JP4232819B2 - 電気光学装置、駆動方法および電子機器 - Google Patents

電気光学装置、駆動方法および電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、いわゆる横クロストークによる表示品位の低下を防止する技術に関する。
近年では、液晶などの電気光学パネルを用いて縮小画像を形成するとともに、この縮小
画像を光学系によって拡大投射するプロジェクタが普及しつつある。プロジェクタは、そ
れ自体で画像を作成する機能はなく、パソコンやテレビチューナなどの上位装置から画像
データ（または画像信号）の供給を受ける。この画像データは、画素の階調（明るさ）を
画素毎に指定するものであって、マトリクス状に配列する画素を垂直および水平走査した
形式で供給されるので、プロジェクタに用いられる表示パネルについても、この形式に準
じて方式で駆動するのが適切である。
このため、プロジェクタに用いられる表示パネルでは、走査線を１行ずつ所定の順番に
選択するとともに、１行の走査線が選択される期間（１水平走査期間）において１列ずつ
データ線を順番に選択して、画像データを液晶の駆動に適するように変換したデータ信号
を、選択したデータ線に供給する、という点順次方式で駆動するのが一般的であった。
最近では、ハイビジョンなどのように高精細な画像の表示を可能とするために、データ
線を２列以上の本数毎にブロック化するとともに、水平走査期間において１ブロックずつ
順番に選択して、選択したブロックに属するデータ線にまとめてデータ信号を供給する相
展開という方式も提案されている。
ところで、上述した表示パネルを点順次方式や相展開方式により駆動すると、いわゆる
横クロストークにより表示品位の低下が発生する、という問題がある。ここで、横クロス
トークとは、例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、灰色（中間階調）を背景にし
て矩形状の黒色（最低輝度またはその近傍）領域をウィンドウ表示しようとする場合に、
当該黒色領域に対し水平走査方向で隣接する灰色領域が、他の灰色の部分とは異なる明る
さとなって表示される、というものである。
この横クロストークは、画素の階調を指定する画像データを信号処理することにより、
画素電極に印加されるデータ信号の電圧を補正して、ある程度解消することができる（例
えば、特許文献１参照）。
特開２００２−１１６７３５号公報
しかしながら、データ信号の電圧を補正する構成では、上記横クロストークの発生を抑
えることができるものの、補正するに際して、信号処理のための回路が別途必要となり構
成の複雑化を招く、という問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、横クロス
トークの発生を、簡易な構成により抑えて、高品位な表示が可能な電気光学装置の電気光
学装置、その駆動方法、および、この電気光学装置を表示部に適用した電子機器を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、複数行の走査線と複数列のデ
ータ線との交差部分にそれぞれ設けられ、自身に対応する走査線が選択されたとき、自身
に対応するデータ線に供給されたデータ信号の電圧に応じた階調となる画素と、前記複数
のデータ線のそれぞれに設けられたサンプリングスイッチであって、画像信号線に供給さ
れるとともに所定の基準電位に対し高位または低位のいずれか一方の電圧を有するデータ
信号を、サンプリング信号にしたがって自身に対応するデータ線にサンプリングするサン
プリングスイッチと、前記複数行の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、１
列のデータ線毎に、または、２列以上でブロック化されたデータ線毎に、サンプリング信
号を所定の順番で出力するサンプリング信号出力回路と、前記複数のデータ線のそれぞれ
に設けられ、一端が自身に対応するデータ線に接続される一方、他端が、前記画像信号線
に供給されたデータ信号の電圧を、所定の電位に対して反転させた反転データ信号が供給
される反転画像信号線に接続された容量と、を具備することを特徴とする。本発明によれ
ば、データ線にデータ信号がサンプリングスイッチによってサンプリングが終了したとき
に、画像信号線に供給されたデータ信号の電圧変化が寄生容量を介してデータ線に伝搬す
るが、その電圧変化は、反転画像信号線に供給された反転データ信号の電圧変化により打
ち消される。
本発明において、前記サンプリングスイッチは、ゲート電極に前記サンプリング信号が
供給され、ソース電極が前記画像信号線に接続され、ドレイン電極が前記データ線に接続
された第１トランジスタであり、前記容量は、前記反転画像信号線および前記データ線の
間に介挿された、オフ状態の第２トランジスタである構成が好ましい。この構成において
、前記第２トランジスタは、検査モードにおいて、前記サンプリング信号が出力されたと
きに、自身に対応するデータ線を前記反転画像信号線に接続する一方、表示モードにおい
て、オフ状態となるようにしても良い。
なお、本発明において、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、
さらには、当該電気光学装置を表示部として有する電子機器としても概念することができ
る。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である
。この図に示されるように、本実施形態に係る電気光学装置１０は、表示パネル１００と
、画像信号処理回路５２と、走査制御回路５４と、反転回路５６とを含む。このうち、走
査制御回路５４は、図示しない上位装置から供給される垂直走査信号Ｖs、水平走査信号
Ｈsおよびドットクロック信号Ｄclkにしたがって、画像信号処理回路５２、走査線駆動回
路１３０およびデータ線駆動回路１４０の各部を制御するものである。
画像信号処理回路５２は、走査制御回路５４による制御にしたがって、ディジタルの画
像データＶdを、アナログ３チャネルのデータ信号Ｖid1、Ｖid2およびＶid3に変換して、
３本の画像信号線１４６に出力するものである。ここで、画像データＶdは、画素の階調
レベル（輝度）を指定するディジタル値で指定するでデータであり、表示パネル１００の
画素に対応するデータが、垂直走査信号Ｖs、水平走査信号Ｈsおよびドットクロック信号
Ｄclkに同期して（すなわち、垂直走査および水平走査にしたがって）供給される。
