JP2009124127A - 接着シート及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プリカット加工が施されており、他の接着シートに該接着シートの外周部形状が転写してしまうことを十分に抑制することができ、転写部位に凹みを生じることがなく、ウェハ貼付後に転写部位に空隙が発生する等の不良を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、を有し、前記剥離基材上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された接着シートであって、
前記接着剤層の外周部の全部もしくは一部に、前記剥離基材平面に対して９０°以下に切り込みがあり、前記粘着剤層の外周部の全部もしくは一部に前記剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みがあることを特徴とする接着シートとする。
【選択図】なし

Description

本発明は、接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ（以下「スタックドＭＣＰ」という）の開発がその中心を担っている。スタックドＭＣＰの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ１００μｍ以下のものが積極的に使用、検討されている。また多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。

このような状況の中、スタックドＭＣＰの接着部材としては従来からペースト材料が用いられてきた。しかし、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生等の原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。

こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤はペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドＭＣＰへの適用が積極的に検討されている。

このフィルム状接着剤は、通常、接着剤層が剥離基材上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材を除去し、接着剤層上にダイシングテープを貼り付ける。その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着剤層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着剤層を有する構造となっており、この接着剤層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。

この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着剤層が接着剤層上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとＵＶ型ダイシングテープとの２種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着剤層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。

また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式ではウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという２つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている。この接着シートとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ（例えば、特許文献１〜３参照）や、一つの樹脂層で粘着剤層と接着剤層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ（例えば、特許文献４参照）がある。

また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献５、６）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。

かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。また、単層タイプの接着シートは一般的に、剥離基材上に接着剤層と粘着剤層の両方の機能を有する樹脂層（以下、「粘接着層」という）を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に粘着剤層と貼り合わせる等の方法により作製される。

ところで、このプリカット加工時において、接着シートを巻き芯等に巻取り、ロール状にして提供するが、粘着剤層又は切り込み部の形状が鋭利であるほど、該接着シートの外周部形状が、巻回して接触した他の部分に転写し、転写部位が凹んでしまうという不具合を生じる。
そのため、従来このような転写不良を回避するために、接着シートの形状を変更する、若しくは接着シート巻取り時の張力を低くする等して接着シート外周部の形状転写を抑制している。

特許第３３４８９２３号公報 特開平１０−３３５２７１号公報 特許第２６７８６５５号公報 特公平７−１５０８７号公報 実公平６−１８３８３号公報 登録実用新案３０２１６４５号公報

しかし、接着シート巻取り時の張力を低くする等して接着シート外周部の形状転写を抑制する方法では、崩れ易いという問題がある。
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工が施されており、他の接着シートに該接着シートの外周部形状が転写し、転写部位が凹んでしまうという不良を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は以下に関する。
＜１＞剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、を有し、前記剥離基材上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された接着シートであって、
前記接着剤層の外周部の全部もしくは一部に、前記剥離基材平面に対して９０°以下に切り込みがあり、前記粘着剤層の外周部の全部もしくは一部に前記剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みがあることを特徴とする接着シート。

＜２＞前記粘着剤層の切り込みが、前記剥離基材平面を基準（０°）としたときの切り込み部の角度（Ａ）が下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする上記＜１＞記載の接着シート。
０＜（Ａ）≦７０ （１）

＜３＞前記接着剤層の所定の平面形状が、前記剥離基材を剥離した後に前記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状よりも大きいことを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞記載の接着シート。

＜４＞前記粘着剤層が、前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層を貼り付けるべき被着体及び前記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のうちのいずれか一つに記載の接着シート。

＜５＞前記接着剤層が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤と、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、を含むことを特徴とする上記＜１＞〜＜４＞のいずれか一つに記載の接着シート。

＜６＞前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、且つエポキシ基含有モノマーの量が０．５〜５０質量％であることを特徴とする上記＜５＞記載の接着シート。

＜７＞前記接着剤層が、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである上記＜１＞〜＜６＞のいずれか一つに記載の接着シート。

＜８＞前記粘着剤層は、高エネルギー線を照射することで、前記接着剤層と前記粘着剤層界面の接着強度が制御可能となる高エネルギー線重合性成分を含む上記＜１＞〜＜７＞のいずれか一つに記載の接着シート。

＜９＞上記＜１＞〜＜８＞のいずれか一つに記載の接着シートの製造方法であって、剥離基材上に接着剤層を積層する第１の積層工程、前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して９０°以下に切り込みをいれ、前記切り込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状の接着剤層を形成する第１の切断工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第２の切断工程を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。

