JP2007010946A - 電気光学装置、駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 画像信号線１８０に供給されるデータ信号のサンプリング期間を確保する。
【解決手段】 走査線１１２と４本毎にブロック化されたデータ線１１４との交差に対応
して画素１１０が設けられる。画像信号線１８０は、グループａおよびｂに２分類される
とともに、各グループがそれぞれ４本からなり、それぞれが電圧保持性を有する。１行の
走査線１１２が選択されると、選択された走査線に対応する画素の階調に応じた電圧を有
する４チャネルのデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４が供給される。選択回路１７０は、デー
タ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４を、グループａ、ｂを交互に選択するとともに、選択したグル
ープに属する４本の画像信号線１８０に分配する。サンプリング信号出力回路１４０は、
順番にＨレベルを重複させながら、選択回路１７０によるグループの選択に同期して出力
する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、画像信号線に供給されるデータ信号をデータ線にサンプリングする期間を長
く確保する技術に関する。

近年では、液晶などの表示パネルを用いて小型縮小画像を形成するとともに、この小型
縮小画像を光学系によって拡大投射するプロジェクタが普及しつつある。プロジェクタは
、それ自体で画像を作成する機能はなく、パソコンやテレビチューナなどの上位装置から
画像データ（または画像信号）の供給を受ける。この画像データは、画素の階調（明るさ
）を指定するものであって、マトリクス状に配列する画素を垂直および水平走査した形式
で供給されるので、プロジェクタに用いられる表示パネルについても、この形式に準じて
駆動するのが適切である。このため、プロジェクタに用いられる表示パネルでは、走査線
を１行ずつ所定の順番に選択するとともに、１行の走査線が選択される期間において１列
ずつデータ線を順番に選択して、画像データを液晶の駆動に適するように変換したデータ
信号を、選択したデータ線に供給する、という点順次方式で駆動するのが一般的であった
。

一方、最近では、ハイビジョンなどのように表示画像の高精細化が進行している。高精
細化は、走査線の行数およびデータ線の列数を増加させて高画素化を図ることによって達
成することができるが、フレーム周波数は固定であるので、走査線行数の増加によって１
水平走査期間が短縮し、さらに、点順次方式では、データ線列数の増加によって、データ
線の選択期間も短縮する。このため、点順次方式では、高精細化が進行するにつれてデー
タ線にデータ信号を供給する時間を充分に確保できなくなって、画素への書き込みが不十
分となり始めた。

そこで、書き込み不足を解消する目的で、相展開駆動という方式が考え出された（特許
文献１参照）。この相展開駆動は、データ線を予め定められた列毎に、例えば４列毎にブ
ロック化し（特許文献１では６列毎にブロック化しているが、ここでは比較のために４列
毎としている）、１水平走査期間においてブロックを１つずつ所定の順番で選択するとと
もに、選択したブロックに属する４列のデータ線に、時間軸に対し４倍に伸長したデータ
信号をそれぞれにサンプリングする、という方式である。この相展開駆動方式では、デー
タ線にデータ信号をサンプリングする時間を、点順次方式と比較して、この例では４倍確
保することができるので、高精細化に適している、と考えられている。
特開２０００−１１２４３７号公報

ところで、上記の例では点順次方式と比較して、データ線にデータ信号をサンプリング
する時間を、点順次方式と比較して４倍確保することができるものの、この方式だけでは
、高精細化をさらに進めたときに、データ信号をデータ線にサンプリングする期間を十分
に確保することができない可能性が浮上してきた。かといって、データ信号を４倍から８
倍、１６倍、…と、単純に伸長するのでは、伸長に要する構成が複雑化する、といった問
題もある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ信
号をデータ線にサンプリングする期間を十分に確保するとともに、構成の簡易化に寄与す
ることが可能な電気光学装置、駆動方法および電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明にあっては、複数の走査線とｍ（ｍは１以上の整数
）本毎にブロック化された複数のデータ線とに対応して設けられた複数の画素と、前記複
数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、ｎ（ｎは２以上の整数）個のグル
ープに分類されるとともに、各グループがそれぞれｍ本からなり、それぞれが電圧保持性
を有するｍ×ｎ本の画像信号線と、予め定められた順番でグループを選択するとともに、
前記走査線駆動回路によって選択された走査線に対応する画素の階調に応じた電圧を有す
るｍチャネルのデータ信号を、選択したグループに属するｍ本の画像信号線にそれぞれ分
配する選択回路と、所定の順番で前記ブロックを選択するサンプリング信号を、前記選択
回路による分配に同期して出力するサンプリング信号出力回路と、前記複数のデータ線に
対応してそれぞれに設けられたサンプリングスイッチであって、前記サンプリング信号に
よって選択されたブロックに対応するものがオンして、前記画像信号線に分配されたデー
タ信号を、前記データ線にサンプリングするサンプリングスイッチと、を具備することを
特徴とする。本発明によれば、ｍチャネルの画像信号を、さらにｎ倍に伸長して画像信号
線に保持することが可能となる。このため、構成を複雑化することなく、画像信号線に供
給されたデータ信号をデータ線にサンプリングする期間をより長く確保することが可能と
なる。

本発明において、 前記画像信号線の各々には容量がそれぞれ寄生するとともに、当該
容量によって電圧保持性を有するような構成としても良い。また、前記画像信号線と一定
電位の電位線との間にそれぞれ容量が接続されて、当該容量によって電圧保持性を有する
ような構成としても良い。
さらに、前記選択回路の各出力端と前記画像信号線との間にそれぞれ設けられ、前記選
択回路により選択されたデータ信号の電圧を保持するとともに、保持した電圧を、所定の
電位を基準とした増幅率で増幅して前記画像信号線に供給する増幅回路を、さらに備える
構成としても良い。ここで、前記増幅回路は、ｎおよびｐチャネル型のトランジスタを直
列接続して、両トランジスタのゲートに、共通に前記サンプリング回路によりサンプリン
グされたデータ信号が共通に入力されるとともに、両トランジスタのドレインが共通に前
記データ線に接続された構成が好ましい。
さらに、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光
学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る
電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、処理回路５０と表示パネル１００とに
大別される。このうち、処理回路５０は、表示パネル１００の動作等を制御する回路であ
って、プリント基板に実装された回路モジュールであり、表示パネル１００とは、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板等によって接続されている。

