JP3708057B2 - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高耐圧半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、PNダイオード、ショットキーバリアダイオード、MOSFET、IGBT等の高耐圧半導体素子の終端構造として、リサーフ構造やガードリング構造等が知られている。
【0003】
先ず、図10にリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置を示す。
【0004】
図10に示すように、このリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置は、n−型半導体層1の表面にp−型半導体層からなるリサーフ層10が形成されている。n−型半導体層1の表面におけるリサーフ層10の内部にp+型半導体層からなるエッジターミネーション層9が形成されている。エッジターミネーション層9上には、第1電極4が形成されている。n−型半導体層1の裏面にはn+半導体層2を介して第2電極3が形成されている。符号5は、第1電極4上に形成され、第1電極4と電気的に接続されたフィールドプレートである。符号6はn−型半導体層1表面上に形成された絶縁膜である。符号7は電極である。符号8はn+型半導体層である。
【0005】
このようなリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置は、リサーフ層10の不純物濃度、長さ、深さ等を最適化することで、基板の厚さと不純物濃度から算出される理想耐圧に近い耐圧を得ることが可能である。
【0006】
リサーフ構造は、エッジターミネーション層9を内部に含み周囲に広がるようにリサーフ層10を形成することにより、逆バイアス印加時にリサーフ層10が空乏化し、エッジターミネーション層9端の電界を緩和して高耐圧を得ることができる。
【0007】
しかしながらリサーフ層10の不純物濃度が高い場合には、リサーフ層10が空乏化しきれず、リサーフ層10の端部に電界が集中して耐圧が低下する問題がある。一方リサーフ層10の不純物濃度が低すぎれば、電圧の低い段階でもリサーフ層10が空乏化してしまい、エッジターミネーション層9端の電界を緩和する効果が薄れ耐圧は低下する問題がある。
【0008】
このようにリサーフ層10の不純物濃度は高すぎず低すぎず最適値が存在し、最適のピーク耐圧を求めることができる。また、このピーク耐圧は、リサーフ層10の長さに依存し、リサーフ層10が長いほど高耐圧を得ることが可能であり、理想耐圧に近づく。
【0009】
次に、図11にガードリング構造を有する高耐圧半導体素子を示す。
【0010】
図11に示すように、このガードリング構造を有する高耐圧半導体素子は、図10に示すリサーフ層10の代わりに、n−型半導体層1の表面に、p+型半導体層からなる複数のガードリング層11が形成されている。これらガードリング層11はエッジターミネーション層9の周囲に位置するように形成されている。
【0011】
このようなガードリング構造を有する高耐圧半導体装置は、ガードリング層11の個数や幅、間隔、深さ等を最適化することで、基板の厚さと不純物濃度から算出される理想耐圧に近い耐圧を得ることが可能である。
【0012】
このようにガードリング構造は、エッジターミネーション層9端の電界を緩和するために、エッジターミネーション層9の周囲に複数のガードリング層11を形成したものである。したがってエッジターミネーション層9端の電界を複数のガードリング層11端で分担するため、ピーク耐圧を得るにはガードリング層11の間隔および幅を最適化し、各ガードリング層11が均等に電界を分担するようにする必要がある。このときピーク耐圧はガードリング層11の個数に依存し、数が多いほど高耐圧を得ることが可能であり、理想耐圧に近づく。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら本発明者らの研究の結果、図10に示すリサーフ構造では、リサーフ層10の不純物濃度に耐圧は大きく依存し、リサーフ層10の不純物濃度のばらつきにより、耐圧が大幅に劣化するという製造上の問題があることが分かった。
【0014】
一方、図11に示すガードリング構造では、ガードリング層11の幅や間隔に耐圧は大きく依存し、マスクずれなどによってガードリング層11の幅や間隔がばらつくと、耐圧が大幅にばらつくという製造上の問題があることが分かった。
【0015】
本発明は、このような問題点に鑑みて成されたものであり、不純物濃度のばらつきやマスクずれなどによる寸法のばらつきに対し、耐圧が劣化せず高耐圧を維持できる高耐圧半導体装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面の一部に形成された第1の電極と、
前記第1の半導体層の裏面に形成された第2の電極と、
前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第1低不純物濃度層と、
前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1の電極の端部が重なるように配置された第2導電型の第1高不純物濃度層と、
前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1高不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された第2導電型の第2高不純物濃度層と、
前記第1半導体層の表面に形成され、前記第1低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された第2導電型の第2低不純物濃度層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置を提供する。
【0017】
このとき、第1半導体層の表面に、前記第2低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように形成され、第1導電型の第3高不純物濃度層と、前記第3高不純物濃度層上に形成され、前記第2電極と電気的に接続された第3電極とを具備することが好ましい。
