切断は、所定の平面形状に応じたプリカット加工刃Ｃにより行うことができる。

この第３の切断工程において形成する切り込み部Ｄの切り込み深さｄの好ましい範囲は、上記第４実施形態において説明した通りである。

その後、必要に応じて基材フィルム１４、第１の粘接着層１２、中間層１８及び第２の粘接着層１６の不要部分を剥離除去し、剥離基材１０上に、第２の粘接着層１６、中間層１８、第１の粘接着層１２及び基材フィルム１４からなる第３の積層体２４が形成された目的の接着シート３を得る。

以上、本発明の接着シート及び接着シートの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。

［半導体装置の製造方法］
以上説明した接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について、図１１及び１２を用いて説明する。なお、以下の説明においては、接着シートとして上記第２実施形態に係る接着シート２を用いる場合について説明する。

図１１（ａ）〜（ｃ）は、接着シート２の第２の積層体２２を半導体ウェハ３２に貼り付ける作業を行う一連の工程図である。図１１（ａ）に示すように、接着シート２は、剥離基材１０がキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール６２及び６６と、楔状の部材６４とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯４４に接続された状態で巻回され第１のロール４２を形成し、他端が円柱状の巻芯５４に接続された状態で巻回され第２のロール５２を形成している。そして、第２のロール５２の巻芯５４には、当該巻芯５４を回転させるための巻芯駆動用モータ（図示せず）が接続されており、接着シート２における第２の積層体２２が剥離された後の剥離基材１０が所定の速度で巻回されるようになっている。

まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロール５２の巻芯５４が回転し、第１のロール４２の巻芯４４に巻回されている接着シート２が第１のロール４２の外部に引き出される。そして、引き出された接着シート２は、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ３２及びそれを囲むように配置されたウェハリング３４上に導かれる。

次に、剥離基材１０から、基材フィルム１４、第１の粘接着層１２及び第２の粘接着層１６からなる第２の積層体２２が剥離される。このとき、接着シート２の剥離基材１０側から楔状の部材６４が当てられており、剥離基材１０は部材６４側へ鋭角に曲げられ、剥離基材１０と第２の積層体２２との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材１０と第２の積層体２２との境界面にエアーが吹き付けられている。

このようにして剥離基材１０と第２の積層体２２との間に剥離起点が作り出された後、図１１（ｂ）に示すように、第２の粘接着層１６がウェハリング３４と密着し、第１の粘接着層１２が半導体ウェハ３２と密着するように第２の積層体２２の貼り付けが行われる。このとき、ロール６８によって第２の積層体２２は半導体ウェハ３２及びウェハリング３４に圧着されることとなる。そして、図１１（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３２及びウェハリング３４上への第２の積層体２２の貼り付けが完了する。

以上のような手順により、半導体ウェハ３２への第２の積層体２２の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ３２への第２の積層体２２の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック（株）製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。

そして、このような工程により第２の積層体２２を半導体ウェハ３２に貼り付ける場合、接着シート２を用いることにより、剥離基材１０と第２の積層体２２との間の剥離起点（剥離基材１０と第２の粘接着層１６との間の剥離起点）を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。

次に、上記の工程により第２の積層体２２が貼り付けられた半導体ウェハ３２（図１２（ａ））を、図１２（ｂ）に示すようにダイシング刃Ｇにより必要な大きさにダイシングして、第１の粘接着層１２が付着した半導体素子３３を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、第１の粘接着層１２により半導体ウェハ３２は基材フィルム１４に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハ３２やダイシング後の半導体素子３３が脱落することが十分に抑制される。

次に、放射線等の高エネルギー線を第１の粘接着層１２に照射し、第１の粘接着層１２の一部を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。

第１の粘接着層１２への高エネルギー線の照射は、基材フィルム１４の第１の粘接着層１２が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルム１４は光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルム１４は必ずしも光透過性である必要はない。

高エネルギー線照射後、図１２（ｃ）に示すように、ピックアップすべき半導体素子３３を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子３３を基材フィルム１４の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。第１の粘接着層１２を硬化させることにより、半導体素子３３のピックアップ時において、第１の粘接着層１２と基材フィルム１４との界面で剥離が生じやすくなり、第１の粘接着層１２が半導体素子３３の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。