ここで、画像データＶdを３チャネルに変換する理由は、本実施形態では、画像データ
Ｖdの１画素分が供給される期間を時間軸に３倍に伸長して（相展開、シリアル−パラレ
ル変換ともいう）、後述するＴＦＴ１４４によるデータ信号のサンプリング時間を充分に
確保するためである。
くわえて、画像信号処理回路５２は、ある画素に対応する画像データＶdを、当該画素
の階調に応じた電圧のデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3のいずれかに変換するが、この変
換の際に、後述する電圧Ｖcを基準として画素の階調に応じた電圧だけ高位側の正極性電
圧とする場合と、画素の階調に応じた電圧だけ低位側の負極性電圧とする場合とで交互に
切り替える。
なお、極性を切り替える理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためであ
る。ここで、各画素に対してどの極性で書き込むかについては、走査線毎、データ線毎、
画素毎、面（フレーム）毎などの様々な態様があるが、この実施形態にあっては説明の便
宜上、走査線単位の極性反転であるとする。ただし、本発明をこれに限定する趣旨ではな
い。
また、本実施形態においてデータ信号の極性については電圧Ｖcを基準とした場合をい
うが、電圧については、特に説明のない限り、後述する論理レベルのＬレベルに相当する
接地電位Ｇndを、電圧ゼロの基準としている。
反転回路５６は、チャネル毎に設けられ、それぞれの画像信号線１４６に供給されたデ
ータ信号を上記電圧Ｖcを基準に極性反転し、反転データ信号／Ｖid1、／Ｖid2、／Ｖid3
として、３本の反転画像信号線１５６に供給する。ここで、「／」は反転を示す。
なお、画像信号処理回路５２、走査制御回路５４および反転回路５６は、モジュール化
されて、表示パネル１００とは、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）基板によっ
て接続される。
一方、表示パネル１００は、液晶を用いて所定の表示を行うものであり、表示領域１０
０ａの周辺に、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０および容量回路１５０が
配置した周辺回路内蔵型となっている。
表示領域１００ａは、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１０８０行
の走査線１１２が横方向（Ｘ方向）に設けられる一方、１９２０（＝６４０×３）列のデ
ータ線１１４が図において縦方向（Ｙ方向）に設けられている。そして、これらの走査線
１１２とデータ線１１４との交差の各々に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられ
ている。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００ａにおいて縦１０８
０行×横１９２０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定す
る趣旨ではない。
走査線駆動回路１３０は、走査制御回路５４による制御にしたがって、垂直走査期間（
フレーム）にわたって走査信号Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ1080を、それぞれ１、２、３、…
、１０８０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１３０
は、走査線１１２を図１において上から数えて１、２、３、…、１０８０行目という順番
で選択して、選択した走査線への走査信号を、電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、それ以
外の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとする。
なお、走査線駆動回路１３０の構成については、本発明と直接関連しないので省略する
が、走査制御回路５４から供給されるスタートパルスＤyを、図３に示されるように、ク
ロック信号Ｃlyのレベルが遷移する（立ち上がる又は立ち下がる）毎に順次シフトした後
、波形整形するなどして、走査信号Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ1080を、この順番でＨレベル
とする。
データ線駆動回路１４０は、第１サンプリング信号出力回路１４２と、各データ線１１
４に対応して設けられたｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下
、ＴＦＴと称する）１４４とによって構成される。
ここで、本実施形態において１〜１９２０列のデータ線１１４は、本実施形態では、３
列毎にブロック化されている。データ線１１４の総数は「１９２０」であるので、ブロッ
ク数は「６４０」となる。
第１サンプリング信号出力回路１４２は、走査制御回路５４による制御にしたがって、
各ブロックに対応してサンプリング信号Ｓa1、Ｓa2、Ｓa3、…、Ｓa640を出力するもので
ある。詳細には、第１サンプリング信号出力回路１４２は、図３または図４に示されるよ
うに、水平走査期間の最初に供給されるスタートパルスＤxを、クロック信号Ｃlxのレベ
ルが遷移する毎に順次シフトした後、波形整形するなどして、サンプリング信号Ｓa1、Ｓ
a2、Ｓa3、…、Ｓa640を、この順番でＨレベルとする。
１〜１９２０列のデータ線１１４の一端は、それぞれサンプリングスイッチとして機能
するＴＦＴ１４４（第１トランジスタ）のドレイン電極に接続される一方、ＴＦＴ１４４
のゲート電極は、同一ブロックに対応するもの同士で共通接続されている。同一ブロック
に属する３つのＴＦＴ１４４の共通ゲート電極には、当該ブロックに対応して第１サンプ
リング信号出力回路１４２から出力されたサンプリング信号が供給される。例えば、左か
ら数えて２番目のブロックは、４、５および６列目のデータ線１１４に対応するので、こ
れらのデータ線１１４に対応するＴＦＴ１４４のゲート電極には、サンプリング信号Ｓa2
が共通に供給される。
また、ＴＦＴ１４４のソース電極は、３本の画像信号線１４６のいずれか１本に、次の
ような関係で接続される。すなわち、データ線１１４を一般化して説明するために、１≦
ｊ≦１９２０を満たす整数のｊを用いると、図１において左から数えてｊ列目のデータ線