【0018】
また、前記第1低不純物濃度層の表面には絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜表面に形成された第4電極を具備することが好ましい。
【0019】
また、前記第4電極の端部が前記第1低不純物濃度層上に位置することが好ましい。
【0020】
また、前記絶縁膜の表面には第2の絶縁膜が形成されており、前記第2の絶縁膜の表面に形成され前記第4電極と電気的に接続された第5電極を具備することが好ましい。
【0021】
また、前記第2低不純物濃度層上に設けられ、前記第1電極とは電気的に接続されない第6電極を具備することが好ましい。
【0022】
また、本発明は、第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上の一部に形成された第1電極と、
前記第1半導体層の裏面に形成された第2電極と、
前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型のリサーフ層と、
前記リサーフ層の内部に形成され、前記第1の電極の端部が重なるように配置された第2導電型のエッジターミネーション層と、
前記第1半導体層の表面に前記リサーフ層の周囲を離間して囲むように形成された第2導電型のガードリング層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。
【0023】
また、第1半導体層の表面に形成され、前記ガードリング層の周囲を離間して囲むように配置された第1導電型のチャネルストッパ層と、前記チャネルストッパ層上に形成され、前記第2電極と電気的に接続された第3電極層とを具備することが好ましい。
【0024】
また、前記リサーフ層の表面には絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜の表面に形成され前記第1電極と電気的に接続された第1フィールドプレートを具備することが好ましい。
【0025】
また、前記第1フィールドプレートの端部が前記リサーフ層上に位置することが好ましい。
【0026】
また、前記絶縁膜表面には第2絶縁膜が形成されており、前記第2絶縁膜の表面に形成され前記第1フィールドプレートと電気的に接続された第2フィールドプレートを具備することが好ましい。
【0027】
また、前記ガードリング層上に設けられ、前記第1電極とは電気的に接続されない第3フィールドプレートを具備することが好ましい。
【0028】
また、前記第1半導体層がシリコンカーバイドであることが好ましい。
【0029】
また、本発明は、第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面の一部に形成された第1電極と、
前記第1半導体層の裏面に形成された第2電極と、
前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第1低不純物濃度層と、
前記第1半導体層の表面に形成され、前記第1低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された第2導電型の第2低不純物濃度層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置を提供する。
【0030】
このとき、前記第2低不純物濃度層は複数あることが好ましい。
【0031】
また、前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1電極の端部が重なるように配置された第2導電型の第1高不純物濃度層を具備することが好ましい。
【0032】
また、前記第1低不純物濃度層の表面には絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜の表面に形成され一端が前記第1電極と電気的に接続され、他端が前記第1高不純物濃度層の上方に位置する如く形成された第4電極を具備することが好ましい。
【0034】
また、前記第1半導体層がシリコンカーバイドであることが好ましい。
【0035】
また、前記第1低不純物濃度層のドーズ量が0.9×1013cm−2以上1×1014cm−2以下であることが好ましい。
【0036】
このようにリサーフ層の周囲に、リサーフ層と同程度の低濃度不純物のガードリング層を形成するという簡単な構造により、リサーフ層の不純物濃度が最適値よりも高い場合に、このガードリングが機能し、耐圧の低下を抑えることができる。
【0037】
この場合リサーフ層の周囲に低濃度不純物のガードリングを形成することにより、その分素子面積は増大することが考えられるが、比較的少ない個数のガードリング層で十分な効果が得られるため、素子面積の増大は問題にならない。
【0038】
なお、ここで第1半導体層は半導体基板も含む。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。尚、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではなく、種々工夫して適用されるものである。
【0040】
先ず、図1及び図2は、本発明の第1の実施形態にかかる高耐圧半導体装置を示している。図1は断面図であり、図2は上面図である。ここでは高耐圧半導体装置のひとつとして、ショットキーバリアダイオードを説明する。図2中A−Bで切った断面図が図1中A−Bに相当する。
【0041】
図1に示すように、このショットキーバリアダイオードは、n−型半導体層1と、n−型半導体層1の表面に形成されたp+型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層9を具備している。
【0042】
n−型半導体層1の表面には、複数のp+型高不純物濃度層からなる第1ガードリング層11が形成されている。これら第1ガードリング層11は、エッジターミネーション層9の周囲に位置するように形成されている。第1ガードリング層11は、エッジターミネーション層9と不純物濃度も同程度である。第1ガードリング層11は、複数層あるほうが効果を高くすることができる。
【0043】