＜１０＞前記第２の切断工程において、前記剥離基材平面を基準（０°）としたときの切込部の角度（Ａ）が下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする上記＜９＞記載の接着シートの製造方法。
０＜（Ａ）≦７０ （１）

＜１１＞接着シートを用いて半導体装置を製造する方法において、前記接着シートは上記＜１＞〜＜８＞のいずれか一つに記載の接着シート又は上記＜９＞又は＜１０＞に記載の製造方法により製造された接着シートであって、
前記積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着剤層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着剤層の前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着剤層から前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

＜１２＞前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である上記＜１１＞記載の半導体装置の製造方法。

＜１３＞上記＜１１＞又は＜１２＞記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。

本発明によれば、プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着剤層及び粘着剤層を含む積層体の転写不良を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。

＜接着シート＞
本発明の接着シートは、剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、を有し、前記剥離基材上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された接着シートであって、前記接着剤層の外周部の全部もしくは一部に、前記剥離基材平面に対して９０°以下に切り込みがあり、前記粘着剤層の外周部の全部もしくは一部に前記剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みがあることを特徴とする。

前記粘着剤層の切り込み部の角度は、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０°よりも大きく、７０°以下であることが好ましい。また、前記接着剤層の切り込み部の角度は、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０°よりも大きく、９０°以下が好ましい。ここで、本発明における切り込み部の角度は、前記剥離基材上に形成された切り込み部の剥離基材の厚さ方向の深さを光学顕微鏡による断面観察により任意に１０点測定し、これを平均した値を意味する。

本発明の接着シートは、上述したプリカット加工が施された接着シートである。そして、本発明の接着シートにおいては、剥離基材平面を基準（０°）としたときの、前記接着剤層及び粘着剤層各々の切り込み部の角度が上記範囲であることにより、該接着シートの外周部形状が、巻回して接触した他の部分に転写してしまうことを十分に抑制することができる。そのため、転写部位に凹みを生じることがなく、ウェハ貼付後に転写部位に空隙が発生する等の不良を十分に抑制することができる。

また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、上記剥離基材を剥離した後に上記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する所定の平面形状を有していることが好ましい。

上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状と相似であってもよく、半導体ウェハの平面形状に合致していてもよい。

更に、上記接着シートにおいて、上記粘着剤層は、上記剥離基材を剥離した後に上記接着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに粘着剤層が密着するように接着シートの貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。

上記粘着剤層は、高エネルギー線の照射により上記接着剤層に対する粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層を粘着剤層から剥離する際において、紫外線、電子線、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。

上記接着シートは、上記粘着剤層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材との間に配置される接着剤層を備えることが好ましい。
かかる粘着剤層を備えていることにより、半導体ウェハのダイシング時に使用するウェハリングに対してこの粘着剤層を貼り付け、接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、接着剤層の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、粘着剤層をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、接着剤層には十分に高い粘着力を持たせるとともに、粘着剤層にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、粘着剤層の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材と粘着剤層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材からの接着剤層及び粘着剤層の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。ここで、上記粘着剤層は、上記剥離基材を剥離した後に上記粘着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。

本発明の接着シートは、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである接着剤層を有することが好ましい。２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が上記範囲であると、プリカットの加工性を確保できる。また、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が上記範囲であると、半導体装置の信頼性に優れる。
なお、本発明において、「硬化前」とは、フィルム化した後の状態であり、「硬化後」とは、フィルム化後に加熱等で硬化させ、前記エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤が硬化反応を終了した段階を示す。
貯蔵弾性率の調製方法は、後述する。

本発明の接着シートは、図１及び図２に示すように、剥離基材１と、該剥離基材１上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層２と、該接着剤層２の周囲で前記剥離基材１に接するよう形成された粘着剤層３とが順次積層された構成を有している。本発明において、接着剤層と粘着剤層を積層体という。前記接着剤層及び粘着剤層からなる積層体は、所定の形状に切断されており、剥離基材上に部分的に積層され、上記積層体は、複数個、剥離基材の長さ方向に分散配置されている。更に、剥離基材には、積層体の形状の周縁に沿って、接着剤層側の面から剥離基材の厚み方向に切り込み部（以下、「切り込み部Ｄ」ともいう」がウェハリング形状に合致した形にプリカットされている。