１１４の一端にドレイン電極が接続されたＴＦＴ１４４のソース電極は、列数であるｊを
３で割った余りが「１」であるならば、データ信号Ｖid1が供給される画像信号線１４６
に接続され、ｊを３で割った余りが「２」、「０」であるデータ線１１４にドレイン電極
が接続されたＴＦＴ１４４のソース電極は、それぞれデータ信号Ｖid2、Ｖid3が供給され
る画像信号線１４６に接続される。例えば、左から数えて８列目のデータ線１１４にドレ
イン電極が接続されたＴＦＴ１４４のソース電極は、「８」を３で割った余りが「２」で
あるから、データ信号Ｖid2が供給される画像信号線１４６に接続される。
容量回路１５０は、各データ線１１４に対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１５
４の集合体である。１〜１９２０列のデータ線１１４の他端は、それぞれＴＦＴ１５４（
第２トランジスタ）のソース電極に接続される一方、ＴＦＴ１５４のドレイン電極は、３
本の反転画像信号線１５６のいずれか１本に、ＴＦＴ１４４のソース電極と画像信号線１
４６との同じ関係で接続されている。すなわち、ｊ列目のデータ線１１４の一端にソース
電極が接続されたＴＦＴ１５４のドレイン電極は、列数であるｊを３で割った余りが「１
」、「２」、「０」であるならば、反転データ信号／Ｖid1、／Ｖid2、／Ｖid3が供給さ
れる反転画像信号線１５６に接続される。
ここで、各ＴＦＴ１５４のゲート電極は、Ｌレベルに相当する電位Ｇndに共通接地され
ているので、ＴＦＴ１５４は、本実施形態では常にオフ状態となる。
したがって、反転データ信号／Ｖid1が供給される（チャネルＣh1に対応する）反転画
像信号線１５６は、ＴＦＴ１５４におけるソース・ドレイン電極間の寄生容量を介して１
、４、７、…、１９１８列のデータ線に接続され、同様に、反転データ信号／Ｖid2が供
給される（チャネルＣh2に対応する）反転画像信号線１５６は、ＴＦＴ１５４におけるソ
ース・ドレイン電極間の寄生容量を介して２、５、８、…、１９１９列のデータ線に接続
され、反転データ信号／Ｖid3が供給される（チャネルＣh3に対応する）反転画像信号線
１５６は、ＴＦＴ１５４におけるソース・ドレイン電極間の寄生容量を介して３、６、９
、…、１９２０列のデータ線に接続されることになる。
なお、ＴＦＴ１５４は、ＴＦＴ１４４のトランジスタサイズと同一となるように形成さ
れる。このため、ＴＦＴ１５４におけるソース・ドレイン電極間の寄生容量は、ＴＦＴ１
４４におけるソース・ドレイン電極間の寄生容量とほぼ等しくなる、と考えて良い。
また、ＴＦＴ１４４、１５４については、本実施形態ではいずれもｎチャネル型として
いるが、ｐチャネル型としても良いし、両チャネルを組み合わせた相補型としても良い。
次に、画素１１０について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行
及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１
）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。なお、ｉ、（ｉ＋１
）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、本実施形態では、１
≦ｉ≦１０８０を満たす整数である。
この図に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型のＴＦＴ１１６と、液晶容量
１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、
ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、Ｔ
ＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ
列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素電極１１８に接続されている
。
ここで、画素電極１１８に対向するように対向電極１０８が全画素に対して共通に設け
られるとともに、一定の電圧ＬＣcomに維持される。そして、画素電極１１８と対向電極
１０８との間には液晶１０５が挟持されている。このため、画素毎に、画素電極１１８、
対向電極１０８および液晶１０５からなる液晶容量１２０が構成されることになる。
なお、電圧ＬＣcomは、図４に示されるように、極性の基準である電圧Ｖcに対して若干
低位側に設定される。この理由は、画素１１０におけるＴＦＴ１１６では、ゲート・ドレ
イン電極間の寄生容量に起因して、オン状態からオフ状態に変化するときにドレイン電極
（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスル
ーなどと呼ばれる）が発生するからである。液晶の劣化を防止するため、液晶容量１２０
については交流駆動としなければならないが、対向電極１０８の電圧ＬＣcomを書込極性
の基準に設定すると、プッシュダウンのために、負極性書込による液晶容量１２０の電圧
実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなって（ＴＦＴ１１６がｎチャネル
型の場合）、液晶容量１２０に直流成分が印加されてしまう。これを防止するため、対向
電極１０８の電圧ＬＣcomを、プッシュダウンの影響が相殺されるように、書込極性の基
準電圧Ｖcよりも低位側にオフセットしているのである。
特に図示はしないが、両基板の各対向面には、液晶分子の長軸方向が両基板間で例えば
約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ設けられる一方、両
基板の各背面側には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる。
画素電極１１８と対向電極１０８との間を通過する光は、液晶１０５に印加される電圧
実効値がゼロであれば、液晶分子の捻れに沿って約９０度旋光する一方、当該電圧実効値
が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。このた
め、例えば透過型において、入射側と背面側とに、配向方向に合わせて偏光軸が互いに直
交する偏光子をそれぞれ配置させると、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最大となる白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少し