n−型半導体層1の表面には、エッジターミネーション層9及び第1ガードリング層11を内部に含むようにp−型低不純物層からなるリサーフ層10が形成されている。リサーフ層10は、エッジターミネーション層9及び第1ガードリング層11よりも低い不純物濃度である。
【0044】
n−型半導体層1の表面には、リサーフ層10の周囲に位置するようにp−型低不純物層からなる第2ガードリング層12が形成されている。第2ガードリング層12は、リサーフ層10と不純物濃度が同程度である。第2ガードリング層12は、複数あるほうが効果を高くすることができる。
【0045】
エッジターミネーション層9上には、第1電極4が設けられている。第1電極4上には、これと電気的に接続されたフィールドプレート5が形成されている。フィールドプレート5は、半導体層1と絶縁膜6を介して形成されている。このフィールドプレート5は、第1ガードリング層11上を覆うように形成され、端部がリサーフ層10上に位置するように設けられている。こうすることでリサーフ層10の不純物濃度が最適値よりも低い場合に、絶縁膜6に負荷をかけることなく、さらに不純物濃度のばらつきによる耐圧の劣化を防ぐことができる。
【0046】
n−型半導体層1の裏面には、n+型半導体層2を介して第2電極3が形成されている。n−型半導体層1の表面には、第2ガードリング層12の周囲に位置するように、n+型高不純物濃度層からなるチャネルストッパ領域8が形成されている。チャネルストッパ領域8上には、第3電極7が設けられ、第2電極3と電気的に接続されている。このチャネルストッパ領域8によって、素子の外側にチャネルが広がるのを防ぐことができる。
【0047】
この高耐圧半導体装置の構造は、第1電極4を中心とした円周構造となっている。
【0048】
図2に、図1に示す高耐圧半導体装置を上面から見た図を示す。フィールドプレート5及び第3電極7及び絶縁膜6は省略した。
【0049】
図2に示すように、中心部に第1電極4が形成されている。第1電極4の周辺部にはエッジターミネーション層9が形成されている。このエッジターミネーション層9の周囲には、リサーフ層10を介して第1ガードリング層11が2つ形成されている。第1ガードリング層11の周囲にはリサーフ層10の端部が形成されている。リサーフ層10の端部の周囲には、n−型半導体層1を介して第2ガードリング層12が2つ形成されている。第2ガードリング層12の周囲には、n−型半導体層1を介してチャネルストッパ領域8が形成されている。このように円形でなくてもよく、四角形の角の丸まった形状のようにしてもよい。
【0050】
図3に、図1に示す高耐圧半導体装置と、図10に示す従来のリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置の耐圧を比較する図を示す。半導体層1として、SiC(シリコンカーバイド)を用いた。横軸にリサーフ層10の表面濃度(cm−3)をとり、縦軸に耐圧(V)をとった。
【0051】
図3中Aに示すように、図1に示す高耐圧半導体装置では、リサーフ層10の表面濃度が1×1017cm−3から1×1018cm−3へと1ケタ変化してもその耐圧は変化せず800V以上と高い水準に保たれている。これはリサーフ層10中に第1ガードリング層11が形成されているためである。また、リサーフ層10の周囲を離間して囲むように第2ガードリング層12が形成されているためである。
【0052】
一方図3中Bに示すように、図10に示す従来のリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置では、リサーフ層10の表面濃度が3×1017cm−3で、耐圧はピークを示すがその前後で急激に落ちてしまっている。
【0053】
また、図3中Cに示すように、従来のリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置のリサーフ層10上にフィールドプレート5を設け、フィールドプレート5端がリサーフ層10上に位置する場合、リサーフ層10の濃度が最適値よりも低い場合に耐圧を高い水準に保つ効果がある。ただしフィールドプレート5端がリサーフ層10よりも外側に位置する場合は、リサーフ層10の濃度が最適値よりも高い場合においても耐圧を高い水準に保つ効果があるが、絶縁膜6に高電界がかかるという問題もある。
【0054】
図12に、図3の横軸を、リサーフ層10の表面濃度から試作におけるリサーフ層10の打ち込みのドーズ量(cm−2)に代えて、縦軸に耐圧(V)をとったグラフを示す。
【0055】
図12では、図3のリサーフ層10表面濃度を深さ方向の不純物濃度の積分値に変換し、さらにその積分値を試作における打ち込みのドーズ量となるように、積分値を高い方に約二桁シフトした補正をしている。
【0056】
試作では、打ち込みのドーズ量に対し、不純物の蒸発率や活性化率を考慮する必要があり、実際に打ち込まれたドーズ量は打ち込みのドーズ量よりも低くなる。そのため、このような補正を行っている。
【0057】
また、SiCを基板に用いた高耐圧半導体装置は、不純物の活性化率の制御が難しいため、リサーフ層10の不純物濃度は大きくばらつく可能性がある。4H−SiCショットキーバリアダイオードの場合、図10に示す従来のリサーフ構造では、理想耐圧の90%以上が得られるリサーフ層10の表面の不純物濃度範囲が図3から分かるように2×1017cm−3〜3×1017cm−3と非常に狭いが、図1に示す構造では、5×1016cm−3〜7×1017cm−3まで拡大されていることが分かる。
【0058】
このように本発明では、リサーフ層10の不純物濃度が最適値から高い方或いは低い方のどちらにずれたとしても不純物濃度のばらつきによる耐圧の劣化を防ぐ効果がある。
【0059】
図4に、図1に示す高耐圧半導体装置のリサーフ層10及びリサーフ層10の外部に形成された第2ガードリング層12の不純物濃度を低・最適・高としたときの表面付近での電界強度を示す。
【0060】
図4中Aに示すように、リサーフ層10及び第2ガードリング層12の不純物濃度が低い場合には、内側のリング(第1ガードリング層11)での電界強度が高く、これら第1ガードリング層11の効果で高耐圧を得ていることが分かる。
【0061】