そして、図１２（ｄ）に示すように、第１の粘接着層１２が付着した半導体素子３３を、第１の粘接着層１２を介して半導体素子搭載用の支持部材７０に載置し、加熱を行う。加熱により第１の粘接着層１２は接着力が発現し、半導体素子３３と半導体素子搭載用支持部材７０との接着が完了する。

その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。

［半導体装置］
図１３は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明の半導体素子の一実施形態を示す模式断面図である。

図１３に示すように、半導体装置１００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板７０上に半導体素子３３が、第１の粘接着層１２を介して２つ積層されている。また、有機基板７０には、回路パターン７４及び端子７６が形成されており、この回路パターン７４と２つの半導体素子３３とが、ワイヤボンド７８によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材８０により封止され、半導体装置１００が形成されている。この半導体装置１００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート２を用いて製造されるものである。

以上、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上記半導体装置の製造方法の実施形態として、接着シート２を用いる場合について説明したが、接着シートとしては、接着シート１又は接着シート３を用いてもよい。

本発明の接着シートの第１実施形態を示す平面図である。 図１に示す接着シート１を図１のＡ１−Ａ１線に沿って切断した場合の模式断面図である。 本発明の接着シートにおける第１の積層体２０と半導体ウェハ３２及びウェハリング３４とを貼り合わせた状態を示す模式断面図である。 本発明の接着シートの第２実施形態を示す平面図である。 図４に示す接着シート２を図４のＡ２−Ａ２線に沿って切断した場合の模式断面図である。 本発明の接着シートの第３実施形態を示す平面図である。 図６に示す接着シート３を図６のＡ３−Ａ３線に沿って切断した場合の模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、接着シート１を製造する一連の工程図である。 （ａ）〜（ｃ）は、接着シート２を製造する一連の工程図である。 （ａ）〜（ｃ）は、接着シート３を製造する一連の工程図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第２の積層体２０を半導体ウェハ３２に貼り付ける作業を行う一連の工程図である。 （ａ）〜（ｄ）は、半導体ウェハ３２をダイシングする一連の工程図である。 本発明の半導体素子の一実施形態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、単層タイプの接着シートに対してプリカット加工を行う一連の工程図である。 従来のプリカット加工により剥離基材１０に形成された切り込み部Ｅの近傍を拡大した模式断面図である。

符号の説明

１，２，３・・・接着シート、１０・・・剥離基材、１２・・・第１の粘接着層、１４・・・基材フィルム、１６・・・第２の粘接着層、１８・・・中間層、２０・・・第１の積層体、２２・・・第２の積層体、２４・・・第３の積層体、３２・・・半導体ウェハ、３３・・・半導体素子、３４・・・ウェハリング、３６・・・ステージ、４２・・・第１のロール、４４・・・巻芯、５２・・・第２のロール、５４・・・巻芯、６０・・・支持ロール、７０・・・有機基板、７４・・・回路パターン、７６・・・端子、７８・・・ワイヤボンド、８０・・・封止材。

Claims (20)