て、ついには透過率が最小となる黒色表示になる（ノーマリーホワイトモード）。
なお、ＴＦＴ１１６を介した液晶容量１２０でのリークの影響を少なくするために、蓄
積容量１０９が画素毎に形成されている。この蓄積容量１０９の一端は、画素電極１１８
（ＴＦＴ１１６のドレイン電極）に接続される一方、その他端は、全画素にわたって共通
の容量線１０７に接続されて、一定電位（例えば接地電位Ｇnd）に保たれている。
次に、この電気光学装置１０の動作について説明する。
画像データＶdは、図３に示されるように、垂直走査信号Ｖsおよび水平走査信号Ｈs（
のパルス）が出力されたときに１行１列の画素に対応するものが供給され、以降ドットク
ロック信号Ｄclkに同期して１画素分ずつ供給される。画像データＶdにおいて１９２０列
目の画素に対応するものが供給されると、水平走査信号Ｈsが再び出力され、次行におい
て１〜１９２０列目の画素に対応するものが同様にして供給される。そして、最終行最終
列である１０８０行１９２０列の画素に対応するものが供給されると、次フレームに移行
し、再び垂直走査信号Ｖsおよび水平走査信号Ｈsが出力されて、１行１列の画素に対応す
るものから順番に供給される。
このように供給される画像データＶdのうち、１行分についてみたとき、走査制御回路
５４は、次のように画像信号処理回路５２、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回
路１４０を制御する。すなわち、走査制御回路５４は、１、４、７、１０、…、１９１８
列目の画素に対応するものをチャネルＣh1に、２、５、８、１１、…、１９１９列目の画
素に対応するものをチャネルＣh2に、３、６、９、１２、…、１９２０列目の画素に対応
するものをチャネルＣh3に、それぞれ分配するように画像信号処理回路５２を制御すると
ともに、画像データＶdの供給行に対応する走査信号がＨレベルとなるように走査線駆動
回路１３０を制御する一方、チャネルＣh1〜Ｃh3にそれぞれ１〜３列目の画素に対応する
画像データＶdが分配される期間においてサンプリング信号Ｓa1がＨレベルとなるように
、チャネルＣh1〜Ｃh3に４〜６列目の画素に対応する画像データＶdが分配される期間に
おいてサンプリング信号Ｓa2がＨレベルとなるように、以下同様にして、チャネルＣh1〜
Ｃh3に１９１８〜１９２０列目の画素に対応する画像データＶdが分配される期間におい
てサンプリング信号Ｓa640がＨレベルとなるように、それぞれ第１サンプリング信号出力
回路１４２を制御する。
本実施形態では、上述したように走査線毎に書込極性を反転する構成とするが、あるフ
レーム（「ｎフレーム」とする）において、１行に対して正極性書込を指定するものとす
る。
まず、走査信号Ｇ1がＨレベルになると、１行目に位置する画素１１０、すなわち、１
行１列〜１行１９２０列のＴＦＴ１１６がオンする。一方、走査信号Ｇ1がＨレベルにな
る水平走査期間では、はじめにサンプリング信号Ｓa1がＨレベルになる。サンプリング信
号Ｓa1がＨレベルとなる期間において、３本の画像信号線１４６に供給されるデータ信号
Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞれ１行１列、１行２列、１行３列の画素の階調に応じた
分だけ電圧Ｖcを基準にして高位側に変換された電圧となる。サンプリング信号Ｓa1がＨ
レベルであるので、第１番目のブロックに属する１、２、３列目のＴＦＴ１４４がオンす
る。このため、画像信号線１４６に供給されたデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3が、それ
ぞれ１列、２列、３列目のデータ線１１４にサンプリングされるので、１行１列、１行２
列、１行３列の画素電極１１８には、オン状態にあるＴＦＴ１１６を介して、それぞれ階
調に応じた正極性電圧が印加されることになる。
次に、走査信号Ｇ1がＨレベルになる水平走査期間では、サンプリング信号Ｓa2がＨレ
ベルになる。サンプリング信号Ｓa2がＨレベルとなる期間に画像信号線１４６に供給され
るデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞれ１行４列、１行５列、１行６列の画素の
階調に応じた正極性電圧となる。サンプリング信号Ｓa2がＨレベルであるので、第２番目
のブロックに属する４、５、６列目のＴＦＴ１４４がオンし、これにより、画像信号線１
４６に供給されたデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3が、それぞれ４列、５列、６列目のデ
ータ線１１４にサンプリングされる。したがって、１行４列、１行５列、１行６列の画素
電極１１８には、オン状態にあるＴＦＴ１１６を介して、それぞれ階調に応じた正極性電
圧が印加されることになる。
以降同様にして、サンプリング信号Ｓa3、Ｓa4、…、Ｓa640が順次Ｈレベルになると、
第３番目、第４番目、…、第６４０番目のブロックに属する３列のデータ線１１４にそれ
ぞれ順番にデータ信号Ｖid1〜Ｖid3がサンプリングされ、これにより、１行目に位置する
１〜１９２０列の画素に対して、階調に応じた正極性の書き込みがなされることになる。
続いて、ｎフレームにおいて、走査信号Ｇ2がＨレベルになる水平走査期間について説
明する。本実施形態では、上述したように、走査線毎に書込極性が反転されるので、２行
目の画素に対しては負極性書込が指定されることになる。
また、走査信号Ｇ2がＨレベルになると、２行目に位置する画素１１０、すなわち、２
行１列〜２行１９２０列のＴＦＴ１１６がオンする。
走査信号Ｇ2がＨレベルになる水平走査期間のうち、サンプリング信号Ｓa1がＨレベル
になる期間に画像信号線１４６に供給されるデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞ
れ２行１列、２行２列、２行３列の画素の階調に応じた負極性電圧となる。したがって、
２行１列、２行２列、２行３列の画素電極１１８には、オン状態にあるＴＦＴ１１６を介
して、それぞれ階調に応じた負極性電圧が印加されることになる。
他については、走査信号Ｇ1がＨレベルである水平走査期間と同様であり、サンプリン
グ信号Ｓa2、Ｓa3、Ｓa4、…、Ｓa640が順次Ｈレベルになると、第２番目、第３番目、第
４番目、…、第６４０番目のブロックに属する３列のデータ線１１４にそれぞれ順番にデ