また、図4中Bに示すように、リサーフ層10及び第2ガードリング層12の不純物濃度が最適の場合には、リサーフ層10及びフィールドプレート5の効果で耐圧を維持しており、特に内側のリング(第1ガードリング11)及び外側のリング(第2ガードリング12)は寄与していなくとも高耐圧が得られていることが分かる。
【0062】
また、図4中Cに示すように、リサーフ層10及び第2ガードリング層12の不純物濃度が高い場合には、外側のリング(第2ガードリング12)での電界強度が高く、これら第2ガードリング層12の効果で高耐圧を得ていることが分かる。
【0063】
以上の結果より、高耐圧の得られる濃度範囲を広げるためには、ガードリング数を増やすことであるので、リサーフ層10の濃度が最適値よりも低い領域で高耐圧の得られる濃度範囲を広げるためには、リサーフ層10内部の高不純物濃度層からなる第1ガードリング層11の数を増やせばよい。
【0064】
また、リサーフ層10の濃度が最適値よりも高い領域での高耐圧の得られる濃度範囲を広げるためには、リサーフ層10外部の低不純物濃度層からなる第2ガードリング層12の数を増やせばよいことが分かる。
【0065】
また、マスクずれなどの原因で、第1ガードリング層11或いは第2ガードリング層12の位置がずれ、ガードリングの効果が最大限に引き出せないとしても、耐圧の下限はリサーフ構造の耐圧となるため、従来のガードリング構造に比べ、寸法のばらつきによる耐圧の劣化が小さい構造となっている。
【0066】
次に、図5を用いて、図1に示した高耐圧半導体装置の製造方法を説明する。ここでは4H−SiC(シリコンカーバイド)を基板に用いたショットキーバリアダイオードの製造方法について説明する。
【0067】
先ず、図5(a)に示すように、裏面にn+型半導体層2が形成されたn−型半導体層1を具備する4H−SiC基板を用意する。例えば、n−型半導体層1の不純物濃度は5×1015cm−3、厚さは10μmとする。n−型半導体層1の不純物濃度および厚さは、素子の耐圧系によって異なる。次に、この4H−SiC基板のn−型半導体層1上に、酸化膜からなる絶縁膜6を形成する。
【0068】
次に、図5(b)に示すように、4H−SiC基板の表面にマスク30をパターニングして、n+型不純物をイオン注入しチャネルストッパ領域8を形成する。このイオン注入は、例えば、ドーズ量を1×1015cm−2とし、加速電圧を10〜100keVの多段階に分けてリンをイオン注入し、ボックス型のプロファイルを形成する。この後マスク30を除去する
次に、図5(c)に示すように、4H−SiC基板の表面に、マスク31をパターニングして、p−型不純物をイオン注入し、p−型低不純物濃度層からなるリサーフ層10及びp−型低不純物濃度層からなる第2ガードリング層12を形成する。このイオン注入は、例えば、ドーズ量を1×1013cm−2とし、加速電圧を20〜400keVの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し、ボックス型のプロファイルを形成する。この後マスク31を除去する
次に、図5(d)に示すように、4H−SiC基板の表面に、マスク32をパターニングして、p+型不純物をイオン注入し、リサーフ層10内部にp+型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層9及びp+型高不純物層からなる第1ガードリング層11を形成する。このイオン注入は、例えば、ドーズ量を5×1014cm−2とし、加速電圧を10〜200keVの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し、ボックス型のプロファイルを形成する。この後マスク32を除去する。
【0069】
次に、図5(e)に示すように、チャネルストッパ領域8上の絶縁膜6を除去する。次に、このチャネルストッパ領域8上に、ニッケルのオーミック電極7を形成する。このとき基板裏面に電極3を形成し、アニールにより同時に電極7、3を低抵抗化してもよい。電極3としては、基板側からニッケル層、チタン層の積層構造とすることができる。また、基板側からチタン層、ニッケル層、金層の積層構造とすることができる。また、基板側からニッケル層、金層の積層構造とすることができる。
【0070】
次に、図5(f)に示すように、エッジターミネーション層9及びリサーフ層10の一部上の絶縁膜6を除去する。次に、このエッジターミネーション層9及びリサーフ層10の一部上にチタンからなるショットキー電極4を形成する。ショットキー電極4端には、エッジターミネーション層9が接するようにする。この工程で同時にチタンからなるフィールドプレート5を絶縁膜6上まで伸びるように形成する。
【0071】
次に、図5(g)に示すように、4H−SiC基板の裏面のn+型半導体層2上にニッケルからなるオーミック電極3を形成する。ただし図5(e)に示す段階で電極3を形成した場合は、この工程は必要ない。
【0072】
この様にして図1に示す高耐圧半導体装置が完成する。
【0073】
リサーフ層10内部の第1ガードリング層11はいくつであってもよく、個数が多いほど耐圧の劣化を防ぐ効果がある。本発明者らの実験の結果第1ガードリング層11は、2〜3本とするのが効果的であった。
【0074】
また、各第1ガードリング層11の幅を3μmとし、エッジターミネーション層9と最内郭の第1ガードリング層11の間隔を1μmとした。また、最内郭の第1ガードリング層11と次に隣接する第1ガードリング11の間隔を2μmとした。これら第1ガードリング層11の間隔及び幅は、最適化をおこなうことで、さらに理想耐圧の90%以上の耐圧が得られる濃度範囲を広げることが可能である。
【0075】
また、リサーフ層10外部の第2ガードリング層12はいくつであってもよく、個数が多いほど耐圧の劣化を防ぐ効果がある。本発明者らの実験の結果第2ガードリング層12は、3〜5本とするのが効果的であった。図5の説明では簡単のため2つの第2ガードリング層11としているが、4本の第2ガードリング層12を形成した場合を説明する。
【0076】