1. 剥離基材、基材フィルム、及び、前記剥離基材と前記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層を備えるダイボンドダイシングシートであって、
   前記第１の粘接着層の前記剥離基材側の面は、前記剥離基材を剥離した後、ダイシングされる被着体に貼り付けられるものであり、
   前記第１の粘接着層の前記基材フィルム側の面は、前記基材フィルムを剥離した後、ダイシングされた前記被着体を搭載する支持部材に接着されるものであり、
   前記剥離基材には、前記第１の粘接着層側の面から切り込み部が環状に形成されており、
   前記第１の粘接着層は、前記剥離基材における前記切り込み部の内側の面全体を覆うように積層されており、
   前記切り込み部の切り込み深さは、前記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下であることを特徴とするダイボンドダイシングシート。
2. 前記剥離基材の厚さをａ（μｍ）、前記切り込み部の切り込み深さをｄ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする請求項１記載のダイボンドダイシングシート。
   ０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）
3. 前記第１の粘接着層は、前記剥離基材を剥離した後に前記第１の粘接着層を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有していることを特徴とする請求項１又は２記載のダイボンドダイシングシート。
4. 前記第１の粘接着層は、前記剥離基材を剥離した後に前記第１の粘接着層を貼り付けるべき被着体及び前記基材フィルムに対して室温で粘着性を有することを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシート。
5. 前記第１の粘接着層は、高エネルギー線の照射により前記基材フィルムに対する粘着力が低下することを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシート。
6. 前記第１の粘接着層の周縁部の少なくとも一部と前記剥離基材との間に配置される第２の粘接着層を更に備えることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシート。
7. 前記第２の粘接着層は、前記剥離基材を剥離した後に前記第２の粘接着層を貼り付けるべき被着体及び前記第１の粘接着層に対して室温で粘着性を有することを特徴とする請求項６記載のダイボンドダイシングシート。
8. 前記第１の粘接着層の前記周縁部の少なくとも一部と前記第２の粘接着層との間に配置される中間層を更に備えることを特徴とする請求項６又は７記載のダイボンドダイシングシート。
9. 剥離基材、基材フィルム、及び、前記剥離基材と前記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層を備えるダイボンドダイシングシートの製造方法であって、
   前記第１の粘接着層の前記剥離基材側の面は、前記剥離基材を剥離した後、ダイシングされる被着体に貼り付けられるものであり、
   前記第１の粘接着層の前記基材フィルム側の面は、前記基材フィルムを剥離した後、ダイシングされた前記被着体を搭載する支持部材に接着されるものであり、
   前記剥離基材上に、前記第１の粘接着層及び前記基材フィルムを積層する第１の積層工程と、
   前記第１の積層工程の後に、前記基材フィルムの前記第１の粘接着層側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、前記剥離基材に切り込み部を環状に形成する第１の切断工程と、
   を含み、
   前記第１の切断工程において、前記切り込み部の切り込み深さが、前記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れることを特徴とするダイボンドダイシングシートの製造方法。
10. 前記第１の切断工程において、前記剥離基材の厚さをａ（μｍ）、前記切り込み部の切り込み深さをｄ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たすように切り込みを入れることを特徴とする請求項９記載のダイボンドダイシングシートの製造方法。
    ０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）
11. 剥離基材、基材フィルム、前記剥離基材と前記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層、及び、前記剥離基材と前記第１の粘接着層との間に配置される第２の粘接着層を備えるダイボンドダイシングシートの製造方法であって、
    前記第１の粘接着層の前記剥離基材側の面は、前記剥離基材を剥離した後、ダイシングされる被着体に貼り付けられるものであり、
    前記第１の粘接着層の前記基材フィルム側の面は、前記基材フィルムを剥離した後、ダイシングされた前記被着体を搭載する支持部材に接着されるものであり、
    前記剥離基材上に部分的に前記第２の粘接着層を積層する第２の積層工程と、
    前記剥離基材及び前記第２の粘接着層上に、前記第１の粘接着層及び前記基材フィルムを積層する第３の積層工程と、
    前記基材フィルムの前記第１の粘接着層側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、前記剥離基材に切り込み部を環状に形成する第２の切断工程と、
    を含み、
    前記第２の切断工程において、前記切り込み部の内側の領域内で前記第１の粘接着層の周縁部の少なくとも一部と前記剥離基材との間に前記第２の粘接着層が配置された状態となるように切断を行うとともに、前記切り込み部の切り込み深さが、前記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れることを特徴とするダイボンドダイシングシートの製造方法。