ータ信号Ｖid1〜Ｖid3がサンプリングされ、これにより、２行目に位置する１〜１９２０
列の画素に対して、階調に応じた負極性の書き込みがなされることになる。
ｎフレームにおいては、以降同様にして、奇数３、５、７、…、１０７９行の画素に対
し、階調に応じた正極性の書き込みがなされ、偶数４、６、８、…、１０８０行の画素に
対し、階調に応じた負極性の書き込みがなされることになる。
次の（ｎ＋１）フレームにおいても、同様な書き込みが行われるが、この際、各行に対
する書込極性が入れ替えられる。すなわち、次の（ｎ＋１）フレームにおいては、奇数行
目の画素については負極性書込がなされる一方、偶数行目の画素については正極性書込が
なされることになる。
図４は、奇数ｉ行目と、これに続く偶数（ｉ＋１）行目の走査線とが選択される期間に
おけるデータ信号Ｖid1の電圧波形の一例を示す図である。なお、図４においてデータ信
号Ｖid1の電圧を示す縦スケールは、便宜的に他の信号における縦スケールよりも拡大し
てある。
この図に示されるように、奇数ｉ行目に正極性書込が指定されるｎフレームにおいて走
査信号ＧiがＨレベルになる水平走査期間のうち、例えばサンプリング信号Ｓa1がＨレベ
ルになる期間に、データ信号Ｖid1は、電圧Ｖcよりも、ｉ行１列の画素の階調に応じた電
圧だけ高位側の電圧（図において↑で示される）となり、以降、サンプリング信号の変化
に合わせて、４、７、１０、…、１９１８列の画素の階調に応じた正極性電圧に変化する
。
一方、偶数（ｉ＋１）行目では、書込極性の反転により負極性書込が指定されるので、
走査信号Ｇ(i+1)がＨレベルになる水平走査期間のうち、例えばサンプリング信号Ｓa1が
Ｈレベルになる期間に、データ信号Ｖid1は、電圧Ｖcよりも、ｉ行１列の画素の階調に応
じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）となり、以降、サンプリング信号
の変化に合わせて、４、７、１０、…、１９１８列の画素の階調に応じた正極性電圧に変
化する。
なお、図４における電圧の関係について言及すると、電圧Ｖb(-)、Ｖw(-)は、それぞれ
画素電極１１８に印加された場合に、当該画素を最低階調の黒色、最高階調の白色とさせ
る負極性電圧である。一方、電圧Ｖb(+)、Ｖw(+)は、それぞれ画素電極１１８に印加され
た場合に、当該画素を最低階調の黒色、最高階調の白色とさせる正極性電圧であり、電圧
Ｖcを基準にしたときに電圧Ｖb(-)、Ｖw(-)と対称に位置する関係にある。
また、図において、サンプリング信号Ｓa640がＬレベルに変化してからサンプリング信
号Ｓa1が変化するまでの水平帰線期間にわたって黒色に相当する電圧となっているが、そ
の理由は、タイミングずれなどの理由により誤って画素に書き込まれても、表示に寄与さ
せないためである。
ところで、本実施形態において、データ線１１４にデータ信号がサンプリングされる期
間は、当該データ線が属するブロックのサンプリング信号がＨレベルとなる期間のみであ
るが、ＴＦＴ１１６がオンする期間は、当該サンプリング期間を含み、かつ、当該サンプ
リング期間よりも遙かに長い水平走査期間である。したがって、自身に対応するデータ線
にデータ信号がサンプリングされた後であっても、ＴＦＴ１１６がオンしていることにな
る。
一方、ある１行（ｉ行）に対応する走査信号がＨレベルとなる水平走査期間においては
、サンプリング信号Ｓa1、Ｓa2、Ｓa3、…、Ｓa640が順番にＨレベルとなるのに合わせて
、画素の階調に応じた極性の電圧のデータ信号が画像信号線１４６に供給される。このた
め、例えばチャネルＣh1に相当するデータ信号Ｖid1は、図４に示されるように、当該ｉ
行目の画素に階調変化があれば、走査信号ＧiがＨレベルとなる水平走査期間において電
圧変化することになる。
ここで、ｊ列目のデータ線１１４に対するデータ信号のサンプリングが終了すると、ｊ
列目のＴＦＴ１４４はオフすることになるが、当該ＴＦＴ１４４のソース・ドレイン電極
間の寄生容量を介して、画像信号線１４６に供給されたデータ信号の電圧変化がｊ列目の
データ線１１４に伝搬する。このため、ＴＦＴ１５４が存在しない構成においては、ｊ列
目のデータ線１１４は、サンプリングしたデータ信号の電圧から変動する。このとき、走
査信号Ｇiは依然としてＨレベルであるので、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６はオン状態にある
。したがって、ｊ列目のデータ信号の電圧が変動すると、ｉ行ｊ列の液晶容量１２０に書
き込まれる電圧は、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧（サンプリング電圧）からシフト
することになり、これが横クロストークの原因となる。
これに対し、本実施形態において、ｊ列目のデータ線１１４付近の等価回路は、走査信
号ＧiがＨレベルである水平走査期間においてｊ列目のデータ線へのデータ信号のサンプ
リング後では、図５に示されるようなものとなる。詳細には、ｊ列目のデータ線１１４に
対するデータ信号のサンプリングが終了した後においては、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１４４はオ
フ状態になる。このため、当該ＴＦＴ１４４のソース・ドレイン電極間の寄生容量を介し
てデータ信号（の電圧変化）がｊ列目のデータ線１１４に伝搬するものの、本実施形態で
は、反転画像信号線１５６には、データ信号の反転データ信号が供給され、データ線１１
４とオフ状態にあるＴＦＴ１５４を介して接続される。このため、各列のデータ線におい
てデータ信号による電圧変化は、反転データ信号の電圧変化により相殺されるので、サン
プリング後におけるデータ線の電圧変動が抑えられる。したがって、本実施形態では、横
クロストークによる表示品位の低下を防止することが可能となる。
この表示品位の低下について例を挙げて説明する。図６は、横クロストークによる表示
品位の低下が表れやすい表示例である。すなわち、横クロストークによる表示品位の低下
は、灰色（中間階調）を背景として、矩形状の黒色領域を画面右側に表示させる場合に生
じやすい。
なお、この図においては、区分Ａ、Ｂ、Ｃは、画素の行を区別するためのものであり、
このうち、区分Ａ、Ｃは、画素が灰色領域だけとなる行の領域を示し、区分Ｂは、画素が
灰色領域の領域と黒色領域の領域との双方を含む行を示す。区分Ｄ、Ｅは、画素の列を区
別するためのものであり、区分Ｄは、画素が灰色領域だけとなる列の領域を示し、区分Ｅ