各第2ガードリング層12の幅を3μmとし、リサーフ層10と最内郭の第2ガードリング層12の間隔を1μmとした。最内郭の第2ガードリング層12と次に隣接する第2ガードリング層12の間隔を1μmとした。この第2ガードリング層12と次に隣接する第2ガードリング層12の間隔を2μmとした。この第2ガードリング層12と次に隣接する第2ガードリング層12の間隔を3μmとした。これら第2ガードリング層12の間隔及び幅は、最適化をおこなうことで、理想耐圧の90%以上の耐圧が得られる濃度範囲を広げることが可能である。
【0077】
チャネルストッパ領域8はカソード電極3と電気的に接続され、半導体基板の表面電位を固定するために設けているが、空乏層が到達する場合に、耐圧劣化を防ぐ効果がある。ここでチャネルストッパ領域8の不純物n+はp+であっても良い。ここでは、最外郭の第2ガードリング層12端とチャネルストッパ領域8の距離を30μm以上確保し、空乏層が到達しない距離にチャネルストッパ領域8を形成している。
【0078】
フィールドプレート5は、ショットキー電極4と電気的に接続し、フィールドプレート5の端部がリサーフ層10上に位置していることが好ましい。ここでは、フィールドプレート5の端部とリサーフ層10の外周端との距離を10μmとした。また、絶縁膜6の厚さを1μmとした。
【0079】
また、このフィールドプレート5の端部とチャネルストッパ層9間の絶縁膜6を厚くし、第2フィールドプレートを形成しても良い。或いは第2ガードリング層12上に、ショットキー電極とは電気的に接続されないフィールドプレートを形成しても良い。
【0080】
本高耐圧半導体装置の製造方法では、リサーフ層10内部の第1ガードリング11をエッジターミネーション層9と同時にイオン注入によって形成している。また、リサーフ層10外部の第2ガードリング12をリサーフ層10と同時にイオン注入によって形成している。したがって製造プロセスは従来のリサーフ構造のマスクレイアウトの変更のみでよく、工程数も同じである。
【0081】
また、マスクを増やし、リサーフ層10と第2ガードリング層12を、不純物濃度を変えて別々に形成しても良い。また、エッジターミネーション層9と第1ガードリング層11を、不純物濃度を変えて別々に形成しても良い。このように不純物濃度を変えることで、さらに耐圧の劣化を防ぐような最適設計をおこなうことも可能である。
【0082】
次に、図6を用いて図1に示す高耐圧半導体装置の変形例を説明する。図6に示す高耐圧半導体装置と図1に示すものとの相違点は、フィールドプレート5の端部がリサーフ層10上まで伸びていなく、エッジターミネーション層9上に留まっている点である。他の構造は図1に示すものと同様であり詳しい符号の説明は省略する。このような構造においても同様の効果を奏する。
【0083】
次に、図7を用いて図1に示す高耐圧半導体装置の変形例を説明する。図7に示す高耐圧半導体装置と図1に示すものとの相違点は、フィールドプレート5と電気的に接続され、半導体層1と絶縁膜6を介して設けられた第2のフィールドプレート40が設けられている点である。これは第1のフィールドプレート5下に形成された絶縁膜6の厚さよりも、第2のフィールドプレート40下に形成された絶縁膜6の厚さのほうが厚く出来ている。他の構造は図1に示すものと同様であり詳しい符号の説明は省略する。このような構造においても同様の効果を奏する。
【0084】
次に、図8を用いて図1に示す高耐圧半導体装置の変形例を説明する。図8に示す高耐圧半導体装置と図1に示すものとの相違点は、第2ガードリング層12上に第6電極13が設けられている点である。他の構造は図1に示すものと同様であり詳しい符号の説明は省略する。このような構造においても同様の効果を奏する。
【0085】
次に、図9を用いて図1に示す高耐圧半導体装置の変形例を説明する。図9に示す高耐圧半導体装置と図1に示すものとの相違点は、エッジターミネーション層9が、リサーフ層10からはみ出ており第1電極4とオーミック接続している点である。この構造はPN接合ダイオードを構成している。他の構造は図1に示すものと同様であり詳しい符号の説明は省略する。このような構造においても同様の効果を奏する。
【0086】
また、これらのダイオード構造のほかに、MOSトランジスタ、IGBT、サイリスタ等、各種高耐圧半導体素子の終端構造として適用することができる。
【0087】
また、不純物がp型とn型を逆転した構造や、SiC以外にSiやその他の半導体に対しても適用可能である。Siを用いる場合、リサーフ層10の最適濃度が4H−SiCに比べ1桁低い値であるが、本発明の終端構造により、その最適値近辺での耐圧を安定に保つことが可能である。
【0088】
図13に、本発明の別の実施形態にかかる高耐圧半導体装置(ショットキーバリアダイオード)の断面図を示す。基板としては4H−SiCを用いている。
【0089】
図13に示すように、このショットキーバリアダイオードは、裏面にn+型半導体層2が形成されたn−型半導体層1と、このn−型半導体層1の表面に形成されたp−型低不純物層からなるリサーフ層10とを具備する。
【0090】
n−型半導体層1の表面の、リサーフ層10の周囲にはp−型低不純物層からなるガードリング層12が2つ形成されている。ガードリング層12は、リサーフ層10と不純物濃度が同程度である。
【0091】
また、n−型半導体層1及びリサーフ層10上には、ショットキー電極として第1電極4が設けられている。第1電極4上には、これと電気的に接続されたフィールドプレート5が形成されている。フィールドプレート5は、n−型半導体層1と絶縁膜6を介して形成されている。このフィールドプレート5は、端部がリサーフ層10上に位置するように設けられている。このようにして形成されたフィールドプレート5は、電極端の電界集中を緩和し、耐圧の低下を抑制する効果を有する。
【0092】
ここでリサーフ層10には最適濃度があり、最適濃度以下になると急激に耐圧が低下する。一方最適濃度以上の濃度での耐圧低下はそれほど大きくない。リサーフ層10はイオン注入により形成され、ドーズ量によりリサーフ層の濃度を設定する。上記のことを考慮すると耐圧が800V以上を得るためには、ドーズ量の最適濃度範囲は0.9×1013cm−2以上1×1014cm−2 以下である。特にこの最適濃度範囲は半導体としてシリコンカーバイド(SiC)を用いるときにあてはまる。
【0093】