処理回路５０は、さらに、走査制御回路５２、Ｓ／Ｐ変換回路３２０、Ｄ／Ａ変換回路
群３３０および極性反転回路３４０に分けられる。
Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、上位装置（図示省略）から垂直走査信号Ｖｓ、水平走査信号
Ｈｓおよびドットクロック信号Ｄｃｌｋに同期して供給される画像データＶｉｎを、図６
に示されるように、時間軸に４倍に伸長するとともに、画像データＶｄ１〜Ｖｄ４の４チ
ャネルに分配し、４画素分について位相を揃えて出力するものである（シリアル−パラレ
ル変換とか、相展開ともいう）。
ここで、画像データＶｉｎは、画素の階調（明るさ）を指定するディジタルデータであ
る。詳細には、ある水平有効走査期間においては、選択された行に位置するとともに、１
列目から最終列までの画素に対応する画像データがドットクロック信号Ｄｃｌｋに同期し
て順番に供給される。
このうち、１、５、９、…列目の画素の画像データＶｉｎが画像データＶｄ１として、
２、６、１０、…列目の画素の画像データＶｉｎが画像データＶｄ２として、３、７、１
１、…列目の画素の画像データＶｉｎが画像データＶｄ３として、４、８、１２、…列目
の画素の画像データＶｉｎが画像データＶｄ４として、それぞれ出力される構成となって
いる。
なお、帰線期間において画像データＶｉｎが供給されない。このため、Ｓ／Ｐ変換回路
３２０は、帰線期間においては、画素を黒色化させるデータに置き換えて画像データＶｄ
１〜Ｖｄ４として出力する。

Ｄ／Ａ変換回路群３３０は、チャネル毎に設けられたＤ／Ａ変換器の集合体であって、
相展開された画像データＶｄ１〜Ｖｄ４を、チャネル毎に階調値に応じたアナログ電圧に
変換するものである。
なお、本実施形態では、画像データＶｉｎをシリアル−パラレル変換した後にアナログ
変換する構成とするが、シリアル−パラレル変換前にアナログ変換しても良いのはもちろ
んである。

極性反転回路３４０は、Ｄ／Ａ変換された４チャネルのアナログ信号を、走査制御回路
５２により正極性が指示された場合には、当該アナログ信号の電圧だけ、電圧Ｖcよりも
高位側に変換する一方、負極性が指示された場合には、電圧Ｖcよりも低位側に変換して
、それぞれデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として出力するものである。
ここで、電圧Ｖcは、後述する図７に示されるようにデータ信号の振幅中心電位である
。この電圧Ｖcは、電源の高位側電圧Ｖddと接地電位Ｇndとのほぼ中間値であり、画素へ
の書込極性の基準である。すなわち、本実施形態では、データ信号について、電圧Ｖcよ
りも高位側を正極性と称し、低位側を負極性と称している。また、電圧については、特に
説明のない限り、電源の接地電位Ｇndを基準とする。

ここで、極性反転回路３４０によりデータ信号の極性を反転する理由は、画素の交流駆
動のためである。１垂直走査期間（フレーム）において画素をどのように反転させるかに
ついては、（ａ）走査線毎、（ｂ）データ信毎、（ｃ）画素毎、（ｄ）面（フレーム）毎
など様々な態様があるが、本実施形態にあっては（ａ）走査線毎の極性反転であるとする
。ただし、本発明をこれに限定する趣旨ではない。

走査制御回路５２は、表示パネル１００の走査を制御する第１の機能と、上述したＳ／
Ｐ変換回路３２０に対し、表示パネル１００の水平走査に同期するように相展開を制御す
る第２の機能と、この相展開に同期するようにグループ選択信号Ｇsを生成する第３の機
能と、を主に有する。
ここで、第１の機能について詳述すると、走査制御回路５２は、上位装置から供給され
るドットクロック信号Ｄｃｌｋ、垂直走査信号Ｖｓおよび水平走査信号Ｈｓから、
転送開始パルスＤＹおよびクロック信号ＣＬＹを生成して、表示パネル１００の垂直走
査を制御するとともに、転送開始パルスＤＸおよびクロック信号ＣＬＸを生成して表示パ
ネル１００の水平走査を制御する。
また、第３の機能については、走査制御回路５２は、例えば図５に示されるように、水
平有効表示期間においてクロック信号ＣＬＸと同位相で同一論理レベルのグループ選択信
号Ｇsを生成する。

一方、表示パネル１００は、素子基板と共通電極が形成された対向基板とを一定の間隙
をもってシール材によって貼り合わせるとともに、この間隙に液晶を封止した構成となっ
ており、当該液晶の電気光学変化によって所定の画像を形成するものである。

図２は、この表示パネル１００の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、この表示パネル１００では、８６４行の走査線１１２が図に
おいてＸ（水平）方向に延在する一方、１１５２列のデータ線１１４が図においてＹ（垂
直）方向に延在している。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交差部分
に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態におい
て、画素１１０は、表示領域１００ａにおいて縦８６４行×横１１５２列のマトリクス状
に配列することになるが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
なお、本実施形態において、１１５２列のデータ線１１４は、４列毎にブロック化され
ている。そこで、説明の便宜上、左から数えて１、２、３、４、…、２８７、２８８番目
のブロックを、それぞれＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、…、Ｂ２８７、Ｂ２８８と表記してい
る。