は、画素が灰色領域の領域と黒色領域の領域との双方を含む列を示す。
ここで、区分Ａ、Ｃに属する走査線が選択される水平走査期間において、データ信号は
、灰色に相当する電圧で一定となる。このため、区分Ｄに属するデータ線では、データ信
号のサンプリング後において、データ信号による電圧変化の影響が発生しない。したがっ
て、区分Ａ×Ｄ、Ａ×Ｅ、Ｃ×ＤおよびＣ×Ｅで区画される領域の液晶容量１２０には、
正しく当該灰色に相当する電圧が書き込まれる。
一方、区分Ｂに属する走査線が選択される水平走査期間において、データ信号は、灰色
に相当する電圧から黒色に相当する電圧に変化する。このため、区分Ｄに属するデータ線
では、データ信号のサンプリング後において、データ信号による電圧変化の影響を受ける
ので、正極性書込が指定されていれば電圧が上昇する方向に、負極性書込が指定されてい
れば電圧が下降する方向に、いずれもノーマリーホワイトモードにおいて画素を暗くする
方向の電圧に変動してしまう。したがって、区分Ｂ×Ｄで区画される領域の液晶容量１２
０には、正しい灰色から若干暗い階調に相当する電圧が書き込まれてしまう。
区分Ａ×Ｄ、Ａ×Ｅ、Ｃ×ＤおよびＣ×Ｅで区画される領域の画素と、区分Ｂ×Ｄで区
画される領域の画素とは、互いに同じ灰色で表示されるべきであるが、区分Ｂ×Ｄで区画
される領域の画素の方が若干暗くなってしまい、これが表示品位の低下として視認される
ことになる。このような表示品位の差は、特定の領域（ここでは区分Ｂ×Ｅの黒色領域）
に対して画面横方向に現れることから、横クロストークと呼ばれるのである。
これに対して、本実施形態では、区分Ｂに属する走査線が選択される水平走査期間にお
いて、例えばデータ信号Ｖid1は、図７において実線で示されるように、正極性書込が指
定されていれば、灰色に相当する正極性電圧Ｖg(+)から黒色に相当する正極性電圧Ｖb(+)
に上昇するが、反転データ信号／Ｖid1は、同図において破線で示されるように、灰色に
相当する負極性電圧Ｖg(-)から黒色に相当する負極性電圧Ｖb(-)に下降する。このため、
区分Ｄに属するデータ線において、データ信号の電圧変化による電圧シフトは、反転デー
タ信号の電圧変化による電圧シフトによって打ち消されるので、サンプリング後における
サンプリング電圧から変動することがなくなって、上記横クロストークによる表示品位の
低下が抑えられるのである。
なお、データ信号Ｖid1は、図７に示されるように、負極性書込が指定されていれば、
灰色に相当する負極性電圧Ｖg(-)から黒色に相当する負極性電圧Ｖb(-)に下降し、反転デ
ータ信号／Ｖid1も、灰色に相当する正極性電圧Ｖg(+)から黒色に相当する正極性電圧Ｖb
(+)に上昇する。
また、図７（図４）では、チャネルＣh1のデータ信号Ｖid1のみを示しているが、他の
チャネルＣh12、Ｃh3についても同様である。
この実施形態にあっては、画素の書込極性を走査線毎に切り替えたが、データ線毎、画
素毎、面毎などでも良い。ここで、データ線毎、画素毎に書込極性を切り替えると、１行
分の画素の階調が同じでもデータ信号に電圧変化が発生するが、その電圧変化による影響
は、反転データ信号によって相殺されることになる。
なお、この実施形態では、反転画像信号線１５６とデータ線１１４との間にオフ状態の
ＴＦＴ１５４を介挿する構成としたが、これは、データ信号をデータ線にサンプリングす
るＴＦＴ１４４におけるソース・ドレイン間の寄生容量と同じものを形成しやすいためで
ある。したがって、ＴＦＴ１４４におけるソース・ドレイン間の寄生容量値とほぼ同じで
あれば、例えば電極（配線）／絶縁層／電極（配線）の容量を、反転画像信号線１５６と
データ線１１４との間に電気的に介挿しても良い。
また、反転データ信号／Ｖid1、／Ｖid2、／Ｖid3については、データ信号Ｖid1、Ｖid
2、Ｖid3を、電圧Ｖcを基準に反転させた構成としたが、反転データ信号の目的は、デー
タ信号の電圧変化方向と反対方向に変化させる（とともに、この電圧変化を、容量を介し
てデータ線１１４に供給する）ことであるから、その反転の基準は電圧Ｖcに限られない
。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。
上述した第１実施形態では、ｎチャネル型のＴＦＴ１５４のゲート電極をすべてＬレベ
ルに相当する電位Ｇndに接地し、トランジスタのスイッチング機能を用いずに、単にその
ソース・ドレイン間の寄生容量を用いる構成とした。
この第２実施形態では、ＴＦＴ１５４を、製造工程においてデータ線１１４にデータ信
号がサンプリングされるか否かを検査する検査回路と兼用する構成としたものである。な
お、第２実施形態に係る電気光学装置は、表示パネル１００に対して表示をさせる表示モ
ードと、製造後に良品であるか否かを検査する検査モードとの２モードを有する。
図８は、表示モードで使用する場合の構成を示すブロック図であり、図９は、検査モー
ドで使用する場合の構成を示すブロック図である。
これらの図に示されるように、第２実施形態において、表示パネル１００の構成自体は
両モードで同一であるが、この表示パネル１００に接続される回路モジュールがモード別
に用意される。なお、この回路モジュールは、表示モード（図８参照）では、第１実施形
態と特に異なるところはないが、検査モード（図９参照）では、反転回路５６がなく、代
わりに判定回路５８が設けられている。
さて、これらの図に示されるように、表示パネル１００において、容量回路１５０は、
各データ線１１４に対応して設けられたＴＦＴ１５４に加えて、第２サンプリング信号出
力回路１５２によって構成される。第２サンプリング信号出力回路１５２は、検査モード
においては、第１サンプリング信号出力回路１４２と同様に、スタートパルスＤxを、ク
ロック信号Ｃlxのレベルが遷移する毎に順次シフトするなどして、各ブロックに対応して
サンプリング信号Ｓb1、Ｓb2、Ｓb3、…、Ｓb640を出力する。したがって、検査モードに
おいて、サンプリング信号Ｓa1、Ｓa2、Ｓa3、…、Ｓa640と、サンプリング信号Ｓb1、Ｓ
b2、Ｓb3、…、Ｓb640とは同一波形となる。
ただし、第２サンプリング信号出力回路１５２は、表示モードにおいては、サンプリン
グ信号Ｓb1、Ｓb2、Ｓb3、…、Ｓb640をすべてＬレベルとする。
ここで、第２サンプリング信号出力回路１５２に対してモードは、信号Ｄ／Ｃで指定さ
れる。詳細には例えば、信号Ｄ／ＣがＨレベル（電圧Ｖdd）であれば表示モードに、信号