プロセスより、不純物原子の外方拡散、表面エッチングにより注入されたイオンの一部が失われ、また活性化率の変動があるため、実際の注入量は大きめに設定し最適値より小さくならないようにする。例えば1.5×1013cm−2に設定すればよい。
【0094】
n−型半導体層1の裏面には、n+型半導体層2を介して第2電極3が形成されている。n−型半導体層1の表面には、ガードリング層12の周囲に位置するように、n+型高不純物濃度層からなるチャネルストッパ領域8が形成されている。チャネルストッパ領域8上には、第3電極7が設けられ、第2電極3と電気的に接続されている。このチャネルストッパ領域8によって、素子の外側にチャネルが広がるのを防ぐことができる。
【0095】
この高耐圧半導体装置の構造は、第1電極4を中心とした円周構造となっている。
【0096】
図13に示す構造では、リサーフ層10が最適値より高濃度になっても耐圧低下は小さいので高耐圧の半導体装置を得ることができる。このときリサーフ層10の濃度対ガードリング層12の比が1対0.5以上2以下であることが好ましい。
【0097】
図14に、本発明の別の実施形態にかかる高耐圧半導体装置(ショットキーバリアダイオード)の断面図を示す。基板としては4H−SiCを用いている。
【0098】
図14に示すように、このショットキーバリアダイオードは、裏面にn+型半導体層が形成されたn−型半導体層1と、n−型半導体層1の表面に形成されたp+型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層9を具備している。
【0099】
また、n−型半導体層1の表面には、エッジターミネーション層9を内部に含むようにp−型低不純物層からなるリサーフ層10が形成されている。リサーフ層10は、エッジターミネーション層9よりも低い不純物濃度である。
【0100】
n−型半導体層1の表面の、リサーフ層10の周囲にp−型低不純物層からなるガードリング層12が形成されている。ガードリング層12は、リサーフ層10と不純物濃度が同程度である。
【0101】
エッジターミネーション層9上には、第1電極4が設けられている。第1電極4上には、これと電気的に接続されたフィールドプレート5が形成されている。フィールドプレート5は、半導体層1と絶縁膜6を介して形成されている。このフィールドプレート5は、端部がリサーフ層10上に位置するように設けられている。このフィールドプレートは、電極端や、エッジターミネーション層端部の電界集中を緩和し、耐圧の低下を抑制する。
【0102】
リサーフ層10には最適濃度があり,最適濃度以下になると急激に耐圧が低下する。一方最適濃度以上の濃度での耐圧低下はそれほど大きくない。リサーフ層10はイオン注入により形成され、ドーズ量によりリサーフ層10の濃度を設定する。典型的なドーズ量は1×1013cm−2である。
【0103】
プロセスより、不純物原子の外方拡散、表面エッチングにより注入されたイオンの一部が失われ、また活性化率の変動があるため、実際の注入量は大きめに設定し最適値より小さくならないようにする。例えば1.5×1013cm−2に設定する。
【0104】
n−型半導体層1の裏面には、n+型半導体層2を介して第2電極3が形成されている。n−型半導体層1の表面には、ガードリング層12の周囲に位置するように、n+型高不純物濃度層からなるチャネルストッパ領域8が形成されている。チャネルストッパ領域8上には、第3電極7が設けられ、第2電極3と電気的に接続されている。このチャネルストッパ領域8によって、素子の外側にチャネルが広がるのを防ぐことができる。
【0105】
この高耐圧半導体装置の構造は、第1電極4を中心とした円周構造となっている。
【0106】
図14の構造ではリサーフ層10が最適値より高濃度になっても耐圧低下は小さいので高耐圧の半導体装置を得ることができる。このときリサーフ層10の濃度対ガードリング層12の比が1対0.5以上2以下であることが好ましい。
【0107】
図15に、本発明の別の実施形態にかかる高耐圧半導体装置(ショットキーバリアダイオード)の断面図を示す。基板としては4H−SiCを用いている。
【0108】
図15に示すように、このショットキーバリアダイオードは、裏面にn+型半導体層2が形成されたn−型半導体層1と、n−型半導体層1の表面に形成されたp+型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層9を具備している。
【0109】
n−型半導体層1の表面には、複数のp+型高不純物濃度層からなる第1のガードリング層11が形成されている。これら第1のガードリング層11は、エッジターミネーション層9の周囲に位置するように形成されている。第1のガードリング層11は、エッジターミネーション層9と不純物濃度も同程度である。
【0110】
n−型半導体層1の表面には、エッジターミネーション層9及び第1のガードリング層11を内部に含むようにp−型低不純物層からなるリサーフ層10が形成されている。リサーフ層10は、エッジターミネーション層9及び第1のガードリング層11よりも低い不純物濃度である。
【0111】
n−型半導体層1の表面の、リサーフ層10の周囲にp−型低不純物層からなる第2のガードリング層12が形成されている。第2のガードリング層12は、リサーフ層10と不純物濃度が同程度である。
【0112】
またショットキー電極として第1電極4が設けられている。第1電極4上には、これと電気的に接続されたフィールドプレート5が形成されている。フィールドプレート5の端部はエッジターミネーション層の内側に位置する。フィールドプレートと酸化膜とエッジターミネーションの電界は小さく、この構造では逆電圧印加時の酸化膜の絶縁破壊による素子不良が抑制される。
【0113】
n−型半導体層1の裏面には、n+型半導体層2を介して第2電極3が形成されている。n−型半導体層1の表面には、第2ガードリング層12の周囲に位置するように、n+型高不純物濃度層からなるチャネルストッパ領域8が形成されている。チャネルストッパ領域8上には、第3電極7が設けられ、第2電極3と電気的に接続されている。このチャネルストッパ領域8によって、素子の外側にチャネルが広がるのを防ぐことができる。
【0114】
この高耐圧半導体装置の構造は、第1電極4を中心とした円周構造となっている。
【0115】