ここで、積層体の上記所定の形状とは、剥離基材上に積層体が部分的に積層された状態となり、前記接着剤層の所定の平面形状が半導体ウェハ等の被着体の平面形状よりも大きい平面形状であれば、特に制限されないが、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。

半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、接着シートから剥離基材を剥離し、粘着剤層にウェハリングを貼り付け、その内側に半導体ウェハを貼り付ける。ここで、ウェハリングは、円環状や四角環状等の枠となっており、接着シートにおける積層体の粘着剤層は、更にこのウェハリングに合致する平面形状を有していることが好ましい。

粘着剤層は、室温（２５℃）で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。該粘着剤層の高エネルギー線照射前の粘着力は３．０〜１５０Ｎ／ｍであることが好ましく、３０〜１００Ｎ／ｍであることがより好ましい。１５０Ｎ／ｍを越えるとウェハリングから剥がし難く、作業性が低下する。３．０Ｎ／ｍ未満であるとウェハリングに対する保持力が不足し、半導体装置の製造工程において支障をきたす恐れがある。

以下、接着シートを構成する各層について詳細に説明する。
本発明における剥離基材は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。

また、剥離基材の接着剤層側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。剥離基材の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであることがより好ましく、２５〜５０μｍであることが特に好ましい。

本発明における接着剤層には、熱可塑性成分、熱重合性成分、又は高エネルギー線重合性成分のいずれか、またはこれらを組み合わせて用いることができる。
本発明における接着剤層には、例えば、熱可塑性成分を用い、これに熱重合性成分、高エネルギー線重合性成分等を含有させることができる。このような成分を含有する組成とすることにより、接着剤層には、高エネルギー線（例えば、電子線、紫外線、放射線等）や熱で硬化する特性を持たせることができる。また、熱重合性成分や高エネルギー線重合性成分等の硬化性成分を主に用いる構成でも良い。

接着剤層に用いられる高分子量成分としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はないが、例えば、（１）Ｔｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５０００〜２０００００であるもの、又は、（２）Ｔｇが−５０〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量が１０００００〜１００００００であるものが好ましく用いられる。

上記（１）の熱可塑性成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられ、中でもポリイミド樹脂を使用することが好ましい。

上記（１）の高分子量成分のより好ましいものの一つとしてのポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させることによって得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。

また、上記（２）の高分子量成分のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを含む重合体が挙げられる。かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましく、さらにこれらは、接着剤層の構成原料として用いられる、硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。

上記官能性モノマーを含む重合体であって、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、その中でも硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であるものが好ましい。

上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、グリシジル基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴム等を使用することができ、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。本発明でいうグリシジル基含有アクリルゴムとは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等からなるグリシジル基を含有する共重合体である。

上記官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。

上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成するためには、モノマー全量を基準として０．５〜５０質量％が好ましい。また、接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、０．５〜６．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％がさらに好ましく、１．０〜４．０質量％が特に好ましい。

グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーと共重合させることも可能であり、エポキシ基含有モノマー以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。エポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、未硬化状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。

上記官能性モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。

また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。

接着剤層に用いられる熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着シートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが好ましい。

エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、東都化成株式会社製のＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。

フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が、またｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７や、東都化成株式会社製、ＹＤＣＮ７００−１０等が挙げられる。

クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０１２、１０２５、１０２７、東都化成（株）製 ＹＤＣＮ７０１、７０２、７０３、７０４等が挙げられる。

多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＥｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。

グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート６０４、東都化成株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。
脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業（株）製 エポリードシリーズ、セロキサイドシリーズ等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。

上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ４８７１、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。
接着剤層に用いられる高エネルギー線重合性成分としては、下記に記載の粘着剤層に用いる高エネルギー線重合性成分を用いることができる。

本発明の接着シートを構成する粘着剤層に用いられる、高エネルギー線重合性成分として例えば、放射線重合性成分を含有させることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付けた後、ダイシングを行う前に放射線照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に放射線照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような放射線重合性成分としては、従来放射線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。また、熱硬化性成分を含有させることにより、半導体素子を、これを搭載すべき支持部材に搭載するときの熱や、半田リフローを通るときの熱等によって、接着剤層が硬化し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