図３は、表示パネル１００における画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行及び
これに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応す
る２×２の計４画素分の構成を示している。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配
列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上８６４以下の整数であり、ｊ、（ｊ
＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上１１５２
以下の整数である。
図３に示されるように、画素１１０においては、ｎチャネル型のＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）１１６のソースがデータ線１１４に接続されるとともに、ドレインが画素電極１１
８に接続される一方、ゲートが走査線１１２に接続されている。
また、素子基板に形成された画素電極１１８に対向するように共通電極１０８が全画素
に対して共通に設けられる。そして、これらの画素電極１１８と共通電極１０８との間に
ＴＮ型の液晶１０５が挟持されている。このため、画素毎に、画素電極１１８、共通電極
１０８および液晶１０５からなる液晶容量１２０が構成されることになる。
なお、共通電極１０８には、時間的に一定の電圧ＬＣcomが印加されるが、この電圧（
電位）は、本実施形態では、基準電圧Ｖcと同一である。ただし、後述する理由により、
基準電圧Ｖcよりも若干低位側に設定される場合がある。

特に図示はしないが、両基板の各対向面には、液晶分子の長軸方向が両基板間で例えば
約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ設けられる一方、両
基板の各背面側には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる。
画素電極１１８と共通電極１０８との間を通過する光は、液晶容量１２０に印加される
電圧実効値がゼロであれば、液晶分子の捻れに沿って約９０度旋光する一方、当該電圧実
効値が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。こ
のため、例えば透過型において、入射側と背面側とに、偏光子を偏光軸が配向方向に一致
するようにそれぞれ配置させると、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大
となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して
、ついには透過率が最小である黒色表示になる（ノーマリーホワイトモード）。

また、オフ時におけるＴＦＴ１１６を介した液晶容量１２０からの電荷リークの影響を
少なくするために、蓄積容量１０９が画素毎に形成されている。この蓄積容量１０９の一
端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン）に接続される一方、その他端は、全画
素にわたって容量線１０７に共通接続されている。この容量線１０７は、図２では図示省
略されているが、本実施形態では、共通電極１０８と同じ電圧ＬＣcomに保たれている。
詳細には、容量線１０７は素子基板に形成され、共通電極１０８は対向基板に形成されて
いるが、図示しない導通材により、容量線１０７と共通電極１０８とは、電気的な接続が
図られている。このため、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン）と共通電極１０８
とは、画素１１０毎に液晶容量１２０と蓄積容量１０９とが並列的に付加された構成とな
っている。
なお、容量線１０７の電位は時間的に一定であれば、ＬＣcomでなくても良く、例えば
、接地電位Ｇndなどでも良い。
また、画素１１０におけるＴＦＴ１１６は、次に説明する走査線駆動回路１３０や、サ
ンプリング信号出力回路１４０、サンプリング回路１５０などと共通の製造プロセスで形
成されて、装置全体の小型化や低コスト化に寄与している。

図２において、画素１１０が配列する表示領域１００ａの周辺には、走査線駆動回路１
３０や、サンプリング信号出力回路１４０などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１３０は、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４を、そ
れぞれ１行目、２行目、３行目、…、８６４行目の走査線１１２に供給するものである。
走査線駆動回路１３０の詳細については、本発明と直接関連しないので省略するが、例え
ば図５に示されるように、各垂直有効表示期間の最初に供給されるとともに、クロック信
号ＣＬＹの半周期に相当するパルス幅（Ｈレベル）の転送開始パルスＤＹを、当該クロッ
ク信号ＣＬＹの倫理レベルが遷移するタイミングで取り込んで、これを走査信号Ｇ１とす
るとともに、この走査信号Ｇ１を、クロック信号ＣＬＹの半周期ずつ順次遅延させて、走
査信号Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ８６４として出力する構成となっている。
本実施形態において、水平走査期間は、垂直帰線期間と、この帰線期間に続く垂直有効
表示期間とに分かれる。ここで、垂直有効表示期間は、図５に示されるように、走査信号
Ｇ１がＨレベルとなるタイミングから、走査信号Ｇ８６４がＬレベルに復帰するタイミン
グまでの期間とし、垂直走査期間のうち垂直有効表示期間を除いた期間を垂直帰線期間と
する。

次に、サンプリング信号出力回路１４０は、図５に示されるように、各水平有効表示期
間の最初に供給されるとともに、クロック信号ＣＬＸの１周期に相当するパルス幅（Ｈレ
ベル）の転送開始パルスＤＸを、当該クロック信号ＣＬＸがＨレベルとなるタイミングで
取り込んで、これをサンプリング信号Ｓ１とするとともに、このサンプリング信号Ｓ１を
、クロック信号ＣＬＸの半周期ずつ順次遅延させて、サンプリング信号Ｓ２、Ｓ３、…、
Ｓ２８８として出力する構成となっている。このため、本実施形態におけるサンプリング
信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ２８８のうち、隣接するもの同士では、Ｈレベルとなる部
分が互いに重複して出力される。
また、本実施形態において、水平走査期間は、水平帰線期間と、この帰線期間に続く水
平有効表示期間とに分かれる。ここで、水平有効表示期間は、図７に示されるように、サ
ンプリング信号Ｓ１がＬからＨレベルに変化するタイミングから、サンプリング信号Ｓ２
８８がＨからＬレベルに変化するタイミングまでの期間とし、水平走査期間のうち水平有
効表示期間を除いた期間を水平帰線期間とする。

一方、選択回路１７０は、処理回路５０から供給された４チャネルのデータ信号Ｖｉｄ
１〜Ｖｉｄ４を、グループ選択信号ＧsがＨレベルであれば各チャネルについてグループ
ａに、グループ選択信号ＧsがＬレベルであれば各チャネルについてグループｂに、それ
ぞれ分配するデマルチプレクサである。

ここで、図４（ａ）は、選択回路１７０の詳細な構成を示す図である。
この図に示されるように、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４における各チャネルの経路は
グループａおよびグループｂに２分岐される。このうち、グループａに分岐された経路は
、各チャネルについてそれぞれトランスミッションゲート１７４を介して画像信号線１８
０に至って、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４がＶｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａとして出力される
。一方、グループｂに分岐された経路は、各チャネルについてそれぞれトランスミッショ
ンゲート１７６を介して画像信号線１８０に至って、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４がＶ
ｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂとして出力される。