図15の構造ではリサーフ層10が最適値より高濃度になっても耐圧低下は小さいので高耐圧の半導体装置を得ることができる。このときリサーフ層10の濃度対ガードリング層12の比が1対0.5以上2以下であることが好ましい。
【0116】
図16に、本発明の別の実施形態にかかる高耐圧半導体装置(ショットキーバリアダイオード)の断面図を示す。基板としては4H−SiCを用いている。
【0117】
図16に示すように、このショットキーバリアダイオードは、裏面にn+型半導体層2が形成されたn−型半導体層1と、n−型半導体層1の表面に形成されたp+型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層9を具備している。
【0118】
n−型半導体層1の表面には、エッジターミネーション層9を内部に含むようにp−型低不純物層からなるリサーフ層10が形成されている。リサーフ層10は、エッジターミネーション層9よりも低い不純物濃度である。
【0119】
n−型半導体層1の表面には、リサーフ層10の周囲に位置するようにp−型低不純物層からなるガードリング層12が形成されている。ガードリング層12は、リサーフ層10と不純物濃度が同程度である。
【0120】
また、n−型半導体層1表面上にはショットキー電極として第1電極4が設けられている。第1電極4上には、これと電気的に接続されたフィールドプレート5が形成されている。フィールドプレート5の端部はエッジターミネーション層9の内側に位置する。フィールドプレート5と酸化膜6とエッジターミネーション9の電界は小さく、この構造では逆電圧印加時の酸化膜の絶縁破壊による素子不良が抑制される。
【0121】
n−型半導体層1の裏面には、n+型半導体層2を介して第2電極3が形成されている。n−型半導体層1の表面には、第2ガードリング層12の周囲に位置するように、n+型高不純物濃度層からなるチャネルストッパ領域8が形成されている。チャネルストッパ領域8上には、第3電極7が設けられ、第2電極3と電気的に接続されている。このチャネルストッパ領域8によって、素子の外側にチャネルが広がるのを防ぐことができる。
【0122】
この高耐圧半導体装置の構造は、第1電極4を中心とした円周構造となっている。
【0123】
図16の構造ではリサーフ層10が最適値より高濃度になっても耐圧低下は小さいので高耐圧の半導体装置を得ることができる。このときリサーフ層10の濃度対ガードリング層12の比が1対0.5以上2以下であることが好ましい。
【0124】
図17に、図1に示した構造のリサーフ層10のドーズ量と耐圧の実測値の結果及び図13に示した構造のリサーフ層10のドーズ量と耐圧の実測値の結果及び図10に示す従来のリサーフ構造のリサーフ層10のドーズ量と耐圧の実測値の結果を示す。横軸はリサーフ層に打ち込まれたドーズ量(cm−2)をとり、縦軸は耐圧(V)を取っている。
【0125】
図17に示すように、高濃度領域(1×1013cm−2より高い濃度領域)では、従来のリサーフ構造よりも本発明の構造のほうが高い耐圧を示すことが分かる。また、図13に示すようにリサーフ層10とこの外側に形成されたガードリング層12のみでも高耐圧が得られることが分かる。
【0126】
一方、低濃度領域(1×1013cm−2より低い濃度領域)では、図1に示す構造の内側に形成されたガードリング層11の効果は僅かしか見られない。これは、内側に形成されたガードリング層11の間隔が、試作においてまだ十分に最適化されていないためである。
【0127】
また、ドーズ量1.5×1013cm−2で耐圧が下がっているのは、外側に形成されたガードリング12の間隔がまだ十分に最適化されていないためである。
【0128】
図17の実測値からの考察により、耐圧が800V以上を得られるドーズ量(打ち込みの不純物量)は、0.9×1013cm−2以上1×1014cm−2 以下が好ましいことが分かる。
【0129】
【発明の効果】
本発明によれば、不純物濃度のばらつきやマスクずれなどによる寸法のばらつきがあっても、耐圧の劣化を防ぐことができる高耐圧半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る高耐圧半導体装置の断面図。
【図2】 本発明に係る高耐圧半導体装置の上面図。
【図3】 本発明の高耐圧半導体装置及び従来の高耐圧半導体装置のリサーフ層の表面濃度と耐圧を示すグラフ。
【図4】 本発明に係る高耐圧半導体装置のリサーフ層の濃度と表面電界強度を示すグラフ。
【図5】 本発明に係る高耐圧半導体装置の製造方法を説明するための各工程における断面図。
【図6】 本発明の変形例に係る高耐圧半導体装置の断面図。
【図7】 本発明の変形例に係る高耐圧半導体装置の断面図。
【図8】 本発明の変形例に係る高耐圧半導体装置の断面図。
【図9】 本発明の変形例に係る高耐圧半導体装置の断面図。
【図10】 従来の高耐圧半導体装置の断面図。
【図11】 従来の高耐圧半導体装置の断面図。
【図12】 本発明に係る高耐圧半導体装置及び従来の高耐圧半導体装置のリサーフ層のドーズ量と耐圧を示すグラフ。
【図13】 本発明に係る別の高耐圧半導体装置の断面図。
【図14】 本発明に係る別の高耐圧半導体装置の断面図。
【図15】 本発明に係る別の高耐圧半導体装置の断面図。
【図16】 本発明に係る別の高耐圧半導体装置の断面図。
【図17】 本発明に係る高耐圧半導体装置及び従来の高耐圧半導体装置のリサーフ層のドーズ量と耐圧を示す実測値のグラフ。
【符号の説明】
1・・・n−型半導体層
2・・・n+型半導体層
3・・・第2電極
4・・・第1電極
5・・・フィールドプレート
6・・・絶縁膜
7・・・第3電極
8・・・チャネルストッパ領域
9・・・エッジターミネーション層
10・・・リサーフ層
11・・・第1ガードリング層
12・・・第2ガードリング層
Claims (18)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面の一部に形成された第1の電極と、
前記第1の半導体層の裏面に形成された第2の電極と、
前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第1低不純物濃度層と、