粘着剤層に用いられる高エネルギー線重合性成分として、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。

また、粘着剤層には、光重合開始剤（例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。

また、接着剤層には、放射線照射等の高エネルギー線により塩基及びラジカルを発生する光開始剤を添加しても良い。これにより、ダイシング前又はダイシング後の高エネルギー線照射により、ラジカルが発生して高エネルギー線重合性成分が硬化するとともに、系内に熱硬化性樹脂の硬化剤である塩基が発生し、その後の熱履歴による接着剤層の熱硬化反応を効率的に行うことができるため、光反応と熱硬化反応のそれぞれの開始剤を添加する必要がなくなる。
高エネルギー線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤としては、例えば、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、イルガキュア９０７）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、イルガキュア３６９）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。

接着剤層には、高エネルギー線で遊離ラジカルを生成させる上記光重合開始剤と、高エネルギー線により塩基を発生させる下記の化合物を別に添加しても良い。
放射線照射によって塩基を発生する化合物は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であって、発生した塩基が、熱硬化性樹脂の硬化反応速度を上昇させるものであり、光塩基発生剤ともいう。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるｐＫａ値が使用され、水溶液中でのｐＫａ値が７以上の塩基が好ましく、さらに９以上の塩基がより好ましい。

また、上記放射線照射によって塩基を発生する化合物は、波長１５０〜７５０ｎｍの光照射によって塩基を発生する化合物を用いることが好ましく、一般的な光源を使用した際に効率良く塩基を発生させるためには２５０〜５００ｎｍの光照射によって塩基を発生する化合物がより好ましい。

このような放射線照射によって塩基を発生する化合物の例としては、イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、１，２−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、４−メチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の４位にアミノ基又はアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、ｎ−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１（ＤＢＵ）等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等が挙げられる。

また、放射線又は熱で硬化する接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、無機フィラーを添加するといった方法を用いることができる。
接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするための無機フィラーは、後述する。

更に、接着剤層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量成分を添加することができる。このような高分子量成分としては、特に限定されないが、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

また、接着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
また、無機フィラーの平均粒径は０．００５μｍ〜１．０μｍが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。
無機フィラーの配合量は、接着剤層１００質量％に対して１〜２０質量％であることが好ましい。前記配合量が１質量％未満では添加効果が得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。

接着剤層の厚さは、半導体素子搭載用の支持部材等の被着体への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、接着剤層の厚さは１〜３００μｍであることが好ましく、５〜１５０μｍであることがより好ましく、１０〜１００μｍであることが特に好ましい。厚さが１μｍ未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、３００μｍを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。

本発明の接着シートを構成する粘着剤層としては、上記の他に、剥離基材に用いたフィルム又はシートと同様のものを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、粘着剤層は、これらのフィルムが２層以上に積層されたものであってもよい。

また、粘着剤層の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜２００μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
本発明の接着シートは、以上説明したような剥離基材、接着剤層及び粘着剤層を備えるものである。本発明の接着シートにおいて、剥離基材には、接着剤層と粘着剤層とからなる層体の平面形状の周縁に沿って、剥離基材の接着剤層側の面から剥離基材の厚み方向に切り込み部Ｄ、及び剥離基材の粘着剤層側の面から剥離基材の厚み方向に切り込み部Ｅが形成されている。

そして、この粘着剤層に対する切り込み部Ｅの角度Ａは、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０°よりも大きく、７０°以下となるように切り込むことが好ましい。ここで、より良好な貼付外観を得る観点から、切り込み部Ｅの角度Ａは、３〜４５°であることがより好ましく、５〜３０°であることが更に好ましく、７〜１５°であることが特に好ましい。切り込み部Ｅの切り込み部の角度Ａが上記範囲であることにより、接着シートにおいて、巻回して接触した他の部分に該接着シートの外周部形状が転写してしまうことを十分に抑制することができる。そのため、転写部位に凹みを生じることがなく、ウェハ貼付後に転写部位に空隙が発生する等の不良を十分に抑制することができる。

但し、現行のプリカット装置で切り込み部の角度を０°に近づける場合、装置の調整とプリカット工程の実施に多くの時間がかかり、生産効率が低下する傾向がある。したがって、生産効率と剥離不良抑制のバランスの点では、切り込み部Ｅの角度Ａは３〜１５°であることが好ましい。また、上記接着シートは、前記剥離基材平面を基準（０°）としたときの前記切り込み部Ｅの角度Ａが下記式（１）の条件を満たしていることが好ましい。
０＜（Ａ）≦７０ （１）