Ｄ／ＣがＬレベル（電位Ｇndに接地）であれば検査モードに、それぞれ指定される。
したがって、表示モードにおいては、図８に示されるように、回路モジュールにより信
号Ｄ／ＣをＨレベルとすれば、サンプリング信号Ｓb1、Ｓb2、Ｓb3、…、Ｓb640がすべて
Ｌレベルとなるので、第１実施形態と同様な表示が行われる。
一方、検査モードで用いる場合の回路モジュールにおいては、図９に示されるように、
回路モジュールにより信号Ｄ／ＣをＬレベルとする。また、この回路モジュールにおいて
、判定回路５８は、画像信号処理回路５２から画像信号線１４６に出力されたデータ信号
の電圧と、反転画像信号線１５６に現れる信号の電圧とを、チャネル毎に一致するか否か
を判定し、いずれかのチャネルでも一致しなければ、不良品であると判定するものである
。
上述したように、検査モードにおいて、サンプリング信号Ｓa1、Ｓa2、Ｓa3、…、Ｓa6
40と、サンプリング信号Ｓb1、Ｓb2、Ｓb3、…、Ｓb640とは互いに同一波形である。この
ため、各部が正常であれば、画像信号線１４６に供給されたデータ信号は、オンしたＴＦ
Ｔ１４４、データ線１１４、および、オンしたＴＦＴ１５４という経路で同じチャネルの
反転画像信号線１５６に現れるので、画像信号線１４６におけるデータ信号の電圧と、反
転画像信号線１５６に現れる信号の電圧とは一致するはずである。
仮に、上記経路において断線や、ＴＦＴ１４４の素子破壊などの不良が発生していれば
、反転画像信号線１５６に現れる信号の電圧は、画像信号線１４６におけるデータ信号の
電圧に一致しないので、これを不良と判定とするのである。
なお、第２実施形態において、検査モードの施行時は、液晶封入前（素子基板形成直後
）やサービスセンター等でのチェック時などが想定される。
したがって、第２実施形態によれば、検査モードにおいて用いるＴＦＴ１５４を、その
ままオフ状態にして表示モードとして用いることが可能となる。
上述した実施形態にあっては、３列のデータ線１１４を１ブロックにまとめて、１ブロ
ックに属する３列のデータ線１１４に対し、３チャネルに分配・変換したデータ信号Ｖid
1〜Ｖid3をサンプリングする構成したが、分配数および同時に印加するデータ線の数（す
なわち、１ブロックを構成するデータ線の列数）は、「３」に限られるものではない。例
えば、サンプリングスイッチとして機能するＴＦＴ１４４の応答速度が十分に高いのであ
れば、パラレルに変換することなく１本の画像信号線にシリアル伝送して、データ線１１
４毎に順次サンプリングするように構成しても良い。また、変換数および同時に印加する
データ線の数を「３」以外の、例えば「２」としても良いし、４以上の例えば「６」等と
しても良い。
いずれにしても、１行の走査線を選択する期間にわたって複数回に分けて１列以上のデ
ータ線毎に、データ信号をサンプリングする構成であれば、データ信号の電圧変化が、Ｔ
ＦＴ１４４のソース・ドレイン電極の容量を介し当該列のデータ線に伝搬して、その電位
を変動させることになるので、このような構成に対して、本発明は適用可能である。
さらに、上述した実施形態にあっては、対向電極１０８と画素電極１１８との電圧実効
値が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイトモードとして説明したが、黒色表示
を行うノーマリーブラックモードとしても良い。
くわえて、実施形態にあっては、透過型として説明したが反射型としても良い。さらに
、上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Ne
matic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分
子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子
配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲスト
ホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加
時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピッ
ク配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に
配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平
行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液
晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した
電気光学装置１０の表示パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて
説明する。図１０は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色
光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２か
ら射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイ
ックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原
色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお
、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、
入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレ
ンズ系２１２１を介して導かれる。
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態
における表示パネル１００と同様であり、画像信号供給回路（図８では省略）から供給さ
れるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像信号でそれぞれ駆動されるものである。すなわち、
このプロジェクタ２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、Ｂの
各色に対応して３組設けられて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データがそれぞれ供給