前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1の電極の端部が重なるように配置された第2導電型の第1高不純物濃度層と、
前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1高不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された第2導電型の第2高不純物濃度層と、
前記第1半導体層の表面に形成され、前記第1低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された第2導電型の第2低不純物濃度層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 第1半導体層の表面に、前記第2低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように形成され、第1導電型の第3高不純物濃度層と、前記第3高不純物濃度層上に形成され、前記第2電極と電気的に接続された第3電極とを具備することを特徴とする請求項1記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1低不純物濃度層の表面には絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜表面に形成された第4電極を具備することを特徴とする請求項1記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第4電極の端部が前記第1低不純物濃度層上に位置することを特徴とする請求項3記載の高耐圧半導体装置。
- 前記絶縁膜の表面には第2の絶縁膜が形成されており、前記第2の絶縁膜の表面に形成され前記第4電極と電気的に接続された第5電極を具備することを特徴とする請求項3記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第2低不純物濃度層上に設けられ、前記第1電極とは電気的に接続されない第6電極を具備することを特徴とする請求項1記載の高耐圧半導体装置。
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上の一部に形成された第1電極と、
前記第1半導体層の裏面に形成された第2電極と、
前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型のリサーフ層と、
前記リサーフ層の内部に形成され、前記第1の電極の端部が重なるように配置された第2導電型のエッジターミネーション層と、
前記第1半導体層の表面に前記リサーフ層の周囲を離間して囲むように形成された第2導電型のガードリング層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 第1半導体層の表面に形成され、前記ガードリング層の周囲を離間して囲むように配置された第1導電型のチャネルストッパ層と、前記チャネルストッパ層上に形成され、前記第2電極と電気的に接続された第3電極層とを具備することを特徴とする請求項7記載の高耐圧半導体装置。
- 前記リサーフ層の表面には絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜の表面に形成され前記第1電極と電気的に接続された第1フィールドプレートを具備することを特徴とする請求項7記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1フィールドプレートの端部が前記リサーフ層上に位置することを特徴とする請求項9記載の高耐圧半導体装置。
- 前記絶縁膜表面には第2絶縁膜が形成されており、前記第2絶縁膜の表面に形成され前記第1フィールドプレートと電気的に接続された第2フィールドプレートを具備することを特徴とする請求項9記載の高耐圧半導体装置。
- 前記ガードリング層上に設けられ、前記第1電極とは電気的に接続されない第3フィールドプレートを具備することを特徴とする請求項7記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1半導体層がシリコンカーバイドであることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の高耐圧半導体装置。
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面の一部に形成された第1電極と、
前記第1半導体層の裏面に形成された第2電極と、
前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第1低不純物濃度層と、
前記第1半導体層の表面に形成され、前記第1低不純物濃度層の周囲を離間して囲むように配置された第2導電型の第2低不純物濃度層とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 前記第1低不純物濃度層の内部に形成され、前記第1電極の端部が重なるように配置された第2導電型の第1高不純物濃度層を具備することを特徴とする請求項14記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1低不純物濃度層の表面には絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜の表面に形成され一端が前記第1電極と電気的に接続され、他端が前記第1高不純物濃度層の上方に位置する如く形成された第4電極を具備することを特徴とする請求項15記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1半導体層がシリコンカーバイドであることを特徴とする請求項14乃至請求項16のいずれかに記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1低不純物濃度層のドーズ量が0.9×1013cm−2以上1×1014cm−2以下であることを特徴とする請求項17記載の高耐圧半導体装置。
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