トランスミッションゲート１７４、１７６は、それぞれｎチャネル型およびｐチャネル
型のＴＦＴを組み合わせ構成であり、このうち、トランスミッションゲート１７４におけ
るｎチャネル型ＴＦＴのゲートには、グループ選択信号Ｇsが供給される一方、ｐチャネ
ル型のＴＦＴのゲートには、当該グループ選択信号ＧsをＮＯＴ回路１７２で論理反転し
た信号が供給される。一方、トランスミッションゲート１７６におけるｎチャネル型ＴＦ
Ｔのゲートには、グループ選択信号ＧsをＮＯＴ回路１７２で論理反転した信号が供給さ
れる一方、ｐチャネル型ＴＦＴのゲートには、当該グループ選択信号Ｇsが供給される。

ここで、８本の画像信号線１８０は、表示パネル１００において、同一ピッチで配列し
、かつ、互いに同一長となるように引き回された配線である。このため、８本の画像信号
線１８０には、図２に示されるように、容量Ｃsが均等に寄生している。

次に、サンプリング回路１５０は、データ線１１４の各々に対応して設けられたサンプ
リングスイッチ１５１の集合体である。各サンプリングスイッチ１５１は、例えばｎチャ
ネル型のＴＦＴであり、そのドレインはデータ線１１４に接続されている。
ここで、同一ブロックに属するデータ線１１４に対応する４個のサンプリングスイッチ
１５１のゲートには、ブロックに対応するサンプリング信号が共通に供給される。例えば
、ブロックＢ４に属する１３〜１６列目のデータ線１１４に対応する４個のサンプリング
スイッチ１５１のゲートには、当該ブロックＢ４に対応するサンプリング信号Ｓ４が共通
に供給される。

サンプリングスイッチ１５１のソースは、次のような関係でデータ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖ
ｉｄ４ａ、Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂが供給される８本の画像信号線１８０のいずれかに接
続されている。
すなわち、図２において左から数えてｊ列目のデータ線１１４の一端にドレインが接続
されたサンプリングスイッチ１５１は、ｊ列目のデータ線１１４が奇数ブロック（Ｂ１、
Ｂ３、Ｂ５、…、Ｂ２８７）に属し、かつ、ｊを４で割った余りが「１」であるならば、
そのソースが、データ信号Ｖｉｄ１ａが供給される画像信号線１８０に接続され、同様に
、ｊを４で割った余りが「２」、「３」、「０」であるデータ線１１４にドレインが接続
されたサンプリングスイッチ１５１は、そのソースが、データ信号Ｖｉｄ２ａ、Ｖｉｄ３
ａ、Ｖｉｄ４ａが供給される画像信号線１８０にそれぞれ接続される一方、ｊ列目のデー
タ線１１４が偶数ブロック（Ｂ２、Ｂ４、Ｂ６、…、Ｂ２８８）に属し、かつ、ｊを４で
割った余りが「１」であるならば、そのソースが、データ信号Ｖｉｄ１ｂが供給される画
像信号線１８０に接続され、同様に、ｊを４で割った余りが「２」、「３」、「０」であ
るデータ線１１４にドレインが接続されたサンプリングスイッチ１５１は、そのソースが
、データ信号Ｖｉｄ２ｂ、Ｖｉｄ３ｂ、Ｖｉｄ４ｂが供給される画像信号線１８０にそれ
ぞれ接続される。

例えば、図２において１１列目のデータ線１１４にドレインが接続されたサンプリング
スイッチ１５１のソースは、１１列目のデータ線１１４が奇数ブロックに属し、かつ、「
１１」を４で割った余りが「３」であるから、データ信号Ｖｉｄ３ａが供給される３本目
の画像信号線１８０に接続される。また例えば、図２において１４列目のデータ線１１４
にドレインが接続されたサンプリングスイッチ１５１のソースは、１４列目のデータ線１
１４が偶数ブロックに属し、かつ、「１４」を４で割った余りが「２」であるから、デー
タ信号Ｖｉｄ２ｂが供給される６本目の画像信号線１８０に接続される。

このようなサンプリング回路１５０において、あるサンプリング信号がＨレベルになる
と、当該サンプリング信号に対応するブロックに属する４個のサンプリングスイッチ１５
１が同時にオンして、画像信号線１８０に供給されているデータ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ
４ａまたはデータ信号Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂが、当該ブロックに属する４列のデータ線
１１４に同時にサンプリングされる構成となっている。

次に、電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、走査線駆動回路１３０には、１垂直走査有効表示期間の最初に、転送開始パルス
ＤＹが供給される。この供給によって、図５に示されるように、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ
３、…、Ｇ８６４が順次排他的に１水平走査期間毎にＨレベルになる。
そこでまず、走査信号Ｇ１がＨレベルになる水平有効表示期間について説明する。なお
、この水平有効表示期間については正極性で書き込みが行われるものとする。
この水平有効表示期間においては、図６に示されるように、最初に１行１列、１行２列
、１行３列、１行４列の画素１１０に対応する画像データＶｉｎ、すなわち、選択される
１行目の走査線１１２と、ブロックＢ１に属するデータ線１１４との交差に対応する画素
１１０の画像データＶｉｎが、上位装置から順番に供給される。この画像データは、Ｓ／
Ｐ変換回路３２０によって、ラッチされるとともに時間軸にそれぞれ４倍に伸長され、
４〜７列目のドットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわたって画像データＶｄ１〜Ｖｄ
４となり、Ｄ／Ａ変換回路群３３０によってアナログ信号にそれぞれ変換されて、さらに
、極性反転回路３４０によって、電圧Ｖcを基準として指定された電圧だけ高位側の正極
性電圧に変換され、それぞれデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として表示パネル１００に供
給される。
一方、４倍に伸長された４〜７列目のドットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわたっ
て、グループ選択信号ＧsはＨレベルとなる。このため、表示パネル１００では、選択回
路１７０がグループａの画像信号線１８０を選択するので、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ
４は、データ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ｂとして１〜４本目の画像信号線１８０に供給さ
れる。