12. 前記第２の切断工程において、前記剥離基材の厚さをａ（μｍ）、前記切り込み部の切り込み深さをｄ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たすように切り込みを入れることを特徴とする請求項１１記載のダイボンドダイシングシートの製造方法。
    ０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）
13. 剥離基材、基材フィルム、前記剥離基材と前記基材フィルムとの間に配置される第１の粘接着層、前記剥離基材と前記第１の粘接着層との間に配置される第２の粘接着層、及び、前記第１の粘接着層と前記第２の粘接着層との間に配置される中間層を備えるダイボンドダイシングシートの製造方法であって、
    前記第１の粘接着層の前記剥離基材側の面は、前記剥離基材を剥離した後、ダイシングされる被着体に貼り付けられるものであり、
    前記第１の粘接着層の前記基材フィルム側の面は、前記基材フィルムを剥離した後、ダイシングされた前記被着体を搭載する支持部材に接着されるものであり、
    前記剥離基材上に部分的に前記第２の粘接着層及び前記中間層を積層する第４の積層工程と、
    前記剥離基材及び前記中間層上に、前記第１の粘接着層及び前記基材フィルムを積層する第５の積層工程と、
    前記基材フィルムの前記第１の粘接着層側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、前記剥離基材に切り込み部を環状に形成する第３の切断工程と、
    を含み、
    前記第３の切断工程において、前記切り込み部の内側の領域内で前記第１の粘接着層の周縁部の少なくとも一部と前記剥離基材との間に前記第２の粘接着層及び前記中間層が配置された状態となるように切断を行うとともに、前記切り込み部の切り込み深さが、前記剥離基材の厚さ未満であり、且つ、２５μｍ以下となるように切り込みを入れることを特徴とするダイボンドダイシングシートの製造方法。
14. 前記第３の切断工程において、前記剥離基材の厚さをａ（μｍ）、前記切り込み部の切り込み深さをｄ（μｍ）として、（ｄ／ａ）の値が下記式（１）の条件を満たすように切り込みを入れることを特徴とする請求項１３記載のダイボンドダイシングシートの製造方法。
    ０＜（ｄ／ａ）≦０．７ （１）
15. 請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシートから前記剥離基材を剥離して、前記基材フィルム及び前記第１の粘接着層からなる第１の積層体を得る第１の剥離工程と、
    前記第１の積層体における前記第１の粘接着層を半導体ウェハに貼り付ける第１の貼り付け工程と、
    前記半導体ウェハ及び前記第１の粘接着層をダイシングすることにより、前記第１の粘接着層が付着した半導体素子を得る第１のダイシング工程と、
    前記第１の粘接着層が付着した前記半導体素子を前記基材フィルムからピックアップする第１のピックアップ工程と、
    前記半導体素子を、前記第１の粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する第１の接着工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 前記第１のピックアップ工程において、前記第１の粘接着層に高エネルギー線を照射して前記第１の粘接着層の前記基材フィルムに対する粘着力を低下させた後に、ピックアップを行うことを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
17. 請求項６又は７記載のダイボンドダイシングシートから前記剥離基材を剥離して、前記基材フィルム、前記第１の粘接着層及び前記第２の粘接着層からなる第２の積層体を得る第２の剥離工程と、
    前記第２の積層体における前記第１の粘接着層を半導体ウェハに貼り付け、前記第２の粘接着層をウェハリングに貼り付ける第２の貼り付け工程と、
    前記半導体ウェハ及び前記第１の粘接着層をダイシングすることにより、前記第１の粘接着層が付着した半導体素子を得る第２のダイシング工程と、
    前記第１の粘接着層が付着した前記半導体素子を前記基材フィルムからピックアップする第２のピックアップ工程と、
    前記半導体素子を、前記第１の粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する第２の接着工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 前記第２のピックアップ工程において、前記第１の粘接着層に高エネルギー線を照射して前記第１の粘接着層の前記基材フィルムに対する粘着力を低下させた後に、ピックアップを行うことを特徴とする請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
19. 請求項８記載のダイボンドダイシングシートから前記剥離基材を剥離して、前記基材フィルム、前記第１の粘接着層、前記中間層及び前記第２の粘接着層からなる第３の積層体を得る第３の剥離工程と、
    前記第３の積層体における前記第１の粘接着層を半導体ウェハに貼り付け、前記第２の粘接着層をウェハリングに貼り付ける第３の貼り付け工程と、
    前記半導体ウェハ及び前記第１の粘接着層をダイシングすることにより、前記第１の粘接着層が付着した半導体素子を得る第３のダイシング工程と、
    前記第１の粘接着層が付着した前記半導体素子を前記基材フィルムからピックアップする第３のピックアップ工程と、
    前記半導体素子を、前記第１の粘接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する第３の接着工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. 前記第３のピックアップ工程において、前記第１の粘接着層に高エネルギー線を照射して前記第１の粘接着層の前記基材フィルムに対する粘着力を低下させた後に、ピックアップを行うことを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。

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