なお、上記切り込み部Ｅの角度Ａは、先に述べたように、剥離基材に形成された切り込み部Ｅの深さを光学顕微鏡による断面観察により任意に１０点測定し、これを平均した値を意味するが、剥離不良の発生をより十分に抑制する観点から、任意に１０点測定した切り込み部Ｅの深さの全てが上記範囲となっていることが好ましい。

＜接着シートの製造方法＞
上記接着シートの製造方法について説明する。
本発明の接着シートの製造方法は、剥離基材上に接着剤層を積層する第１の積層工程、前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して０〜９０°に切り込みをいれ、前記切込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状の接着剤層を形成する第１の切断工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第２の切断工程を含むことを特徴とする。

より具体的には、剥離基材上に、接着剤層を塗布する（第１の積層工程）。次に、プリカット刃により接着剤層側の面から上記剥離基材に達するまで０〜９０°に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状の接着剤層を形成するよう、上記剥離基材に切り込み部Ｄを環状に形成する第１の切断工程がある。次いで第１の切断工程を終えた上記剥離基材上に、上記粘着剤層を積層する第２の積層工程と、上記粘着剤層の面から上記剥離基材に達するまで、該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、所定の形状の積層体とを形成するよう、上記剥離基材に切り込み部Ｅを環状に形成する（第２の切断工程）。これにより、接着シートの製造を完了する。ここで、第１の切断工程においては、切り込み部Ｄの角度が、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０〜９０°となるように切り込みを入れる。第２の切断工程においては、切り込み部Ｅの角度Ａが、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０°よりも大きく、７０°以下となるように切り込みを入れる。

以下、各製造工程についてより詳細に説明する。
第１の積層工程においては、まず、接着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとし、これを剥離基材上に塗布後、加熱により溶剤を除去する。一方、第２の積層工程において用いる粘着剤層は、まず、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布後、加熱により溶剤を除去した後、別の基材フィルムと貼り合わせ、粘着剤層を得る。

ここで、両層形成用ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に限定されないが、層形成時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。

第１の積層工程における接着剤層形成用ワニスの剥離基材への塗布方法、また第２の積層工程における粘着剤層形成用ワニスの基材フィルムへの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。

本発明の接着シートの製造方法においては、第１の積層工程後、接着剤層が所定の平面形状を有するように、プリカット刃により接着剤層側の面から上記剥離基材に達するまで９０°以下に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の接着剤層を除去し、上記剥離基材に切り込み部Ｄを環状に形成する第１の切断工程を行い、次いで上記で得られた粘着剤層を前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、積層する第２の積層工程、上記粘着剤層の面から上記剥離基材に達するまで、該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、所定の形状の積層体とを形成するよう、上記剥離基材に切り込み部Ｅを環状に形成する第２の切断工程を経る。

なお、接着剤層と粘着剤層との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。

上記第１の切断工程において、この切り込み部Ｄの角度は上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０〜９０°となるように切り込みを入れる。
また、上記第２の切断工程において、切り込み部Ｅの角度Ａは、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０°よりも大きく、７０°以下となるように切り込みを入れる。なお、より良好な貼付外観を有する接着シートを得る観点から、切り込み部Ｅの角度Ａは、３〜４５°であることがより好ましく、５〜３０°であることが更に好ましく、７〜１５°であることが特に好ましい。このように、但し、現行のプリカット装置で切り込み部の角度を０°に近づける場合、装置の調整とプリカット工程の実施に多くの時間がかかり、生産効率が低下する傾向がある。したがって、生産効率と剥離不良抑制のバランスの点では、切り込み部の角度ｄは３〜１５°となるようにすることが好ましい。その後、必要に応じて積層体の不要部分を剥離除去し、目的の接着シートを得る。

以上、本発明の接着シート及び接着シートの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。

＜半導体装置の製造方法＞
本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
本発明の接着シートは、剥離基材がキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール及び楔状の部材とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第１のロールを形成し、他端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第２のロールを形成している。そして、第２のロールの巻芯には、当該巻芯を回転させるための巻芯駆動用モータが接続されており、接着シートにおける第２の積層体が剥離された後の剥離基材が所定の速度で巻回されるようになっている。

まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロールの巻芯が回転し、第１のロールの巻芯に巻回されている接着シートが第１のロールの外部に引き出される。そして、引き出された接着シートは、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ及びそれを囲むように配置されたウェハリング上に導かれる。