次に、１行５列、１行６列、１行７列、１行８列の画素１１０に対応する画像データＶ
ｉｎ、すなわち、選択される１行目の走査線１１２と、ブロックＢ２に属するデータ線１
１４との交差に対応する画素１１０の画像データＶｉｎが、上位装置から順番に供給され
る。この画像データも同様にして、時間軸にそれぞれ４倍に伸長されて、８〜１１列目の
ドットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわたって画像データＶｄ１〜Ｖｄ４となり、指
定された電圧だけ高位側の正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４として表示パネル
１００にそれぞれ供給される。
一方、４倍に伸長された８〜１１列目のドットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわた
って、グループ選択信号ＧsはＬレベルとなる。このため、表示パネル１００では、選択
回路１７０がグループｂの画像信号線１８０を選択するので、データ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉ
ｄ４は、データ信号Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂとして５〜８本目の画像信号線１８０に供給
される。

このため、グループａの画像信号線１８０は、選択回路１７０によって処理回路５０と
電気的に切り離されるが、それぞれ容量Ｃsによって、電気的に切り離される直前のデー
タ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａ、すなわち、１行１列〜１行４列の画素１１０の階調を指
定する正極性電圧にそれぞれ保持される。
したがって、グループａに属する１〜４本目の画像信号線１８０は、４〜７列目のドッ
トクロックＤｃｌｋに相当する期間にわたって１行１列〜１行４列の画素１１０の階調を
指定する正極性電圧が供給され、その後、８〜１１列目のドットクロックＤｃｌｋに相当
する期間にわたって当該正極性電圧にそれぞれ保持されるので、見掛け上、時間軸に８倍
に伸長されることになる。

続いて、１行９列、１行１０列、１行１１列、１行１２列の画素１１０に対応する画像
データＶｉｎ、すなわち、選択される１行目の走査線１１２と、ブロックＢ３に属するデ
ータ線１１４との交差に対応する画素１１０に対応する画像データＶｉｎが、上位装置か
ら順番に供給される。この画像データも同様にして、時間軸にそれぞれ４倍に伸長され、
１２〜１５列目のドットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわたって画像データＶｄ１〜
Ｖｄ４となり、指定された電圧だけ高位側の正極性電圧のデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４
として表示パネル１００にそれぞれ供給される。
一方、４倍に伸長された１２〜１５列目のドットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわ
たって、グループ選択信号Ｇsは再びＨレベルとなる。このため、表示パネル１００では
、選択回路１７０がグループａの画像信号線１８０を選択するので、データ信号Ｖｉｄ１
〜Ｖｉｄ４は、データ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａとして１〜４本目の画像信号線１８０
に供給される。
このため、グループｂの画像信号線１８０は、選択回路１７０によって処理回路５０と
電気的に切り離されるが、それぞれ容量Ｃsによって、電気的に切り離される直前のデー
タ信号Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂ、すなわち、１行５列〜１行８列の画素１１０の階調を指
定する正極性電圧にそれぞれ保持される。
したがって、グループｂに属する５〜８本目の画像信号線１８０は、８〜１１列目のド
ットクロックＤｃｌｋに相当する期間にわたって１行５列〜１行８列の画素１１０の階調
を指定する正極性電圧が供給され、その後、１２〜１５列目のドットクロックＤｃｌｋに
相当する期間にわたって当該正極性電圧にそれぞれ保持されるので、見掛け上、時間軸に
８倍に伸長されることになる。

以下同様にして、１行目であって、偶数ブロックに対応する画像データＶｉｎと奇数ブ
ロックに対応する画像データＶｉｎとが供給される毎に、グループ選択信号Ｇsの論理レ
ベルが反転して、グループａの画像信号線１８０とグループｂの画像信号線１８０との選
択が交互に切り替えられる。
これにより、図６に示されるように、奇数ブロックに対応する画像データＶｉｎは時間
的に４倍に伸長された後、グループａの画像信号線１８０にデータ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉ
ｄ４ａとして、結果的に時間的に８倍に伸長された形で供給される一方、当該奇数ブロッ
クに続く偶数ブロックに対応する画像データＶｉｎは時間的に４倍に伸長された後、グル
ープｂの画像信号線１８０にデータ信号Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂとして、ドットクロック
Ｄｃｌｋの４周期（すなわち４画素分）だけ遅延して、結果的に時間的に８倍に伸長され
た形で供給される。

このように８本の画像信号線１８０に供給されて、その電圧が保持されたデータ信号Ｖ
ｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａおよびＶｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂは、次のようにして、データ線１１
４にそれぞれサンプリングされる。
すなわち、ブロックＢ１に対応する１行１列〜１行４列の画素１１０に対応するデータ
信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａが１〜４本目の画像信号線１８０に供給・保持されている期
間において、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる。サンプリング信号Ｓ１がＨレベル
になると、ブロックＢ１に属する１〜４列目のサンプリングスイッチ１５１が同時にオン
となるので、画像信号線１８０に供給されたデータ信号Ｖｉｄ１ａは１列目のデータ線１
１４にサンプリングされ、同様にデータ信号Ｖｉｄ２ａ〜Ｖｉｄ４ａは、２〜４列目のデ
ータ線１１４にサンプリングされる。
走査信号Ｇ１がＨレベルであるので、１行目の走査線１１２にゲートが接続されたすべ
てのＴＦＴ１１６がオンとなる。このため、例えば１列目のデータ線１１４にサンプリン
グされたデータ信号Ｖｉｄ１ａは、図２において上から数えて１行目の走査線１１２と左
から数えて１列目のデータ線１１４との交差に対応する１行１列の画素の画素電極１１８
に印加されることになる。２〜４列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号
Ｖｉｄ２ａ〜Ｖｉｄ４ａについても、同様にして１行２列〜１行４列の画素の画素電極１
１８に印加されることになる。