される構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４
によってカラー画像が投射されることとなる。
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラ
ーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダ
イクロイックミラー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１０
０Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走
査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた
像を表示する構成となっている。
電子機器としては、図１０を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイ
ンダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電
子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディ
ジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そし
て、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言う
までもない。
本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置における表示動作を説明するためのタイミングチャートである。 同電気光学装置における表示動作を説明するためのタイミングチャートである。 同電気光学装置の表示パネルにおける１列分の等価回路である。 同電気光学装置の表示例を示す図である。 同電気光学装置におけるクロストークの抑制を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 同電気光学装置における検査時の構成を示すブロック図である。 実施形態に係る電気光学装置を適用したプロジェクタの構成を示す図である。
符号の説明
１０…電気光学装置、１００…表示パネル、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…デ
ータ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ
線駆動回路、１４４…ＴＦＴ、１４６…画像信号線、１５４…ＴＦＴ、１５６…反転画像
信号線、２１００…プロジェクタ

Claims (5)

  1. 複数行の走査線と複数列のデータ線との交差部分にそれぞれ設けられ、自身に対応する
    走査線が選択されたとき、自身に対応するデータ線に供給されたデータ信号の電圧に応じ
    た階調となる画素と、
    前記複数のデータ線のそれぞれに設けられたサンプリングスイッチであって、画像信号
    線に供給されるとともに所定の基準電位に対し高位または低位のいずれか一方の電圧を有
    するデータ信号を、サンプリング信号にしたがって自身に対応するデータ線にサンプリン
    グするサンプリングスイッチと、
    前記複数行の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
    １列のデータ線毎に、または、２列以上でブロック化されたデータ線毎に、サンプリン
    グ信号を所定の順番で出力するサンプリング信号出力回路と、
    前記複数のデータ線のそれぞれに設けられ、一端が自身に対応するデータ線に接続され
    る一方、他端が、前記画像信号線に供給されたデータ信号の電圧を、所定の電位に対して
    反転させた反転データ信号が供給される反転画像信号線に接続された容量と、
    を具備することを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記サンプリングスイッチは、
    ゲート電極に前記サンプリング信号が供給され、ソース電極が前記画像信号線に接続さ
    れ、ドレイン電極が前記データ線に接続された第１トランジスタであり、
    前記容量は、
    前記反転画像信号線および前記データ線の間に介挿された、オフ状態の第２トランジス
    タである
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 前記第２トランジスタは、
    検査モードにおいて、前記サンプリング信号が出力されたときに、自身に対応するデー
    タ線を前記反転画像信号線に接続する一方、表示モードにおいて、オフ状態となる
    ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
  4. 複数行の走査線と複数列のデータ線との交差部分にそれぞれ設けられ、自身に対応する
    走査線が選択されたとき、自身に対応するデータ線に供給されたデータ信号の電圧に応じ
    た階調となる画素と、
    前記複数のデータ線のそれぞれに設けられたサンプリングスイッチであって、画像信号
    線に供給されるとともに所定の基準電位に対し高位または低位のいずれか一方の電圧を有
    するデータ信号を、サンプリング信号にしたがって自身に対応するデータ線にサンプリン
    グするサンプリングスイッチと、
    前記複数行の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
    １列のデータ線毎に、または、２列以上でブロック化されたデータ線毎に、サンプリン
    グ信号を出力するサンプリング信号出力回路と、
    を具備する電気光学装置の駆動方法であって、
    前記画像信号線に供給するデータ信号の電圧を所定の電位に対して反転させた反転デー
    タ信号を、それぞれ容量を介して、前記複数列のデータ線の各々に印加する
    ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
  5. 請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
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