次に、剥離基材から、接着剤層及び粘着剤層からなる積層体が剥離される。このとき、接着シートの剥離基材側から楔状の部材が当てられており、剥離基材は部材側へ鋭角に曲げられ、剥離基材と積層体との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材と積層体との境界面にエアーが吹き付けられている。

このようにして剥離基材と積層体との間に剥離起点が作り出された後、粘着剤層がウェハリングと密着し、接着剤層が半導体ウェハと密着するように積層体の貼り付けが行われる。このとき、ロールによって積層体は半導体ウェハ及びウェハリングに圧着されることとなる。そして半導体ウェハ及びウェハリング上への積層体の貼り付けが完了する。

以上のような手順により、半導体ウェハへの第２の積層体の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。

そして、このような工程により積層体を半導体ウェハに貼り付ける場合、接着シートを用いることにより、剥離基材と積層体との間の剥離起点（剥離基材と粘着剤層との間の剥離起点）を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。

次に、上記の工程により積層体が貼り付けられた半導体ウェハを、切削部材、例えばダイシング刃により必要な大きさにダイシングして、接着剤層が付着した半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層により半導体ウェハは粘着剤層に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハやダイシング後の半導体素子が脱落することが十分に抑制される。

次に、放射線等の高エネルギー線を粘着剤層に照射し、粘着剤層の一部を重合硬化させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着剤層への高エネルギー線の照射は、粘着剤層の接着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、粘着剤層は光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、粘着剤層は必ずしも光透過性である必要はない。

高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を粘着剤層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子のピックアップ時において、接着剤層と粘着剤層との界面で剥離が生じやすくなり、接着剤層が半導体素子の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。そして、接着剤層が付着した半導体素子を、接着剤層を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。

＜半導体装置＞
本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板上に半導体素子が、接着剤層を介して積層されている。また、有機基板には、回路パターン及び端子が形成されており、この回路パターンと半導体素子とが、ワイヤボンドによってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材により封止され、半導体装置が形成されている。この半導体装置は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シートを用いて製造されるものである。以上、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。

以下、実施例及び比較例をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限するものではない。
＜接着剤層形成用ワニスの作製＞
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ−７００−１０、エポキシ当量：２２０）６０質量％及び硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（三井化学株式会社製、商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量％に、ワニス調製用溶媒としてシクロヘキサノン１５００質量部を加えて完全に溶解するまで撹拌混合した。

次いで、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製、商品名：ＮＵＣ Ａ−１８９）１．５質量％及びγ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（日本ユニカー株式会社製、商品名：ＮＣＵ Ａ−１１６０）３質量％を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（日本アエロジル株式会社製、商品名：Ｒ９７２Ｖ）３２質量％を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行った。

更に、高分子量成分として、エポキシ基含有アクリル系共重合体（帝国化学産業株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）２００質量％及び硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５質量％を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調製した。

（実施例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍの未硬化状態の接着剤層を形成した。（第１の積層工程）
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み角度が９０°となるように調節して直径２１０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行った（第１の切断工程）。

粘着剤層は、放射線重合性成分としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬(株)製、商品名：カヤラッドＤＰＨＡ)６３質量％、光重合開始剤として２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名：イルガキュア９０７）５質量％、ワニス調整用溶媒として、シクロヘキサノン３２質量％を加え、６０分以上攪拌混合し、粘着剤層形成用ワニスを調製した。この粘着剤層形成用ワニスを膜厚３８μｍの基材フィルム帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックスＡ５３）上に塗布し、１１０℃で１０分間加熱乾燥を行い、得られたフィルムをポリエチレン製フィルム（膜厚１００ｕｍ）膜厚１１０μｍと貼り合せ、の基材フィルム付粘着剤層を得た。

その後、接着剤層の不要部分を除去し、基材フィルム付粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。(第２の積層工程)そして、基材フィルム付粘着剤層に対して、剥離基材への切り込み角度が９°となるように調節して接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行い、粘着剤層の不要部分を除去した（第２の切断工程）。これにより、接着シートを得た。

（実施例２）
第２の切断工程での切り込み角度を３０°とした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。

（実施例３）
第２の切断工程での切り込み角度を５０°とした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
（実施例４）
第２の切断工程での切り込み角度を７０°とした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
（実施例５）
第１の切断工程で切り込み角度を３０°とした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
（実施例６）
第１の切断工程で切り込み角度を７０°とした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。