一方、ブロックＢ２に対応する１行５列〜１行８列の画素１１０に対応するデータ信号
Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂが５〜８本目の画像信号線１８０に供給・保持されている期間に
おいて、サンプリング信号Ｓ２がＨレベルとなる。なお、サンプリング信号Ｓ２がＨレベ
ルとなる期間の前半期間は、サンプリング信号Ｓ１がＨレベルとなる期間の後半期間と一
致している。
サンプリング信号Ｓ２がＨレベルになると、ブロックＢ２に属する５〜８列目のサンプ
リングスイッチ１５１が同時にオンとなるので、画像信号線１８０に供給されたデータ信
号Ｖｉｄ１ｂは５列目のデータ線１１４にサンプリングされ、同様にデータ信号Ｖｉｄ２
ｂ〜Ｖｉｄ４ｂは、６〜８列目のデータ線１１４にサンプリングされる。
１行目の走査線１１２にゲートが接続されたすべてのＴＦＴ１１６がオンとなっている
ので、５列目のデータ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ１ｂは、図２にお
いて上から数えて１行目の走査線１１２と左から数えて５列目のデータ線１１４との交差
に対応する１行５列の画素の画素電極１１８に印加されることになる。６〜８列目のデー
タ線１１４にサンプリングされたデータ信号Ｖｉｄ２ｂ〜Ｖｉｄ４ｂについても、同様に
して１行５列〜１行８列の画素の画素電極１１８に印加されることになる。

以下同様にして、サンプリング信号Ｓ３、Ｓ４、…、Ｓ２８８が、番号の若いサンプリ
ング信号の出力される後半期間と次に続くサンプリング信号の出力される前半期間とが一
致しながら、順番にＨレベルになる。
ここで、番号が奇数のサンプリング信号がＨレベルになる期間は、当該番号が同じ奇数
ブロックに対応するデータ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａが１〜４本目の画像信号線１８０
に供給・保持されている期間であるので、当該データ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａは、当
該奇数ブロックに属する４列のデータ線１１４にそれぞれサンプリングされて、１行目の
走査線１１２と、当該奇数ブロックに属する４列のデータ線１１４と交差に対応する画素
の画素電極１１８にそれぞれ印加される。
一方、番号が偶数のサンプリング信号がＨレベルになる期間は、当該番号と同じ偶数ブ
ロックに対応するデータ信号Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂが５〜８本目の画像信号線１８０に
供給・保持されている期間であるので、当該データ信号Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂは、当該
偶数ブロックに属する４列のデータ線１１４にそれぞれサンプリングされて、１行目の走
査線１１２と、当該偶数ブロックに属する４列のデータ線１１４と交差に対応する画素の
画素電極１１８にそれぞれ印加される。
これにより、１行目の画素のすべてに対し、画像データＶｉｎによって指定される階調
に応じて電圧のデータ信号が描き込まれることになる。

なお、走査信号Ｇ１がＬレベルになって１行目のＴＦＴ１１６がすべてオフしても、画
素電極１１８に書き込まれた正極性の電圧は、走査信号Ｇ１が再びＨレベルになるまで画
素容量や蓄積容量１０９によって保持される。

走査信号Ｇ２がＨレベルになる水平有効表示期間となる水平帰線期間では、画像データ
Ｖｉｎが供給されないので、Ｓ／Ｐ変換回路３２０は、画像データＶｄ１〜Ｖｄ４を、全
て画素の黒色化を指定するテータに置き換える。また、この水平帰線期間において、書込
極性が正極性から負極性に変化するので、例えばデータ信号Ｖｉｄ１ａは、図７に示され
るように、正極性で画素の黒色を指定する電圧Ｖb(+)から負極性で画素の黒色を指定する
電圧Ｖb(-)に変化する。
なお、図７におけるデータ信号Ｖｉｄの電圧について言及すると、電圧Ｖb(+)、Ｖw(+)
、Ｖg(+)は、画素電極１１８に印加された場合に当該画素を、それぞれ最低階調の黒色、
最高階調の白色、黒色及び白色のほぼ中間階調である灰色とさせる正極性の電圧であって
、その電圧範囲は、電圧Ｖcと高位側電源電圧Ｖddとの範囲に含まれる。
なお、電圧Ｖb(-)、Ｖw(-)、Ｖg(-)は、画素電極１１８に印加された場合に当該画素を
、それぞれ黒色、白色、灰色とさせる負極性電圧であって、それぞれ電圧Ｖb(+)、Ｖw(+)
、Ｖg(+)とは、基準電圧Ｖcを中心にして対称関係にある。

本実施形態では、上述したように、走査線単位の極性反転が行われるので、走査信号Ｇ
２がＨレベルとなる水平有効表示期間においては、データ信号Ｖｉｄ１ａ〜Ｖｉｄ４ａお
よびＶｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂは、負極性となる。このため、極性反転回路３４０から出力
されるデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４は、電圧Ｖcを基準として、画像データＶｉｎで指
定された電圧だけ低位側電圧となる。図７は、このうち、データ信号Ｖｉｄ１の電圧波形
を例示している。

なお、図７には、データ信号Ｖｉｄ１が選択回路１７０によってデータ信号Ｖｉｄ１ａ
およびＶｉｄ１ｂに分配されるとともに、画像信号線１８０に寄生する容量Ｃsで電圧が
保持される状態が示されている。
また、サンプリング信号Ｓ２８８がＨレベルとなる後半期間において、処理回路５０か
ら供給されるデータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４、および、サンプリング信号Ｓ１がＨレベル
となる前半期間において、グループｂに属する画像信号線１８０に供給されるデータ信号
Ｖｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂは、電圧が不確定であるので、図７においては図示されていない
。
他の動作については、直前の走査信号Ｇ１がＨレベルとなる１水平走査期間と同様であ
り、これにより、２行目に位置する画素１１０に対して負極性電圧のデータ信号の書き込
みが完了することになる。

以下同様にして、走査信号Ｇ３、Ｇ４、…、Ｇ８６４がＨレベルになって、３行目、４
行目、…、８６４行目の画素に対して書き込みが行われることになる。これにより、奇数
行目の画素については正極性の書き込みが行われる一方、偶数行目の画素については負極
性の書き込みが行われて、この１垂直走査期間においては、１〜８６４行目の画素のすべ
てにわたって書き込みが完了することになる。
そして、次の１垂直走査期間においても、同様な書き込みが行われるが、この際、各行
の画素に対する書込極性が入れ替えられる。すなわち、次の１垂直走査期間において、奇
数行目の画素については負極性信号の書き込みが行われる一方、偶数行目の画素について
は正極性信号の書き込みが行われることになる。このように、１垂直走査期間毎に画素に
対する書込極性が入れ替えられるので、液晶１０５に直流成分が印加されることがなくな
り、液晶１０５の劣化が防止される。

このように、本実施形態によれば、処理回路５０から供給されるデータ信号Ｖｉｄ１〜
Ｖｉｄ４は、選択回路１７０による分配と画像信号線１８０に寄生する容量Ｃsの電圧保
持性とによって２倍に伸長される。このため、画像信号線１８０に供給されたデータ信号
をデータ線１１４にサンプリングする期間は、Ｓ／Ｐ変換回路３２０による時間軸４倍に
伸長した期間よりも、さらに２倍の期間を確保することができる。
したがって、本実施形態によれば、Ｓ／Ｐ変換回路３２０における時間軸の伸長を４倍
に一定とした上で、データ信号をデータ線にサンプリングする期間をより長い２倍確保す
ることが可能となる。

なお、上述した実施形態では、画像信号線１８０に寄生する容量Ｃsによって電圧を保
持する構成としたが、寄生容量だけでは、画像信号線１８０同士でばらつきが生じやすい
ので、画像信号線１８０に一端が接続され、他端が共通に電位Ｇndに接地された容量を積
極的に設けて、寄生容量とともに併用する構成としても良い。なお、容量を別途設ける場
合には、蓄積容量１０９と同様に、ＴＦＴ１１６の製造プロセスの一部を用いて形成する
ことが好ましい。
また、このように容量を別途設ける場合に、当該容量の他端は時間的に一定の電位に保
たれていれば十分であるので、接地電位Ｇndではなく、例えば電源のＶddとしても良い。

また、実施形態では、選択回路１７０を図４（ａ）に示されるような構成とした。この
構成では、トランスミッションゲート１７４、１７６にグループ選択信号Ｇsと当該グル
ープ選択信号Ｇsの反転信号とが供給されるが、グループ選択信号Ｇsに対し、ＮＯＴ回路
１７２を介した分だけ、当該グループ選択信号Ｇsの反転信号の位相が遅延するので、ト
ランスミッションゲート１７４、１７６が理想的にオン・オフしない状況が想定される。
そこで、ＮＯＴ回路１７２を、図４（ｂ）に示されるように、グループ選択信号Ｇsと
、その反転信号とをＮＯＴ回路同士で相互に接続して、両信号の位相を揃えた位相補償型
の構成としても良い。

実施形態では、選択回路１７０による選択されたデータ信号をそのまま画像信号線１８
０に供給する構成としたが、図８に示されるように、選択回路１７０の出力端と画像信号
線１８０との間にそれぞれ増幅回路１９０を設けても良い。
１つの増幅回路１９０は、例えば図９に示されるように、特性が互いに相補的なｐチャ
ネル型のＴＦＴ１９２と、ｎチャネル型のＴＦＴ１９４とを有し、このうち、ＴＦＴ１９
２のソースは、電源電圧Ｖddを給電する給電線に接続される一方、ＴＦＴ１９４のソース
は、電位Ｇndに接地されている。また、ＴＦＴ１９２、１９４のゲートは、それぞれ選択
回路１７０の出力端に共通接続される一方、ＴＦＴ１９２、１９４のドレインは、それぞ
れ画像信号線１８０に共通接続される。

このため、増幅回路１９０は、電圧（Ｖdd−Ｇnd）の中間値であるＶcを基準にして、
選択回路１７０により選択されたデータ信号の電圧を反転させた電圧が画像信号線１８０
に現れる構成となっている。
ここで、ＴＦＴ１９２、１９４のゲートには、容量Ｃgが図９において破線で示される
ように寄生する。したがって、選択回路１７０によって処理回路５０と電気的に切り離さ
れても、容量Ｃgによって、ＴＦＴ１５６２、１５６４のゲートには、電気的に切り離さ
れる直前の電圧に保持されるので、選択回路１７０により選択されたデータ信号の反転電
圧が画像信号線１８０に印加され続ける構成となっている。

このように増幅回路１９０を各画像信号線１８０に設けると、データ信号Ｖｉｄ１ａ〜
Ｖｉｄ４ａおよびＶｉｄ１ｂ〜Ｖｉｄ４ｂの電圧を画像信号線１８０に印加する際に、容
量Ｃsの影響を少なくすることができる。
すなわち、選択回路１７０によって選択されたデータ信号は、増幅回路１９０における
ＴＦＴ１９２、１９４の共通ゲートまでの部分に印加されるのみであるので、画像信号線
１８０に寄生する容量Ｃsを充放電する図２の構成と比較して、処理回路５０におけるデ
ータ信号Ｖｉｄ１〜Ｖｉｄ４の出力インピーダンスが高くて済む、という利点がある。
なお、増幅回路１９０にあっては、選択回路１７０により選択されたデータ信号の電圧
を、Ｖcを基準にして反転させた電圧が画像信号線１８０に現れる構成としたが、データ
信号の電圧に一定の係数を掛けた電圧を、Ｖcを基準にして反転させた電圧が画像信号線
１８０に現れる構成としても良い。

なお、実施形態では相展開数を「４」としたが、相展開しなくても、選択回路１７０に
よる分配によって、相展開と同等に、画像信号線１８０に供給されたデータ信号をデータ
線にサンプリングする期間を伸長する効果が得られる。
また、実施形態では選択回路１７０が処理回路５０から供給されたデータ信号Ｖｉｄ１
〜Ｖｉｄ４を分配する数を「２」としたが、本発明は、３以上に分配しても良い。
ここで、相展開数をｍ（ｍは１以上の整数）とし、分配数をｎ（ｎは２以上の整数）と
した場合、画像信号線１８０はｍ×ｎの本数となり、画像信号線１８０に供給されたデー
タ信号をデータ線にサンプリングする期間も点順次方式と比較して、ｍ×ｎ倍だけ確保す
ることができる。