（実施例７）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。

（実施例８）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例４と同様にして接着シートを得た。

（実施例９）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例５と同様にして接着シートを得た。

（比較例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み角度が１１０°となるように調節して直径２１０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行った（第１の切断工程）。

その後、接着剤層の不要部分を除去し、基材フィルム付粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。そして、基材フィルム付粘着剤層に対して、剥離基材への切り込み角度が９０°となるように調節して接着剤層と同心円状に直径２７０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行い、粘着剤層の不要部分を除去した（第２の切断工程）。これにより、接着シートを得た。

（比較例２）
第２の切断工程での切り込み角度を７０°とした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。

（比較例３）
第２の切断工程での切り込み角度を３０°とした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。

＜巻き跡の転写抑制性評価試験＞
上記の実施例１〜６及び比較例１〜３で得た接着シートを、円形形状を有する積層体（剥離基材付き）の数が３００枚になるように、巻き取り張力を１ｋｇ及び３ｋｇとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを２週間冷蔵庫内（５℃）で放置した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、１５０枚目のフィルムについて目視で接着シート外周部の転写の有無を観察し、以下の評価基準に従って、○、△及び×の３段階で接着シートの転写抑制性を評価した。その結果を表１及び表２に示す。

評価基準は以下の通りである。
○：あらゆる角度から観察しても凹み（巻き跡の転写）を確認できない。
△：フィルム上面からは凹み（巻き跡の転写）が確認できないが、フィルムの角度を変え観察することで凹みが確認できる。
×：フィルム上面から観察し、フィルム上に凹み（巻き跡の転写）が確認できる。

また、接着シート外周部の転写の有無を評価した後の接着シートにおいて、接着剤層及び粘着剤層を剥離基材から剥離し、これを接着剤層側から半導体ウェハに貼り付けたとき外観、特に空隙の発生の有無を目視にて評価した。その結果、上記接着シート外周部の転写の有無の評価結果が○であったものは、ボイドの発生も十分に抑制されており、△であったものは、ボイドがやや発生しており、×であったものは、ボイドが多く発生していることが確認された。

表１に示されるように、本発明になる接着シート（実施例１〜９）によれば、比較例の接着シート（比較例１〜３）と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができることが明らかである。すなわち、本発明になる接着シート（実施例１〜９）は、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。

本発明の接着シートの一例を示す概略図である。 図１に示す接着シートのＡ−Ａ断面図である。

符号の説明

１ 剥離基材
２ 接着剤層
３ 粘着剤層

Claims (13)

1. 剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、を有し、前記剥離基材上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された接着シートであって、
   前記接着剤層の外周部の全部もしくは一部に、前記剥離基材平面に対して９０°以下に切り込みがあり、前記粘着剤層の外周部の全部もしくは一部に前記剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みがあることを特徴とする接着シート。
2. 前記粘着剤層の切り込みが、前記剥離基材平面を基準（０°）としたときの切り込み部の角度（Ａ）が下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする請求項１記載の接着シート。
   ０＜（Ａ）≦７０ （１）
3. 前記接着剤層の所定の平面形状が、前記剥離基材を剥離した後に前記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の接着シート。
4. 前記粘着剤層が、前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層を貼り付けるべき被着体及び前記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着シート。
5. 前記接着剤層が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤と、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着シート。
6. 前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、且つエポキシ基含有モノマーの量が０．５〜５０質量％であることを特徴とする請求項５記載の接着シート。
7. 前記接着剤層が、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである請求項１〜６のいずれか一項に記載の接着シート。
8. 前記粘着剤層は、高エネルギー線を照射することで、前記接着剤層と前記粘着剤層界面の接着強度が制御可能となる高エネルギー線重合性成分を含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の接着シート。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の接着シートの製造方法であって、剥離基材上に接着剤層を積層する第１の積層工程、前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して９０°以下に切り込みをいれ、前記切り込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状の接着剤層を形成する第１の切断工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第２の切断工程を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。
10. 前記第２の切断工程において、前記剥離基材平面を基準（０°）としたときの切込部の角度（Ａ）が下記式（１）の条件を満たしていることを特徴とする請求項９記載の接着シートの製造方法。
    ０＜（Ａ）≦７０ （１）
11. 接着シートを用いて半導体装置を製造する方法において、前記接着シートは請求項１〜８のいずれか一項に記載の接着シート又は請求項９又は１０に記載の製造方法により製造された接着シートであって、
    前記積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着剤層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着剤層の前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着剤層から前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
13. 請求項１１又は１２記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。