実施形態では、共通電極１０８に印加される電圧ＬＣcomを、極性反転の基準である電
位Ｖ_Ｃと一致させていたが、ＴＦＴのゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンか
らオフ時にドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜
け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、液晶容
量１２０では交流駆動が原則であるので、共通電極１０８に対して高位側（正極性）と低
位側（負極性）とで同一階調の交互書き込みをするが、電圧ＬＣcomを電圧Ｖ_Ｃに一致さ
せた状態で、交互書き込みをすると、プッシュダウンのために、液晶容量１２０の電圧実
効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも大きくなってしまう。このため、同一階調で
正極性・負極性書込をしても液晶容量１２０の電圧実効値が互いに等しくなるように、共
通電極１０８の電圧ＬＣcomは、データ信号の振幅基準である電圧Ｖ_Ｃよりも若干低めに
設定される場合がある。

また、実施形態では、垂直走査方向がＧ１→Ｇ８６４の下方向であり、水平走査方向が
Ｓ１→Ｓ１１５２の右方向であったが、後述するプロジェクタや回転可能な表示装置とす
る場合に対処するために、走査方向を切替可能な構成としても良い。
さらに液晶容量１２０の電圧実効値が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイト
モードではなく、黒色表示を行うノーマリーブラックモードとしても良い。

上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＳＴＮ型、ＢＴＮ（Bi-stable
Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さ
らには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を
一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧ
Ｈ（ゲストホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加
時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピッ
ク配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に
配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平
行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。
さらに、本発明では、電気光学物質として、液晶に限られず、このように、本発明では
、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
以上については、液晶装置について説明したが、本発明では、画像データ（映像信号）
を、画像信号線１８０を介して供給するとともに、データ線１１４にサンプリングする構
成であれば、例えばＥＬ（Electronic Luminescence）素子、電子放出素子、電気泳動素
子、デジタルミラー素子などを用いた装置や、プラズマディスプレイなどにも適用可能で
ある。

次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した
表示パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
図１０は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プ
ロジェクタ２１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１
０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配
置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（
赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と
比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレン
ズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる
。

ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態
における表示パネル１００と同様であり、処理回路（図１０では省略）から供給されるＲ
、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像信号でそれぞれ駆動されるものである。すなわち、このプ
ロジェクタ２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に
対応して３組設けられた構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４
によってカラー画像が投射されることとなる。

なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設
ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックミ
ラー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像は
そのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライ
トバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構
成となっている。

電子機器としては、図１０を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイ
ンダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電
子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディ
ジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そし
て、これらの各種の電子機器に対して上述した電気光学装置が適用可能なのは言うまでも
ない。

本発明の実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。 同電気光学装置における表示パネルの構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置における選択回路の構成を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同表示パネルの別構成を示す図である。 別構成に係る増幅回路を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を適用したプロジェクタの構成を示す図である。

符号の説明

５０…処理回路、１００…表示パネル、１０５…液晶、１０９…蓄積容量、１１０…画
素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０…
液晶容量、１３０…走査線駆動回路、１４０…サンプリング信号出力回路、１５０…サン
プリング回路、１５１…サンプリングスイッチ、１７０…選択回路、１８０…画像信号線
、１９０…増幅回路、１９２、１９４…ＴＦＴ、３２０…Ｓ／Ｐ変換回路、２１００…プ
ロジェクタ

Claims (7)

1. 複数の走査線とｍ（ｍは１以上の整数）本毎にブロック化された複数のデータ線とに対
   応して設けられた複数の画素と、
   前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
   ｎ（ｎは２以上の整数）個のグループに分類されるとともに、各グループがそれぞれｍ
   本からなり、それぞれが電圧保持性を有するｍ×ｎ本の画像信号線と、
   予め定められた順番でグループを選択するとともに、前記走査線駆動回路によって選択
   された走査線に対応する画素の階調に応じた電圧を有するｍチャネルのデータ信号を、選
   択したグループに属するｍ本の画像信号線にそれぞれ分配する選択回路と、
   所定の順番で前記ブロックを選択するサンプリング信号を、前記選択回路による分配に
   同期して出力するサンプリング信号出力回路と、
   前記複数のデータ線に対応してそれぞれに設けられたサンプリングスイッチであって、
   前記サンプリング信号によって選択されたブロックに対応するものがオンして、前記画像
   信号線に分配されたデータ信号を、前記データ線にサンプリングするサンプリングスイッ
   チと、
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記画像信号線の各々には容量がそれぞれ寄生するとともに、当該容量によって電圧保
   持性を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記画像信号線と一定電位の電位線との間にそれぞれ容量が接続されて、当該容量によ
   って電圧保持性を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記選択回路の各出力端と前記画像信号線との間にそれぞれ設けられ、前記選択回路に
   より選択されたデータ信号の電圧を保持するとともに、保持した電圧を、所定の電位を基
   準とした増幅率で増幅して前記画像信号線に供給する増幅回路を、
   さらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記増幅回路は、
   ｎおよびｐチャネル型のトランジスタを直列接続して、両トランジスタのゲートに、共
   通に前記サンプリング回路によりサンプリングされたデータ信号が共通に入力されるとと
   もに、両トランジスタのドレインが共通に前記データ線に接続された
   ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 複数の走査線とｍ（ｍは１以上の整数）本毎にブロック化された複数のデータ線とに対
   応して設けられた複数の画素と、
   ｎ（ｎは２以上の整数）個のグループに分類されるとともに、各グループがそれぞれｍ
   本からなり、それぞれが電圧保持性を有するｍ×ｎ本の画像信号線と、
   を有する電気光学装置の駆動方法であって、
   前記複数の走査線を所定の順番で選択し、
   予め定められた順番でグループを選択するとともに、選択した走査線に対応する画素の
   階調に応じた電圧を有するｍチャネルのデータ信号を、選択したグループに属するｍ本の
   画像信号線にそれぞれ分配し、
   所定の順番で前記ブロックを選択するサンプリング信号を、前記選択回路による分配に
   同期して出力し、
   前記サンプリング信号によって選択したブロックに対応するデータ線に、前記画像信号
   線に分配されたデータ信号をサンプリングする
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
7. 請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
   
   

Images